第一篇：模擬電子技術(shù)總結(jié)

《模擬電子技術(shù)》院精品課程建設(shè)與實(shí)踐

成果總結(jié)

模擬電子技術(shù)是一門(mén)在電子技術(shù)方面入門(mén)性質(zhì)的技術(shù)基礎(chǔ)課程，它既有自身的理論體系，又有很強(qiáng)的實(shí)踐性；是高等院校工科電子信息、電氣信息類各專業(yè)和部分非電類本科生必修的技術(shù)基礎(chǔ)課，而且隨著電子工業(yè)的飛速發(fā)展和計(jì)算機(jī)技術(shù)的迅速普及，它也不斷成為幾乎所有理工科本科生的必修課程。

我院模擬電子技術(shù)課程由原電子技術(shù)系首先開(kāi)設(shè)，目前已建成由模擬電子技術(shù)、模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)、模擬電子技術(shù)課程設(shè)計(jì)三門(mén)課組成的系列課程。2002年被列為學(xué)院精品課重點(diǎn)建設(shè)項(xiàng)目，2005年獲得學(xué)院教學(xué)成果一等獎(jiǎng)。同年申報(bào)并獲得四川省教學(xué)成果三等獎(jiǎng)。

一、基本內(nèi)容

1．確定課程在本科生基本素質(zhì)培養(yǎng)中的地位和作用 由于模擬電子技術(shù)課程的基礎(chǔ)性和廣泛性，使之在本科教育中起著重要的作用。通過(guò)學(xué)習(xí)，不但使學(xué)生掌握電子技術(shù)的基本概念、基本電路、基本分析方法和基本實(shí)驗(yàn)技能，而且由于本課程特別有利于學(xué)生系統(tǒng)集成的能力、綜合應(yīng)用能力、仿真能力的培養(yǎng)，可使學(xué)生建立以下幾個(gè)觀點(diǎn)，形成正確的認(rèn)識(shí)論。

（1）系統(tǒng)的觀念：一個(gè)電子系統(tǒng)從信號(hào)的獲取和輸入、中間的處理到最后的輸出和對(duì)負(fù)載的驅(qū)動(dòng)，各部分電路之間的功能作用、增益分配、參數(shù)設(shè)置、邏輯關(guān)系……都需相互協(xié)調(diào)、相互制約，只有不顧此失彼、通盤(pán)考慮、全面調(diào)試才能獲得理想效果。

（2）工程的觀念：數(shù)學(xué)、物理的嚴(yán)格論證及精確計(jì)算到工程實(shí)際之間往往有很大差距，電子技術(shù)中“忽略次要，抓住主要”的方法能引導(dǎo)學(xué)生的思維更切合工程實(shí)際。因而特別有利于學(xué)生工程觀念的培養(yǎng)。

（3）科技進(jìn)步的觀念：電子技術(shù)的發(fā)展，電子器件的換代，比其它任何技術(shù)都快，學(xué)習(xí)電子技術(shù)可以讓人深刻地體會(huì)到，在科學(xué)技術(shù)飛速發(fā)展的時(shí)代，只有不斷更新知識(shí)，才能不斷前進(jìn)。學(xué)習(xí)時(shí)應(yīng)著眼于基礎(chǔ)，放眼于未來(lái)。

（4）創(chuàng)新意識(shí)：在闡述電子器件的產(chǎn)生背景、電路構(gòu)思、應(yīng)用場(chǎng)合等問(wèn)題時(shí)特別具有啟發(fā)性，電子電路可在咫尺之間產(chǎn)生千變?nèi)f化，能夠充分發(fā)揮學(xué)生的想象力和創(chuàng)造力，因而特別有利于創(chuàng)新意識(shí)和創(chuàng)新能力的培養(yǎng)。我們加強(qiáng)了場(chǎng)效應(yīng)電路、集成電路和可編程模擬器件等新知識(shí)的介紹，拓寬了知識(shí)面，延續(xù)了所學(xué)知識(shí)的生命周期。

上述觀念的培養(yǎng)，不僅為學(xué)生學(xué)習(xí)后續(xù)課鋪平道路，而且培養(yǎng)了他們科學(xué)的思維方式和不斷進(jìn)取的精神，即使在工作后還會(huì)起作用，將受益一生。

2．創(chuàng)建先進(jìn)科學(xué)的模擬電子技術(shù)課程教學(xué)結(jié)構(gòu)

電子技術(shù)學(xué)科是突飛猛進(jìn)發(fā)展的學(xué)科，如何更好地解決基礎(chǔ)與發(fā)展、基礎(chǔ)知識(shí)與實(shí)際應(yīng)用、理論與實(shí)踐等矛盾，處理好知識(shí)的“博”“新”“深”的關(guān)系，建立先進(jìn)和科學(xué)的教學(xué)結(jié)構(gòu)，以適應(yīng)不斷更新的課程內(nèi)容體系始終是我們改革的重點(diǎn)。

本課程建立起課堂教學(xué)、實(shí)驗(yàn)教學(xué)、網(wǎng)絡(luò)教學(xué)和EDA教學(xué)交叉融合的教學(xué)結(jié)構(gòu)，如圖所示。各教學(xué)環(huán)節(jié)各司其職，相輔相成，互相交融，實(shí)現(xiàn) “加強(qiáng)基礎(chǔ)，注重實(shí)踐，因材施教，促進(jìn)創(chuàng)新”的同一個(gè)目標(biāo)。

模擬電子技術(shù) 課堂教學(xué) 實(shí)驗(yàn)教學(xué) 網(wǎng)絡(luò)教學(xué) EDA教學(xué)

模擬電子技術(shù)的教學(xué)結(jié)構(gòu)

（1）加強(qiáng)課堂教學(xué)的基礎(chǔ)性，突出基本內(nèi)容

基礎(chǔ)性是指其具有廣泛性和適應(yīng)性，即本課程的基本概念、原理、法則及它們之間那些普遍起作用的具有內(nèi)在聯(lián)系的知識(shí)。課堂教學(xué)的學(xué)時(shí)限制使得必須去掉針對(duì)具體器件的使用方法和使用技巧等方面實(shí)用性的內(nèi)容，而將電子技術(shù)最基礎(chǔ)最經(jīng)典的部分作為基本內(nèi)容。根據(jù)“精講多練，啟發(fā)引導(dǎo)，留有余地，注重創(chuàng)新”的原則編排教學(xué)內(nèi)容。通過(guò)實(shí)踐環(huán)節(jié)學(xué)習(xí)電子元器件的使用方法和技巧。

實(shí)際教學(xué)中采用黑板講述、多媒體課件、網(wǎng)絡(luò)視頻等多種模式綜合應(yīng)用于各種教學(xué)環(huán)節(jié)中讓學(xué)生反復(fù)強(qiáng)化基本理論和基礎(chǔ)概念。同時(shí)兼顧理論應(yīng)用和新知識(shí)，保證了知識(shí)結(jié)構(gòu)的完整、合理性。

（2）階梯式實(shí)驗(yàn)教學(xué)，突出課程的工程性和實(shí)踐性

目前實(shí)現(xiàn)了電子技術(shù)基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)、模擬電子綜合設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)和部分學(xué)生的系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)三階段臺(tái)階式教學(xué)方式，教學(xué)目的層次分明，循序漸進(jìn)，使學(xué)生從常用電子儀器的使用方法和電子電路的測(cè)試方法學(xué)起，通過(guò)綜合應(yīng)用到電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)，經(jīng)歷完整的科學(xué)的自主的訓(xùn)練過(guò)程，培養(yǎng)了學(xué)生實(shí)踐能力、綜合應(yīng)用能力、系統(tǒng)集成能力和創(chuàng)新意識(shí)，使之在“硬件”實(shí)現(xiàn)和EDA技術(shù)的應(yīng)用上能夠達(dá)到一定的水平，并為進(jìn)一步發(fā)展打下基礎(chǔ)。

同時(shí)，在實(shí)驗(yàn)教學(xué)中可以及時(shí)地引進(jìn)電子技術(shù)的新器件、新技術(shù)和新發(fā)展，緊跟當(dāng)前的新發(fā)展。

另外，加上之后的各個(gè)級(jí)別的“電子設(shè)計(jì)大賽”、知名廠家的專題應(yīng)用大賽和貫穿學(xué)生學(xué)習(xí)期間的課外科技活動(dòng)，形成一個(gè)整體，還可使對(duì)電子學(xué)特別感興趣的學(xué)生能夠有個(gè)性地健康發(fā)展，達(dá)到較高的水平。

模擬電路教研室還參與了《電子技術(shù)實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)》模擬部分內(nèi)容的編寫(xiě)工作，正式出版了適合我校學(xué)生特點(diǎn)、與儀器配套的實(shí)驗(yàn)教材，為學(xué)生實(shí)踐能力的提高提供了極大的便利。

設(shè)置了開(kāi)放式學(xué)生實(shí)驗(yàn)室，使得學(xué)生在自主安排的時(shí)間段進(jìn)入實(shí)驗(yàn)室學(xué)習(xí)，充分發(fā)揮其學(xué)習(xí)的主動(dòng)性和創(chuàng)新性，為理論課程和實(shí)驗(yàn)課程之間架起了一座橋梁。同時(shí)在實(shí)驗(yàn)報(bào)告中設(shè)置相應(yīng)思考題，啟發(fā)學(xué)生獨(dú)立思考，通過(guò)自己學(xué)習(xí)來(lái)發(fā)現(xiàn)知識(shí)、掌握原理，實(shí)現(xiàn)目的。使學(xué)生用自主、探索的態(tài)度學(xué)習(xí)。

（3）利用網(wǎng)絡(luò)教學(xué)的靈活性和開(kāi)放性，實(shí)現(xiàn)因材施教

充分發(fā)揮網(wǎng)絡(luò)課堂的優(yōu)勢(shì)，活躍教學(xué)氣氛。根據(jù)“自主學(xué)習(xí)，交流互動(dòng)，舉一反三，歸納總結(jié)”的原則，為更多希望深入學(xué)習(xí)本課程的學(xué)生提供發(fā)表自己看法的條件，使學(xué)習(xí)程度不同的學(xué)生相互啟發(fā)，共同前進(jìn)，實(shí)現(xiàn)因材施教。同時(shí)，縮小了師生間距離，提高了學(xué)生學(xué)習(xí)的主動(dòng)性和自學(xué)能力，激發(fā)了學(xué)生的學(xué)習(xí)熱情和潛能。

我們專門(mén)制作了統(tǒng)一風(fēng)格的電子教案，并上傳在網(wǎng)絡(luò)課堂。此外，在“網(wǎng)絡(luò)課堂”中還有 “教學(xué)要求”、“實(shí)驗(yàn)輔導(dǎo)”、“平時(shí)作業(yè)”、“答疑”、“師生討論”、“問(wèn)題集錦”……在整個(gè)教學(xué)中起著重要作用。

（4）課程中貫穿EDA軟件的應(yīng)用，突出課程的先進(jìn)性

課程進(jìn)行中，我們強(qiáng)調(diào)了EDA技術(shù)在模擬電子技術(shù)教學(xué)中的重要作用，在實(shí)驗(yàn)課中引入新器件、新技術(shù)、新方法。

根據(jù)學(xué)生計(jì)算機(jī)應(yīng)用能力較強(qiáng)同時(shí)具有一定的自學(xué)潛力的具體情況，我們沒(méi)有模擬電路EDA方面的課堂教學(xué)，而是在課程中貫穿EDA軟件的應(yīng)用，要求學(xué)生以自學(xué)和實(shí)驗(yàn)為主掌握EWB和PISPICE等多種EDA軟件的使用方法。

電子電路乃至電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)的計(jì)算機(jī)化，使得平時(shí)作業(yè)中更有條件去做更具復(fù)雜性、設(shè)計(jì)性和答案多樣性的習(xí)題，培養(yǎng)學(xué)生自己解決問(wèn)題的能力和創(chuàng)新意識(shí)。在基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)和課程設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)中，要求利用EDA軟件進(jìn)行分析、設(shè)計(jì)、仿真，然后再具體實(shí)現(xiàn)，使學(xué)生學(xué)會(huì)電子電路先進(jìn)的科學(xué)的設(shè)計(jì)方法。

3．努力建設(shè)與提高師資隊(duì)伍素質(zhì)

一流的課程應(yīng)具有一流的師資隊(duì)伍，高水平的師資隊(duì)伍是培養(yǎng)高素質(zhì)人才的保障。因而教師隊(duì)伍的建設(shè)是課程的基本建設(shè)。我們用“以老帶新”、“優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)”、科研與教學(xué)相結(jié)合、及時(shí)補(bǔ)充具有較高學(xué)歷的新生力量等辦法，建設(shè)和培育教師隊(duì)伍。形成了一支學(xué)術(shù)水平高、教學(xué)效果好、責(zé)任心強(qiáng)、甘于奉獻(xiàn)、具有良好傳統(tǒng)的師資隊(duì)伍。他們具有樂(lè)教精神、奉獻(xiàn)精神、鉆研精神、集體精神和自律精神，表現(xiàn)出我院教師的風(fēng)范。

主講教授承擔(dān)了課程規(guī)劃、課程教學(xué)、對(duì)新進(jìn)教師指導(dǎo)等主要工作。教研室的主要成員均有自己明確的學(xué)科方向，并承接了一些各級(jí)科研項(xiàng)目，及時(shí)地將科研的成果反映到教學(xué)中來(lái)，并將教學(xué)研究的成果應(yīng)用于科研中去。教學(xué)與科研相互促進(jìn)，緊密跟蹤電子技術(shù)發(fā)展的前沿。

目前有多位青年教師在攻讀碩士學(xué)位，以提高自己的學(xué)術(shù)水平。

主要教師各自形成了獨(dú)特的教學(xué)風(fēng)格，在各種問(wèn)卷調(diào)查中，他們都獲得了有關(guān)教師和學(xué)生的好評(píng)。

4．選用最新教材、優(yōu)化教學(xué)體系 緊跟電子技術(shù)的飛速發(fā)展，建立適于時(shí)代要求的課程內(nèi)容體系始終是課程建設(shè)的中心。課程內(nèi)容體系是通過(guò)教材來(lái)具體體現(xiàn)的。教材是師生教與學(xué)的基本素材，是體現(xiàn)一定教學(xué)目的的重要工具。教材綜合地體現(xiàn)出我們教學(xué)改革成果的方方面面。

我們綜合分析了正式出版的多種教材，根據(jù)我校學(xué)生特點(diǎn)，按照“內(nèi)容精”“結(jié)構(gòu)新”“重實(shí)用”的原則選擇了近兩年出版的教材，并建立了完整的電子教案、習(xí)題輔導(dǎo)等內(nèi)容并全部上網(wǎng)供學(xué)生使用。在教學(xué)中也摒棄了部分偏重理論計(jì)算、缺少使用價(jià)值的內(nèi)容。

二、主要?jiǎng)?chuàng)新點(diǎn) 1． 培養(yǎng)“系統(tǒng)觀念、工程觀念、科技進(jìn)步觀念和創(chuàng)新意識(shí)”的教學(xué)指導(dǎo)方針。2． 課堂教學(xué)、實(shí)驗(yàn)教學(xué)、網(wǎng)絡(luò)教學(xué)和EDA教學(xué)交叉融合的教學(xué)結(jié)構(gòu)。3． 以因材施教為目的的網(wǎng)絡(luò)教學(xué)。4． 循序漸進(jìn)的實(shí)踐環(huán)節(jié)。5． 適當(dāng)引入EDA教學(xué)。6． 多元化的教材。

三、實(shí)踐情況

1．廣泛的教學(xué)實(shí)踐和良好的理論教學(xué)效果

上述基本建設(shè)在教學(xué)工作中發(fā)揮了巨大作用。2004～2006年模擬電子技術(shù)課程共教授電子工程系、通信工程系、控制工程系、光電技術(shù)系、計(jì)算機(jī)系等近100個(gè)班次的課程教學(xué)，接納學(xué)生課內(nèi)實(shí)驗(yàn)10萬(wàn)余人時(shí)數(shù)，課外與學(xué)生上機(jī)學(xué)時(shí)數(shù)1.6萬(wàn)人時(shí)數(shù)。在各種教學(xué)效果調(diào)查問(wèn)卷中，綜合分?jǐn)?shù)均在90分以上。在對(duì)學(xué)生的教學(xué)效果調(diào)查問(wèn)卷中，學(xué)生普遍認(rèn)為這門(mén)課很有收獲、主講教師很稱職、所用教材對(duì)我很有用、教師授課很有特色；對(duì)教師講課給予很高評(píng)價(jià)，認(rèn)為思路清晰，闡述準(zhǔn)確，重點(diǎn)和難點(diǎn)突出，聯(lián)系實(shí)際，內(nèi)容更新，善于啟發(fā)，因材施教，注重創(chuàng)新，作業(yè)利于自主學(xué)習(xí)，激發(fā)學(xué)生的求知欲，對(duì)學(xué)生要求嚴(yán)格，考核及評(píng)分改革明確。

理論考試成績(jī)逐年穩(wěn)步上升，一次性通過(guò)率和優(yōu)秀學(xué)生比例有了明顯提高，學(xué)生反映現(xiàn)在的模擬電路已經(jīng)不再是“魔鬼電路”了。

2．電子技術(shù)科技實(shí)踐活動(dòng)碩果累累

實(shí)踐應(yīng)用是檢驗(yàn)真理的唯一標(biāo)準(zhǔn)，學(xué)生利用所學(xué)課程的基本知識(shí)，綜合應(yīng)用于各個(gè)實(shí)踐過(guò)程中，取得了豐碩的成績(jī)。

近幾年來(lái)我院學(xué)生積極參加各級(jí)科技制作競(jìng)賽和模擬電子應(yīng)用專題大賽，這些都是我院教學(xué)成果的實(shí)際反映，在一定程度上肯定了教學(xué)改革。

在2003年全國(guó)大學(xué)生電子設(shè)計(jì)賽事中我院15個(gè)參賽隊(duì)，有10個(gè)隊(duì)獲獎(jiǎng)。獲獎(jiǎng)率為67%。其中，有3個(gè)全國(guó)二等獎(jiǎng)，4個(gè)四川省一等獎(jiǎng)，2個(gè)四川省二等獎(jiǎng)等。獲獎(jiǎng)學(xué)生涵蓋我院各相關(guān)系級(jí)單位的選手。

在2005年第七屆全國(guó)大學(xué)生競(jìng)賽中我院22個(gè)參賽隊(duì)，有1０個(gè)隊(duì)獲得四川賽區(qū)一等獎(jiǎng)，其中４個(gè)隊(duì)被評(píng)為全國(guó)一等獎(jiǎng)（在全國(guó)525所參賽高校中排名第六），６個(gè)隊(duì)被評(píng)為全國(guó)二等獎(jiǎng)（在全國(guó)525所參賽高校中排名第二），總成績(jī)名列全國(guó)一般高等院校第一名。

電子系的黎波同學(xué)的課余制作成果“多路智能溫、濕度采集控制器”參加美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司舉辦的“2003/2004年中國(guó)模擬技術(shù)應(yīng)用技術(shù)應(yīng)用設(shè)計(jì)大賽”獲得優(yōu)秀獎(jiǎng)。

這些都是教學(xué)改革成果的一個(gè)縮影，充分肯定了課程革新的思路是正確的。

四、存在不足

電子技術(shù)是快速發(fā)展的技術(shù)之一，我們?cè)诮虒W(xué)實(shí)踐中還存在諸多問(wèn)題亟待解決。在師資隊(duì)伍建設(shè)、創(chuàng)新意識(shí)培養(yǎng)、科研應(yīng)用等方面還差得較多。但是我們相信，在學(xué)院重視、支持下，模擬電子技術(shù)一定會(huì)成為教學(xué)體系合理、教學(xué)效果優(yōu)良的精品課程。

2006年3月27日

第二篇：模擬電子技術(shù)總結(jié)

模擬電子技術(shù)總結(jié)

集成運(yùn)放：將管線結(jié)合在一起制成的具有處理模擬信號(hào)的電路稱為運(yùn)算放大電路。

集成運(yùn)算放大電路中的元器件的參數(shù)具有良好的一致性。二：集成運(yùn)算放大電路的組成：

1.輸入級(jí)（差模信號(hào)，Up-Un）,抑制溫漂。2.中間級(jí)（復(fù)合管放大電路）。3.輸出級(jí)（互補(bǔ)輸出電路）。

4.偏置電路（電流源電路為其提供合適的靜態(tài)工作點(diǎn)）。三：抑制溫漂（零點(diǎn)漂移）的辦法： 1.直流負(fù)反饋

2.溫度補(bǔ)償（利用熱敏元件來(lái)抵消管子的變化）3.構(gòu)成差分放大電路 四：失真：

1.線性失真（我們所要的,構(gòu)成電路的放大）2.非線性失真：a:飽和失真b：截止失真。3.交越失真。（直接耦合互補(bǔ)輸出級(jí)）。五：多級(jí)放大電路的耦合方式: 1.直接耦合：低頻特性好，便與集成化；存在溫漂問(wèn)題。2.阻容耦合：便于計(jì)算靜態(tài)工作點(diǎn)，低頻特性差。

3.變壓器耦合：低頻特性差，實(shí)現(xiàn)阻抗變換；常用于調(diào)諧放大電路，功率放大電路。4.光電耦合：

六：3種最基本的單級(jí)放大電路。

1.共發(fā)射極電路具有集電極電阻Rc將三極管集電極電流的變化轉(zhuǎn)化成集電極電壓的變化。

2.共集電極單級(jí)放大器無(wú)集電極負(fù)載電阻，輸出信號(hào)取自發(fā)射級(jí)（發(fā)射級(jí)電壓跟隨器）。

原因：三級(jí)管進(jìn)入放大工作狀態(tài)后，基極與發(fā)射級(jí)之間的PN結(jié)已處于導(dǎo)通狀態(tài)，這一PN結(jié)導(dǎo)通后壓降大小基本不變，硅管0.7v。3.共基極放大器。

七：正弦波振蕩電路的組成： 1.放大電路 2.選頻網(wǎng)絡(luò) 3.正反饋網(wǎng)絡(luò) 4.穩(wěn)幅環(huán)節(jié)。

八：負(fù)反饋對(duì)放大電路特性的影響： 1.穩(wěn)定放大倍數(shù) 2.改變輸入輸出電阻： ? 串聯(lián)負(fù)反饋增大輸入電阻 ? 并聯(lián)負(fù)反饋減小輸入電阻 ? 電壓負(fù)反饋減小輸出電阻 ? 電流負(fù)反饋增大輸出電阻 九：引入負(fù)反饋的原則：

1.為了穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)應(yīng)引入直流負(fù)反饋，為了改善電路的動(dòng)態(tài)性能則應(yīng)引入交流負(fù)反饋。

2.為了穩(wěn)定輸出電壓（即減小輸出電阻，增強(qiáng)帶負(fù)載能力），應(yīng)引入電壓負(fù)反饋

3.為了穩(wěn)定輸出電流（即增大輸出電阻）應(yīng)引入電流負(fù)反饋 4.為了提高輸出電阻（即減小放大電路下信號(hào)源所取的電流）應(yīng)引入串聯(lián)負(fù)反饋

5.為了減小輸入電阻應(yīng)引入并聯(lián)負(fù)反饋 十：交流負(fù)反饋的四種組態(tài)： 1.電壓串聯(lián)

2.電流串聯(lián) 3.電壓并聯(lián) 4.電流并聯(lián)

十一：負(fù)反饋的四大好處： 1.穩(wěn)定放大倍數(shù)

2.改變電路的輸入輸出電阻 3.展寬頻帶 4.減小非線性失真

未完待續(xù)，敬請(qǐng)期待！

第三篇：模擬電子技術(shù)總結(jié)復(fù)習(xí)資料

半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用電路

一.半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)

1.半導(dǎo)體---導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅Si、鍺Ge)。2.特性---光敏、熱敏和摻雜特性。

3.本征半導(dǎo)體----純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。

4.兩種載流子----帶有正、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。

5.雜質(zhì)半導(dǎo)體----在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。

*P型半導(dǎo)體:

在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素（多子是空穴，少子是電子）。

*N型半導(dǎo)體:

在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價(jià)元素（多子是電子，少子是空穴）。

6.雜質(zhì)半導(dǎo)體的特性

*載流子的濃度---多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫度有關(guān)。

*體電阻---通常把雜質(zhì)半導(dǎo)體自身的電阻稱為體電阻。

7.PN結(jié)

* PN結(jié)的單向?qū)щ娦?--正偏導(dǎo)通，反偏截止。

* PN結(jié)的導(dǎo)通電壓---硅材料約為0.6~0.8V，鍺材料約為0.2~0.3V。8.PN結(jié)的伏安特性

二.半導(dǎo)體二極管

*單向?qū)щ娦?-----正向?qū)?，反向截止?/p>

*二極管伏安特性----同ＰＮ結(jié)。

*正向?qū)▔航?-----硅管0.6~0.7V，鍺管0.2~0.3V。

*死區(qū)電壓------硅管0.5V，鍺管0.1V。

3.分析方法------將二極管斷開(kāi)，分析二極管兩端電位的高低:

若 V陽(yáng) >V陰(正偏)，二極管導(dǎo)通(短路);

若 V陽(yáng)

該式與伏安特性曲線 的交點(diǎn)叫靜態(tài)工作點(diǎn)Q。

2)等效電路法

?

直流等效電路法

*總的解題手段----將二極管斷開(kāi)，分析二極管兩端電位的高低:

若 V陽(yáng) >V陰(正偏)，二極管導(dǎo)通(短路);

若 V陽(yáng)

*三種模型

? 微變等效電路法

三.穩(wěn)壓二極管及其穩(wěn)壓電路

*穩(wěn)壓二極管的特性---正常工作時(shí)處在PN結(jié)的反向擊穿區(qū)，所以穩(wěn)壓二極管在電路中要反向連接。

三極管及其基本放大電路

一.三極管的結(jié)構(gòu)、類型及特點(diǎn) 1.類型---分為NPN和PNP兩種。

2.特點(diǎn)---基區(qū)很薄，且摻雜濃度最低；發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高，與基區(qū)接觸

面積較小；集電區(qū)摻雜濃度較高，與基區(qū)接觸面積較大。

二.三極管的工作原理 1.三極管的三種基本組態(tài)

2.三極管內(nèi)各極電流的分配

* 共發(fā)射極電流放大系數(shù)(表明三極管是電流控制器件

式子

稱為穿透電流。

3.共射電路的特性曲線

*輸入特性曲線---同二極管。

* 輸出特性曲線

(飽和管壓降，用UCES表示

放大區(qū)---發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。

截止區(qū)---發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。飽和區(qū)---發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均正偏。4.溫度影響

溫度升高，輸入特性曲線向左移動(dòng)。

溫度升高ICBO、ICEO、IC以及β均增加。三.低頻小信號(hào)等效模型（簡(jiǎn)化）rbe---輸出端交流短路時(shí)的輸入電阻，β---輸出端交流短路時(shí)的正向電流傳輸比，常用β表示；

四.基本放大電路組成及其原則

1.VT、VCC、Rb、Rc、C1、C2的作用。2.組成原則----能放大、不失真、能傳輸。五.放大電路的圖解分析法 1.直流通路與靜態(tài)分析

*概念---直流電流通的回路。

*畫(huà)法---電容視為開(kāi)路。

*作用---確定靜態(tài)工作點(diǎn)

*直流負(fù)載線---由VCC=ICRC+UCE 確定的直線。

*電路參數(shù)對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的影響

1）改變Rb ：Q點(diǎn)將沿直流負(fù)載線上下移動(dòng)。

2）改變Rc ：Q點(diǎn)在IBQ所在的那條輸出特性曲線上移動(dòng)。

3）改變VCC：直流負(fù)載線平移，Q點(diǎn)發(fā)生移動(dòng)。

2.交流通路與動(dòng)態(tài)分析

*概念---交流電流流通的回路

*畫(huà)法---電容視為短路,理想直流電壓源視為短路。

*作用---分析信號(hào)被放大的過(guò)程。

*交流負(fù)載線---連接Q點(diǎn)和V CC?點(diǎn) V CC?= UCEQ+ICQR L?的 直線。

3.靜態(tài)工作點(diǎn)與非線性失真

（1）截止失真

*產(chǎn)生原因---Q點(diǎn)設(shè)置過(guò)低

*失真現(xiàn)象---NPN管削頂，PNP管削底。*消除方法---減小Rb，提高Q。（2）飽和失真

*產(chǎn)生原因---Q點(diǎn)設(shè)置過(guò)高

*失真現(xiàn)象---NPN管削底，PNP管削頂。*消除方法---增大Rb、減小Rc、增大VCC。

4.放大器的動(dòng)態(tài)范圍

（1）Uopp---是指放大器最大不失真輸出電壓的峰峰值。

（2）范圍

*當(dāng)（UCEQ－UCES）＞（VCC’ － UCEQ）時(shí)，受截止失真限制，UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。

*當(dāng)（UCEQ－UCES）＜（VCC’ － UCEQ）時(shí)，受飽和失真限制，UOPP=2UOMAX=2（UCEQ－UCES）。

*當(dāng)（UCEQ－UCES）＝（VCC’ － UCEQ），放大器將有最大的不失真輸出電壓。

六.放大電路的等效電路法 1.靜態(tài)分析

（1）靜態(tài)工作點(diǎn)的近似估算

（2）Q點(diǎn)在放大區(qū)的條件

欲使Q點(diǎn)不進(jìn)入飽和區(qū)，應(yīng)滿足RB＞βRc。2.放大電路的動(dòng)態(tài)分析

* 放大倍數(shù)

* 輸入電阻

* 輸出電阻

七.分壓式穩(wěn)定工作點(diǎn)共射

放大電路的等效電路法 1．靜態(tài)分析

2．動(dòng)態(tài)分析 *電壓放大倍數(shù)

在Re兩端并一電解電容Ce后

輸入電阻

在Re兩端并一電解電容Ce后

* 輸出電阻

八.共集電極基本放大電路 1．靜態(tài)分析

2．動(dòng)態(tài)分析 * 電壓放大倍數(shù)

* 輸入電阻

* 輸出電阻

3.電路特點(diǎn)

* 電壓放大倍數(shù)為正，且略小于1，稱為射極跟隨器，簡(jiǎn)稱射隨器。

* 輸入電阻高，輸出電阻低。

場(chǎng)效應(yīng)管及其基本放大電路

一.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）

1.結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號(hào)

2.輸出特性曲線

（可變電阻區(qū)、放大區(qū)、截止區(qū)、擊穿區(qū)）

轉(zhuǎn)移特性曲線

UP-----截止電壓

二.絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）

分為增強(qiáng)型（EMOS）和耗盡型（DMOS）兩種。結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號(hào)

2.特性曲線

*N-EMOS的輸出特性曲線

* N-EMOS的轉(zhuǎn)移特性曲線式中，IDO是UGS=2UT時(shí)所對(duì)應(yīng)的iD值。* N-DMOS的輸出特性曲線

注意：uGS可正、可零、可負(fù)。轉(zhuǎn)移特性曲線上iD=0處的值是夾斷電壓UP，此曲線表示式與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管一致。三.場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù) 1.漏極飽和電流IDSS 2.夾斷電壓Up 3.開(kāi)啟電壓UT

4.直流輸入電阻RGS

5.低頻跨導(dǎo)gm(表明場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件)

四.場(chǎng)效應(yīng)管的小信號(hào)等效模型

E-MOS 的跨導(dǎo)gm---

五.共源極基本放大電路 1.自偏壓式偏置放大電路 * 靜態(tài)分析

動(dòng)態(tài)分析

若帶有Cs，則

2.分壓式偏置放大電路 * 靜態(tài)分析

* 動(dòng)態(tài)分析

若源極帶有Cs，則

六.共漏極基本放大電路

* 靜態(tài)分析

或

* 動(dòng)態(tài)分析

多級(jí)放大電路

一.級(jí)間耦合方式

1.阻容耦合----各級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)彼此獨(dú)立；能有效地傳輸交流信號(hào)；體積小，成本低。但不便于集成，低頻特性差。

2.變壓器耦合---各級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)彼此獨(dú)立，可以實(shí)現(xiàn)阻抗變換。體積大，成本高，無(wú)法采用集成工藝；不利于傳輸?shù)皖l和高頻信號(hào)。

3.直接耦合----低頻特性好，便于集成。各級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)不獨(dú)立，互相有影響。存在“零點(diǎn)漂移”現(xiàn)象。

*零點(diǎn)漂移----當(dāng)溫度變化或電源電壓改變時(shí)，靜態(tài)工作點(diǎn)也隨之變化，致使uo偏離初始值“零點(diǎn)”而作隨機(jī)變動(dòng)。二.單級(jí)放大電路的頻率響應(yīng) 1．中頻段(fL≤f≤fH)

波特圖---幅頻曲線是20lgAusm=常數(shù)，相頻曲線是φ=-1800。

2．低頻段(f ≤fL)

?

3．高頻段(f ≥fH)

4．完整的基本共射放大電路的頻率特性

三.分壓式穩(wěn)定工作點(diǎn)電路的響應(yīng)

1．下限頻率的估算

2．上限頻率的估算

頻率

四.多級(jí)放大電路的頻率響應(yīng)

1.頻響表達(dá)式

2.波特圖

功率放大電路

一.功率放大電路的三種工作狀態(tài) 1.甲類工作狀態(tài)

導(dǎo)通角為360o，ICQ大，管耗大，效率低。

2.乙類工作狀態(tài)

ICQ≈0，導(dǎo)通角為180o，效率高，失真大。3.甲乙類工作狀態(tài)

導(dǎo)通角為180o~360o，效率較高，失真較大。

二.乙類功放電路的指標(biāo)估算 1.工作狀態(tài)

? 任意狀態(tài)：Uom≈Uim ? 極限狀態(tài)：Uom=VCC-UCES ? 理想狀態(tài)：Uom≈VCC 2.輸出功率3.直流電源提供的平均功率

4.管耗

Pc1m=0.2Pom

5.效率

理想時(shí)為78.5%

三.甲乙類互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路 1.問(wèn)題的提出

在兩管交替時(shí)出現(xiàn)波形失真——交越失真(本質(zhì)上是截止失真)。

2.解決辦法

? 甲乙類雙電源互補(bǔ)對(duì)稱功率放大器OCL----利用二極管、三極管和電阻上的壓降產(chǎn)生偏置電壓。

動(dòng)態(tài)指標(biāo)按乙類狀態(tài)估算。

? 甲乙類單電源互補(bǔ)對(duì)稱功率放大器OTL----電容 C2 上靜態(tài)電壓為VCC/2，并且取代了OCL功放中的負(fù)電源-VCC。

動(dòng)態(tài)指標(biāo)按乙類狀態(tài)估算，只是用VCC/2代替。四.復(fù)合管的組成及特點(diǎn)

1.前一個(gè)管子c-e極跨接在后一個(gè)管子的b-c極間。2.類型取決于第一只管子的類型。3.β=β1·β 2

集成運(yùn)算放大電路

一.集成運(yùn)放電路的基本組成

1.輸入級(jí)----采用差放電路，以減小零漂。

2.中間級(jí)----多采用共射(或共源)放大電路，以提高放大倍數(shù)。

3.輸出級(jí)----多采用互補(bǔ)對(duì)稱電路以提高帶負(fù)載能力。

4.偏置電路----多采用電流源電路，為各級(jí)提供合適的靜態(tài)電流。

二.長(zhǎng)尾差放電路的原理與特點(diǎn) 1.抑制零點(diǎn)漂移的過(guò)程----

當(dāng)T↑→ iC1、iC2↑→ iE1、iE2 ↑→ uE↑→ uBE1、uBE2↓→ iB1、iB2↓→ iC1、iC2↓。

Re對(duì)溫度漂移及各種共模信號(hào)有強(qiáng)烈的抑制作用，被稱為“共模反饋電阻”。

2靜態(tài)分析

1)計(jì)算差放電路IC 設(shè)UB≈0，則UE=－0.7V，得

2)計(jì)算差放電路UCE ? 雙端輸出時(shí)

? 單端輸出時(shí)(設(shè)VT1集電極接RL)

對(duì)于VT1：

對(duì)于VT2：

3.動(dòng)態(tài)分析

1）差模電壓放大倍數(shù)

? 雙端輸出 ?

? 單端輸出時(shí)

從VT1單端輸出 ：

從VT2單端輸出 ：

2）差模輸入電阻

3）差模輸出電阻 ? 雙端輸出：? 單端輸出:

域 ： 三.集成運(yùn)放的電壓傳輸特性

當(dāng)uI在+Uim與-Uim之間，運(yùn)放工作在線性區(qū)

四.理想集成運(yùn)放的參數(shù)及分析方法 1.理想集成運(yùn)放的參數(shù)特征 * 開(kāi)環(huán)電壓放大倍數(shù) Aod→∞； * 差模輸入電阻 Rid→∞； * 輸出電阻 Ro→0；

* 共模抑制比KCMR→∞； 2.理想集成運(yùn)放的分析方法

1)運(yùn)放工作在線性區(qū): * 電路特征——引入負(fù)反饋

* 電路特點(diǎn)——“虛短”和“虛斷”:

“虛短”---

“虛斷”---2)運(yùn)放工作在非線性區(qū)

* 電路特征——開(kāi)環(huán)或引入正反饋

* 電路特點(diǎn)——

輸出電壓的兩種飽和狀態(tài):

當(dāng)u+>u-時(shí)，uo=+Uom

當(dāng)u+

i+=i-=0

放大電路中的反饋

一.反饋概念的建立

＊開(kāi)環(huán)放大倍數(shù)－－－Ａ ＊閉環(huán)放大倍數(shù)－－－Ａｆ

＊反饋深度－－－１＋ＡＦ ＊環(huán)路增益－－－ＡＦ：

1．當(dāng)ＡＦ＞０時(shí)，Ａｆ下降，這種反饋稱為負(fù)反饋。

2．當(dāng)ＡＦ＝０時(shí)，表明反饋效果為零。

3．當(dāng)ＡＦ＜０時(shí)，Ａｆ升高，這種反饋稱為正反饋。

4．當(dāng)ＡＦ＝－１時(shí)，Ａｆ→∞。放大器處于 “ 自激振蕩”狀態(tài)。二．反饋的形式和判斷

1.反饋的范圍----本級(jí)或級(jí)間。

2.反饋的性質(zhì)----交流、直流或交直流。

直流通路中存在反饋則為直流反饋，交流通路中存 在反饋則為交流反饋，交、直流通路中都存在反饋 則為交、直流反饋。

3.反饋的取樣----電壓反饋：反饋量取樣于輸出電壓；具有穩(wěn)定輸出電壓的作用。

（輸出短路時(shí)反饋消失）

電流反饋：反饋量取樣于輸出電流。具有穩(wěn)定輸出電流的作用。

（輸出短路時(shí)反饋不消失）

4.反饋的方式-----并聯(lián)反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電流形式相疊

加。Rs越大反饋效果越好。

反饋信號(hào)反饋到輸入端。

串聯(lián)反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電壓的形式相疊

加。Rs越小反饋效果越好。

反饋信號(hào)反饋到非輸入端。

5.反饋極性-----瞬時(shí)極性法：

（1）假定某輸入信號(hào)在某瞬時(shí)的極性為正（用+表示），并設(shè)信號(hào)的頻率在中頻段。

（2）根據(jù)該極性，逐級(jí)推斷出放大電路中各相關(guān)點(diǎn)的瞬時(shí)極性（升高用 + 表示，降低用 － 表示）。

（3）確定反饋信號(hào)的極性。

（4）根據(jù)Xi 與X f 的極性，確定凈輸入信號(hào)的大小。Xid 減小為負(fù)反

饋；Xid 增大為正反饋。

三.反饋形式的描述方法

某反饋元件引入級(jí)間（本級(jí)）直流負(fù)反饋和交流電壓（電流）串

聯(lián)（并聯(lián)）負(fù)反饋。

四.負(fù)反饋對(duì)放大電路性能的影響

1.提高放大倍數(shù)的穩(wěn)定性

2.3.擴(kuò)展頻帶

4.減小非線性失真及抑制干擾和噪聲 5.改變放大電路的輸入、輸出電阻

*串聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻增加1+AF倍

*并聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻減小1+AF倍

*電壓負(fù)反饋使輸出電阻減小1+AF倍

*電流負(fù)反饋使輸出電阻增加1+AF倍 五.自激振蕩產(chǎn)生的原因和條件 1.產(chǎn)生自激振蕩的原因

附加相移將負(fù)反饋轉(zhuǎn)化為正反饋。

2.產(chǎn)生自激振蕩的條件

若表示為幅值和相位的條件則為：

信號(hào)的運(yùn)算與處理

分析依據(jù)------“虛斷”和“虛短” 一.基本運(yùn)算電路

1.反相比例運(yùn)算電路

R2 =R1//Rf

2.同相比例運(yùn)算電路

R2=R1//Rf

3.反相求和運(yùn)算電路

R4=R1//R2//R3//Rf

4.同相求和運(yùn)算電路

R1//R2//R3//R4=Rf//R5

5.加減運(yùn)算電路

R1//R2//Rf=R3//R4//R5

二.積分和微分運(yùn)算電路 1.積分運(yùn)算

2.微分運(yùn)算

信號(hào)發(fā)生電路

一.正弦波振蕩電路的基本概念

1.產(chǎn)生正弦波振蕩的條件(人為的直接引入正反饋)自激振蕩的平衡條件 : 即幅值平衡條件： 相位平衡條件：

2.起振條件:

幅值條件 ：相位條件:

3.正弦波振蕩器的組成、分類 正弦波振蕩器的組成

(1)放大電路-------建立和維持振蕩。

(2)正反饋網(wǎng)絡(luò)----與放大電路共同滿足振蕩條件。(3)選頻網(wǎng)絡(luò)-------以選擇某一頻率進(jìn)行振蕩。

(4)穩(wěn)幅環(huán)節(jié)-------使波形幅值穩(wěn)定，且波形的形狀良好。* 正弦波振蕩器的分類

(1)RC振蕩器-----振蕩頻率較低,1M以下;(2)LC振蕩器-----振蕩頻率較高,1M以上;(3)石英晶體振蕩器----振蕩頻率高且穩(wěn)定。二.RC正弦波振蕩電路 1.RC串并聯(lián)正弦波振蕩電路

2.RC移相式正弦波振蕩電路

三.LC正弦波振蕩電路

1.變壓器耦合式LC振蕩電路

判斷相位的方法：

斷回路、引輸入、看相位

2.三點(diǎn)式LC振蕩器

*相位條件的判斷------“射同基反”或 “三步曲法”

(1)電感反饋三點(diǎn)式振蕩器(哈特萊電路)

(2)

電容反饋三點(diǎn)式振蕩器(考畢茲電路)

(3)

串聯(lián)改進(jìn)型電容反饋三點(diǎn)式振蕩器（克拉潑電路）

(4)并聯(lián)改進(jìn)型電容反饋三點(diǎn)式振蕩器（西勒電路）

(5)四.石英晶體振蕩電路 1.并聯(lián)型石英晶體振蕩器

2.串聯(lián)型石英晶體振蕩器

直流電源

一.直流電源的組成框圖

? 電源變壓器：將電網(wǎng)交流電壓變換為符合整流電路所需要的交流電壓。? 整流電路：將正負(fù)交替的交流電壓整流成為單方向的脈動(dòng)電壓。

? 濾波電路：將交流成分濾掉，使輸出電壓成為比較平滑的直流電壓。? 穩(wěn)壓電路：自動(dòng)保持負(fù)載電壓的穩(wěn)定。? 二.單相半波整流電路 1．輸出電壓的平均值UO(AV)

2．輸出電壓的脈動(dòng)系數(shù)S

3．正向平均電流ID(AV)

4．最大反向電壓URM

三.單相全波整流電路

1．輸出電壓的平均值UO(AV)

2．輸出電壓的脈動(dòng)系數(shù)S

3．正向平均電流ID(AV)

四.單相橋式整流電路

4．最大反向電壓URM

UO(AV)、S、ID(AV)

與全波整流電路相同，URM與半波整流電路相同。

五.電容濾波電路

1． 放電時(shí)間常數(shù)的取值

2.輸出電壓的平均值UO(AV)

3.輸出電壓的脈動(dòng)系數(shù)S.整流二極管的平均電流I D(AV)

六.三種單相整流電容濾波電路的比較

七.并聯(lián)型穩(wěn)壓電路

1.穩(wěn)壓電路及其工作原理 *當(dāng)負(fù)載不變，電網(wǎng)電壓

變化時(shí)的穩(wěn)壓過(guò)程:

*當(dāng)電網(wǎng)電壓不變，負(fù)載變化時(shí)的穩(wěn)壓過(guò)程 :

2.電路參數(shù)的計(jì)算 * 穩(wěn)壓管的選擇

常取UZ=UO；IZM=(1.5~3)IOmax * 輸入電壓的確定

一般取UI(AV)=(2~3)UO * 限流電阻R的計(jì)算

R的選用原則是：IZmin

R的范圍是：

第四篇：模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)知識(shí)點(diǎn)總結(jié)

模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)資料總結(jié)

第一章

半導(dǎo)體二極管

一.半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)

1.半導(dǎo)體---導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅Si、鍺Ge)。

2.特性---光敏、熱敏和摻雜特性。

3.本征半導(dǎo)體----純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。

4.兩種載流子

----帶有正、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。

5.雜質(zhì)半導(dǎo)體----在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。

*P型半導(dǎo)體:

在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素（多子是空穴，少子是電子）。

*N型半導(dǎo)體:

在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價(jià)元素（多子是電子，少子是空穴）。

6.雜質(zhì)半導(dǎo)體的特性

*載流子的濃度---多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫度有關(guān)。

*體電阻---通常把雜質(zhì)半導(dǎo)體自身的電阻稱為體電阻。

*轉(zhuǎn)型---通過(guò)改變摻雜濃度，一種雜質(zhì)半導(dǎo)體可以改型為另外一種雜質(zhì)半導(dǎo)體。

7.PN結(jié)

*

PN結(jié)的接觸電位差---硅材料約為0.6~0.8V，鍺材料約為0.2~0.3V。

*

PN結(jié)的單向?qū)щ娦?--正偏導(dǎo)通，反偏截止。

8.PN結(jié)的伏安特性

二.半導(dǎo)體二極管

*單向?qū)щ娦?-----正向?qū)?，反向截止?/p>

*二極管伏安特性----同ＰＮ結(jié)。

*正向?qū)▔航?-----硅管0.6~0.7V，鍺管0.2~0.3V。

*死區(qū)電壓------硅管0.5V，鍺管0.1V。

3.分析方法------將二極管斷開(kāi)，分析二極管兩端電位的高低:

若

V陽(yáng)

>V陰（正偏)，二極管導(dǎo)通(短路);

若

V陽(yáng)

1）圖解分析法

該式與伏安特性曲線的交點(diǎn)叫靜態(tài)工作點(diǎn)Q。

2)

等效電路法

?

直流等效電路法

*總的解題手段----將二極管斷開(kāi)，分析二極管兩端電位的高低:

若

V陽(yáng)

>V陰（正偏)，二極管導(dǎo)通(短路);

若

V陽(yáng)

*三種模型

?

微變等效電路法

三.穩(wěn)壓二極管及其穩(wěn)壓電路

*穩(wěn)壓二極管的特性---正常工作時(shí)處在PN結(jié)的反向擊穿區(qū)，所以穩(wěn)壓二極管在電路中要反向連接。

第二章

三極管及其基本放大電路

一.三極管的結(jié)構(gòu)、類型及特點(diǎn)

1.類型---分為NPN和PNP兩種。

2.特點(diǎn)---基區(qū)很薄，且摻雜濃度最低；發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高，與基區(qū)接觸

面積較?。患妳^(qū)摻雜濃度較高，與基區(qū)接觸面積較大。

二.三極管的工作原理

1.三極管的三種基本組態(tài)

2.三極管內(nèi)各極電流的分配

*

共發(fā)射極電流放大系數(shù)

(表明三極管是電流控制器件

式子

稱為穿透電流。

3.共射電路的特性曲線

*輸入特性曲線---同二極管。

*

輸出特性曲線

(飽和管壓降，用UCES表示

放大區(qū)---發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。

截止區(qū)---發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。

4.溫度影響

溫度升高，輸入特性曲線向左移動(dòng)。

溫度升高ICBO、ICEO、IC以及β均增加。

三.低頻小信號(hào)等效模型（簡(jiǎn)化）

hie---輸出端交流短路時(shí)的輸入電阻，常用rbe表示；

hfe---輸出端交流短路時(shí)的正向電流傳輸比，常用β表示；

四.基本放大電路組成及其原則

1.VT、VCC、Rb、Rc、C1、C2的作用。

2.組成原則----能放大、不失真、能傳輸。

五.放大電路的圖解分析法

1.直流通路與靜態(tài)分析

*概念---直流電流通的回路。

*畫(huà)法---電容視為開(kāi)路。

*作用---確定靜態(tài)工作點(diǎn)

*直流負(fù)載線---由VCC=ICRC+UCE

確定的直線。

*電路參數(shù)對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的影響

1）改變Rb

：Q點(diǎn)將沿直流負(fù)載線上下移動(dòng)。

2）改變Rc

：Q點(diǎn)在IBQ所在的那條輸出特性曲線上移動(dòng)。

3）改變VCC：直流負(fù)載線平移，Q點(diǎn)發(fā)生移動(dòng)。

2.交流通路與動(dòng)態(tài)分析

*概念---交流電流流通的回路

*畫(huà)法---電容視為短路,理想直流電壓源視為短路。

*作用---分析信號(hào)被放大的過(guò)程。

*交流負(fù)載線---

連接Q點(diǎn)和V

CC’點(diǎn)

V

CC’=

UCEQ+ICQR

L’的直線。

3.靜態(tài)工作點(diǎn)與非線性失真

（1）截止失真

*產(chǎn)生原因---Q點(diǎn)設(shè)置過(guò)低

*失真現(xiàn)象---NPN管削頂，PNP管削底。

*消除方法---減小Rb，提高Q。

（2）

飽和失真

*產(chǎn)生原因---Q點(diǎn)設(shè)置過(guò)高

*失真現(xiàn)象---NPN管削底，PNP管削頂。

*消除方法---增大Rb、減小Rc、增大VCC。

4.放大器的動(dòng)態(tài)范圍

（1）

Uopp---是指放大器最大不失真輸出電壓的峰峰值。

（2）范圍

*當(dāng)（UCEQ－UCES）＞（VCC’

－

UCEQ）時(shí)，受截止失真限制，UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。

*當(dāng)（UCEQ－UCES）＜（VCC’

－

UCEQ）時(shí)，受飽和失真限制，UOPP=2UOMAX=2

（UCEQ－UCES）。

*當(dāng)（UCEQ－UCES）＝（VCC’

－

UCEQ），放大器將有最大的不失真輸出電壓。

六.放大電路的等效電路法

1.靜態(tài)分析

（1）靜態(tài)工作點(diǎn)的近似估算

（2）Q點(diǎn)在放大區(qū)的條件

欲使Q點(diǎn)不進(jìn)入飽和區(qū)，應(yīng)滿足RB＞βRc。

2.放大電路的動(dòng)態(tài)分析

*

放大倍數(shù)

*

輸入電阻

*

輸出電阻

七.分壓式穩(wěn)定工作點(diǎn)共射

放大電路的等效電路法

1．靜態(tài)分析

2．動(dòng)態(tài)分析

*電壓放大倍數(shù)

在Re兩端并一電解電容Ce后

輸入電阻

在Re兩端并一電解電容Ce后

*

輸出電阻

八.共集電極基本放大電路

1．靜態(tài)分析

2．動(dòng)態(tài)分析

*

電壓放大倍數(shù)

*

輸入電阻

*

輸出電阻

3.電路特點(diǎn)

*

電壓放大倍數(shù)為正，且略小于1，稱為射極跟隨器，簡(jiǎn)稱射隨器。

*

輸入電阻高，輸出電阻低。

第三章

場(chǎng)效應(yīng)管及其基本放大電路

一.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）

1.結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號(hào)

2.輸出特性曲線

（可變電阻區(qū)、放大區(qū)、截止區(qū)、擊穿區(qū)）

轉(zhuǎn)移特性曲線

UP

-----

截止電壓

二.絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）

分為增強(qiáng)型（EMOS）和耗盡型（DMOS）兩種。

結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號(hào)

2.特性曲線

*N-EMOS的輸出特性曲線

*

N-EMOS的轉(zhuǎn)移特性曲線

式中，IDO是UGS=2UT時(shí)所對(duì)應(yīng)的iD值。

*

N-DMOS的輸出特性曲線

注意：uGS可正、可零、可負(fù)。轉(zhuǎn)移特性曲線上iD=0處的值是夾斷電壓UP，此曲線表示式與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管一致。

三.場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)

1.漏極飽和電流IDSS

2.夾斷電壓Up

3.開(kāi)啟電壓UT

4.直流輸入電阻RGS

5.低頻跨導(dǎo)gm

(表明場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件)

四.場(chǎng)效應(yīng)管的小信號(hào)等效模型

E-MOS的跨導(dǎo)gm

---

五.共源極基本放大電路

1.自偏壓式偏置放大電路

*

靜態(tài)分析

動(dòng)態(tài)分析

若帶有Cs，則

2.分壓式偏置放大電路

*

靜態(tài)分析

*

動(dòng)態(tài)分析

若源極帶有Cs，則

六.共漏極基本放大電路

*

靜態(tài)分析

或

*

動(dòng)態(tài)分析

第五章

功率放大電路

一.功率放大電路的三種工作狀態(tài)

1.甲類工作狀態(tài)

導(dǎo)通角為360o，ICQ大，管耗大，效率低。

2.乙類工作狀態(tài)

ICQ≈0，導(dǎo)通角為180o，效率高，失真大。

3.甲乙類工作狀態(tài)

導(dǎo)通角為180o~360o，效率較高，失真較大。

二.乙類功放電路的指標(biāo)估算

1.工作狀態(tài)

?

任意狀態(tài)：Uom≈Uim

?

盡限狀態(tài)：Uom=VCC-UCES

?

理想狀態(tài)：Uom≈VCC

2.輸出功率

3.直流電源提供的平均功率

4.管耗

Pc1m=0.2Pom

5.效率

理想時(shí)為78.5%

三.甲乙類互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路

1.問(wèn)題的提出

在兩管交替時(shí)出現(xiàn)波形失真——交越失真(本質(zhì)上是截止失真)。

2.解決辦法

?

甲乙類雙電源互補(bǔ)對(duì)稱功率放大器OCL----利用二極管、三極管和電阻上的壓降產(chǎn)生偏置電壓。

動(dòng)態(tài)指標(biāo)按乙類狀態(tài)估算。

?

甲乙類單電源互補(bǔ)對(duì)稱功率放大器OTL----電容

C2

上靜態(tài)電壓為VCC/2，并且取代了OCL功放中的負(fù)電源-VCC。

動(dòng)態(tài)指標(biāo)按乙類狀態(tài)估算，只是用VCC/2代替。

四.復(fù)合管的組成及特點(diǎn)

1.前一個(gè)管子c-e極跨接在后一個(gè)管子的b-c極間。

2.類型取決于第一只管子的類型。

3.β=β1·β

第六章

集成運(yùn)算放大電路

一.集成運(yùn)放電路的基本組成1.輸入級(jí)----采用差放電路，以減小零漂。

2.中間級(jí)----多采用共射(或共源)放大電路，以提高放大倍數(shù)。

3.輸出級(jí)----多采用互補(bǔ)對(duì)稱電路以提高帶負(fù)載能力。

4.偏置電路----多采用電流源電路，為各級(jí)提供合適的靜態(tài)電流。

二.長(zhǎng)尾差放電路的原理與特點(diǎn)

1.抑制零點(diǎn)漂移的過(guò)程----

當(dāng)T↑→

iC1、iC2↑→

iE1、iE2

↑→

uE↑→

uBE1、uBE2↓→

iB1、iB2↓→

iC1、iC2↓。

Re對(duì)溫度漂移及各種共模信號(hào)有強(qiáng)烈的抑制作用，被稱為“共模反饋電阻”。

2靜態(tài)分析

1)

計(jì)算差放電路IC

設(shè)UB≈0，則UE=－0.7V，得

2)

計(jì)算差放電路UCE

雙端輸出時(shí)

單端輸出時(shí)(設(shè)VT1集電極接RL)

對(duì)于VT1：

對(duì)于VT2：

3.動(dòng)態(tài)分析

1）差模電壓放大倍數(shù)

雙端輸出

單端輸出時(shí)

從VT1單端輸出

：

從VT2單端輸出

：

2）差模輸入電阻

3）差模輸出電阻

雙端輸出：

單端輸出:

三.集成運(yùn)放的電壓傳輸特性

當(dāng)uI在+Uim與-Uim之間，運(yùn)放工作在線性區(qū)域

：

四.理想集成運(yùn)放的參數(shù)及分析方法

1.理想集成運(yùn)放的參數(shù)特征

*

開(kāi)環(huán)電壓放大倍數(shù)

Aod→∞；

*

差模輸入電阻

Rid→∞；

*

輸出電阻

Ro→0；

*

共模抑制比KCMR→∞；

2.理想集成運(yùn)放的分析方法

1)

運(yùn)放工作在線性區(qū):

*

電路特征——引入負(fù)反饋

*

電路特點(diǎn)——“虛短”和“虛斷”:

“虛短”

---

“虛斷”

---

2)

運(yùn)放工作在非線性區(qū)

*

電路特征——開(kāi)環(huán)或引入正反饋

*

電路特點(diǎn)——

輸出電壓的兩種飽和狀態(tài):

當(dāng)u+>u-時(shí)，uo=+Uom

當(dāng)u+

兩輸入端的輸入電流為零:

i+=i-=0

第七章

放大電路中的反饋

一.反饋概念的建立

＊開(kāi)環(huán)放大倍數(shù)－－－Ａ

＊閉環(huán)放大倍數(shù)－－－Ａｆ

＊反饋深度－－－１＋ＡＦ

＊環(huán)路增益－－－ＡＦ：

1．當(dāng)ＡＦ＞０時(shí)，Ａｆ下降，這種反饋稱為負(fù)反饋。

2．當(dāng)ＡＦ＝０時(shí)，表明反饋效果為零。

3．當(dāng)ＡＦ＜０時(shí)，Ａｆ升高，這種反饋稱為正反饋。

4．當(dāng)ＡＦ＝－１時(shí)，Ａｆ→∞

。放大器處于

“

自激振蕩”狀態(tài)。

二．反饋的形式和判斷

1.反饋的范圍----本級(jí)或級(jí)間。

2.反饋的性質(zhì)----交流、直流或交直流。

直流通路中存在反饋則為直流反饋，交流通路中存

在反饋則為交流反饋，交、直流通路中都存在反饋

則為交、直流反饋。

3.反饋的取樣----電壓反饋：反饋量取樣于輸出電壓；具有穩(wěn)定輸出電壓的作用。

（輸出短路時(shí)反饋消失）

電流反饋：反饋量取樣于輸出電流。具有穩(wěn)定輸出電流的作用。

（輸出短路時(shí)反饋不消失）

4.反饋的方式-----并聯(lián)反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電

流形式相疊加。Rs越大反饋效果越好。

反饋信號(hào)反饋到輸入端）

串聯(lián)反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電壓的形式相疊加。

Rs越小反饋效果越好。

反饋信號(hào)反饋到非輸入端）

5.反饋極性-----瞬時(shí)極性法：

（1）假定某輸入信號(hào)在某瞬時(shí)的極性為正（用+表示），并設(shè)信號(hào)的頻率在中頻段。

（2）根據(jù)該極性，逐級(jí)推斷出放大電路中各相關(guān)點(diǎn)的瞬時(shí)極性（升

高用

+

表示，降低用

－

表示）。

（3）確定反饋信號(hào)的極性。

（4）根據(jù)Xi

與X

f的極性，確定凈輸入信號(hào)的大小。Xid

減小為負(fù)反

饋；Xid

增大為正反饋。

三.反饋形式的描述方法

某反饋元件引入級(jí)間（本級(jí)）直流負(fù)反饋和交流電壓（電流）串

聯(lián)（并聯(lián)）負(fù)反饋。

四.負(fù)反饋對(duì)放大電路性能的影響

1.提高放大倍數(shù)的穩(wěn)定性

2.3.擴(kuò)展頻帶

4.減小非線性失真及抑制干擾和噪聲

5.改變放大電路的輸入、輸出電阻

*串聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻增加1+AF倍

*并聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻減小1+AF倍

*電壓負(fù)反饋使輸出電阻減小1+AF倍

*電流負(fù)反饋使輸出電阻增加1+AF倍

五.自激振蕩產(chǎn)生的原因和條件

1.產(chǎn)生自激振蕩的原因

附加相移將負(fù)反饋轉(zhuǎn)化為正反饋。

2.產(chǎn)生自激振蕩的條件

若表示為幅值和相位的條件則為：

第八章

信號(hào)的運(yùn)算與處理

分析依據(jù)------

“虛斷”和“虛短”

一.基本運(yùn)算電路

1.反相比例運(yùn)算電路

R2

=R1//Rf

2.同相比例運(yùn)算電路

R2=R1//Rf

3.反相求和運(yùn)算電路

R4=R1//R2//R3//Rf

4.同相求和運(yùn)算電路

R1//R2//R3//R4=Rf//R5

5.加減運(yùn)算電路

R1//R2//Rf=R3//R4//R5

二.積分和微分運(yùn)算電路

1.積分運(yùn)算

2.微分運(yùn)算

第九章

信號(hào)發(fā)生電路

一.正弦波振蕩電路的基本概念

1.產(chǎn)生正弦波振蕩的條件(人為的直接引入正反饋)

自激振蕩的平衡條件

:

即幅值平衡條件：

相位平衡條件：

2.起振條件:

幅值條件

：

相位條件:

3.正弦波振蕩器的組成、分類

正弦波振蕩器的組成(1)

放大電路-------建立和維持振蕩。

(2)

正反饋網(wǎng)絡(luò)----與放大電路共同滿足振蕩條件。

(3)

選頻網(wǎng)絡(luò)-------以選擇某一頻率進(jìn)行振蕩。

(4)

穩(wěn)幅環(huán)節(jié)-------使波形幅值穩(wěn)定，且波形的形狀良好。

*

正弦波振蕩器的分類

(1)

RC振蕩器-----振蕩頻率較低,1M以下;

(2)

LC振蕩器-----振蕩頻率較高,1M以上;

(3)

石英晶體振蕩器----振蕩頻率高且穩(wěn)定。

第五篇：模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)_知識(shí)點(diǎn)總結(jié)

模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)資料總結(jié)

第一章 半導(dǎo)體二極管

一.半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)

1.半導(dǎo)體---導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅Si、鍺Ge)。2.特性---光敏、熱敏和摻雜特性。

3.本征半導(dǎo)體----純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。

4.兩種載流子----帶有正、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。5.雜質(zhì)半導(dǎo)體----在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。

*P型半導(dǎo)體: 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素（多子是空穴，少子是電子）。

*N型半導(dǎo)體: 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價(jià)元素（多子是電子，少子是空穴）。

6.雜質(zhì)半導(dǎo)體的特性

*載流子的濃度---多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫度有關(guān)。

*體電阻---通常把雜質(zhì)半導(dǎo)體自身的電阻稱為體電阻。

*轉(zhuǎn)型---通過(guò)改變摻雜濃度，一種雜質(zhì)半導(dǎo)體可以改型為另外一種雜質(zhì)半導(dǎo)體。7.PN結(jié)

* PN結(jié)的接觸電位差---硅材料約為0.6~0.8V，鍺材料約為0.2~0.3V。* PN結(jié)的單向?qū)щ娦?--正偏導(dǎo)通，反偏截止。8.PN結(jié)的伏安特性

二.半導(dǎo)體二極管

*單向?qū)щ娦?-----正向?qū)?，反向截止?二極管伏安特性----同ＰＮ結(jié)。

*正向?qū)▔航?-----硅管0.6~0.7V，鍺管0.2~0.3V。*死區(qū)電壓------硅管0.5V，鍺管0.1V。

3.分析方法------將二極管斷開(kāi)，分析二極管兩端電位的高低: 若 V陽(yáng) >V陰(正偏)，二極管導(dǎo)通(短路);若 V陽(yáng)

該式與伏安特性曲線 的交點(diǎn)叫靜態(tài)工作點(diǎn)Q。

2)等效電路法

?

直流等效電路法

*總的解題手段----將二極管斷開(kāi)，分析二極管兩端電位的高低: 若 V陽(yáng) >V陰(正偏)，二極管導(dǎo)通(短路);若 V陽(yáng)

? 微變等效電路法

三.穩(wěn)壓二極管及其穩(wěn)壓電路

*穩(wěn)壓二極管的特性---正常工作時(shí)處在PN結(jié)的反向擊穿區(qū)，所以穩(wěn)壓二極管在電路中要反向連接。

第二章 三極管及其基本放大電路

一.三極管的結(jié)構(gòu)、類型及特點(diǎn) 1.類型---分為NPN和PNP兩種。

2.特點(diǎn)---基區(qū)很薄，且摻雜濃度最低；發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高，與基區(qū)接觸

面積較??；集電區(qū)摻雜濃度較高，與基區(qū)接觸面積較大。

二.三極管的工作原理 1.三極管的三種基本組態(tài)

2.三極管內(nèi)各極電流的分配

* 共發(fā)射極電流放大系數(shù)(表明三極管是電流控制器件

式子

稱為穿透電流。

3.共射電路的特性曲線

*輸入特性曲線---同二極管。

* 輸出特性曲線

(飽和管壓降，用UCES表示

放大區(qū)---發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。截止區(qū)---發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。4.溫度影響

溫度升高，輸入特性曲線向左移動(dòng)。

溫度升高ICBO、ICEO、IC以及β均增加。三.低頻小信號(hào)等效模型（簡(jiǎn)化）hie---輸出端交流短路時(shí)的輸入電阻，常用rbe表示；

hfe---輸出端交流短路時(shí)的正向電流傳輸 常用β表示；

四.基本放大電路組成及其原則

1.VT、VCC、Rb、Rc、C1、C2的作用。2.組成原則----能放大、不失真、能傳輸。

比，五.放大電路的圖解分析法 1.直流通路與靜態(tài)分析

*概念---直流電流通的回路。*畫(huà)法---電容視為開(kāi)路。*作用---確定靜態(tài)工作點(diǎn)

*直流負(fù)載線---由VCC=ICRC+UCE 確定的直線。

*電路參數(shù)對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的影響

1）改變Rb ：Q點(diǎn)將沿直流負(fù)載線上下移動(dòng)。

2）改變Rc ：Q點(diǎn)在IBQ所在的那條輸出特性曲線上移動(dòng)。3）改變VCC：直流負(fù)載線平移，Q點(diǎn)發(fā)生移動(dòng)。2.交流通路與動(dòng)態(tài)分析

*概念---交流電流流通的回路

*畫(huà)法---電容視為短路,理想直流電壓源視為短路。*作用---分析信號(hào)被放大的過(guò)程。

*交流負(fù)載線---連接Q點(diǎn)和V CC’點(diǎn) V CC’= UCEQ+ICQR L’的直線。

3.靜態(tài)工作點(diǎn)與非線性失真

（1）截止失真

*產(chǎn)生原因---Q點(diǎn)設(shè)置過(guò)低

*失真現(xiàn)象---NPN管削頂，PNP管削底。*消除方法---減小Rb，提高Q。（2）飽和失真

*產(chǎn)生原因---Q點(diǎn)設(shè)置過(guò)高

*失真現(xiàn)象---NPN管削底，PNP管削頂。*消除方法---增大Rb、減小Rc、增大VCC。

4.放大器的動(dòng)態(tài)范圍

（1）Uopp---是指放大器最大不失真輸出電壓的峰峰值。（2）范圍

*當(dāng)（UCEQ－UCES）＞（VCC’ － UCEQ）時(shí)，受截止失真限制，UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。

*當(dāng)（UCEQ－UCES）＜（VCC’ － UCEQ）時(shí)，受飽和失真限制，UOPP=2UOMAX=2（UCEQ－UCES）。

*當(dāng)（UCEQ－UCES）＝（VCC’ － UCEQ），放大器將有最大的不失真輸出電壓。六.放大電路的等效電路法 1.靜態(tài)分析

（1）靜態(tài)工作點(diǎn)的近似估算

（2）Q點(diǎn)在放大區(qū)的條件

欲使Q點(diǎn)不進(jìn)入飽和區(qū)，應(yīng)滿足RB＞βRc。2.放大電路的動(dòng)態(tài)分析

* 放大倍數(shù)

* 輸入電阻

* 輸出電阻

七.分壓式穩(wěn)定工作點(diǎn)共 放大電路的等效電1．靜態(tài)分析

射 路法

2．動(dòng)態(tài)分析 *電壓放大倍數(shù)

在Re兩端并一電解電容Ce后

輸入電阻

在Re兩端并一電解電容Ce后

* 輸出電阻

八.共集電極基本放大電路 1．靜態(tài)分析

2．動(dòng)態(tài)分析 * 電壓放大倍數(shù)

* 輸入電阻

* 輸出電阻

3.電路特點(diǎn)

* 電壓放大倍數(shù)為正，且略小于1，稱為射極跟隨器，簡(jiǎn)稱射隨器。* 輸入電阻高，輸出電阻低。

第三章 場(chǎng)效應(yīng)管及其基本放大電路

一.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）1.結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號(hào)

2.輸出特性曲線

（可變電阻區(qū)、放大區(qū)、截止區(qū)、擊穿區(qū)）

轉(zhuǎn)移特性曲

線 UP-----截止電壓

二.絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）

分為增強(qiáng)型（EMOS）和耗盡型（DMOS）兩種。結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號(hào)

2.特性曲線

*N-EMOS的輸出特性曲線

* N-EMOS的轉(zhuǎn)移特性曲線式中，IDO是UGS=2UT時(shí)所對(duì)應(yīng)的iD值。* N-DMOS的輸出特性曲線

注意：uGS可正、可零、可負(fù)。轉(zhuǎn)移特性曲線上iD=0處的值是夾斷電壓UP，此曲線表示式與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管一致。三.場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù) 1.漏極飽和電流IDSS 2.夾斷電壓Up 3.開(kāi)啟電壓UT

4.直流輸入電阻RGS

5.低頻跨導(dǎo)gm(表明場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件)

四.場(chǎng)效應(yīng)管的小信號(hào)等效模型

E-MOS 的跨導(dǎo)gm---

五.共源極基本放大電路 1.自偏壓式偏置放大電路 * 靜態(tài)分析

動(dòng)態(tài)分析

若帶有Cs，則

2.分壓式偏置放大電路 * 靜態(tài)分析

* 動(dòng)態(tài)分析

若源極帶有Cs，則

六.共漏極基本放大電路

* 靜態(tài)分析

或

* 動(dòng)態(tài)分析

第四章 多級(jí)放大電路

一.級(jí)間耦合方式

1.阻容耦合----各級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)彼此獨(dú)立；能有效地傳輸交流信號(hào)；體積小，成本低。但不便于集成，低頻特性差。

2.變壓器耦合---各級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)彼此獨(dú)立，可以實(shí)現(xiàn)阻抗變換。體積大，成本高，無(wú)法采用集成工藝；不利于傳輸?shù)皖l和高頻信號(hào)。

3.直接耦合----低頻特性好，便于集成。各級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)不獨(dú)立，互相有影響。存在“零點(diǎn)漂移”現(xiàn)象。

*零點(diǎn)漂移----當(dāng)溫度變化或電源電壓改變時(shí)，靜態(tài)工作點(diǎn)也隨之變化，致使uo偏離初始值“零點(diǎn)”而作隨機(jī)變動(dòng)。二.單級(jí)放大電路的頻率響應(yīng) 1．中頻段(fL≤f≤fH)

波特圖---幅頻曲線是20lgAusm=常數(shù)，相頻曲線是φ=-180o。

2．低頻段(f ≤fL)

‘

3．高頻段(f ≥fH)

4．完整的基本共射放大電路的頻率特性

三.分壓式穩(wěn)定工作點(diǎn)電路率響應(yīng)

1．下限頻率的估算

2．上限頻率的估算 的頻

四.多級(jí)放大電路的頻率響應(yīng) 1.頻響表達(dá)式

2.波特圖

第五章 功率放大電路

一.功率放大電路的三種工作狀態(tài) 1.甲類工作狀態(tài)

導(dǎo)通角為360o，ICQ大，管耗大，效率低。2.乙類工作狀態(tài)

ICQ≈0，導(dǎo)通角為180o，效率高，失真大。3.甲乙類工作狀態(tài)

導(dǎo)通角為180o~360o，效率較高，失真較大。二.乙類功放電路的指標(biāo)估算 1.工作狀態(tài)

? 任意狀態(tài)：Uom≈Uim ? 盡限狀態(tài)：Uom=VCC-UCES ? 理想狀態(tài)：Uom≈VCC

2.輸出功率3.直流電源提供的平均功率

4.管耗 Pc1m=0.2Pom

5.效率

理想時(shí)為78.5% 三.甲乙類互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路 1.問(wèn)題的提出

在兩管交替時(shí)出現(xiàn)波形失真——交越失真(本質(zhì)上是截止失真)。2.解決辦法

? 甲乙類雙電源互補(bǔ)對(duì)稱功率放大器OCL----利用二極管、三極管和電阻上的壓降產(chǎn)生偏置電壓。

動(dòng)態(tài)指標(biāo)按乙類狀態(tài)估算。

? 甲乙類單電源互補(bǔ)對(duì)稱功率放大器OTL----電容 C2 上靜態(tài)電壓為VCC/2，并且取代了OCL功放中的負(fù)電源-VCC。

動(dòng)態(tài)指標(biāo)按乙類狀態(tài)估算，只是用VCC/2代替。四.復(fù)合管的組成及特點(diǎn)

1.前一個(gè)管子c-e極跨接在后一個(gè)管子的b-c極間。2.類型取決于第一只管子的類型。3.β=β1·β 2

第六章 集成運(yùn)算放大電路

一.集成運(yùn)放電路的基本組成

1.輸入級(jí)----采用差放電路，以減小零漂。

2.中間級(jí)----多采用共射(或共源)放大電路，以提高放大倍數(shù)。

3.輸出級(jí)----多采用互補(bǔ)對(duì)稱電路以提高帶負(fù)載能力。

4.偏置電路----多采用電流源電路，為各級(jí)提供合適的靜態(tài)電流。二.長(zhǎng)尾差放電路的原理與特點(diǎn) 1.抑制零點(diǎn)漂移的過(guò)程----當(dāng)T↑→ iC1、iC2↑→ iE1、iE2 ↑→ uE↑→ uBE1、uBE2↓→ iB1、iB2↓→ iC1、iC2↓。

Re對(duì)溫度漂移及各種共模信號(hào)有強(qiáng)烈的抑制作用，被稱為“共模反饋電阻”。2靜態(tài)分析

1)計(jì)算差放電路IC 設(shè)UB≈0，則UE=－0.7V，得

2)計(jì)算差放電路UCE ? 雙端輸出時(shí)

? 單端輸出時(shí)(設(shè)VT1集電極接RL)對(duì)于VT1：

對(duì)于VT2：

3.動(dòng)態(tài)分析

1）差模電壓放大倍數(shù)

? 雙端輸出 ?

? 單端輸出時(shí)

從VT1單端輸出 ：

從VT2單端輸出 ：

2）差模輸入電阻3）差模輸出電阻 ? 雙端輸出：

? 單端輸出:

三.集成運(yùn)放的電壓傳輸特性

當(dāng)uI在+Uim與-Uim之間，運(yùn)放工作在線性區(qū)域 ：

四.理想集成運(yùn)放的參數(shù)及分析方法 1.理想集成運(yùn)放的參數(shù)特征 * 開(kāi)環(huán)電壓放大倍數(shù) Aod→∞； * 差模輸入電阻 Rid→∞； * 輸出電阻 Ro→0；

* 共模抑制比KCMR→∞； 2.理想集成運(yùn)放的分析方法 1)運(yùn)放工作在線性區(qū): * 電路特征——引入負(fù)反饋

* 電路特點(diǎn)——“虛短”和“虛斷”: “虛短”---

“虛斷”---2)運(yùn)放工作在非線性區(qū)

* 電路特征——開(kāi)環(huán)或引入正反饋 * 電路特點(diǎn)——

輸出電壓的兩種飽和狀態(tài): 當(dāng)u+>u-時(shí)，uo=+Uom

當(dāng)u+

兩輸入端的輸入電流為零: i+=i-=0

第七章 放大電路中的反饋

一.反饋概念的建立

＊開(kāi)環(huán)放大倍數(shù)－－－Ａ ＊閉環(huán)放大倍數(shù)－－－Ａｆ ＊反饋深度－－－１＋ＡＦ ＊環(huán)路增益－－－ＡＦ：

1．當(dāng)ＡＦ＞０時(shí)，Ａｆ下降，這種反饋稱為負(fù)反饋。2．當(dāng)ＡＦ＝０時(shí)，表明反饋效果為零。

3．當(dāng)ＡＦ＜０時(shí)，Ａｆ升高，這種反饋稱為正反饋。

4．當(dāng)ＡＦ＝－１時(shí)，Ａｆ→∞。放大器處于 “ 自激振蕩”狀態(tài)。二．反饋的形式和判斷

1.反饋的范圍----本級(jí)或級(jí)間。

2.反饋的性質(zhì)----交流、直流或交直流。

直流通路中存在反饋則為直流反饋，交流通路中存 在反饋則為交流反饋，交、直流通路中都存在反饋 則為交、直流反饋。

3.反饋的取樣----電壓反饋：反饋量取樣于輸出電壓；具有穩(wěn)定輸出電壓的作用。

（輸出短路時(shí)反饋消失）

電流反饋：反饋量取樣于輸出電流。具有穩(wěn)定輸出電流的作用。

（輸出短路時(shí)反饋不消失）

4.反饋的方式-----并聯(lián)反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電

流形式相疊加。Rs越大反饋效果越好。

反饋信號(hào)反饋到輸入端）

串聯(lián)反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電壓的形式相疊加。Rs越小反饋效果越好。

反饋信號(hào)反饋到非輸入端）5.反饋極性-----瞬時(shí)極性法：

（1）假定某輸入信號(hào)在某瞬時(shí)的極性為正（用+表示），并設(shè)信號(hào)的頻率在中頻段。

（2）根據(jù)該極性，逐級(jí)推斷出放大電路中各相關(guān)點(diǎn)的瞬時(shí)極性（升

高用 + 表示，降低用 － 表示）。（3）確定反饋信號(hào)的極性。

（4）根據(jù)Xi 與X f 的極性，確定凈輸入信號(hào)的大小。Xid 減小為負(fù)反

饋；Xid 增大為正反饋。

三.反饋形式的描述方法

某反饋元件引入級(jí)間（本級(jí)）直流負(fù)反饋和交流電壓（電流）串

聯(lián)（并聯(lián)）負(fù)反饋。

四.負(fù)反饋對(duì)放大電路性能的影響 1.提高放大倍數(shù)的穩(wěn)定性 2.3.擴(kuò)展頻帶

4.減小非線性失真及抑制干擾和噪聲 5.改變放大電路的輸入、輸出電阻

*串聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻增加1+AF倍 *并聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻減小1+AF倍 *電壓負(fù)反饋使輸出電阻減小1+AF倍 *電流負(fù)反饋使輸出電阻增加1+AF倍 五.自激振蕩產(chǎn)生的原因和條件 1.產(chǎn)生自激振蕩的原因

附加相移將負(fù)反饋轉(zhuǎn)化為正反饋。2.產(chǎn)生自激振蕩的條件

若表示為幅值和相位的條件則為：

第八章 信號(hào)的運(yùn)算與處理

分析依據(jù)------“虛斷”和“虛短” 一.基本運(yùn)算電路 1.反相比例運(yùn)算電路

R2 =R1//Rf

2.同相比例運(yùn)算電路 R2=R1//Rf

3.反相求和運(yùn)算電路

R4=R1//R2//R3//Rf

4.同相求和運(yùn)算電路

R1//R2//R3//R4=Rf//R5

5.加減運(yùn)算電路

R1//R2//Rf=R3//R4//R5

二.積分和微分運(yùn)算電路 1.積分運(yùn)算

2.微分運(yùn)算

第九章 信號(hào)發(fā)生電路

一.正弦波振蕩電路的基本概念

1.產(chǎn)生正弦波振蕩的條件(人為的直接引入正反饋)自激振蕩的平衡條件 : 即幅值平衡條件： 相位平衡條件：

2.起振條件: 幅值條件 ：相位條件:

3.正弦波振蕩器的組成、分類 正弦波振蕩器的組成

(1)放大電路-------建立和維持振蕩。

(2)正反饋網(wǎng)絡(luò)----與放大電路共同滿足振蕩條件。(3)選頻網(wǎng)絡(luò)-------以選擇某一頻率進(jìn)行振蕩。

(4)穩(wěn)幅環(huán)節(jié)-------使波形幅值穩(wěn)定，且波形的形狀良好。* 正弦波振蕩器的分類

(1)RC振蕩器-----振蕩頻率較低,1M以下;(2)LC振蕩器-----振蕩頻率較高,1M以上;(3)石英晶體振蕩器----振蕩頻率高且穩(wěn)定。