第一篇：防浪涌電路總結(jié)

防浪涌電路調(diào)研總結(jié)

常用的防浪涌電路有三種方案：

一、利用傳統(tǒng)的防雷元器件組合成防浪涌電路，例如TVS管（瞬態(tài)抑制二極管），氣體放電管，PTC（熱敏電阻）等。這些防雷元器件的價(jià)格都很低。

二、光耦合電路。(光隔離器件，價(jià)格較低，TPL521-4價(jià)格為2元左右。)

三、磁耦合電路。磁隔離是ADI公司iCoupler專利技術(shù)，是基于芯片級(jí)變壓器的隔離技術(shù)。利用該公司生產(chǎn)的相關(guān)芯片可以大大簡(jiǎn)化電路，減少PCB的面積。(adm2483的價(jià)格在10元左右，adm3251e的價(jià)格在10元~20元之間。)浪涌的來(lái)源：浪涌通常由自然界的雷電、電源系統(tǒng)（特別是帶很重的感性負(fù)載）開關(guān)切換時(shí)引起的，浪涌的產(chǎn)生將帶來(lái)能量巨大的瞬變過(guò)壓或過(guò)流，例如感應(yīng)雷在RS-485傳輸線上引起的瞬變干擾，其能量可在瞬間燒毀連結(jié)傳輸線上的全部器件。

通常所說(shuō)的防浪涌，有兩個(gè)耐壓指標(biāo)，一個(gè)是共模，一個(gè)是差模。自然界雷電或大電流切換時(shí)產(chǎn)生的浪涌一般認(rèn)為是共模的，而差模形式的浪涌往往是由于數(shù)據(jù)電纜附近有高壓線經(jīng)過(guò)，數(shù)據(jù)電纜與高壓線之間因絕緣不良而產(chǎn)生的，雖然后者比前者產(chǎn)生的電壓和電流要小得多，但它不像前者那樣只維持很短的幾毫秒，而會(huì)在數(shù)據(jù)通信網(wǎng)絡(luò)中較長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)穩(wěn)定地存在。光耦或磁耦器件標(biāo)稱的耐壓是共模，也就是前端到后端之間的耐壓。如果超過(guò)這個(gè)耐壓，前端后端都一起燒壞；器件不會(huì)標(biāo)稱差模的耐壓，這個(gè)由電路的設(shè)計(jì)來(lái)決定，如果超過(guò)這個(gè)耐壓，前端燒壞，后端不會(huì)燒壞。

防浪涌電路通常分為隔離法和規(guī)避法：

一、隔離法

光耦合（需要隔離電源）

光耦合器（optical coupler，OC）亦稱光電隔離器，簡(jiǎn)稱光耦。光耦合器以光為媒介傳輸電信號(hào)。它對(duì)輸入、輸出電信號(hào)有良好的隔離作用，所以，它在各種電路中得到廣泛的應(yīng)用。目前它已成為種類最多、用途最廣的光電器件之一。光耦合器一般由三部分組成：光的發(fā)射、光的接收及信號(hào)放大。輸入的電信號(hào)驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管（LED），使之發(fā)出一定波長(zhǎng)的光，被光探測(cè)器接收而產(chǎn)生光電流，再經(jīng)過(guò)進(jìn)一步放大后輸出。

只要浪涌產(chǎn)生的電壓幅值不超過(guò)光耦器件標(biāo)稱的值（通常為2500V），光耦就不會(huì)損壞，即使浪涌電壓長(zhǎng)時(shí)間地存在也不會(huì)對(duì)被隔離的設(shè)備產(chǎn)生損害。值得注意的是，光耦一般只能抑制共模形式的浪涌，不能抑制差模形式的浪涌。光耦

隔離在RS485或RS232通信中應(yīng)用很廣泛。使用光電隔離的優(yōu)勢(shì)是可以避免電氣或磁場(chǎng)的噪聲，而缺點(diǎn)是傳輸速度受限于LED的轉(zhuǎn)換速度、高功率散射以及磨損，而且還需要一個(gè)隔離型DC-DC電源。

圖1 光電隔離保護(hù)電路

二、磁耦合

磁耦基于ADI公司iCoupler磁隔離專利技術(shù)的隔離器件，也稱為次隔離器。由于磁耦的目的是將輸入和輸出信號(hào)隔離開來(lái)，所以變壓器初級(jí)端電路與變壓器次級(jí)端電路必須在隔離的芯片上。變壓器本身可以放置在任意芯片上。

以ADI公司的ADM2682E（適用于RS485）為例子來(lái)說(shuō)明磁耦合在防浪涌中的作用。

圖2 磁耦合芯片ADM2682e內(nèi)部結(jié)構(gòu)

ADM268E2是具備±15kV ESD保護(hù)功能的完全集成式5kV rm信號(hào)和電源隔離數(shù)據(jù)收發(fā)器，適合多點(diǎn)傳輸線路上的高速通信應(yīng)用。ADM2682E集成了一個(gè)5kV rms隔離DC/DC電源，省去了外部DC/DC隔離模塊。

圖3 磁耦保護(hù)電路

與光耦相比，磁耦不僅僅少了一個(gè)隔離型DC-CD電源，還少了一個(gè)電平轉(zhuǎn)換芯片，可大大減少PCB的面積。

二、規(guī)避法

主設(shè)備的地連在一起形成單點(diǎn)接地，一旦有浪涌出現(xiàn)就可以安全轉(zhuǎn)移浪涌能量，此外有必要增加一些抑制浪涌的器件。能將浪涌所產(chǎn)生的額有害電流在到達(dá)數(shù)據(jù)端口前泄放到地回路中去的器件，主要有TVS管、壓敏電阻、氣體放電管，它們都有一個(gè)鉗位電壓，一旦超過(guò)該鉗位電壓，器件就會(huì)在連接點(diǎn)之間產(chǎn)生一個(gè)低阻抗，從而轉(zhuǎn)移有害的電流，具體電路如下：

圖4 防雷器件TVS保護(hù)電路

但這些器件由于轉(zhuǎn)移的能量很大而不能長(zhǎng)時(shí)間維持。一般這些器件安裝在數(shù)據(jù)線與地之間，對(duì)于RS485或RS422系統(tǒng)來(lái)說(shuō)，應(yīng)該選擇額定電壓為6~8V的器件，同時(shí)，它們通常會(huì)給數(shù)據(jù)線帶來(lái)一些容性負(fù)載，因此在設(shè)計(jì)系統(tǒng)時(shí)有必要考慮減少整個(gè)系統(tǒng)數(shù)據(jù)線的長(zhǎng)度。安裝器件時(shí)應(yīng)盡可能地靠近被保護(hù)的設(shè)備，另外，用戶必須保證被保護(hù)設(shè)備的接地點(diǎn)與地之間的阻抗非常小，而且接地點(diǎn)與地連接用的線最好又粗又短，若超出1m，應(yīng)使用銅帶線或編制電纜。（1）單級(jí)防護(hù)

數(shù)據(jù)線只需接一個(gè)TVS。（2）三級(jí)防護(hù)

第一級(jí)是氣體放電管，可泄放大電流，由于浪涌同時(shí)產(chǎn)生非常高的尖峰電壓，氣體放電管太慢不能保護(hù)后面的固態(tài)電路；第二級(jí)是小電阻，一方面可限流，另一方面在第一級(jí)與第三級(jí)產(chǎn)生一個(gè)壓降；第三級(jí)是TVS管，可足夠快地保護(hù)后面的固態(tài)電路，將電壓鉗位在一個(gè)安全的水平，從而保護(hù)數(shù)據(jù)線。

圖5 TVS管、氣體放電管及PTC組成的保護(hù)電路（RS485）

圖6 TVS管、氣體放電管及PTC組成的保護(hù)電路（RS232）

三、隔離法與規(guī)避法的結(jié)合

圖7 隔離器件與TVS管的結(jié)合（信號(hào)地與大地連接）

若將隔離法與規(guī)避法相結(jié)合，則可更好地保護(hù)系統(tǒng)，具體電路如上圖。圖中，信號(hào)地與大地是連接的，有了隔離器件就可使主設(shè)備不受接地點(diǎn)上可能產(chǎn)生的電壓降的影響。另外，規(guī)避器件一方面可抑制浪涌保護(hù)隔離器件，另一方面也可抑制數(shù)據(jù)線上產(chǎn)生的差模形式的浪涌。圖8中，信號(hào)地未與大地連接，規(guī)避器件可抑制數(shù)據(jù)線上產(chǎn)生的差模形式的浪涌，同時(shí)差模形式的浪涌被平衡轉(zhuǎn)化成共模形式的浪涌，隔離器件正好可抑制它，從而保護(hù)主設(shè)備。

圖8 隔離器件與TVS管的結(jié)合（信號(hào)地與大地不連接）

第二篇：snubber電路總結(jié)

電阻的用法

一、RC-SNUBBER電路

Snubber電路中文為吸收電路。公司的板子上，其最常應(yīng)用場(chǎng)合如下圖所示。

VCC5R3918.2K 1%1000PF 50V+CE33220uF 10V+CE34220uF 10VC3522uF 25V1C3622uF 25V1C370.1uF 16V1C404DQ14FDD88801GR440Ω 5%UGATE_UES43L411.7uH,13A,DCR6.36mΩ2MAX:11AOCP:13A+CE35470uF 4V+CE36470uF 4VC45C461VCC1_8DDRDLGATE_UEQ15FDD88961R462.2Ω 5%R48C481000PF 50VR492.21K 1%11GSC4710uF 16V22uF 25V110.1uF 16VX_10K 1%C49X_0.01uF 25VC52UD_COMPR50112PF 50V133K 5%C540.01uF 50V3R511.78K 1%

為了便于說(shuō)明問題，將上圖簡(jiǎn)化。

實(shí)際的沒有snubber的電路中各點(diǎn)的波形如下圖所示。

從上圖的波形即客觀現(xiàn)象表明在PHASE點(diǎn)會(huì)出現(xiàn)電壓尖峰。這種尖峰會(huì)對(duì)L-MOS造成威脅，根據(jù)電源組同事的觀察，有些板子的L-MOS經(jīng)常燒壞或壽命大幅縮短，就是PHASE點(diǎn)電壓尖峰造成的。實(shí)際測(cè)量沒有SNUBBER的PHASE點(diǎn)波形如圖所示（上圖紅圈內(nèi)的波形放大）。

造成電壓尖峰及其危害的原因是什么呢？為了更嚴(yán)謹(jǐn)更準(zhǔn)確說(shuō)明電路的工作情況設(shè)想模型如下。

上圖分別是電路中寄生電感和MOS管極間等效電容的示意圖。簡(jiǎn)化之后如下圖。

+vI寄生電感儲(chǔ)能大電感PHASEMOS管的等效電容濾波電容負(fù)載-線路上的等效電阻

上圖虛線框內(nèi)的是PHASE后的線路，由于有儲(chǔ)能大電感的存在，瞬時(shí)變化的電流I不能通過(guò)進(jìn)入虛線框內(nèi)。所以對(duì)瞬時(shí)（高頻）電壓電流而言，其路徑只能是通過(guò)L-MOS。為了驗(yàn)證這種設(shè)想的真實(shí)性，本文建立仿真模型進(jìn)行驗(yàn)證。

2VL12n1V1 = 0V2 = 5TD = 30nsTR =TF =PW =PER =V1VI500p0R10.10V0

電壓源是一個(gè)上升沿模仿H-MOS導(dǎo)通的動(dòng)作。電容模仿L-MOS的等效電容大概有500pF。

0V電感模仿電路上的寄生電感。電阻模仿線路上的等效電阻。仿真波形如下。紅色為PHASE點(diǎn)電壓，黃色為PHASE點(diǎn)電流，綠色為輸入電壓。

和實(shí)際沒有snubber電路的PHASE點(diǎn)波形比較。可以發(fā)現(xiàn)兩者在波形特征是很相似的。所以可以基本認(rèn)為，設(shè)想的模型是能說(shuō)明問題的。

分析產(chǎn)生電壓尖峰的原因。將上圖放大。得下圖。紅色為PHASE點(diǎn)電壓，黃色為PHASE點(diǎn)電流，綠色為輸入電壓。

時(shí)間段1（30ns~A）：H-MOS管導(dǎo)通，5V電壓輸入。寄生電感中的電流以正弦波的形式增大。同時(shí)這個(gè)增大的電流給L-MOS的等效電容充電，使得PHASE點(diǎn)的電壓上升。

時(shí)間段2（A~B）：當(dāng)PHASE點(diǎn)電壓達(dá)到5V時(shí)，則寄生電感兩端的電壓開始反向。但寄生電感中的電流不能瞬變，而是以正弦波的形式減小。這時(shí)這個(gè)減小的電流也在給L-MOS的等效電容充電，使得PHASE點(diǎn)的電壓繼續(xù)上升。

時(shí)間段3（B~C）：當(dāng)寄生電感中的電流減小到0時(shí)，L-MOS的等效電容剛好充電到最多的電荷形成PHASE點(diǎn)的電壓極大值。此時(shí)PHASE點(diǎn)的電壓大于輸入電壓，則電容開始放電PHASE點(diǎn)電壓開始減小，電感的電流反向開始增大。

時(shí)間段4（C~D）：當(dāng)PHASE點(diǎn)電壓減小到5V時(shí)，電感兩端的電壓有反向了，電流（標(biāo)量）開始減小，電容中的點(diǎn)放完，但由于電感中的電流還存在，電容被反向充電。PHASE點(diǎn)電壓繼續(xù)下降。

綜上所述，電壓尖峰是由于寄生電感不能瞬變的電流給L-MOS等效電容充電造成的。而振蕩是由于電感和電容的諧振造成的。實(shí)際電路中多余的能量大部分是由L-MOS的內(nèi)阻消耗的。這部分多余的能量等于PHASE點(diǎn)電壓為5V時(shí)，電流在電感中對(duì)應(yīng)的電磁能。由于等效電容很小，所以多余能量（電荷）能夠在電容兩端造成較大的電壓。所以減小電壓尖峰的方法是減小流入等效電容的電荷數(shù)量。對(duì)于振蕩則可以選擇阻尼電阻一方面減少振蕩次數(shù)，一方面減小L-MOS的消耗能量。

因此設(shè)計(jì)出了snubber電路。如圖所示。+v寄生電感PHASEIMOS管的等效電容Snubber電阻線路上的等效電阻-Snubber電容

RC-snubber電路從兩個(gè)方面去解決電壓尖峰的問題。

1、對(duì)PHASE點(diǎn)電壓等于輸入電壓時(shí)的電感電流分流，這樣使得流入L-MOS等效電容的電流大大減小。而snubber電容的容值選取較大，吸收了多余的能量后產(chǎn)生的電壓不會(huì)太大。這樣使得PHASE點(diǎn)的電壓尖峰減小。

2、RC中的電阻起到阻尼作用，將諧振能量以熱能消耗掉。仿真結(jié)果如下

2VL12n1R2I2.2V1 = 0V2 = 5TD = 30nsTR =TF =PW =PER =V1VI3000p500p0R10.10V0

紅色為PHASE點(diǎn)電壓，黃色為PHASE點(diǎn)電流，綠色為輸入電壓。天藍(lán)色為snubber分流的電流。

0V0V0V

所以RC-snubber電路的好處有：

1、增強(qiáng)phase點(diǎn)的信號(hào)完整性。

2、保護(hù)L-MOS提高系統(tǒng)可靠性。

3、改善EMI。壞處：

1、PHASE點(diǎn)電壓等于輸入電壓時(shí)需要更多的能量，所以在每次開關(guān)時(shí)都要消耗更多的能量，降低了電源轉(zhuǎn)換效率。

2、RC選取不好就會(huì)起反作用。

Snubber電路的位置選擇。大家都知道snubber電路的擺放應(yīng)該靠近PHASE點(diǎn)。但是有一個(gè)細(xì)節(jié)很有意思。看下圖。

圖中的寄生電感共4個(gè)，給L-MOS造成影響的是上面3個(gè)，snubber電路接在PHASE點(diǎn)上。現(xiàn)在有兩個(gè)問題

1、H-MOS管的等效電容也應(yīng)該有相似的電壓尖峰效應(yīng)怎么辦？

2、snubber電路無(wú)法保護(hù)第三個(gè)寄生電感的造成的過(guò)壓，可是為什么實(shí)際上的吸收效果卻很好？

解釋上面的問題，可以看一下這里用的MOS管封裝便可知道。

在電容總結(jié)里講過(guò)，寄生電感主要分布在引腳和走線上。在電源線路的PCB走線是又寬又短的，所以這里的寄生電感主要來(lái)源于引腳封裝。MOS管的漏極寬大的設(shè)計(jì)就是為了能夠減小寄生電感（當(dāng)然也可以利于散熱），而源極寄生電感在正向?qū)〞r(shí)不會(huì)對(duì)MOS管的等效電容造成威脅。

Snubber器件的選取。

首先是電容，snubber電容的作用是為L(zhǎng)-MOS等效電容分流而不產(chǎn)生大的過(guò)壓，所以選取的容值要大于等效電容。但是它使得PHASE點(diǎn)電壓等于輸入電壓時(shí)需要更多的能量，所以太大會(huì)降低電源的轉(zhuǎn)換效率。這里需要折中考慮。

下面是EC4-1811上1.8V的BUCK電路snubber電路的實(shí)驗(yàn)。如圖所示。

上圖的snubber電路PHASE點(diǎn)波形（黃色）容值1000pF，電阻2.2歐姆。和沒有snubber電路的PHASE點(diǎn)波形（白色）的比較。顯然振蕩減小了，可是電壓尖峰去除的效果不好。所以我們將電容增大。

上圖PHASE點(diǎn)波形（黃色）容值2000pF，電阻2.2歐姆。和沒有snubber電路的PHASE點(diǎn)波形（白色）的比較。和上圖比較電壓尖峰去除的效果好了一些。再增大電容。

上圖PHASE點(diǎn)波形（黃色）容值3000pF，電阻2.2歐姆。和沒有snubber電路的PHASE點(diǎn)波形（白色）的比較。和上圖比較電壓尖峰去除的效果又好了一些。再增大電容。

上圖PHASE點(diǎn)波形（黃色）容值4000pF，電阻2.2歐姆。和沒有snubber電路的PHASE點(diǎn)波形（白色）的比較。和所以上圖比較電壓尖峰去除的效果最好。波形較理想。

電阻的選取。Snubber電阻的作用是阻尼作用。選小了，則PHASE點(diǎn)振蕩會(huì)不容易消除。選大了，則會(huì)阻礙snubber電路吸收電流的能力，使得等效電容承受的電流增加，增大PHASE點(diǎn)的電壓尖峰。下面是具體實(shí)驗(yàn)。電容都是4000pF，電阻分別是0；2.2；5；10。

上圖是2.2歐姆的PHASE點(diǎn)波形。

上圖是5歐姆的PHASE點(diǎn)波形。

上圖是10歐姆的PHASE點(diǎn)波形。

從實(shí)驗(yàn)可以很清楚的看出snubber電阻取得大了會(huì)使snubber電路的功能喪失。其次，關(guān)于L-MOS內(nèi)肖特基二極管的問題。如下圖。

PHASE肖特基二極管body二極管0.7V管壓降0.3V管壓降

在H-MOS關(guān)斷到L-MOS打開的死區(qū)內(nèi)。續(xù)流是通過(guò)L-MOS旁并聯(lián)的肖特基二極管實(shí)現(xiàn)的。負(fù)壓尖峰是由于瞬時(shí)電流對(duì)L-MOS反向充電造成的。大概持續(xù)了25ns的-0.7V是因?yàn)樾ぬ鼗O管沒有導(dǎo)通，電流從L-MOS的體內(nèi)二極管通過(guò)的管壓降。之后的-0.3V左右的負(fù)壓是因?yàn)樾ぬ鼗O管導(dǎo)通的管壓降造成的。之后L-MOS導(dǎo)通，管壓降幾乎為0。

回顧之前的MOS總結(jié)，L-MOS往往兩個(gè)并聯(lián)的目的除了減小導(dǎo)通電阻外，還有減小電壓尖峰（正；負(fù)）對(duì)L-MOS管的損傷，同時(shí)還起到備用的作用。

第三篇：電路課程總結(jié)

“電路分析基礎(chǔ)”是高等學(xué)校電子與電氣信息類專業(yè)重要的基礎(chǔ)課程。該課程理論嚴(yán)密、邏輯性強(qiáng)，具有廣闊的工程背景。通過(guò)本課程的學(xué)習(xí)，對(duì)樹立學(xué)生嚴(yán)肅認(rèn)真的科學(xué)作風(fēng)和理論聯(lián)系實(shí)際的工程觀點(diǎn)，培養(yǎng)學(xué)生的科學(xué)思維能力、分析計(jì)算能力、實(shí)驗(yàn)研究能力和科學(xué)歸納能力都有重要的作用。同時(shí)使學(xué)生掌握電路的基本理論知識(shí)、電路的基本分析方法和初步的實(shí)驗(yàn)技能，為進(jìn)一步學(xué)習(xí)電路理論打下基礎(chǔ)，為學(xué)習(xí)后續(xù)課程準(zhǔn)備必要的電路知識(shí)。

《電路分析基礎(chǔ)》主要內(nèi)容包括電路的基本概念和定律、直流電路的分析、正弦交流電路的基本概念、正弦交流電路的分析、互感電路、三相電路、非正弦周期電路、動(dòng)態(tài)電路以及電路實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)。在該課程的講授中，力求做到以應(yīng)用為目的，以夠用為度，講清概念，結(jié)合實(shí)際舉例、課后習(xí)題強(qiáng)化訓(xùn)練，突出適應(yīng)性、實(shí)用性和針對(duì)性；在例題和習(xí)題的選擇方面，適當(dāng)?shù)止び?jì)算的技巧，并根據(jù)該課程內(nèi)容選擇具有較強(qiáng)的實(shí)踐性特點(diǎn)的習(xí)題，在計(jì)算量較大章節(jié)，引導(dǎo)學(xué)生引入了計(jì)算機(jī)輔助分析，以達(dá)到理論與實(shí)踐的結(jié)合和“講、學(xué)、做”的統(tǒng)一。

作為一名教齡不長(zhǎng)的老師，我在全書在內(nèi)容敘述上，力爭(zhēng)做到深入淺出、通俗易懂、概念清楚、重點(diǎn)突出。此外，結(jié)合教學(xué)環(huán)境與課堂氣氛，引入相關(guān)比喻、聯(lián)想，促進(jìn)學(xué)生對(duì)概念的理解與加深，對(duì)個(gè)別章節(jié)，合理調(diào)節(jié)教學(xué)計(jì)劃，促進(jìn)學(xué)習(xí)效果。采取理論結(jié)合實(shí)際的分析，提高學(xué)生對(duì)電路課程的學(xué)習(xí)興趣，從而達(dá)到提高學(xué)生自我建設(shè)與自我培養(yǎng)的主動(dòng)性，提高其實(shí)踐能力和自學(xué)能力，以使學(xué)生學(xué)以致用、解決實(shí)際工作中所遇到的問題。

第四篇：電路知識(shí)點(diǎn)總結(jié)

電路知識(shí)點(diǎn)總結(jié)

電路]物體帶電的標(biāo)志：能夠吸引輕小物體。(帶電體的性質(zhì))摩擦起電：用摩擦的方法使物體帶電，叫摩擦起電。摩擦起電的原因：不同物質(zhì)的原子核束縛電子的能力不同，在摩擦?xí)r，束縛電子能力強(qiáng)的物質(zhì)就得到電子帶負(fù)電，束縛電子能力差的物質(zhì)就失去電子帶正電。正電荷：綢子摩擦過(guò)的玻璃棒上帶的電荷叫做正電荷。

負(fù)電荷：毛皮摩擦過(guò)的橡膠棒上帶的電荷叫做負(fù)電荷。電荷的相互作用規(guī)律：同種電荷相互排斥，異種電荷相互吸引。驗(yàn)電器的作用：用來(lái)檢驗(yàn)物體是否帶電。

驗(yàn)電器的工作原理：利用同種電荷相互排斥的原理工作的。電量：電荷的多少叫做電量。電量的單位是庫(kù)侖，簡(jiǎn)稱庫(kù)。電子電量：一個(gè)電子所帶的電量叫電子電量。它是1.6*10^-19庫(kù)。中和：放在一起的等量異種電荷完全抵消的現(xiàn)象，叫做中和。1897年英國(guó)科學(xué)家湯姆遜發(fā)現(xiàn)了電子。電流方向：把正電荷移動(dòng)的方向規(guī)定為電流的方向。電子移動(dòng)方向與它正好相反。12 導(dǎo)體：容易導(dǎo)電的物體叫導(dǎo)體。如金屬、石墨、人體、大地及酸堿鹽水液。絕緣體：不容易導(dǎo)電的物體叫絕緣體。如橡膠、玻璃、陶瓷、塑料、油等。13 電源:能夠提供持續(xù)電流的裝置。在干電池中電能是以化學(xué)能的形式存在。14 自由電子:在金屬導(dǎo)體中能脫離原子核束縛而在金屬內(nèi)部自由移動(dòng)的電子。15 電路：把用電器、電源、開關(guān)用導(dǎo)線連接起來(lái)的電流路徑。

電路圖：用符號(hào)表示電路連接情況的圖。通路：處處接通的電路。開路：某處斷開的電路。

短路：不經(jīng)過(guò)用電器直接把導(dǎo)線接在電源兩端的電路。串聯(lián)電路：把電路元件逐個(gè)順次連接起來(lái)的電路。特點(diǎn)：電流依次通過(guò)每個(gè)用電器。并聯(lián)電路：把電路元件并列連接起來(lái)的電路。特點(diǎn)電流在某處分支，再在某處會(huì)合。

第五篇：電路計(jì)算題總結(jié)

2.圖示電路中，已知：US1=100V，US2=80V，R2=2?，I=4A，I2=2A，試用基爾霍夫定律求電阻R1和供給負(fù)載N的功率。

I1R1+U－S 19.某感性電路施加一正弦交流電壓u?2202sin314tV，.RI2+I有功功率P＝7.5kW，無(wú)功功率Q=5.5kvar。求：(1)電路的功率

因數(shù)?;(2)若電路為R，L并聯(lián)，R，L值為多少? N2(1)tan??QP?0.73PSo ??36.25

US 2.－ I1=2A

??cos??(2)R??0.81

22023

由KCL定律I1?I2－I=0

U2由KVL定律R1I1－R2I2?US2－US1=0 R1=12?

P?7.5?10?6.45?

供給負(fù)載N的功率P＝I(US2－R2I2)=304W

3.圖示電路中，已知：US1=15V，US2=30V，R1=0.5?，R2=0.2?，R3=2?，R4=3?，R5=4?。用電源等效變換法求電流I。

XL?U2Q?220235.5?10?8.8?

IR5.R3.R4..IIS 1RS 1.R1R2.R5++IS 2RS 2U－.S 1U－S 2.原圖

圖中：IS1?US1R?30A RS1?R1//R3?0.4?

1IS2S2?UR?150A RS2?R2//R4?0.19?

2－+－+US 3US 4R6R5I 圖中：US3=RS1IS1=12V US4=RS2IS2=28.5V R6=RS1+RS2=0.59? 8 I?US3?US4R?8.82A

6?R57.圖示電路中，已知:US=15V，IS1=3A，IS2=2A，R1=3?，R2=8?，R3=4?，R4=12?，R5=2?。用戴維寧定理求電流I。

.A.IR5A+II..S 1S 2US...+－IS 1USR3R5－RR4R21R1.....BBA+.I+UAB0US－－R0R1.B

將US支路移開： UAB0=R5IS1=6V R0=R5=2? 化為如下電路：I=UAB0?USR?1.8A

0?R=1L?XL??8.8314?28mH

11.在R，L，C串聯(lián)電路中，L=0.5H，若施加

u?70.7sin(100t?30o)V的電源電壓，電路中電流為i?1.5sin100tA。試求電路參數(shù)R和C。

Z?70.71.5?47.13?

R?Zcos30o?47.13?32?40.82?

X?Zsin30o?47.13?12?23.57?

XL??L?100?0.5?50?

X?XL?XC XC?XL?X=26.43?

C?13.78?102?X?1?F

C100?26.43?22.圖示電路中，已知：R1=R2=3?，R3=R4=6?，US=27V，IS=3A。用疊加原理求各未知支路電流。

.I2R2.R2I'2I1I..3II'I4I'I3I'I4R31ISR1+R4ISR1RU3R4S..－..解：IS單獨(dú)作用時(shí)

IR2?R3//R41??R1?R2?R3//R?IS?2A

4I2??IS?I1??1A I3??I4??0.5A

US單獨(dú)作用時(shí)

R2I“???I2.I”III“13I”I4RR31R4+US.－ I3???USR3?(R1?R2)//R4?3A

I1???I2???I4???1.5A

疊加得：I1=I1'+I1“=3.5A I2=I2'－I2”=－0.5A

I3=－I3'+I3“=2.5A I4=I4'+I4”=2A

23.圖示電路原已穩(wěn)定，t=0時(shí)將開關(guān)S閉合。已知：US!=6V，US2=24V，R1=3?，R2=6?，C=0.5?F。求S閉合后的uC(t)。

S+RUS11+uCR2+US2－C－－ uC(0?)?uC(0?)?US1?6 VUS1R2R1?R2US2R1R1?R2?6uC(?)???12 V ?=R1R2R1?R2C?1?10 s

?t

? 6

?106uC(t)?uC(?)?uC(0?)?uC(?)e =12?6et V