第一篇：半導體術語解釋小結
第一章 固體晶體結構
小結
1.硅是最普遍的半導體材料
2.半導體和其他材料的屬性很大程度上由其單晶的晶格結構決定。晶胞是晶體中的一小塊體積，用它可以重構出整個晶體。三種基本的晶胞是簡立方、體心立方和面心立方。3.硅具有金剛石晶體結構。原子都被由4個緊鄰原子構成的四面體包在中間。二元半導體具有閃鋅礦結構，它與金剛石晶格基本相同。
4.引用米勒系數來描述晶面。這些晶面可以用于描述半導體材料的表面。密勒系數也可以用來描述晶向。
5.半導體材料中存在缺陷，如空位、替位雜質和填隙雜質。少量可控的替位雜質有益于改變半導體的特性。
6.給出了一些半導體生長技術的簡單描述。體生長生成了基礎半導體材料，即襯底。外延生長可以用來控制半導體的表面特性。大多數半導體器件是在外延層上制作的。重要術語解釋
1.二元半導體：兩元素化合物半導體，如GaAs。2.共價鍵：共享價電子的原子間鍵合。3.金剛石晶格：硅的院子晶體結構，亦即每個原子有四個緊鄰原子，形成一個四面體組態。4.摻雜：為了有效地改變電學特性，往半導體中加入特定類型的原子的工藝。5.元素半導體：單一元素構成的半導體，比如硅、鍺。6.外延層：在襯底表面形成的一薄層單晶材料。7.離子注入：一種半導體摻雜工藝。8.晶格：晶體中原子的周期性排列
9.密勒系數：用以描述晶面的一組整數。10.原胞：可復制以得到整個晶格的最小單元。
11.襯底：用于更多半導體工藝比如外延或擴散的基礎材料，半導體硅片或其他原材料。12.三元半導體：三元素化合物半導體，如AlGaAs。13.晶胞：可以重構出整個晶體的一小部分晶體。
14.鉛鋅礦晶格：與金剛石晶格相同的一種晶格，但它有兩種類型的原子而非一種。
第二章 量子力學初步 小結
1.我們討論了一些量子力學的概念，這些概念可以用于描述不同勢場中的電子狀態。了解電子的運動狀態對于研究半導體物理是非常重要的。
2.波粒二象性原理是量子力學的重要部分。粒子可以有波動態，波也可以具有粒子態。3.薛定諤波動方程式描述和判斷電子狀態的基礎。4.馬克思·玻恩提出了概率密度函數|fai（x）|2.5.對束縛態粒子應用薛定諤方程得出的結論是，束縛態粒子的能量也是量子化的。6.利用單電子原子的薛定諤方程推導出周期表的基本結構。重要術語解釋
1.德布羅意波長：普朗克常數與粒子動量的比值所得的波長。
2.海森堡不確定原理：該原理指出我們無法精確確定成組的共軛變量值，從而描述粒子的狀態，如動量和坐標。
3.泡利不相容原理：該原理指出任意兩個電子都不會處在同一量子態。4.光子：電磁能量的粒子狀態。5.量子：熱輻射的粒子形態。
6.量子化能量：束縛態粒子所處的分立能量級。
7.量子數：描述粒子狀態的一組數，例如原子中的電子。8.量子態：可以通過量子數描述的粒子狀態。9.隧道效應：粒子穿過薄層勢壘的量子力學現象。
10.波粒二象性：電磁波有時表現為粒子狀態，而粒子有時表現為波動狀態的特性。
第三章 固體量子理論初步 小結
1.當原子聚集在一起形成晶體時，電子的分立能量也就隨之分裂為能帶。
2.對表征單晶材料勢函數的克龍克尼-潘納模型進行嚴格的量子力學分析和薛定諤波動方程推導，從而得出 了允帶和禁帶的概念。
3.有效質量的概念將粒子在晶體中的運動與外加作用力聯系起來，而且涉及到晶格對粒子運動的作用。
4.半導體中存在兩種帶點粒子。其中電子是具有正有效質量的正電荷粒子，一般存在于允帶的頂部。
5.給出了硅和砷化鎵的E-k關系曲線，并討論了直接帶隙半導體和間接帶隙半導體的概念。6.允帶中的能量實際上是由許多的分立能級組成的，而每個能級都包含有限數量的量子態。單位能量的量子態密度可以根據三維無限深勢阱模型確定。7.在涉及大量的電子和空穴時，就需要研究這些粒子的統計特征。本章討論了費米-狄拉克概率函數，它代表的是能量為E的量子態被電子占據的幾章。重要術語解釋
1.允帶：在量子力學理論中，晶體中可以容納電子的一系列能級。
2.狀態密度函數：有效量子態的密度。它是能量的函數，表示為單位體積單位能量中的量子態數量。
3.電子的有效質量：該參數將晶體導帶中電子的加速度與外加的作用力聯系起來，該參數包含了晶體中的內力。4.費米-狄拉克概率函數：該函數描述了電子在有效能級中的分布，代表了一個允許能量狀態被電子占據的概率。5.費米能級：用最簡單的話說，該能量在T=0K時高于所有被電子填充的狀態的能量，而低于所有空狀態能量。
6.禁帶：在量子力學理論中，晶體中不可以容納電子的一系列能級。7.空穴：與價帶頂部的空狀態相關的帶正電“粒子”。
8.空穴的有效質量：該參數同樣將晶體價帶中空穴的加速度與外加作用力聯系起來，而且包含了晶體中的內力。
9.k空間能帶圖：以k為坐標的晶體能連曲線，其中k為與運動常量有關的動量，該運動常量結合了晶體內部的相互作用。10.克龍尼克-潘納模型：由一系列周期性階躍函數組成，是代表一維單晶晶格周期性勢函數的數學模型。
11.麥克斯韋-波爾茲曼近似：為了用簡單的指數函數近似費米-狄拉克函數，從而規定滿足費米能級上下若干kT的約束條件。
12.泡利不相容原理：該原理指出任意兩個電子都不會處在同一量子態。
第四章平衡半導體 小結
1.導帶電子濃度是在整個導帶能量范圍上，對導帶狀態密度與費米-狄拉克概率分布函數的乘積進行積分得到的
2.價帶空穴濃度是在整個價帶能量范圍上，對價帶狀態密度與某狀態為空的概率【1-fF（E）】的乘積進行積分得到的。
3.本章討論了對半導體滲入施主雜質（V族元素）和受主雜質（111族元素）形成n型和p型非本征半導體的概念。4.推導出了基本關系式ni2=n0p0。
5.引入了雜質完全電離與電中性的概念，推導出了電子與空穴濃度關于摻雜濃度的函數表達式。
6.推導出了費米能級位置關于摻雜濃度的表達式。
7.討論了費米能級的應用。在熱平衡態下，半導體內的費米能級處處相等。重要術語解釋
1.受主原子：為了形成p型材料而加入半導體內的雜質原子。2.載流子電荷：在半導體內運動并形成電流的電子和（或）空穴。
3.雜質補償半導體：同一半導體區域內既含有施主雜質又含有受主雜質的半導體。4.完全電離：所有施主雜質原子因失去電子而帶正電，所有受主雜質原子因獲得電子而帶負電的情況。
5.簡并半導體：電子或空穴的濃度大于有效狀態密度，費米能級位于導帶中（n型）或價帶中（p型）的半導體。
6.施主原子：為了形成n型材料而加入半導體內的雜質原子。
7.有效狀態密度：即在導帶能量范圍內對量子態密度函數gc（E）與費米函數fF（E）的乘積進行積分得到的參數Nc；在價帶能量范圍內對量子態密度函數gv（E）與【1-fF（E）】的乘積進行積分得到的參數N。
8.非本征半導體：進行了定量施主或受主摻雜，從而使電子濃度或空穴濃度偏離本征載流子濃度產生多數載流子電子（n型）或多數載流子空穴（p型）的半導體。9.束縛態：低溫下半導體內的施主與受主呈現中性的狀態。此時，半導體內的電子濃度與空穴濃度非常小。
10.本征載流子濃度ni：本征半導體內導帶電子的濃度和價帶空穴的濃度（數值相等）。11.本征費米能級Efi：本征半導體內的費米能級位置。
12.本征半導體：沒有雜質原子且晶體中無晶格缺陷的純凈半導體材料。
13.非簡并半導體：參入相對少量的施主和（或）受主雜質，使得施主和（或）受主能級分立、無相互作用的半導體。
第五章 載流子運輸現象 小結
1半導體中的兩種基本疏運機構：電場作用下的漂移運動和濃度梯度作用下的擴散運動。2 存在外加電場時，在散射作用下載流子達到平均漂移速度。半導體存在兩種散射過程，即晶格散射和電離雜質散射 在弱電場下，平均漂移速度是電場強度的線性函數；而在強力場下，漂移速度達到飽和，其數量級為107cm/s。載流子遷移率為平均漂移速度與外加電場之比。電子和空穴遷移率是溫度以及電離雜質濃度的函數。
5漂移電流密度為電導率和電場強度的乘積（歐姆定律的一種表示）。電導率是載流子濃度和遷移率的函數。電阻率等于電導率的倒數。
6擴散電流密度與載流子擴散系數和載流子濃度梯度成正比。7 擴散系數和遷移率的關系成為愛因斯坦關系 霍爾效應是載流子電荷在相互垂直的電場和磁場中運動產生的。載流子風生偏轉，干生出霍爾效應。霍爾電壓的正負反映了半導體的導電類型。還可以由霍爾電壓確定多數載流子濃度和遷移率。重要術語解釋
電導率：關于載流子漂移的材料參數；可量化為漂移電流密度和電場強度之比。擴散：粒子從高濃度區向低濃度區運動的過程。
擴散系數：關于粒子流動與粒子濃度梯度之間的參數。擴散電流：載流子擴散形成的電流。
漂移：在電場作用下，載流子的運動過程。漂移電流：載流子漂移形成的電流
漂移速度：電場中載流子的平均漂移速度 愛因斯坦關系：擴散系數和遷移率的關系
霍爾電壓：在霍爾效應測量中，半導體上產生的橫向壓降 電離雜質散射：載流子和電離雜質原子之間的相互作用 晶格散射：載流子和熱震動晶格原子之間的相互作用 遷移率：關于載流子漂移和電場強度的參數 電阻率：電導率的倒數；計算電阻的材料參數
飽和速度：電場強度增加時，載流子漂移速度的飽和值。半導體中的非平衡過剩載流子
第六章 半導體中的非平衡過剩載流子 小結 討論了過剩電子和空穴產生與復合的過程，定義了過剩載流子的產生率和復合率 2 過剩電子和空穴是一起運動的，而不是互相獨立的。這種現象稱為雙極疏運 3 推導了雙極疏運方程，并討論了其中系數的小注入和非本征摻雜約束條件。在這些條件下，過剩電子和空穴的共同漂移和擴散運動取決于少子的特性，這個結果就是半導體器件狀態的基本原理 討論了過剩載流子壽命的概念 分別分析了過剩載流子狀態作為時間的函數 作為空間的函數和同事作為實踐與空間的函數的情況 定義了電子和空穴的準費米能級。這些參數用于描述非平衡狀態下，電子和空穴的總濃度 8 半導體表面效應對過剩電子和空穴的狀態產生影響。定義了表面復合速度 重要術語解釋 雙極擴散系數：過剩載流子的有效擴散系數 2 雙極遷移率：過剩載流子的有效遷移率 雙極疏運：具有相同擴散系數，遷移率和壽命的過剩電子和空穴的擴散，遷移和復合過程 雙極輸運方程：用時間和空間變量描述過剩載流子狀態函數的方程 5 載流子的產生：電子從價帶躍入導帶，形成電子-空穴對的過程 載流子的復合：電子落入價帶中的空能態（空穴）導致電子-空穴對消滅的過程 7 過剩載流子：過剩電子和空穴的過程 過剩電子：導帶中超出熱平衡狀態濃度的電子濃度 9 過剩空穴：價帶中超出熱平衡狀態濃度的空穴濃度 10 過剩少子壽命：過剩少子在復合前存在的平均時間 11 產生率：電子-空穴對產生的速率（#/cm3-ms）小注入：過剩載流子濃度遠小于熱平衡多子濃度的情況 少子擴散長度：少子在復合前的平均擴散距離：數學表示為D?，其中D和?分別為少子的擴散系數和壽命 準費米能級：電子和空穴的準費米能級分別將電子和空穴的非平衡狀態濃度與本征載流子濃度以及本征費米能級聯系起來 復合率：電子－空穴對復合的速率（#/cm3-s）16 表面態：半導體表面禁帶中存在的電子能態。
第七章
pn結 首先介紹了均勻摻雜的pn結。均勻摻雜pn結是指：半導體的一個區均勻摻雜了受主雜質，而相鄰的區域均勻摻雜了施主雜質。這種由同一種材料但導電類型相反的半導體組成的pn結稱為同質結 在冶金結兩邊的p區與n區內分別形成了空間電荷區或耗盡區。該區內不存在任何可以移動的電子或空穴，因而得名。由于n區內的施主雜質離子的存在，n區帶正電；同樣，由于p區內受主雜質離子存在，p區帶負電。由于耗盡區內存在凈空間電荷密度，耗盡區內有一個電場。電場的方向為由n區指向p區 空間電荷區內部存在電勢差。在零偏壓的條件下，該電勢差即內建電勢差維持熱平衡狀態，并且在阻止n區內多子電子向p區擴散的同時，阻止p區內多子空穴向n區擴散。反偏電壓（n區相對于p區為正）增加了勢壘的高度，增加了空間電荷區的寬度，并且增強了電場。隨著反偏電壓的改變，耗盡區內的電荷數量也改變。這個隨電壓改變的電荷量可以用來描述pn結的勢壘電容。線性緩變結是非均勻摻雜結的典型代表。本章我們推導出了有關線性緩變結的電場，內建電勢差，勢壘電容的表達式。這些函數表達式與均勻摻雜結的情況是不同的 8 特定的摻雜曲線可以用來實現特定的電容特性。超突變結是一種摻雜濃度從冶金結處開始下降的特殊pn結。這種結非常適用于制作諧振電路中的變容二極管。重要術語解釋
突變結近似：認為從中性半導體區到空間電荷區的空間電荷密度有一個突然的不連續 內建電勢差：熱平衡狀態下pn結內p區與n區的靜電電勢差。耗盡層電容：勢壘電容的另一種表達式 耗盡區：空間電荷區的另一種表達
超變突結：一種為了實現特殊電容－電壓特性而進行冶金結處高摻雜的pn結，其特點為pn結一側的摻雜濃度由冶金結處開始下降 勢壘電容（結電容）：反向偏置下pn結的電容
線性緩變結：冶金結兩側的摻雜濃度可以由線性分布近似的pn結 冶金結：pn結內p型摻雜與n型摻雜的分界面。
單邊突變結：冶金結一側的摻雜濃度遠大于另一側的摻雜濃度的pn結
反偏：pn結的n區相對于p區加正電壓，從而使p區與n區之間勢壘的大小超過熱平衡狀態時勢壘的大小
空間電荷區：冶金結兩側由于n區內施主電離和p區內受主電離而形成的帶凈正電與負電的區域
空間電荷區寬度：空間電荷區延伸到p區與n區內的距離，它是摻雜濃度與外加電壓的函數
變容二極管：電容隨著外加電壓的改變而改變的二極管。
第八章 pn結二極管 小結 當pn結外加正偏電壓時（p區相對與n區為正），pn結內部的勢壘就會降低，于是p區空穴與n區電子就會穿過空間電荷區流向相應的區域 本章推導出了與n區空間電荷區邊緣處的少子空穴濃度和p區空間電荷區邊緣處的少子濃度相關的邊界條件 注入到n區內的空穴與注入到p區內的電子成為相應區域內的過剩少子。過剩少子的行為由第六章中推導的雙極輸運方程來描述。求出雙極輸運方程的解并將邊界條件代入，就可以求出n區與p區內穩態少數載流子的濃度分布 由于少子濃度梯度的存在，pn結內存在少子擴散電流。少子擴散電流產生了pn結二極管的理想電流－電壓關系 本章得出了pn結二極管的小信號模型。最重要的兩個參數是擴散電阻與擴散電容 反偏pn結的空間電荷區內產生了過剩載流子。在電場的作用下，這些載流子被掃處了空間電荷區，形成反偏產生電流。產生電流是二極管反偏電流的一個組成部分。Pn結正偏時，穿過空間電荷區的過剩載流子可能發生復合，產生正偏復合電流。復合電流是pn結正偏電流的另一個組成部分 當pn結的外加反偏電壓足夠大時，就會發生雪崩擊穿。此時，pn結體內產生一個較大的反偏電流。擊穿電壓為pn結摻雜濃度的函數。在單邊pn結中，擊穿電壓是低摻雜一側摻雜濃度的函數 當pn結由正偏狀態轉換到反偏狀態時，pn結內存儲的過剩少數載流子會被移走，即電容放電。放電時間稱為存儲時間，它是二極管 開關速度的一個限制因素 重要術語解釋
雪崩擊穿：電子和空穴穿越空間電荷區時，與空間電荷區內原子的電子發生碰撞產生電子－空穴對，在pn結內形成一股很大的反偏電流，這個過程就稱為雪崩擊穿。齊納擊穿：重摻雜的PN結由于隧穿效應發生的PN結擊穿機制
載流子注入：外加偏壓時，pn結體內載流子穿過空間電荷區進入p區或n區的過程 臨界電場：發生擊穿時pn結空間電荷區的最大電場強度 擴散電容：正偏pn結內由于少子的存儲效應而形成的電容 擴散電導：正偏pn結的低頻小信號正弦電流與電壓的比值 擴散電阻：擴散電導的倒數 正偏：p區相對于n區加正電壓。此時結兩側的電勢差要低于熱平衡時的值 產生電流：pn結空間電荷區內由于電子－空穴對熱產生效應形成的反偏電流 長二極管：電中性p區與n區的長度大于少子擴散長度的二極管。
復合電流：穿越空間電荷區時發生復合的電子與空穴所產生的正偏pn結電流 反向飽和電流：電中性p區與n區中至少有一個區的長度小于少子擴散長度的pn結二極管。存儲時間：當pn結二極管由正偏變為反偏時，空間電荷區邊緣的過剩少子濃度由穩態值變成零所用的時間 第九章
小結：輕摻雜半導體上的金屬可以和半導體形成整流接觸，這種接觸稱為肖特基勢壘二極管。金屬與半導體間的理想勢壘高度會因金屬功函數和半導體的電子親和能的不同而不同。了解功函數和電子親和能的定義。
當在n型半導體和金屬之間加上一個正電壓是（即反偏），半導體與金屬之間的勢壘增加，因此基本上沒有載流子的流動。當金屬與n型半導體間加上一個正電壓時（即正偏），半導體與金屬間的勢壘降低，因此電子很容易從半導體流向金屬，這種現象稱為熱電子發射。肖特基勢壘二極管的理想i-v關系與pn結二極管的相同。然而，電流值的數量級與pn結二極管的不同，肖特基二極管的開關速度要快一些。另外，肖特基二極管的反向飽和電流比pn結的大，所以在達到與pn結二極管一樣的電流時，肖特基二極管需要的正的偏壓要低。金屬-半導體也可能想成歐姆接觸，這種接觸的接觸電阻很低，使得結兩邊導通時的壓降很小，是一種非整流接觸。
兩種不同能帶系的半導體材料可以形成半導體異質結。異質結一個有用的特性就是能在表面形成勢壘。在與表面垂直的方向上，電子的活動會受到勢肼的限制，但電子在其他的兩個方向可以自由的流動。重要術語解釋：
反型異質結：參雜劑在冶金結處變化的異質結。
電子親和規則：這個規則是指，在一個理想的異質結中，導帶處的不連續性是由于兩種半導體材料的電子親和能是不同的引起的。
異質結：兩種不同的半導體材料接觸形成的結。
鏡像力降低效應：由于電場引起的金屬-半導體接觸處勢壘峰值降低的現象。同型異質結：參雜劑在冶金結處不變的異質結。
歐姆接觸：金屬半導體接觸電阻很低，且在結兩邊都能形成電流的接觸。理查德森常數：肖特基二極管中的I-V關系中的一個參數A*。肖特基勢壘高度：金屬-半導體結中從金屬到半導體的勢壘Φbn。肖特基效應：鏡像力降低效應的另一種形式。
單位接觸電阻：金屬半導體接觸的J-V曲線在V=0是的斜率的倒數。熱電子發射效應：載流子具有足夠的熱能時，電荷流過勢壘的過程。隧道勢壘：一個薄勢壘，在勢壘中，其主要作用的電流是隧道電流。
二維電子氣：電子堆積在異質結表面的勢肼中，但可以沿著其他兩個方向自由流動。第十章 小結：
有兩種類型的的雙極晶體管，即npn和pnp型。每一個晶體管都有三個不同的參雜區和兩個pn結。中心區域（基區）非常窄，所以這兩個結成為相互作用結。晶體管工作于正向有源區時，B-E結正偏，B-C結反偏。發射區中的多子注入基區，在那里，他們變成少子。少子擴散過基區進入B-C結空間電荷區，在那里，他們被掃入集電區。當晶體管工作再正向有源區時，晶體管一端的電流（集電極電流）受另外兩個端點所施加的電壓（B-E結電壓）的控制。這就是其基本的工作原理。
晶體管的三個擴散區有不同的少子濃度分布。器件中主要的電流由這些少子的擴散決定。共基極電流增益是三個因子的函數----發射極注入效率系數，基區輸運系數和復合系數。發射極注入效率考慮了從基區注入到發射區的載流子，基區輸運系數反映了載流子在基區的復合，復合系數反映了載流子在正偏發射結內部的復合。考慮了幾個非理想效應：
1.基區寬度調制效應，說著說是厄爾利效應----中性基區寬度隨B-C結電壓變化而發生變化，于是集電極電流隨B-C結或C-E結電壓變化而變化。
2.大注入效應使得集電極電流隨C-E結電壓增加而以低速率增加。3.發射區禁帶變窄效應是的發射區參雜濃度非常高時發射效率變小。4.電流集邊效應使得發射極邊界的電流密度大于中心位置的電流密度。5.基區非均勻摻雜在基區中感生出靜電場，有助于少子度越基區。6.兩種擊穿機制----穿通和雪崩擊穿。
晶體管的三種等效電路或者數學模型。E-M模型和等效電路對于晶體管的所有工作模式均適用。基區為非均勻摻雜時使用G-P模型很方便。小信號H-P模型適用于線性放大電路的正向有源晶體管。
晶體管的截止頻率是表征晶體管品質的一個重要參數，他是共發射極電流增益的幅值變為1時的頻率。頻率響應是E-B結電容充電時間、基區度越時間、集電結耗盡區度越時間和集電結電容充電時間的函數。
雖然開關應用涉及到電流和電壓較大的變化，但晶體管的開關特性和頻率上限直接相關，開關特性的一個重要的參數是點和存儲時間，它反映了晶體管有飽和態轉變變成截止態的快慢。
重要術語解釋：
1、a截止頻率：共基極電流增益幅值變為其低頻值的1根號2時的頻率，就是截止頻率。
2、禁帶變窄：隨著發射區中摻雜，禁帶的寬度減小。
3、基區渡越時間：少子通過中性基區所用的時間。
4、基區輸運系數：共基極電流增益中的一個系數，體現了中性基區中載流子的復合。
5、基區寬度調制效應：隨C-E結電壓或C-B結電壓的變化，中性基區寬度的變化。
6、B截止效率：共發射極電流增益幅值下降到其頻值的1根號2時的頻率。
7、集電結電容充電時間：隨發射極電流變化，B-C結空間電荷區和急電區-襯底結空間電荷區寬度發生變化的時間常數。
8、集電結耗盡區渡越時間：載流子被掃過B-C結空間電荷區所需的時間。
9、共基極電流增益：集電極電流與發射極電流之比。
10、共發射極電流增益：集電極電流與基極電流之比。
11、電流集邊：基極串聯電阻的橫向壓降使得發射結電流為非均勻值。
12、截止：晶體管兩個結均加零偏或反偏時，晶體管電流為零的工作狀態。
13、截止頻率：共發射極電流增益的幅值為1時的頻率。
14、厄爾利電壓：反向延長晶體管的I-V特性曲線與電壓軸交點的電壓的絕對值。
15、E-B結電容充電時間：發射極電流的變化引起B-E結空間電荷區寬度變化所需的時間。
16、發射極注入效率系數：共基極電流增益的一個系數，描述了載流子從基區向發射區的注入。
17、正向有源：B-E結正偏、B-C結反偏時的工作模式。
18、反向有源：B-E結反偏、B-C結正偏時的工作模式。
19、飽和：B-E結正偏、B-C結正偏時的工作模式。20、截止：B-E結反偏、B-C結反偏時的工作模式。
21、輸出電導：集電極電流對C-E兩端電壓的微分之比。
這一章討論了MOSFET的基本物理結構和特性
MOSFET的核心為MOS電容器。與氧化物-半導體界面相鄰的半導體能帶是彎曲的，他由加載MOS電容器上的電壓決定。表面處導帶和價帶相對于費米能級的位置是MOS電容器電壓的函數。
氧化層-半導體界面處的半導體表面可通過施加正偏柵壓由到發生反型，或者通過施加負柵壓由n型到p型發生發型。因此在于氧化層相鄰處產生了反型層流動電荷。基本MOS場效應原理是有反型層電荷密度的調制作用體現的
討論了MOS電容器的C-V特性。例如，等價氧化層陷阱電荷密度和界面態密度可由C-V測量方法決定
兩類基本的MOSFET為n溝和p溝，n溝中的電流由反型層電子的流動形成，p溝中的電流由反型層空穴流動形成。這兩類器件都可以是增強型的，通常情況下器件是關的，需施加一個柵壓才能使器件開啟；也可以是耗盡型的，此時在通常情況下器件是開的，需施加一個柵壓才能使器件關閉
平帶電壓是滿足條件時所加的柵壓，這時導帶和價帶不發生彎曲，并且半導體中沒有空間電荷區。平帶電壓時金屬-氧化層勢壘的高度、半導體-氧化層勢壘高度以及固定氧化層陷阱電荷數量的函數
閾值電壓是指半導體表面達到閾值反型點時所加的柵壓，此時反型層電荷密度的大小等于半導體摻雜濃度。閾值電壓是平帶電壓、半導體摻雜濃度和氧化層厚度的函數。
MOSFET中的電流是由反型層載流子在漏源之間的流動形成的。反型層電荷密度和溝道電導是由柵壓控制，這意味著溝道電流被柵壓控制
當晶體管偏置在非飽和區（VDS
實際的MOSFET是一個四端器件，在襯底或體為第四端。隨著反偏源-襯底電壓的增加，閾值電壓增大。在源端和襯底不存在電學連接的集成電路中，襯底偏置效應變得很重要。討論了含有電容的MOSFET小信號等效電路。分析了影響頻率限制的MOSFET的一些物理因素。特別的，由于密勒效應，漏源交替電容成為了MOSFET頻率響應的一個制約罌粟。作為器件頻率響應的一個特點，截止頻率反比于溝道長度，因此，溝道長度的減小將導致MOSFET頻率性能的提高
簡要討論了n溝和p溝器件制作在同一塊芯片上的CMOS技術。被電學絕緣的p型和n型襯底區時電容兩類晶體管的必要條件。有不同的工藝來實現這一結構。CMOS結構中遇到的一個潛在問題是閂鎖現象，即可能發生在四層pnpn結構中的高電流、低電壓情況 MOSFET可以分為：n溝道和p溝道（導電類型不同），增強型和耗盡型（零柵壓時反型層是否存在）。重要術語解釋
對基層電荷：由于熱平衡載流子濃度過剩而在氧化層下面產生的電荷 體電荷效應：由于漏源電壓改變而引起的沿溝道長度方向上的空間電荷寬度改變所導致的漏電流偏離理想情況
溝道電導：當VDS?0時漏電流與漏源電壓改變的過程
CMOS：互補MOS；將p溝和n溝器件制作在同一芯片上的電路工藝 截至頻率：輸入交流柵電流等于輸處交流漏電流時的信號頻率 耗盡型MOSFET：必須施加柵電壓才能關閉的一類MOSFET 增強型MOSFET：必須施加柵電壓才能開啟的一類MOSFET
等價固定氧化層電荷：與氧化層－半導體界面緊鄰的氧化層中的有效固定電荷，用Q'SS表示。
平帶電壓：平帶條件發生時所加的柵壓，此時在氧化層下面的半導體中沒有空閑電荷區 柵電容充電時間：由于柵極信號變化引起的輸入柵電容的充電或放電時間 界面態：氧化層－半導體界面處禁帶寬度中允許的電子能態
反型層電荷：氧化層下面產生的電荷，它們與半導體摻雜的類型是相反的 反型層遷移率：反型層中載流子的遷移率
閂鎖：比如在CMOS電路中那樣，可能發生在四層pnpn結構中的高電流 低電壓現象 最大空間電荷區寬度：閾值反型時氧化層下面的空間電荷區寬度
金屬－半導體功函數差：金屬功函數和電子親和能之差的函數，用?ms表示
臨界反型：當柵壓接近或等于閾值電壓時空間電荷寬度的微弱改變，并且反型層電荷密度等于摻雜濃度時的情形
柵氧化層電容：氧化層介電常數與氧化層厚度之比，表示的是單位面積的電容，記為Cox 飽和：在漏端反型電荷密度為零且漏電流不再是漏源電壓的函數的情形 強反型：反型電荷密度大于摻雜濃度時的情形 閾值反型點：反型電荷密度等于摻雜濃度時的情形 閾值電壓：達到閾值反型點所需的柵壓
跨導：漏電流的改變量與其對應的柵壓該變量之比 弱反型：反型電流密度小于摻雜濃度時的情形
第二篇：術語解釋
《語言學》術語解釋： 1.語系：
（1）語系是按照“譜系分類”的方法，根據語言間親屬關系的有無，把世界上的語言所分成的不同的類，凡是有親屬關系的語言都屬于同一語系，反之則屬于不同的語系。
（2）比如漢語、藏語、壯語、傣語、苗語等是親屬語言。它們都屬于漢藏語系。
（3）世界上的諸語言按其親屬關系大致可以分為漢藏語系、印歐語系、烏拉爾語系、阿爾泰語系、閃含語系、高加索語系、達羅毘語系、馬來—玻利尼西亞語系、南亞語系九大語系。2.歧義：
歧義句是在理解上會產生兩種可能的句子,換句話說,就是可以這樣理解也可以那樣理解的句子。也就是謂語言文字的意義不明確，有兩種或幾種可能的解釋。
一個句子有兩種或兩種以上的解釋，就會產生歧義，歧義產生的原因：詞義不明確、句法不固定、層次不分明、指代不明
歧義有主要由口語與書面的差別造成的，有主要由多義詞造成的，還有語言組合造成的。組合的歧義中又有語法組合的歧義和語義組合的歧義。3符號
1． 符號就是由一定的形式構成的表示一定意義的記號或標記，它包括形式和意義兩個方面，指稱現實現象。例如紅綠燈就是一種符號，紅燈表示“停止“的意義。
符號是人們共同約定用來指稱一定對象的標志物，它可以包括以任何形式通過感覺來顯示意義的全部現象。在這些現象中某種可以感覺的東西就是對象及其意義的體現者 它有兩個方面的內涵：一方面它是意義的載體，是精神外化的呈現；另一方面它具有能被感知的客觀形式。3.字母：
拼音文字或注音符號的最小書寫單位。如：英文字母；漢語拼音字母。
4.基礎方言：
（1）一種語言的共同語并不是憑空產生的，而是在某一個方言的基礎上形成的，這種作為共同語基礎的方言叫做“基礎方言”。
（2）所謂作為共同語的基礎指共同語的語音、語匯和語法系統主要來自基礎方言。
（3）例如，意大利共同語的基礎方言是多斯崗方言，現代漢民族共同語的基礎方言是北方方言。
5.共同語：
指一個部落或民族內部大多數成員所共同掌握和使用的語言。它是在某個區域的人們在日常生活中以口語的形式逐漸形成的。這個地方通常是政治、經濟、文化中心的地區，在這個基礎上有了語言而后有形成方言。
如普通話
共同語是在一種方言的基礎上建立起來的一個民族或一個國家通用的語言，例如普通話就是現代漢民族的共同語。
6.音位：
音位是具體語言中有區別詞的語音形式作用的最小語音單位。
7.混合語：
兩種或幾種語言，在一定社會條件下，互相接觸而產生的混雜語言。洋涇浜
8.語法手段：
根據語法形式的共同特點所歸并的語法形式的基本類別叫做語法手段。語法手段可分為詞法
手段和句法手段兩大類。2 詞法手段包括詞形變化，詞的輕重音和詞的重疊；句法手段包括虛詞，詞類選擇，語序和語調。9.語流音變：
在語言的組合過程中，一個音位受到鄰近音位的影響或語流的影響而可能產生的變化，叫語流音變。常見的語流音變現象主要有同化、異化、換位、弱化和脫落。
10.語言符號的線條性：
語言符號只能一個跟著一個依次出現，在時間線條上綿延，不能在空間的面上鋪開，這就是語言符號的線條性，它是語言符號的一個重要特征。
語言符號具有線條性的特點。不能把“我看書”說成“書看我”，這是因為符號和符號的組合不是任意的，而是有條件的。符號和符號的組合條件就是語言里的各種結構的規則
11.語法的組合規則：
語法的組合規則包括語素組合成詞的規則和詞組合成句子的規則，前者叫構詞法，它和詞的變化規則合在一起叫做詞法，后者叫做句法。
語法的組合規則包括構詞法和句法。語法的組合規則存在話語中，是現實的12.語法的聚合規則：
具有相同語法特征的單位總是聚合成類，供組合選擇。語法的聚合是多種多樣的，最普遍的是詞類和詞形變化：語言里的詞按語法作用的不同而分成名詞、動詞等等的詞類；在好多語言里，名詞動詞又有格、位等等的變化。語法的聚合規則就是語法單位的分類和變化規則。
13.仿譯詞：
用本族語言的材料逐一翻譯原詞的語素，不但把它的意義，而且把它的內部構成形式也轉植過來。仿譯詞屬于意譯詞。如漢語詞“黑板”的構詞材料是“黑”（形容詞性，表顏色）和“板”（名詞性，表厚度小而面積大的較硬的事物），以“修飾+中心語”次序的定中關系組織起來，而它所源自的外語詞是英語的blackboard，含有的構詞材料也是兩個：black（形容詞性，表黑顏色），board（名詞性，表厚度小而面積大的較硬的事物），兩成分的關系也是“修飾+中心語”次序的定中
仿譯詞是意譯詞的一種，用本族語言的構詞材料對譯外語詞
14.音位變體：
處于互補關系中的各個音素就被看成為同一個音位在不同位置上的代表，是同一個音位的不同的變異形式，所以我們把它們叫做音位變體。
處于互補關系之中而在音質上又比較相似的各個不同的音素是同一音位的不同的變體式，音位變體是音位在特定語音環境下的具體體現或具體代表。
15.語義指向：
語義指向指的是句法結構的某一成分在語義上和其他成分（一個或幾個）相匹配的可能性。語義指向研究的是句子成分之間在語義上的搭配關系，句法結構研究的是句子成分的組合關系。
語義指向是指句子中某個成分在語義上指向哪兒，或者說同哪個或哪些成分發生語義聯系。例如，補語位置上的成分，在語義上既可能指向主語，如“我吃飽了”中的“我”；也可能指向賓語，如“我吃光了碗里的飯”中的“碗里的飯”。
16.意音文字：
意音文字，或稱語素-音節文字、語詞-音節文字，是一種圖形符號既代表語素，又代表音節的文字系統。這種文字系統是音節文字（如日文）、字母文字、輔音文字等以外的文字系統。意音文字代表人類文字史走出原始時期，進入古典時期。
意音文字指一部分字符是意符，一部分字符是音符的文字。如漢字就是意音文字，漢字中許多字符是直接表意的，而假借字則是假借意符直接表音、間接表意的音符
17.聚合關系：
聚合關系在語言學上聚合關系指在結構的某個特殊位置上可以相互替代的成分之間的關系或者是共現的成分和非共現的成分之間的關系，同一聚合關系語句只受句法關系限制語義因素不在考慮范圍處于聚合關系中的語句與共同的句法特征但在語義上不能互相替換聚合關系就是語言結構某一位置上能夠互相替換的具有某種相同作用的單位（如音位、詞）之間的關系，簡單說就是符號與符號之間的替換關系。
聚合關系——在語言結構的某一環節上能夠互相替換、具有某種相同作用的各個單位之間所形成的關系叫聚合關系
18.音標：
音標是記錄音素的符號，是音素的標寫符號。它的制定原則是：一個音素只用一個音標表示，而一個音標并不只表示一個音素（雙元音就是由2個音素組成的，相對于單元音來說。由2個音素構成的音標我們稱之為雙元音）。如漢語拼音字母、英語的韋氏音標和國際音標等。
19.詞法范疇：
由詞的變化形式所表示的意義方面的聚合。
詞法范疇——由綜合手段（詞形變化）表現的語法意義概括起來就是詞法范疇。
20.語言的類型分類：
我們把世界語言一般分為屈折語、孤立語、粘著語和復綜語。
語言的類型分類——根據詞的結構特點對世界的語言進行的分類叫語言的類型分類。
第三篇：術語解釋
1.Sonnet: A fourteen-line lyric poem, usually written in rhymed iambic pentameter.A sonnet generally expresses a single theme or idea.2.Ballad: A story told in verse and usually meant to be sung.In many countries, the folk ballad was one of the earliest forms of literature.Folk ballads have no known authors.They were transmitted orally from generation to generation and were not set down in writing until centuries after they were first sung.The subject matter of folk ballads stems from the everyday life of the common people.Devices commonly used in ballads are the refrain, incremental repetition, and code language.A later form of ballad is the literary ballad, which imitates the style of the folk ballad.3.Rhyme: It’s one of the three basic elements of traditional poetry.It is the repetition of sounds in two or more words or phrases that appear close to each other in a poem.If the rhyme occurs at the ends of lines, it is called end rhyme.If the rhyme occurs within a line, it is called internal rhyme.4.Heroic couplet: Couplet: Two consecutive lines of poetry that rhyme.Heroic couplet is a rhymed couplet of iambic pentameter.It is Chaucer who used it for the first time in English in his work The Legend of Good Woman.5.Iambic抑揚格: It is the most commonly used foot in English poetry, in which an unstressed syllable comes first, followed by a stressed syllable.6.Free Verse: Free verse has no regular rhythm or line length and depends on natural speech rhythms and the counterpoint(對照法)of stressed and unstressed syllables.7.Romanticism: it is a reaction against the Enlightenment and rationalism in 18th century, and a rejection of the precepts of order, calm, harmony, balance, idealization, and rationality that typified in classicism and neoclassicism.Authors in this period advocate return to nature and the innate goodness of humans(善良的本性).They emphasize the individual, the subjective, the irrational, the imaginative, the personal, the spontaneous, the emotional, the visionary and the transcendental(超驗).8.Critical Realism: The critical realism of the 19th century flourished in the forties and in the beginning of fifties.The realists first and foremost set themselves the task of criticizing capitalist society from a democratic viewpoint and delineated the crying contradictions of bourgeois reality.But they did not find a way to eradicate social evils.9.Enlightenment: The Enlightenment refers to a progressive intellectual movement throughout Western Europe that spans approximately one hundred years from 1680s to 1789.It celebrates reason(rationality), equality, science.Everything should be put under scrutiny, to be measured by reason.This is the “eternal truth”, “eternal justice” and “natural equality”.It on the whole, was an expression of struggle of the then progressive class of bourgeois against feudalism.They aim to enlighten the whole world with the light of modern philosophical and artistic ideas.10.Imagism: It’s a poetic movement of England and the U.S.flourished from 1909 to 1917.The movement insists on the creation of images in poetry by “the direct treatment of the thing” and the economy of wording.The leaders of this movement were Ezra Pound and Amy Lowell.11.Stream of consciousness: “Stream-of-Consciousness” or “interior monologue” is one of the modern literary techniques.It is the style of writing that attempts to imitate
the natural flow of a character’s thoughts, feelings, reflections, memories, and mental images as the character experiences them.It was first used in 1922 by the Irish novelist James Joyce.Those novels broke through the bounds of time and space, and depicted vividly and skillfully the unconscious activity of the mind fast changing and flowing incessantly, particularly the hesitant, misted, distracted and illusory psychology people had when they faced reality.The modern American writer William Faulkner successfully advanced this technique.In his stories, action and plots were less important than the reactions and inner musings of the narrators.Time sequences were often dislocated.The reader feels himself to be a participant in the stories, rather than an observer.A high degree of emotion can be achieved by this technique.12.Puritanism:Puritanism is the practices and beliefs of the Puritans.The Puritans were originally members of a division of the Protestant Church.The first settlers who became the founding fathers of the American nation were quite a few of them.They were a group of serious, religious people, advocating highly religious and moral principles.As the word itself hints, Puritans wanted to purity their religious beliefs and practices.They accepted the doctrine of predestination, original sin and total depravity, and limited atonement through a special infusion of grace form God.As a culture heritage, Puritanism did have a profound influence on the early American mind.American Puritanism also had an enduring influence on American literature.13.Transcendentalism: A broad, philosophical movement in New England during the Romantic era(peaking between 1835 and 1845).It appeared after1830s, marked the maturity of American Romanticism and the first renaissance in the American literary history.The term was derived from Latin, meaning to rise above or to pass beyond the limits.It laid emphasis on spirit and individual and nature.Transcendentalism has been defined philosophically as “the recognition in man of the capacity of knowing truth intuitively, or of attaining knowledge transcending the reach of the senses”.It stressed the role of divinity in nature and the individual’s intuition, and exalted feeling over reason.They spoke for cultural rejuvenation(復興)and against the materialism of American society.14.Lost Generation: This term has been used again and again to describe the people of the postwar years.The Lost Generation writers were dissatisfied with the oppressive materialism and cultural narrowness of the American society, so they went abroad to search for a more congenial, artistic locale and produced a great number of the best works in the American literary history.They cast away all past concepts and values in order to create new types of writing, which was characterized by disillusionment with ideals and further with civilization the capitalist society advocated.They painted the post-war western world as a waste land, lifeless and hopeless due to ethical degradation and disillusionment with dreams.They had cut themselves off from their past and old values in America and yet unable to come to terms with the new era when civilization had gone mad.15.Naturalism: An extreme form of realism.Naturalistic writers usually depict the sordid side of life and show characters who are severely, if not hopelessly, limited by their environment or heredity.Naturalists are inevitably pessimistic in their view because firstly, they accept the negative implication of Darwin’s theory of evolution,and believe that society is a “jungle” where survival struggles go on.Secondly, they believe that man’s instinct, the environment and other social and economic forces play an overwhelming role and man’s fate is “determined” by such forces beyond his control.16.Black Humor(黑色幽默): It also known as Black Comedy, writing that places grotesque elements side by side with humorous ones in an attempt to shock the reader, forcing him or her to laugh at the horrifying reality of a disordered world.17.Gothic novel: It is a type of romantic fiction that predominated in the late 18th century and was one phase of the Romantic Movement.Its principal elements are violence, horror and the supernatural, which strongly appeal to the reader’s emotion.With its descriptions of the dark, irrational side of human nature, the Gothic form has exerted a great influence over the writer of the Romantic period.
第四篇：【半導體物理與器件】【尼曼】【課后小結與重要術語解釋】匯總(精)
第一章 固體晶體結構 小結
1.硅是最普遍的半導體材料
2.半導體和其他材料的屬性很大程度上由其單晶的晶格結構決定。晶胞是晶體中的一小塊體積，用它可以重構出整個晶體。三種基本的晶胞是簡立方、體心立方和面心立方。3.硅具有金剛石晶體結構。原子都被由4個緊鄰原子構成的四面體包在中間。二元半導體具有閃鋅礦結構，它與金剛石晶格基本相同。
4.引用米勒系數來描述晶面。這些晶面可以用于描述半導體材料的表面。密勒系數也可以用來描述晶向。
5.半導體材料中存在缺陷，如空位、替位雜質和填隙雜質。少量可控的替位雜質有益于改變半導體的特性。
6.給出了一些半導體生長技術的簡單描述。體生長生成了基礎半導體材料，即襯底。外延生長可以用來控制半導體的表面特性。大多數半導體器件是在外延層上制作的。重要術語解釋
1.二元半導體：兩元素化合物半導體，如GaAs。2.共價鍵：共享價電子的原子間鍵合。3.金剛石晶格：硅的院子晶體結構，亦即每個原子有四個緊鄰原子，形成一個四面體組態。4.摻雜：為了有效地改變電學特性，往半導體中加入特定類型的原子的工藝。5.元素半導體：單一元素構成的半導體，比如硅、鍺。6.外延層：在襯底表面形成的一薄層單晶材料。7.離子注入：一種半導體摻雜工藝。8.晶格：晶體中原子的周期性排列
9.密勒系數：用以描述晶面的一組整數。10.原胞：可復制以得到整個晶格的最小單元。
11.襯底：用于更多半導體工藝比如外延或擴散的基礎材料，半導體硅片或其他原材料。12.三元半導體：三元素化合物半導體，如AlGaAs。13.晶胞：可以重構出整個晶體的一小部分晶體。
14.鉛鋅礦晶格：與金剛石晶格相同的一種晶格，但它有兩種類型的原子而非一種。
第二章 量子力學初步 小結
1.我們討論了一些量子力學的概念，這些概念可以用于描述不同勢場中的電子狀態。了解電子的運動狀態對于研究半導體物理是非常重要的。
2.波粒二象性原理是量子力學的重要部分。粒子可以有波動態，波也可以具有粒子態。3.薛定諤波動方程式描述和判斷電子狀態的基礎。4.馬克思·玻恩提出了概率密度函數|fai（x）|2.5.對束縛態粒子應用薛定諤方程得出的結論是，束縛態粒子的能量也是量子化的。6.利用單電子原子的薛定諤方程推導出周期表的基本結構。重要術語解釋
1.德布羅意波長：普朗克常數與粒子動量的比值所得的波長。
2.海森堡不確定原理：該原理指出我們無法精確確定成組的共軛變量值，從而描述粒子的狀態，如動量和坐標。
3.泡利不相容原理：該原理指出任意兩個電子都不會處在同一量子態。4.光子：電磁能量的粒子狀態。5.量子：熱輻射的粒子形態。
6.量子化能量：束縛態粒子所處的分立能量級。
7.量子數：描述粒子狀態的一組數，例如原子中的電子。8.量子態：可以通過量子數描述的粒子狀態。9.隧道效應：粒子穿過薄層勢壘的量子力學現象。
10.波粒二象性：電磁波有時表現為粒子狀態，而粒子有時表現為波動狀態的特性。
第三章 固體量子理論初步 小結
1.當原子聚集在一起形成晶體時，電子的分立能量也就隨之分裂為能帶。
2.對表征單晶材料勢函數的克龍克尼-潘納模型進行嚴格的量子力學分析和薛定諤波動方程推導，從而得出 了允帶和禁帶的概念。
3.有效質量的概念將粒子在晶體中的運動與外加作用力聯系起來，而且涉及到晶格對粒子運動的作用。
4.半導體中存在兩種帶點粒子。其中電子是具有正有效質量的正電荷粒子，一般存在于允帶的頂部。
5.給出了硅和砷化鎵的E-k關系曲線，并討論了直接帶隙半導體和間接帶隙半導體的概念。6.允帶中的能量實際上是由許多的分立能級組成的，而每個能級都包含有限數量的量子態。單位能量的量子態密度可以根據三維無限深勢阱模型確定。7.在涉及大量的電子和空穴時，就需要研究這些粒子的統計特征。本章討論了費米-狄拉克概率函數，它代表的是能量為E的量子態被電子占據的幾章。重要術語解釋
1.允帶：在量子力學理論中，晶體中可以容納電子的一系列能級。
2.狀態密度函數：有效量子態的密度。它是能量的函數，表示為單位體積單位能量中的量子態數量。
3.電子的有效質量：該參數將晶體導帶中電子的加速度與外加的作用力聯系起來，該參數包含了晶體中的內力。4.費米-狄拉克概率函數：該函數描述了電子在有效能級中的分布，代表了一個允許能量狀態被電子占據的概率。5.費米能級：用最簡單的話說，該能量在T=0K時高于所有被電子填充的狀態的能量，而低于所有空狀態能量。
6.禁帶：在量子力學理論中，晶體中不可以容納電子的一系列能級。7.空穴：與價帶頂部的空狀態相關的帶正電“粒子”。
8.空穴的有效質量：該參數同樣將晶體價帶中空穴的加速度與外加作用力聯系起來，而且包含了晶體中的內力。
9.k空間能帶圖：以k為坐標的晶體能連曲線，其中k為與運動常量有關的動量，該運動常量結合了晶體內部的相互作用。10.克龍尼克-潘納模型：由一系列周期性階躍函數組成，是代表一維單晶晶格周期性勢函數的數學模型。
11.麥克斯韋-波爾茲曼近似：為了用簡單的指數函數近似費米-狄拉克函數，從而規定滿足費米能級上下若干kT的約束條件。
12.泡利不相容原理：該原理指出任意兩個電子都不會處在同一量子態。
第四章平衡半導體 小結
1.導帶電子濃度是在整個導帶能量范圍上，對導帶狀態密度與費米-狄拉克概率分布函數的乘積進行積分得到的
2.價帶空穴濃度是在整個價帶能量范圍上，對價帶狀態密度與某狀態為空的概率【1-fF（E）】的乘積進行積分得到的。
3.本章討論了對半導體滲入施主雜質（V族元素）和受主雜質（111族元素）形成n型和p型非本征半導體的概念。4.推導出了基本關系式ni2=n0p0。
5.引入了雜質完全電離與電中性的概念，推導出了電子與空穴濃度關于摻雜濃度的函數表達式。
6.推導出了費米能級位置關于摻雜濃度的表達式。
7.討論了費米能級的應用。在熱平衡態下，半導體內的費米能級處處相等。重要術語解釋
1.受主原子：為了形成p型材料而加入半導體內的雜質原子。2.載流子電荷：在半導體內運動并形成電流的電子和（或）空穴。
3.雜質補償半導體：同一半導體區域內既含有施主雜質又含有受主雜質的半導體。4.完全電離：所有施主雜質原子因失去電子而帶正電，所有受主雜質原子因獲得電子而帶負電的情況。
5.簡并半導體：電子或空穴的濃度大于有效狀態密度，費米能級位于導帶中（n型）或價帶中（p型）的半導體。
6.施主原子：為了形成n型材料而加入半導體內的雜質原子。
7.有效狀態密度：即在導帶能量范圍內對量子態密度函數gc（E）與費米函數fF（E）的乘積進行積分得到的參數Nc；在價帶能量范圍內對量子態密度函數gv（E）與【1-fF（E）】的乘積進行積分得到的參數N。
8.非本征半導體：進行了定量施主或受主摻雜，從而使電子濃度或空穴濃度偏離本征載流子濃度產生多數載流子電子（n型）或多數載流子空穴（p型）的半導體。9.束縛態：低溫下半導體內的施主與受主呈現中性的狀態。此時，半導體內的電子濃度與空穴濃度非常小。
10.本征載流子濃度ni：本征半導體內導帶電子的濃度和價帶空穴的濃度（數值相等）。11.本征費米能級Efi：本征半導體內的費米能級位置。
12.本征半導體：沒有雜質原子且晶體中無晶格缺陷的純凈半導體材料。
13.非簡并半導體：參入相對少量的施主和（或）受主雜質，使得施主和（或）受主能級分立、無相互作用的半導體。14.載流子輸運現象 第五章 載流子運輸現象 小結
1半導體中的兩種基本疏運機構：電場作用下的漂移運動和濃度梯度作用下的擴散運動。2 存在外加電場時，在散射作用下載流子達到平均漂移速度。半導體存在兩種散射過程，即晶格散射和電離雜質散射 在若電場下，平均漂移速度是電場強度的線性函數；而在強力場下，漂移速度達到飽和，其數量級為107cm/s。載流子遷移率為平均漂移速度與外加電場之比。電子和空穴遷移率是溫度以及電離雜質濃度的函數。
5漂移電流密度為電導率和電場強度的乘積（歐姆定律的一種表示）。電導率是載流子濃度和遷移率的函數。電阻率等于電導率的倒數。
6擴散電流密度與載流子擴散系數和載流子濃度梯度成正比。7 擴散系數和遷移率的關系成為愛因斯坦關系 霍爾效應是載流子電荷在相互垂直的電場和磁場中運動產生的。載流子風生偏轉，干生出霍爾效應。霍爾電壓的正負反映了半導體的導電類型。還可以由霍爾電壓確定多數載流子濃度和遷移率。重要術語解釋
電導率：關于載流子漂移的材料參數；可量化為漂移電流密度和電場強度之比。擴散：粒子從高濃度區向低濃度區運動的過程。
擴散系數：關于粒子流動與粒子濃度梯度之間的參數。擴散電流：載流子擴散形成的電流。
漂移：在電場作用下，載流子的運動過程。漂移電流：載流子漂移形成的電流
漂移速度：電場中載流子的平均漂移速度 愛因斯坦關系：擴散系數和遷移率的關系
霍爾電壓：在霍爾效應測量中，半導體上產生的橫向壓降 電離雜質散射：載流子和電離雜質原子之間的相互作用 晶格散射：載流子和熱震動晶格原子之間的相互作用 遷移率：關于載流子漂移和電場強度的參數 電阻率：電導率的倒數；計算電阻的材料參數
飽和速度：電場強度增加時，載流子漂移速度的飽和值。
15.半導體中的非平衡過剩載流子 第六章 半導體中的非平衡過剩載流子 小結 討論了過剩電子和空穴產生與復合的過程，定義了過剩載流子的產生率和復合率 2 過剩電子和空穴是一起運動的，而不是互相獨立的。這種現象稱為雙極疏運 3 推導了雙極疏運方程，并討論了其中系數的小注入和非本征摻雜約束條件。在這些條件下，過剩電子和空穴的共同漂移和擴散運動取決于少子的特性，這個結果就是半導體器件狀態的基本原理 討論了過剩載流子壽命的概念 分別分析了過剩載流子狀態作為時間的函數 作為空間的函數和同事作為實踐與空間的函數的情況 定義了電子和空穴的準費米能級。這些參數用于描述非平衡狀態下，電子和空穴的總濃度 8 半導體表面效應對過剩電子和空穴的狀態產生影響。定義了表面復合速度 重要術語解釋 雙極擴散系數：過剩載流子的有效擴散系數 2 雙極遷移率：過剩載流子的有效遷移率 雙極疏運：具有相同擴散系數，遷移率和壽命的過剩電子和空穴的擴散，遷移和復合過程 4 雙極輸運方程：用時間和空間變量描述過剩載流子狀態函數的方程 5 載流子的產生：電子從價帶躍入導帶，形成電子-空穴對的過程 載流子的復合：電子落入價帶中的空能態（空穴）導致電子-空穴對消滅的過程 7 過剩載流子：過剩電子和空穴的過程 過剩電子：導帶中超出熱平衡狀態濃度的電子濃度 9 過剩空穴：價帶中超出熱平衡狀態濃度的空穴濃度 10 過剩少子壽命：過剩少子在復合前存在的平均時間 11 產生率：電子-空穴對產生的速率（#/cm3-ms）小注入：過剩載流子濃度遠小于熱平衡多子濃度的情況 少子擴散長度：少子在復合前的平均擴散距離：數學表示為D?，其中D和?分別為少子的擴散系數和壽命 準費米能級：電子和空穴的準費米能級分別將電子和空穴的非平衡狀態濃度與本征載流子濃度以及本征費米能級聯系起來 復合率：電子－空穴對復合的速率（#/cm3-s）16 表面態：半導體表面禁帶中存在的電子能態。
第七章
pn結 首先介紹了均勻摻雜的pn結。均勻摻雜pn結是指：半導體的一個區均勻摻雜了受主雜質，而相鄰的區域均勻摻雜了施主雜質。這種pn結稱為同質結 在冶金結兩邊的p區與n區內分別形成了空間電荷區或耗盡區。該區內不存在任何可以移動的電子或空穴，因而得名。由于n區內的施主雜質離子的存在，n區帶正電；同樣，由于p區內受主雜質離子存在，p區帶負電。由于耗盡區內存在凈空間電荷密度，耗盡區內有一個電場。電場的方向為由n區指向p區 空間電荷區內部存在電勢差。在零偏壓的條件下，該電勢差即內建電勢差維持熱平衡狀態，并且在阻止n區內多子電子向p區擴散的同時，阻止p區內多子空穴向n區擴散。反騙電壓（n區相對于p區為正）增加了勢壘的高度，增加了空間電荷區的寬度，并且增強了電場。隨著反偏電壓的改變，耗盡區內的電荷數量也改變。這個隨電壓改變的電荷量可以用來描述pn結的勢壘電容。線性緩變結是非均勻摻雜結的典型代表。本章我們推導出了有關線性緩變結的電場，內建電勢差，勢壘電容的表達式。這些函數表達式與均勻摻雜結的情況是不同的 8 特定的摻雜曲線可以用來實現特定的電容特性。超突變結是一種摻雜濃度從冶金結處開始下降的特殊pn結。這種結非常適用于制作諧振電路中的變容二極管。重要術語解釋
突變結近似：認為從中性半導體區到空間電荷區的空間電荷密度有一個突然的不連續 內建電勢差：熱平衡狀態下pn結內p區與n區的靜電電勢差。耗盡層電容：勢壘電容的另一種表達式 耗盡區：空間電荷區的另一種表達
超變突結：一種為了實現特殊電容－電壓特性而進行冶金結處高摻雜的pn結，其特點為pn結一側的摻雜濃度由冶金結處開始下降 勢壘電容（結電容）：反向偏置下pn結的電容
線性緩變結：冶金結兩側的摻雜濃度可以由線性分布近似的pn結 冶金結：pn結內p型摻雜與n型摻雜的分界面。
單邊突變結：冶金結一側的摻雜濃度遠大于另一側的摻雜濃度的pn結
反偏：pn結的n區相對于p區加正電壓，從而使p區與n區之間勢壘的大小超過熱平衡狀態時勢壘的大小 空間電荷區：冶金結兩側由于n區內施主電離和p區內受主電離而形成的帶凈正電與負電的區域
空間電荷區寬度：空間電荷區延伸到p區與n區內的距離，它是摻雜濃度與外加電壓的函數 變容二極管：電容隨著外加電壓的改變而改變的二極管。
第八章 pn結二極管 小結 當pn結外加正偏電壓時（p區相對與n區為正），pn結內部的勢壘就會降低，于是p區空穴與n區電子就會穿過空間電荷區流向相應的區域 本章推導出了與n區空間電荷區邊緣處的少子空穴濃度和p區空間電荷區邊緣處的少子濃度相關的邊界條件 注入到n區內的空穴與注入到p區內的電子成為相應區域內的過剩少子。過剩少子的行為由第六章中推導的雙極輸運方程來描述。求出雙極輸運方程的解并將邊界條件代入，就可以求出n區與p區內穩態少數載流子的濃度分布 由于少子濃度梯度的存在，pn結內存在少子擴散電流。少子擴散電流產生了pn結二極管的理想電流－電壓關系 本章得出了pn結二極管的小信號模型。最重要的兩個參數是擴散電阻與擴散電容 反偏pn結的空間電荷區內產生了過剩載流子。在電場的作用下，這些載流子被掃處了空間電荷區，形成反偏產生電流。產生電流是二極管反偏電流的一個組成部分。Pn結正偏時，穿過空間電荷區的過剩載流子可能發生復合，產生正偏復合電流。復合電流是pn結正偏電流的另一個組成部分 當pn結的外加反偏電壓足夠大時，就會發生雪崩擊穿。此時，pn結體內產生一個較大的反偏電流。擊穿電壓為pn結摻雜濃度的函數。在單邊pn結中，擊穿電壓是低摻雜一側摻雜濃度的函數 當pn結由正偏狀態轉換到反偏狀態時，pn結內存儲的過剩少數載流子會被移走，即電容放電。放電時間稱為存儲時間，它是二極管 開關速度的一個限制因素 重要術語解釋 雪崩擊穿：電子和空穴穿越空間電荷區時，與空間電荷區內原子的電子發生碰撞產生電子－空穴對，在pn結內形成一股很大的反偏電流，這個過程就稱為雪崩擊穿。
載流子注入：外加偏壓時，pn結體內載流子穿過空間電荷區進入p區或n區的過程 臨界電場：發生擊穿時pn結空間電荷區的最大電場強度 擴散電容：正偏pn結內由于少子的存儲效應而形成的電容 擴散電導：正偏pn結的低頻小信號正弦電流與電壓的比值 擴散電阻：擴散電導的倒數
正偏：p區相對于n區加正電壓。此時結兩側的電勢差要低于熱平衡時的值 產生電流：pn結空間電荷區內由于電子－空穴對熱產生效應形成的反偏電流 場二極管：電中性p區與n區的長度大于少子擴散長度的二極管。
復合電流：穿越空間電荷區時發生復合的電子與空穴所產生的正偏pn結電流 反向飽和電流：電中性p區與n區中至少有一個區的長度小于少子擴散長度的pn結二極管。存儲時間：當pn結二極管由正偏變為反偏時，空間電荷區邊緣的過剩少子濃度由穩態值變成零所用的時間 第九章 小結：輕參雜半導體上的金屬可以和半導體形成整流接觸，這種接觸稱為肖特基勢壘二極管。金屬與半導體間的理想勢壘高度會因金屬功函數和半導體的電子親和能的不同而不同。當在n型半導體和金屬之間加上一個正電壓是（即反偏），半導體與金屬之間的勢壘增加，因此基本上沒有載流子的流動。當金屬與n型半導體間加上一個正電壓時（即正偏），半導體與金屬間的勢壘降低，因此電子很容易從半導體流向金屬，這種現象稱為熱電子發射。肖特基勢壘二極管的理想i-v關系與pn結二極管的相同。然而，電流值的數量級與pn結二極管的不同，肖特基二極管的開關速度要快一些。另外，肖特基二極管的反向飽和電流比pn結的大，所以在達到與pn結二極管一樣的電流時，肖特基二極管需要的正的偏壓要低。金屬-半導體也可能想成歐姆接觸，這種接觸的接觸電阻很低，是的結兩邊導通時結兩邊的壓降很小。
兩種不同能帶系的半導體材料可以形成半導體異質結。異質結一個有用的特性就是能在表面形成勢壘。在與表面垂直的方向上，電子的活動會受到勢肼的限制，但電子在其他的兩個方向可以自由的流動。重要術語解釋：
反型異質結：參雜劑在冶金結處變化的異質結。
電子親和規則：這個規則是指，在一個理想的異質結中，導帶處的不連續性是由于兩種半導體材料的電子親和能是不同的引起的。
異質結：兩種不同的半導體材料接觸形成的結。
鏡像力降低效應：由于電場引起的金屬-半導體接觸處勢壘峰值降低的現象。同型異質結：參雜劑在冶金結處不變的異質結。
歐姆接觸：金屬半導體接觸電阻很低，且在結兩邊都能形成電流的接觸。理查德森常數：肖特基二極管中的I-V關系中的一個參數A*。肖特基勢壘高度：金屬-半導體結中從金屬到半導體的勢壘Φbn。肖特基效應：鏡像力降低效應的另一種形式。
單位接觸電阻：金屬半導體接觸的J-V曲線在V=0是的斜率的倒數。熱電子發射效應：載流子具有足夠的熱能時，電荷流過勢壘的過程。隧道勢壘：一個薄勢壘，在勢壘中，其主要作用的電流是隧道電流。
二維電子氣：電子堆積在異質結表面的勢肼中，但可以沿著其他兩個方向自由流動。第十章 小結：
有兩種類型的的雙極晶體管，即npn和pnp型。每一個晶體管都有三個不同的參雜區和兩個pn結。中心區域（基區）非常窄，所以這兩個結成為相互作用結。
晶體管工作于正向有源區時，B-E結正偏，B-C結反偏。發射區中的多子注入基區，在那里，他們變成少子。少子擴散過基區進入B-C結空間電荷區，在那里，他們被掃入集電區。當晶體管工作再正向有源區時，晶體管一端的電流（集電極電流）受另外兩個端點所施加的電壓（B-E結電壓）的控制。這就是其基本的工作原理。
晶體管的三個擴散區有不同的少子濃度分布。器件中主要的電流由這些少子的擴散決定。共發射極電流增益是三個因子的函數----發射極注入效率系數，基區輸運系數和復合系數。發射極注入效率考慮了從基區注入到發射區的載流子，基區輸運系數反映了載流子在基區的復合，復合系數反映了載流子在正偏發射結內部的復合。考慮了幾個非理想效應：
1.基區寬度調制效應，說著說是厄爾利效應----中性基區寬度隨B-C結電壓變化而發生變化，于是集電極電流隨B-C結或C-E結電壓變化而變化。
2.大注入效應使得集電極電流隨C-E結電壓增加而以低速率增加。3.發射區禁帶變窄效應是的發射區參雜濃度非常高時發射效率變小。4.電流集邊效應使得發射極邊界的電流密度大于中心位置的電流密度。5.基區非均勻摻雜在基區中感生出靜電場，有助于少子度越基區。6.兩種擊穿機制----穿通和雪崩擊穿。
晶體管的三種等效電路或者數學模型。E-M模型和等效電路對于晶體管的所有工作模式均適用。基區為非均勻摻雜時使用G-P模型很方便。小信號H-P模型適用于線性放大電路的正向有源晶體管。
晶體管的截止頻率是表征晶體管品質的一個重要參數，他是共發射極電流增益的幅值變為1時的頻率。頻率響應是E-B結電容充電時間、基區度越時間、集電結耗盡區度越時間和集電結電容充電時間的函數。
雖然開關應用涉及到電流和電壓較大的變化，但晶體管的開關特性和頻率上限直接相關，開關特性的一個重要的參數是點和存儲時間，它反映了晶體管有飽和態轉變變成截止態的快慢。
重要術語解釋：
1、a截止頻率：共基極電流增益幅值變為其低頻值的1根號2時的頻率，就是截止頻率。
2、禁帶變窄：隨著發射區中摻雜，禁帶的寬度減小。
3、基區渡越時間：少子通過中性基區所用的時間。
4、基區輸運系數：共基極電流增益中的一個系數，體現了中性基區中載流子的復合。
5、基區寬度調制效應：隨C-E結電壓或C-B結電壓的變化，中性基區寬度的變化。
6、B截止效率：共發射極電流增益幅值下降到其頻值的1根號2時的頻率。
7、集電結電容充電時間：隨發射極電流變化，B-C結空間電荷區和急電區-襯底結空間電荷區寬度發生變化的時間常數。
8、集電結耗盡區渡越時間：載流子被掃過B-C結空間電荷區所需的時間。
9、共基極電流增益：集電極電流與發射極電流之比。
10、共發射極電流增益：集電極電流與基極電流之比。
11、電流集邊：基極串聯電阻的橫向壓降使得發射結電流為非均勻值。
12、截止：晶體管兩個結均加零偏或反偏時，晶體管電流為零的工作狀態。
13、截止頻率：共發射極電流增益的幅值為1時的頻率。
14、厄爾利電壓：反向延長晶體管的I-V特性曲線與電壓軸交點的電壓的絕對值。
15、E-B結電容充電時間：發射極電流的變化引起B-E結空間電荷區寬度變化所需的時間。
16、發射極注入效率系數：共基極電流增益的一個系數，描述了載流子從基區向發射區的注入。
17、正向有源：B-E結正偏、B-C結反偏時的工作模式。
18、反向有源：B-E結反偏、B-C結正偏時的工作模式。
19、輸出電導：集電極電流對C-E兩端電壓的微分之比。
這一章討論了MOSFET的基本物理結構和特性
MOSFET的核心為MOS電容器。與氧化物-半導體界面相鄰的半導體能帶是玩去的，他由加載MOS電容器上的電壓決定。表面處導帶和價帶相對于費米能級的位置是MOS電容器電壓的函數。
氧化層-半導體界面處的半導體表面可通過施加正偏柵壓由到發生反型，或者通過施加負柵壓由n型到p型發生發型。因此在于氧化層相鄰處產生了反型層流動電荷。基本MOS場效應原理是有反型層電荷密度的調制作用體現的
討論了MOS電容器的C-V特性。例如，等價氧化層陷阱電荷密度和界面態密度可由C-V測量方法決定
兩類基本的MOSFET為n溝和p溝，n溝中的電流由反型層電子的流動形成，p溝中的電流由反型層空穴流動形成。這兩類器件都可以是增強型的，通常情況下器件是關的，需施加一個柵壓才能使器件開啟；也可以是耗盡型的，此時在通常情況下器件是開的，需施加一個柵壓才能使器件關閉
平帶電壓是滿足條件時所加的柵壓，這時導帶和價帶不發生彎曲，并且半導體中沒有空間電荷區。平帶電壓時金屬-氧化層勢壘的高度、半導體-氧化層勢壘高度以及固定氧化層陷阱電荷數量的函數
閾值電壓是指半導體表面達到閾值反型點時所加的柵壓，此時反型層電荷密度的大小等于半導體摻雜濃度。閾值電壓是平帶電壓、半導體摻雜濃度和氧化層厚度的函數。
MOSFET中的電流是由反型層載流子在漏源之間的流動形成的。反型層電荷密度和溝道電導是由柵壓控制，這意味著溝道電流被柵壓控制
當晶體管偏置在非飽和區（VDS
實際的MOSFET是一個四端器件，在襯底或體為第四端。隨著反偏源-襯底電壓的增加，閾值電壓增大。在源端和襯底不存在電學連接的集成電路中，襯底偏置效應變得很重要。討論了含有電容的MOSFET小信號等效電路。分析了影響頻率限制的MOSFET的一些物理因素。特別的，由于密勒效應，漏源交替電容成為了MOSFET頻率響應的一個制約罌粟。作為器件頻率響應的一個特點，截止頻率反比于溝道長度，因此，溝道長度的減小將導致MOSFET頻率性能的提高
簡要討論了n溝和p溝器件制作在同一塊芯片上的CMOS技術。被電學絕緣的p型和n型襯底區時電容兩類晶體管的必要條件。有不同的工藝來實現這一結構。CMOS結構中遇到的一個潛在問題是閂鎖現象，即可能發生在四層pnpn結構中的高電流、低電壓情況
重要術語解釋
對基層電荷：由于熱平衡載流子濃度過剩而在氧化層下面產生的電荷 體電荷效應：由于漏源電壓改變而引起的沿溝道長度方向上的空間電荷寬度改變所導致的漏電流偏離理想情況
溝道電導：當VDS?0時漏電流與漏源電壓改變的過程
CMOS：互補MOS；將p溝和n溝器件制作在同一芯片上的電路工藝 截至頻率：輸入交流柵電流等于輸處交流漏電流時的信號頻率 耗盡型MOSFET：必須施加柵電壓才能關閉的一類MOSFET 增強型MOSFET：鼻血施加柵電壓才能開啟的一類MOSFET 等價固定氧化層電荷：與氧化層－半導體界面緊鄰的氧化層中的有效固定電荷，用Q'SS表示。
平帶電壓：平帶條件發生時所加的柵壓，此時在氧化層下面的半導體中沒有空閑電荷區 柵電容充電時間：由于柵極信號變化引起的輸入柵電容的充電或放電時間 界面態：氧化層－半導體界面處禁帶寬度中允許的電子能態
反型層電荷：氧化層下面產生的電荷，它們與半導體摻雜的類型是相反的 反型層遷移率：反型層中載流子的遷移率
閂鎖：比如在CMOS電路中那樣，可能發生在四層pnpn結構中的高電流 低電壓現象 最大空間電荷區寬度：閾值反型時氧化層下面的空間電荷區寬度
金屬－半導體功函數差：金屬功函數和電子親和能之差的函數，用?ms表示
臨界反型：當柵壓接近或等于閾值電壓時空間電荷寬度的微弱改變，并且反型層電荷密度等于摻雜濃度時的情形
柵氧化層電容：氧化層介電常數與氧化層厚度之比，表示的是單位面積的電容，記為Cox 飽和：在漏端反型電荷密度為零且漏電流不再是漏源電壓的函數的情形 強反型：反型電荷密度大于摻雜濃度時的情形 閾值反型點：反型電荷密度等于摻雜濃度時的情形 閾值電壓：達到閾值反型點所需的柵壓
跨導：漏電流ude該變量與其對應的柵壓該變量之比 弱反型：反型電流密度小于摻雜濃度時的情形
第十二章
小結：1.、亞閾值電導是指在MOSFET中當柵-源電壓小于閾值電壓時漏電流不為零。這種情況下，晶體管被偏置在弱反型模式下，漏電流有擴散機制而非漂移機制控制。亞閾值電導可以在集成電路中產生一個較明顯的靜態偏置電流。
2、當MOSEFT工作于飽和區時，由于漏極處的耗盡區進入溝道區，有效溝道長度會隨著漏電壓的增大而減小。漏電流與溝道長度成反比，成為漏-源函數。該效應稱為溝道長度調制效應。
3、反型層中的載流子遷移率不是常數。當柵壓增大時，氧化層界面處的電場增大，引起附加的表面散射。這些散射的載流子導致遷移率的下降，使其偏離理想的電流-電壓曲線。
4、隨著溝道長度的減小，橫向電場增大。溝道中流動的載流子可以達到飽和速度；從而在較低的漏極電壓下漏電流就會飽和。此時，漏電流成為柵-源電壓的線性函數。
5、MOSEFT設計的趨勢是使器件尺寸越來越小。我們討論了恒定電場等比例縮小理論。該理論是指溝道長度、溝道寬度、氧化層厚度和工作電壓按照相同的比例因子縮小，而襯底摻雜濃度按照相同的比例因子增大。
6、討論了隨著器件尺寸的縮小閾值電壓的修正。由于襯底的電荷分享效應，隨著溝道長度的縮小，閾值電壓也減小；隨著溝道寬度的減小，閾值電壓會增大。
7、討論了各種電壓擊穿機制。包括柵氧化層擊穿、溝道雪崩擊穿、寄生晶體管擊穿以及漏源穿通效應。這些機制都可以事器件更快的衰退。輕摻雜漏可以吧漏極擊穿效應降到最小。
8、離子注入可以改變和調整溝道區中的襯底摻雜濃度，從而得到滿意的閾值電壓，他可以作為調整閾值電壓的最后一步。這個過程成為通過離子注入調整閾值電壓。
重要術語解釋：
1、溝道長度調制：當MOSEFT進入飽和區時有效溝道長度隨漏-源電壓的改變。
2、熱電子：由于在高場強中被加速，能量遠大于熱平衡時的值的電子。
3、輕摻雜漏（LDD）:為了減小電壓擊穿效應，在緊鄰溝道處建造一輕摻雜漏區的MOSEFT。
4、窄溝道效應：溝道寬度變窄后的閾值電壓的偏移。
5、源漏穿通：由于漏-源電壓引起的漏極和襯底之間的勢壘高度降低，從而導致漏電流的迅速增大。
6、短溝道效應：溝道長度變短引起的閾值電壓的偏移。
7、寄生晶體管擊穿：寄生雙極晶體管中電流增益的改變而引起的MOSEFT擊穿過程中出現的負阻效應。
8、亞閾值導電：當晶體管柵偏置電壓低于閾值反型點時，MOSEFT中的導電過程。
9、表面散射：當載流子在源極與漏極漂移時，氧化層-半導體界面處載流子的電場吸收作用和庫侖排斥作用。
10、閾值調整：通過離子注入改變半導體摻雜濃度，從而改變閾值電壓的過程。
第十三章
小結：
1、三種普通的JEFT是pn JEFT、MESFET、以及HEMT。
2、JFET中的電流由垂直于電流方向的電場控制，電流存在于源極和漏極家畜之間的溝道區中。在pn JFET中，溝道形成了pn結的一邊，用于調制溝道電導。
3、JFET的兩個主要參數是內建夾斷電壓Vpo和夾斷電壓Vp（閾電壓）。內建夾斷電壓定義為正值，它是引起結的空間電荷層完全填滿溝道區的柵極與溝道之間的總電勢。夾斷電壓（閾電壓）定義成形成夾斷是所需加的柵極電壓。
4、跨導即晶體管增益，是漏電流隨著柵極電壓的變化率。
5、三種非理想的因素：溝道長度調制效應、飽和速度和亞閾值電流，這些效應將改變理想的I-V關系。
6、小信號等效電路，等效電路中包含等效電容；兩個物理因素影響到頻率限制，即溝道輸運時間與電容電荷存儲時間。電容電荷存儲時間常數通常在短溝道器件中起作用。
7、在異質結表面，二維電子氣被限制在勢阱中。電子可以平行于表面運動。這些電子與電離了的空穴分離，以減小電離雜質散射效應，形成高的遷移率。重要術語解釋：1電容電荷存儲時間：柵極輸入信號改變時柵極輸入電容存儲或釋放電荷的時間。
2、溝道電導：當漏源電壓趨近于極限值零時，漏電源隨著漏源電壓的變化率。
3、溝道電導調制效應：溝道電導隨柵極電壓的變化過程。
4、溝道長度調制效應：JFET處于飽和區是，有效溝道長度隨漏源電壓的變化。
5、電導參數：增強型MESFET的漏電源與柵源電壓的表達式中的倍數因子k。
6、截止頻率：小信號柵極輸入電流值與小信號漏極電流值一致時的頻率。
7、耗盡型JFET：必須加以柵極電壓才能形成溝道夾斷是器件截止的JFET。
8、增強型JFET:柵極電壓為零時已經夾斷，必須加以柵源電壓以形成溝道，以是器件開啟的JFET。
9、內建夾斷電壓：溝道夾斷是柵結上的總電壓降。
10、輸出電阻：柵源電壓隨漏極電流的變化率。
11、夾斷：柵結空間電荷區完全擴展進溝道，以至于溝道被耗盡的自由載流子充滿的現象。
第十四章
小結：
1、太陽能電池將光能裝換成電能。轉換系數要考慮能量小于禁帶寬度的入射光子以及能量小于禁帶寬度的入射光子，能量小的不能被吸收，能量大的可以被吸收，并且多余的能量會形成熱量。轉換系數一般小于30%。
2、異質結電池可以增大轉換系數并形成相對大的開路電壓。無定型硅太陽能電池提供了生產低成本大面積電池的可能性。
3、光電探測器是將光信號轉換成電信號的半導體器件。光電導體是最簡單的光電探測器。入射光子會引起過剩載流子電子和空穴，從而引起半導體導電性的變化。
4、光電二極管是加反偏電壓的二極管。入射光子在空間電荷區產生的過剩載流子被電場掃過形成電場。光電流正比于入射光子強度。PIN和雪崩光電二極管是基本的光電二極管。光電晶體管產生的光電流是晶體管增益的倍數。由于密勒效應和密勒電容，光電晶體管的頻率響應比光電二極管的慢很多。
5、在pn結中光子吸收的反轉就是注入電致發光。在直接帶隙半導體中，過剩電子和空穴的復合會導致光子的發射。輸出的光信號波長取決于禁帶寬度。但是，為了輸出波長限定在某個范圍內，可以采用化合物半導體，禁帶寬度由組分決定。
6、發光二極管（LED）是一種pn結二極管，其光子的輸出時過剩電子和空穴自發復合的結果。輸出信號中相對較寬的寬度（30cm）是自發過程的結果。
7、激光二極管的輸出時受激發射的結果。光學腔即法里布-柏羅共振腔用來連接二極管，以便使光子輸出是同相或一致的。多層異質結結構可用來連接二極管，以便使光子輸出時同相或一致的。多層異質結結構可用來提高激光二極管的性能。
重要術語解釋：
1、吸收系數：在半導體材料中，單位距離吸收的相對光子數，用a表示。
2、俄歇復合：電子和空穴的復合伴隨著吸收其他粒子所釋放的能量，是一個非輻射復合過程。
3、轉換系數：在太陽能電池中，輸出的電功率和入射的光功率之比。
4、延遲光電流：半導體器件中由于擴散電流引起的光電流成分。
5、外量子效率：在半導體器件中，發射的光子數和總光子數的比率。
6、填充系數：ImVm與IscVoc的比率，是太陽能電池有效輸出能量的度量。Im和Vm是在最大功率點的電流和電壓值。Isc和Voc是短路電流和開路電壓。
7、菲涅爾損耗：由于折射系數的變化，在界面處入射光子被反射的部分。
8、內量子效率：能夠產生發光的二極管電流部分。
9、發光二極管（LED）：在正偏pn結中，由于電子-空穴復合而產生的自發光子發射。
10、發光：光發射的總性質。
11、非輻射復合：不產生光子的電子和空穴的復合過程，例如硅中在導帶和價帶間的間接躍遷。
12、開路電壓：太陽能電池的外電路開路時的電壓。
13、光電流：由于吸收光子而在半導體器件中產生過剩載流子，從而形成的電流。
14、分布反轉：處于高能級的電子濃度比處于低能級的電子濃度大的情況，是一個非平衡狀態。
15、瞬時光電流：半導體器件的空間電荷區產生的光電流成分。
16、輻射復合：電子和空穴的復合過程能夠產生光子，例如砷化鎵中的帶與帶之間的直接復合。
17、肖克萊-里德-霍爾復合：通過深能級陷阱而進行的電子-空穴對的復合，是非輻射復合過程。
18、短路電流：太陽能電池兩端直接相連時的電流。
19、受激發射：有個電子被入射光子激發，躍遷到低能級，同時發射第二個光子的過程。
第五篇：飯店術語解釋
飯店術語解釋
Skipper 意思是故意逃賬者；
其特征是：無行李或少行李者，使用假信用卡或假支票等； 對于無行李或少行李者都要留意其消費情況，使用假信用卡或假支票者，要收取其消費保證金。Register 意思是入住登記，指要入住飯店的客人需要辦理手續，如填寫登記表等； 登記的意義在于可以確保客人身份的真實性，便于查詢、聯絡和溝通；
登記的內容包括客人的姓名、出生年月、國籍、證件號碼、簽發機關、有效期等。Upgrade 意思是將高價格種類的房間按低價格的出售；
用途：A、用于房間緊張時，給有預訂的客人；B、提高接待規格給重要客人。Early arrival 意思是提前到達。指客人在預訂時間之前到達。
提前到達有兩種情況：A、是指在預訂日期之前到達。B、在飯店規定的入住時間之前到達。無論以上哪種情況，都要妥善安排好客人。Connecting room 意思是相連房。指相鄰且相通的房間； 適于安排關系密切及需互相照顧的客人； 不宜安排敵對或不同種類的客人。
Room change 指為客人轉換房間；
客人轉房的兩種主要原因是客人休息受到影響及房間設備出現問題； 轉房的手續是：叫行李生拿新的房間鑰匙及歡迎卡到客人的房間換舊的房匙及歡迎卡，請客人在新的歡迎卡上簽名。最后通知相關部門，更改有關資料。
Sleep out
“店外住宿”簡稱“外宿” House use 指飯店人員用房；
飯店提供一部分房間給管理人員休息用，以便于工作； 要控制好飯店人員用房的數量 Guest history 意思是客史檔案；
客人離店后，前臺人員將客人的有關資料記錄下來并加以保存； 客史檔案是飯店極富價值的資料，有利于對客提供針對性、個性化的服務以及開展市場調研，以鞏固和穩定客源市場。Sleep out 是“館外住宿”，簡稱“外宿”。Tips 意思是小費，指客人為感謝服務員所提供的服務而給予的賞金。按規定不能收）取小費，應婉言謝絕。
如盛情難卻，應將小費上交上級部門統一處理。Walk-in 指沒有預先訂房而前來入住的客人，簡稱“無預訂散客”。Commercial rate 商務房價：指飯店為爭取更多的客人而與一些公司簽訂合同，給予他們優惠的房間價格。Pressing 預先分房：指客人抵達前預先安排所需房間。Net rate 凈房價。指房價中除去傭金、稅收、付加費等剩下的純房間收入。Waiting list 意思是等候名單。當飯店房間已滿，仍有客人要求訂房或入住，可做等候名單。Adjoining room 相鄰房。指導相鄰而不相通的房間。
適于安排相互熟識的客人，不宜安排敵對或不同種類的客人。Tariff 價目表，是一種向客人提供飯店的房間類型及房間價格等信息的資料。Day use 半天用房，指客人要求租用客房半天，不過夜。
一般租用時間為六小時以內，退房時間為下午六點鐘以前，房價是全價的一半。Average room rate平均房價。計算方法：客房總收入除以總住房數。Guaranteed booking 保證性訂房。指客人通過使用信用卡、預付定金、訂立合同等方法，來確保飯店應有的收入。飯店必須保證為這類客人提供所需的客房，它使雙方建立起了一種更為牢靠的關系。DND（do not disturb的縮寫）
請勿打擾，客人避免外界打擾而出示的標志。IDD（international direct dial的縮寫）意思是直拔國際長途電話。No-show 指沒有預先通知取消又無預期抵達的訂房。Package 指包價服務。指賓館將幾個項目組成一個整體，一個性出售給客人。Message 意思是留言服務，它是一項飯店幫助客人傳遞口信的服務。Night audit 意思是夜間稽核，主要負責復核各營業點的營業收入報表、單據、客人房租是否正確，各類特殊價格的審批是否符合規定，發現錯誤應立即更改，以保證飯店營業收入賬目的準確。Cancellation 指客人取消預訂的要求。簡稱取消預訂。、Pick up service 意思是接車服務，飯店派人或車到車站、機場、碼頭把客人接回飯店。Wake-up call 意思是叫醒服務。Hotel chain 意思是旅館連鎖。擁有、經營兩個以上旅館的公司或系統。連鎖旅館使用統一名稱，同樣的標志，實行統一的經營。管理規范服務標準。House credit limit 指賒賬限額。指飯店允許要客人在飯店內消費賒賬的最高數額。Rooming list 意思是團體名單，它作為旅行團預訂和入住登記時分房之用。Rollaway bed 意思是摺疊床，又叫“加床”。Rack rate 門市價格，是指客人直接在飯店購買客房商品的價格。Out of order 意思是壞房，指那些由于需要維修而不能出租的房間。Over booking 意思是超額預訂。Double Occupancy 指兩人占用房比例。客房同時有兩位客人入住，稱兩人占用房，兩人占用房在出租房中所占的比例，叫兩人占用房比例。Emergency exit 意思是緊急出口。飯店專門設置的，供館內人員在發生火災等緊急情況時逃生用的出口。Executive floor 行政樓層
飯店將一層或幾層的客房相對劃分出來，用以接待高級商務行政人員，這些樓層稱為行政樓層。它設有自己的總臺、收款處、餐廳、休息室等，為客人提供細致周到的服務，其房間也比一般客房豪華。Lost & found 意思是失物招領處。Late checkout 意思是愈時退房。Log book 意思是工作日記本。
FIT（free individual tourist的簡稱）意思是散客。Room type 意思是房間種類。
常見的房間種類有：單人房、雙人房、三人房、標準房、豪華房、套房、相連房和公寓等。不同種類的房間適于不同種類的客人。Group 意思是團體，指那些有組織地進行旅游活動的群體。Settlement 意思是付賬或清賬。將賒欠飯店的款項付清或簽報。付賬的方式有幾種：現金、信用卡、支票、報賬等。Full house 意思是房間客滿。Room status 意思是房間狀態。
一般房間狀態分為：住房已清潔、住房未清潔、空房已清潔、維修房等。Check in 指客人入住飯店辦理登記手續的過程。Pre registration 預先登記。
在客人到達前，根據客人歷史資料幫客人填好登記表。Coupon 意思是客人已支付費用的住宿憑證。Master folio 總賬戶。兩人或兩間房以上發生的所有費用有一個特定賬戶來記錄，結賬時統一結算，此賬戶稱總賬戶。
Confirmed reservation 意思是確認訂房。它是指飯店對客人的預訂要求予于以接受的答復。Room change 指為客轉換房間。Advanced deposit 意思是預付訂金。指客人在訂房時所交納的訂金。Up selling 意思是根據客人特點，推銷更高價格的客房。Check out 意思是指客人辦理結賬離館手續。Concierge 意思是委托代辦。Arrival departure time Arrival:指客人到賓館的時間。
Departure:指客人離開賓館的時間。VIP：（very important person 的縮寫）意思是重要客人之意。
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