第一篇：半導體工藝工程師見習期小結

見習期小結

2011年03月，我有幸進入無錫華潤上華科技有限公司。作為華潤集團旗下的華潤微電子有限公司的分公司之一，我們公司是8寸半導體芯片生產企業，年產2萬片芯片。作為一名擴散部爐管科的工藝工程師，我們的職責就是解決在線異常問題，培訓一線員工正確操作，提高產品的質量、穩定性和良率，改進工藝，降低生產成本，提高設備使用率，提高產能。一眨眼，一年的見習期轉瞬即逝。在這近一年里我深刻體會到了作為一名工藝工程師的艱辛和快樂，以下是我見習期工作小結。

一、保持良好的心態、努力提高自身各方面能力。

每個企業都有自己的企業文化，為了讓我們盡快融入華潤這個大家庭，華潤集團組織新員工參加未來之星訓練營，使我們了解企業的發展歷史，企業的宗旨和目標；組織軍訓，鍛煉我們的紀律性和韌性；邀請成功人士和學者現身說法，使我們保持良好的心態，規劃自己的未來，尋找成功的方法，克服不良的習慣，教會我們合理分配時間和安排工作。訓練營的所見所聞，改變了我，使我在日常的工作中受益匪淺。在工作中，我時刻提醒自己要保持良好的心態，不抱怨，積極主動的去解決問題；虛心學習，勤做筆記，經常總結，不斷提高自身各方面的能力。

二、虛心學習，進益求精

工作中，各個師傅傾囊相授，把自己幾十年的經驗悉心傳授，教我要膽大心細，精益求精。為防止出差錯，我做過的事情，自己會檢查，師傅們也都會再檢查一遍，即使他們自己做的事，他們也會讓其他人幫忙檢查，切實落實了自檢和互檢制度。別的部門出現的錯誤，我們也會檢查我們是否有相似的問題，然后制定措施進行整改。例如之前有個部門因為之前設置的報警限值在修改工藝菜單后失效，導致公司損失很大。我們領導就組織大家檢查每個工藝的菜單，根據實際情況重新設定每個工藝的報警限值，這個工作一下持續了將近半個月。正是因為大家的精益求精，我們部門年終獲得公司的質量明星獎。在大家的影響下，我也養成了自查和互查的習慣，工作中精益求精，我相信這個習慣會使我受益終生。

二、舍得吃苦，努力才會有收獲

我們公司是24h不間斷生產，生產不停，我們工藝工程師也得24h值班，因此要值夜班。剛開始跟著師傅上夜班，有點不適應，后來在同事的幫助下，我很快就適應了上夜班。剛來時感覺什么都不會，就當師傅的跟班。生產線上生產任務重，每個人的工作量都比較大，在凈化間里，師傅走的很快，我幾乎是一路小跑，就這樣還跟丟了好幾次。剛開始師傅讓學習的東西，我都不知道為什么要學習，到后來我會主動去尋找相關的資料去學習，我知道我已經認清自己的工作了。在這一年里，我從最初的跟班開始，到現在能夠獨擋一面，離不開各位師傅的悉心教導，也離不開領導的關懷和指點。我自身各方面都還有很大的不足，需要改進和學習的地方還很多，我現在需要做的就是多做事，不論大事小事，每多做一件事情必然會多學到一些知識，必然會積累經驗。只有付出，才會有收獲，只有學習才會進步。

三、放低姿態，協調好各方面的關系。

生產線上的每個工作都是必不可少的，都會受前段工序的影響，也會影響下端工序的進度。在半導體芯片生產企業，由于產品種類很多，每批產品的工序都不一樣，因此接觸的部門也不一樣。我們需要和公司各個部門打交道。只有溝通良好，才能保證工作的順利進行。剛開始我覺得工作各有分工，大家各盡其責。但工作中，我發現，即使是同一件事，不同的人協調，效果就不一樣。有的人說話很有執行力，有的人說話別人卻當耳旁風。我發現你想讓別人盡快完成你吩咐的事情，你就要有權威或彼此關系融洽。因此在工作上，我就放低姿態，虛心向大家學習，偶爾請大家喝飲料或聊聊天，盡量協調好各方面的關系。

四、奮發圖強，努力提高自我。

在過去的一年中，在領導的關懷和同事們的支持與幫助下，經過不斷努力，我現在能夠獨擋一面，但是仍存在著一些不足，在今后的工作中，自己要加強學習、克服缺點，力爭使自己的專業技術水平能夠不斷提高。同時我清楚地認識到，為適應新的發展形勢，我還要不斷地加強理論學習，尤其是新技術、新理論的學習，勤奮工作，在實際工作中鍛煉和成長，不斷積累工作經驗，提高業務能力和工作水平，為公司的發展做出自己新的、更大的貢獻。

六、致謝。

我能適應當前的工作，并能取得不斷的進步，是和各位領導和各位師傅無私的幫助和關懷分不開的，在此表示感謝。感謝各位領導，輔導我做好年度工作規劃；感謝各位師傅，教會我各種工作方法和解決工作中的各種難題。

第二篇：半導體工藝工程師見習期小結

見習期小結

2011年03月，我有幸進入無錫華潤上華科技有限公司。作為華潤集團旗下的華潤微電子有限公司的分公司之一，我們公司是8寸半導體芯片生產企業，年產2萬片芯片。作為一名擴散部爐管科的工藝工程師，我們的職責就是解決在線異常問題，培訓一線員工正確操作，提高產品的質量、穩定性和良率，改進工藝，降低生產成本，提高設備使用率，提高產能。一眨眼，一年的見習期轉瞬即逝。在這近一年里我深刻體會到了作為一名工藝工程師的艱辛和快樂，以下是我見習期工作小結。

一、保持良好的心態、努力提高自身各方面能力。

每個企業都有自己的企業文化，為了讓我們盡快融入華潤這個大家庭，華潤集團組織新員工參加未來之星訓練營，使我們了解企業的發展歷史，企業的宗旨和目標；組織軍訓，鍛煉我們的紀律性和韌性；邀請成功人士和學者現身說法，使我們保持良好的心態，規劃自己的未來，尋找成功的方法，克服不良的習慣，教會我們合理分配時間和安排工作。訓練營的所見所聞，改變了我，使我在日常的工作中受益匪淺。在工作中，我時刻提醒自己要保持良好的心態，不抱怨，積極主動的去解決問題；虛心學習，勤做筆記，經常總結，不斷提高自身各方面的能力。

二、虛心學習，進益求精

工作中，各個師傅傾囊相授，把自己幾十年的經驗悉心傳授，教我要膽大心細，精益求精。為防止出差錯，我做過的事情，自己會檢查，師傅們也都會再檢查一遍，即使他們自己做的事，他們也會讓其他人幫忙檢查，切實落實了自檢和互檢制度。別的部門出現的錯誤，我們也會檢查我們是否有相似的問題，然后制定措施進行整改。例如之前有個部門因為之前設置的報警限值在修改工藝菜單后失效，導致公司損失很大。我們領導就組織大家檢查每個工藝的菜單，根據實際

情況重新設定每個工藝的報警限值，這個工作一下持續了將近半個月。正是因為大家的精益求精，我們部門年終獲得公司的質量明星獎。在大家的影響下，我也養成了自查和互查的習慣，工作中精益求精，我相信這個習慣會使我受益終生。

二、舍得吃苦，努力才會有收獲

我們公司是24h不間斷生產，生產不停，我們工藝工程師也得24h值班，因此要值夜班。剛開始跟著師傅上夜班，有點不適應，后來在同事的幫助下，我很快就適應了上夜班。剛來時感覺什么都不會，就當師傅的跟班。生產線上生產任務重，每個人的工作量都比較大，在凈化間里，師傅走的很快，我幾乎是一路小跑，就這樣還跟丟了好幾次。剛開始師傅讓學習的東西，我都不知道為什么要學習，到后來我會主動去尋找相關的資料去學習，我知道我已經認清自己的工作了。在這一年里，我從最初的跟班開始，到現在能夠獨擋一面，離不開各位師傅的悉心教導，也離不開領導的關懷和指點。我自身各方面都還有很大的不足，需要改進和學習的地方還很多，我現在需要做的就是多做事，不論大事小事，每多做一件事情必然會多學到一些知識，必然會積累經驗。只有付出，才會有收獲，只有學習才會進步。

三、放低姿態，協調好各方面的關系。

生產線上的每個工作都是必不可少的，都會受前段工序的影響，也會影響下端工序的進度。在半導體芯片生產企業，由于產品種類很多，每批產品的工序都不一樣，因此接觸的部門也不一樣。我們需要和公司各個部門打交道。只有溝通良好，才能保證工作的順利進行。剛開始我覺得工作各有分工，大家各盡其責。但工作中，我發現，即使是同一件事，不同的人協調，效果就不一樣。有的人說話很有執行力，有的人說話別人卻當耳旁風。我發現你想讓別人盡快完成你吩咐的事情，你就要有權威或彼此關系融洽。因此在工作上，我就放低姿態，虛心向大家學習，偶爾請大家喝飲料或聊聊天，盡量協調好各方

面的關系。

四、奮發圖強，努力提高自我。

在過去的一年中，在領導的關懷和同事們的支持與幫助下，經過不斷努力，我現在能夠獨擋一面，但是仍存在著一些不足，在今后的工作中，自己要加強學習、克服缺點，力爭使自己的專業技術水平能夠不斷提高。同時我清楚地認識到，為適應新的發展形勢，我還要不斷地加強理論學習，尤其是新技術、新理論的學習，勤奮工作，在實際工作中鍛煉和成長，不斷積累工作經驗，提高業務能力和工作水平，為公司的發展做出自己新的、更大的貢獻。

六、致謝。

我能適應當前的工作，并能取得不斷的進步，是和各位領導和各位師傅無私的幫助和關懷分不開的，在此表示感謝。感謝各位領導，輔導我做好工作規劃；感謝各位師傅，教會我各種工作方法和解決工作中的各種難題。

第三篇：初級工程師見習期工作小結

初級工程師見習期工作小結

晉升助理工程師個人見習期工作總結

歲月如梭，光陰似箭，不知不覺中我已在工作一年半了。這一年半的光陰對于人的整個生命來說只不過是短暫的幾十分之一，不應該太過留戀。但是，這一年半的光陰對于我這個剛剛走入社會踏上工作崗位的的學生來說可以用“意義非凡”四字來概括。在這近一年里我深刻體會到了做為一個企業員工的艱辛和快樂，要成為一個好的企業員工的痛苦和壓力。而今再回首，才深知人生過渡時百般艱難，有一天驀然回首已飛越千山。

以下是我見習期工作小結，總的來說，收獲不小，感觸良多。

一.保持心態、擺正位置、遵章守紀、努力提高自身各方面能力。

保持良好的心態、擺正學習者的位置，嚴格遵守公司各部門的規章制度，是剛畢業大學生干好工作的重要前提條件。我明白，作為一名新進企業的大學生，現在的我自身各方面都還有很大的不足，提升的空間是巨大的，現在應該是我們付出、奉獻、努力學習的階段。文憑高并不代表水平高，更不代表工作能力強，要把書本知識靈活運用到工作實踐之中還有一個漫長的過程。在工作中，我發現，一些老師傅，文憑水平并不高，但實際工作的能力很強，分析現場問題往往一針見血，這些非常值得我學習和領會，他們的豐富經驗就是一筆寶貴的財富，就是我學習的源泉;“事無巨細，必盡全力”，不論大事小事，每多做一件事情必然會多學到一些知識，必然會積累經驗。“積小流成江河”，通過一年半的工作學習，我各方面能力都得到了不小的提高。這也是我最欣慰的地方。

二.奮發有為，努力才會有收獲。

“態度決定一切”，朝氣蓬勃、積極向上的人生態度，不但能使別人對你刮目相看，更重要的是能促使自己不斷努力，積極面對工作中出現的難題，去研究、去分析、去解決。我們剛從大學出來，有的是激情澎湃，熱血沸騰，那就應該時刻保持一種奮發有為的精神狀態，全身心地投入到工作中去，不斷努力，才能有收獲。這一年半的工作經歷使我理解了成語“厚積薄發”的內涵，沒有長時間的磨煉和積累，難以成就一番事業。在基層工作就是一個積累的過程，積累經驗，充實人生;也是一個沉淀的過程，沉淀知識，融匯貫通;更是一個提高能力的過程，增長才干，日漸成熟。我無比珍惜現在這段時間，將繼續努力工作，并將牢牢把握自我，爭取超越自我，從而走向成功。

三.對公司的建議

隨著社會的發展，人們對質量的要求越來越高，質量是一個企業生存和發展的堅實基礎。質量的提高靠工人的總體素質和技術管理水平的提高，為能夠面對更加激烈的競爭，培養高素質、高水平的專業技工和管理人員是公司的重點。

人的一生在歷史的長河中顯得如此短暫，那么，人活一世究竟為了什么?每個人都有自己不同的看法。我認為，為了體現自己的價值，為了證實自己的價值，那么，才不枉此生。而自我的價值是體現在平時你所對待的每件事中，更是集中體現在你的工作中。

助理工程師工作總結

時光飛逝，從畢業后參加工作到現在馬上就有一年的時間了。在這近一年的工作過程中我不僅加深了對原來學習的知識理解，而且對以前書本中沒有接觸或接觸不深的知識有了進一步的認識。工作以來，在單位領導的精心培育和教導下，通過自身的不斷努力，無論是思想上、學習上還是工作上，都取得了長足的發展和巨大的收獲，現將工作總結

思想上，堅持認真學習馬列主義、毛澤東思想、鄧小平理論和“三個代表”重要思想，堅持實事求是，不斷提高自己的政治思想覺悟與水平，不斷地探索與追求。

學習上，自參加工作以來我一直嚴格要求自己，認真對待自己的工作，自身很好的為自己定位，盡管來到了新疆這塊離家鄉遙遠的地方工作，條件很艱苦，但對我們年青人來說，也不失為一次鍛煉自我，挑戰自我的機遇。理論來源于生活高于生活更應該還原回到生活，在新疆這樣的一個地方，還有許多值得我們來發現的好東西，值得我們來深究學習的地方。工作中我時刻牢記要在工作中不斷地學習，將理論與實際的工作很好的結合在一起。在工作中不斷地改變自我，適時地對自己提出不同的要求，在工作中不斷總結經驗，提升自身工作能力的同時，在工作中不斷地學習，也在工作中逐漸的成長。

工作中，在到達新疆后第一個任務就是被安排到骨料工區現場，跟隨現場的工作人員一起工作，隨后就被安排到電工班跟班鍛煉。這期間一直兢兢業業地配合現場的電工師傅工作，聽從電工師傅的安排，很好的幫助電工師傅完成了工作任務的同時，我也被正式安排到骨料工區當技術員。為了能在最短的時間內進入到技術員的狀態以便在今后的工作中能更好的完成本職工作，在工作之余四處收集資料，并多方面向前輩們打聽骨料工區的生產運作、機器設備情況。從一開始被正式通知留在骨料工區當技術員開始，我就知道自己的擔子很重，我時刻牢記這句話“要給別人一碗水,自己就要有一桶水”。因為我知道要想成為一名合格的技術員不是一件容易的事，作為一名技術員不僅僅要能處理現場辦公室的事情，更重要的是要能解決現場出現的問題，對現場的機器設備運行及維護要做到心中有數。為了能提高生產效率，我們就不得不來做好機器設備的保養，而他的前提就是要把機器設備的問題提前處理好，把問題解決在無行中。這就要求技術員能很好的發現問題，從而及時地解決問題，以求達到機器設備的檢修不影響到正常的生產任務。

目前，我所在的項目部應業主的要求又在我所在的骨料工區補充了一個制石粉工段，目前正在緊張的施工階段。我們工區作為負責石粉的生產和運作的直接參與者，正在積極的為制石粉設備的安裝做好充分的籌備工作。作為工區的技術員來說我有責任和義務為設備的進場能順利安裝做好十足的準備。為了能更好的完成設備的安裝調試任務，我正積極的和設備的供應商一起努力，以求能順利的、保質、保量的完成任務。設備的安裝期間，讓我深深的感到，一套生產設備能順利地投入到生產的環節中，其所要做的前期工作是多么復雜，我有幸能參與其中真是我的榮幸，這期間我付出了很多，但我同樣也收獲不少，我樂在其中。

通過近一年的工作時間，我對工區現場的運作越來越清晰，對機器設備也越來越熟悉，與工區的同事們也是越來越親近，在大半年的時間內已逐漸的與骨料工區融為一體。另外對工程建設當中的人工骨料生產環節有了整體的認識，在了解這套系統的同時，也在逐步的提高自身對這套設備及自動控制的認識，在新疆工作的這段時間內我的個人工作能力有了一定的提高，這和領導的關心以及身邊同事的幫助是分不開的，在今后的工作中我會繼續努力，再接再厲，嚴格要求自己，不斷求實創新，不斷磨煉自己，盡我所能把工作做好，爭取取得更大的成績。

第四篇：半導體工藝教案第八章

第九章 摻雜

【教學內容及教學過程】 8.1 引言

8.1.1 刻蝕的概念

刻蝕（Etching）是把進行光刻前所淀積的薄膜（厚度約在數百到數十納米）中沒有被光刻膠覆蓋和保護的部分，用化學或物理的方式去除，以完成轉移掩膜圖形到薄膜上面的目的，如圖8?1所示。

圖 8-1 刻蝕圖形轉移示意圖

1)濕法刻蝕是利用合適的化學試劑將未被光刻膠保護的晶圓部分分解，然后形成可溶性的化合物以達到去除的目的。

2)干法刻蝕是利用輝光(Glow Discharge)的方法產生帶電離子以及具有高濃度化學活性的中性原子和自由基，這些粒子和晶圓進行反應，從而將光刻圖形轉移到晶圓上。8.1.2 刻蝕的要求 1.圖形轉換的保真度高 2.選擇比 3.均勻性 4.刻蝕的清潔 8.2 刻蝕工藝 8.2.1 濕法刻蝕

最早的刻蝕技術是利用溶液與薄膜間所進行的化學反應，來去除薄膜未被光刻膠覆蓋的部分，從而達到刻蝕的目的。這種刻蝕方式就是濕法刻蝕技術。濕法刻蝕又稱濕化學腐蝕，其腐蝕過程與一般化學反應相似。由于是腐蝕樣品上沒有光刻膠覆蓋部分，因此，理想的腐蝕應當是對光刻膠不發生腐蝕或腐蝕速率很慢。刻蝕不同材料所選取的腐蝕液是不同的。1)濕法刻蝕的反應生成物必須是氣體或能溶于刻蝕劑的物質，否則會造成反應生成物沉淀，從而影響刻蝕正常進行。

2)濕法刻蝕是各向異性的，刻蝕中腐蝕液不但浸入到縱向方向，而且也在側向進行腐蝕。3)濕法刻蝕過程伴有放熱和放氣過程。1)反應物擴散到被刻蝕材料的表面。2)反應物與被刻蝕材料反應。

3)反應后的產物離開刻蝕表面擴散到溶液中，隨溶液被排除。8.2.2 干法刻蝕

干法刻蝕是以等離子體來進行薄膜刻蝕的一種技術。在干法刻蝕過程中，不涉及溶液，所以稱為干法刻蝕。

1)物理刻蝕是利用輝光放電將氣體(比如氬氣)解離成帶正電的離子，再利用偏壓將帶正電的離子加速，轟擊在被刻蝕薄膜的表面，從而將被刻蝕物質的原子轟擊出去。2)化學刻蝕又叫做等離子刻蝕，它與物理刻蝕完全不同，它是利用等離子體，將反應氣體解離，然后借助離子與薄膜之間的化學反應，把裸露在等離子體中的薄膜，反應生成揮發性的物質而被真空系統抽離。1.等離子體的概念 2.等離子體的產生方式

(1)氣體放電法 通常把在電場作用下，氣體被擊穿而導電的現象稱為氣體放電。

(2)射線輻照法 射線輻照法是利用各種射線或粒子束輻照，使得氣體電離而產生等離子體。8.2.3 兩種刻蝕方法的比較

濕法刻蝕是在水溶液下進行的，所以刻蝕速度較快，同時選擇度較高，但刻蝕時是各向同性腐蝕，也就是說，除了在縱向進行腐蝕以外，在橫向上也會有腐蝕，這樣就造成圖形轉換時保真度較低，因此，濕法刻蝕不能滿足超大規模集成電路制造的要求。

圖8-2 干法刻蝕與濕法刻蝕效果的比較 8.3 干法刻蝕的應用 8.3.1 介質膜的刻蝕

集成電路工藝中所廣泛用到的介質膜主要是SiO2膜及Si3N4膜。1.二氧化硅的干法刻蝕

圖8-3 HWP結構圖 8.3 干法刻蝕的應用

圖8-4 等離子體擴散腔外圍磁場(1)氧的作用 在CF4中加入氧后，氧會和CF4反應釋放出F原子，因而增加F原子的含量，則增加了Si與SiO2的刻蝕速率，并消耗掉部分C，使得等離子體中碳與氟的比例下降。

圖8-5 所占百分比與Si和Si的 刻蝕速率的關系

(2)氫的作用

圖8-6 所占百分比與Si和Si刻速率的關系

(3)反應氣體 在目前的半導體刻蝕制備中，大多數的干法刻蝕都采用CHF3與氯氣所混合的等離子體來進行SiO2的刻蝕。2.氮化硅(Si3N4)的干法刻蝕

圖8-7 圓筒形結構示意圖 8.3.2 多晶硅膜的刻蝕

在MOS器件中，柵極部分起著核心的作用，因此柵極的寬度需要嚴格控制，因為它代表了MOS器件的溝道長度，從而與MOS器件的特性息息相關。因此，多晶硅的刻蝕必須嚴格地將掩膜上的圖形轉移到多晶硅薄膜上。此外，刻蝕后的輪廓也很重要，如柵極多晶硅刻蝕后側壁有傾斜時，將會遮蔽源極和漏極的離子分布，造成雜質分布不均勻，通道的長度將隨傾斜程度的不同而改變。同時，刻蝕時要求Si對SiO2的選擇性要高，如果多晶硅覆蓋在很薄（小于20nm）的柵極氧化層上，如果氧化層被穿透，氧化層下面的源—漏極間的Si將很快被刻蝕。因此，若采用CF4、CF6等氟離子為主的等離子體來刻蝕多晶硅，則不太合適，較低的選擇比會對器件造成損壞。

除此之外，此類氣體還具有負載效應，負載效應是指當被刻蝕的材料裸露在等離子體中的面積較大的刻蝕速率比面積小的慢，也就是局部腐蝕速率不均勻。8.3.3 金屬的干法刻蝕

金屬鋁是目前半導體器件及集成電路制造中應用最多的導電材料。因為鋁的導電性能良好，價格低廉，而且鋁膜的淀積和刻蝕都比較方便，所以鋁電極幾乎占了所有半導體器件及集成電路中的導電體。但是，隨著元器件的集成度和工藝的進一步提高，采用金屬鋁作為電極引線也遇到了困難。這是由于在高溫下，硅原子和鋁原子容易向彼此間擴散，從而產生被稱為“尖刺”的現象，導致鋁引線與MOS管接觸不好。此外，當鋁線線條寬度設計得十分細小時，由于“電遷移”現象，引發鋁原子的移動，使得鋁絲斷開。因此，后來，人們采用銅線來取代鋁線，也有采用鋁?硅?銅合金來代替金屬鋁。但是，鋁還是目前集成電路和半導體器件中主流的導電引線。1.鋁的刻蝕 2.鋁合金的刻蝕

1)將晶圓以大量的去離子水清洗。2)刻蝕之后，晶圓還在真空中時以氧氣等離子體將掩膜去除并在鋁合金表面形成氧化層來保護鋁合金。

3)在晶圓移出刻蝕腔前，以氟化物的等離子體做表面處理，如CF4、CHF3，將殘留的氯置換成氟，形成AlF3,或在鋁合金表面形成一層聚合物來隔離鋁合金與氯的接觸。3.鎢的回蝕 4.銅的腐蝕

8.3.4 光刻膠的去除

晶圓表面薄膜材料腐蝕完畢，必須將光刻膠去除掉，這一工序稱為去膠。常用的去膠方法有溶劑去膠、氧化去膠和等離子體去膠。下面分別加以闡述。1.溶劑去膠 2.氧化去膠 3.等離子體去膠

圖8-8 等離子體去膠設備示意圖

1)系統真空度要達到3×12-2Torr(1Torr=133.322Pa)，然后通入氧氣，并用針型閥門調節流量。2)高頻信號源的頻率是11~12MHz，輸出功率為150~200W。3)通入氧氣的流量

8.4 干法刻蝕的質量控制 分析光學放射原理

圖8-9 光學放射頻譜 1.光學放射頻譜分析 2.激光干涉測量

圖8-10 激光干涉測量圖形

1)激光束要聚焦在晶圓的被刻蝕區，且該區域的面積應足夠大。2)必須對準在該區域上，因而增加了設備鏡片的設計難度。8.4 干法刻蝕的質量控制

3)被激光照射的區域溫度升高而影響刻蝕速率，造成刻蝕速率與不受激光照射區域的不同。4)如果被刻蝕的表面粗糙不平，則所測得的信號將很弱。3.質譜分析

1)部分物質的質量/電荷比相同，如N2、CO、Si等，使得檢測同時擁有這些成分的刻蝕時無法判斷刻蝕是否完成。

2)從空腔取樣的結果會影響刻蝕終點的檢測。3)設備不容易安裝到各種刻蝕機上。【作業布置】

【課后分析】

第五篇：半導體工藝實習心得體會

半導體工藝實習心得體會

12023110 王寧

這是我們第一次參加工藝實習，這讓我不免有些好奇和激動。

記得大一新生研討課的時候參觀過我們的工藝實習間，這次又來，故并沒有感到這個工藝間很陌生。說實在的，就在進入工藝間并換好行頭后，自己真的有種要兢兢業業干一番事業的感覺了，但在之后的對準練習這個環節，我深深的懷疑了自己的能力。

由于組內男生較多，所以很多體力活他們都主動承擔了，特別感謝他們。組長主動擔任起最危險的煮王水的這一道工藝，細心的李軍和魏行則進入光刻間進行光刻和甩膠的任務。記得我第一次嘗試光刻對準這道工序的時候，對的一點都不準，之后對照著老師對準的模版，才把握住這道工藝的要領，笨鳥就要多練習，漸漸的我在練習中也增長了經驗。

甩膠這一步，首先是自己不能緊張，手越抖，膠就越不能滴準到吸盤的正中心，也就甩不均勻。而且一定要心細，時刻注意保護光刻膠，不能讓它曝光。接著就是擴散的工藝，因為加熱設備溫度能達到上千度，爐口的溫度也很高，所以在送、取硅片的時候都要在高溫下保持住平穩，這樣硅片才能正正的放進爐中。

工藝實習雖然很短暫，但就在這么短暫的兩天的時間里，真的要比在課堂上聽兩天的課學到的多。