第一篇：模擬電子技術基礎-知識點總結資料

模擬電子技術復習資料總結

第一章 半導體二極管

一.半導體的基礎知識

1.半導體---導電能力介于導體和絕緣體之間的物質(如硅Si、鍺Ge)。2.特性---光敏、熱敏和摻雜特性。

3.本征半導體----純凈的具有單晶體結構的半導體。

4.兩種載流子----帶有正、負電荷的可移動的空穴和電子統稱為載流子。5.雜質半導體----在本征半導體中摻入微量雜質形成的半導體。體現的是半導體的摻雜特性。

*P型半導體: 在本征半導體中摻入微量的三價元素（多子是空穴，少子是電子）。

*N型半導體: 在本征半導體中摻入微量的五價元素（多子是電子，少子是空穴）。

6.雜質半導體的特性

*載流子的濃度---多子濃度決定于雜質濃度，少子濃度與溫度有關。

*體電阻---通常把雜質半導體自身的電阻稱為體電阻。

*轉型---通過改變摻雜濃度，一種雜質半導體可以改型為另外一種雜質半導體。7.PN結

* PN結的接觸電位差---硅材料約為0.6~0.8V，鍺材料約為0.2~0.3V。* PN結的單向導電性---正偏導通，反偏截止。8.PN結的伏安特性

二.半導體二極管

*單向導電性------正向導通，反向截止。*二極管伏安特性----同ＰＮ結。

*正向導通壓降------硅管0.6~0.7V，鍺管0.2~0.3V。*死區電壓------硅管0.5V，鍺管0.1V。

3.分析方法------將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低: 若 V陽 >V陰(正偏)，二極管導通(短路);若 V陽

該式與伏安特性曲線 的交點叫靜態工作點Q。

2)等效電路法

?

直流等效電路法

*總的解題手段----將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低: 若 V陽 >V陰(正偏)，二極管導通(短路);若 V陽

? 微變等效電路法

三.穩壓二極管及其穩壓電路

*穩壓二極管的特性---正常工作時處在PN結的反向擊穿區，所以穩壓二極管在電路中要反向連接。

第二章 三極管及其基本放大電路

一.三極管的結構、類型及特點 1.類型---分為NPN和PNP兩種。

2.特點---基區很薄，且摻雜濃度最低；發射區摻雜濃度很高，與基區接觸

面積較小；集電區摻雜濃度較高，與基區接觸面積較大。

二.三極管的工作原理 1.三極管的三種基本組態

2.三極管內各極電流的分配

* 共發射極電流放大系數(表明三極管是電流控制器件

式子

稱為穿透電流。

3.共射電路的特性曲線

*輸入特性曲線---同二極管。

* 輸出特性曲線

(飽和管壓降，用UCES表示

放大區---發射結正偏，集電結反偏。截止區---發射結反偏，集電結反偏。4.溫度影響

溫度升高，輸入特性曲線向左移動。

溫度升高ICBO、ICEO、IC以及β均增加。三.低頻小信號等效模型（簡化）hie---輸出端交流短路時的輸入電阻，常用rbe表示；

hfe---輸出端交流短路時的正向電流傳輸 常用β表示；

四.基本放大電路組成及其原則

1.VT、VCC、Rb、Rc、C1、C2的作用。2.組成原則----能放大、不失真、能傳輸。

比，五.放大電路的圖解分析法 1.直流通路與靜態分析

*概念---直流電流通的回路。*畫法---電容視為開路。*作用---確定靜態工作點

*直流負載線---由VCC=ICRC+UCE 確定的直線。

*電路參數對靜態工作點的影響

1）改變Rb ：Q點將沿直流負載線上下移動。

2）改變Rc ：Q點在IBQ所在的那條輸出特性曲線上移動。3）改變VCC：直流負載線平移，Q點發生移動。2.交流通路與動態分析

*概念---交流電流流通的回路

*畫法---電容視為短路,理想直流電壓源視為短路。*作用---分析信號被放大的過程。

*交流負載線---連接Q點和V CC’點 V CC’= UCEQ+ICQR L’的直線。

3.靜態工作點與非線性失真

（1）截止失真

*產生原因---Q點設置過低

*失真現象---NPN管削頂，PNP管削底。*消除方法---減小Rb，提高Q。（2）飽和失真

*產生原因---Q點設置過高

*失真現象---NPN管削底，PNP管削頂。*消除方法---增大Rb、減小Rc、增大VCC。

4.放大器的動態范圍

（1）Uopp---是指放大器最大不失真輸出電壓的峰峰值。（2）范圍

*當（UCEQ－UCES）＞（VCC’ － UCEQ）時，受截止失真限制，UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。

*當（UCEQ－UCES）＜（VCC’ － UCEQ）時，受飽和失真限制，UOPP=2UOMAX=2（UCEQ－UCES）。

*當（UCEQ－UCES）＝（VCC’ － UCEQ），放大器將有最大的不失真輸出電壓。六.放大電路的等效電路法 1.靜態分析

（1）靜態工作點的近似估算

（2）Q點在放大區的條件

欲使Q點不進入飽和區，應滿足RB＞βRc。2.放大電路的動態分析

* 放大倍數

* 輸入電阻

* 輸出電阻

七.分壓式穩定工作點共 放大電路的等效電1．靜態分析

射 路法

2．動態分析 *電壓放大倍數

在Re兩端并一電解電容Ce后

輸入電阻

在Re兩端并一電解電容Ce后

* 輸出電阻

八.共集電極基本放大電路 1．靜態分析

2．動態分析 * 電壓放大倍數

* 輸入電阻

* 輸出電阻

3.電路特點

* 電壓放大倍數為正，且略小于1，稱為射極跟隨器，簡稱射隨器。* 輸入電阻高，輸出電阻低。

第三章 場效應管及其基本放大電路

一.結型場效應管（JFET）1.結構示意圖和電路符號

2.輸出特性曲線

（可變電阻區、放大區、截止區、擊穿區）

轉移特性曲

線 UP-----截止電壓

二.絕緣柵型場效應管（MOSFET）

分為增強型（EMOS）和耗盡型（DMOS）兩種。結構示意圖和電路符號

2.特性曲線

*N-EMOS的輸出特性曲線

* N-EMOS的轉移特性曲線式中，IDO是UGS=2UT時所對應的iD值。* N-DMOS的輸出特性曲線

注意：uGS可正、可零、可負。轉移特性曲線上iD=0處的值是夾斷電壓UP，此曲線表示式與結型場效應管一致。三.場效應管的主要參數 1.漏極飽和電流IDSS 2.夾斷電壓Up 3.開啟電壓UT

4.直流輸入電阻RGS

5.低頻跨導gm(表明場效應管是電壓控制器件)

四.場效應管的小信號等效模型

E-MOS 的跨導gm---

五.共源極基本放大電路 1.自偏壓式偏置放大電路 * 靜態分析

動態分析

若帶有Cs，則

2.分壓式偏置放大電路 * 靜態分析

* 動態分析

若源極帶有Cs，則

六.共漏極基本放大電路

* 靜態分析

或

* 動態分析

第五章 功率放大電路

一.功率放大電路的三種工作狀態 1.甲類工作狀態

導通角為360o，ICQ大，管耗大，效率低。2.乙類工作狀態

ICQ≈0，導通角為180o，效率高，失真大。3.甲乙類工作狀態 導通角為180o~360o，效率較高，失真較大。二.乙類功放電路的指標估算 1.工作狀態

? 任意狀態：Uom≈Uim ? 盡限狀態：Uom=VCC-UCES ? 理想狀態：Uom≈VCC

2.輸出功率3.直流電源提供的平均功率

4.管耗 Pc1m=0.2Pom

5.效率

理想時為78.5% 三.甲乙類互補對稱功率放大電路 1.問題的提出

在兩管交替時出現波形失真——交越失真(本質上是截止失真)。2.解決辦法

? 甲乙類雙電源互補對稱功率放大器OCL----利用二極管、三極管和電阻上的壓降產生偏置電壓。

動態指標按乙類狀態估算。

? 甲乙類單電源互補對稱功率放大器OTL----電容 C2 上靜態電壓為VCC/2，并且取代了OCL功放中的負電源-VCC。

動態指標按乙類狀態估算，只是用VCC/2代替。四.復合管的組成及特點

1.前一個管子c-e極跨接在后一個管子的b-c極間。2.類型取決于第一只管子的類型。3.β=β1·β 2

第六章 集成運算放大電路

一.集成運放電路的基本組成

1.輸入級----采用差放電路，以減小零漂。

2.中間級----多采用共射(或共源)放大電路，以提高放大倍數。3.輸出級----多采用互補對稱電路以提高帶負載能力。

4.偏置電路----多采用電流源電路，為各級提供合適的靜態電流。二.長尾差放電路的原理與特點 1.抑制零點漂移的過程----當T↑→ iC1、iC2↑→ iE1、iE2 ↑→ uE↑→ uBE1、uBE2↓→ iB1、iB2↓→ iC1、iC2↓。

Re對溫度漂移及各種共模信號有強烈的抑制作用，被稱為“共模反饋電阻”。2靜態分析

1)計算差放電路IC 設UB≈0，則UE=－0.7V，得

2)計算差放電路UCE ? 雙端輸出時

? 單端輸出時(設VT1集電極接RL)對于VT1：

對于VT2：

3.動態分析

1）差模電壓放大倍數

? 雙端輸出 ?

? 單端輸出時

從VT1單端輸出 ：

從VT2單端輸出 ：

2）差模輸入電阻3）差模輸出電阻 ? 雙端輸出：? 單端輸出:

三.集成運放的電壓傳輸特性

當uI在+Uim與-Uim之間，運放工作在線性區

四.理想集成運放的參數及分析方法 1.理想集成運放的參數特征 * 開環電壓放大倍數 Aod→∞； * 差模輸入電阻 Rid→∞； * 輸出電阻 Ro→0；

* 共模抑制比KCMR→∞； 2.理想集成運放的分析方法 1)運放工作在線性區: * 電路特征——引入負反饋

* 電路特點——“虛短”和“虛斷”: “虛短”---

域 ：

“虛斷”---2)運放工作在非線性區

* 電路特征——開環或引入正反饋 * 電路特點——

輸出電壓的兩種飽和狀態: 當u+>u-時，uo=+Uom

當u+

兩輸入端的輸入電流為零: i+=i-=0

第七章 放大電路中的反饋

一.反饋概念的建立

＊開環放大倍數－－－Ａ ＊閉環放大倍數－－－Ａｆ ＊反饋深度－－－１＋ＡＦ ＊環路增益－－－ＡＦ：

1．當ＡＦ＞０時，Ａｆ下降，這種反饋稱為負反饋。2．當ＡＦ＝０時，表明反饋效果為零。

3．當ＡＦ＜０時，Ａｆ升高，這種反饋稱為正反饋。

4．當ＡＦ＝－１時，Ａｆ→∞。放大器處于 “ 自激振蕩”狀態。二．反饋的形式和判斷

1.反饋的范圍----本級或級間。

2.反饋的性質----交流、直流或交直流。

直流通路中存在反饋則為直流反饋，交流通路中存 在反饋則為交流反饋，交、直流通路中都存在反饋 則為交、直流反饋。

3.反饋的取樣----電壓反饋：反饋量取樣于輸出電壓；具有穩定輸出電壓的作用。

（輸出短路時反饋消失）

電流反饋：反饋量取樣于輸出電流。具有穩定輸出電流的作用。

（輸出短路時反饋不消失）

4.反饋的方式-----并聯反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電

流形式相疊加。Rs越大反饋效果越好。

反饋信號反饋到輸入端）

串聯反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電壓的形式相疊加。Rs越小反饋效果越好。

反饋信號反饋到非輸入端）5.反饋極性-----瞬時極性法：

（1）假定某輸入信號在某瞬時的極性為正（用+表示），并設信號 的頻率在中頻段。

（2）根據該極性，逐級推斷出放大電路中各相關點的瞬時極性（升

高用 + 表示，降低用 － 表示）。（3）確定反饋信號的極性。

（4）根據Xi 與X f 的極性，確定凈輸入信號的大小。Xid 減小為負反

饋；Xid 增大為正反饋。

三.反饋形式的描述方法

某反饋元件引入級間（本級）直流負反饋和交流電壓（電流）串

聯（并聯）負反饋。

四.負反饋對放大電路性能的影響 1.提高放大倍數的穩定性 2.3.擴展頻帶

4.減小非線性失真及抑制干擾和噪聲 5.改變放大電路的輸入、輸出電阻

*串聯負反饋使輸入電阻增加1+AF倍 *并聯負反饋使輸入電阻減小1+AF倍 *電壓負反饋使輸出電阻減小1+AF倍 *電流負反饋使輸出電阻增加1+AF倍 五.自激振蕩產生的原因和條件 1.產生自激振蕩的原因

附加相移將負反饋轉化為正反饋。2.產生自激振蕩的條件

若表示為幅值和相位的條件則為：

第八章 信號的運算與處理

分析依據------“虛斷”和“虛短” 一.基本運算電路 1.反相比例運算電路

R2 =R1//Rf

2.同相比例運算電路 R2=R1//Rf

3.反相求和運算電路

R4=R1//R2//R3//Rf

4.同相求和運算電路

R1//R2//R3//R4=Rf//R5

5.加減運算電路

R1//R2//Rf=R3//R4//R5

二.積分和微分運算電路 1.積分運算

2.微分運算

第九章 信號發生電路

一.正弦波振蕩電路的基本概念

1.產生正弦波振蕩的條件(人為的直接引入正反饋)自激振蕩的平衡條件 : 即幅值平衡條件： 相位平衡條件：

2.起振條件: 幅值條件 ：相位條件:

3.正弦波振蕩器的組成、分類 正弦波振蕩器的組成

(1)放大電路-------建立和維持振蕩。

(2)正反饋網絡----與放大電路共同滿足振蕩條件。(3)選頻網絡-------以選擇某一頻率進行振蕩。

(4)穩幅環節-------使波形幅值穩定，且波形的形狀良好。* 正弦波振蕩器的分類

(1)RC振蕩器-----振蕩頻率較低,1M以下;(2)LC振蕩器-----振蕩頻率較高,1M以上;(3)石英晶體振蕩器----振蕩頻率高且穩定。

第二篇：模擬電子技術基礎知識點總結

模擬電子技術復習資料總結

第一章

半導體二極管

一.半導體的基礎知識

1.半導體---導電能力介于導體和絕緣體之間的物質(如硅Si、鍺Ge)。

2.特性---光敏、熱敏和摻雜特性。

3.本征半導體----純凈的具有單晶體結構的半導體。

4.兩種載流子

----帶有正、負電荷的可移動的空穴和電子統稱為載流子。

5.雜質半導體----在本征半導體中摻入微量雜質形成的半導體。體現的是半導體的摻雜特性。

*P型半導體:

在本征半導體中摻入微量的三價元素（多子是空穴，少子是電子）。

*N型半導體:

在本征半導體中摻入微量的五價元素（多子是電子，少子是空穴）。

6.雜質半導體的特性

*載流子的濃度---多子濃度決定于雜質濃度，少子濃度與溫度有關。

*體電阻---通常把雜質半導體自身的電阻稱為體電阻。

*轉型---通過改變摻雜濃度，一種雜質半導體可以改型為另外一種雜質半導體。

7.PN結

*

PN結的接觸電位差---硅材料約為0.6~0.8V，鍺材料約為0.2~0.3V。

*

PN結的單向導電性---正偏導通，反偏截止。

8.PN結的伏安特性

二.半導體二極管

*單向導電性------正向導通，反向截止。

*二極管伏安特性----同ＰＮ結。

*正向導通壓降------硅管0.6~0.7V，鍺管0.2~0.3V。

*死區電壓------硅管0.5V，鍺管0.1V。

3.分析方法------將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低:

若

V陽

>V陰（正偏)，二極管導通(短路);

若

V陽

1）圖解分析法

該式與伏安特性曲線的交點叫靜態工作點Q。

2)

等效電路法

?

直流等效電路法

*總的解題手段----將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低:

若

V陽

>V陰（正偏)，二極管導通(短路);

若

V陽

*三種模型

?

微變等效電路法

三.穩壓二極管及其穩壓電路

*穩壓二極管的特性---正常工作時處在PN結的反向擊穿區，所以穩壓二極管在電路中要反向連接。

第二章

三極管及其基本放大電路

一.三極管的結構、類型及特點

1.類型---分為NPN和PNP兩種。

2.特點---基區很薄，且摻雜濃度最低；發射區摻雜濃度很高，與基區接觸

面積較小；集電區摻雜濃度較高，與基區接觸面積較大。

二.三極管的工作原理

1.三極管的三種基本組態

2.三極管內各極電流的分配

*

共發射極電流放大系數

(表明三極管是電流控制器件

式子

稱為穿透電流。

3.共射電路的特性曲線

*輸入特性曲線---同二極管。

*

輸出特性曲線

(飽和管壓降，用UCES表示

放大區---發射結正偏，集電結反偏。

截止區---發射結反偏，集電結反偏。

4.溫度影響

溫度升高，輸入特性曲線向左移動。

溫度升高ICBO、ICEO、IC以及β均增加。

三.低頻小信號等效模型（簡化）

hie---輸出端交流短路時的輸入電阻，常用rbe表示；

hfe---輸出端交流短路時的正向電流傳輸比，常用β表示；

四.基本放大電路組成及其原則

1.VT、VCC、Rb、Rc、C1、C2的作用。

2.組成原則----能放大、不失真、能傳輸。

五.放大電路的圖解分析法

1.直流通路與靜態分析

*概念---直流電流通的回路。

*畫法---電容視為開路。

*作用---確定靜態工作點

*直流負載線---由VCC=ICRC+UCE

確定的直線。

*電路參數對靜態工作點的影響

1）改變Rb

：Q點將沿直流負載線上下移動。

2）改變Rc

：Q點在IBQ所在的那條輸出特性曲線上移動。

3）改變VCC：直流負載線平移，Q點發生移動。

2.交流通路與動態分析

*概念---交流電流流通的回路

*畫法---電容視為短路,理想直流電壓源視為短路。

*作用---分析信號被放大的過程。

*交流負載線---

連接Q點和V

CC’點

V

CC’=

UCEQ+ICQR

L’的直線。

3.靜態工作點與非線性失真

（1）截止失真

*產生原因---Q點設置過低

*失真現象---NPN管削頂，PNP管削底。

*消除方法---減小Rb，提高Q。

（2）

飽和失真

*產生原因---Q點設置過高

*失真現象---NPN管削底，PNP管削頂。

*消除方法---增大Rb、減小Rc、增大VCC。

4.放大器的動態范圍

（1）

Uopp---是指放大器最大不失真輸出電壓的峰峰值。

（2）范圍

*當（UCEQ－UCES）＞（VCC’

－

UCEQ）時，受截止失真限制，UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。

*當（UCEQ－UCES）＜（VCC’

－

UCEQ）時，受飽和失真限制，UOPP=2UOMAX=2

（UCEQ－UCES）。

*當（UCEQ－UCES）＝（VCC’

－

UCEQ），放大器將有最大的不失真輸出電壓。

六.放大電路的等效電路法

1.靜態分析

（1）靜態工作點的近似估算

（2）Q點在放大區的條件

欲使Q點不進入飽和區，應滿足RB＞βRc。

2.放大電路的動態分析

*

放大倍數

*

輸入電阻

*

輸出電阻

七.分壓式穩定工作點共射

放大電路的等效電路法

1．靜態分析

2．動態分析

*電壓放大倍數

在Re兩端并一電解電容Ce后

輸入電阻

在Re兩端并一電解電容Ce后

*

輸出電阻

八.共集電極基本放大電路

1．靜態分析

2．動態分析

*

電壓放大倍數

*

輸入電阻

*

輸出電阻

3.電路特點

*

電壓放大倍數為正，且略小于1，稱為射極跟隨器，簡稱射隨器。

*

輸入電阻高，輸出電阻低。

第三章

場效應管及其基本放大電路

一.結型場效應管（JFET）

1.結構示意圖和電路符號

2.輸出特性曲線

（可變電阻區、放大區、截止區、擊穿區）

轉移特性曲線

UP

-----

截止電壓

二.絕緣柵型場效應管（MOSFET）

分為增強型（EMOS）和耗盡型（DMOS）兩種。

結構示意圖和電路符號

2.特性曲線

*N-EMOS的輸出特性曲線

*

N-EMOS的轉移特性曲線

式中，IDO是UGS=2UT時所對應的iD值。

*

N-DMOS的輸出特性曲線

注意：uGS可正、可零、可負。轉移特性曲線上iD=0處的值是夾斷電壓UP，此曲線表示式與結型場效應管一致。

三.場效應管的主要參數

1.漏極飽和電流IDSS

2.夾斷電壓Up

3.開啟電壓UT

4.直流輸入電阻RGS

5.低頻跨導gm

(表明場效應管是電壓控制器件)

四.場效應管的小信號等效模型

E-MOS的跨導gm

---

五.共源極基本放大電路

1.自偏壓式偏置放大電路

*

靜態分析

動態分析

若帶有Cs，則

2.分壓式偏置放大電路

*

靜態分析

*

動態分析

若源極帶有Cs，則

六.共漏極基本放大電路

*

靜態分析

或

*

動態分析

第五章

功率放大電路

一.功率放大電路的三種工作狀態

1.甲類工作狀態

導通角為360o，ICQ大，管耗大，效率低。

2.乙類工作狀態

ICQ≈0，導通角為180o，效率高，失真大。

3.甲乙類工作狀態

導通角為180o~360o，效率較高，失真較大。

二.乙類功放電路的指標估算

1.工作狀態

?

任意狀態：Uom≈Uim

?

盡限狀態：Uom=VCC-UCES

?

理想狀態：Uom≈VCC

2.輸出功率

3.直流電源提供的平均功率

4.管耗

Pc1m=0.2Pom

5.效率

理想時為78.5%

三.甲乙類互補對稱功率放大電路

1.問題的提出

在兩管交替時出現波形失真——交越失真(本質上是截止失真)。

2.解決辦法

?

甲乙類雙電源互補對稱功率放大器OCL----利用二極管、三極管和電阻上的壓降產生偏置電壓。

動態指標按乙類狀態估算。

?

甲乙類單電源互補對稱功率放大器OTL----電容

C2

上靜態電壓為VCC/2，并且取代了OCL功放中的負電源-VCC。

動態指標按乙類狀態估算，只是用VCC/2代替。

四.復合管的組成及特點

1.前一個管子c-e極跨接在后一個管子的b-c極間。

2.類型取決于第一只管子的類型。

3.β=β1·β

第六章

集成運算放大電路

一.集成運放電路的基本組成1.輸入級----采用差放電路，以減小零漂。

2.中間級----多采用共射(或共源)放大電路，以提高放大倍數。

3.輸出級----多采用互補對稱電路以提高帶負載能力。

4.偏置電路----多采用電流源電路，為各級提供合適的靜態電流。

二.長尾差放電路的原理與特點

1.抑制零點漂移的過程----

當T↑→

iC1、iC2↑→

iE1、iE2

↑→

uE↑→

uBE1、uBE2↓→

iB1、iB2↓→

iC1、iC2↓。

Re對溫度漂移及各種共模信號有強烈的抑制作用，被稱為“共模反饋電阻”。

2靜態分析

1)

計算差放電路IC

設UB≈0，則UE=－0.7V，得

2)

計算差放電路UCE

雙端輸出時

單端輸出時(設VT1集電極接RL)

對于VT1：

對于VT2：

3.動態分析

1）差模電壓放大倍數

雙端輸出

單端輸出時

從VT1單端輸出

：

從VT2單端輸出

：

2）差模輸入電阻

3）差模輸出電阻

雙端輸出：

單端輸出:

三.集成運放的電壓傳輸特性

當uI在+Uim與-Uim之間，運放工作在線性區域

：

四.理想集成運放的參數及分析方法

1.理想集成運放的參數特征

*

開環電壓放大倍數

Aod→∞；

*

差模輸入電阻

Rid→∞；

*

輸出電阻

Ro→0；

*

共模抑制比KCMR→∞；

2.理想集成運放的分析方法

1)

運放工作在線性區:

*

電路特征——引入負反饋

*

電路特點——“虛短”和“虛斷”:

“虛短”

---

“虛斷”

---

2)

運放工作在非線性區

*

電路特征——開環或引入正反饋

*

電路特點——

輸出電壓的兩種飽和狀態:

當u+>u-時，uo=+Uom

當u+

兩輸入端的輸入電流為零:

i+=i-=0

第七章

放大電路中的反饋

一.反饋概念的建立

＊開環放大倍數－－－Ａ

＊閉環放大倍數－－－Ａｆ

＊反饋深度－－－１＋ＡＦ

＊環路增益－－－ＡＦ：

1．當ＡＦ＞０時，Ａｆ下降，這種反饋稱為負反饋。

2．當ＡＦ＝０時，表明反饋效果為零。

3．當ＡＦ＜０時，Ａｆ升高，這種反饋稱為正反饋。

4．當ＡＦ＝－１時，Ａｆ→∞

。放大器處于

“

自激振蕩”狀態。

二．反饋的形式和判斷

1.反饋的范圍----本級或級間。

2.反饋的性質----交流、直流或交直流。

直流通路中存在反饋則為直流反饋，交流通路中存

在反饋則為交流反饋，交、直流通路中都存在反饋

則為交、直流反饋。

3.反饋的取樣----電壓反饋：反饋量取樣于輸出電壓；具有穩定輸出電壓的作用。

（輸出短路時反饋消失）

電流反饋：反饋量取樣于輸出電流。具有穩定輸出電流的作用。

（輸出短路時反饋不消失）

4.反饋的方式-----并聯反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電

流形式相疊加。Rs越大反饋效果越好。

反饋信號反饋到輸入端）

串聯反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電壓的形式相疊加。

Rs越小反饋效果越好。

反饋信號反饋到非輸入端）

5.反饋極性-----瞬時極性法：

（1）假定某輸入信號在某瞬時的極性為正（用+表示），并設信號的頻率在中頻段。

（2）根據該極性，逐級推斷出放大電路中各相關點的瞬時極性（升

高用

+

表示，降低用

－

表示）。

（3）確定反饋信號的極性。

（4）根據Xi

與X

f的極性，確定凈輸入信號的大小。Xid

減小為負反

饋；Xid

增大為正反饋。

三.反饋形式的描述方法

某反饋元件引入級間（本級）直流負反饋和交流電壓（電流）串

聯（并聯）負反饋。

四.負反饋對放大電路性能的影響

1.提高放大倍數的穩定性

2.3.擴展頻帶

4.減小非線性失真及抑制干擾和噪聲

5.改變放大電路的輸入、輸出電阻

*串聯負反饋使輸入電阻增加1+AF倍

*并聯負反饋使輸入電阻減小1+AF倍

*電壓負反饋使輸出電阻減小1+AF倍

*電流負反饋使輸出電阻增加1+AF倍

五.自激振蕩產生的原因和條件

1.產生自激振蕩的原因

附加相移將負反饋轉化為正反饋。

2.產生自激振蕩的條件

若表示為幅值和相位的條件則為：

第八章

信號的運算與處理

分析依據------

“虛斷”和“虛短”

一.基本運算電路

1.反相比例運算電路

R2

=R1//Rf

2.同相比例運算電路

R2=R1//Rf

3.反相求和運算電路

R4=R1//R2//R3//Rf

4.同相求和運算電路

R1//R2//R3//R4=Rf//R5

5.加減運算電路

R1//R2//Rf=R3//R4//R5

二.積分和微分運算電路

1.積分運算

2.微分運算

第九章

信號發生電路

一.正弦波振蕩電路的基本概念

1.產生正弦波振蕩的條件(人為的直接引入正反饋)

自激振蕩的平衡條件

:

即幅值平衡條件：

相位平衡條件：

2.起振條件:

幅值條件

：

相位條件:

3.正弦波振蕩器的組成、分類

正弦波振蕩器的組成(1)

放大電路-------建立和維持振蕩。

(2)

正反饋網絡----與放大電路共同滿足振蕩條件。

(3)

選頻網絡-------以選擇某一頻率進行振蕩。

(4)

穩幅環節-------使波形幅值穩定，且波形的形狀良好。

*

正弦波振蕩器的分類

(1)

RC振蕩器-----振蕩頻率較低,1M以下;

(2)

LC振蕩器-----振蕩頻率較高,1M以上;

(3)

石英晶體振蕩器----振蕩頻率高且穩定。

第三篇：模擬電子技術基礎_知識點總結

模擬電子技術復習資料總結

第一章 半導體二極管

一.半導體的基礎知識

1.半導體---導電能力介于導體和絕緣體之間的物質(如硅Si、鍺Ge)。2.特性---光敏、熱敏和摻雜特性。

3.本征半導體----純凈的具有單晶體結構的半導體。

4.兩種載流子----帶有正、負電荷的可移動的空穴和電子統稱為載流子。5.雜質半導體----在本征半導體中摻入微量雜質形成的半導體。體現的是半導體的摻雜特性。

*P型半導體: 在本征半導體中摻入微量的三價元素（多子是空穴，少子是電子）。

*N型半導體: 在本征半導體中摻入微量的五價元素（多子是電子，少子是空穴）。

6.雜質半導體的特性

*載流子的濃度---多子濃度決定于雜質濃度，少子濃度與溫度有關。

*體電阻---通常把雜質半導體自身的電阻稱為體電阻。

*轉型---通過改變摻雜濃度，一種雜質半導體可以改型為另外一種雜質半導體。7.PN結

* PN結的接觸電位差---硅材料約為0.6~0.8V，鍺材料約為0.2~0.3V。* PN結的單向導電性---正偏導通，反偏截止。8.PN結的伏安特性

二.半導體二極管

*單向導電性------正向導通，反向截止。*二極管伏安特性----同ＰＮ結。

*正向導通壓降------硅管0.6~0.7V，鍺管0.2~0.3V。*死區電壓------硅管0.5V，鍺管0.1V。

3.分析方法------將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低: 若 V陽 >V陰(正偏)，二極管導通(短路);若 V陽

該式與伏安特性曲線 的交點叫靜態工作點Q。

2)等效電路法

?

直流等效電路法

*總的解題手段----將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低: 若 V陽 >V陰(正偏)，二極管導通(短路);若 V陽

? 微變等效電路法

三.穩壓二極管及其穩壓電路

*穩壓二極管的特性---正常工作時處在PN結的反向擊穿區，所以穩壓二極管在電路中要反向連接。

第二章 三極管及其基本放大電路

一.三極管的結構、類型及特點 1.類型---分為NPN和PNP兩種。

2.特點---基區很薄，且摻雜濃度最低；發射區摻雜濃度很高，與基區接觸

面積較小；集電區摻雜濃度較高，與基區接觸面積較大。

二.三極管的工作原理 1.三極管的三種基本組態

2.三極管內各極電流的分配

* 共發射極電流放大系數(表明三極管是電流控制器件

式子

稱為穿透電流。

3.共射電路的特性曲線

*輸入特性曲線---同二極管。

* 輸出特性曲線

(飽和管壓降，用UCES表示

放大區---發射結正偏，集電結反偏。截止區---發射結反偏，集電結反偏。4.溫度影響

溫度升高，輸入特性曲線向左移動。

溫度升高ICBO、ICEO、IC以及β均增加。三.低頻小信號等效模型（簡化）hie---輸出端交流短路時的輸入電阻，常用rbe表示；

hfe---輸出端交流短路時的正向電流傳輸 常用β表示；

四.基本放大電路組成及其原則

1.VT、VCC、Rb、Rc、C1、C2的作用。2.組成原則----能放大、不失真、能傳輸。

比，五.放大電路的圖解分析法 1.直流通路與靜態分析

*概念---直流電流通的回路。*畫法---電容視為開路。*作用---確定靜態工作點

*直流負載線---由VCC=ICRC+UCE 確定的直線。

*電路參數對靜態工作點的影響

1）改變Rb ：Q點將沿直流負載線上下移動。

2）改變Rc ：Q點在IBQ所在的那條輸出特性曲線上移動。3）改變VCC：直流負載線平移，Q點發生移動。2.交流通路與動態分析

*概念---交流電流流通的回路

*畫法---電容視為短路,理想直流電壓源視為短路。*作用---分析信號被放大的過程。

*交流負載線---連接Q點和V CC’點 V CC’= UCEQ+ICQR L’的直線。

3.靜態工作點與非線性失真

（1）截止失真

*產生原因---Q點設置過低

*失真現象---NPN管削頂，PNP管削底。*消除方法---減小Rb，提高Q。（2）飽和失真

*產生原因---Q點設置過高

*失真現象---NPN管削底，PNP管削頂。*消除方法---增大Rb、減小Rc、增大VCC。

4.放大器的動態范圍

（1）Uopp---是指放大器最大不失真輸出電壓的峰峰值。（2）范圍

*當（UCEQ－UCES）＞（VCC’ － UCEQ）時，受截止失真限制，UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。

*當（UCEQ－UCES）＜（VCC’ － UCEQ）時，受飽和失真限制，UOPP=2UOMAX=2（UCEQ－UCES）。

*當（UCEQ－UCES）＝（VCC’ － UCEQ），放大器將有最大的不失真輸出電壓。六.放大電路的等效電路法 1.靜態分析

（1）靜態工作點的近似估算

（2）Q點在放大區的條件

欲使Q點不進入飽和區，應滿足RB＞βRc。2.放大電路的動態分析

* 放大倍數

* 輸入電阻

* 輸出電阻

七.分壓式穩定工作點共 放大電路的等效電1．靜態分析

射 路法

2．動態分析 *電壓放大倍數

在Re兩端并一電解電容Ce后

輸入電阻

在Re兩端并一電解電容Ce后

* 輸出電阻

八.共集電極基本放大電路 1．靜態分析

2．動態分析 * 電壓放大倍數

* 輸入電阻

* 輸出電阻

3.電路特點

* 電壓放大倍數為正，且略小于1，稱為射極跟隨器，簡稱射隨器。* 輸入電阻高，輸出電阻低。

第三章 場效應管及其基本放大電路

一.結型場效應管（JFET）1.結構示意圖和電路符號

2.輸出特性曲線

（可變電阻區、放大區、截止區、擊穿區）

轉移特性曲

線 UP-----截止電壓

二.絕緣柵型場效應管（MOSFET）

分為增強型（EMOS）和耗盡型（DMOS）兩種。結構示意圖和電路符號

2.特性曲線

*N-EMOS的輸出特性曲線

* N-EMOS的轉移特性曲線式中，IDO是UGS=2UT時所對應的iD值。* N-DMOS的輸出特性曲線

注意：uGS可正、可零、可負。轉移特性曲線上iD=0處的值是夾斷電壓UP，此曲線表示式與結型場效應管一致。三.場效應管的主要參數 1.漏極飽和電流IDSS 2.夾斷電壓Up 3.開啟電壓UT

4.直流輸入電阻RGS

5.低頻跨導gm(表明場效應管是電壓控制器件)

四.場效應管的小信號等效模型

E-MOS 的跨導gm---

五.共源極基本放大電路 1.自偏壓式偏置放大電路 * 靜態分析

動態分析

若帶有Cs，則

2.分壓式偏置放大電路 * 靜態分析

* 動態分析

若源極帶有Cs，則

六.共漏極基本放大電路

* 靜態分析

或

* 動態分析

第四章 多級放大電路

一.級間耦合方式

1.阻容耦合----各級靜態工作點彼此獨立；能有效地傳輸交流信號；體積小，成本低。但不便于集成，低頻特性差。

2.變壓器耦合---各級靜態工作點彼此獨立，可以實現阻抗變換。體積大，成本高，無法采用集成工藝；不利于傳輸低頻和高頻信號。

3.直接耦合----低頻特性好，便于集成。各級靜態工作點不獨立，互相有影響。存在“零點漂移”現象。

*零點漂移----當溫度變化或電源電壓改變時，靜態工作點也隨之變化，致使uo偏離初始值“零點”而作隨機變動。二.單級放大電路的頻率響應 1．中頻段(fL≤f≤fH)

波特圖---幅頻曲線是20lgAusm=常數，相頻曲線是φ=-180o。

2．低頻段(f ≤fL)

‘

3．高頻段(f ≥fH)

4．完整的基本共射放大電路的頻率特性

三.分壓式穩定工作點電路率響應

1．下限頻率的估算

2．上限頻率的估算 的頻

四.多級放大電路的頻率響應 1.頻響表達式

2.波特圖

第五章 功率放大電路

一.功率放大電路的三種工作狀態 1.甲類工作狀態

導通角為360o，ICQ大，管耗大，效率低。2.乙類工作狀態

ICQ≈0，導通角為180o，效率高，失真大。3.甲乙類工作狀態

導通角為180o~360o，效率較高，失真較大。二.乙類功放電路的指標估算 1.工作狀態

? 任意狀態：Uom≈Uim ? 盡限狀態：Uom=VCC-UCES ? 理想狀態：Uom≈VCC

2.輸出功率3.直流電源提供的平均功率

4.管耗 Pc1m=0.2Pom

5.效率

理想時為78.5% 三.甲乙類互補對稱功率放大電路 1.問題的提出

在兩管交替時出現波形失真——交越失真(本質上是截止失真)。2.解決辦法

? 甲乙類雙電源互補對稱功率放大器OCL----利用二極管、三極管和電阻上的壓降產生偏置電壓。

動態指標按乙類狀態估算。

? 甲乙類單電源互補對稱功率放大器OTL----電容 C2 上靜態電壓為VCC/2，并且取代了OCL功放中的負電源-VCC。

動態指標按乙類狀態估算，只是用VCC/2代替。四.復合管的組成及特點

1.前一個管子c-e極跨接在后一個管子的b-c極間。2.類型取決于第一只管子的類型。3.β=β1·β 2

第六章 集成運算放大電路

一.集成運放電路的基本組成

1.輸入級----采用差放電路，以減小零漂。

2.中間級----多采用共射(或共源)放大電路，以提高放大倍數。

3.輸出級----多采用互補對稱電路以提高帶負載能力。

4.偏置電路----多采用電流源電路，為各級提供合適的靜態電流。二.長尾差放電路的原理與特點 1.抑制零點漂移的過程----當T↑→ iC1、iC2↑→ iE1、iE2 ↑→ uE↑→ uBE1、uBE2↓→ iB1、iB2↓→ iC1、iC2↓。

Re對溫度漂移及各種共模信號有強烈的抑制作用，被稱為“共模反饋電阻”。2靜態分析

1)計算差放電路IC 設UB≈0，則UE=－0.7V，得

2)計算差放電路UCE ? 雙端輸出時

? 單端輸出時(設VT1集電極接RL)對于VT1：

對于VT2：

3.動態分析

1）差模電壓放大倍數

? 雙端輸出 ?

? 單端輸出時

從VT1單端輸出 ：

從VT2單端輸出 ：

2）差模輸入電阻3）差模輸出電阻 ? 雙端輸出：

? 單端輸出:

三.集成運放的電壓傳輸特性

當uI在+Uim與-Uim之間，運放工作在線性區域 ：

四.理想集成運放的參數及分析方法 1.理想集成運放的參數特征 * 開環電壓放大倍數 Aod→∞； * 差模輸入電阻 Rid→∞； * 輸出電阻 Ro→0；

* 共模抑制比KCMR→∞； 2.理想集成運放的分析方法 1)運放工作在線性區: * 電路特征——引入負反饋

* 電路特點——“虛短”和“虛斷”: “虛短”---

“虛斷”---2)運放工作在非線性區

* 電路特征——開環或引入正反饋 * 電路特點——

輸出電壓的兩種飽和狀態: 當u+>u-時，uo=+Uom

當u+

兩輸入端的輸入電流為零: i+=i-=0

第七章 放大電路中的反饋

一.反饋概念的建立

＊開環放大倍數－－－Ａ ＊閉環放大倍數－－－Ａｆ ＊反饋深度－－－１＋ＡＦ ＊環路增益－－－ＡＦ：

1．當ＡＦ＞０時，Ａｆ下降，這種反饋稱為負反饋。2．當ＡＦ＝０時，表明反饋效果為零。

3．當ＡＦ＜０時，Ａｆ升高，這種反饋稱為正反饋。

4．當ＡＦ＝－１時，Ａｆ→∞。放大器處于 “ 自激振蕩”狀態。二．反饋的形式和判斷

1.反饋的范圍----本級或級間。

2.反饋的性質----交流、直流或交直流。

直流通路中存在反饋則為直流反饋，交流通路中存 在反饋則為交流反饋，交、直流通路中都存在反饋 則為交、直流反饋。

3.反饋的取樣----電壓反饋：反饋量取樣于輸出電壓；具有穩定輸出電壓的作用。

（輸出短路時反饋消失）

電流反饋：反饋量取樣于輸出電流。具有穩定輸出電流的作用。

（輸出短路時反饋不消失）

4.反饋的方式-----并聯反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電

流形式相疊加。Rs越大反饋效果越好。

反饋信號反饋到輸入端）

串聯反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電壓的形式相疊加。Rs越小反饋效果越好。

反饋信號反饋到非輸入端）5.反饋極性-----瞬時極性法：

（1）假定某輸入信號在某瞬時的極性為正（用+表示），并設信號的頻率在中頻段。

（2）根據該極性，逐級推斷出放大電路中各相關點的瞬時極性（升

高用 + 表示，降低用 － 表示）。（3）確定反饋信號的極性。

（4）根據Xi 與X f 的極性，確定凈輸入信號的大小。Xid 減小為負反

饋；Xid 增大為正反饋。

三.反饋形式的描述方法

某反饋元件引入級間（本級）直流負反饋和交流電壓（電流）串

聯（并聯）負反饋。

四.負反饋對放大電路性能的影響 1.提高放大倍數的穩定性 2.3.擴展頻帶

4.減小非線性失真及抑制干擾和噪聲 5.改變放大電路的輸入、輸出電阻

*串聯負反饋使輸入電阻增加1+AF倍 *并聯負反饋使輸入電阻減小1+AF倍 *電壓負反饋使輸出電阻減小1+AF倍 *電流負反饋使輸出電阻增加1+AF倍 五.自激振蕩產生的原因和條件 1.產生自激振蕩的原因

附加相移將負反饋轉化為正反饋。2.產生自激振蕩的條件

若表示為幅值和相位的條件則為：

第八章 信號的運算與處理

分析依據------“虛斷”和“虛短” 一.基本運算電路 1.反相比例運算電路

R2 =R1//Rf

2.同相比例運算電路 R2=R1//Rf

3.反相求和運算電路

R4=R1//R2//R3//Rf

4.同相求和運算電路

R1//R2//R3//R4=Rf//R5

5.加減運算電路

R1//R2//Rf=R3//R4//R5

二.積分和微分運算電路 1.積分運算

2.微分運算

第九章 信號發生電路

一.正弦波振蕩電路的基本概念

1.產生正弦波振蕩的條件(人為的直接引入正反饋)自激振蕩的平衡條件 : 即幅值平衡條件： 相位平衡條件：

2.起振條件: 幅值條件 ：相位條件:

3.正弦波振蕩器的組成、分類 正弦波振蕩器的組成

(1)放大電路-------建立和維持振蕩。

(2)正反饋網絡----與放大電路共同滿足振蕩條件。(3)選頻網絡-------以選擇某一頻率進行振蕩。

(4)穩幅環節-------使波形幅值穩定，且波形的形狀良好。* 正弦波振蕩器的分類

(1)RC振蕩器-----振蕩頻率較低,1M以下;(2)LC振蕩器-----振蕩頻率較高,1M以上;(3)石英晶體振蕩器----振蕩頻率高且穩定。

第四篇：模擬電子技術基礎B總結

第一章 半導體基礎和二極管（以概念為主）

1、半導體的基本概念；

2、二極管的基本特性：單向導電性、伏安特性、反向擊穿特性；

3、穩壓管的伏安特性；

4、二極管和穩壓管的主要參數；

第二章 雙極型晶體三極管和基本放大電路（重點）

1、雙極型晶體管工作在放大狀態的外部條件；（內部載流子的運動不要求）

2、雙極型晶體管輸入輸出特性曲線（三個不同的工作區及特點）

3、放大的概念，放大電路工作在放大狀態需要滿足的條件；

4、放大電路的分析方法：先直流后交流，先靜態后動態，區分直流通路和交流

通路；

5、靜態工作點的位置對輸出波形的影響；

6、晶體管的低頻等效小信號模型及微變等效電路；（不要求推導）

7、三種基本放大電路（共射、共集、共基）的特點（交流參數）和求解，包括 靜態工作點和動態參數的求解（共集電路相對比較難）。

第三章 場效應晶體管和基本放大電路（重點）

1、已知場效應管的三個電極電位，會判斷管子工作在何種狀態；

2、電路是否能正常放大；

3、場效應管的低頻等效小信號模型及微變等效電路；（不要求推導）

4、共源、共漏基本放大電路的靜態分析計算與動態分析計算。

5、第四章 多級放大電路和集成運算放大電路

1、多級放大電路的幾種耦合方式和優缺點；（基本概念）

2、多級阻容耦合放大電路的分析方法（如果共集電路作為輸出級和輸入級，解

算輸入電阻和輸出電阻會比較難）；

3、差動放大電路的組成和抑制溫漂的原理；

4、雙入雙出差動放大電路靜態和動態電路分析（半電路法），共模抑制比的概念。（區分其和單管放大電路的區別）。

5、集成運放的基本組成（基本概念）。

第五章 功率放大電路

1、功率放大電路的特點和要求、晶體管工作狀態的分類；

2、甲乙類互補功率放大電路的組成和工作原理；

3、甲乙類互補功率放大電路的分析計算，包括輸出功率、效率的計算，晶體管 的選擇等。

第六章 放大電路的頻率響應（基本概念）

1、放大電路頻率響應的基本概念；

2、單管共射放大電路的頻率響應；

（參考課后作業和課件內容）

第七章 放大電路中的反饋（會看，會判，會算，會連）

1、什么是反饋；

2、會看：有無反饋，直流還是交流，正反饋還是負反饋；

3、會判：四種基本組態；（交流負反饋才需要判斷組態）；

4、負反饋在放大電路中的重要作用和性質；

5、負反饋對放大電路性能的影響；

6、會算：深度負反饋條件下的計算會算，深度負反饋的特點，反饋量等于輸入 量，凈輸入量近似為零。會算的步驟：判斷組態，計算放大倍數，得到電壓放大

倍數；

7、放大電路中反饋的正確引入，深度負反饋對電路性能的影響：穩定放大倍數，改變輸入電阻和輸出電阻等；

8、會連：根據電路要求引入負反饋。

第八章 集成運算放大電路信號的線性應用

1、集成運放的應用分類：線性應用和非線性應用；

2、集成運放應用電路的分析方法；（線性應用和非線性應用）；

3、基本運算電路：比例，加減、積分運算電路。（對于 RP=RN，計算可以簡化）；

4、模擬乘法器的符號和輸入輸出關系；

5、濾波電路的頻率特性、分類和主要參數 ：有源濾波電路的種類和各自特點（不

涉及具體電路）

第九章 波形發生電路和和集成運算的非線性應用

（集成運放處于非線性工作狀態）

1、正弦波發生電路的自激條件；

2、正弦波發生電路的組成和組成方法，判斷電路是否可能產生正弦波振蕩的方 法和步驟；在正弦波振蕩電路中通常包含正反饋和負反饋，通常引入正反饋的是 選頻網絡；選頻網絡掌握 RC 串并聯；

3、電壓比較電路的特點（開環或正反饋），電壓比較電路電壓傳輸特性（三要素）；

4、兩種不同的電壓比較器：單限比較器和滯回比較器（重點在滯回比較器）；

5、非正弦波發生電路：矩形波發生電路、三角波發生電路，會定性畫出對應的 波形。

第十章 直流電源

1、直流穩壓電源原理框圖及波形圖，各組成部分和功能

2、兩種不同的整流電路（半波整流和橋式整流）的工作原理、參數的計算和二 極管的選擇；

3、線性串聯型穩壓電路的工作原理及計算；

4、集成穩壓電路 78××的輸出和應用（重點是電壓擴展應用）。

一張 A4 紙，正反面都可以使用，要求自己手寫。

認真復習，一定要掌握基本概念和基本分析方法。

答題時注意試卷要求，所有答案都寫在答題紙上。

預祝大家考出好成績。

第五篇：模擬電子技術基礎教案

教案

2014/ 2015 學年，第一學期

課程名稱

電路與模擬電子技術

任課教師

周拓

本學期學時數

專業、班級

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學生用教科書：《模擬電子技術基礎》劉國巍主編

學生用參考書：

教案：

教案是教師以章節或每次課為單元，根據教學大綱和教學內容，針對不同層次、不同專業學生，對授課的知識群和知識點進行思考設計，周密組織編寫出的整個教學過程方案。

教案也是具體授課的計劃，是實施教學過程的演義方案。它反映了教師的教學水平、教學思路、教學經驗和自身素質，反映了教師鉆研教學大綱、熟悉教材、拓展知識、準確把握教學方式方法和責任心的程度。要求：

教案作為教學實施文件，應在充分備課的基礎上對教學目的、主要內容、重點、難點、學時分配及教學方式方法做出具體設計。

教案的編寫要按章（節）或每次課為單元。

關于講課方式方法，主要包括：傳統教學、多媒體電子課件教學，其中某節采用討論式、現場教學、或是放錄像、放錄音，聽力訓練、習題課等。

第 1 章（次）：半導體器件本章學時數： 12學時

主要內容：本章重點講述半導體器件的結構原理、外特性、主要參數數及其物理意義，工作狀態或工作區的分析。

重點：PN結，二極管、三極管的內部結構及特性

難點：二極管、三極管的內部結構

講授方式方法及要求：采用多媒體課件教學，板書為輔，實物觀察要求學生能夠理解半導體器件的內部結構及工作原理，掌握二極管三極管等半導體器件的特性及作用。

第 2 章：基本放大電路本章（次）學時數：12學時

主要內容：基本共射放大電路，放大電路的分析方法，靜態工作點的穩定以及放大電路的頻率特性

重點：放大電路的分析方法，基本共射放大電路

難點：放大電路的分析方法

講授方式方法及要求：板書為主，多媒體課件為輔，同時采用討論式、現場教學、案例教學等方式，采用共創模式活躍課堂氣氛，引發學生學習興趣。要求學生掌握放大電路的分析方法。

第 3 章：集成電路運算放大器本章（次）學時數：10學時

主要內容：多級放大電路，長尾式差動放大電路

重點：長尾式差動放大電路

難點：長尾式差動放大電路

講授方式方法及要求：板書為主，多媒體課件為輔，同時采用討論式、現場教學、案例教學等方式，采用共創模式活躍課堂氣氛，引發學生學習興趣。要求學生掌握長尾式差動放大電路的分析方法和作用。

第 4 章：電路中的負反饋本章（次）學時數：4學時

主要內容：反饋的概念，反饋的分類，反饋對放大電路性能的影響

重點：反饋的分類，反饋對放大電路性能的影響

難點：反饋對放大電路性能的影響

講授方式方法及要求：板書為主，多媒體課件為輔，同時采用討論式、現場教學、案例教學等方式，采用共創模式活躍課堂氣氛，引發學生學習興趣。要求學生能夠理解反饋的概念并判斷反饋的種類，并能分析反饋對放大電路性能的影響。

第 5 章：集成運算放大器本章（次）學時數：8學時

主要內容：基本運算放大器，集成運算放大器的應用

重點：基本運算放大器

難點：集成運算放大器的應用

講授方式方法及要求：板書為主，多媒體課件為輔，同時采用討論式、現場教學、案例教學等方式，采用共創模式活躍課堂氣氛，引發學生學習興趣。要求學生能夠掌握基本運算電路的性能及應用。

第 6 章：功率放大電路本章（次）學時數：6學時

主要內容：功率放大電路的特點，功率放大電路中的問題

重點：功率放大電路的特點

難點：功率放大電路的特點

講授方式方法及要求：板書為主，多媒體課件為輔，同時采用討論式、現場教學、案例教學等方式，采用共創模式活躍課堂氣氛，引發學生學習興趣。要求學生了解功率放大電路的特點，能夠預見功率放大電路中常見的問題。

第 7 章：波形產生電路本章（次）學時數：6學時

主要內容：正弦波振蕩電路的振蕩條件，RC、LC正弦波振蕩電路

重點：RC、LC正弦波振蕩電路

難點：RC、LC正弦波振蕩電路

講授方式方法及要求：板書為主，多媒體課件為輔，同時采用討論式、現場教學、案例教學等方式，采用共創模式活躍課堂氣氛，引發學生學習興趣。要求學生了解振蕩電路的振蕩條件和振蕩的頻率特性。

第 8 章：直流穩壓電源本章（次）學時數：8學時

主要內容：單項整流電路，濾波電路，穩壓電路，開關穩壓電路

重點：濾波電路，穩壓電路

難點：濾波電路，穩壓電路

講授方式方法及要求：板書為主，多媒體課件為輔，同時采用討論式、現場教學、案例教學等方式，采用共創模式活躍課堂氣氛，引發學生學習興趣。要求學生了解直流穩壓電路的特征。

第 9 章：實驗本章（次）學時數：12學時

主要內容：各種半導體器件的認識，基本共射放大電路的性能分析，負反饋放大電路的研究

重點：負反饋放大電路的研究

難點：負反饋放大電路的研究

講授方式方法及要求：軟件模擬。

總結復習本章（次）學時數：6學時

主要內容：各章知識點

重點：各章知識點

難點：各章知識點

講授方式方法及要求：板書。

習題課本章（次）學時數：12學時

主要內容：各章課后作業

重點：各章課后作業

難點：各章課后作業

講授方式方法及要求：板書。