第一篇：哈工大機電工程學院2014碩士研究生復試院線

附件2

設計學學科2014年碩士研究生入學考試復試大綱 適用專業方向：數字媒體（藝術學學位、工學學位）、工業設計（工學學位）復試面試實施細則

面試總分80分，主要考核考生的綜合素質、業務能力以及外語水平。考生需至少提前20分鐘到達考場，每位考生面試時間不少于20分鐘。

（一）面試主要內容

①從事科研工作的基礎與能力；

②綜合分析與語言表達能力；

③外語聽說能力；

④大學學習情況及學習成績；

⑤專業課以外其它知識技能；

⑥特長與興趣；

⑦身心健康狀況。

考生可提供反映自身能力與水平的相關材料，如：由學校權威部門出具的成績單和排名（應屆生為前三年的成績），四、六級證書，計算機等級考試證書，各種獲獎證明材料、撰寫的論文或社會實踐報告、其它能證明考生能力和水平的證明材料。

（二）面試流程：

①考生在侯考區等待，所有考生需將手機關閉并上交；

②在導引員的引領下，考生提前20分鐘抽題準備，到指定小組面試；

③考生用外語自我介紹5分鐘，然后回答抽到的題目；

④面試結束后直接離開，不允許與未參加面試的考生交流。

（三）評分方式：

由評分小組對每位考生單獨評分，以平均分值作為最后成績。

第二篇：哈爾濱工業大學2012年體育部碩士研究生入學復試辦法含復試院線

12年哈工大體育部碩士研究生考試復試工作方案

根據哈工大2012年碩士研究生入學考試復試及錄取工作辦法，并結合體育部碩士研究生招生的具體情況，特制定復試工作方案如下：

1、復試工作領導小組：

組長：王國濱 組員：王珂、許振松、楊國財 于同

2、監督小組：

組長：陶永純 組員：關亞軍、柳洪濤、蔣 強 監督電話：86416204

3、復試分數線：

政治50分 外語 50分 專業 180分 總分320分

4、復試名單：

張曦文 張 昊 李冰

5、復試考生報到及資格審查時間、地點、聯系人及聯系方式：

（1）3月17日上午 7：40分報到、地點：哈工大一校區體育館 聯系人:于同 電話***（2）報到時請務必攜帶報名信息簡表或準考證，身份證、畢業證和學位證（往屆）原件及復印件、學生證（應屆），本科學習成績單（加蓋教務處公章），外語和計算機等級證書，以及可以證明考生能力的各種獲獎及參加科研工作的證明材料。

（3）3月17日 上午8：30分-11：30分 筆試、地點：正心樓 3月18日 上午8：30分-11：30分 面試 地點：體育館

6、面試內容：（1）體育專項基本技能測試（2）語言表達及分析能力

（3）科研工作的基礎與能力（4）大學學習情況及學習成績（5）其他知識技能的掌握情況

7、面試實施細則：

（1）體育專項測試（20分）（2）語言表達及分析能力（20分）（3）科研工作能力（20分）

（4）考生在學校期間學習情況（10分）（5）其它知識的提問（10分）

8、需要說明

考生提前審報專項測試項目，準備運動服裝和器材

哈工大體育部

2012年3月7日

第三篇：哈工大2014MBA-MPA復試院線管理學院2014年工商(公共)管理碩士復試工作安排

2014年哈爾濱工業大學工商(公共)管理碩士(MBA/MPA)復試工作安排

一、復試工作組織與管理

哈爾濱工業大學MBA/MPA復試由復試工作領導小組統一領導，管理學院專業學位教育中心組織執行，監察組對復試工作進行全程監查。

二、復試資格審查及復試名單

復試資格基本線：總分160，外語45，綜合能力100。復試名單見附件一。

根據教育部文件要求，參加復試考生必須進行復試資格審查。2014年3月21日上午9:00—11:00進行復試資格審查，請考生攜帶下列材料到哈工大科學園2H棟（國際會議中心）一樓139房間，參加復試前的資格審查。（地址：南崗區一匡街2號——哈工大科學園北門進入，前行至2H棟國際會議中心大樓內）

攜帶材料：

1、初試準考證（原件）；

2、學歷證書、學位證書、身份證(以上三項原件及復印件)；

3、《教育部學歷證書電子注冊備案表》或《中國高等教育學歷認證報告》原件及復印件。

各位考生可登陸錄中國高等教育學生信息網（.cn），按要求進行學歷或學籍認證（認證辦法見附件二）。準考證如丟失可在我校研究生招生網下載打印，無需蓋章。

三、復試時間及地點

復試定于2014年3月22日上午8：30在哈工大科學園2H棟專業學位教育中心進行，通過復試資格審查的考生方可參加復試。

四、復試內容

復試由筆試和面試兩部分組成。外語聽力水平考核在面試中進行。復試成績總分為100分，其中筆試 50分，面試中綜合素質45分，外語考核5分。

筆試主要是考察考生對時事政治知識的掌握與理解，主要內容包括黨的十八屆三中全會與2013年以來國內外時事或要聞。

面試主要測試與考評考生的表達與反應能力、管理素質及工作業績、分析判斷能力及其他知識的掌握，外語聽力及口語水平。每個考生面試時間為20分鐘。

五、復試程序

1、筆試。考生于2014年3月22日上午8：30--9：30到專業學位教育中心進行筆試。具體筆試地點在資格審查時通知?？忌钄y帶身份證及初試準考證參加筆試。

2、面試。9：40開始分組面試。考生須攜帶準考證和身份證按照分組名單先后順序進行面試。

面試小組由五位教師組成，對每位考生的外語水平和綜合素質面試結果由每位評委教師分別獨立評分，按照五個人的分數，去掉一個最高分和一個最低分，計算出平均分為考生的小組內得分，最后對考生的小組內得分進行組間差異處理，形成考生最終實際得分。

六、錄取

MBA/MPA考生的最后成績為初試成績與復試成績之和，錄取時按考生最后成績排序，由高向低順序錄取。

哈工大工商管理碩士（MBA）與公共管理碩士（MPA）錄取類別為定向就業，考生錄取后需簽署《定向就業碩士生錄取協議書》，考生畢業后回定向單位就業，不進行派遣。

七、其他

參加復試考生的成績匯總在哈工大管理學院網上公布。

附件二

網上學歷、學籍信息認證方法相關說明

考生可登陸學信網（）。

4．《教育部學歷證書電子注冊備案表》、《教育部學籍在線驗證報告》的網上有效驗證期為30日有效；《中國高等教育學歷認證報告》為永久有效。

第四篇：哈工大環境工程復試題05-07

哈工大2005年環境科學與工程研究生復試試題

一、描述氮、磷和硫酸鹽等污染物在自然界中的降解過程？簡述脫氮、除磷的主要處理工藝，分析其處理機理及優缺點

二、簡述污水中常用的物理化學處理方法及其主要適宜的污水類型？簡述混凝處理工藝的影響因素、混凝劑的主要種類及各自的優缺點

三、以某一種煙氣脫硫技術為例，簡述其原理、工藝流程、影響因素及應用前景。

四、固體廢物的處理和處置主要有哪些方法？各適用于何種類型的廢物？并說明各方法的基本工作原理，及該怎么實現固體廢物的資源化

五、何謂COD、BOD？簡述這兩項水質指標的測定意義、測定原理、測定方法與步驟，試比較這兩項指標的特點及在環境水處理工程中的應用意義。哈工大2006年環境科學與工程研究生復試試題

1.描述碳、氮和硫等污染物在自然界中的降解過程。概述脫氮、除磷主要處理工藝，分析其處理機理及優缺點。

2.概述城市生活污水二級處理中常用的處理工藝，并以某一種具體工藝為例，概述各處理單元工作原理和設計參數。

3.以某一種煙氣除塵技術為例，概述其原理、工藝流程、影響因素及應用前景。

4.危險廢物的處理方法有哪些方法，各運用于何種危險廢物？并說明個方法工作原理，即如何實現廢物減量化。

5.以2個污水處理監測的主要指標為例，概述其水質指標的測定意義、測定原理、測定方法與步驟。是比較這兩項著標的特點及在水環境處理工程中的應用。

哈工大2007年環境科學與工程研究生復試試題

1.簡述活性污泥的基本原理，指出采用該工藝處理生活污水有哪些主要的設計和運行參數，推薦參數的合理取值范圍。

2.生活污水最常用的水質指標有哪幾項？分別敘述基本概念，并指出在污水處理工藝設計中的用途。

3.污水處理二次沉淀池與初次沉淀池有何區別？在設計中應如何考慮？

4.燃料組成，燃料條件等都影響SO2和ＮＯx的排放，先進的燃燒過程對減少SO2和ＮＯx的排放都有顯著效果，燃燒后煙氣凈化廣泛用來減少兩者的排放。試從多方面對比控制SO2和ＮＯx的技術和策略。

5.為什么生活垃圾在焚燒處理的過程中會產生二惡英？怎樣對其產生和污染進行控制？

6.垃圾填埋場的滲濾液是怎樣產生的？其水質具有哪些特征？

7.為什么說水中三氮（氨氮，亞硝酸鹽氮，硝酸鹽氮）的測定能間接反映水體受有機污染的情況？簡述“三氮”的檢測分析方法。

第五篇：中南大學機電工程學院2018年機械工程碩士研究生入學考試大綱

中南大學機電工程學院2018年全國碩士研究生入學考試

《微電子制造學》考試大綱

本考試大綱由機電工程學院教授委員會于2015年7月16日通過。

I.考試性質

微電子制造學考試是為中南大學機電工程學院招收信息器件制造技術與裝備方向碩士研究生而設置的入學考試科目，其目的是科學、公平、有效地測試學生掌握微電子器件制造及封裝技術涉及的基本理論和技術，以及運用相關知識和方法來分析、解決問題的能力，以保證被錄取者具有基本的微電子制造知識基礎，并有利于信息器件制造技術與裝備方向在專業上擇優選拔。

II.考查目標

微電子制造學涉及半導體器件物理、微電子器件前道制造工藝原理及工藝過程和后道封裝技術。半導體器件物理涵蓋半導體材料特性（載流子濃度、遷移率）分析，非平衡載流子輸運特性分析，及典型微電子器件（PN結、MOS器件）原理和工作特性分析。微電子制造工藝原理涵蓋半導體技術的核心工序及關鍵制造工藝過程的基本原理，其中包括摻雜、薄膜淀積、光刻、刻蝕、電鍍金屬化的工藝集成原理與基礎知識。微電子封裝技術涵蓋微電子封裝互連基礎及可靠性與失效分析。要求考生：

（1）準確地掌握、應用微電子制造有關的基礎知識。

（2）準確、恰當地使用本學科的專業術語，正確理解和掌握微電子器件制造的相關范疇、規律和理論。

（3）運用有關知識和原理，為先進微電子器件合理規劃制造工藝、設計封裝結構，并選擇材料。

（4）運用有關知識和原理，解決先進微電子器件制造和封裝過程中的互聯工藝制程、失效和可靠性等問題。Ⅲ.考試形式和試卷結構

1、試卷滿分及考試時間

本試卷滿分為150分，考試時間為180分鐘

2、答題方式

答題方式為閉卷，筆試。

3、試卷內容結構

半導體器件物理

30% 微電子器件工藝原理

35% 微電子封裝基礎

35% Ⅳ.考查內容

1、半導體器件物理

（1）半導體材料特性分析及基本概念。

半導體中載流子的統計分布，半導體導電性，電場、溫度及外界因素的影響。

（2）載流子輸運特性分析。

非平衡載流子注入與復合，準費米能級，非平衡載流子壽命，非平衡載流子擴散與漂移運動，泊松方程和連續性方程。（3）半導體基本器件結構、工作原理和特性分析。

PN結的形成、能帶圖和I-V特性；金屬－半導體接觸、功函數，整流接觸和歐姆接觸；MOS結構的形成、能帶圖和C-V特性。

2、微電子器件工藝原理

（1）關鍵微電子制造工藝（光刻、摻雜、薄膜沉積、刻蝕和電鍍技術）原理與裝備。

雜質擴散機理，擴散系數和擴散方程，擴散雜質分布，擴散結果測量，了解常用擴散工藝及系統設備。離子注入系統組成，濃度分布，注入損傷和退火，離子注入特點及應用。SiO2結構及性質，硅的熱氧化，影響氧化速率的因素，氧化缺陷，掩蔽擴散所需最小SiO2層厚度的估算，SiO2薄膜厚度的測量。光刻工藝流程，光刻缺陷控制及檢測，光刻技術分類（光學光刻，非光學光刻），了解最新的光刻工藝技術動態。真空技術基礎知識，真空系統組成，等離子體基本原理及應用。刻蝕分類（濕法刻蝕、干法刻蝕），常用刻蝕液組成及應用，干法刻蝕系統原理及結構組成。物理氣相沉積（PVD）：濺射、蒸發原理及系統組成，形貌及臺階覆蓋問題的解決；化學汽相淀積（CVD）基本化學過程及動力學原理，各種不同材料、不同模式CVD方法系統原理及構造；外延生長機理，外延層雜質濃度分布，外延缺陷控制及外延厚度和電阻率的測量。（2）工藝控制與集成。

關鍵微電子制造工藝（光刻、摻雜、薄膜沉積、刻蝕和電鍍技術）控制及MOS器件的工藝基礎。集成電路制造過程中質量管理基礎知識，統計技術應用，生產的過程控制技術。

3、微電子封裝技術

（1）微電子封裝設計基礎。

電氣設計的基本概念（電阻現象、同步開關噪聲、趨膚效應、寄生效應、時間延遲、傳輸線、串擾、電源噪聲、電磁干擾）、原理和電氣設計方法。熱設計的原理，散熱方法，封裝結構熱性能基本分析。機械設計的基本概念（熱失配、應力、形變、應變、趨膚強度、疲勞、斷裂強度）、理論和封裝結構機械性能基本分析。（2）微電子封裝互連基礎。

主要微電子互連制造技術（WB、TAB、FCP、BGA、MCM）的原理、類型、材料、關鍵工藝（減薄、粘片、引線鍵合、清洗、塑封、植球、倒裝焊）特點及應用。

（3）可靠性與失效分析。

過載和損耗造成的各種微電子封裝失效現象（疲勞、脆性斷裂、蠕變、分層、塑性形變、靜電放電、電遷移、腐蝕失效、金屬間擴散）的機理分析和抑制方法，產品可靠性基本概念（失效函數、加速實驗、加速因子、可靠性函數）和器件壽命預測。

機電工程學院 2018.07.18