第一篇：MOS管的分類簡介

MOS管的分類簡介

場效應(yīng)管分為結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）兩大類。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；按導(dǎo)電方式：耗盡型與增強型，結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強型的。

場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管，而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。5.1 結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）

1、結(jié)型場效應(yīng)管的分類：結(jié)型場效應(yīng)管有兩種結(jié)構(gòu)形式，它們是N溝道結(jié)型場效應(yīng)管和P溝道結(jié)型場效應(yīng)管。

結(jié)型場效應(yīng)管也具有三個電極，它們是：柵極；漏極；源極。電路符號中柵極的箭頭方向可理解為兩個PN結(jié)的正向?qū)щ姺较颉?/p>

2、結(jié)型場效應(yīng)管的工作原理(以N溝道結(jié)型場效應(yīng)管為例)，N溝道結(jié)構(gòu)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及符號，由于PN結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡，故PN基本上是不導(dǎo)電的，形成了所謂耗盡區(qū)，當(dāng)漏極電源電壓ED一定時，如果柵極電壓越負，PN結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚，則漏、源極之間導(dǎo)電的溝道越窄，漏極電流ID就愈小；反之，如果柵極電壓沒有那么負，則溝道變寬，ID變大，所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化，就是說，場效應(yīng)管是電壓控制元件。5.2 絕緣柵場效應(yīng)管

1、絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）的分類：絕緣柵場效應(yīng)管也有兩種結(jié)構(gòu)形式，它們是N溝道型和P溝道型。無論是什么溝道，它們又分為增強型和耗盡型兩種。

2、它是由金屬、氧化物和半導(dǎo)體所組成，所以又稱為金屬—氧化物—半導(dǎo)體場效應(yīng)管，簡稱MOS場效應(yīng)管。

3、絕緣柵型場效應(yīng)管的工作原理(以N溝道增強型MOS場效應(yīng)管)它是利用UGS來控制“感應(yīng)電荷”的多少，以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況，然后達到控制漏極電流的目的。在制造管子時，通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子，故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負電荷，這些負電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通，形成了導(dǎo)電溝道，即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當(dāng)柵極電壓改變時，溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變，導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。

場效應(yīng)管的工作方式有兩種：當(dāng)柵壓為零時有較大漏極電流的稱為耗散型；當(dāng)柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強型。

第二篇：MOS管驅(qū)動電路總結(jié)doc要點

MOS管驅(qū)動電路總結(jié)

在使用MOS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計也是不允許的。

下面是我對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點總結(jié)，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹，特性，驅(qū)動以及應(yīng)用電路。

1，MOS管種類和結(jié)構(gòu)

MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應(yīng)用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。

至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。

對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小，且容易制造。所以開關(guān)電源和馬達驅(qū)動的應(yīng)用中，一般都用NMOS。下面的介紹中，也多以NMOS為主。

MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制100//造工藝限制產(chǎn)生的。寄生電容的存在使得在設(shè)計或選擇驅(qū)動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦法避免，后邊再詳細介紹。

在MOS管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個寄生二極管。這個叫體二極管，在驅(qū)動感性負載（如馬達），這個二極管很重要。順便說一句，體二極管只在單個的MOS管中存在，在集成電路芯片內(nèi)部通常是沒有的。

2，MOS管導(dǎo)通特性

導(dǎo)通的意思是作為開關(guān)，相當(dāng)于開關(guān)閉合。

NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導(dǎo)通，適合用于源極接地時的情況（低端驅(qū)動），只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。

PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導(dǎo)通，適合用于源極接VCC時的情況（高端驅(qū)動）。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅(qū)動，但由于導(dǎo)通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅(qū)動中，通常還是使用NMOS。

3，MOS開關(guān)管損失

不管是NMOS還是PMOS，導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導(dǎo)通損耗。選擇導(dǎo)通電阻小的MOS管會減小導(dǎo)通損耗。現(xiàn)在的小功率MOS管導(dǎo)通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。

MOS在導(dǎo)通和截止的時候，一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個下降的過程，流過的電流有一個上升的過程，在這段時間內(nèi)，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開關(guān)損失。通常開關(guān)損失比導(dǎo)通損失大得多，而且開關(guān)頻率越快，損失也越大。

導(dǎo)通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大。縮短開關(guān)時間，可以減小每次導(dǎo)通時的損失；降低開關(guān)頻率，可以減小單位時間內(nèi)的開關(guān)次數(shù)。這兩種辦法都可以減小開關(guān)損失。

4，MOS管驅(qū)動

跟雙極性晶體管相比，一般認為使MOS管導(dǎo)通不需要電流，只要GS電壓高于一定的值，就可以了。這個很容易做到，但是，我們還需要速度。

在MOS管的結(jié)構(gòu)中可以看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅(qū)動，實際上就是對電容的充放電。對電容的充電需要一個電流，因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會比較大。選擇/設(shè)計MOS管驅(qū)動時第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。

第二注意的是，普遍用于高端驅(qū)動的NMOS，導(dǎo)通時需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動的MOS管導(dǎo)通時源極電壓與漏極電壓（VCC）相同，所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個系統(tǒng)里，要得到比VCC大的電壓，就要專門的升壓電路了。很多馬達驅(qū)動器都集成了電荷泵，要注意的是應(yīng)該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅(qū)動MOS管。

上邊說的4V或10V是常用的MOS管的導(dǎo)通電壓，設(shè)計時當(dāng)然需要有一定的余量。而且電壓越高，導(dǎo)通速度越快，導(dǎo)通電阻也越小。現(xiàn)在也有導(dǎo)通電壓更小的MOS管用在不同的領(lǐng)域里，但在12V汽車電子系統(tǒng)里，一般4V導(dǎo)通就夠用了。

MOS管的驅(qū)動電路及其損失，可以參考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。講述得很詳細，所以不打算多寫了。

5，MOS管應(yīng)用電路

MOS管最顯著的特性是開關(guān)特性好，所以被廣泛應(yīng)用在需要電子開關(guān)的電路中，常見的如開關(guān)電源和馬達驅(qū)動，也有照明調(diào)光。

這三種應(yīng)用在各個領(lǐng)域都有詳細的介紹，這里暫時不多寫了。以后有時間再總結(jié) 問題提出：

現(xiàn)在的MOS驅(qū)動，有幾個特別的需求，1，低壓應(yīng)用

當(dāng)使用5V電源，這時候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu)，由于三極管的be有0.7V左右的壓降，導(dǎo)致實際最終加在gate上的電壓只有4.3V。這時候，我們選用標稱gate電壓4.5V的MOS管就存在一定的風(fēng)險。同樣的問題也發(fā)生在使用3V或者其他低壓電源的場合。

2，寬電壓應(yīng)用

輸入電壓并不是一個固定值，它會隨著時間或者其他因素而變動。這個變動導(dǎo)致PWM電路提供給MOS管的驅(qū)動電壓是不穩(wěn)定的。為了讓MOS管在高gate電壓下安全，很多MOS管內(nèi)置了穩(wěn)壓管強行限制gate電壓的幅值。在這種情況下，當(dāng)提供的驅(qū)動電壓超過穩(wěn)壓管的電壓，就會引起較大的靜態(tài)功耗。

同時，如果簡單的用電阻分壓的原理降低gate電壓，就會出現(xiàn)輸入電壓比較高的時候，MOS管工作良好，而輸入電壓降低的時候gate電壓不足，引起導(dǎo)通不夠徹底，從而增加功耗。

3，雙電壓應(yīng)用

在一些控制電路中，邏輯部分使用典型的5V或者3.3V數(shù)字電壓，而功率部分使用12V甚至更高的電壓。兩個電壓采用共地方式連接。這就提出一個要求，需要使用一個電路，讓低壓側(cè)能夠有效的控制高壓側(cè)的MOS管，同時高壓側(cè)的MOS管也同樣會面對1和2中提到的問題。

在這三種情況下，圖騰柱結(jié)構(gòu)無法滿足輸出要求，而很多現(xiàn)成的MOS驅(qū)動IC，似乎也沒有包含gate電壓限制的結(jié)構(gòu)。

于是我設(shè)計了一個相對通用的電路來滿足這三種需求。

電路圖如下：

圖1 用于NMOS的驅(qū)動電路

圖2 用于PMOS的驅(qū)動電路

這里我只針對NMOS驅(qū)動電路做一個簡單分析：

Vl和Vh分別是低端和高端的電源，兩個電壓可以是相同的，但是Vl不應(yīng)該超過Vh。

Q1和Q2組成了一個反置的圖騰柱，用來實現(xiàn)隔離，同時確保兩只驅(qū)動管Q3和Q4不會同時導(dǎo)通。

R2和R3提供了PWM電壓基準，通過改變這個基準，可以讓電路工作在PWM信號波形比較陡直的位置。

Q3和Q4用來提供驅(qū)動電流，由于導(dǎo)通的時候，Q3和Q4相對Vh和GND最低都只有一個Vce的壓降，這個壓降通常只有0.3V左右，大大低于0.7V的Vce。

R5和R6是反饋電阻，用于對gate電壓進行采樣，采樣后的電壓通過Q5對Q1和Q2的基極產(chǎn)生一個強烈的負反饋，從而把gate電壓限制在一個有限的數(shù)值。這個數(shù)值可以通過R5和R6來調(diào)節(jié)。最后，R1提供了對Q3和Q4的基極電流限制，R4提供了對MOS管的gate電流限制，也就是Q3和Q4的Ice的限制。必要的時候可以在R4上面并聯(lián)加速電容。

這個電路提供了如下的特性：

1，用低端電壓和PWM驅(qū)動高端MOS管。

2，用小幅度的PWM信號驅(qū)動高gate電壓需求的MOS管。

3，gate電壓的峰值限制

4，輸入和輸出的電流限制

5，通過使用合適的電阻，可以達到很低的功耗。

6，PWM信號反相。NMOS并不需要這個特性，可以通過前置一個反相器來解決。

一種低電壓高頻率采用自舉電路的BiCMOS驅(qū)動電路 西安電子科技大學(xué) CAD所 潘華兵 來新泉 賈立剛 引言 在設(shè)計便攜式設(shè)備和無線產(chǎn)品時，提高產(chǎn)品性能、延長電池工作時間是設(shè)計人員需要面對的兩個問題。DC-DC轉(zhuǎn)換器具有效率高、輸出電流大、靜態(tài)電流小等優(yōu)點，非常適用于為便攜式設(shè)備供電。目前DC-DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計技術(shù)發(fā)展主要趨勢有：（1）高頻化技術(shù)：隨著開關(guān)頻率的提高，開關(guān)變換器的體積也隨之減小，功率密度也得到大幅提升，動態(tài)響應(yīng)得到改善。小功率DC-DC轉(zhuǎn)換器的開關(guān)頻率將上升到兆赫級。（2）低輸出電壓技術(shù)：隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的不斷發(fā)展，微處理器和便攜式電子設(shè)備的工作電壓越來越低，這就要求未來的DC-DC變換器能夠提供低輸出電壓以適應(yīng)微處理器和便攜式電子設(shè)備的要求。

這些技術(shù)的發(fā)展對電源芯片電路的設(shè)計提出了更高的要求。首先，隨著開關(guān)頻率的不斷提高，對于開關(guān)元件的性能提出了很高的要求，同時必須具有相應(yīng)的開關(guān)元件驅(qū)動電路以保證開關(guān)元件在高達兆赫級的開關(guān)頻率下正常工作。其次，對于電池供電的便攜式電子設(shè)備來說，電路的工作電壓低（以鋰電池為例，工作電壓2.5～3.6V），因此，電源芯片的工作電壓較低。

MOS管具有很低的導(dǎo)通電阻，消耗能量較低，在目前流行的高效DC－DC芯片中多采用MOS管作為功率開關(guān)。但是由于MOS管的寄生電容大，一般情況下NMOS開關(guān)管的柵極電容高達幾十皮法。這對于設(shè)計高工作頻率DC－DC轉(zhuǎn)換器開關(guān)管驅(qū)動電路的設(shè)計提出了更高的要求。

在低電壓ULSI設(shè)計中有多種CMOS、BiCMOS采用自舉升壓結(jié)構(gòu)的邏輯電路和作為大容性負載的驅(qū)動電路。這些電路能夠在低于1V電壓供電條件下正常工作，并且能夠在負載電容1～2pF的條件下工作頻率能夠達到幾十兆甚至上百兆赫茲。本文正是采用了自舉升壓電路，設(shè)計了一種具有大負載電容驅(qū)動能力的，適合于低電壓、高開關(guān)頻率升壓型DC－DC轉(zhuǎn)換器的驅(qū)動電路。電路基于Samsung AHP615 BiCMOS工藝設(shè)計并經(jīng)過Hspice仿真驗證，在供電電壓1.5V，負載電容為60pF時，工作頻率能夠達到5MHz以上。

自舉升壓電路

自舉升壓電路的原理圖如圖1所示。所謂的自舉升壓原理就是，在輸入端IN輸入一個方波信號，利用電容Cboot將A點電壓抬升至高于VDD的電平，這樣就可以在B端輸出一個與輸入信號反相，且高電平高于VDD的方波信號。具體工作原理如下。

當(dāng)VIN為高電平時，NMOS管N1導(dǎo)通，PMOS管P1截止，C點電位為低電平。同時N2導(dǎo)通，P2的柵極電位為低電平，則P2導(dǎo)通。這就使得此時A點電位約為VDD，電容Cboot兩端電壓UC≈VDD。由于N3導(dǎo)通，P4截止，所以B點的電位為低電平。這段時間稱為預(yù)充電周期。

當(dāng)VIN變?yōu)榈碗娖綍r，NMOS管N1截止，PMOS管P1導(dǎo)通，C點電位為高電平，約為VDD。同時N2、N3截止，P3導(dǎo)通。這使得P2的柵極電位升高，P2截止。此時A點電位等于C點電位加上電容Cboot兩端電壓，約為2VDD。而且P4導(dǎo)通，因此B點輸出高電平，且高于VDD。這段時間稱為自舉升壓周期。

實際上，B點電位與負載電容和電容Cboot的大小有關(guān)，可以根據(jù)設(shè)計需要調(diào)整。具體關(guān)系將在介紹電路具體設(shè)計時詳細討論。在圖2中給出了輸入端IN電位與A、B兩點電位關(guān)系的示意圖。

驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)

圖3中給出了驅(qū)動電路的電路圖。驅(qū)動電路采用Totem輸出結(jié)構(gòu)設(shè)計，上拉驅(qū)動管為NMOS管N4、晶體管Q1和PMOS管P5。下拉驅(qū)動管為NMOS管N5。圖中CL為負載電容，Cpar為B點的寄生電容。虛線框內(nèi)的電路為自舉升壓電路。

本驅(qū)動電路的設(shè)計思想是，利用自舉升壓結(jié)構(gòu)將上拉驅(qū)動管N4的柵極（B點）電位抬升，使得UB>VDD+VTH，則NMOS管N4工作在線性區(qū)，使得VDSN4 大大減小，最終可以實現(xiàn)驅(qū)動輸出高電平達到VDD。而在輸出低電平時，下拉驅(qū)動管本身就工作在線性區(qū)，可以保證輸出低電平位GND。因此無需增加自舉電路也能達到設(shè)計要求。

考慮到此驅(qū)動電路應(yīng)用于升壓型DC－DC轉(zhuǎn)換器的開關(guān)管驅(qū)動，負載電容CL很大，一般能達到幾十皮法，還需要進一步增加輸出電流能力，因此增加了晶體管Q1作為上拉驅(qū)動管。這樣在輸入端由高電平變?yōu)榈碗娖綍r，Q1導(dǎo)通，由N4、Q1同時提供電流，OUT端電位迅速上升，當(dāng)OUT端電位上升到VDD－VBE時，Q1截止，N4繼續(xù)提供電流對負載電容充電，直到OUT端電壓達到VDD。

在OUT端為高電平期間，A點電位會由于電容Cboot 上的電荷泄漏等原因而下降。這會使得B點電位下降，N4的導(dǎo)通性下降。同時由于同樣的原因，OUT端電位也會有所下降，使輸出高電平不能保持在VDD。為了防止這種現(xiàn)象的出現(xiàn)，又增加了PMOS管P5作為上拉驅(qū)動管，用來補充OUT端CL的泄漏電荷，維持OUT端在整個導(dǎo)通周期內(nèi)為高電平。

驅(qū)動電路的傳輸特性瞬態(tài)響應(yīng)在圖4中給出。其中（a）為上升沿瞬態(tài)響應(yīng)，（b）為下降沿瞬態(tài)響應(yīng)。從圖4中可以看出，驅(qū)動電路上升沿明顯分為了三個部分，分別對應(yīng)三個上拉驅(qū)動管起主導(dǎo)作用的時期。1階段為Q1、N4共同作用，輸出電壓迅速抬升，2階段為N4起主導(dǎo)作，使輸出電平達到VDD，3階段為P5起主導(dǎo)作用，維持輸出高電平為VDD。而且還可以縮短上升時間，下降時間滿足工作頻率在兆赫茲級以上的要求。

需要注意的問題及仿真結(jié)果

電容Cboot的大小的確定

Cboot的最小值可以按照以下方法確定。在預(yù)充電周期內(nèi)，電容Cboot 上的電荷為VDDCboot。在A點的寄生電容（計為CA）上的電荷為VDDCA。因此在預(yù)充電周期內(nèi)，A點的總電荷為

Q_{A1}=V_{DD}C_{boot}+V_{DD}C_{A}（1）B點電位為GND，因此在B點的寄生電容Cpar上的電荷為0。

在自舉升壓周期，為了使OUT端電壓達到VDD，B點電位最低為VB＝VDD+Vthn。因此在B點的寄生電容Cpar上的電荷為

Q_{B}=(V_{DD}+V_{thn})Cpar（2）

忽略MOS管P4源漏兩端壓降，此時Cboot上的電荷為VthnCboot，A點寄生電容CA的電荷為（VDD+Vthn）CA。A點的總電荷為

QA2=V_{thn}C_{BOOT}+(V_{DD}+V_{thn})C_{A}（3）

同時根據(jù)電荷守恒又有

Q_{B}=Q_{A}-Q_{A2}（4）

綜合式（1）～（4）可得

C_{boot}=frac{V_{DD}+V_{thn}}{v_{DD}-v_{thn}}Cpar+frac{v_{thn}}{v_{DD}-v_{thn}}C_{A}=frac{V_{B}}{v_{DD}-v_{thn}}Cpar+frac{V_{thn}}{v_{DD}-v_{thn}}C_{A}（5）從式（5）中可以看出，Cboot隨輸入電壓變小而變大，并且隨B點電壓VB變大而變大。而B點電壓直接影響N4的導(dǎo)通電阻，也就影響驅(qū)動電路的上升時間。因此在實際設(shè)計時，Cboot的取值要大于式（5）的計算結(jié)果，這樣可以提高B點電壓，降低N4導(dǎo)通電阻，減小驅(qū)動電路的上升時間。

P2、P4的尺寸問題

將公式（5）重新整理后得：

V_{B}=({V_{DD}-V_{thn})frac{C_{boot}}{Cpar}-V_{thn}frac{C_{A}}{Cpar}（6）

從式（6）中可以看出在自舉升壓周期內(nèi)，A、B兩點的寄生電容使得B點電位降低。在實際設(shè)計時為了得到合適的B點電位，除了增加Cboot大小外，要盡量減小A、B兩點的寄生電容。在設(shè)計時，預(yù)充電PMOS管P2的尺寸盡可能的取小，以減小寄生電容CA。而對于B點的寄生電容Cpar來說，主要是上拉驅(qū)動管N4的柵極寄生電容，MOS管P4、N3的源漏極寄生電容只占一小部分。我們在前面的分析中忽略了P4的源漏電壓，因此設(shè)計時就要盡量的加大P4的寬長比，使其在自舉升壓周期內(nèi)的源漏電壓很小可以忽略。但是P4的尺寸以不能太大，要保證P4的源極寄生電容遠遠小于上拉驅(qū)動管N4的柵極寄生電容。

阱電位問題

如圖3所示，PMOS器件P2、P3、P4的N-well連接到了自舉升壓節(jié)點A上。這樣做的目的是，在自舉升壓周期內(nèi)，防止他們的源/漏--阱結(jié)導(dǎo)通。而且這還可以防止在源/漏--阱正偏時產(chǎn)生由寄生SRC引起的閂鎖現(xiàn)象。

上拉驅(qū)動管N4的阱偏置電位要接到它的源極，最好不要直接接地。這樣做的目的是消除襯底偏置效應(yīng)對N4的影響。

Hspice仿真驗證結(jié)果

驅(qū)動電路基于Samsung AHP615 BiCMOS工藝設(shè)計并經(jīng)過Hspice仿真驗證。在表1中給出了電路在不同工作電壓、不同負載條件下的上升時間tr和下降時間tf 的仿真結(jié)果。在圖5中給了電路工作在輸入電壓1.5V、工作頻率為5MHz、負載電容60pF條件下的輸出波形。

結(jié)合表1和圖5可以看出，此驅(qū)動電路能夠在工作電壓為1.5V，工作頻率為5MHz，并且負載電容高達60pF的條件下正常工作。它可以應(yīng)用于低電壓、高工作頻率的DC－DC轉(zhuǎn)換器中作為開關(guān)管的驅(qū)動電路。

結(jié)論

本文采用自舉升壓電路，設(shè)計了一種BiCMOS Totem結(jié)構(gòu)的驅(qū)動電路。該電路基于Samsung AHP615 BiCMOS工藝設(shè)計，可在1.5V電壓供電條件下正常工作，而且在負載電容為60pF的條件下，工作頻率可達5MHz以上。該電路已應(yīng)用于某種高性能壓型DC－DC芯片，并已投片。

第三篇：MOS管與bipolar優(yōu)缺點比較（范文）

]功率MOSFET與雙極性晶體管的性能比較及優(yōu)勢

當(dāng)前，功率MOSFET較雙極性晶體管(BJT)器件更受歡迎。如果把功率MOSFET和BJT作一番比較，可以發(fā)現(xiàn)功率MOSFET是一種高輸入阻抗、電壓控制的器件。而BJT則是一種低阻抗、電流控制的器件。在功率應(yīng)用中采用MOSFET具有眾多好處。

我 們可以通過下列幾個方面來比較一下這兩種器件的優(yōu)劣，首先是驅(qū)動電路，功率MOSFET的驅(qū)動電路比較簡單。BJT可能需要多達20%的額定集電極電流以 保證飽和度，而MOSFET需要的驅(qū)動電流則小得多，而且通常可以直接由CMOS或者集電極開路TTL驅(qū)動電路驅(qū)動。其次，MOSFET的開關(guān)速度比較迅 速，MOSFET是一種多數(shù)載流子器件，能夠以較高的速度工作，因為沒有電荷存儲效應(yīng)。

其三，MOSFET沒有二次擊穿失效機理，它在 溫度越高時往往耐力越強，而且發(fā)生熱擊穿的可能性越低。它們還可以在較寬的溫度范圍內(nèi)提供較好的性能。此外，MOSFET具有并行工作能力，具有正的電阻 溫度系數(shù)。溫度較高的器件往往把電流導(dǎo)向其它MOSFET，允許并行電路配置。而且還有一個好處是，MOSFET的漏電極和源極之間形成的寄生二極管可以 充當(dāng)箝位二極管，在電感性負載開關(guān)中特別有用。

使用功率MOSFET時需要考慮的因素功率MOSFET可以被看作接近理 想的器件，沒有BJT的某些局限性，因此功率MOSFET比前者更受歡迎。但是，盡管功率MOSFET比BJT有所進步，但在應(yīng)用時仍然需要特別注意其功 率耗散管理、開關(guān)損失最小化和MOSFET門驅(qū)動的優(yōu)化。MOSFET實質(zhì)上有兩種工作模式，即開關(guān)模式或線性模式。

所謂開關(guān)模式，就 是器件充當(dāng)一個簡單的開關(guān)，在開與關(guān)兩個狀態(tài)之間切換。線性工作模式一般是指，器件工作在某個特性曲線中的線性部分，但也未必如此。此處的“線性”是指 MOSFET保持連續(xù)性的工作狀態(tài)，此時漏電流是所施加在柵極和源極之間電壓的函數(shù)。它的線性工作模式與開關(guān)工作模式之間的區(qū)別是，在開關(guān)電路 中，MOSFET的漏電流是由外部元件確定的，而在線性電路設(shè)計中卻并非如此。

功率MOSFET可以用于多種應(yīng)用之中，包括馬達控制、電源和鎮(zhèn)流器等的開關(guān)電路，每種類型的電路都利用了MOSFET的某些獨特的電氣特性。當(dāng)為某個具體應(yīng)用選擇功率MOSFET時，設(shè)計人員不僅要考慮最大 漏極到源極電壓和器件的漏電流，而且需要考慮其它參數(shù)會對應(yīng)用產(chǎn)生什么影響。目標是確保所選擇的器件不僅是最佳的技術(shù)選擇，而且也是性價比最高的選擇。

由于在許多設(shè)計中電路板空間非常有限，所以通常需要首先確定可以選用哪些封裝類型，這些封裝能夠在不超出確定的目標成本的情況下支持設(shè)計的 電氣要求。功率MOSFET既有單器件也有雙器件形式，采用多種表面貼裝和通孔封裝類型，支持各種應(yīng)用。除了封裝技術(shù)以外，初步考慮還必須包括器件最大工 作電壓和電流，以及是否需要容忍某些應(yīng)用中可能發(fā)生的雪崩情形，即開關(guān)電感性負載。

雪崩情形可能發(fā)生在關(guān)斷過程中，此時在漏極和源極之 間可能因感生負載而出現(xiàn)高浪涌電壓。這些能量水平隨后可能超過MOSFET的最大額定值。為此，最高通道溫度150°C時的雪崩能量通常被列在制造商的數(shù) 據(jù)表之中。當(dāng)使用這些器件的時候，必須注意不要超過這個最大額定雪崩能量。特殊應(yīng)用中的功率水平將促使設(shè)計人員檢查器件的最大功率耗散，以及安裝在電路上 會對器件產(chǎn)生什么影響。

至于元件的額定功率，必須記住，它的散熱能力受到封裝以外的諸多因素影響。其中包括器件放置在電路板上其它器件 中間會耗散大量功率，封裝的周圍溫度水平，空氣流動情況，以及散熱器的容量(可以加到電路板上的額外的銅面積，用于冷卻較小的SO8或TSSOP類型的元 件)等。

一項具體設(shè)計的工作效率將突顯需要考慮的其它MOSFET參數(shù)，其中包括導(dǎo)通阻抗和柵-源電荷。設(shè)計人員經(jīng)常僅把導(dǎo)通阻抗看作 是MOSFET的質(zhì)量因數(shù)，其實如果利用導(dǎo)通阻抗和柵-源電荷的乘積作為選擇器件的指南可能會更有用處。因為這就需要考慮源電荷對于開關(guān)控制的影響，它可 能影響MOSFET在具體設(shè)計中的總體效率。

源電荷數(shù)量實際上由兩部分組成：柵-源電荷和柵-漏電荷，它們被列在數(shù)據(jù)表之中，用于確定 驅(qū)動MOSFET門電壓所需的電荷數(shù)量。多數(shù)高功率MOSFET的柵-漏電荷多于柵-源電荷，在選擇MOSFET的驅(qū)動方式時(即使用驅(qū)動IC的時候)必 須考慮這點。一旦選定了器件的驅(qū)動方法，就需要仔細研究設(shè)計的布局，它包括考慮驅(qū)動IC上單獨的源和返回路徑，用于功率和信號輸入，將有助于提高電路的總 體抗干擾性。在需要高速開關(guān)的應(yīng)用中，往往需要大驅(qū)動電流，由于電路設(shè)計及功率MOSFET本身中的電感效應(yīng)，流入電路的電流水平可能 導(dǎo)致?lián)p耗增加。這些額外的寄生效應(yīng)可能限制器件有效地開關(guān)的速度。通過重視電路布局使這些效應(yīng)降至最低，以及利用經(jīng)過優(yōu)化以降低電感的MOSFET，能夠 改善電路性能。

另外一個需要考慮的因素是，除了謹慎的電路布局以外，許多應(yīng)用也能因MOSFET門驅(qū)動信號的優(yōu)化而得益，因為它使信號 傳輸時間降至最短。這將使MOSFET在開通或者關(guān)閉時的功率損耗下降。根據(jù)不同的電路配置，經(jīng)常需要能夠以高轉(zhuǎn)換速度提供峰值電流的驅(qū)動器，以確保獲得 最佳可能電路效率。

雙極性晶體管VS MOSFET

自 從IR(INTERNATIONAL RECTIFIED國際整流器公司)發(fā)明了第一個MOSFET（METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管）以來，MOSFET的性能的不斷提高，其在各種應(yīng)用領(lǐng)域得以大量使用；鑒于MOSFET的各種優(yōu)良特性和 良好的前景，各大電子元器件廠家紛紛投入大的人力研發(fā)自己的專利技術(shù)。IR的Direct FET?技術(shù)，Infineon Cool MOS的S-FET?技術(shù),AATI的TrenchDMOS??；伴隨之而來的專利的封裝技術(shù)。研發(fā)的重點依然在Rds(ON)的降低，柵極總電荷Qg的 減少等。

而雙極性晶體管“似乎”被人們越來越“看不起”，被很多人看作是“舊技術(shù)”；甚至有人斷言：不久的將來，MOSFET將完全取代BIPOLAR TRANSISTOR，尤其當(dāng)需要高速度，高效率的時候。這種觀點是站不住腳的；首先，我們可以理解新技術(shù)的產(chǎn)生對業(yè)界產(chǎn)生的推動以及帶來新的設(shè)計線路和 設(shè)計方法；但是沒有一種元器件、一種設(shè)計方法可以滿足所有的應(yīng)用。其次，需要看到雙極性晶體管也在向更高性能不斷發(fā)展，在某些領(lǐng)域同樣有著不可替代的作 用。比如ZETEX，不斷的推出新的高性能的BIPOLAR TRANSISTOR，每一種元器件和技術(shù)都有它的優(yōu)點和缺點,都有它的應(yīng)用領(lǐng)域，本文我們將從幾個大家關(guān)心的方面進行討論。

1．擊穿電壓：

1)對于MOSFET來說，BVDSS（漏源擊穿電壓）在400V~1000V而言，到80年代末，已經(jīng)基本發(fā)展到極至，目前已經(jīng)缺乏技術(shù)飛躍的可能性，Rds(ON)的改善，往往 僅靠早期的大封裝（諸如TO-220,D-Pack等）增大硅晶片的面積來達到；我們知道PLANER技術(shù)的缺點就是Rds(ON)的迅速上 升，Rds(ON)∝BV2.6，功耗增大，這成為MOSFET向高壓發(fā)展的瓶頸。

2)而對雙極性晶體管來說，由于采用的是少子的PLANER導(dǎo)電，相對MOSFET來說，做到高壓容易多了。尤其是作為飽和開關(guān)的時候，集電極區(qū)阻抗的電 導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，極大的降低了Rce(sat),而MOSFET沒有類似的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)。Rce(sat)∝BV2（圖1）

此主題相關(guān)圖片如下：

圖1 ZETEX 3rd 晶體管的Rce(on)vs BV 例： ZETEX的FMMT459，Bvces=450V,Ic=150mA,Rce(sat)typ=1.4ohm,SOT-23封裝；而同樣的參數(shù)的 MOSFET，需要DPAK這樣的大的封裝。下圖（圖2）是20V擊穿電壓條件下，晶體管和MOSFET的導(dǎo)通電阻比較：

此主題相關(guān)圖片如下：

圖2 20V器件的導(dǎo)通電阻比較 3)另一個值得關(guān)注的問題是雙極性晶體管擊穿電壓的雙向性;而MOSFET的擊穿電壓是單向的，這主要是由于體二極管造成的；對MOSFET來說，如果存在反 壓擊穿問題，就需要并聯(lián)反向二極管或者用兩個MOSFET形成MOSFET對，而這當(dāng)然會引起導(dǎo)通損耗增大。

2．大電流：

1）對MOSFET來說，高壓MOS由于受到Rds(ON)的影響，目前作大電流受到一定的限制；而在低壓MOSFET中，現(xiàn)在大多廠家均掌握 Trench MOSFET，縱向技術(shù)的發(fā)展，極低的Rds(ON)，使得Id很容易就達到幾十A，甚至上百A，各種利于散熱的專利封裝空前涌現(xiàn)。低壓大電流MOS已經(jīng) 在通訊、消費、汽車、工控、便攜等電子設(shè)備里廣泛使用；同時涌現(xiàn)出一批專攻低壓大電流MOS的公司，比如臺系排行第三的ANPEC（茂達電子），低壓(<100V)MOS竟然連續(xù)幾年占其業(yè)績的50％以上！

2）對于雙極性晶體管來說，根據(jù)Ic=B*Ib來看，其增大電流Ic的方法就是增大發(fā)達倍數(shù)B。第一種方法就是用達林頓管，通過幾個晶體管的放大倍數(shù)相 乘，達到小的基極電流控制大的集電極電流的目的。其次就是開發(fā)大的放大倍數(shù)（B）的晶體管，諸如ZETEX的Super-B Transistor,單個晶體管就可以達到Ic=10A.（continuous）

3．驅(qū)動電壓：

1）對于電壓型的MOSFET來說，近年來很多廠家推出了許多Vgs(th)低于1V的MOSFET；但是這僅僅是開門電壓，并不意味著它們可以在 Vgs＝Vgs(th)下穩(wěn)定良好的工作，因為要真正達到全增強（FULL ENHANCEMENT），達到象規(guī)格書上標注的Rds(ON),大多標準的MOSFET需要10V左右的Vgs，低Vgs(th)的器件也差不多要 3－5V左右。由此看，大多MOSFET不能用MCU或DSP直接輸出控制。尤其是當(dāng)耐壓增大的時候，絕緣層變厚，需要的導(dǎo)通閥值電壓迅速上升。此 外，Vth受溫度影響較大，4－6mV/度。

第四篇：垃圾分類簡介

簡介

我們每個人每天都會扔出許多垃圾，您知道這些垃圾它們到哪里去了嗎？它們通常是先被送到堆放場，然后再送去填埋。

垃圾填埋的費用是高昂的，處理一噸垃圾的費用約為200元至300元人民幣。人們大量地消耗資源，大規(guī)模生產(chǎn)，大量地消費，又大量地產(chǎn)生著廢棄物。

難道我們對待垃圾就束手無策了嗎？其實，辦法是有的，這就是垃圾分類。垃圾分類就是在源頭將垃圾分類投放，并通過分類的清運和回收使之重新變成資源。

從國內(nèi)外各城市對生活垃圾分類的方法來看，大致都是根據(jù)垃圾的成分構(gòu)成、產(chǎn)生量，結(jié)合本地垃圾的資源利用和處理方式來進行分類。如德國，一般分為紙、玻璃、金屬、塑料等；澳大利亞，一般分為可堆肥垃圾，可回收垃圾，不可回收垃圾；日本，一般分為可燃垃圾，不可燃垃圾，等等。

如今中國生活垃圾一般可分為四大類：可回收垃圾、廚余垃圾、有害垃圾和其他垃圾。目前常用的垃圾處理方法主要有綜合利用、衛(wèi)生填埋、焚燒和堆肥。

1、可回收垃圾主要包括廢紙、塑料、玻璃、金屬和布料五大類。廢紙：主要包括報紙、期刊、圖書、各種包裝紙、辦公用紙、廣告紙、紙盒等等，但是要注意紙巾和廁所紙由于水溶性太強不可回收。塑料：主要包括各種塑料袋、塑料包裝物、一次性塑料餐盒和餐具、牙刷、杯子、礦泉水瓶等。玻璃：主要包括各種玻璃瓶、碎玻璃片、鏡子、燈泡、暖瓶等。金屬物：主要包括易拉罐、罐頭盒、牙膏皮等。布料：主要包括廢棄衣服、桌布、洗臉巾、書包、鞋等。通過綜合處理回收利用，可以減少污染，節(jié)省資源。如每回收1噸廢紙可造好紙850公斤，節(jié)省木材300公斤，比等量生產(chǎn)減少污染74％；每回收1噸塑料飲料瓶可獲得0．7噸二級原料；每回收1噸廢鋼鐵可煉好鋼0．9噸，比用礦石冶煉節(jié)約成本47％，減少空氣污染75％，減少97％的水污染和固體廢物。

2、廚余垃圾包括剩菜剩飯、骨頭、菜根菜葉、果皮等食品類廢物，經(jīng)生物技術(shù)就地處理堆肥，每噸可生產(chǎn)0．3噸有機肥料。

3、有害垃圾包括廢電池、廢日光燈管、廢水銀溫度計、過期藥品等，這些垃圾需要特殊安全處理。

4、其他垃圾包括除上述幾類垃圾之外的磚瓦陶瓷、渣土、衛(wèi)生間廢紙、紙巾等難以回收的廢棄物，采取衛(wèi)生填埋可有效減少對地下水、地表水、土壤及空氣的污染。

[編輯本段] 實行垃圾分類的原因

垃圾處理的方法還大多處于傳統(tǒng)的堆放填埋方式，占用上萬畝土地；并且蟲蠅亂飛，污水四溢，臭氣熏天，嚴重地污染環(huán)境。因此進行垃圾分類收集可以減少垃圾處理量和處理設(shè)備，降低處理成本，減少土地資源的消耗，具有社會、經(jīng)濟、生態(tài)三方面的效益。垃圾分類處理的優(yōu)點如下：

1、減少占地：生活垃圾中有些物質(zhì)不易降解，使土地受到嚴重侵蝕。垃圾分類，去掉能回收的、不易降解的物質(zhì)，減少垃圾數(shù)量達50%以上。



2、減少環(huán)境污染：廢棄的電池含有金屬汞、鎘等有毒的物質(zhì)，會對人類產(chǎn)生嚴重的危害；土壤中的廢塑料會導(dǎo)致農(nóng)作物減產(chǎn)；拋棄的廢塑料被動物誤食，導(dǎo)致動物死亡的事故時有發(fā)生。因此回收利用可以減少危害。

3、變廢為寶：中國每年使用塑料快餐盒達40億個，方便面碗5—7億個，廢塑料占生活垃圾的4—7%。1噸廢塑料可回?zé)?00公斤的柴油。回收1500噸廢紙，可免于砍伐用于生產(chǎn)1200噸紙的林木。一噸易拉罐熔化后能結(jié)成一噸很好的鋁塊，可少采20噸鋁礦。生產(chǎn)垃圾中有30%—40%可以回收利用，應(yīng)珍惜這個小本大利的資源。大家也可以利用易拉罐制作筆盒，既環(huán)保，又節(jié)約資源。

[編輯本段] 世界各國的垃圾分類

垃圾回收作為一種產(chǎn)業(yè)得到了迅速發(fā)展，在許多發(fā)達國家，回收產(chǎn)業(yè)正在全國產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)中占有越來越重要的位置。以美國3個城市巴爾的摩、華盛頓和里奇蒙為例，過去回收垃圾每處理1噸需要花40美圓，分類處理以后，這些回收的垃圾在1995年就創(chuàng)造了5100個就業(yè)機會。在美國這3個城市只是很小的一個地區(qū)，其垃圾回收不僅節(jié)約了處理垃圾的費用，而且創(chuàng)造了5億美圓的財富。

被稱為垃圾生產(chǎn)大國的美國，垃圾分類逐漸深入公民的生活，走在大街上，各式各樣色彩繽紛的分類垃圾桶隨處可見。

政府為垃圾分類提供了各種便利的條件，除了在街道兩旁設(shè)立分類垃圾桶以外，每個社區(qū)都定期派專人負責(zé)清運各戶分類出的垃圾。

居民對政府的垃圾分類工作也表示了極大的支持。這不僅表現(xiàn)在他們每個人對垃圾分類的知識耳熟能詳；而且，在這里為垃圾分類處理出錢，就像為能飲用到潔凈的自來水付費一樣天經(jīng)地義。

垃圾分類不僅是美國那樣的發(fā)達國家的時尚，也是不少發(fā)展中國家的趨勢。在巴西，許多社區(qū)都實行的垃圾分類，這位市長把市政大廳正門口的分類垃圾箱作為該市的榮耀。而附近的二十多個海灘，分類垃圾箱更像是一道美麗的風(fēng)景線。

在菲律賓的一些地方，村民自發(fā)組織起來為清潔自己的生活環(huán)境而努力，垃圾分類是這個運動中的主要內(nèi)容。

不管窮國還是富國，垃圾分類都在成為世界性的潮流，而在這方面曾經(jīng)世界領(lǐng)先的中國，這好的傳統(tǒng)卻幾乎丟失了。垃圾分類對于一向勤儉持家的中國人并不陌生。也許你還記得五六十年代回收廢品的情景：牙膏皮攢起來回收，橘子皮用來制藥，生物垃圾用來做堆肥，廢布頭，墨水瓶等等都能得到再利用。分類后的垃圾，既避免了垃圾公害，又為工農(nóng)業(yè)提供了原料。

如今我們的生活好了起來，于是我們便不再吝嗇賣破爛換回的那幾毛錢。勤儉節(jié)約，廢物利用，這中華民族的傳統(tǒng)美德，現(xiàn)在卻在丟失。我們每個人都是垃圾的制造者，又是垃圾的受害者，但我們更應(yīng)是垃圾公害的治理者，我們每個人都可以通過垃圾分類來戰(zhàn)勝垃圾公害。

[編輯本段] 中國的垃圾分類

1996年12月15日，北京西城區(qū)大乘巷的居民在民間組織地球村的幫助下，從這天起開始垃圾分類。最初的分類桶是居委會成員用省下的年終獎購置的。分類后的垃圾由家委會聯(lián)系的小販和企業(yè)來清運。日復(fù)一日，年復(fù)一年，居民們從未中斷。

作為民間垃圾分類的小小的火種，大乘巷居民的行動燃發(fā)了許多公民的熱情，97年以來，北京的一些大學(xué)、中小學(xué)以及一些退休老人相繼進行垃圾分類嘗試。在中國少年報知心姐姐和一位從德國留學(xué)歸來的女博士的幫助下，這些“手拉手地球村”的孩子們還用回收換來的錢建立了一所學(xué)校。

市民和孩子們的行為引起了政府有關(guān)部門的關(guān)注。宣武區(qū)環(huán)衛(wèi)局率先行動，于97年秋開始宣武區(qū)垃圾分類回收系統(tǒng)的試點工作。宣武區(qū)文明辦和街道以及民間組織地球村給予積極配合。

99年4月23日，宣武區(qū)白紙坊的建功南里小區(qū)社區(qū)像過節(jié)一樣熱鬧，中國首家垃圾分類回收系統(tǒng)正式啟動。從這天起，居民將改變垃圾混扔的方式而按照有機類，無機類和棄土類分類投放，政府環(huán)衛(wèi)部門改變混運的方式而分類清運，分揀和回收。它意味著在這里丟失多年的老傳統(tǒng)，終于被揀了回來。

在這場人與垃圾的戰(zhàn)役中，人們把垃圾從敵人變成了朋友。有人曾經(jīng)把垃圾比喻成放錯地方的資源。讓我們到宣武區(qū)再生資源分揀站看一看，垃圾一旦回到應(yīng)有的位置，會有什么樣的用處？

每天被我們丟棄的可樂瓶和被稱為白色垃圾的塑料袋、一次性塑料餐盒，屬于高分子聚合有機物，如果埋在地下的話，就是200年也爛不掉，它還會使土壤板結(jié)，降低土壤的肥力，甚至使土壤失去耕種的能力。在我們的生活中，經(jīng)常會扔掉各種各樣的廢塑料。廢塑料處理后還可制成紐扣、筆筒等用品。廢塑料也是煉油的好原料。有人曾經(jīng)形象地將它們比作“二次油田”。1噸廢塑料至少能回?zé)?00公斤的汽油和柴油。

在回收站，我們看到各種各樣的廢紙被送到這里，包括這些不起眼的小紙片……我們知道，好的紙張是用木材造成的，一噸廢紙可再造700公斤好紙，可少砍17棵大樹，還能減少生產(chǎn)紙漿過程中的。

可是由于我國廢紙的回收率還很低，只有20%左右，每年不得不大量進口廢紙 僅96年就進口廢紙137萬噸。大家也許還記得20世紀80年代，轟動一時的“洋垃圾”事件，那一船就是打著進口廢紙的旗號混進來的。

洋垃圾被趕走了，卻留下了反思，我們?yōu)槭裁匆獜膭e的國家進口廢紙來做造紙的原料？為什么我們不能最大限度的回收廢紙，而是聽任他們混在垃圾里埋掉或者是燒掉？中國的林木資源只有世界平均值的1/4，中國的江河湖泊已由于早制的污水排放而嚴重污染。如果按照每人每周扔掉各種廢紙平均半公斤的話，那么僅北京一個城市一周就要扔掉廢紙6000多噸。

中國有著回收廢品的歷史傳統(tǒng)，我們過去回收廢物，或許只是受貧困經(jīng)濟制約的不得已的手段；在逐漸富裕的今天，我們回收廢紙，則是保護環(huán)境的自覺意識和行動。因為我們清楚的知道，我們所撿回來的不止是一張張的廢紙，那是我們的子孫安身立命的森林和河流。

垃圾，只有在混在一起的時候才是垃圾，一旦分類回收就都是寶貝，就連那種被成為微型殺手的廢電池也是可以被化害為利的。在這個不起眼的照相館，我們看到這樣的廢電池回收箱。而我們生活中用的電池，一般都含有汞或鎘等有毒的重金屬，這些重金屬如果留在地下就很容易通過雨水的淋溶，進入到地下水當(dāng)中。

這種污染是很難排除，生物學(xué)半衰期大概是30年，也就是你30年才能排出一半。因此這個對人的危害特別大。廢電池里含有多種有用的金屬礦才，回收利用的價值很高。

正因為廢電池有嚴重的危害和特別的回收價值，許多國家嚴禁它們在與垃圾混置，日本的社區(qū)專門有這種黃色的桶，將紐扣電池等分別投放。

從97年以來，北京的一些市民和學(xué)生也行動起來，自發(fā)自覺地分類投放和搜集廢電池，人民大學(xué)的青年志愿者還幫助京城一家連鎖店設(shè)置了廢電池回收箱。

作為對公民運動的積極回應(yīng)，北京市環(huán)衛(wèi)局成立了專門的廢電池回收點，對廢電池進行回收并集中進行無害化處理。

你知道什么是生物類垃圾嗎？生物垃圾就是剩飯生菜，蛋殼果皮，菜幫菜葉一類的廚房垃圾。這些看似無奇的廢物可以作什么呢，原來它們卻可以用來制造很好的有機肥料。像槐柏樹小區(qū)里這臺大納夢生物垃圾處理機，就可以將生物垃圾烘干，粉碎，制成高效的有機肥料。居民可以用它種花養(yǎng)草。

用他們施種出的蔬菜，比起化肥食品來，既安全又健康，在超市還挺受歡迎。生物垃圾通常占了垃圾總量的40%，如果他們都能變成有機肥，既省下用做填埋場的土地，又節(jié)約運送他們的車輛和能源，還防止他們滋生蚊蠅和細菌。有關(guān)專家商量建議政府在所有的小區(qū)安裝上生物垃圾處理機并在新建小區(qū)建立處理生物垃圾的工作房。

那個時候，我們便可以看到，垃圾分類創(chuàng)造的是一個無垃圾的社會，一個使資源循環(huán)再生的社會，而這一切只需要我們的舉手之勞。

只有這樣才可以讓我們的社會更加美麗。

垃圾分類Refuse sorting

第五篇：搬家物品分類簡介

搬家之前，往往需要對自己的搬遷裝箱用品進行詳細的劃分，這樣做的目的就是防止在運輸?shù)倪^程之中由于車輛工具的晃動、剎車導(dǎo)致的慣性只是搬運的用品出現(xiàn)損壞、磨損、磕碰等現(xiàn)象，也是對消費者私人用品的一種保護措施，同時也反應(yīng)了一家正規(guī)搬運公司服務(wù)態(tài)度、做事細節(jié)是否合理、是否認證。對此，本文在這里與各位搬家行業(yè)的消費者與運輸者共同分享搬家前用品歸類的14個要點。

1、水花盆、盆栽前一天先澆上充足的水，為了不致于流失泥土先用報紙將花盆包好再放入厚紙?箱里面，輕輕蓋上紙蓋即可，若是盆栽，先要用木棒將枝桿綁好固定，然后才放入紙箱內(nèi)比較好。

2、書本、雜志?將書本十字型地捆好，轉(zhuǎn)折的地方用厚紙皮保護。

3、鍋類先用報紙包裹從大到小重疊。用繩穿過鍋把打成十字交叉。?

4、照明器具先將燈具裝箱，并且在燈具周圍放些報紙讓其固定;不用封盒，使搬運者能看見微波爐、烤箱裝臬后，割開一孔讓人能看見饈內(nèi)的物品。音響用毛巾等物品包好裝箱來保護，用膠帶固定放片匣等主機。?

5、床頭柜拆取下業(yè)的螺絲零件裝塑膠袋里封口，用雙面膠在床頭板粘住，以免遺落。?桌子先用厚紙皮將四個桌角用膠帶固定保護，再用繩包裹桌角以防止損壞。

6、櫥柜先將抽屜里的物品取出，再用膠帶將各抽屜貼好固定;取出的物品再裝入紙箱、搬運起來非常方便。

7、梳妝臺為了讓搬運者知道有面鏡子，所以要用透明發(fā)泡布將鏡面包好，化妝品用紙包好分別裝入塑膠袋內(nèi)。?

8、畫類用美工刀在紙袋的兩邊各割上三條痕，就可將所有的廣告用紙或畫卷好置于紙袋的兩側(cè)搬運。袋子里還可放其他的東西。?

9、冰箱搬家前一天將插頭拔去，除霜以去水份，搬移新居定位后，請放置30分鐘后再行通電。

10、電視機先用棉被捆邦于螢?zāi)簧媳Ｗo;再用膠帶將電視插頭綁好固定。?

11、電腦把你的所有文檔都存入軟盤或壓縮文件，用電腦專用的箱子和保護材料裝好，要注意遠離電視、音響和其他一些可能產(chǎn)生磁場的電器;若沒有，要用泡沫塊裝好并放入紙箱里(比如聚笨乙?烯沫塑料、毯子、折皺的紙等)，在外面注明電腦。?打印機?用原來的箱子裝好，把調(diào)色板和托盤從激光器或噴墨打印機上取下業(yè)，再用一張紙插?入針打印機的壓紙卷筒內(nèi)。

12、狗與貓車長途運送的時候，動物可能會因暈車而發(fā)生嘔吐的現(xiàn)象，所以搬家的前一天晚上以及搬家當(dāng)天早晨盡量不喂東西。

13、鳥在鳥籠里放入含水的脫水棉，為了不會驚動鳥，蓋上布后再輕輕地搬移。?

14、玻璃用品的歸類，觀賞魚把魚裝入一些大的塑料袋內(nèi)，袋內(nèi)水和空氣各半。把袋子放入二個絕緣容器內(nèi)。較大?的魚可放入封閉的水桶內(nèi)，并要盡量保持恒溫。

搬家前用品歸類的14個要點就介紹到這里，希望對需要搬遷的用戶有所幫助，事前做好這些用品的分類明細工作，搬運到新的目的地之后，在擺放、重新安置的過程中就不會出現(xiàn)混亂不堪、沒有頭緒等盲目性，同時也能更快的讓新的居室環(huán)境重新被布置出來。

參考資料：http://www.tmdps.cn/newsinfo.asp?id=335