第一篇：邱關(guān)源 《電路》第五版 學習總結(jié)

第一章

1、KCL、KVL基爾霍夫定律

2、受控電源 CCCS、CCVS、VCVS、VCCS

第二章

1、電阻電路的等效變換

電阻的Y行聯(lián)接與△形聯(lián)接的等效變換

R1、R2、R3為星形聯(lián)接的三個電阻，R12、R13、R23為△形聯(lián)接的三個電阻公式：Y形電阻?

如：R1?R12?R31R1R2?R2R3?R1R3R12? R12?R23?R31R3?形相鄰電阻的乘積Y形電阻兩兩乘積之和?形電阻? ?形電阻之和Y形不相鄰電阻

2、電壓源、電流源的串并聯(lián)

電壓源串聯(lián)，電流源并聯(lián)可以合成為一個激勵為其加和的電壓源或電流源；只有激勵電壓相等且極性一致的電壓源才允許并聯(lián)，否則違背KVL； 只有激勵電流相等且方向一致的電流源才允許串聯(lián)，否則違背KCL。

第三章

1、KCL獨立方程數(shù)：n-1 ；KVL獨立方程數(shù)： b-n+1

其中，（n為節(jié)點數(shù)，b為分支數(shù)）

2、支路分流法，網(wǎng)孔電流法，回路電流法；

節(jié)點電壓法

3、電壓源電阻很小，電導很大；電流源電阻很大，電導很小；

第四章

獨作用時，在該處分別產(chǎn)生的電壓或電流的疊加

2小K倍時，響應(yīng)（電壓或電流）也將同樣增大或縮小K倍

4可以用一個電壓源和電阻的串聯(lián)組合等效替代，此電壓源的激勵電壓等于一端口的開路電壓，電阻等于一端口內(nèi)全部獨立電源置零后的輸入電阻；

可以用一個電流源和電阻的并聯(lián)組合等效置換，電流源的激勵電流等于一端口的短路電流，電阻等于一端口中全部獨立源置零后的輸入電阻。

5、最大功率傳輸定理：PLMAX2UOC，負載電阻RL=含源一端口的輸入電阻Req ?4Req

第五章

第二篇：電路(第5版)--邱關(guān)源(講稿習題)1、2

1、已知： U1=1V, U2=-3V，U3=8V, U4=-4V,U5=7V, U6=-3V，I1=2A, I2=1A,，I3=-1A。

求圖示電路中各方框所代表的元件吸收或發(fā)出的功率。

解：

2、如圖，求電壓u2

解：

3、求電流 i。

i?[3?(?2)]A?5A

4、求電壓 u。

u?(10?20?5)V??15V

5、求電流 I。

6、求電壓 U。

7、求開路電壓 U。

8、計算90?電阻吸收的功率。

9、求負載電阻RL消耗的功率。

第三篇：模擬電路課程學習總結(jié)

模擬電路課程學習總結(jié)

1120111448 李博聞 信息工程本碩博

1.從電路需求到電路指標提取、原理圖設(shè)計過程中的收獲、體會

提取電路指標無非就是確定一個電路在已知的輸入下，會有怎樣的輸出，這一點是根據(jù)電路的具體功能決定的。設(shè)計原理圖時，首先應(yīng)該考慮的是可用元器件及電路工作的環(huán)境（如芯片，工作電壓等）。確定元器件之后開始進行電路圖設(shè)計，現(xiàn)階段的我們接觸到的無非就是各類放大電路與比較電路，換句話說，我們最常用到的就是對信號的放大與篩選。此時，根據(jù)電路指標設(shè)計出相應(yīng)功能的放大電路和比較器。在這一環(huán)節(jié)，我們需要有以下能力：

1、讀圖能力

定性分析。能夠正確分析出一張模擬電路原理圖所要實現(xiàn)的功能。如果連圖都看不懂，定性分析功能也不會，那么就別指望后面的定量分析，設(shè)計調(diào)試了。讀圖能力是學好模電的基礎(chǔ)。擁有這個能力后，才能考慮自學模電。學會用實例說明如何把復(fù)雜的總原理圖分解成若干基本部分，如何分析估算，如何舉一反三。

2、估算能力

定量分析。能夠正確估算出一張模擬電路原理圖中各元件參數(shù)值。注意：這里特別強調(diào)“估算”，因為模擬電路分散性，只能近似估算。模電定量分析屬于工程問題，你不能指望得到精確解，只能得到大概數(shù)據(jù)，然后做實驗驗證。經(jīng)常看到論壇上有人問元器件(電阻、電容、電感等)的取值，然后眾人給出一堆答案，都不帶重樣的。這又給大家造成了模電難學的錯覺。其實，主要是缺乏定量估算能力造成的。估算能力需要不斷訓練，不斷積累，了解各種電路形式，各種數(shù)學模型，計算流程，計算公式，經(jīng)驗公式。估算能力的提高沒有捷徑可走，只能一點一滴，循序漸進地積累，不過，如果多看一些前人總結(jié)好的范例，并能舉一反三，那么，提高快一點還是有可能的。

3、選擇能力

獨立設(shè)計能力。能夠根據(jù)功能指標要求，選擇電路形式，選擇合適器件，選擇合適元器件參數(shù)。到這一步，已經(jīng)具備獨立設(shè)計能力了。這三步有先后順序，先會讀圖，給出一張圖能夠分析出功能，然后，能夠估算給定圖紙各元器件參數(shù)值，最后，能選擇合適電路實現(xiàn)指定功能。你想選擇合適元器件，就必須事先積累大量元器件信息，否則，連個選擇范圍都沒有，還談什么選擇啊，對吧。比如：你想選個合適的運放，那么你就必須事先搜集十幾種運放的數(shù)據(jù)手冊，然后才能開始選擇。選擇電路形式同樣需要事先積累，建議把各種電路形式列出對比表備查。至于選擇合適的元器件參數(shù)，那就得經(jīng)常用啦，熟能生巧，用多了自然能輕松選擇。總之，選擇能力需要長期積累，長期實踐。當然，從工程角度來說，找第三方咨詢，利用第三方平臺彌補自己積累的不足，也是行之有效的辦法。畢竟，具備獨立設(shè)計能力是個漫長的修煉過程。

2.面對“一張白紙的”通用版，如何實現(xiàn)自己的電路圖、布局，如何調(diào)試，這些過程中的收獲、體會、經(jīng)驗 電路布局，我認為應(yīng)當以核心芯片為中心進行布局，首先確定各個管腳之間的關(guān)系，由內(nèi)而外進行布局。比如說，如果管腳若是直接通過元器件鏈接，優(yōu)先考慮，相鄰的話更是優(yōu)先。然后在考慮結(jié)構(gòu)復(fù)雜的部分，這樣可以使電路層次分明，易于焊接和檢查。下面說說調(diào)試能力的鍛煉：

動手能力，具體實現(xiàn)。根據(jù)設(shè)計出來的圖紙，實際制作出符合要求的硬件電路。僅有圖紙，只能說剛完成一半工作量，模電設(shè)計從出圖到硬件實現(xiàn)還有很長很長的路要走。參照某圖紙設(shè)計的硬件出現(xiàn)這樣那樣的問題。比如自激、嘯叫、干擾輻射、不穩(wěn)定、噪聲淹沒有效信號、各項指標達不到等等。即使你有一個好的圖紙，也并不能組裝出達到預(yù)期效果的設(shè)備，常常要在調(diào)試上花費大量的時間和精力。即使是仿真過程中實現(xiàn)了功能，在實際中的元器件畢竟不是理想狀態(tài)下的。所以要根據(jù)實際情況加入電位器等元器件進行調(diào)整。模擬電路技術(shù)不僅是種實驗技術(shù)，還是種工藝技術(shù)。在布局焊接過程中嚴謹一些，也會為調(diào)試省去不少麻煩。就象寫程序需要調(diào)試一樣，模電調(diào)試更是家常便飯，而且困難得多，大部分是體力活。首先要了解各種測試方法，其次要熟練掌握常用儀器的使用，這些需要長期積累實踐，多做實驗。

3.理論課學習中的收獲、體會

理論課是整個課程的核心與基礎(chǔ)，是設(shè)計電路和調(diào)試電路的依據(jù)所在。我認為最應(yīng)該掌握的是，各類放大電路的原理與增益的計算。這些是用來指導我們設(shè)計電路的。為了確定電路工作狀態(tài)及調(diào)試，還需學會靜電的設(shè)置與計算。為了使電路穩(wěn)定不失真并消除干擾，對差模，負反饋等內(nèi)容也要掌握。

理論課的學習比較抽象，而且乏味。容易使人產(chǎn)生模電很難得想法。

4.對課程習題求解過程中的收獲、體會 求解習題是我最不擅長的部分，感覺對解題有一種恐懼，可能是我思路不清晰的問題吧，經(jīng)常感覺無處下手。不過在大量的求解中也學會了不少東西，對基本原理的加深理解，學會了對實例的分析，培養(yǎng)了一定的估算能力與分析能力，這些都是對設(shè)計電路很有幫助的。

5.課程難點與最感興趣內(nèi)容

其實我覺得模電這門課就挺難的，尤其是復(fù)雜的電路分析和參數(shù)計算。最感興趣的內(nèi)容是課程的實驗部分，尤其是自己設(shè)計電路。

6.有意義的內(nèi)容 從整個課程來看，最有意義的就是教會了我們?nèi)绾螌⒗碚撟優(yōu)楝F(xiàn)實。我們學會了讀圖，估算，布局，調(diào)試，最可貴的是有了一定的設(shè)計能力，能夠?qū)⒐δ苡秒娐敷w現(xiàn)出來。

7.建議

模電這門課很難入門，所以我一開始沒有跟上，后期想聽懂就太難了，如果老師能夠多帶著我們分析實例，計算參數(shù)就更好了，這樣即便在理論上沒學好，也可以在分析中鞏固理論。還有，實驗課有點和理論課時間上不同步，如果實驗?zāi)軌蚝驼n程同步就更有意義了。

第四篇：模塊電路學習心得體會范文

模塊電路學習心得體會

時間如梭，光陰似箭。轉(zhuǎn)瞬間。兩年的大學時光已經(jīng)過去，回首過去的兩年，我不禁有些感慨。這兩年里，在老師的悉心教導和同學們的熱情幫助下，通過自身不懈的努力，在學習生活中不斷進步，完善自我，使我在思想政治、理論水平方面都有所提高，下面我就針對電路這門課的學習淺談一下自己的學習方法，希望對大家有所幫助。電路是我們電信系學生的專業(yè)基礎(chǔ)課，我們的專業(yè)課都與它有著不可分割的聯(lián)系，因此，學好這門課對于我們來說是非常重要的。在學習這門課時，我們會學到許多新名詞，新概念，這就要求我們對于概念要準確的記憶，比如：參考方向、并聯(lián)參考方向、有功功率、視在功率、無功功率。參考方向是任意選定的，我們在分析電路時，一律與參考方向為準，不考慮實際方向，這一點希望大家不要搞混。有些概念我們可以對比著記憶，例如獨立源和受控源，獨立源在電路中起“激勵”作用，但受控源不行。另外，我們在平常學習中，就應(yīng)該認真細心，就像我們使用基爾霍夫電壓、電流定律時，一定要注意參考方向，有時需要我們自己在圖中標注，考試時許多同學一著急經(jīng)常會在這里丟分。做完一題之后，要想想做此類題的過程，抽查一下，例如我們在求電路中各元件的功率時，我們就可以利用功率平衡定律（P發(fā)出=P吸收）進行檢驗，對于重點定律的掌握，也建議大家通過多做題加以練習掌握，另外，嘗試有多種方法去解一道題，這對我們來說可以起到事半功倍的效果，比如對于一個電壓比例和電路，我們可以用節(jié)點法（將電壓源、電阻串聯(lián)作為一條支路）、疊加法以及等效變換法求解電路。學習是要講究方法的，一味的搞題海戰(zhàn)術(shù)并不見得效果有多好，重要的是我們在做題是要學會總結(jié)。下面我給大家介紹三種求解戴維寧等效電路的方法：①、先求出開路電壓Uoc，再求出短路電流Isc，最后Rep=Uoc/Isc；②、先求出開路電壓Uoc，然后在所有獨立源置零的情況下，求出電路的等效電阻；③、當電路中含有受控源時，此時只能用外加源法求解，在用此方法時：

a、先外加電流源或者電壓源，算出開路電壓，(注：若外加電流源，則電流由正極流出)。再將電路中的獨立源置零，受控源保留，求出等效電阻。

b、若在用外加源法求解等效電阻時，沒有將獨立源置零，則此時會得到一個關(guān)系式U=Uoc—RIo，故可求得Uoc和R

再如，我們在求解運算放大電路時，一定要記住兩個條件（U+≈U-，i+≈i-=0），然后再通過節(jié)點法對其求解，以及后面學習的正弦穩(wěn)態(tài)分析，其實也就是掌握每個元件參量的相量表示，然后再畫出電路的相量模型，其分析方法與直流分析一樣。我們在對電路進行瞬態(tài)分析時，第一步，求初始值（分析時一般畫出t=0-時刻的電路圖，再利用Uc(0+)=Uc(0-)或iL（0+）=iL（0-）求出相應(yīng)量再畫出t≥0+時刻的電路圖，從而求得初始值）；第二步，求穩(wěn)態(tài)值。第三步，求時間常數(shù)τ=RC或τ＝L/R．（此處的R為從電容/電感兩端看過去的等效電阻，可用戴維寧等效法求的），最后，將所求量帶入通式即可。

最后，在提醒大家一點就是要注意復(fù)習，“溫故而知新”，只有不斷的復(fù)習，在能使我們對學過的知識加以鞏固，及時發(fā)現(xiàn)自己的問題，并及時答疑解惑，這樣，我們才能不斷取得進步，以上就是我對電路學習方法的一些總結(jié)。

回首過去，心中無限感概，展望未來，相信依舊燦爛，在今后的日子里，我任然會一如既往的秉承自己的初衷，遵守制定的計劃，一步一個腳印堅定的走下去。懷揣夢想，銘記責任，帶著企盼，滿載榮光，再乘東風揚征帆！

第五篇：snubber電路總結(jié)

電阻的用法

一、RC-SNUBBER電路

Snubber電路中文為吸收電路。公司的板子上，其最常應(yīng)用場合如下圖所示。

VCC5R3918.2K 1%1000PF 50V+CE33220uF 10V+CE34220uF 10VC3522uF 25V1C3622uF 25V1C370.1uF 16V1C404DQ14FDD88801GR440Ω 5%UGATE_UES43L411.7uH,13A,DCR6.36mΩ2MAX:11AOCP:13A+CE35470uF 4V+CE36470uF 4VC45C461VCC1_8DDRDLGATE_UEQ15FDD88961R462.2Ω 5%R48C481000PF 50VR492.21K 1%11GSC4710uF 16V22uF 25V110.1uF 16VX_10K 1%C49X_0.01uF 25VC52UD_COMPR50112PF 50V133K 5%C540.01uF 50V3R511.78K 1%

為了便于說明問題，將上圖簡化。

實際的沒有snubber的電路中各點的波形如下圖所示。

從上圖的波形即客觀現(xiàn)象表明在PHASE點會出現(xiàn)電壓尖峰。這種尖峰會對L-MOS造成威脅，根據(jù)電源組同事的觀察，有些板子的L-MOS經(jīng)常燒壞或壽命大幅縮短，就是PHASE點電壓尖峰造成的。實際測量沒有SNUBBER的PHASE點波形如圖所示（上圖紅圈內(nèi)的波形放大）。

造成電壓尖峰及其危害的原因是什么呢？為了更嚴謹更準確說明電路的工作情況設(shè)想模型如下。

上圖分別是電路中寄生電感和MOS管極間等效電容的示意圖。簡化之后如下圖。

+vI寄生電感儲能大電感PHASEMOS管的等效電容濾波電容負載-線路上的等效電阻

上圖虛線框內(nèi)的是PHASE后的線路，由于有儲能大電感的存在，瞬時變化的電流I不能通過進入虛線框內(nèi)。所以對瞬時（高頻）電壓電流而言，其路徑只能是通過L-MOS。為了驗證這種設(shè)想的真實性，本文建立仿真模型進行驗證。

2VL12n1V1 = 0V2 = 5TD = 30nsTR =TF =PW =PER =V1VI500p0R10.10V0

電壓源是一個上升沿模仿H-MOS導通的動作。電容模仿L-MOS的等效電容大概有500pF。

0V電感模仿電路上的寄生電感。電阻模仿線路上的等效電阻。仿真波形如下。紅色為PHASE點電壓，黃色為PHASE點電流，綠色為輸入電壓。

和實際沒有snubber電路的PHASE點波形比較。可以發(fā)現(xiàn)兩者在波形特征是很相似的。所以可以基本認為，設(shè)想的模型是能說明問題的。

分析產(chǎn)生電壓尖峰的原因。將上圖放大。得下圖。紅色為PHASE點電壓，黃色為PHASE點電流，綠色為輸入電壓。

時間段1（30ns~A）：H-MOS管導通，5V電壓輸入。寄生電感中的電流以正弦波的形式增大。同時這個增大的電流給L-MOS的等效電容充電，使得PHASE點的電壓上升。

時間段2（A~B）：當PHASE點電壓達到5V時，則寄生電感兩端的電壓開始反向。但寄生電感中的電流不能瞬變，而是以正弦波的形式減小。這時這個減小的電流也在給L-MOS的等效電容充電，使得PHASE點的電壓繼續(xù)上升。

時間段3（B~C）：當寄生電感中的電流減小到0時，L-MOS的等效電容剛好充電到最多的電荷形成PHASE點的電壓極大值。此時PHASE點的電壓大于輸入電壓，則電容開始放電PHASE點電壓開始減小，電感的電流反向開始增大。

時間段4（C~D）：當PHASE點電壓減小到5V時，電感兩端的電壓有反向了，電流（標量）開始減小，電容中的點放完，但由于電感中的電流還存在，電容被反向充電。PHASE點電壓繼續(xù)下降。

綜上所述，電壓尖峰是由于寄生電感不能瞬變的電流給L-MOS等效電容充電造成的。而振蕩是由于電感和電容的諧振造成的。實際電路中多余的能量大部分是由L-MOS的內(nèi)阻消耗的。這部分多余的能量等于PHASE點電壓為5V時，電流在電感中對應(yīng)的電磁能。由于等效電容很小，所以多余能量（電荷）能夠在電容兩端造成較大的電壓。所以減小電壓尖峰的方法是減小流入等效電容的電荷數(shù)量。對于振蕩則可以選擇阻尼電阻一方面減少振蕩次數(shù)，一方面減小L-MOS的消耗能量。

因此設(shè)計出了snubber電路。如圖所示。+v寄生電感PHASEIMOS管的等效電容Snubber電阻線路上的等效電阻-Snubber電容

RC-snubber電路從兩個方面去解決電壓尖峰的問題。

1、對PHASE點電壓等于輸入電壓時的電感電流分流，這樣使得流入L-MOS等效電容的電流大大減小。而snubber電容的容值選取較大，吸收了多余的能量后產(chǎn)生的電壓不會太大。這樣使得PHASE點的電壓尖峰減小。

2、RC中的電阻起到阻尼作用，將諧振能量以熱能消耗掉。仿真結(jié)果如下

2VL12n1R2I2.2V1 = 0V2 = 5TD = 30nsTR =TF =PW =PER =V1VI3000p500p0R10.10V0

紅色為PHASE點電壓，黃色為PHASE點電流，綠色為輸入電壓。天藍色為snubber分流的電流。

0V0V0V

所以RC-snubber電路的好處有：

1、增強phase點的信號完整性。

2、保護L-MOS提高系統(tǒng)可靠性。

3、改善EMI。壞處：

1、PHASE點電壓等于輸入電壓時需要更多的能量，所以在每次開關(guān)時都要消耗更多的能量，降低了電源轉(zhuǎn)換效率。

2、RC選取不好就會起反作用。

Snubber電路的位置選擇。大家都知道snubber電路的擺放應(yīng)該靠近PHASE點。但是有一個細節(jié)很有意思。看下圖。

圖中的寄生電感共4個，給L-MOS造成影響的是上面3個，snubber電路接在PHASE點上。現(xiàn)在有兩個問題

1、H-MOS管的等效電容也應(yīng)該有相似的電壓尖峰效應(yīng)怎么辦？

2、snubber電路無法保護第三個寄生電感的造成的過壓，可是為什么實際上的吸收效果卻很好？

解釋上面的問題，可以看一下這里用的MOS管封裝便可知道。

在電容總結(jié)里講過，寄生電感主要分布在引腳和走線上。在電源線路的PCB走線是又寬又短的，所以這里的寄生電感主要來源于引腳封裝。MOS管的漏極寬大的設(shè)計就是為了能夠減小寄生電感（當然也可以利于散熱），而源極寄生電感在正向?qū)〞r不會對MOS管的等效電容造成威脅。

Snubber器件的選取。

首先是電容，snubber電容的作用是為L-MOS等效電容分流而不產(chǎn)生大的過壓，所以選取的容值要大于等效電容。但是它使得PHASE點電壓等于輸入電壓時需要更多的能量，所以太大會降低電源的轉(zhuǎn)換效率。這里需要折中考慮。

下面是EC4-1811上1.8V的BUCK電路snubber電路的實驗。如圖所示。

上圖的snubber電路PHASE點波形（黃色）容值1000pF，電阻2.2歐姆。和沒有snubber電路的PHASE點波形（白色）的比較。顯然振蕩減小了，可是電壓尖峰去除的效果不好。所以我們將電容增大。

上圖PHASE點波形（黃色）容值2000pF，電阻2.2歐姆。和沒有snubber電路的PHASE點波形（白色）的比較。和上圖比較電壓尖峰去除的效果好了一些。再增大電容。

上圖PHASE點波形（黃色）容值3000pF，電阻2.2歐姆。和沒有snubber電路的PHASE點波形（白色）的比較。和上圖比較電壓尖峰去除的效果又好了一些。再增大電容。

上圖PHASE點波形（黃色）容值4000pF，電阻2.2歐姆。和沒有snubber電路的PHASE點波形（白色）的比較。和所以上圖比較電壓尖峰去除的效果最好。波形較理想。

電阻的選取。Snubber電阻的作用是阻尼作用。選小了，則PHASE點振蕩會不容易消除。選大了，則會阻礙snubber電路吸收電流的能力，使得等效電容承受的電流增加，增大PHASE點的電壓尖峰。下面是具體實驗。電容都是4000pF，電阻分別是0；2.2；5；10。

上圖是2.2歐姆的PHASE點波形。

上圖是5歐姆的PHASE點波形。

上圖是10歐姆的PHASE點波形。

從實驗可以很清楚的看出snubber電阻取得大了會使snubber電路的功能喪失。其次，關(guān)于L-MOS內(nèi)肖特基二極管的問題。如下圖。

PHASE肖特基二極管body二極管0.7V管壓降0.3V管壓降

在H-MOS關(guān)斷到L-MOS打開的死區(qū)內(nèi)。續(xù)流是通過L-MOS旁并聯(lián)的肖特基二極管實現(xiàn)的。負壓尖峰是由于瞬時電流對L-MOS反向充電造成的。大概持續(xù)了25ns的-0.7V是因為肖特基二極管沒有導通，電流從L-MOS的體內(nèi)二極管通過的管壓降。之后的-0.3V左右的負壓是因為肖特基二極管導通的管壓降造成的。之后L-MOS導通，管壓降幾乎為0。

回顧之前的MOS總結(jié)，L-MOS往往兩個并聯(lián)的目的除了減小導通電阻外，還有減小電壓尖峰（正；負）對L-MOS管的損傷，同時還起到備用的作用。