第一篇：微電子器件原理2014年下期知識(shí)點(diǎn)小結(jié)資料
《微電子器件原理》知識(shí)點(diǎn)小結(jié)
重要知識(shí)點(diǎn)
PN結(jié)：
半導(dǎo)體的一個(gè)區(qū)均勻摻雜了受主雜質(zhì)，而相鄰的區(qū)域均勻摻雜了施主雜質(zhì)，這種PN結(jié)稱為同質(zhì)結(jié)。
在冶金結(jié)兩邊的p區(qū)與n區(qū)內(nèi)分別形成了空間電荷區(qū)或耗盡區(qū)，該區(qū)內(nèi)不存在任何可以移動(dòng)的電子或空穴。
由于耗盡區(qū)內(nèi)存在凈空間電荷密度，耗盡區(qū)內(nèi)有一個(gè)電場(chǎng)，電場(chǎng)方向由n區(qū)指向p區(qū)。空間電荷區(qū)內(nèi)部存在電勢(shì)差，在零偏壓的條件下，該電勢(shì)差即內(nèi)建電勢(shì)差維持熱平衡狀態(tài)，并且在阻止n區(qū)內(nèi)多子電子向p區(qū)擴(kuò)散的同時(shí)，阻止p區(qū)內(nèi)多子空穴向n區(qū)擴(kuò)散。
PN結(jié)的反偏電壓增加了勢(shì)壘的高度，增加了空間電荷區(qū)的寬度，并且增強(qiáng)了電場(chǎng)。理想PN結(jié)的電流-電壓推導(dǎo)的4個(gè)假設(shè)基礎(chǔ)：①耗盡層突變近似；②載流子的統(tǒng)計(jì)分布采用麥克斯韋-玻爾茲曼近似；③小注入假設(shè)；④ PN結(jié)內(nèi)的電流值處處相等；PN結(jié)內(nèi)的電子電流與空穴電流分別為連續(xù)函數(shù)；耗盡區(qū)內(nèi)的電子電流與空穴電流為恒定值。
PN結(jié)二極管：
當(dāng)pn結(jié)外加正偏電壓時(shí)（p區(qū)相對(duì)于n區(qū)為正），pn結(jié)內(nèi)部的勢(shì)壘就會(huì)降低，于是p區(qū)空穴與n區(qū)電子就會(huì)穿過(guò)空間電荷區(qū)流向相應(yīng)的區(qū)域。
注入到n區(qū)內(nèi)的空穴與注入到p區(qū)內(nèi)的電子成為相應(yīng)區(qū)域內(nèi)的過(guò)剩少子。過(guò)剩少子的行為由雙極輸運(yùn)方程描述。
由于少子濃度梯度的存在，pn結(jié)內(nèi)存在少子擴(kuò)散電流。
反偏pn結(jié)的空間電荷區(qū)內(nèi)產(chǎn)生了過(guò)剩載流子。在電場(chǎng)作用下，這些載流子被掃出了空間電荷區(qū)，形成反偏產(chǎn)生電流。產(chǎn)生電流是二極管反偏電流的一個(gè)組成部分。pn結(jié)正偏時(shí)，穿過(guò)空間電荷區(qū)的過(guò)剩載流子可能發(fā)生復(fù)合，產(chǎn)生正偏復(fù)合電流。復(fù)合電流是pn結(jié)正偏電流的另一個(gè)組成部分。
當(dāng)pn結(jié)的外加反偏電壓足夠大時(shí)，就會(huì)發(fā)生雪崩擊穿。此時(shí)，pn結(jié)體內(nèi)產(chǎn)生一個(gè)較大的反偏電流。擊穿電壓為pn結(jié)摻雜濃度的函數(shù)。在單邊pn結(jié)中，擊穿電壓時(shí)低摻雜一側(cè)摻雜濃度的函數(shù)。
當(dāng)pn結(jié)由正偏狀態(tài)轉(zhuǎn)換到反偏狀態(tài)時(shí)，pn結(jié)內(nèi)存儲(chǔ)的過(guò)剩少數(shù)載流子會(huì)被移走，即電容放電。放電時(shí)間稱為存儲(chǔ)時(shí)間，它是二極管開關(guān)速度的一個(gè)限制因素。
將熱平衡狀態(tài)下P區(qū)內(nèi)少子電子的濃度與N區(qū)內(nèi)多子電子的濃度聯(lián)系在了一起。
少子濃度隨著從空間電荷區(qū)邊緣向中性區(qū)內(nèi)延伸的距離的增大而指數(shù)衰減，并逐漸趨向其熱平衡值。
遠(yuǎn)離結(jié)區(qū)域的P區(qū)多子空穴漂移電流既提供了穿過(guò)空間電荷區(qū)向N區(qū)注入的空穴，又提供了因與過(guò)剩少子電子復(fù)合而損失的空穴。
隨著外加電壓的變化，ΔQ不斷被交替地充電與放電，少子電荷存儲(chǔ)量的變化與電壓變化量的比值，即為擴(kuò)散電容。
金屬半導(dǎo)體和半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)：
輕摻雜半導(dǎo)體上的金屬可以與半導(dǎo)體形成整流接觸，這種接觸稱為肖特基勢(shì)壘二極管。金屬與半導(dǎo)體間的理想勢(shì)壘高度會(huì)因金屬功函數(shù)和半導(dǎo)體電子親合能的不同而不同。
當(dāng)在n型半導(dǎo)體與金屬之間加一個(gè)正電壓時(shí)（即反偏），半導(dǎo)體與金屬之間的勢(shì)壘增加，因此基本上沒(méi)有載流子的流動(dòng)。當(dāng)在金屬與n型半導(dǎo)體之間加一個(gè)正電壓時(shí)（即正偏），半導(dǎo)體與金屬之間的勢(shì)壘降低，因此電子很容易從半導(dǎo)體流向金屬，這種現(xiàn)象稱為熱電子發(fā)射。
肖特基勢(shì)壘二極管的理想I-V關(guān)系與pn結(jié)二極管的相同。然而，電流值的數(shù)量級(jí)與pn
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結(jié)二極管的不同，肖特基二極管的開關(guān)速度要更快一些。另外，肖特基二極管的反向飽和電流比pn結(jié)的大，所以達(dá)到與pn結(jié)二極管一樣的電流時(shí)，肖特基二極管需要的正偏電壓要低。
兩種不同能帯隙的半導(dǎo)體材料可以形成半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)。異質(zhì)結(jié)一個(gè)有用的特性就是能在表面形成勢(shì)阱。在與表面垂直的方向上，電子的活動(dòng)會(huì)受到勢(shì)阱的限制，但電子在其他兩個(gè)方向上可以自由地流動(dòng)。
對(duì)于均勻摻雜的半導(dǎo)體來(lái)說(shuō)，場(chǎng)強(qiáng)是距離的線性函數(shù)，在金屬與半導(dǎo)體接觸處，場(chǎng)強(qiáng)達(dá)到最大值。
由于金屬中場(chǎng)強(qiáng)為零，所以在金屬-半導(dǎo)體結(jié)的金屬區(qū)中一定存在表面負(fù)電荷。
任何半導(dǎo)體器件或是集成電路都要與外界接觸，這種接觸通過(guò)歐姆接觸實(shí)現(xiàn)。歐姆接觸即金屬與半導(dǎo)體接觸，這種接觸不是整流接觸。
半導(dǎo)體材料在整個(gè)結(jié)構(gòu)中都是相同的，稱為同質(zhì)結(jié)。兩種不同的半導(dǎo)體材料組成一個(gè)結(jié)，稱為異質(zhì)結(jié)。
雙極晶體管：
當(dāng)晶體管工作在正向有源區(qū)時(shí)，晶體管一端的電流（集電極電流）受另外兩個(gè)端點(diǎn)所施加的電壓（B-E結(jié)電壓）的控制。這就是其基本的工作原理。
共基極電流增益是三個(gè)因子的函數(shù)——發(fā)射極注入效率系數(shù)、基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)和復(fù)合系數(shù)。發(fā)射極注入效率考慮了從基區(qū)注入到發(fā)射區(qū)的載流子，基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)反映了載流子在基區(qū)中的復(fù)合，復(fù)合系數(shù)反映了載流子在正偏發(fā)射結(jié)內(nèi)部的復(fù)合。
雙極晶體管需要考慮的六個(gè)非理想效應(yīng)：
（1）基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)，或者說(shuō)是厄爾利效應(yīng)——中性基區(qū)寬度隨B-C結(jié)電壓變化而發(fā)生變化，于是集電極電流隨B-C結(jié)或C-E結(jié)電壓變化而變化。
（2）大注入效應(yīng)使得集電極電流C-E結(jié)電壓增加而以低速率增加。（3）發(fā)射區(qū)禁帶變窄效應(yīng)使得發(fā)射區(qū)摻雜濃度非常高時(shí)發(fā)射效率變小。（4）電流集邊效應(yīng)使得發(fā)射極邊界的電流密度大于中心位置的電流密度。（5）基區(qū)非均勻摻雜在基區(qū)中感生出靜電場(chǎng)，有助于少子渡越基區(qū)。（6）兩種擊穿機(jī)理——穿通和雪崩擊穿。
晶體管的三種等效電路或數(shù)學(xué)模型。E-M模型和等效電路對(duì)于晶體管的所有工作模式均適用。基區(qū)為非均勻摻雜時(shí)，應(yīng)用G-P模型很方便。小信號(hào)H-P模型應(yīng)用于線性放大電路中的正向有源晶體管。
晶體管的截止頻率是表征晶體管品質(zhì)的一個(gè)重要參數(shù)，它是共發(fā)射極電流增益的幅值變?yōu)?時(shí)的頻率。頻率響應(yīng)是E-B結(jié)電容充電時(shí)間、基區(qū)渡越時(shí)間、集電結(jié)耗盡區(qū)渡越時(shí)間和集電結(jié)電容充電時(shí)間的函數(shù)。
雙極晶體管不是對(duì)稱的器件，晶體管有兩個(gè) N型慘雜區(qū)或是兩個(gè)P型慘雜區(qū)，發(fā)射區(qū)和集電區(qū)的摻雜濃度是不一樣的，而且這些區(qū)域的集合形狀可能有很大的不同。
雙極晶體管中的電流由少子的擴(kuò)散決定，我們必須確定在穩(wěn)態(tài)下晶體管的三個(gè)區(qū)中少子的梯度分布。
雙極晶體管的工作原理是用B-E結(jié)電壓控制集電極電流，集電極電流是從發(fā)射區(qū)躍過(guò)B-E結(jié)注入到基區(qū)，最后到達(dá)集電區(qū)的多子數(shù)量的函數(shù)。
理想效應(yīng)晶體管的條件：①均勻摻雜；②小注入；③發(fā)射區(qū)和基區(qū)寬度恒定；④禁帶寬度為定值；⑤電流密度為均勻值；⑥所有的結(jié)都在非擊穿區(qū)。
造成雙極晶體管實(shí)際結(jié)構(gòu)復(fù)雜的原因：①各端點(diǎn)引線要做在表面上，為了降低半導(dǎo)體的電阻，必須有重?fù)诫s的N+型掩埋層；②由于在一片半導(dǎo)體材料上要制造很多雙極晶體管，晶體管彼此之間必須隔離起來(lái)，因?yàn)椴⒉皇撬械募姌O都在同一個(gè)電位上。
雙極擴(kuò)散（雙極輸運(yùn)）是帶負(fù)電的電子和帶正電的空穴以同一個(gè)遷移率或擴(kuò)散系數(shù)一起
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漂移或擴(kuò)散。
雙極輸運(yùn)過(guò)程的電中性條件為過(guò)剩少子的濃度等于過(guò)剩多數(shù)載流子的濃度。晶體管截止與飽和相互轉(zhuǎn)換過(guò)程的4個(gè)時(shí)間段：①延遲時(shí)間；②上升時(shí)間；③存儲(chǔ)時(shí)間；④下降時(shí)間。
低頻共基極電流增益中三個(gè)因子考慮的影響：①發(fā)射極注入效率系數(shù)考慮了發(fā)射區(qū)中的少子空穴擴(kuò)散電流對(duì)電流增益的影響；②基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)考慮了基區(qū)中過(guò)剩少子電子的復(fù)合的影響；③復(fù)合系數(shù)考慮了正偏B-E結(jié)中的復(fù)合的影響。
金屬_氧化物_半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管：
MOSFET的核心為MOS電容器。與氧化層-半導(dǎo)體界面相鄰的半導(dǎo)體能帶是彎曲的，它由加在MOS電容器上的電壓決定。表面處導(dǎo)帶和價(jià)帶相對(duì)于費(fèi)米能級(jí)的位置是MOS電容器電壓的函數(shù)。
氧化層-半導(dǎo)體界面處的半導(dǎo)體表面可通過(guò)施加正偏柵壓由p型到n型發(fā)生反型，或者通過(guò)施加負(fù)偏柵壓由n型到p型發(fā)生反型。因此，在與氧化層相鄰處產(chǎn)生了反型層流動(dòng)電荷。基本MOS場(chǎng)效應(yīng)原理是由反型層電荷密度的調(diào)制作用體現(xiàn)的。
兩類基本的MOSFET為n溝和p溝，n溝中的電流由反型層電子的流動(dòng)形成，p溝中的電流由反型層空穴的流動(dòng)形成。這兩類器件都可以是增強(qiáng)型的，通常情況下器件是“關(guān)”的，需施加一個(gè)柵壓才能使器件開啟；也可以是耗盡型的，此時(shí)在通常情況下器件是“開”的，需施加一個(gè)柵壓才能使器件關(guān)閉。
平帶電壓是滿足平帶條件時(shí)所加的柵壓，這時(shí)導(dǎo)帶和價(jià)帶不發(fā)生彎曲，并且半導(dǎo)體中沒(méi)有空間電荷區(qū)。平帶電壓是金屬-氧化層勢(shì)壘高度、半導(dǎo)體-氧化層勢(shì)壘高度以及固定氧化層陷阱電荷數(shù)量的函數(shù)。
閾值電壓是指半導(dǎo)體表面達(dá)到閾值反型點(diǎn)所加的柵壓，此時(shí)反型層電荷密度的大小等于半導(dǎo)體摻雜濃度。閾值電壓是平帶電壓、半導(dǎo)體摻雜濃度和氧化層厚度的函數(shù)。
當(dāng)晶體管偏置在非飽和區(qū)（VDS
亞閾值電導(dǎo)是指在MOSFET中當(dāng)柵-源電壓小于閾值電壓時(shí)漏電流不為零。這種情況下，晶體管被偏置在弱反型模式下，漏電流由擴(kuò)散機(jī)制而非漂移機(jī)制控制。亞閾值電導(dǎo)可以在集成電路中產(chǎn)生一個(gè)較明顯的靜態(tài)偏置電流。
當(dāng)MOSFET工作于飽和區(qū)時(shí)，由于漏極處的耗盡區(qū)進(jìn)入了溝道區(qū)，有效溝道長(zhǎng)度會(huì)隨著漏電壓的增大而減小。漏電流與溝道長(zhǎng)度成反比，成為漏-源電壓的函數(shù)。該效應(yīng)稱為溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)。
反型層中的載流子遷移率不是常數(shù)。當(dāng)柵壓增大時(shí)，氧化層界面處的電場(chǎng)增大，引起附加的表面散射。這些散射的載流子導(dǎo)致遷移率的下降，使其偏離理想的電流-電壓曲線。
基本MOS晶體管的工作機(jī)理為柵壓對(duì)溝道電導(dǎo)的調(diào)制作用，而溝道電導(dǎo)決定漏電流。
跨導(dǎo)是器件結(jié)構(gòu)、載流子遷移率和閾值電壓的函數(shù)。隨著器件溝道寬度的增加、溝道長(zhǎng)度的減小伙氧化層厚度的減小，跨導(dǎo)都會(huì)增大。
p溝MOSFET的等效電路與n溝器件的完全相同，只是所有電壓的極性和電流的方向都與n溝器件相反。P溝模型中的各個(gè)電容、電阻和n溝中的也相同。
離子注入已經(jīng)成為控制閾值電壓的常用方法，n阱和p阱均可被優(yōu)化地?fù)诫s，從而控制每個(gè)晶體管的閾值電壓和跨導(dǎo)。
《微電子器件原理》知識(shí)點(diǎn)小結(jié)
有效遷移率是穿過(guò)反型層電荷密度的柵壓的函數(shù)。隨著柵壓的增大，載流子遷移率將變小。
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管：
JFET中的電路由垂直于直流方向的電場(chǎng)控制，電流存在于源極和漏極接觸之間的溝道區(qū)中。在pn JFET中，溝道形成了pn結(jié)的一邊，用于調(diào)制溝道電導(dǎo)。
JFET的兩個(gè)主要參數(shù)是內(nèi)建夾斷電壓Vp0和夾斷電壓Vp（閾電壓）。內(nèi)建夾斷電壓定義為正值，它是引起結(jié)的空間電荷層完全填滿溝道區(qū)的柵級(jí)與溝道之間的總電勢(shì)。夾斷電壓（閾電壓）定義成形成夾斷時(shí)所需加的柵極電壓。
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，溝道電流受與溝道相垂直的電場(chǎng)所引起的溝道電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)影響，該電場(chǎng)由反偏pn結(jié)或肖特基壘結(jié)的空間電荷區(qū)產(chǎn)生，調(diào)制電場(chǎng)是柵電壓的函數(shù)。
夾斷電壓（閾電壓）是使JFET夾斷時(shí)的柵電壓，所以一定存在一個(gè)滿足電路設(shè)計(jì)要求的范圍。夾斷電壓的數(shù)值一定低于結(jié)的擊穿電壓。
增強(qiáng)型JFET的設(shè)計(jì)通過(guò)薄的溝道厚度和低溝道摻雜濃度實(shí)現(xiàn)。通過(guò)對(duì)溝道厚度和溝道摻雜濃度的精確控制，可以獲得零點(diǎn)幾伏的內(nèi)建夾斷電壓，這正是制造增強(qiáng)型MESFET的難點(diǎn)。
光器件：
光電探測(cè)器是將光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的半導(dǎo)體器件。光電導(dǎo)體是最簡(jiǎn)單的光電探測(cè)器。入射光子會(huì)引起過(guò)剩載流子電子和空穴，從而引起半導(dǎo)體導(dǎo)電性的變化，這是這種器件的基本原理。
光電二極管是加反偏電壓的二極管。入射光子在空間電荷區(qū)產(chǎn)生的過(guò)剩載流子被電場(chǎng)掃過(guò)形成電流。光電流正比于入射光子強(qiáng)度。PIN和雪崩光電二極管是基本的光電二極管。光電晶體管產(chǎn)生的光電流是晶體管增益的倍數(shù)。由于密勒效應(yīng)和密勒電容，光電晶體管的頻率響應(yīng)比光電二極管的慢很多。
在pn結(jié)中光子吸收的反轉(zhuǎn)就是注入電致發(fā)光。在直接帶隙半導(dǎo)體中，過(guò)剩電子和空穴的復(fù)合會(huì)導(dǎo)致光子的發(fā)射。輸出的光信號(hào)波長(zhǎng)取決于禁帶寬度。
發(fā)光二極管（LED）是一種pn結(jié)二極管，其光子的輸出是過(guò)剩電子和空穴自發(fā)復(fù)合的結(jié)果。
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重要術(shù)語(yǔ)解釋
PN結(jié)：
（1）突變結(jié)近似：認(rèn)為從中性半導(dǎo)體區(qū)到空間電荷區(qū)的空間電荷密度有一個(gè)突然的不連續(xù)。
（2）內(nèi)建電勢(shì)差：熱平衡狀態(tài)下pn結(jié)內(nèi)p區(qū)與n區(qū)的靜電電勢(shì)差。（3）耗盡區(qū)電容：勢(shì)壘電容的另一種表達(dá)。（4）耗盡區(qū)：空間電荷區(qū)的另一種表達(dá)。
（5）超突變結(jié)：一種為了實(shí)現(xiàn)特殊電容-電壓特性而進(jìn)行冶金結(jié)處高摻雜的pn結(jié)，其特點(diǎn)為pn結(jié)一側(cè)的摻雜濃度由冶金結(jié)處開始下降。
（6）勢(shì)壘電容（結(jié)電容）：方向偏置下pn結(jié)的電容。
（7）線性緩變結(jié)：冶金結(jié)兩側(cè)的摻雜濃度可以由線性分布近似的pn結(jié)。（8）冶金結(jié)：pn結(jié)內(nèi)p型摻雜與n型摻雜的分界面。
（9）單邊突變結(jié)：冶金結(jié)一側(cè)的摻雜濃度遠(yuǎn)大于另一側(cè)的摻雜濃度的pn結(jié)。
（10）反偏：pn結(jié)的n區(qū)相對(duì)于p區(qū)加正電壓，從而使p區(qū)與n區(qū)之間勢(shì)壘的大小超過(guò)熱平衡狀態(tài)時(shí)勢(shì)壘的大小。
（11）空間電荷區(qū)：冶金結(jié)兩側(cè)由于n區(qū)內(nèi)施主電離和p區(qū)內(nèi)受主電離而形成的帶凈正電與負(fù)電的區(qū)域。
（12）空間電荷區(qū)寬度：空間電荷區(qū)延伸到p區(qū)與n區(qū)內(nèi)的距離，它是摻雜濃度與外加電壓的區(qū)域。
（13）變?nèi)荻O管：電容隨著外加電壓的改變而改變的二極管。
PN結(jié)二極管：
（1）雪崩擊穿：電子和（或）空穴穿越空間電荷區(qū)時(shí)，與空間電荷區(qū)內(nèi)原子的電子發(fā)生碰撞產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，在pn結(jié)內(nèi)形成一股很大的反偏電流，這個(gè)過(guò)程就稱為雪崩擊穿。
（2）載流子注入：外加偏壓時(shí)，pn結(jié)體內(nèi)載流子穿過(guò)空間電荷區(qū)進(jìn)入p區(qū)或n區(qū)的過(guò)程。（3）臨界電場(chǎng)：發(fā)生擊穿時(shí)pn結(jié)空間電荷區(qū)的最大電場(chǎng)強(qiáng)度。（4）擴(kuò)散電容：正偏pn結(jié)內(nèi)由于少子的存儲(chǔ)效應(yīng)而形成的電容。（5）擴(kuò)散電導(dǎo)：正偏pn結(jié)的低頻小信號(hào)正弦電流與電壓的比值。（6）擴(kuò)散電阻：擴(kuò)散電導(dǎo)的倒數(shù)。
（7）正偏：p區(qū)相對(duì)于n區(qū)加正電壓。此時(shí)結(jié)兩側(cè)的電勢(shì)差要低于熱平衡時(shí)的值。（8）產(chǎn)生電流：pn結(jié)空間電荷區(qū)內(nèi)由于電子-空穴對(duì)熱產(chǎn)生效應(yīng)形成的反偏電流。（9）長(zhǎng)二極管：電中性p區(qū)與n區(qū)的長(zhǎng)度大于少子擴(kuò)散長(zhǎng)度的二極管。
（10）復(fù)合電流：穿越空間電荷區(qū)時(shí)發(fā)生復(fù)合的電子與空穴所產(chǎn)生的正偏pn結(jié)電流。（11）反向飽和電流：pn結(jié)體內(nèi)的理想反向電流。
（12）短二極管：電中性p區(qū)與n區(qū)中至少有一個(gè)區(qū)的長(zhǎng)度小于少子擴(kuò)散長(zhǎng)度的pn結(jié)二極管。
（13）存儲(chǔ)時(shí)間：當(dāng)pn結(jié)二極管由正偏變?yōu)榉雌珪r(shí)，空間電荷區(qū)邊緣的過(guò)剩少子濃度由穩(wěn)態(tài)值變成零所用的時(shí)間。
金屬半導(dǎo)體和半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)：
（1）反型異質(zhì)結(jié)：摻雜劑在冶金結(jié)處變化的異質(zhì)結(jié)。
（2）電子親合規(guī)則：這個(gè)規(guī)則是指，在一個(gè)理想的異質(zhì)結(jié)中，導(dǎo)帶處的不連續(xù)性是由于兩種半導(dǎo)體材料的電子親合能不同引起的。
（3）異質(zhì)結(jié)：兩種不同的半導(dǎo)體材料接觸形成的結(jié)。
《微電子器件原理》知識(shí)點(diǎn)小結(jié)
（4）鏡像力降低效應(yīng)：由于電場(chǎng)引起的金屬-半導(dǎo)體接觸處勢(shì)壘峰值降低的現(xiàn)象。（5）同型異質(zhì)結(jié)：摻雜劑在冶金結(jié)處不變的異質(zhì)結(jié)。
（6）歐姆接觸：金屬半導(dǎo)體接觸電阻很低，且在結(jié)兩邊都能形成電流的接觸。（7）理查德森常數(shù)：肖特基二極管的I-V關(guān)系中的一個(gè)參數(shù)A*。（8）肖特基勢(shì)壘高度：金屬-半導(dǎo)體結(jié)中從金屬到半導(dǎo)體的勢(shì)壘ΦBn。（9）肖特基效應(yīng)：鏡像力降低效應(yīng)的另一種形式。
（10）單位接觸電阻：金屬半導(dǎo)體接觸的J-V曲線在V=0時(shí)的斜率的倒數(shù)。（11）熱電子發(fā)射效應(yīng)：載流子具有足夠的熱能時(shí)，電荷流過(guò)勢(shì)壘的過(guò)程。（12）隧道勢(shì)壘：一個(gè)薄勢(shì)壘，在薄勢(shì)壘中，起主要作用的電流是隧道電流。（13）二維電子氣（2-DEG）：電子堆積在異質(zhì)結(jié)表面的勢(shì)阱中，但可以沿著其他兩個(gè)方向自由流動(dòng)。
雙極晶體管：
（1）α截止頻率：共基極電流增益幅值變?yōu)槠涞皖l值的1 2時(shí)的頻率，就是截止頻率。（2）禁帶變窄：隨著發(fā)射區(qū)重?fù)诫s，禁帶的寬度減小。
（3）基區(qū)渡越時(shí)間：少子通過(guò)中性基區(qū)所用的時(shí)間。
（4）基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)：共基極電流增益中的一個(gè)系數(shù)，體現(xiàn)了中性基區(qū)中載流子的復(fù)合。（5）基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)：隨C-E結(jié)電壓或C-B結(jié)電壓的變化，中性基區(qū)寬度的變化。（6）β截止頻率：共發(fā)射極電流增益幅值下降到其低頻值的12時(shí)的頻率。
（7）集電結(jié)電容充電時(shí)間：隨發(fā)射極電流變化，B-C結(jié)空間電荷區(qū)和集電區(qū)-襯底結(jié)空間電荷區(qū)寬度發(fā)生變化的時(shí)間常數(shù)。
（8）集電結(jié)耗盡區(qū)渡越時(shí)間：載流子被掃過(guò)B-C結(jié)空間電荷區(qū)所需的時(shí)間。（9）共基極電流增益：集電極電流與發(fā)射極電流之比。（10）共發(fā)射極電流增益：集電極電流與基極電流之比。
（11）電流集邊：基極串聯(lián)電阻的橫向壓降使得發(fā)射結(jié)電流為非均勻值。
（12）截止：晶體管兩個(gè)結(jié)均加零偏或反偏時(shí)，晶體管電流為零的工作狀態(tài)。（13）截止頻率：共發(fā)射極電流增益的幅值為1時(shí)的頻率。
（14）厄爾利電壓：反向延長(zhǎng)晶體管的I-V特性曲線與電壓軸交點(diǎn)的電壓的絕對(duì)值。（15）E-B結(jié)電容充電時(shí)間：發(fā)射極電流的變化引起B(yǎng)-E結(jié)空間電荷區(qū)寬度變化所需的時(shí)間。
（16）發(fā)射極注入效率系數(shù)：共基極電流增益的一個(gè)系數(shù)，描述了載流子從基區(qū)向發(fā)射區(qū)的注入。
（17）正向有源：B-E結(jié)正偏、B-C結(jié)反偏時(shí)的工作模式。（18）反向有源：B-E結(jié)反偏、B-C結(jié)正偏時(shí)的工作模式。（19）輸出電導(dǎo)：集電極電流對(duì)C-E兩端電壓的微分之比。
金屬_氧化物_半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管：
（1）堆積層電荷：由于熱平衡載流子濃度過(guò)剩而在氧化層下面產(chǎn)生的電荷。
（2）體電荷效應(yīng)：由于漏源電壓改變而引起的沿溝道長(zhǎng)度方向上的空間電荷寬度改變所導(dǎo)致的漏電流偏離理想情況。
（3）溝道電導(dǎo)：當(dāng)VDS→0時(shí)漏電流與漏源電壓之比。（4）溝道電導(dǎo)調(diào)制：溝道電導(dǎo)隨柵源電壓改變的過(guò)程。
（5）CMOS：互補(bǔ)MOS；將p溝和n溝器件制作在同一芯片上的電路工藝。（6）截止頻率：輸入交流柵電流等于輸出交流漏電流時(shí)的信號(hào)頻率。
《微電子器件原理》知識(shí)點(diǎn)小結(jié)
（7）耗盡型MOSFET：必須施加?xùn)烹妷翰拍荜P(guān)閉的一類MOSFET。（8）增強(qiáng)型MOSFET：必須施加?xùn)烹妷翰拍荛_啟的一類MOSFET。
（9）等價(jià)固定氧化層電荷：與氧化層-半導(dǎo)體界面緊鄰的氧化層中的有效固定電荷，用Q'ss表示。
（10）平帶電壓：平帶條件發(fā)生時(shí)所加的柵壓，此時(shí)在氧化層下面的半導(dǎo)體中沒(méi)有空間電荷區(qū)。
（11）柵電容充電時(shí)間：由于柵極信號(hào)變化引起的輸入柵電容的充電或放電時(shí)間。（12）界面態(tài)：氧化層-半導(dǎo)體界面處禁帶寬度中允許的電子能態(tài)。
（13）反型層電荷：氧化層下面產(chǎn)生的電荷，它們與半導(dǎo)體摻雜的類型是相反的。（14）反型層遷移率：反型層中載流子的遷移率。
（15）閂鎖：如在CMOS電路中那樣，可能發(fā)生在四層pnpn結(jié)構(gòu)中的高電流、低電壓現(xiàn)象。
（16）最大空間電荷區(qū)寬度：閾值反型時(shí)氧化層下面的空間電荷區(qū)寬度。
（17）金屬-半導(dǎo)體功函數(shù)差：金屬功函數(shù)和電子親合能之差的函數(shù)，用Φms表示。（18）臨界反型：當(dāng)柵壓接近或等于閾值電壓時(shí)空間電荷寬度的微弱改變，并且反型層電荷密度等于摻雜濃度時(shí)的情形。
（19）柵氧化層電容：氧化層介電常數(shù)與氧化層厚度之比，表示的是單位面積的電容，記為Cox。
（20）飽和：在漏端反型電荷密度為零且漏電流不再是漏源電壓的函數(shù)的情形。（21）強(qiáng)反型：反型電荷密度大于摻雜濃度時(shí)的情形。（22）閾值反型點(diǎn)：反型電荷密度等于摻雜濃度時(shí)的情形。（23）閾值電壓：達(dá)到閾值反型點(diǎn)所需的柵壓。
（24）跨導(dǎo)：漏電流的改變量與其對(duì)應(yīng)的柵壓改變量之比。（25）弱反型：反型電荷密度小雨摻雜濃度時(shí)的情形。
（26）溝道長(zhǎng)度調(diào)制：當(dāng)MOSFET進(jìn)入飽和區(qū)時(shí)有效溝道長(zhǎng)度隨漏-源電壓的改變。
（27）熱電子：由于在高場(chǎng)強(qiáng)中被加速，能量遠(yuǎn)大于熱平衡時(shí)的值得電子。
（28）輕摻雜漏（LDD）：為了減小電壓擊穿效應(yīng)，在緊鄰溝道處制造一輕摻雜漏區(qū)的MOSFET。
（29）窄溝道效應(yīng)：溝道寬度變窄后閾值電壓的偏移。
（30）漏源穿通：由于漏-源電壓引起的源極和襯底之間的勢(shì)壘高度降低，從而導(dǎo)致漏電流的迅速增大。
（31）短溝道效應(yīng)：溝道長(zhǎng)度變短引起的閾值電壓的偏移。
（32）寄生晶體管擊穿：寄生雙極晶體管中電流增益的改變而引起的MOSFET擊穿過(guò)程中出現(xiàn)的負(fù)阻效應(yīng)。
（33）亞閾值導(dǎo)電：當(dāng)晶體管柵偏置電壓低于閾值反型點(diǎn)時(shí)，MOSFET中的導(dǎo)電過(guò)程。
（34）表面散射：當(dāng)載流子在源極和漏極漂移時(shí)，氧化層-半導(dǎo)體界面處載流子的電場(chǎng)吸引作用和庫(kù)倫排斥作用。
（35）閾值調(diào)整：通過(guò)離子注入改變半導(dǎo)體摻雜濃度，從而改變閾值電壓的過(guò)程。
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管：（1）電容電荷存儲(chǔ)時(shí)間：柵極輸入信號(hào)改變使柵極輸入電容存儲(chǔ)或釋放電荷的時(shí)間。
（2）溝道電導(dǎo)：當(dāng)漏源電壓趨近于極限值零時(shí)，漏電流隨著漏源電壓的變化率。
（3）溝道電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)：溝道電導(dǎo)隨柵極電壓的變化過(guò)程。
（4）溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)：JFET處于飽和區(qū)時(shí)，有效溝道長(zhǎng)度隨漏源電壓而變化。
（5）電導(dǎo)參數(shù)：增強(qiáng)型MESFET的漏電流與柵源電壓的表達(dá)式中的倍數(shù)因子kn。
（6）截止頻率：小信號(hào)柵極輸入電流值與小信號(hào)漏極電流值一致時(shí)的頻率。
《微電子器件原理》知識(shí)點(diǎn)小結(jié)
（7）耗盡型JFET：必須加以柵源電壓才能形成溝道夾斷使器件截止的JFET。
（8）增強(qiáng)型JFET：柵極電壓為零時(shí)已經(jīng)夾斷，必須加以柵源電壓以形成溝道，以使器件開啟的JFET。
（9）內(nèi)建夾斷電壓：溝道夾斷時(shí)柵結(jié)上的中電壓降。
（10）輸出電阻：柵源電壓隨漏極電流的變化率。
（11）夾斷：柵結(jié)空間電荷區(qū)完全擴(kuò)展進(jìn)溝道，以至于溝道被耗盡的只有載流子充滿的現(xiàn)象。
光器件：
（1）吸收系數(shù)：在半導(dǎo)體材料中，單位距離吸收的相對(duì)光子數(shù)，用表示。
（2）俄歇復(fù)合：電子和空穴的復(fù)合伴隨著吸收其他粒子所釋放的能量，是一個(gè)非輻射復(fù)合過(guò)程。
（3）轉(zhuǎn)換系數(shù)：在太陽(yáng)能電池中，輸出的電功率和入射的光功率之比。（4）延遲光電流：半導(dǎo)體器件中由于擴(kuò)散電流引起的光電流成分。
（5）外量子效率：在半導(dǎo)體器件中，發(fā)射的光子數(shù)和總光子數(shù)的比率。
（6）填充系數(shù)：ImVm與IscVoc的比率，是太陽(yáng)能電池有效輸出能量的度量。Im和Vm是在最大功率點(diǎn)的電流和電壓值。Isc和Voc是短路電流和開路電壓。
（7）菲涅耳損耗：由于折射系數(shù)的變化，在界面處入射光子被反射的部分。（8）內(nèi)量子效率：能夠產(chǎn)生發(fā)光的二極管電流部分。（9）發(fā)光二極管（LED）：在正偏pn結(jié)中，由于電子-空穴復(fù)合而產(chǎn)生的自發(fā)光子發(fā)射。（10）發(fā)光：光發(fā)射的總性質(zhì)。
（11）非輻射復(fù)合：不產(chǎn)生光子的電子和空穴的復(fù)合過(guò)程，例如硅中在導(dǎo)帶和價(jià)帶間的間接躍遷。
（12）開路電壓：太陽(yáng)能電池的外電路開路時(shí)的電壓。
（13）光電流：由于吸收光子而在半導(dǎo)體器件中產(chǎn)生過(guò)剩載流子，從而形成的電流。（14）分布反轉(zhuǎn)：出于高能級(jí)的電子濃度比處于低能級(jí)的電子濃度大的情況，是一個(gè)非平衡狀態(tài)。
（15）瞬時(shí)光電流：半導(dǎo)體器件的空間電荷區(qū)產(chǎn)生的光電流成分。
（16）輻射復(fù)合：電子和空穴的復(fù)合過(guò)程能夠產(chǎn)生光子，例如砷化鎵中的帶與帶之間的直接復(fù)合。
（17）肖克萊-里德-霍爾復(fù)合：通過(guò)深能級(jí)陷阱而進(jìn)行的電子-空穴對(duì)的復(fù)合，是非輻射復(fù)合過(guò)程。
（18）短路電流：太陽(yáng)能電池兩端直接相連時(shí)的電流。
（19）受激發(fā)射：有個(gè)電子被入射光子激發(fā)，躍遷到低能級(jí)，同時(shí)發(fā)射
第二篇：半導(dǎo)體器件原理課程復(fù)習(xí)提綱
《半導(dǎo)體器件原理》課程復(fù)習(xí)提綱
基礎(chǔ)：半導(dǎo)體物理基本概念、物理效應(yīng)，p－n結(jié)。重點(diǎn)：雙極型晶體管、JFET、GaAs MESFET、MOSFET。了解：材料物理參數(shù)、器件直流參數(shù)和頻率參數(shù)的意義。
根據(jù)物理效應(yīng)、重要方程、實(shí)驗(yàn)修正，理解半導(dǎo)體器件工作原理和特性，進(jìn)行器件設(shè)計(jì)、優(yōu)化、仿真與建模。
第一章：半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)
主要內(nèi)容包括半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體能帶、本征載流子濃度、非本征載流子、本征與摻雜半導(dǎo)體、施主與受主、漂移擴(kuò)散模型、載流子輸運(yùn)現(xiàn)象、平衡與非平衡載流子。
半導(dǎo)體物理有關(guān)的基本概念，質(zhì)量作用定律，熱平衡與非平衡、漂移、擴(kuò)散，載流子的注入、產(chǎn)生和復(fù)合過(guò)程，描述載流子輸運(yùn)現(xiàn)象的連續(xù)性方程和泊松方程。（紅色部分不作考試要求）第二章：p－n結(jié)
主要內(nèi)容包括熱平衡下的p－n結(jié)，空間電荷區(qū)、耗盡區(qū)（耗盡層）、內(nèi)建電場(chǎng)等概念，p－n結(jié)的瞬態(tài)特性，結(jié)擊穿，異質(zhì)結(jié)與高低結(jié)。
耗盡近似條件，空間電荷區(qū)、耗盡區(qū)（耗盡層）、內(nèi)建電勢(shì)等概念，討論pn結(jié)主要以突變結(jié)（包括單邊突變結(jié)）和線性緩變結(jié)為例，電荷分布和電場(chǎng)分布，耗盡區(qū)寬度，勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容的概念、定義，直流特性：理想二極管IV方程的推導(dǎo)
對(duì)于考慮產(chǎn)生復(fù)合效應(yīng)、大注入效應(yīng)、溫度效應(yīng)對(duì)直流伏安特性的簡(jiǎn)單修正。PN的瞬態(tài)特性，利用電荷控制模型近似計(jì)算瞬變時(shí)間。結(jié)擊穿機(jī)制主要包括熱電擊穿、隧道擊穿和雪崩擊穿。要求掌握隧道效應(yīng)和碰撞電離雪崩倍增的概念，雪崩擊穿條件，雪崩擊穿電壓、臨界擊穿電場(chǎng)及穿通電壓的概念，異質(zhì)結(jié)的結(jié)構(gòu)及概念，異質(zhì)結(jié)的輸運(yùn)電流模型。高低結(jié)的特性。（紅色部分不作考試要求）
第三章：雙極型晶體管
主要內(nèi)容包括基本原理，直流特性，頻率響應(yīng)，開關(guān)特性，異質(zhì)結(jié)晶體管。
晶體管放大原理，端電流的組成，電流增益的概念以及提高電流增益的原則和方法。理性晶體管的伏安特性，工作狀態(tài)的判定，輸入輸出特性曲線分析，對(duì)理想特性的簡(jiǎn)單修正，緩變基區(qū)的少子分布計(jì)算，基區(qū)擴(kuò)展電阻和發(fā)射極電流集邊效應(yīng)，基區(qū)寬度調(diào)制，基區(qū)展寬效應(yīng)，雪崩倍增效應(yīng)，基區(qū)穿通效應(yīng)，產(chǎn)生復(fù)合電流和大注入效應(yīng)，晶體管的物理模型E－M模型和電路模型G－P模型。跨導(dǎo)和輸入電導(dǎo)參數(shù)，低頻小信號(hào)等效電路和高頻等效電路，頻率參數(shù)，包括共基極截止頻率fα和共射極截止頻率fβ的定義，特征頻率fT的定義，頻率功率的限制，其中少子渡越基區(qū)時(shí)間，提高頻率特性的主要措施。開關(guān)特性的參數(shù)定義，開關(guān)時(shí)間的定義和開關(guān)過(guò)程的描述，利用電荷控制方程簡(jiǎn)單計(jì)算開關(guān)時(shí)間。開關(guān)晶體管中最重要的參數(shù)是少子壽命。異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管的結(jié)構(gòu)及優(yōu)點(diǎn)。（紅色部分不作考試要求）第四章：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
主要內(nèi)容包括金半接觸，肖特基勢(shì)壘二極管，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，肖特基柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，異質(zhì)結(jié)MESFET。
金半接觸包括肖特基勢(shì)壘接觸和歐姆接觸，肖特基勢(shì)壘高度，及它與內(nèi)建電勢(shì)的關(guān)系，可以把它看成單邊突變結(jié)進(jìn)行計(jì)算，肖特基效應(yīng)，肖特基勢(shì)壘二極管SBD的伏安特性。歐姆接觸以及影響接觸電阻的因素。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）的工作原理，伏安特性，使用緩變溝道近似模型等理想條件，伏安特性分為線性區(qū)和飽和區(qū)，分別定義了溝道電導(dǎo)（漏電導(dǎo)）和跨導(dǎo)。輸出特性和轉(zhuǎn)移特性曲線，直流參數(shù)，包括夾斷電壓VP，飽和漏極電流IDSS，溝道電阻，漏源擊穿電壓BVDS的定義及計(jì)算。簡(jiǎn)單理論的修正，利用電荷控制法分析溝道雜質(zhì)任意分布對(duì)器件伏安特性的影響，高場(chǎng)遷移率對(duì)器件伏安特性的影響。交流小信號(hào)等效電路和高頻等效電路，頻率參數(shù)，特征（截止）頻率fT的定義及計(jì)算，最高振蕩頻率fm的定義。肖特基柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MESFET）的工作原理與JFET相同，只不過(guò)用肖特基勢(shì)壘代替pn結(jié)，MESFET的分類，伏安特性，溝道電導(dǎo)（漏電導(dǎo)）和跨導(dǎo)的概念，夾斷電壓和閾值電壓的概念和計(jì)算。交流小信號(hào)等效電路，特征截止頻率的定義，提高M(jìn)ESFET輸出功率的一些主要措施，MESFET的建模，包括I－V、C－V、SPICE模型。異質(zhì)結(jié)MESFET。（紅色部分不作考試要求）
第五章：MOS器件
主要內(nèi)容包括MOS結(jié)構(gòu)，MOS二極管，MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
MOS器件與雙極晶體管的比較。
MOS結(jié)構(gòu)基本理論，平帶電壓VFB，表面勢(shì)，費(fèi)米勢(shì)的定義，表面狀態(tài)出現(xiàn)平帶、積累、耗盡反型情況。MOS器件表面強(qiáng)反型的判定條件。MOSFET的基本結(jié)構(gòu)和工作原理，分類。閾值電壓的定義及計(jì)算。直流伏安特性方程，弱反型（亞閾值）區(qū)的伏安特性，輸出特性和轉(zhuǎn)移特性曲線，直流參數(shù)，包括飽和漏源電流IDSS，截止漏電流，導(dǎo)通電阻，導(dǎo)電因子。交流小信號(hào)等效電路和高頻等效電路，低頻小信號(hào)參數(shù)，包括柵跨導(dǎo)的定義，以及柵源電壓、漏源電壓和串聯(lián)電阻RS、RD對(duì)跨導(dǎo)的影響，提高跨導(dǎo)（增大β因子）的方法；襯底跨導(dǎo)，非飽和區(qū)漏電導(dǎo)，飽和區(qū)漏電導(dǎo)不為零主要由于溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)和漏感應(yīng)源勢(shì)壘降低效應(yīng)（DIBL效應(yīng)）。頻率特性主要掌握跨導(dǎo)截止頻率ωgm和特征截止頻率fT的定義，以及提高頻率特性的途徑。了解MOSFET的功率特性（高頻功率增益、輸出功率和耗散功率）和功率結(jié)構(gòu)，以及擊穿特性的主要擊穿機(jī)理：漏源擊穿（漏襯底雪崩擊穿、溝道雪崩擊穿和勢(shì)壘穿通）和柵絕緣層擊穿。
開關(guān)特性，主要以CMOS倒相器為例，開關(guān)時(shí)間的定義及簡(jiǎn)單計(jì)算，包括截止關(guān)閉時(shí)間和導(dǎo)通開啟時(shí)間，開關(guān)過(guò)程的簡(jiǎn)單描述。溫度特性主要掌握遷移率和閾值電壓與溫度的關(guān)系。
短溝道效應(yīng)（SCE）和窄溝道效應(yīng)（NWE）。速度飽和效應(yīng)對(duì)漏特
性及跨導(dǎo)的影響。熱載流子效應(yīng)（HCE），造成器件的長(zhǎng)期可靠性問(wèn)題。短溝道MOSFET，MOS保持長(zhǎng)溝道特性的兩個(gè)判定標(biāo)準(zhǔn)。具有長(zhǎng)溝道特性的最小溝道長(zhǎng)度的經(jīng)驗(yàn)公式。器件小型化的規(guī)則，以及按比例縮小存在一定的限制。第六章：新型半導(dǎo)體器件簡(jiǎn)介
主要內(nèi)容包括現(xiàn)代MOS器件，CCD器件，存儲(chǔ)器件，納米器件，功率器件，微波器件，光電子器件，量子器件等。（紅色部分不作考試要求）
第三篇：微電子加工工藝總結(jié)資料
1、分立器件和集成電路的區(qū)別
分立元件：每個(gè)芯片只含有一個(gè)器件；集成電路：每個(gè)芯片含有多個(gè)元件。
2、平面工藝的特點(diǎn)
平面工藝是由Hoerni于1960年提出的。在這項(xiàng)技術(shù)中，整個(gè)半導(dǎo)體表面先形成一層氧化層，再借助平板印刷技術(shù)，通過(guò)刻蝕去除部分氧化層，從而形成一個(gè)窗口。P-N結(jié)形成的方法： ① 合金結(jié)方法
A、接觸加熱：將一個(gè)p型小球放在一個(gè)n型半導(dǎo)體上，加熱到小球熔融。
B、冷卻：p型小球以合金的形式摻入半導(dǎo)體底片，冷卻后，小球下面形成一個(gè)再分布結(jié)晶區(qū)，這樣就得到了一個(gè)pn結(jié)。
合金結(jié)的缺點(diǎn)：不能準(zhǔn)確控制pn結(jié)的位置。
②生長(zhǎng)結(jié)方法
半導(dǎo)體單晶是由摻有某種雜質(zhì)（例如P型）的半導(dǎo)體熔液中生長(zhǎng)出來(lái)的。生長(zhǎng)結(jié)的缺點(diǎn)：不適宜大批量生產(chǎn)。擴(kuò)散結(jié)的形成方式 與合金結(jié)相似點(diǎn)：
表面表露在高濃度相反類型的雜質(zhì)源之中 與合金結(jié)區(qū)別點(diǎn)：
不發(fā)生相變，雜質(zhì)靠固態(tài)擴(kuò)散進(jìn)入半導(dǎo)體晶體內(nèi)部 擴(kuò)散結(jié)的優(yōu)點(diǎn)
擴(kuò)散結(jié)結(jié)深能夠精確控制。平面工藝制作二極管的基本流程：
襯底制備——氧化——一次光刻（刻擴(kuò)散窗口）——硼預(yù)沉積——硼再沉積——二次光刻（刻引線孔）——蒸鋁——三次光刻（反刻鋁電極）——P-N結(jié)特性測(cè)試
3、微電子工藝的特點(diǎn)
高技術(shù)含量 設(shè)備先進(jìn)、技術(shù)先進(jìn)。
高精度 光刻圖形的最小線條尺寸在亞微米量級(jí)，制備的介質(zhì)薄膜厚度也在納米量級(jí)，而精度更在上述尺度之上。超純 指工藝材料方面，如襯底材料Si、Ge單晶純度達(dá)11個(gè)9。
超凈 環(huán)境、操作者、工藝三個(gè)方面的超凈，如 VLSI在100級(jí)超凈室10級(jí)超凈臺(tái)中制作。大批量、低成本 圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)使之得以實(shí)現(xiàn)。
高溫 多數(shù)關(guān)鍵工藝是在高溫下實(shí)現(xiàn)，如：熱氧化、擴(kuò)散、退火。
4、芯片制造的四個(gè)階段
固態(tài)器件的制造分為4個(gè)大的階段（粗線條）： ① ② ③ ④
晶圓制備：（1）獲取多晶
（2）晶體生長(zhǎng)----制備出單晶，包含可以摻雜（元素?fù)诫s和母金摻雜）（3）硅片制備----制備出空白硅片 硅片制備工藝流程（從晶棒到空白硅片）：
晶體準(zhǔn)備（直徑滾磨、晶體定向、導(dǎo)電類型檢查和電阻率檢查）→
切片→研磨→化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）→背處理→雙面拋光→邊緣倒角→拋光→檢驗(yàn)→氧化或外延工藝→打包封裝 芯片制造的基礎(chǔ)工藝
增層——光刻——摻雜——熱處理 材料制備
晶體生長(zhǎng)/晶圓準(zhǔn)備 晶圓制造、芯片生成 封裝
5、high-k技術(shù)
High—K技術(shù)是在集成電路上使用高介電常數(shù)材料的技術(shù)，主要用于降低金屬化物半導(dǎo)體（MOS）晶體管柵極泄漏電流的問(wèn)題。集成電路技術(shù)的發(fā)展是伴隨著電路的元器件（如MOS晶體管）結(jié)構(gòu)尺寸持續(xù)縮小實(shí)現(xiàn)的。隨著MOS晶體管結(jié)構(gòu)尺寸的縮小，為了保持棚極對(duì)MOS晶體管溝道電流的調(diào)控能力，需要在尺寸縮小的同時(shí)維持柵極電容的容量，這通常需要通過(guò)減小棚極和溝道之間的絕緣介質(zhì)層厚度來(lái)實(shí)現(xiàn)，但由此引起的棚極和溝道之間的漏電流問(wèn)題越來(lái)越突出。High—K技術(shù)便是解決這一問(wèn)題的優(yōu)選技術(shù)方案。因?yàn)椋琈OS器件柵極電容類似于一個(gè)平板電容，由于MOS器件面積、絕緣介質(zhì)層厚度和介電常數(shù)共同決定，因此MOS器件柵極電容在器件面積減小的前提下，采用了High—K材料后，可以在不減小介質(zhì)層厚度（因此柵極泄漏電流而不增加）的前提下，實(shí)現(xiàn)維護(hù)柵極電容容量不減小的目標(biāo)。High—K材料技術(shù)已被英特爾和IBM應(yīng)用到其新開發(fā)的45mm量產(chǎn)技術(shù)中。目前業(yè)界常用的High—K材料主要是包括HfO2在內(nèi)的Hf基介質(zhì)材料。
6、拉單晶的過(guò)程
裝料——融化——種晶——引晶——放肩——等徑——收尾——完成
7、外延技術(shù)的特點(diǎn)和應(yīng)用 外延特點(diǎn)： 生成的晶體結(jié)構(gòu)良好 摻入的雜質(zhì)濃度易控制 可形成接近突變pn結(jié)的特點(diǎn) 外延分類： 按工藝分類
A 氣相外延（VPE）利用硅的氣態(tài)化合物或者液態(tài)化合物的蒸汽，在加熱的硅襯底表面和氫發(fā)生反應(yīng)或自身發(fā)生分解還原出硅。B 液相外延（LPE）襯底在液相中，液相中析出的物質(zhì)并以單晶形式淀積在襯底表面的過(guò)程。此法廣泛應(yīng)用于III-V族化合半導(dǎo)體的生長(zhǎng)。原因是化合物在高溫下易分解，液相外延可以在較低的溫度下完成。C 固相外延（SPE）
D 分子束外延（MBE）在超高真空條件下，利用薄膜組分元素受熱蒸發(fā)所形成的原子或分子束，以很高的速度直接射到襯底表面，并在其上形成外延層的技術(shù)。特點(diǎn)：生長(zhǎng)時(shí)襯底溫度低，外延膜的組分、摻雜濃度以及分布可以實(shí)現(xiàn)原子級(jí)的精確控制。按導(dǎo)電類型分類
n型外延：n/n, n/p外延 p型外延：p/n, p/p外延 按材料異同分類
同質(zhì)外延：外延層和襯底為同種材料，例如硅上外延硅。
異質(zhì)外延：外延層和襯底為不同種材料，例如SOI((絕緣體上硅)是一種特殊的硅片，其結(jié)構(gòu)的主要特點(diǎn)是在有源層和襯底層之間插入絕緣層——— 埋氧層來(lái)隔斷有源層和襯底之間的電氣連接)按電阻率高低分類
正外延：低阻襯底上外延高阻層n/n+ 反外延：高阻襯底上外延低阻層
硅的氣相外延的原理：在氣相外延生長(zhǎng)過(guò)程中，有兩步： 質(zhì)量輸運(yùn)過(guò)程－－反應(yīng)劑輸運(yùn)到襯底表面
表面反應(yīng)過(guò)程－－在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)釋放出硅原子
摻雜
有意摻雜：按器件對(duì)外延導(dǎo)電性和電阻率的要求，在外延的同時(shí)摻入適量的雜質(zhì)，這稱為有意摻雜。自摻雜：襯底中的雜質(zhì)因揮發(fā)等而進(jìn)入氣流，然后重新返回外延層。雜質(zhì)外擴(kuò)散:重?fù)诫s襯底中的雜質(zhì)通過(guò)熱擴(kuò)散進(jìn)入外延層。外延的應(yīng)用
1、雙極型電路：n/n外延,在n型外延層上制作高頻功率晶體管。+ 外延：雙極型傳統(tǒng)工藝在p襯底上進(jìn)行n型外延通過(guò)簡(jiǎn)單的p型雜質(zhì)隔離擴(kuò)散，實(shí)現(xiàn)雙極型集成電路元器件的隔離。
2、MOS電路:外延膜的主要應(yīng)用是作為雙極型晶體管的集電極。
外延膜在MOS集成電路中的較新應(yīng)用是利用重?fù)诫s外延減小閂鎖效應(yīng)（寄生閘流管效應(yīng)）。
8、分子束外延（MBE）的原理及其應(yīng)用
在超高真空下，熱分子束由噴射爐噴出，射到襯底表面，外延生長(zhǎng)出外延層。
9、二氧化硅膜的用途
表面鈍化：保護(hù)器件的表面及內(nèi)部，禁錮污染物。
摻雜阻擋層：作為雜質(zhì)擴(kuò)散的掩蔽膜，雜質(zhì)在二氧化硅中的運(yùn)行速度低于在硅中的運(yùn)行速度。絕緣介質(zhì)：IC器件的隔離和多層布線的電隔離，MOSFET的柵電極，MOS電容的絕緣介質(zhì)。
10、二氧化硅膜的獲得方法 A：熱氧化工藝 B：化學(xué)氣相淀積工藝 C：濺射工藝 D：陽(yáng)極氧化工藝
11、熱氧化機(jī)制
① 線性階段，② 拋物線階段（生長(zhǎng)逐漸變慢，直至不可忍受）
影響氧化速率的因素有：氧化劑、晶向、摻雜類型和濃度、氧化劑的分壓。熱氧化生長(zhǎng)方法：
（1）干氧氧化：干燥氧氣，不能有水分；隨著氧化層的增厚，氧氣擴(kuò)散時(shí)間延長(zhǎng)，生長(zhǎng)速率減慢；適合較薄的氧化層的生長(zhǎng)。氧化劑擴(kuò)散到SiO2/Si界面與硅反應(yīng)。
（2）水汽氧化:氣泡發(fā)生器或氫氧合成氣源；原理：
（3）濕氧氧化：濕氧氧化的各種性能都是介于干氧氧化和水汽氧化之間，其掩蔽能力和氧化質(zhì)量都能夠滿足一般器件的要求。（4）摻氯氧化：薄的MOS柵極氧化要求非常潔凈的膜層，如果在氧化中加入氯，器件的性能和潔凈度都會(huì)得到改善。減
+弱二氧化硅中的移動(dòng)離子（主要是鈉離子）的沾污影響，固定Na離子；減少硅表面及氧化層的結(jié)構(gòu)缺陷
12、SiO2/Si界面特性： 熱氧化薄膜是由硅表面生長(zhǎng)得到的二氧化硅薄膜。高溫生長(zhǎng)工藝將使SiO2/Si界面雜質(zhì)發(fā)生再分布，與二氧化硅接觸的硅界面的電學(xué)特性也將發(fā)生變化。雜質(zhì)再分布：有三個(gè)因素： ① 分凝效應(yīng)② 擴(kuò)散速率 ③ 界面移動(dòng)
水汽氧化速率遠(yuǎn)大于干氧氧化速率，水汽氧化SiO2/Si界面雜質(zhì)的再分布就遠(yuǎn)小于干氧氧化；濕氧氧化速率介于水汽、干氧之間，SiO2/Si界面雜質(zhì)的再分布也介于水汽、干氧之間。二氧化硅層中存在著與制備工藝有關(guān)的正電荷，這種正電荷將引起SiO2/Si界面P-Si的反型層，以及MOS器件閾值電壓不穩(wěn)定等現(xiàn)象。可動(dòng)離子或可動(dòng)電荷
主要是Na、K、H等，這些離子在二氧化硅中都是網(wǎng)絡(luò)修正雜質(zhì)，為快擴(kuò)散雜質(zhì)。其中主要是Na。在人體與環(huán)境中大++++量存在Na，熱氧化時(shí)容易發(fā)生Na沾污。加強(qiáng)工藝衛(wèi)生方可以避免Na沾污；也可采用摻氯氧化，固定Na離子。固定離子或固定電荷
主要是氧空位。一般認(rèn)為：固定電荷與界面一個(gè)很薄的（約30?）過(guò)渡區(qū)有關(guān)，過(guò)渡區(qū)有過(guò)剩的硅離子，過(guò)剩的硅在氧化過(guò)程中與晶格脫開，但未與氧完全反應(yīng)。干氧氧化空位最少，水汽氧化氧空位最多。熱氧化時(shí)，首先采用干氧氧化方法可以減小這一現(xiàn)象。氧化后，高溫惰性氣體中退火也能降低固定電荷。
13、氧化膜厚度的檢測(cè)
劈尖干涉和雙光干涉：利用干涉條紋進(jìn)行測(cè)量，因?yàn)橐圃炫_(tái)階，所以為破壞性測(cè)量。
比色法：以一定角度觀察SiO2膜，SiO2膜呈現(xiàn)干涉色彩，顏色與厚度存在相應(yīng)關(guān)系。比色法方便迅速，但只是粗略估計(jì)。橢圓儀法：入射的橢圓偏振光經(jīng)氧化膜的多次反射和折射以后，得到了改變橢圓率的反射橢圓偏振光，其改變量和膜厚與折射率相關(guān)。高頻MOS結(jié)構(gòu)C-V法：測(cè)量金屬柵極的電容，利用公式測(cè)量氧化膜層的厚度。
14、化學(xué)氣相沉積定義
化學(xué)氣相淀積（Chemical Vapor Deposition）是通過(guò)氣態(tài)物質(zhì)的化學(xué)反應(yīng)在襯底上淀積薄膜的工藝方法。與之對(duì)應(yīng)的是：PVD（蒸發(fā)和濺射），它主要應(yīng)用于導(dǎo)體薄膜。
15、淀積技術(shù)包括哪兩種？CVD和PVD
16、LPCVD和APCVD的主要區(qū)別？LPCVD有何優(yōu)勢(shì)？
APCVD：原料以氣相方式被輸送到反應(yīng)器內(nèi)，原料氣體向襯底基片表面擴(kuò)散，被基片吸附，由于基片的溫度高或其它能量提供給原料氣體，使其發(fā)生表面化學(xué)反應(yīng)，生成物在基片表面形成薄膜，而生成物中的其它物質(zhì)是氣相物質(zhì)，擴(kuò)散到氣相中被帶走。LPCVD：低壓情況下，分子自由程較長(zhǎng)，薄膜電極的均勻性較高。LPCVD相對(duì)APCVD的特點(diǎn)：
增加了真空系統(tǒng)，氣壓在1-10Torr之間；壓下分子自由程長(zhǎng)，可以豎放基片；熱系統(tǒng)一般是電阻熱壁式。
17、PECVD的機(jī)理？PECVD有何優(yōu)勢(shì)？
優(yōu)勢(shì)：采用等離子體把電能耦合到氣體中，促進(jìn)化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行,由此淀積薄膜；因此該法可以在較低溫度下淀積薄膜。PECVD常常是低溫和低壓的結(jié)合。-2+++
+機(jī)理：反應(yīng)器的射頻功率使低壓氣體（真空度1-10Torr）產(chǎn)生非平衡輝光放電，雪崩電離激發(fā)出的高能電子通過(guò)碰撞激活氣體形成等離子體。襯底基片（具有一定溫度，約300℃）吸附活潑的中性原子團(tuán)與游離基即高能的等離子體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成的薄膜物質(zhì)被襯底吸附、重排進(jìn)而形成淀積薄膜，襯底溫度越高形成的薄膜質(zhì)量越好。
18、多晶硅淀積和外延淀積的主要區(qū)別。淀積多晶硅薄膜的方法：主要采用LPCVD的方法。摻雜則采用：離子注入；化學(xué)氣相淀積；擴(kuò)散。多晶硅的淀積和外延淀積的主要區(qū)別：硅烷的使用
19、金屬薄膜的用途？金屬化的作用?
（1）在微電子器件與電路中金屬薄膜最重要的用途是作為內(nèi)電極（MOS柵極和電容器極板）和各元件之間的電連接。（2）在某些存儲(chǔ)電路中作為熔斷絲。
（3）用于晶圓的背面（通常是金），提高芯片和封裝材料的黏合力。
金屬化的作用：集成電路中金屬化的作用是將有源器件按設(shè)計(jì)的要求連接起來(lái)，形成一個(gè)完整的電路與系統(tǒng)。20、說(shuō)明為什么鋁作為通常使用的金屬薄膜，說(shuō)明銅作為新一代金屬薄膜的原因。鋁膜：用途: 大多數(shù)微電子器件或集成電路是采用鋁膜做金屬化材料
優(yōu)點(diǎn)：導(dǎo)電性較好；與p-Si，n-Si（>5*10）能形成良好的歐姆接觸；光刻性好；與二氧化硅黏合性好；易鍵合。缺點(diǎn)：抗電遷移性差；耐腐蝕性、穩(wěn)定性差 ；臺(tái)階覆蓋性較差。工藝：蒸發(fā)，濺射 銅膜：用途：新一代的金屬化材料，超大規(guī)模集成電路的內(nèi)連線；缺點(diǎn)：與硅的接觸電阻高，不能直接使用；銅在硅中是快擴(kuò)散雜質(zhì)，能使硅中毒，銅進(jìn)入硅內(nèi)改變器件性能；與硅、二氧化硅粘附性差。優(yōu)點(diǎn)：電阻率低（只有鋁的40-45%），導(dǎo)電性較好；抗電遷移性好于鋁兩個(gè)數(shù)量級(jí)； 工藝：濺射
21、VLSI對(duì)金屬化的要求是什么？
① 對(duì)n+硅和p+硅或多晶硅形成低阻歐姆接觸，即金屬/硅接觸電阻小 ② 能提供低電阻的互連引線，從而提高電路速度 ③ 抗電遷移性能要好
④ 與絕緣體（如二氧化硅）有良好的附著性 ⑤ 耐腐蝕 ⑥ 易于淀積和刻蝕
⑦ 易鍵合，且鍵合點(diǎn)能經(jīng)受長(zhǎng)期工作
⑧ 層與層之間絕緣要好，不互相滲透和擴(kuò)散，即要求有一個(gè)擴(kuò)散阻擋層
22、Al-Si接觸的常見問(wèn)題及解決辦法？
Al和Si之間不能合成硅化物，但是可以形成合金。Al在Si中溶解度很小，但是相反Si在Al中溶解度很大，這樣就形成尖楔現(xiàn)象，從而使P-N結(jié)失效。解決尖楔問(wèn)題： +（1）一般采用Al-Si合金代替Al作為Al/Si的接觸和互連材料。但是又引入了硅的分凝問(wèn)題。
（2）由于銅的抗電遷移性好，鋁-銅（0.5-4%）或鋁-鈦（0.1-0.5%）合金結(jié)構(gòu)防止電遷移，結(jié)合Al-Si合金，在實(shí)際應(yīng)用中人們經(jīng)常使用既含有銅又含有硅的Al-Si-Cu合金以防止合金化（即共熔）問(wèn)題和電遷移問(wèn)題。（3）（4）Al-摻雜多晶硅雙層金屬化結(jié)構(gòu)：在多晶硅中摻雜重磷或重砷，構(gòu)成摻雜多晶的結(jié)構(gòu)。鋁-隔離層結(jié)構(gòu)：在Al-Si之間沉積一層薄的金屬層，替代磷摻雜多晶硅，成為阻擋層。
23、說(shuō)明難熔金屬在金屬連線中的作用？
難熔金屬及其硅化物有較低的電阻率和接觸電阻。難熔金屬的一個(gè)廣泛應(yīng)用是在多層金屬結(jié)構(gòu)中填充連接孔，這個(gè)工序叫作過(guò)孔填充，填補(bǔ)好的過(guò)孔叫做接線柱。
24、金屬化的實(shí)現(xiàn)方法有幾種？請(qǐng)論述真空濺射方法 金屬化的實(shí)現(xiàn)主要通過(guò)兩種方式來(lái)實(shí)現(xiàn)： ① 物理淀積
A：真空蒸發(fā)淀積（較早，金屬鋁線）
B：真空濺射淀積（Al-Si合金或Al-Si-Cu合金）2LPCVD（難熔金屬）○真空蒸發(fā)淀積 ：被蒸物質(zhì)從凝聚相轉(zhuǎn)化為氣相；氣相物質(zhì)在真空系統(tǒng)中的輸運(yùn)；氣相分子在襯底上淀積和生長(zhǎng)。分為電阻、電子束等蒸發(fā)沉積。真空濺射沉積：濺射淀積是用核能離子轟擊靶材，使靶材原子從靶表面逸出，淀積在襯底材料上的過(guò)程。
25、說(shuō)明金屬CVD的優(yōu)勢(shì)和主要用途。金屬CVD ： LPCVD可以應(yīng)用于制作金屬薄膜。
優(yōu)勢(shì)：不需要昂貴的高真空泵；臺(tái)階覆蓋性好；生產(chǎn)效率較高。用途：難控制金屬；難熔金屬，主要是鎢。
26、什么叫做光刻，光刻有何目的？
光刻是圖形復(fù)印與腐蝕作用相結(jié)合，在晶片表面薄膜上制備圖形的精密表面工藝技術(shù)。
光刻的目的就是：在介質(zhì)薄膜、金屬薄膜或金屬合金薄膜上面刻蝕出與掩膜版完全對(duì)應(yīng)的幾何圖形，從而實(shí)現(xiàn)選擇性擴(kuò)散和金屬薄膜布線的目的。
27、光刻技術(shù)的圖形轉(zhuǎn)移分為哪兩個(gè)階段？ 圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠層；圖形從光刻膠層轉(zhuǎn)移到晶圓層
28、列出光刻工藝的十個(gè)步驟，并簡(jiǎn)述每一步的目的。表面準(zhǔn)備：微粒清除，保持襯底的憎水性。
涂光刻膠：與襯底薄膜粘附性好，膠膜均勻，是光刻工藝的核心材料。
前烘：使膠膜體內(nèi)的溶劑充分揮發(fā)使膠膜干燥；增加膠膜和襯底的粘附性以及膠膜的耐磨性 對(duì)準(zhǔn)和曝光：把所需圖形在晶圓表面上定位或?qū)?zhǔn)；通過(guò)曝光燈或其他輻射源將圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠涂層上
后烘：減少駐波效應(yīng)，激發(fā)化學(xué)增強(qiáng)光刻膠的PAG產(chǎn)生的酸與光刻膠上的保護(hù)基團(tuán)發(fā)生反應(yīng)并移除基團(tuán)使之能溶解于顯影液。顯影：將掩膜板上的圖形顯示在光刻膠上。
堅(jiān)膜：除去光刻膠中剩余的溶劑，增強(qiáng)光刻膠對(duì)襯底的附著力。
刻蝕：把顯影后的光刻膠微圖形下層材料的裸露部分去掉，將光刻膠圖形轉(zhuǎn)移到下層材料上去的工藝叫作刻蝕。去膠：刻蝕完成以后將光刻膠去除掉。
29、光刻膠的分類，談?wù)務(wù)z和負(fù)膠的區(qū)別。
正膠：膠的曝光區(qū)在顯影中除去。正膠曝光時(shí)發(fā)生光分解反應(yīng)變成可溶的。使用這種光刻膠時(shí)，能夠得到與掩膜版遮光圖案相同的圖形，故稱之為正膠。負(fù)膠：膠的曝光區(qū)在顯影中保留，用的較多。具體說(shuō)來(lái)負(fù)膠在曝光前對(duì)某些有機(jī)溶劑是可溶的，而曝光后發(fā)生光聚合反應(yīng)變成不可溶的。使用這種光刻膠時(shí)，能夠得到與掩膜版遮光圖案相反的圖形，故稱之為負(fù)膠。30、刻蝕的方法分類，刻蝕常見有哪些問(wèn)題？ 分類：刻蝕分為濕法刻蝕和干法刻蝕。
濕法刻蝕：化學(xué)腐蝕，在腐蝕液中通過(guò)化學(xué)反應(yīng)去除窗口薄膜，得到薄膜圖形。優(yōu)點(diǎn)：工藝簡(jiǎn)單，無(wú)需復(fù)雜設(shè)備，選擇比高；均勻性好。缺點(diǎn)：各向同性腐蝕；分辨率低，自動(dòng)化難。干法刻蝕：使用氣體和等離子體能量來(lái)進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)的化學(xué)工藝。
常見問(wèn)題：不完全刻蝕、刻蝕和底切、各向同性刻蝕。優(yōu)點(diǎn)：刻蝕非常有方向性（各向異性），導(dǎo)致良好的小開口區(qū)域的精密度。缺點(diǎn)：選擇性差。
31、摻雜技術(shù)實(shí)現(xiàn)的兩種方式以及摻雜的目的 方式：擴(kuò)散和離子注入
目的：在晶圓表面下的特定位置處形成PN結(jié)；在晶圓表面下得到所需的摻雜濃度。
32、擴(kuò)散的基本原理、離子注入的基本原理及其比較
微電子工藝中的擴(kuò)散是雜質(zhì)在晶體內(nèi)的擴(kuò)散，因此是一種固相擴(kuò)散。晶體內(nèi)擴(kuò)散有多種形式：填隙式擴(kuò)散、替位式擴(kuò)散、填隙-替位式擴(kuò)散。離子注入技術(shù)：離子注入是將含所需雜質(zhì)的化合物分子（如BCl3、BF3）電離為雜質(zhì)離子后，聚集成束用強(qiáng)電場(chǎng)加速，使其成為高能離子束，直接轟擊半導(dǎo)體材料，當(dāng)離子進(jìn)入其中時(shí)，受半導(dǎo)體材料原子阻擋，而停留在其中，成為半導(dǎo)體內(nèi)的雜質(zhì)。離子注入時(shí)可采用熱退火工藝，修復(fù)晶格損傷，注入雜質(zhì)電激活。離子注入技術(shù)的優(yōu)勢(shì)：① 離子注入克服熱擴(kuò)散的幾個(gè)問(wèn)題：
A 橫向擴(kuò)散，沒(méi)有側(cè)向擴(kuò)散 B 淺結(jié)
C 粗略的摻雜控制 D 表面污染的阻礙 ② 離子注入引入的額外的優(yōu)勢(shì)：
A 在接近常溫下進(jìn)行 B 使寬范圍濃度的摻雜成為可能
33、集成電路的形成
集成電路的制造工藝與分立器件的制造工藝一樣都是在硅平面工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的，有很多相同之處，同時(shí)又有所不同。相同點(diǎn)：?jiǎn)雾?xiàng)工藝相同的方法外延，氧化，光刻，擴(kuò)散，離子注入，淀積等。不同點(diǎn)：主要有電隔離，電連接，局部氧化，平整化以及吸雜等。
電隔離：
（1）PN結(jié)隔離：雙極型集成電路多采用PN結(jié)隔離，是在硅片襯底上通過(guò)擴(kuò)散與外延等工藝制作出隔離島，元件就做在隔離島上。（2）介質(zhì)隔離：SOS集成電路（Silicon on Sapphire）是最早的介質(zhì)隔離薄膜電路，新材料SOI（Silicon on Insulator）有很大發(fā)展，SOI集成電路也是采用介質(zhì)隔離工藝的電路。
電連接：集成電路各元件之間構(gòu)成電路必須進(jìn)行電連接，這多是采用淀積金屬薄膜，經(jīng)光刻工藝形成電連接圖形，電路復(fù)雜的集成電路一般是多層金屬布線，構(gòu)成電連接。局部氧化：分離器件的氧化工藝是在整個(gè)硅片表面制備二氧化硅薄膜，而集成電路工藝中的氧化有時(shí)是在局部進(jìn)行，如MOS型電路中以氮化硅作為掩蔽膜的局部氧化技術(shù)。平整化：超大規(guī)模集成電路的制備經(jīng)過(guò)多次光刻、氧化等工藝，使得硅片表面不平整，臺(tái)階高，這樣在進(jìn)行電連接時(shí)，臺(tái)階處的金屬薄膜連線易斷裂，因此，有時(shí)通過(guò)平面化技術(shù)來(lái)解決這一問(wèn)題，如在金屬布線進(jìn)行電連接之前，采用在硅片表面涂附聚酰亞胺膜的方法達(dá)到平面化的工藝技術(shù)。
吸雜：硅單晶本身的缺欠以及電路制備工藝中的誘生缺欠，對(duì)電路性能影響很大，有源元件附近的缺欠，通過(guò)吸雜技術(shù)可以消除或減少缺欠，如通過(guò)在硅片背面造成機(jī)械損傷，噴沙或研磨，這種背損傷可以吸收雜質(zhì)與缺欠。
34、封裝的工藝流程
底部準(zhǔn)備：底部準(zhǔn)備通常包括磨薄和鍍金。劃片：用劃片法或鋸片法將晶片分離成單個(gè)芯片
取片和承載：在挑選機(jī)上選出良品芯片，放于承載托盤中。
粘片：用金硅熔點(diǎn)技術(shù)或銀漿粘貼材料粘貼在封裝體的芯片安裝區(qū)域。
打線：A：芯片上的打線點(diǎn)與封裝體引腳的內(nèi)部端點(diǎn)之間用很細(xì)的線連接起來(lái)（線壓焊）；B：在芯片的打線點(diǎn)上安裝半球型的金屬突起物（反面球形壓焊）；C：TAB壓焊技術(shù)； 封裝前檢查 有無(wú)污染物；芯片粘貼質(zhì)量；金屬連接點(diǎn)的好壞 電鍍、切割筋成和印字 最終測(cè)試
35、封裝設(shè)計(jì)
金屬罐法；雙列直插封裝；雙列直插封裝；針形柵格陣列封裝 球形柵格陣列封裝；薄形封裝；四面引腳封裝 ；板上芯片（COB）
第四篇：教育學(xué)原理知識(shí)點(diǎn)匯總
下面是教育學(xué)原理中的重要基本概念，希望各位考生務(wù)要熟練掌握。清楚地了解了基礎(chǔ)概念，那么對(duì)于理論部分的復(fù)習(xí)是有所幫助的。
1、教育學(xué)：教育學(xué)是以教育事實(shí)為基礎(chǔ)，以教育價(jià)值觀引導(dǎo)下形成的教育問(wèn)題為對(duì)象，探索和揭示教育活動(dòng)規(guī)律性聯(lián)系，并服務(wù)于教育實(shí)踐的一門學(xué)問(wèn)。
2、教育：廣義的教育是指泛指一切增進(jìn)人的知識(shí)與技能，影響人的思想品德的活動(dòng)。狹義：學(xué)校教育是由專門的教育機(jī)構(gòu)所承擔(dān)的、由專門的教職人員所實(shí)施的有目的、有計(jì)劃、有組織的，以影響學(xué)生的身心發(fā)展為首要和直接目標(biāo)的教育活動(dòng)。
3、教育目的：根據(jù)一定社會(huì)發(fā)展和階級(jí)利益需要提出的培養(yǎng)人的質(zhì)量規(guī)格的總設(shè)想或規(guī)定，是教育者對(duì)受教育者進(jìn)行有意識(shí)、有計(jì)劃的影響活動(dòng)所要達(dá)到的預(yù)想結(jié)果。
4、學(xué)校教育制度(學(xué)制)：指一個(gè)國(guó)家各級(jí)各類學(xué)校系統(tǒng)，規(guī)定了各級(jí)各類學(xué)校的性質(zhì)、任務(wù)、目標(biāo)、入學(xué)條件、修業(yè)年限以及學(xué)校之間的縱橫銜接關(guān)系。
5、義務(wù)教育：以法律的形式規(guī)定的，適齡兒童和青少年須接受的，國(guó)家、社會(huì)、學(xué)校和家庭須予以保證的國(guó)民教育。是一種普遍的、全民的教育。
6、課程：廣義的課程指的是學(xué)生在學(xué)校中獲得的全部經(jīng)驗(yàn)，狹義的課程是指為實(shí)現(xiàn)各級(jí)各類學(xué)校的培養(yǎng)目標(biāo)而規(guī)定的教學(xué)科目及其目的、內(nèi)容、范圍、分量和進(jìn)程的總和。
7、課程計(jì)劃：是國(guó)家根據(jù)一定的教育目的和培養(yǎng)目標(biāo)制定的有關(guān)學(xué)校教育和教學(xué)工作的指導(dǎo)性文件。
8、課程標(biāo)準(zhǔn)：指學(xué)科課程標(biāo)準(zhǔn)，它是各學(xué)科的綱領(lǐng)文件。是根據(jù)課程計(jì)劃，以綱要的形式編定有關(guān)學(xué)科教學(xué)內(nèi)容的教學(xué)指導(dǎo)文件。
9、課的結(jié)構(gòu)：是指課的組成部分及各部分進(jìn)行的順序和時(shí)間分配。
10、教學(xué)：是以教師引導(dǎo)學(xué)生主動(dòng)學(xué)習(xí)為基礎(chǔ)的教與學(xué)相統(tǒng)一的活動(dòng)，是以師生之間、生生之間多向互動(dòng)、動(dòng)態(tài)生成為存在方式，促進(jìn)學(xué)生發(fā)展的有組織、有計(jì)劃的教育活動(dòng)。
11、教學(xué)方法：是師生在教學(xué)過(guò)程中為了完成教學(xué)任務(wù)，實(shí)現(xiàn)教學(xué)目標(biāo)所采取的一系列教與學(xué)相互作用的具體方式和手段的總稱。
12、講授法：是教師通過(guò)簡(jiǎn)明、生動(dòng)的口頭語(yǔ)言向?qū)W生系統(tǒng)地傳授知識(shí)，發(fā)展學(xué)生智力的方法。
下面是教育學(xué)原理中的重要基本概念，希望各位考生務(wù)要熟練掌握。清楚地了解了基礎(chǔ)概念，那么對(duì)于理論部分的復(fù)習(xí)是有所幫助的。
1、班級(jí)授課制：將學(xué)生按年齡和程度編成班級(jí)，使每一班級(jí)有固定的學(xué)生和課程，由教師按照固定的教學(xué)時(shí)間表對(duì)全班學(xué)生進(jìn)行上課的教學(xué)制度。
2、教學(xué)模式：在一定教學(xué)思想或教學(xué)理論指導(dǎo)下建立起來(lái)的較為穩(wěn)定的教學(xué)活動(dòng)結(jié)構(gòu)框架和活動(dòng)程序。
3、教學(xué)評(píng)價(jià)：依據(jù)教學(xué)目標(biāo)對(duì)教學(xué)過(guò)程及結(jié)果進(jìn)行價(jià)值判斷并為教學(xué)決策服務(wù)的活動(dòng)。教學(xué)評(píng)價(jià)是研究教師教與學(xué)生的學(xué)的價(jià)值的過(guò)程。
4、美育：是以培養(yǎng)學(xué)生審美、立美能力，從而促使他們追求人生的情趣與理想境界等為目標(biāo)的教育活動(dòng)。
5、教育規(guī)律：是指教育活動(dòng)中存在的本質(zhì)的、然的和內(nèi)在的聯(lián)系。
6、雙規(guī)制：指在資本主義的學(xué)校教育制度有兩個(gè)相互獨(dú)立的系統(tǒng)：一個(gè)是專門為資產(chǎn)階級(jí)子弟服務(wù)的，配備有良好的師資和設(shè)備，學(xué)生們沿著這個(gè)系統(tǒng)深造，就可以升入一些有名的高等學(xué)校，畢業(yè)以后直接成為統(tǒng)治階級(jí)和各級(jí)管理人員。另一個(gè)是為勞動(dòng)人民的子弟準(zhǔn)備的，師資力量和教學(xué)設(shè)備比較差，主要是學(xué)習(xí)一些實(shí)用知識(shí)和技能，很少有升大學(xué)的機(jī)會(huì)一般在上中學(xué)之前就進(jìn)入勞動(dòng)市場(chǎng)。
7、教學(xué)模式：指以某種教學(xué)理論為指導(dǎo)，以一定的教學(xué)實(shí)踐為基礎(chǔ)形成的，教學(xué)活動(dòng)的各個(gè)成分按照一定的要求和程序整合而成的、比較固定的和具有典型性的教學(xué)實(shí)踐形式。
8、講授法：教師通過(guò)簡(jiǎn)明、生動(dòng)的口頭語(yǔ)言向?qū)W生系統(tǒng)的傳授知識(shí)，發(fā)展學(xué)生智力的方法。
9、課的類型：是根據(jù)教學(xué)任務(wù)和教學(xué)方法的不同劃分的課的種類，是教學(xué)活動(dòng)的基本單元。
1、簡(jiǎn)述教育學(xué)的歷史發(fā)展。
答：(一)教育學(xué)的萌芽(二)教育學(xué)的獨(dú)立時(shí)期(三)教育學(xué)的多樣化發(fā)展時(shí)期(四)當(dāng)代教育學(xué)的發(fā)展。
2、簡(jiǎn)述教育學(xué)的意義。
答：(一)教育學(xué)有助于形成科學(xué)的教育觀，增強(qiáng)教育工作者教育的自覺(jué)性和預(yù)見性。
(二)學(xué)習(xí)教育學(xué)有助于指導(dǎo)教育實(shí)踐，提高教育者的工作熱情和教育效率，提高教育工作者的專業(yè)素養(yǎng)。
(三)學(xué)習(xí)教育學(xué)有助于推動(dòng)教育改革和教育科學(xué)研究，促進(jìn)教育事業(yè)的發(fā)展。
3、簡(jiǎn)述現(xiàn)代教育發(fā)展呈現(xiàn)的基本特征。
答：(一)教育加快民主化進(jìn)程(二)教育與生產(chǎn)勞動(dòng)日趨結(jié)合(三)教育內(nèi)容極為豐富和開放(四)大力加強(qiáng)基礎(chǔ)教育，不斷延長(zhǎng)義務(wù)教育年限(五)教育形式和手段發(fā)生重大變化(六)國(guó)際教育合作與交流日益頻繁(七)終生教育體系在逐步構(gòu)建。
4.簡(jiǎn)述教育目的的功能。
答：(一)導(dǎo)向功能；(二)選擇功能；(三)控制功能；(四)激勵(lì)功能；(五)依據(jù)功能；(六)評(píng)價(jià)功能。
5.簡(jiǎn)述我國(guó)新時(shí)期的教育方針。
答：教育須為社會(huì)主義現(xiàn)代化建設(shè)服務(wù)，須與生產(chǎn)勞動(dòng)相結(jié)合，培養(yǎng)德、智、體等方面發(fā)展的社會(huì)主義事業(yè)的建設(shè)者和接班人
6.簡(jiǎn)述發(fā)展教育的組成部分。
答：(一)德育；(二)智育=；(三)體育；(四)美育；(五)勞動(dòng)技術(shù)教育。
7.簡(jiǎn)述義務(wù)教育的特點(diǎn)。
答：(一)強(qiáng)迫性；(二)普及性。
8.簡(jiǎn)述教師勞動(dòng)的特點(diǎn)。
答：(一)教師勞動(dòng)的復(fù)雜性；(二)教師勞動(dòng)的創(chuàng)造性；(三)教師勞動(dòng)的示范性；(四)教師勞動(dòng)的長(zhǎng)期性；(五)教師勞動(dòng)空間的廣延性和時(shí)間的連續(xù)性。
9.簡(jiǎn)述學(xué)生的本質(zhì)屬性。
答：(一)學(xué)生是主體性的人；(二)學(xué)生是具有完整性的人；(三)學(xué)生是成長(zhǎng)中的人。
10.簡(jiǎn)述學(xué)生時(shí)代特點(diǎn)。
答：(一)主體意識(shí)增強(qiáng)；(二)信息獲取多樣化；(三)價(jià)值選擇多樣化；(四)同輩影響較大。
11.簡(jiǎn)述良好師生關(guān)系的特點(diǎn)。
答：(一)民主平等；(二)對(duì)話合作。
12.簡(jiǎn)述如何建立良好的師生關(guān)系。
答：(一)確立以人為本的教育理念；(二)改變教育方式，從教授式教育走向?qū)υ捠浇逃?三)掌握處理師生關(guān)系的手段和方法。
13.簡(jiǎn)述影響課程的因素。
答：(一)社會(huì)；(二)學(xué)生；(三)知識(shí)。
14.簡(jiǎn)述教學(xué)的意義。
答：(一)教學(xué)是傳遞知識(shí)經(jīng)驗(yàn)、促進(jìn)學(xué)生發(fā)展的最有效形式；(二)教學(xué)是進(jìn)行發(fā)展教育、實(shí)現(xiàn)學(xué)校培養(yǎng)目標(biāo)的基本途徑；(三)教學(xué)是進(jìn)行文化傳承、促進(jìn)社會(huì)發(fā)展的重要手段。
15.簡(jiǎn)述教學(xué)的任務(wù)。
答：(一)引導(dǎo)學(xué)生主動(dòng)學(xué)習(xí)；(二)學(xué)習(xí)公民所備的基礎(chǔ)知識(shí)和基本技能；(三)促進(jìn)學(xué)生的發(fā)展。
16.簡(jiǎn)述教學(xué)的基本規(guī)律。
答：(一)間接經(jīng)驗(yàn)與直接經(jīng)驗(yàn)相統(tǒng)一的規(guī)律；(二)掌握知識(shí)和發(fā)展智力相統(tǒng)一的規(guī)律；(三)傳授知識(shí)與思想品德教育相統(tǒng)一的規(guī)律；(四)教師主導(dǎo)作用和學(xué)生主體地位相結(jié)合的規(guī)律。
17、教學(xué)過(guò)程的基本階段。
答：(一)激發(fā)學(xué)習(xí)動(dòng)機(jī)，(二)領(lǐng)會(huì)知識(shí)經(jīng)驗(yàn)，(三)鞏固知識(shí)經(jīng)驗(yàn)，(四)運(yùn)用知識(shí)經(jīng)驗(yàn)，(五)檢查反思改進(jìn)。
18、簡(jiǎn)述中小學(xué)常用的教學(xué)原則。
(一)科學(xué)性與思想性統(tǒng)一的原則，(二)理論聯(lián)系實(shí)際的原則，(三)直觀性性原則，(四)啟發(fā)性原則，(五)循序漸進(jìn)原則，(六)鞏固性原則，(七)量力性原則，(八)因材施教原則，(九)反饋調(diào)節(jié)原則。
19、簡(jiǎn)述備課的內(nèi)容。
答：(一)了解學(xué)生，(二)深入鉆研教材，(三)恰當(dāng)選擇教法。
20、簡(jiǎn)述備課的形式。
答：(一)學(xué)期教學(xué)進(jìn)度計(jì)劃，(二)課題教學(xué)計(jì)劃，(三)課時(shí)教學(xué)計(jì)劃。
21、簡(jiǎn)述綜合課的結(jié)構(gòu)。
答：(一)組織教學(xué)，(二)檢查復(fù)習(xí)，(三)講授新教材，(四)鞏固新教材，(五)布置課外作業(yè)。
22、簡(jiǎn)述上好課的基本要求。
答：
1、目的明確，2、內(nèi)容正確，3、方法得當(dāng)，4、語(yǔ)言清晰，5、組織有序。
23、簡(jiǎn)述教學(xué)模式類型。
答：(一)“傳遞”——“接受”式。(二)“引導(dǎo)”——“發(fā)現(xiàn)”式。(三)“自學(xué)”——“輔導(dǎo)”式(四)“暗示”——“領(lǐng)悟”式。
24、簡(jiǎn)述德育過(guò)程的規(guī)律與特點(diǎn)。
答：(一)德育過(guò)程是對(duì)學(xué)生知、情、意、行和諧統(tǒng)一的培養(yǎng)過(guò)程，具有統(tǒng)一性和多端性。
(二)德育過(guò)程是學(xué)生在活動(dòng)和交往中接受多方面影響的過(guò)程，具有社會(huì)性和廣泛性。
(三)德育過(guò)程是促進(jìn)學(xué)生思想品德內(nèi)部矛盾斗爭(zhēng)的過(guò)程，是外部教育與自我教育的統(tǒng)一，具有主動(dòng)性和自覺(jué)性。
(四)德育過(guò)程是長(zhǎng)期的、反復(fù)的、逐步提高的過(guò)程，具有反復(fù)性和漸進(jìn)性。
25、簡(jiǎn)述班主任的工作內(nèi)容。
答：(一)了解和研究學(xué)生(二)組織和培養(yǎng)班集體(三)影響和教育班級(jí)每個(gè)學(xué)生(四)協(xié)調(diào)和統(tǒng)一各方面的教育力量(五)評(píng)定學(xué)生操行。
26、簡(jiǎn)述班主任應(yīng)如何組織培養(yǎng)班集體。
答：
1、確立班集體目標(biāo)
2、確定班級(jí)成員的角色位置
3、建立融洽的班級(jí)內(nèi)外關(guān)系
4、開展豐富多彩的班級(jí)活動(dòng)
5、營(yíng)造健康的班級(jí)文化環(huán)境。
27、簡(jiǎn)述班主任應(yīng)如何了解和研究學(xué)生。
答：(一)觀察(二)調(diào)查研究(三)分析書面材料(四)建立學(xué)生檔案。
28、一節(jié)好課應(yīng)符合哪些基本標(biāo)準(zhǔn)
答：(1)教學(xué)目的明確、(2)教學(xué)內(nèi)容正確、(3)教學(xué)方式適當(dāng)、(4)教學(xué)過(guò)程緊湊、(5)學(xué)生主體性充分發(fā)揮。
29、我國(guó)教育目的有哪些基本特征。
答：(1)我國(guó)教育目的以馬克思主義人的發(fā)展學(xué)說(shuō)為指導(dǎo)思想。
(2)我國(guó)教育目的有鮮明的政治方向。
(3)我國(guó)教育目的堅(jiān)持發(fā)展與個(gè)性發(fā)展的統(tǒng)一。
1、結(jié)合我國(guó)學(xué)校教育實(shí)際分析學(xué)校制度文化及其對(duì)學(xué)生發(fā)展的影響。
答：(1)學(xué)校制度文化的基本內(nèi)容：
a)學(xué)校制度文化一般包括學(xué)校的傳統(tǒng)、儀式和規(guī)章，它是學(xué)校組織對(duì)組織內(nèi)部分各類成員的一種行為規(guī)范規(guī)定。
b)學(xué)校傳統(tǒng)是一所學(xué)校在較長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)形成的，影響所有成員價(jià)值取向和行為方式的定勢(shì)，它對(duì)學(xué)生發(fā)展的影響一般不是通過(guò)強(qiáng)制性的要求實(shí)現(xiàn)的。
c)學(xué)校儀式是學(xué)校的某種固定化的活動(dòng)程序和形式，它對(duì)學(xué)生的影響具有一定的強(qiáng)制性。
d)學(xué)校的規(guī)章制度是學(xué)校中的一種制度化了的行為規(guī)范，規(guī)范的對(duì)象不僅包括學(xué)生，也包括教職員工。
(2)學(xué)校制度文化對(duì)學(xué)生發(fā)展的影響：
獨(dú)特的學(xué)校制度文化會(huì)對(duì)學(xué)生的認(rèn)識(shí)、情感、行為習(xí)慣以至整個(gè)人格產(chǎn)生重要影響。
2、論述教學(xué)工作基本環(huán)節(jié)之間的相互關(guān)系及實(shí)施要求。
答：(1)一般說(shuō)，教學(xué)工作的實(shí)施由備課、上課、作業(yè)的布置和批改、課外輔導(dǎo)幾個(gè)環(huán)節(jié)構(gòu)成。
(2)各環(huán)節(jié)之間的關(guān)系是：
a)備課是教學(xué)工作的基礎(chǔ)，是上好課的先決條件
b)上課是教學(xué)工作的中心環(huán)節(jié)，教學(xué)質(zhì)量的高低直接取決與上課
c)作業(yè)的布置和批改是上課的延續(xù)，對(duì)于鞏固知識(shí)培養(yǎng)能力和端正學(xué)習(xí)態(tài)度具有重要作用
d)課外輔導(dǎo)是教學(xué)工作的補(bǔ)充和輔助，是適應(yīng)學(xué)生個(gè)別差異，因材施教的主要途徑和措施
(3)各環(huán)節(jié)的基本要求分別是：
a)備課要做好鉆研教材、了解學(xué)生和設(shè)計(jì)教學(xué)過(guò)程等三方面工作。
b)上課要注意目的明確、內(nèi)容正確、方法適當(dāng)、過(guò)程緊湊、充分發(fā)揮學(xué)生主體性。
c)布置作業(yè)應(yīng)符合大綱和教科書的要求，分量適當(dāng)，難易適度，要求明確，并認(rèn)真及時(shí)批改作業(yè)。
d)課外輔導(dǎo)要根據(jù)教學(xué)和學(xué)生實(shí)際情況，以個(gè)別和分組兩種形式進(jìn)行。3.結(jié)合當(dāng)前課程改革實(shí)踐，論述掌握知識(shí)與發(fā)展能力的關(guān)系。
答：(1)知識(shí)與能力之間存在著內(nèi)在聯(lián)系，不能截然分開。
(2)能力是獲取知識(shí)的要條件。
(3)知識(shí)是能力形成和提高的基礎(chǔ)。
(4)知識(shí)與能力各自具有獨(dú)立性，分屬于不同的范疇。
(5)再教育實(shí)踐中要處理好掌握知識(shí)與發(fā)展能力這一基本關(guān)系。
4.啟發(fā)性教學(xué)原則的基本內(nèi)涵是什么?聯(lián)系教學(xué)實(shí)際闡述貫徹該原則所應(yīng)遵循的基本要求。
答：(1)啟發(fā)性教育原則的基本內(nèi)涵是：在教學(xué)中要充分調(diào)動(dòng)學(xué)生學(xué)習(xí)的積極性，使學(xué)生能夠主動(dòng)的學(xué)習(xí)。
(2)貫徹啟發(fā)性原則的基本要求。
i.激發(fā)學(xué)生的積極思維。
ii.確立學(xué)生的主體地位。
iii.建立民主平等的師生關(guān)系。
4.因材施教原則的基本內(nèi)涵是什么?結(jié)合教學(xué)實(shí)際闡述如何貫徹這一原則?
答：(1)基本內(nèi)涵：
指教師在教學(xué)活動(dòng)中應(yīng)當(dāng)照顧學(xué)生的個(gè)別差異。是為了處理好集體教學(xué)與個(gè)別教學(xué)，統(tǒng)一要求與尊重學(xué)生個(gè)別差異而提出的。
(2)基本要求：
1)充分了解學(xué)生。
2)尊重學(xué)生的差異。
3)面向每一個(gè)學(xué)生。
5.結(jié)合自己的教學(xué)實(shí)際談?wù)勅绾紊虾靡惶谜n?
答：(1)教學(xué)目的明確。
(2)教學(xué)內(nèi)容正確。
(3)教學(xué)方法適當(dāng)。
(4)教學(xué)進(jìn)程緊湊。
(5)學(xué)生主體性充分發(fā)揮。
6.學(xué)生主體性的基本內(nèi)涵是什么?請(qǐng)結(jié)合實(shí)際闡述教育過(guò)程中應(yīng)如何尊重和發(fā)揮學(xué)生的主體性。
答：(1)學(xué)生主體性的基本內(nèi)涵：a)自主性，b)主動(dòng)性，c)創(chuàng)造性。
(2)尊重和發(fā)揮學(xué)生的主體性，應(yīng)力求做到
i.教育、教學(xué)活動(dòng)的組織要尊重學(xué)生的感受
ii.教育活動(dòng)中，要給學(xué)生留有選擇的余地，尊重學(xué)生的選擇
iii.教育中要鼓勵(lì)學(xué)生的創(chuàng)造性
7.在我國(guó)，中小學(xué)教師應(yīng)具備那些基本素質(zhì)?
答：作為專業(yè)人員的教師，需要具有規(guī)定的素質(zhì)要求，才能有效的履行教師的教育職責(zé)。一般來(lái)講，中小學(xué)教師的素質(zhì)要求可以概括為以下幾個(gè)方面：
(1)文化素養(yǎng)與學(xué)科專業(yè)知識(shí)。
(2)教育理論知識(shí)與技能。
(3)職業(yè)道德修養(yǎng)。
8.論述學(xué)校的德育的功能。
答：(1)德育的社會(huì)功能：德育的社會(huì)功能指的是學(xué)校德育能夠在何種程度上發(fā)揮何種性質(zhì)的作用。具體說(shuō)來(lái)，主要指學(xué)校德育對(duì)社會(huì)政治、經(jīng)濟(jì)、文化發(fā)揮影響的政治功能、經(jīng)濟(jì)功能、文化功能
(2)德育的個(gè)體性功能：指德育對(duì)德育對(duì)象個(gè)體發(fā)展能夠產(chǎn)生的實(shí)際影響。德育的個(gè)體性功能可以描述為德育對(duì)個(gè)體生存、發(fā)展、享用發(fā)生影響的三個(gè)方面。其中享用性功能是德育個(gè)體功能的最高境界
(3)德育的教育性功能：有兩大含義：一是指德育的“教育”或價(jià)值屬性，二是指德育作為教育子系統(tǒng)對(duì)平行系統(tǒng)的作用
9.教學(xué)活動(dòng)的本質(zhì)是什么?為什么說(shuō)教學(xué)認(rèn)識(shí)過(guò)程是一種特殊的認(rèn)識(shí)過(guò)程。
答：教學(xué)活動(dòng)的本質(zhì)是一種特殊的認(rèn)識(shí)活動(dòng)
因?yàn)榻虒W(xué)認(rèn)識(shí)過(guò)程是一種學(xué)生的認(rèn)識(shí)過(guò)程，教學(xué)認(rèn)識(shí)過(guò)程是一種間接性的認(rèn)識(shí)過(guò)程，教學(xué)認(rèn)識(shí)過(guò)程是一種在教師領(lǐng)導(dǎo)下的認(rèn)識(shí)過(guò)程，教學(xué)認(rèn)識(shí)過(guò)程是一種有教育性的認(rèn)識(shí)過(guò)程
10.論述啟發(fā)性原則的含義及其對(duì)教師的基本要求。
答：含義：指在教學(xué)中要充分調(diào)動(dòng)學(xué)生學(xué)習(xí)的自覺(jué)積極性，使得學(xué)生能夠主動(dòng)的學(xué)習(xí)，以達(dá)成對(duì)所學(xué)知識(shí)的理解和掌握。是為了講教學(xué)活動(dòng)中教師的主導(dǎo)作用和學(xué)生的主體地位統(tǒng)一起來(lái)而提出的。
基本要求(1)激發(fā)學(xué)生的積極思維。(2)確立學(xué)生的主體地位(3)建立民主平等的師生關(guān)系
11.論述因材施教原則的含義及其對(duì)教師的要求。
答：含義：指教師在教學(xué)活動(dòng)中應(yīng)當(dāng)照顧學(xué)生的個(gè)別差異。是為了處理好集體教學(xué)與個(gè)別教學(xué)、統(tǒng)一要求與尊重個(gè)別差異而提出的
要求：(1)充分了解學(xué)生(2)尊重學(xué)生的差異(3)面向每一個(gè)學(xué)生
12、論述講授法的含義、特點(diǎn)及貫徹要求。
答：含義：講授法是教師運(yùn)用口頭語(yǔ)言系統(tǒng)的向?qū)W生傳授知識(shí)的方法。
特點(diǎn)：講授法的基本形式是教師講、學(xué)生聽，具體可分為：講述、講讀、講解三種方式。
要求：(1)保證講授內(nèi)容的科學(xué)性和思想性。(2)講授要做到條理清楚、重點(diǎn)分明。(3)講究語(yǔ)言藝術(shù)。(4)注意與其他教學(xué)方法配合使用。
13、論述談話法的含義、特點(diǎn)及貫徹要求。
答：含義：談話法是教師根據(jù)學(xué)生已有的知識(shí)、經(jīng)驗(yàn)，借助啟發(fā)性問(wèn)題，通過(guò)口頭問(wèn)答的方式，引導(dǎo)學(xué)生通過(guò)比較，分析，判斷等思維活動(dòng)獲取知識(shí)的教學(xué)方法。
特點(diǎn)：優(yōu)點(diǎn)：能比較充分的激發(fā)學(xué)生的主動(dòng)思維，促進(jìn)學(xué)生的獨(dú)立思考，對(duì)于學(xué)生的智力發(fā)展有積極的作用，同時(shí)也有助于學(xué)生語(yǔ)言表達(dá)能力的鍛煉和提高。缺點(diǎn)：與講授法相比，完成同樣的教學(xué)任務(wù)，他需要的教學(xué)時(shí)間較多。學(xué)生認(rèn)識(shí)較多時(shí)，不能照顧到每一個(gè)學(xué)生。
要求：(1)做好充分的準(zhǔn)備。(2)談話要面向全體學(xué)生。(3)在談話結(jié)束時(shí)進(jìn)行總結(jié)。
14、如何培養(yǎng)一個(gè)良好的學(xué)生集體?
答：(1)善于向?qū)W生提出教育要求。(2)樹立明確的共同目標(biāo)。(3)建設(shè)一支好的學(xué)生干部隊(duì)伍。(5)培養(yǎng)健康的集體輿論。
15、簡(jiǎn)評(píng)杜威的兒童發(fā)展觀。
答;杜威對(duì)對(duì)兒童發(fā)展觀的完善做出了重要的貢獻(xiàn),他反對(duì)傳統(tǒng)教育脫離實(shí)際生活、脫離兒童經(jīng)驗(yàn)，把兒童當(dāng)作知識(shí)的容量器至于被動(dòng)對(duì)地位的傾向，提倡關(guān)注兒童的參與，以兒童為中心的教育。從強(qiáng)調(diào)兒童的主體性出發(fā)，提出“教育既生長(zhǎng)”的著名論斷。杜威的兒童發(fā)展觀還強(qiáng)調(diào)了環(huán)境條件，尤其是教育情境對(duì)兒童發(fā)展的影響作用。杜威的這種思想對(duì)20世紀(jì)初進(jìn)步主義教育在世界范圍興起產(chǎn)生了極大的促進(jìn)作用。
16、如何理解知識(shí)與智力的關(guān)系?
答：一定科學(xué)知識(shí)的獲得是是智力發(fā)展的基礎(chǔ)與前提，而知識(shí)的發(fā)展又能加快只是獲得的進(jìn)程。另一方面，二者相互區(qū)別。知識(shí)獲得與智力發(fā)展又有不可代替的關(guān)系，智利發(fā)展除受知識(shí)學(xué)習(xí)的影響之外，還會(huì)受其他因素的影響;同樣知識(shí)的學(xué)習(xí)于并不只有發(fā)展智力的意義，并不然帶來(lái)智力的同步發(fā)展，只是學(xué)習(xí)只有在它能夠充當(dāng)提高心智發(fā)展的條件時(shí)，才能夠成智力發(fā)展的積極因素。
17、教育的主要任務(wù)是什么?
答：1)提高和培養(yǎng)學(xué)生感受美的能力。
2)提高和培養(yǎng)學(xué)生鑒賞美的能力。
3)提高和培養(yǎng)學(xué)生鑒表現(xiàn)美、創(chuàng)造美的能力。
4)提高和培養(yǎng)學(xué)生追求人生趣味和理性境界的能力。
18、班級(jí)授課制的主要特征是什么?
答：班級(jí)授課制的特征主要包括三個(gè)方面
1)班：把學(xué)生按照知識(shí)水平和年齡分別編成固定的班級(jí)
2)課：把教學(xué)內(nèi)容以及實(shí)現(xiàn)這種內(nèi)容的教學(xué)手段、教學(xué)方法開展的教學(xué)活動(dòng)，按學(xué)科和學(xué)年分成許多小的部分，分量不大，大致平衡，彼此連續(xù)而又相對(duì)完整，這每一小部分內(nèi)容和教學(xué)活動(dòng)，就叫做一“課”，一課一課的進(jìn)行教學(xué)。
3)時(shí)：把每一課規(guī)定在統(tǒng)一的單位時(shí)間里進(jìn)行。課與課之間有一定的間歇和休息。
19、對(duì)班級(jí)授課制如何評(píng)價(jià)?
答：在世界范圍內(nèi)，最普遍采用的教學(xué)組織形式是班級(jí)授課制。
優(yōu)越性：
1)是教學(xué)獲得極大的效率，使得教育的普及性成為可能。
2)有利于教師主導(dǎo)作用的發(fā)揮，便于有計(jì)劃的教學(xué)活動(dòng)，循序漸進(jìn)開展教學(xué)活動(dòng)
3)有利于學(xué)生之間的相互交流和啟發(fā)。
局限性：
1)不利于學(xué)生為主體的發(fā)揮，多是接受教師所傳授的現(xiàn)成知識(shí)。
2)缺乏為學(xué)生提供實(shí)踐性學(xué)習(xí)，探索性學(xué)習(xí)的機(jī)會(huì)。
3)不能很好適應(yīng)教學(xué)內(nèi)容和方法的多樣化，比較固定化，缺少靈活性。
4)強(qiáng)調(diào)統(tǒng)一性，難以適應(yīng)學(xué)生的個(gè)別差異，不利于因材施教。
5)學(xué)生之間的互相交流和啟發(fā)難以保證。
20、備課要做那些方面的工作?
答1）鉆研教材：a、學(xué)教學(xué)大綱，b、學(xué)習(xí)教科書，c、閱讀與教學(xué)內(nèi)容有關(guān)的參考資料。
2）了解學(xué)生
3）設(shè)計(jì)教學(xué)過(guò)程：a、學(xué)期教學(xué)進(jìn)度計(jì)劃，b）單元教學(xué)計(jì)劃，c）課時(shí)教學(xué)計(jì)劃。
21、一節(jié)好課的標(biāo)準(zhǔn)是什么?
答：
1、教學(xué)目的明確；
2、教學(xué)內(nèi)容正確；
3、教學(xué)方法適當(dāng) ；
4、教學(xué)過(guò)程緊湊。
22、學(xué)生集體的教育有哪些作用?
答：
1、集體通過(guò)有機(jī)的組織對(duì)其成員施加教育影響，可以起到教師個(gè)人起不到的作用。
2、集體組織活動(dòng)比教師個(gè)人對(duì)學(xué)生教育的范圍大、內(nèi)容豐富，方法多樣，靈活，學(xué)生易于接受。
3、集體的教育影響是通過(guò)輿論實(shí)現(xiàn)的，集體輿論起到潛移默化的作用。
4、在集體中個(gè)體之間的相互影響使得人人都成為教育者。
23、現(xiàn)代教育的特征表現(xiàn)在哪幾個(gè)方面?
答：
1、教育加快民眾化進(jìn)程；
2、教育與生產(chǎn)勞動(dòng)日趨結(jié)合；
3、教育內(nèi)容極為豐富和開放；
4、大力加強(qiáng)基礎(chǔ)教育，不斷延長(zhǎng)義務(wù)教育年限；
5、教育形式和手段發(fā)生重大變化；
6、國(guó)際教育合作與交流日益頻繁；
7、終身教育體系在逐步構(gòu)建；
24、學(xué)習(xí)教育學(xué)的目的：
(1)學(xué)習(xí)教育學(xué)有助于形成科學(xué)的教育觀，增強(qiáng)教育工作者教育的自覺(jué)性和預(yù)見性
(2)學(xué)習(xí)教育學(xué)有助于教育實(shí)踐，提高教育者的工作熱情和教育效率，提高教育工作者的專業(yè)素養(yǎng)
(3)學(xué)習(xí)教育學(xué)有助于推進(jìn)教育改革和教育科學(xué)研究，促進(jìn)教育事業(yè)的發(fā)展
25、為什么說(shuō)教育在人的發(fā)展中其主導(dǎo)作用?如何發(fā)揮教育的主導(dǎo)作用?
答：
1、學(xué)校教育是有目的的，克服了其他影響的自發(fā)性
2、學(xué)校教育是有計(jì)劃的，克服了其他影響的偶然性
3、學(xué)校教育是有系統(tǒng)的，克服了其他影響的自發(fā)片段性
4、學(xué)校教育是一種專業(yè)化的行為，克服了其他影響的盲目性。
26、教育如何適應(yīng)人的身心發(fā)展規(guī)律?
答:
1、個(gè)體身心發(fā)展的順序性，要求教育要循序漸進(jìn)的促進(jìn)個(gè)體的發(fā)展
2、個(gè)體身心發(fā)展的階段性，要求教育要確立“最近發(fā)展區(qū)”，采用不同的教育內(nèi)容和方法
3、個(gè)體身心發(fā)展的不均衡性，要求教育要把握兒童學(xué)習(xí)的“關(guān)鍵期”
4、個(gè)體身心發(fā)展的差異性，要求在教育中應(yīng)注意因材施教
5、個(gè)體身心發(fā)展的穩(wěn)定性與可變性，要求教育因勢(shì)利導(dǎo)、順應(yīng)規(guī)
27、教育目的的概念：教育的目的是根據(jù)一定的社會(huì)發(fā)展階段和階級(jí)利益需要提出的培養(yǎng)人的質(zhì)量規(guī)格的總設(shè)想或規(guī)律，是教育者對(duì)受教育者有意識(shí)、有計(jì)劃的影響活動(dòng)所要到達(dá)的預(yù)想結(jié)果。廣義的教育目的：指人們對(duì)受教育者達(dá)成狀態(tài)的期望，即人們希望受教育者接受教育以后在身心各方面產(chǎn)生的變化或結(jié)果。狹義的教育目的：指各級(jí)各類學(xué)校和其他教育機(jī)構(gòu)對(duì)受教育者進(jìn)行培養(yǎng)的總體目標(biāo)。28.教育目的的功能：
(1)導(dǎo)向功能(2)選擇功能(3)控制功能(4)激勵(lì)功能(5)依據(jù)功能(6)評(píng)價(jià)功能
29.教育的方針：教育須為社會(huì)主義現(xiàn)代化建設(shè)服務(wù)，須與生產(chǎn)勞動(dòng)相結(jié)合，培養(yǎng)德、智、體等方面發(fā)展的社會(huì)主義事業(yè)的建設(shè)者和接班人。
30.發(fā)展教育的組成部分：1.德育2.智育3.體育4.美育5.勞動(dòng)技術(shù)教育
31.學(xué)校教育制度的概念：教育制度又稱國(guó)民教育制度，它是指一個(gè)國(guó)家各種教育機(jī)構(gòu)及其規(guī)章制度的總體，國(guó)民教育制度的核心是學(xué)校校教育制度，簡(jiǎn)稱學(xué)制，是指一個(gè)國(guó)家各級(jí)各類學(xué)校系統(tǒng)，規(guī)定了各級(jí)各類學(xué)校的性質(zhì)、任務(wù)、目標(biāo)、入學(xué)條件、修業(yè)年限以及學(xué)校之間的縱橫銜接關(guān)系。
32.義務(wù)教育的特點(diǎn)：1.強(qiáng)迫性
2、普及性
33.我國(guó)現(xiàn)行學(xué)校的結(jié)構(gòu)和類型是什么?
答：學(xué)前教育，初等教育，中等教育，高等教育，33.教師勞動(dòng)的特點(diǎn)是什么?
答：1.教師勞動(dòng)的復(fù)雜性2.教師勞動(dòng)的創(chuàng)造性3.教師勞動(dòng)的示范性4.教師勞動(dòng)的長(zhǎng)期性5.教師勞動(dòng)空間的廣延性和時(shí)間的連續(xù)性
34.論述教師的基本素養(yǎng)。
答：(1)教師的職業(yè)道德素養(yǎng)：①忠于事業(yè)，甘于奉獻(xiàn)。②熱愛學(xué)生，教書育人。③以身作則，為人師表。④團(tuán)結(jié)協(xié)作，互勉共進(jìn)。⑤積極進(jìn)取，勇于創(chuàng)新。
(2)教師的知識(shí)素養(yǎng)：①通曉所學(xué)科目的專業(yè)知識(shí)。②具有比較廣博的文化科學(xué)基礎(chǔ)知識(shí)。③教育理論知識(shí)。
(3)①組織教育教學(xué)的能力。②良好的語(yǔ)言表達(dá)能力。③自我調(diào)控能力。④自修科研能力。⑤教育機(jī)制應(yīng)變能力。⑥教育加工能力，組織管理能力
(4)心里素養(yǎng)：①細(xì)致敏銳的洞察力②創(chuàng)造性的思維能力③堅(jiān)定的意和信念④豐富的情感世界和內(nèi)心世界⑤廣泛的興趣和愛好⑥心理咨詢治療的能力。
35.學(xué)生的本質(zhì)屬性是什么?
答：(1)學(xué)生是主體的人(2)學(xué)生是具有完整性的人(3)學(xué)生是完整的人。
36.學(xué)生的時(shí)代特點(diǎn)是什么?
答:
1、自主意識(shí)的增強(qiáng)：自主性，能動(dòng)性，創(chuàng)造性。
2、信息獲取多樣性
3、價(jià)值選擇多樣性
4、同輩影響較大。
37.良好師生關(guān)系的特點(diǎn)是什么?
答：
1、民主平等
2、教學(xué)相長(zhǎng)(對(duì)話合作)
3、愛生尊師
4、豁達(dá)大方
5、共享共創(chuàng)。
38.良好的師生關(guān)系的特點(diǎn)是什么?
答：(1)確立以人為本的教育理念(2)改變教育方式，從授受式教育指向?qū)υ捠浇逃?3)掌握師生關(guān)系的手段與方法：①了解和研究學(xué)生②熱愛學(xué)生，關(guān)心學(xué)生成長(zhǎng)③主動(dòng)與學(xué)生溝通，善于與學(xué)生交往④提高教師自身魅力。40.影響課程的因素是什么?
答：社會(huì)，學(xué)生，知識(shí)是制約課程發(fā)展的三大因素。
41.課程的文本形式有哪些?
答：課程的文本形式是課程的書面表達(dá)形式，從宏觀到微觀，依次包括課程計(jì)劃，課程標(biāo)準(zhǔn)，教科書。
42.教學(xué)的意義和教學(xué)的任務(wù)是什么?
答：教學(xué)的意義：教學(xué)是傳遞知識(shí)經(jīng)驗(yàn)、促進(jìn)學(xué)生發(fā)展的有效形式;教學(xué)是發(fā)展教育，實(shí)現(xiàn)學(xué)校培養(yǎng)目標(biāo)的基本途徑;教學(xué)是進(jìn)行文化傳承、促進(jìn)社會(huì)發(fā)展的重要手段。
教學(xué)的任務(wù)：
1、引導(dǎo)學(xué)生主動(dòng)學(xué)習(xí)
2、學(xué)習(xí)公民所備的基礎(chǔ)知識(shí)和基礎(chǔ)技能
3、促進(jìn)學(xué)生的發(fā)展(①培養(yǎng)學(xué)生的良好品德②發(fā)展學(xué)生的能力③培養(yǎng)學(xué)生積極的個(gè)性心理品質(zhì))
43.教學(xué)過(guò)程的基本規(guī)律是什么?
答：間接經(jīng)驗(yàn)與直接經(jīng)驗(yàn)相統(tǒng)一的規(guī)律;掌握知識(shí)和發(fā)展智力相統(tǒng)一的規(guī)律;傳授知識(shí)與思想品德教育相統(tǒng)一的規(guī)律;教師主導(dǎo)地位與學(xué)生主體地位相統(tǒng)一的規(guī)律。
44.教學(xué)過(guò)程的基本階段是什么?
答：1.激發(fā)學(xué)習(xí)動(dòng)機(jī)2.領(lǐng)會(huì)知識(shí)經(jīng)驗(yàn)3.鞏固知識(shí)經(jīng)驗(yàn)4.運(yùn)用知識(shí)經(jīng)驗(yàn)5.檢查反思改進(jìn)。
45.中小學(xué)生常用的教學(xué)原則是什么?
答：科學(xué)性與思想性相統(tǒng)一的原則;理論聯(lián)系實(shí)際的原則;直觀性原則;啟發(fā)性原則;循序漸進(jìn)性原則;鞏固性原則;量力性原則因材施原則。
46.班級(jí)授課制的特點(diǎn)是什么?
答：班級(jí)授課制的優(yōu)越性：
(1)它可以大規(guī)模的向全體學(xué)生進(jìn)行教學(xué)擴(kuò)大了單位教師的教學(xué)能量，有助于提高教學(xué)效率，而且是全體同學(xué)共同前進(jìn)。
(2)它以“課”為教學(xué)活動(dòng)單元，能保證學(xué)習(xí)活動(dòng)循序漸進(jìn)，并使學(xué)生扎實(shí)而又完整地獲得系統(tǒng)的科學(xué)知識(shí)。由教師設(shè)計(jì).組織并上“課”，以教師的系統(tǒng)講授為主兼用其他方法，能保證教師發(fā)揮主導(dǎo)作用。
(3)固定的班級(jí)人數(shù)和統(tǒng)一的時(shí)間單位，有利于學(xué)校合理安排各科教學(xué)的內(nèi)容和進(jìn)度并加強(qiáng)教學(xué)管理，從而贏得教學(xué)的高速度。
(4)在班集體中學(xué)習(xí)，學(xué)生彼此之間由于共同目的和共同活動(dòng)集合在一起，可以互相觀摩，啟發(fā)，切磋，砥礪;學(xué)生可以同教師及學(xué)生進(jìn)行多項(xiàng)交流，互相影響，從而增加信息來(lái)源或教育影響源。(5)它在教學(xué)任務(wù)上比較，從而有利于學(xué)生多方面發(fā)展。
班級(jí)授課制的局限性：(1)教學(xué)活動(dòng)多由教師做主，學(xué)生學(xué)習(xí)的獨(dú)立性和主動(dòng)性受到一定程度的限制。(2)學(xué)生主要接受現(xiàn)成的知識(shí)成果，其探索性，創(chuàng)造性不易發(fā)揮。(3)學(xué)生動(dòng)手機(jī)會(huì)極少，教學(xué)的實(shí)踐性不強(qiáng)，不利于培養(yǎng)學(xué)生的實(shí)際操作能力。(4)它的時(shí)間，內(nèi)容和進(jìn)程都固定化，形式化不能夠容納和適應(yīng)更多的教學(xué)內(nèi)容和方法。
(5)它以“課”為活動(dòng)單元，而“課”又有時(shí)間限制，因而往往將完整的教學(xué)內(nèi)容和教學(xué)活動(dòng)人為地分割以適應(yīng)“課”的要求。
(6)他強(qiáng)調(diào)的是統(tǒng)一，齊步走，難以照顧學(xué)生的個(gè)別差異。
(7)他缺乏真正的集體性。47.備課的內(nèi)容包括那些?
答：(1)了解學(xué)生 教師施教的對(duì)象是學(xué)生，學(xué)生的準(zhǔn)備狀態(tài)是教學(xué)的起點(diǎn)，教學(xué)活動(dòng)只有切合學(xué)生的實(shí)際才能更好地促進(jìn)學(xué)生的發(fā)展，因此，教師須了解學(xué)生。
(2)深入鉆研教材 教材是教師教，學(xué)生學(xué)的主要依據(jù)。
(3)恰當(dāng)選擇教法 教學(xué)須通過(guò)一定的教學(xué)方法使學(xué)生掌握教學(xué)內(nèi)容，完成教學(xué)任務(wù)。
48.簡(jiǎn)述備課的形式。
答：(1)學(xué)期教學(xué)進(jìn)度計(jì)劃;(2)課題教學(xué)計(jì)劃;(3)課時(shí)教學(xué)計(jì)劃;
49.綜合課的結(jié)構(gòu)包括那五部分?
答：(1)組織教學(xué) 組織教學(xué)的目的在于促使學(xué)生為上課做好物質(zhì)準(zhǔn)備和心理準(zhǔn)備，集中學(xué)生的注意力，激發(fā)學(xué)生學(xué)生的興趣和求知欲望，創(chuàng)設(shè)良好的教學(xué)氛圍，讓學(xué)生積極自覺(jué)地進(jìn)入學(xué)習(xí)情境。
(2)檢查復(fù)習(xí)檢查復(fù)習(xí)的目的在于復(fù)習(xí)已學(xué)過(guò)的教材內(nèi)容，了解學(xué)生對(duì)已學(xué)知識(shí)的掌握情況，加強(qiáng)新舊知識(shí)的聯(lián)系，培養(yǎng)學(xué)生對(duì)學(xué)習(xí)的責(zé)任感和按時(shí)完成作業(yè)的習(xí)慣。
(3)講授新教材 講授新教材的目的在于使學(xué)生掌握新知識(shí)，這是綜合課的主要部分。
(4)鞏固新教材 鞏固新教材的目的在于使學(xué)生對(duì)所學(xué)知識(shí)理解，消化和鞏固，并掌握運(yùn)用新知識(shí)解答問(wèn)題的要領(lǐng)，為學(xué)生獨(dú)立完成課外作業(yè)打好基礎(chǔ)。
(5)布置課外作業(yè) 布置課外作業(yè)的目的在于使學(xué)生進(jìn)一步鞏固和完善所學(xué)知識(shí)和技能，培養(yǎng)學(xué)生獨(dú)立學(xué)習(xí)的能力和習(xí)慣。
50.上好課的基本要求有哪些?
答：(1)目的明確 課堂活動(dòng)要緊緊圍繞教學(xué)目的，突出重點(diǎn)，講清難點(diǎn)，抓好關(guān)鍵。
(2)內(nèi)容正確 講授內(nèi)容要科學(xué)準(zhǔn)確，思想性強(qiáng)，注重新舊知識(shí)聯(lián)系。
(3)方法得當(dāng) 要選擇和運(yùn)用好的方法，啟發(fā)學(xué)生的學(xué)習(xí)興趣，調(diào)動(dòng)學(xué)生學(xué)習(xí)的主動(dòng)性。
(4)語(yǔ)言清晰 講課要通俗生動(dòng)，提倡用普通話講課，速度合適，音量適中，富于感情。(5)組織有序 課堂進(jìn)程要有高度的計(jì)劃性，講練，演示，板書安排妥當(dāng)，課堂氣氛活躍。
51.簡(jiǎn)述教學(xué)模式的四種類型。
答：(1)“傳遞---接受”式(2)“引導(dǎo)---發(fā)現(xiàn)”式(3)“自學(xué)---輔導(dǎo)”式(4)“暗示---領(lǐng)悟”式
52.根據(jù)評(píng)價(jià)在教學(xué)過(guò)程中的作用，可以將教學(xué)評(píng)價(jià)分為哪幾種?
答：(1)診斷性評(píng)價(jià) 診斷性評(píng)價(jià)又稱前置評(píng)價(jià)，是為了確定學(xué)習(xí)者已有的學(xué)習(xí)準(zhǔn)備程度或者教學(xué)設(shè)計(jì)基礎(chǔ)而進(jìn)行的評(píng)價(jià)活動(dòng)。
(2)形成性評(píng)價(jià) 形成性評(píng)價(jià)是在教學(xué)活動(dòng)過(guò)程中，通過(guò)評(píng)價(jià)活動(dòng)本身的效果，已調(diào)節(jié)活動(dòng)過(guò)程，保證目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)而進(jìn)行的評(píng)價(jià)，是為指導(dǎo)教學(xué)過(guò)程順利實(shí)施而對(duì)學(xué)生的學(xué)習(xí)活動(dòng)進(jìn)行評(píng)價(jià)。
(3)總結(jié)性評(píng)價(jià) 在教學(xué)活動(dòng)中，某個(gè)計(jì)劃和產(chǎn)品設(shè)計(jì)完成之后對(duì)其最終的活動(dòng)成果進(jìn)行的評(píng)價(jià)。
53.簡(jiǎn)述德育過(guò)程的基本規(guī)律。
答：(1)德育過(guò)程是對(duì)學(xué)生知，情，意，行和諧統(tǒng)一的培養(yǎng)過(guò)程，具有統(tǒng)一性和多端性。
(2)德育過(guò)程是學(xué)生在活動(dòng)和交往中獲得多方面影響的過(guò)程，具有社會(huì)性和廣泛性。
(3)德育過(guò)程是促進(jìn)學(xué)生思想品德內(nèi)部矛盾斗爭(zhēng)的過(guò)程，是外部教育與自我教育的統(tǒng)一，具有主動(dòng)性和自覺(jué)性。
(4)德育過(guò)程是長(zhǎng)期的、反復(fù)的、逐步提高的過(guò)程，具有反復(fù)性和漸進(jìn)性。
54.簡(jiǎn)述中小學(xué)常用的德育方法。
答：說(shuō)服教育法(講解、報(bào)告、談話、討論)，榜樣示范法(歷史上的偉大人物，藝術(shù)作品中的典型形象，家長(zhǎng)與教師，同齡人中的優(yōu)秀分子和先進(jìn)事跡)，情感陶冶法(人格感化，環(huán)境陶冶，藝術(shù)陶冶，)，實(shí)際鍛煉法(實(shí)際練習(xí)，制度約束，委托任務(wù)，組織活動(dòng))，自我教育法(學(xué)習(xí)，立志，座右銘，自我批評(píng)，慎獨(dú))，品德評(píng)價(jià)法(獎(jiǎng)勵(lì)，懲罰，評(píng)比，操行評(píng)定)影響學(xué)生的品德的因素。
學(xué)生的品德是在活動(dòng)的和交往的基礎(chǔ)上，其品德內(nèi)容、形式、能力從簡(jiǎn)單到復(fù)雜，從低級(jí)到高級(jí)的矛盾運(yùn)動(dòng)中發(fā)展的，也就是通過(guò)活動(dòng)和交往，反映德育要求，產(chǎn)生品德內(nèi)部矛盾斗爭(zhēng)，引起品德結(jié)構(gòu)的變化，再通過(guò)活動(dòng)和交往，反映新的德育要求，產(chǎn)生新的品德內(nèi)部矛盾斗爭(zhēng)，引起品德結(jié)構(gòu)新的變化，如此循環(huán)反復(fù)，不斷發(fā)展。學(xué)生品德正是在這種不斷教育和修養(yǎng)的過(guò)程中，不斷地經(jīng)歷從量變到質(zhì)變，從舊質(zhì)到新質(zhì)的累積而螺旋式地發(fā)展上升的。這種累積發(fā)展、螺旋上升需要經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期的、反復(fù)的、不斷提高的培養(yǎng)和教育。這種長(zhǎng)期、反復(fù)、不斷提高的德育過(guò)程符合學(xué)生品德形成發(fā)展的規(guī)律。
人的品德是按照社會(huì)思想政治準(zhǔn)則和法紀(jì)道德規(guī)范行動(dòng)時(shí)表現(xiàn)出來(lái)的穩(wěn)定特征和傾向，而不是偶然的或一時(shí)的行為。任何一種良好品德的形成和不良品德的克服，都然要經(jīng)歷一個(gè)長(zhǎng)期反復(fù)的培養(yǎng)教育或矯正訓(xùn)練的過(guò)程。不能認(rèn)為學(xué)生按教育者的要求完成了一個(gè)正確的品德行動(dòng)，就斷言他已經(jīng)形成了某種良好品德，或克服了某種不良品德。只有經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期的、反復(fù)的培養(yǎng)、教育或矯正、訓(xùn)練，使學(xué)生形成某種穩(wěn)定穩(wěn)定的品德認(rèn)識(shí)和情感，并在它的支配下，一貫地表現(xiàn)出某些良好的品德行為方式，我們才能說(shuō)他形成了某種優(yōu)良的品德或矯正了某種不良的品德。應(yīng)該特別指出的是，學(xué)生不良品德的矯正往往需要經(jīng)過(guò)醒悟、轉(zhuǎn)變、反復(fù)到完全改正這樣一個(gè)復(fù)雜的矛盾斗爭(zhēng)過(guò)程，矯正過(guò)程中更需要進(jìn)行長(zhǎng)期、反復(fù)的培養(yǎng)教育，絕不能企求經(jīng)過(guò)一兩次說(shuō)服或聯(lián)系就能使之改正過(guò)來(lái)。至于優(yōu)良品德行為習(xí)慣的培養(yǎng)或不良品德行為習(xí)慣的矯正，那更是需要經(jīng)過(guò)一個(gè)長(zhǎng)期的、反復(fù)的、逐步深入進(jìn)行的教育轉(zhuǎn)化過(guò)程。因此，學(xué)生任何一種優(yōu)良品德的養(yǎng)成或不良品德的矯正都是長(zhǎng)期的、反復(fù)的、不斷深化的培養(yǎng)教育或矯正訓(xùn)練的結(jié)果，而不是一兩次說(shuō)服教育或鍛煉就能完成的。
人的品德是由多種因素構(gòu)成的矛盾統(tǒng)一體，是一種不斷發(fā)展變化的動(dòng)態(tài)系統(tǒng)，而不是一成不變的凝固物。一個(gè)人的某種品德一旦形成后，雖然是相對(duì)穩(wěn)定的，但并不是固定不變的。在外部環(huán)境和教育的影響作用下，在內(nèi)部矛盾斗爭(zhēng)的推動(dòng)下，它是不斷發(fā)展變化的，并以此滿足自身發(fā)展和精神享用的需要以及適應(yīng)外部客觀世界的變化和要求。從某種意義上說(shuō)，人的品德正式在其結(jié)構(gòu)的相對(duì)穩(wěn)定性和不斷的變動(dòng)性的矛盾運(yùn)動(dòng)中形成發(fā)展的。因此，只有經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期的、反復(fù)的、不斷提高的培養(yǎng)和教育，才能促使學(xué)生品德不斷地形成和發(fā)展。
隨著年齡的增長(zhǎng)，知識(shí)和生活經(jīng)驗(yàn)的豐富，各種活動(dòng)能力和自我控制能力的增強(qiáng)，活動(dòng)范圍的擴(kuò)大，學(xué)生所接觸的事物也越來(lái)越廣泛復(fù)雜，社會(huì)對(duì)他的要求也就不斷的提高，已有的品德水平與社會(huì)的要求已不相適應(yīng)，需要不斷提高。何況一個(gè)人的品德永遠(yuǎn)不會(huì)達(dá)到盡善盡美的境界，任何時(shí)候也不可能沒(méi)有缺點(diǎn)和不足，總有需要不斷提高、完善的方面。任何人的道德面貌都是可以通過(guò)教育來(lái)改變的，但也不是一經(jīng)教育就立刻突變。學(xué)生思想品德的形成是點(diǎn)滴累積。，由量變到質(zhì)變的漸變過(guò)程。社會(huì)本身也在不斷發(fā)展變化，原先與社會(huì)要求相適應(yīng)的品德在新的社會(huì)歷史條件下又有進(jìn)一步發(fā)展提高的要。因此，品德培養(yǎng)和提高是長(zhǎng)期的、反復(fù)的、不間斷的過(guò)程。
由于意識(shí)形態(tài)領(lǐng)域里無(wú)產(chǎn)階級(jí)思想道德與各種非無(wú)產(chǎn)階級(jí)思想道德、正確思想道德與錯(cuò)誤思想道德、先進(jìn)思想道德與落后的思想道德的矛盾斗爭(zhēng)是長(zhǎng)期存在的，這種長(zhǎng)期存在的矛盾斗爭(zhēng)然反應(yīng)到學(xué)生的思想上來(lái)，并決定了他們思想上的矛盾斗爭(zhēng)的長(zhǎng)期性。因此，學(xué)生社會(huì)主義品德的培養(yǎng)、教育和提高是長(zhǎng)期的、反復(fù)的、不間斷的過(guò)程。
在德育過(guò)程中，學(xué)生的品德既然是在長(zhǎng)期的、反復(fù)的、不斷提高的培養(yǎng)和教育過(guò)程中積累、發(fā)展的，因此，教育者要根據(jù)社會(huì)的要求、德育和受教育者品德發(fā)展的要求，不斷組織受教育者的活動(dòng)和交往，向其施加系統(tǒng)的和不斷提高的社會(huì)思想政治準(zhǔn)則和法紀(jì)道德規(guī)范的影響，以引起學(xué)生主題品德內(nèi)部系列化的和不斷深化的矛盾斗爭(zhēng)，并促進(jìn)、加速其順利解決，從而使其品德不斷向前發(fā)展。
為什么德育過(guò)程是對(duì)學(xué)生知、情、意、行和諧統(tǒng)一的培養(yǎng)過(guò)程?
答：德育過(guò)程是教育者將一定的社會(huì)或階級(jí)、民族的思想政治準(zhǔn)則和法紀(jì)道德規(guī)范內(nèi)化為受教育者個(gè)體品德并外化為行為的過(guò)程，是形成受教育者個(gè)體品德或完整品德結(jié)構(gòu)體系的過(guò)程。學(xué)生的品德是由思想、政治、法紀(jì)、道德等方面的認(rèn)識(shí)、情感、意志、行為等因素構(gòu)成的。這幾個(gè)因素簡(jiǎn)稱為知、情、意、行。學(xué)生的思想品德也就是在這些要素從簡(jiǎn)單到復(fù)雜、從低級(jí)到高級(jí)、從量變到質(zhì)變，由不平衡到相對(duì)平衡，由不適應(yīng)到相對(duì)適應(yīng)的矛盾運(yùn)動(dòng)中形成和發(fā)展的。
構(gòu)成品德的知、情、意、行這幾個(gè)因素是相對(duì)獨(dú)立的，即他們各有其特定的內(nèi)容和作用。
知，即道德認(rèn)識(shí)，是指人們對(duì)一定社會(huì)道德關(guān)系及其理論、規(guī)范、意義的理解和認(rèn)識(shí)，也就是對(duì)非、善惡、榮辱、美丑的認(rèn)識(shí)和評(píng)價(jià)，以及在此基礎(chǔ)上形成的道德觀念、信念和道德評(píng)價(jià)、判斷。情，即道德情感，是人們根據(jù)一定的道德標(biāo)準(zhǔn)評(píng)價(jià)他人或自己的言行或某種事物時(shí)產(chǎn)生的一種態(tài)度體驗(yàn)。意，即道德意志，是指人們?yōu)閷?shí)現(xiàn)一定的道德目的和實(shí)施道德行為所做出的自覺(jué)的堅(jiān)持不懈的努力。行，即道德行為，是指人們?cè)谝欢ǖ牡赖抡J(rèn)識(shí)、情感、意志的支配和調(diào)節(jié)下，在行動(dòng)上對(duì)他人、社會(huì)、自然做出的反應(yīng)。
在品德形成和發(fā)展的過(guò)程中，知、情、意、行幾個(gè)因素既是相對(duì)獨(dú)立的，又是相互聯(lián)系、相互影響、相互滲透、相互促進(jìn)的。其中，道德認(rèn)識(shí)是基礎(chǔ)，一定的品德總是以一定的道德認(rèn)識(shí)為要條件，一個(gè)人沒(méi)有正確的道德認(rèn)識(shí)就不可能形成良好的思想品德;道德情感是一種巨大的力量，推動(dòng)著道德認(rèn)識(shí)發(fā)展為堅(jiān)定的道德信念;道德意志是調(diào)節(jié)行為的精神力量，能幫助人們排除各種干擾，經(jīng)受各種考驗(yàn)，形成良好的思想品德;道德行為是關(guān)鍵、是根本，是思想品德的外部表現(xiàn)，也是衡量一個(gè)人思想品德水平高低的重要標(biāo)志。品德認(rèn)識(shí)指導(dǎo)、控制和調(diào)節(jié)品德情感、意志和行為，品德情感和意志又影響品德認(rèn)識(shí)和調(diào)節(jié)品德行為，品德行為又對(duì)品德認(rèn)識(shí)的鞏固和發(fā)展、品德情感的加深和豐富以及品德意志的鍛煉起著很大的作用。因此，在德育過(guò)程中，應(yīng)在知、情、意、行幾個(gè)方面同時(shí)對(duì)學(xué)生進(jìn)行培養(yǎng)教育，以促進(jìn)學(xué)生品德認(rèn)識(shí)、情感、意志和行為的和諧發(fā)展。
一般說(shuō)來(lái)，人的品德是在活動(dòng)和交往的基礎(chǔ)上沿著知、情、意、行的順序形成發(fā)展的。因此，培養(yǎng)學(xué)生品德的一般順序可以概括為提高品德認(rèn)識(shí)、陶冶品德情感、鍛煉品德意志和培養(yǎng)品德行為習(xí)慣。在德育實(shí)踐中，我國(guó)的德育工作者根據(jù)德育實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，將德育過(guò)程的步驟總結(jié)概括為“曉之以理、動(dòng)之以情、持之以恒、導(dǎo)之以行”四句話，這是符合德育過(guò)程規(guī)律的。然而，實(shí)際上，德育過(guò)程既具有統(tǒng)一性，又具有多端性。
所謂統(tǒng)一性，即在實(shí)際教育過(guò)程中，對(duì)知、情、意、行的培養(yǎng)往往是同時(shí)進(jìn)行的，單純地從某一方面施加教育或影響，效果并不佳。應(yīng)該在提高學(xué)生道德認(rèn)識(shí)的同時(shí)，陶冶情感，鍛煉意志，養(yǎng)成應(yīng)有的道德行為習(xí)慣。知、情、意、行的培養(yǎng)是統(tǒng)一的，密不可分的。它們互相滲透，相互制約。沒(méi)有正確的道德認(rèn)識(shí)，情感、意志和行為就沒(méi)有正確的觀念的指導(dǎo)，就會(huì)產(chǎn)生盲目性;沒(méi)有道德行為，認(rèn)識(shí)，情感，意志都無(wú)法表現(xiàn)和檢驗(yàn)，很難得到發(fā)展;沒(méi)有情感，認(rèn)識(shí)很難發(fā)展成信念，意志和行為便缺乏內(nèi)在的力量;沒(méi)有意志，認(rèn)識(shí)容易動(dòng)搖，情感難于控制，行為不能堅(jiān)持。“知”是基礎(chǔ)，“行”是關(guān)鍵。通過(guò)“行”可以擴(kuò)大、加深和提高認(rèn)識(shí)，增強(qiáng)情感，鍛煉意志。培養(yǎng)學(xué)生形成良好思想品德的過(guò)程，就是培養(yǎng)知、情、意、行的過(guò)程，是促使各種因素在發(fā)展方向上、發(fā)展水平上由不平衡到相對(duì)平衡的過(guò)程。
所謂多端性，即從整個(gè)社會(huì)來(lái)看，由于社會(huì)生活的復(fù)雜性，人們的道德構(gòu)成也呈現(xiàn)出紛繁復(fù)雜的狀況;從學(xué)生個(gè)人來(lái)看，由于所處的環(huán)境、所受的影響、所具有的生活經(jīng)驗(yàn)各不相同，他們的身心發(fā)展是不平衡的，表現(xiàn)的道德面貌也是多種多樣的。學(xué)生的品德的知、情、意、行幾個(gè)方面，在發(fā)展方向和水平上又具有不平衡性，表現(xiàn)為通情不達(dá)理、達(dá)理不通情、言行不
一、口是心非等。因此，道德教育的開端就不能拘泥于一格，德育過(guò)程可以從培養(yǎng)知、情、意、行任何一方面為起點(diǎn)。可根據(jù)學(xué)生品德發(fā)展的具體情況來(lái)靈活確定以哪一種要素即薄弱環(huán)節(jié)作為教育的開端和突破口，或從培養(yǎng)道德行為開始，或從陶冶道德情感開始，或從鍛煉道德意志開始，最后到達(dá)學(xué)生品德的知、情、意、行和諧發(fā)展。
第五篇：《光纖通信》第三章通信用光器件小結(jié)
《光纖通信》第三章通信用光器件小結(jié)
浙江傳媒學(xué)院陳柏年
1、光纖通信系統(tǒng)中所常用的光器件有半導(dǎo)體光源、半導(dǎo)體光檢測(cè)器以及無(wú)源光器件。
2、光源器件作用是將電信號(hào)轉(zhuǎn)換成光信號(hào)送入光纖。常用的光源器件有LD和LED兩種。
3、LD由工作物質(zhì)、激勵(lì)源和光學(xué)諧振腔組成。
4、LED與LD的區(qū)別是前者沒(méi)有光學(xué)諧振腔，它的發(fā)光僅限于自發(fā)輻射，從而使所發(fā)的光為熒光，是非相干光。
5、半導(dǎo)體光電檢測(cè)器的作用是將電信號(hào)轉(zhuǎn)換成光信號(hào)。常用的光電檢測(cè)器有PIN和APD兩種。
6、無(wú)源光器件，常用的無(wú)源光器件有光連接器、光衰減器、光耦合器、光隔離器、光環(huán)形器、光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換器、光開關(guān)、光濾波器和光纖光柵等。
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