第一篇：個人工作小總結(jié)——工藝辦

個人部門工作小總結(jié)

2015年已經(jīng)結(jié)束，2016已悄然到來，回望這一年來的工作歷程作此總結(jié)。

一、訂單打樣 工藝辦在接到訂單打樣（初樣、產(chǎn)前樣）時嚴(yán)格核對訂單數(shù)量、顏色、面料、尺寸、款式等細(xì)節(jié)確保無遺漏在下發(fā)，有疑問時及時溝通。在這一年中通過營銷部、計劃部、打板室、裁床、樣衣房、工藝辦、后道的相互協(xié)作溝通，樣衣得以及時完成發(fā)往客戶。

二、大貨訂單工藝 對大貨及訂單工藝的完善。接到單時及時完善成品工藝確保工藝單同客戶制單、樣衣一致。如有特殊要求及時試樣由客人確認(rèn)。

三、上半年二等品備疵、換片 2015年上半年經(jīng)各部門的協(xié)商對大貨二等品采取了備疵換片的方法來減少二等品的數(shù)量。裁床將備疵片捆好、寫上飛子隨大貨流轉(zhuǎn)到工藝辦后統(tǒng)一分類、配片最后由樣衣房處理。樣衣房將備好片的二等品再次細(xì)化的分類堆放，二等品要經(jīng)過拆片、換片、裁片、縫制等工序才能成為正品。在2015年上半年樣衣房處理了二等品3858件，經(jīng)過換片成為正品共3775件，備疵片遺留制作大貨共696件。

四、裁床改革 2015年下半年對裁床進(jìn)行改革后工藝辦在裁剪車間的協(xié)助下對大貨單耗進(jìn)行了細(xì)致的實驗，得出各款的實際單耗、用布率和裁剪數(shù)量。改革完成后對裁片疵點、掛絲等面料質(zhì)量問題進(jìn)行抽檢、記錄。

2016年的到來帶來新的氣息，在新的一年中我們會再接再厲努力工作！！

2016-1-15

第二篇：焊接工藝(個人總結(jié))

焊接工藝（個人總結(jié)）

此部分主要講述各種材料的焊接工藝，包括（45、HT300、空冷鋼、Cr12MoV、MoCr鑄鐵、GGG70L）。講述的內(nèi)容涉及對不同材料使用的焊條，在焊接之前焊條如何處理，基體如何處理。

第三篇：集成電路工藝個人總結(jié)

曹飛 個人版總結(jié)

引言

第一只晶體管 ?第一只晶體管, AT&T Bell Lab, 1947 ?第一片單晶鍺, 1952 ?第一片單晶硅, 1954(25mm，1英寸)?第一只集成電路（IC）, TI, 1958 ?第一只IC商品, Fairchild, 1961 摩爾定律晶體管最小尺寸的極限 ?價格保持不變的情況下晶體管數(shù)每12月翻一番，1980s后下降為每18月翻一番；

?最小特征尺寸每3年減小70% ?價格每2年下降50%；

IC的極限

?硅原子直徑: 2.35 ?；

?形成一個器件至少需要20個原子；

?估計晶體管最小尺寸極限大約為50 ?或0.005um，或5nm。

電子級多晶硅的純度

一般要求含si>99.9999以上，提高純度達(dá)到99.9999999—99.999999999%（9-11個9）。其導(dǎo)電性介于10-4-1010 ? /cm。電子級高純多晶硅以9N以上為宜。

1980s以前半導(dǎo)體行業(yè)的模式

1980s以前：大多數(shù)半導(dǎo)體公司自己設(shè)計、制造和測試IC芯片，如 Intel，IBM

1990s以后半導(dǎo)體行業(yè)的模式

F&F模式，即Foundry(代工)+Fabless(無生產(chǎn)線芯片設(shè)計), 什么是Foundry

有晶圓生產(chǎn)線，但沒有設(shè)計部門；接受客戶訂單，為客戶制造芯片；

IC流程圖:

接受設(shè)計訂單→芯片設(shè)計→EDA編輯版圖→將版圖交給掩膜版制造商→制造晶圓→芯片測試→芯片封裝

硅片制備與高溫工藝單晶生長：直拉法 區(qū)熔法 高溫工藝:氧化，擴散，退火。Si集成電路芯片元素組成

?

■半導(dǎo)體（襯底與有源區(qū)）：單晶Si ■雜質(zhì)（N型和P型）：P(As)、B ■導(dǎo)體（電極及引線）：Al、Wu（Cu、Ti）、poly-Si ■絕緣體（柵介質(zhì)、多層互連介質(zhì)）：SiO2、Si3N4 硅的重要性 ■儲量豐富，便宜；（27.6％）

■SiO2性質(zhì)很穩(wěn)定、良好介質(zhì)，易于熱氧化生長；

■較大的禁帶寬度（1.12eV），較寬工作溫度范圍

硅提純 I的工藝步驟、化學(xué)反應(yīng)式及純度

從石英砂到硅錠

■石英砂（SiO2)→冶金級硅(MGS)

■HCl與MGS粉反應(yīng)形成TCS■（trichlorosilane：氯硅烷）■利用汽化和冷凝提純TCS ■TCS與H2反應(yīng)形成多晶硅(EGS)■熔融EGS和拉單晶硅錠 從硅錠到硅片

單晶硅錠→整型→切片→磨片倒角→刻蝕→拋光→清洗→檢查→包裝 化學(xué)反應(yīng)式

硅提純I

多晶硅淀積

直拉法的拉晶過程

拉晶過程

①熔硅②引晶（下種）③收頸④放肩

直拉法的拉晶過程中收頸的作用 目的：抑制位錯從籽晶向晶體延伸

直拉法與區(qū)熔法的對比

直拉法，更為常用(占75％以上)⑴便宜⑵更大的圓片尺寸(300mm已生產(chǎn))⑶剩余原材料可重復(fù)使用⑷位錯密度：0～104cm2 區(qū)熔法

⑴高純度的硅單晶(不使用坩鍋)（電阻率2000Ω-mm）⑵成本高，可生產(chǎn)圓片尺寸較小(150mm)⑶主要用于功率器件⑷位錯密度：103～105cm2 定位邊或定位槽的作用 ①識別晶向、導(dǎo)電類型及劃片方向 ②硅片（晶錠）機械加工定位的參考面；

③硅片裝架的接觸位置

外延的定義：外延、外延層、外延片、同質(zhì)外延、異質(zhì)外延

外延層：單晶襯底上單晶薄膜層 外延：同質(zhì)外延和異質(zhì)外延

同質(zhì)外延：襯底與外延層為相同晶體，晶格完全匹配 異質(zhì)外延：襯底與外延層為不同晶體，晶格不匹配

雙極晶體管（電路）和CMOS器件（電路）中外延層的應(yīng)用

雙極晶體管（電路）中外延層的應(yīng)用

?高阻的外延層可提高集電結(jié)的擊穿電壓

■低阻的襯底（或埋層）可降低集電極的串聯(lián)電阻

CMOS器件（電路）中外延層的應(yīng)用

■ 減小pnpn寄生閘流管效應(yīng)降低漏電流

Si外延的源材料

■Si源氣體：SiH4(硅烷), SiH2Cl2(二氯硅烷)，SiHCl3(三氯硅烷), SiCl4(四氯硅烷)■ 摻雜劑 N型摻雜劑：PH3, AsH3 P型摻雜劑：B2H6 分子束外延（MBE）的特點 高溫工藝設(shè)備小結(jié)

■高溫工藝通常使用爐管反應(yīng)室；

■反應(yīng)爐通常由控制系統(tǒng)、氣體輸運系統(tǒng)、反應(yīng)腔、裝卸片系統(tǒng)和尾氣處理系統(tǒng)構(gòu)成

■立式爐管使用最廣泛，因為其占地面積小、污染控制好、維護(hù)量小 ■溫度控制的精確性和均勻性對于高溫工藝的成功至關(guān)重要

氧化膜在IC中的應(yīng)用 ■摻雜阻擋層■表面鈍化(保護(hù))■隔離層■柵氧化層■MOS電容的介質(zhì)材料

各種氧化層在工藝中的應(yīng)用、厚度及工藝 摻雜阻擋氧化層應(yīng)用

■Much lower B and P diffusion rates in SiO2than that in S

■SiO2can be used as diffusion mask

表面鈍化(保護(hù))氧化層應(yīng)用

■Pad Oxide襯墊（緩沖）氧化層, Screen Oxide屏蔽氧化層 Sacrificial Oxide犧牲氧化層, Barrier Oxide阻擋氧化層 ■Normally thin oxide layer(~150?)to protect silicon defects from contamination and over-stress

器件隔離氧化層應(yīng)用

■Electronic isolation of neighboring devices ■Blanket field oxide ■Local oxidation of silicon(LOCOS)■Thick oxide, usually 3,000 to 10,000 ?

柵氧化層應(yīng)用

■Gate oxide: thinnest and most critical layer ■Capacitor dielectric

1號液和2號液的配方及作用 ■SC-1－NH4OH:H2O2:H2O with 1:1:5 to 1:2:7 ratio at 70 to 80℃to remove organic contaminants.(1號液)■SC-2--HCl:H2O2:H2Owith 1:1:6 to 1:2:8 ratio at 70 to 80 ℃to remove inorganic contaminates.(2號液)

顆粒、有機粘污、無機粘污及本征氧化層的清洗 Pre-oxidation（預(yù)氧化）Wafer Clean Organic（有機）Removal ■Strong oxidants remove organic residues ■H2SO4:H2O2or NH3OH:H2O2followed by DI H2O rinse.■ High pressure scrub or immersion in heated dunk tank followed by rinse, spin dry and/or dry bake(100 to 125 °C).Pre-oxidation Wafer Clean Inorganic（無機）Removal ■HCl:H2O ■Immersion(浸入)in dunk tank followed by rinse, spin dry and/or dry bake(100 to 125℃)Pre-oxidation Wafer Clean Native Oxide Removal（本征氧化層）

■HF:H2O ■Immersion(浸入)in dunk tank or single wafer vapor etcher followed by rinse, spin dry and/or dry bake(100 to 125℃)

SiO2生長的迪爾-格羅夫模型

干氧氧化和濕氧氧化的特點與應(yīng)用 干（氧）氧化

■氧化劑：干燥的O2■Si+O2→SiO2■O來源于提供的氧氣；Si來源于襯底硅圓片■O2通過表面已有的氧化層向內(nèi)擴散并與Si反應(yīng)生長SiO2■氧化膜越厚，生長速率越低■干氧化速率最低

濕（氧）氧化

■氧化劑：O2攜帶H2O■Si+O2→SiO2■Si+ 2H2O →SiO2+ 2H2 ■濕氧化的生長速率介于水汽氧化與干氧化之間■實際氧化工藝：干氧+濕氧+干氧

氧化工藝應(yīng)用 干氧化，薄氧化層（<1000A）

－■MOS柵氧化層（30～120A）-■襯墊氧化層（100～200A），--■屏蔽氧化層（～200A），■犧牲氧化層（<1000A），等等

濕氧化，厚氧化層

■場氧化層（3000～5000A）■擴散掩膜氧化層（400～1200A）

摻氯氧化的作用

■Cl 可以減少氧化層中的可動離子（如Na+）■MOS柵極氧化中廣泛采用 ■氧化速率提高（1～5）％

影響氧化速率的因素

■溫度■濕氧化或干氧化■厚度■壓力■硅片晶向(<100>或<111>)■硅中雜質(zhì)

氧化速率與溫度

■氧化速率對溫度很敏感，指數(shù)規(guī)律■溫度升高會引起更大的氧化速率升高

氧化速率與圓片晶向

■<111>表面的氧化速率高于<100>表面■原因：<111>表面的Si原子密度高

氧化速率與雜質(zhì)濃度

■摻雜濃度越高，氧化層生長速率越高

Si-SiO2界面特性替位式擴散、間隙式擴散、擴散系數(shù)

在Si-SiO2界面有四種不同類型的電荷：（1）可動離子電荷（2）氧化層固定電荷（3）界面陷阱電荷（4）氧化層陷阱電荷

雜質(zhì)再硅晶體中的主要擴散機構(gòu)有：間隙式擴散、替位式擴散。替位式擴散：雜質(zhì)從一個晶格位置運動到另一個晶格位置上稱為替位式擴散

間隙式擴散：雜質(zhì)從一個間隙位置到另一個間隙位置上的運動稱為間隙式擴散

兩步擴散工藝

兩步法擴散分預(yù)淀積和再分布兩步進(jìn)行，第一步稱為預(yù)擴散或預(yù)淀積，在較低的溫度下，采用恒定表面濃度擴散方式在硅片便面擴散一薄層雜質(zhì)原子，目的在于確定進(jìn)入硅片的雜質(zhì)總量。第二步稱為主擴散或再分布或推進(jìn)擴散，在較高的溫度下，采用很定雜質(zhì)總量擴散方式，讓淀積在表面的雜質(zhì)繼續(xù)往硅片中擴散，目的在于控制擴散深度和表面濃度。

擴散的局限性與應(yīng)用

擴散技術(shù)的主要缺陷

■擴散是各向同性的，掩膜下方也會有雜質(zhì)橫向擴散 ■不能獨立控制結(jié)深和摻雜濃度 擴散應(yīng)用

■主要用在阱注入后的推進(jìn)工藝

離子注入后為什么要退火 ■高能離子損傷晶體結(jié)構(gòu)■非晶硅有很高的電阻率

■需要外部能量如熱使其恢復(fù)單晶結(jié)構(gòu)■只有在單晶結(jié)構(gòu)中雜質(zhì)才能被激活

RTP（快速熱退火）的優(yōu)點 ■快速升溫(75 to 150 °C/sec)■更高溫度(up to 1200 °C)■過程快速■使雜質(zhì)擴散最小化■熱預(yù)算的更好控制（節(jié)約能源）■更好的圓片間均勻性控制 薄膜淀積

真空蒸發(fā)法蒸發(fā)源加熱方式

■電阻加熱■電子束加熱■激光加熱■高頻感應(yīng)加熱

濺射的工作原理與特點

原理；具有一定能量的入射離子對固體表面轟擊時，入射離子與固體表面原子碰撞發(fā)生能量和動量的轉(zhuǎn)移，將固體表面的原子濺射出來 直流濺射特點：只適于金屬靶材。磁控濺射特點：淀積速率最高。

RF濺射特點：適于各種金屬與非金屬靶材。

PVD 與 CVD對比 ■CVD：襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng) ■PVD：襯底表面不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)

■CVD: 更好的臺階覆蓋性(50% to ~100%)和空隙填充能力 ■PVD: 臺階覆蓋性差(~ 15%)和空隙填充能力差 ■PVD 源: 固態(tài)材料 ■CVD 源: 氣體或蒸汽

CVD氧化硅與熱生長氧化硅對比 ■熱生長氧化硅

?O來源于氣源，Si來源于襯底?氧化物生長消耗硅襯底?高質(zhì)量 ■CVD 氧化硅

?O和Si都來自氣態(tài)源?淀積在襯底表面?生長溫度低（如PECVD）?生長速率高

CVD介質(zhì)薄膜的應(yīng)用 ■淺槽隔離(STI):undopedsilicon dioxide glass, USG■側(cè)墻隔離：USG ■金屬前介質(zhì)(PMD）：PSG or BPSG■金屬層間介質(zhì)(IMD/ILD）：USG or FSG■鈍化介質(zhì)(PD）：Oxide/Nitride CVD的基本過程

① 傳輸②吸附③化學(xué)反應(yīng)④淀積⑤脫吸⑥逸出

CVD生長的兩種極限：表面反應(yīng)控制與質(zhì)量輸運（傳輸）控制

表面反應(yīng)控制型

■化學(xué)反應(yīng)速率不能滿足反應(yīng)劑擴散和吸附的速率，反應(yīng)劑堆積在襯底表面等待反應(yīng)；■淀積速率＝反應(yīng)速率■淀積速率對溫度很敏感 質(zhì)量輸運控制型

■表面化學(xué)反應(yīng)速率足夠高，當(dāng)反應(yīng)劑被吸附在襯底表面時會立即反應(yīng)■淀積速率＝D dn/dx■淀積速率對溫度不敏感■淀積速率主要受到氣體流速的控制

CVD 的三種類型及各自的應(yīng)用

■APCVD 常壓化學(xué)氣相淀積■LPCVD 低壓化學(xué)氣相淀積 ■PECVD 等離子體增強化學(xué)氣相淀積

CVD淀積速率G與溫度T的關(guān)系

■低溫下，hg>>ks，反應(yīng)控制過程，故G與T呈指數(shù)關(guān)系； ■高溫下，hg<

離子注入

離子注入與熱擴散的對比

離子注入的兩種阻擋機制

核碰撞和電子碰撞

避免溝道效應(yīng)的方法 ■傾斜硅片, 7°最常用■屏蔽氧化層（無定形）■注入前預(yù)先無定型處理

離子注入機的原理

離子注入工藝的應(yīng)用及技術(shù)趨勢

離子注入工藝

■CMOS工藝應(yīng)用■CMOS離子注入的工藝要求■離子注入工藝的評價。

技術(shù)趨勢

■超淺結(jié)(USJ)■絕緣體上硅(SOI)■等離子體沉浸離子注入(PIII)SOI的優(yōu)勢

■芯片速度更快，耗電更少■電路密度提高 ■SOI尤其在RF與SoC方面表現(xiàn)出色

SOI圓片的制造：智能剝離與注氧隔離 離子注入特點：

⑴注入溫度低⑵摻雜數(shù)目受控⑶橫向擴散小⑷不受固溶度限制⑸注入深度隨離子能量增加而增加⑹適合化合物摻雜 光刻與刻蝕工藝（曝光、刻蝕）

光刻的需要及光刻三要素

■高分辨率■光刻膠高光敏性■精確對準(zhǔn)

正膠與負(fù)膠的比較

光刻工藝的10個步驟（1）硅片清洗（2）預(yù)烘和底膜涂覆（3）涂光刻膠（4）前烘（5）對準(zhǔn)（6）曝光（7）后烘（8）顯影（9）堅膜（10）圖形檢測

前烘、后烘及堅膜工藝目的（作用）的比較 前烘作用: 促進(jìn)膠膜內(nèi)溶劑充分揮發(fā)，使膠膜干燥；

增加膠膜與SiO2（Al膜等）的粘附性及耐磨性

后烘作用：平衡駐波效應(yīng)，提高分辨率。堅膜的作用

■蒸發(fā)PR中所有有機溶劑■提高刻蝕和注入的抵抗力■提高光刻膠和表面的黏附性■聚合和使得PR更加穩(wěn)定■PR流動填充針孔 4種曝光機

■接觸式曝光機■接近式曝光機■投影式曝光機■步進(jìn)式曝光機

分辨率與波長及NA的關(guān)系（最小線寬）R由曝光系統(tǒng)的光波長λ和數(shù)值孔徑NA決定，R=K1λ/NA

K1為系統(tǒng)常數(shù), λ光波長, NA = 2r0/D； ■NA: 凸鏡收集衍射光的能力

如何提高分辨率？ ■提高NA

更大的凸鏡, 可能很昂貴而不實際 減小DOF（焦深），會引起制造困難 ■減小光波長 開發(fā)新光源, PR和設(shè)備

波長減小的極限：UV到DUV, 到EUV, 到X-Ray ■減小K1 相移掩膜

移相掩模的原理與應(yīng)用 移相掩模是一種雙層設(shè)計結(jié)構(gòu),通過利用干涉技術(shù)抵消某些衍射效應(yīng),可使光刻分辨率的改進(jìn)達(dá)到25%～100% 兩種紫外線和三種深紫外線的名稱、波長及對應(yīng)的最小特征尺寸 ■汞燈i-line, 365 nm：–常用在0.35 μm光刻

■DUV KrF受激準(zhǔn)分子激光器, 248 nm：應(yīng)用0.25 μm, 0.18 μm and 0.13 μm光刻 ■ArF受激準(zhǔn)分子激光器,193 nm：–應(yīng)用: < 0.13 μm

■F2受激準(zhǔn)分子激光器：157 nm：–仍處于研發(fā)階段, < 0.10 μm應(yīng)用

■157 nm F2激光器光刻

：使用相移掩膜, 即使0.035 μm 都是可以的

下一代光刻

■超紫外■X射線■電子束

干法刻蝕與濕法刻蝕的對比 濕法刻蝕的優(yōu)點

■高選擇性■設(shè)備成本較低■批處理, 高產(chǎn)量

濕法刻蝕的缺點

■各向同性■不能刻蝕3μm以下圖形■化學(xué)品使用量高■化學(xué)品危險

干法刻蝕優(yōu)點：

■各向異性腐蝕強；■分辨率高；■刻蝕3μm以下線條

濕法刻蝕SiO2、Si、Poly-Si及Si3N4的配方及反應(yīng)式

濕法刻蝕SiO2 常用配方(KPR膠）：HF: NH4F: H2O=3ml:6g:10ml

(HF溶液濃度為48％)SiO2+ 6HF →H2SiF6 + 2H2O

濕法刻蝕Si、Poly-Si HNO3-HF-H2O(HAC)混合液

濕法刻蝕Silicon Nitride

熱(150 to 200 °C)磷酸H3PO4溶液

干法刻蝕的原理與種類

① 等離子體刻蝕：化學(xué)性刻蝕②濺射刻蝕：純物理刻蝕③反應(yīng)離子刻蝕（RIE）：結(jié)合①、②

干法刻蝕SiO2、Si、Poly-Si及Si3N4的腐蝕劑

刻蝕氣體：CF4、BCl3、CCl4、CHCl3、SF6

金屬化與多層互連

金屬化的應(yīng)用、三種最常用的金屬及三種不同的金屬化方法

應(yīng)用

■柵電極材料■金半接觸電極材料■互連材料

常用的金屬性材料

■摻雜的poly-Si■金屬硅化物■金屬合金 金屬化方法

多晶硅－重?fù)诫s，LPCVD淀積 金屬硅化物-淀積 合金=淀積（PVD,CVD）集成電路對金屬化的基本要求

1.形成低阻歐姆接觸；2.提供低阻互連線；3.抗電遷移；4.良好的附著性；5.耐腐蝕；6.易于淀積和刻蝕；7.易鍵合；8.層與層之間絕緣要好

90年代CMOS標(biāo)準(zhǔn)金屬化：柵材料，接觸孔（通孔）填充材料，阻擋層（勢壘層）、黏附層、焊接層、及防反射層材料，互連材料，金半接觸電極材料及工藝

Al-Si接觸的尖楔現(xiàn)象、影響及抑制 Al/Si接觸的尖楔現(xiàn)象：Si在Al中的溶解度及快速擴散 影響：PN結(jié)穿刺 –Al刺穿過摻雜PN結(jié)，使源/漏與襯底短路 抑制：400 ℃熱退火在Si-Al界面形成Si-Al合金

Al的電遷移現(xiàn)象、影響及抑制 電遷移：大電流密度下發(fā)生質(zhì)量（離子/晶粒）輸運 現(xiàn)象：在陽極端堆積形成小丘或須晶，造成電極間短路；

在陰極端形成空洞，導(dǎo)致電極開路

影響；

■電遷移使金屬線變窄變薄■殘留引線中電流密度更高■電遷移影響IC的可靠性

電遷移抑制

■少量銅與鋁形成的合金將大大提供Al對電遷移的抵抗，銅作為Al晶粒間的粘合劑，防止Al晶粒因電子轟擊而遷移 ■Al-Cu(0.5%)最常用■使用Al-Si-Cu 合金

TiN的作用 TiN：阻擋層，防止W擴散

TiN：粘合層，幫助W與SiO2表面粘合在一起

TiN：防反射涂層ARC（Anti-reflection coating），防止反射提高光刻分辨率

Cu淀積的大馬士革鑲嵌工藝

① 在低K介質(zhì)層上刻蝕出Cu互連線用的溝槽； ② ②CVD淀積一層薄的金屬勢壘層：防止Cu的擴散 ③ ③濺射淀積Cu的籽晶層：電鍍或化學(xué)鍍Cu需要 ④ ④溝槽和通孔淀積Cu：電鍍或化學(xué)鍍； ⑤400℃下退火； ⑤ Cu的CMP。

工藝集成

MOS IC與雙極IC的隔離

MOS集成電路的隔離：LOCOS隔離工藝；側(cè)墻掩蔽的隔離工藝；淺槽隔離等.雙極集成電路的隔離：pn結(jié)隔離工藝；深槽隔離工藝.防止寄生場效應(yīng)晶體管開啟及提高寄生晶體管閾值電壓的工藝方法 防止寄生場效應(yīng)晶體管開啟的方法

提高寄生場效應(yīng)晶體管的閾值電壓使寄生場效應(yīng)晶體管的閾值電壓高于集成電路的工作電壓

4．提高寄生晶體管閾值電壓的方法

1）、增加場區(qū)SiO2的厚度；（但是過厚的氧化層將產(chǎn)生過高的臺階，從而引起臺階覆蓋的問題）

2）、增大氧化層下溝道的摻雜濃度，即形成溝道阻擋層

局部氧化（LOCOS）、側(cè)墻掩蔽的隔離（SWAMI）及淺槽隔離（STI，Shallow Trench Isolation）工藝的特點、工藝流程及示意圖 局部氧化工藝

優(yōu)點：

1.可以減小表面的臺階高度；2.和高濃度雜質(zhì)注入是一次光刻完成的 缺點：

1、鳥嘴侵蝕有源區(qū)；

2、不利于后序工藝中的平坦化；

3、雜質(zhì)重新分布。

P阱、N阱工藝特點

P阱工藝：易實現(xiàn)nMOS和pMOS的性能匹配，適于靜態(tài)邏輯電路 n阱工藝：易獲得高性能的nMOS，適于微處理器、DRAM 熟悉雙阱CMOS IC工藝流程 1）硅片準(zhǔn)備2）阱的制備3）場區(qū)隔離：4）CMOS器件形成5）多層金屬互聯(lián)6）后部封裝工藝

熟悉標(biāo)準(zhǔn)埋層雙極集成電路工藝流程 標(biāo)準(zhǔn)埋層雙極集成電路工藝流程

1）、襯底準(zhǔn)備2）、埋層的制備3）、外延層生長4）、隔離區(qū)的形成（第二次光刻）5）、收集極接觸的制備（第三次光刻）6）、基區(qū)的形成（第四次光刻）7）、發(fā)射區(qū)的形成（第五次光刻）8）、金屬接觸和互聯(lián)（第六、七次光刻）9）、后續(xù)封裝工藝

CMOS工藝流程

了解1960s、1970s和1980s集成電路工藝的特點

熟悉1990sCMOS工藝的特點：特征尺寸、襯底、隔離、光刻、刻蝕、退火、W塞及平整化 1990’s CMOS Technology Photolithography – G-line, I-line(365 nm), and DUV 248 nm – Positive photoresist – Steppers replaced projection printer – Track-stepper integrated systems ? Plasma etches for patterned etch ? Wet etches for blanket film stripping ? Vertical furnaces

– smaller footprints, better contamination control.? RTP systems

– post-implantation annealing – silicide formation, – faster, better process and thermal budget control.? DC magnetron sputtering replaced evaporation ? Multi-layer metal interconnection ? W CVD and CMP(or etch back)to form plugs ? Ti and TiN barrier/adhesion layer for W ? Ti welding layer for Al-Cu to reduce contact resistance ? TiN ARC ? BPSG was popularly used as PMD.? DCVD: PE-TEOS and O3-TEOS – STI, sidewall spacer, PMD, and IMD ? DCVD: PE-silane – PMD barrier nitride, dielectric ARC, and PD nitride ? Tungsten CMP to form plug

? Dielectric CMP for planarization ? Cluster tools became very popular ? Single wafer processing systems improve wafer-to-wafer uniformity control ? Batch systems is still commonly employed in many non-critical processes for their high throughput.

第四篇：編辦個人工作自我總結(jié)（定稿）

一年來，在領(lǐng)導(dǎo)和同事的關(guān)心支持幫助指導(dǎo)下，本人認(rèn)真實踐“三個代表”重要思想，深入學(xué)習(xí)黨的十六屆六中全會精神和江澤民文選，刻苦鉆研業(yè)務(wù)知識，努力提高理論知識和業(yè)務(wù)工作水平，在思想上按黨員標(biāo)準(zhǔn)嚴(yán)格要求自己，在工作上勤勤懇懇、任勞任怨，在作風(fēng)上艱苦樸素、務(wù)真求實，較好地完成領(lǐng)導(dǎo)安排的各項任務(wù)。下面,我從四個方面向領(lǐng)導(dǎo)和同志們作一個自我總結(jié)：

一、自覺加強思想政治理論和業(yè)務(wù)知識學(xué)習(xí)，不斷提高自身素質(zhì)，夯實工作基礎(chǔ)

學(xué)習(xí)是個人進(jìn)步和成長的不竭動力和源泉。一年來，我在深入學(xué)習(xí)“三個代表”重要思想的基礎(chǔ)上，根據(jù)工作性質(zhì)和特點，著重加強了人事編制工作的政策、辦事原則、程序、業(yè)務(wù)等方面的學(xué)習(xí)，通過對《事業(yè)單位登記管理條例》、機構(gòu)編制管理和公文寫作技能的具體學(xué)習(xí)，初步掌握和熟悉了人事工作的方式方法，能根據(jù)領(lǐng)導(dǎo)安排擬寫簡單的一般性公文。此外，工作之余，還參加中央黨校函授學(xué)院公共管理專業(yè)本科班的學(xué)習(xí)，并按規(guī)定修完學(xué)科課程計劃。總之，通過學(xué)習(xí)，自己的思想政治素質(zhì)、文化業(yè)務(wù)素質(zhì)得到了提高，為進(jìn)一步履行工作職責(zé)、提升工作水平提供了知識保證，奠定了業(yè)務(wù)基礎(chǔ)。

二、以開展黨員先進(jìn)性教育活動及學(xué)習(xí)江澤民文選活動為契機，努力錘煉職業(yè)道德品質(zhì)和工作作風(fēng)

去年底，由于組織的信任和領(lǐng)導(dǎo)的關(guān)心，把我從++政府調(diào)入++工作，這時恰逢全國在基層開展黨員先進(jìn)性教育活動，我于2011年12月-2011年6月被抽到++鎮(zhèn)指導(dǎo)開展 “學(xué)教”活動。在指導(dǎo)“學(xué)教”活動中，我不但指導(dǎo)好村級搞好活動，還積極參與到學(xué)習(xí)中，時刻牢記黨員的責(zé)任和義務(wù)，嚴(yán)格要求自己，在任何時候都要起到模范帶頭作用，遵章守紀(jì)、務(wù)真求實、樂觀上進(jìn)，始終保持嚴(yán)謹(jǐn)認(rèn)真的工作態(tài)度和一絲不茍的工作作風(fēng)，發(fā)揚艱苦樸素、勤儉耐勞、樂于助人的優(yōu)良傳統(tǒng)。

今年底還積極參加局里組織的學(xué)習(xí)江澤民文選活動，安排時間進(jìn)行個人自學(xué)，以胡錦濤總書記“四個必須、兩個滿意”的精神為指導(dǎo)，按照“對己清正、對人公正、對內(nèi)嚴(yán)格、對外平等”的總要求，撰寫心得體會，經(jīng)過學(xué)習(xí)熏陶，真正認(rèn)識到“公道正派”是人事干部的立身之本、為人之道、處事之基，是人事部門自身建設(shè)和干部職業(yè)道德建設(shè)的核心內(nèi)容和永恒主題。

三、今年我與++辦的同事一起圍繞中心工作，對照相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，嚴(yán)以律己，較好的完成各項工作任務(wù)。

主要完成了如下工作:

（一）搞好深化行政管理體制改革和區(qū)鄉(xiāng)機構(gòu)改革的有關(guān)工作。一是認(rèn)真做好政府機構(gòu)改革的掃尾工作。二是搞好鄉(xiāng)鎮(zhèn)機構(gòu)改革工作。三是配合相關(guān)部門作好新一輪的競爭上崗工作。

（二）從嚴(yán)控制機構(gòu)和人員編制的增加，切實加強對機構(gòu)編制的管理。一是切實加強對機構(gòu)編制的控制和管理。二是認(rèn)真做好文體局二級事業(yè)單位的機構(gòu)調(diào)整工作。三是認(rèn)真做好鄉(xiāng)鎮(zhèn)、街道辦事處衛(wèi)生院的機構(gòu)設(shè)置及編制的調(diào)整工作。四是認(rèn)真抓好每月的人員（工資）增減審核工作。五是認(rèn)真做好機構(gòu)編制的統(tǒng)計工作。

（三）認(rèn)真做好事業(yè)單位登記管理工作。一是認(rèn)真做好2011事業(yè)單位檢驗工作。二是督促區(qū)鄉(xiāng)機構(gòu)改革后涉及法人設(shè)立、變更、注銷的事業(yè)單位辦理相關(guān)手續(xù)。

（四）認(rèn)真做好財政供養(yǎng)人員吃“空響”的清理。

（五）積極做好與編制管理及改革相關(guān)課題的調(diào)研。

（六）認(rèn)真做好編辦文件資料的打印、整理歸檔工作。

四、存在的問題和今后努力方向

回顧一年來的工作，我在思想上、學(xué)習(xí)上、工作上取得了新的進(jìn)步，但我也認(rèn)識到自己的不足之處，我的工作時間短經(jīng)驗還不足，理論知識水平還比較低，現(xiàn)代辦公技能還不強，業(yè)務(wù)水平還比較底。今后，我一定認(rèn)真克服缺點，發(fā)揚成績，自覺把自己置于組織和同事的監(jiān)督之下，刻苦學(xué)習(xí)、勤奮工作，做一名合格的人民公務(wù)員，為人事人才工作做出自己的貢獻(xiàn)。

以上是我工作一年來的工作自我總結(jié)，通過以上的自我總結(jié)，能夠總結(jié)出本人的一年所做的工作存在著哪些地方不足，哪些還要繼續(xù)發(fā)揚的。希望在明年能夠做得更好。

第五篇：生物制品工藝總結(jié)

1生物制品：指采用現(xiàn)代生物技術(shù)手段人為地創(chuàng)造一些條件，借用某些微生物、植物或動物體來生產(chǎn)某些初級代謝產(chǎn)物或次級代謝產(chǎn)物，或利用生物體的某一組成部分，制成作為診斷或治療或預(yù)防疾病或達(dá)到某種特殊醫(yī)學(xué)目的的醫(yī)藥用品，統(tǒng)稱為生物制品。

2生物制品學(xué)：是指研究各類生物制品的來源、結(jié)構(gòu)特點、應(yīng)用、生產(chǎn)工藝、原理、現(xiàn)狀、存在問題與發(fā)展前景等諸方面知識的一門科學(xué)。

3現(xiàn)代生物技術(shù)領(lǐng)域：基因工程、細(xì)胞工程、酶工程、發(fā)酵工程、蛋白質(zhì)工程、抗體工程、生物芯片技術(shù)、人類基因組計劃、糖鏈工程、代謝工程、自動生化藥物篩選技術(shù)、后基因組計劃于人類蛋白質(zhì)組計劃、海洋生物技術(shù)、宇航生物技術(shù)、生化工程、下游工程或高效分離純化系統(tǒng)。4現(xiàn)代生物技術(shù)：農(nóng)業(yè)生物技術(shù)、家畜生物技術(shù)、食品生物技術(shù)、環(huán)保生物技術(shù)、能源生物技術(shù)、海洋生物技術(shù)、醫(yī)藥生物技術(shù)、生物制品技術(shù)。

5生物制品分類：按來源分（人源生物制品、動物源生物制品、植物源生物制品、微生物源生物制品）按使用對象分（用于人的生物制品、用于家畜的生物制品、用于家禽的生物制品、用于作物的生物制品）按結(jié)構(gòu)與功能（疫苗類、抗體類、人血液代用品、重組細(xì)胞因子、反義寡核苷酸、重組激素類）。

6細(xì)胞因子：是人類或動物的各類細(xì)胞分泌的具有度=多種生物活性的因子。它們是可溶性物質(zhì)，是一組不均一的蛋白質(zhì)分子，能調(diào)節(jié)細(xì)胞的生長和分化。7干擾素：是一類重要的細(xì)胞因子，在同種細(xì)胞上具有光譜抗病毒、抗細(xì)胞分裂和免疫調(diào)節(jié)等多種生物學(xué)活性。

8白細(xì)胞介素：是淋巴因子家族的一類，分別有單核—巨噬細(xì)胞、淋巴細(xì)胞及其他多種細(xì)胞產(chǎn)生。白細(xì)胞介素能激活免疫活性細(xì)胞，使之增殖分化，介導(dǎo)細(xì)胞間的相互作用。免疫調(diào)節(jié)功能，增強抗體免疫力。

9白細(xì)胞介素—2：能使機體內(nèi)細(xì)胞毒性T淋巴細(xì)胞和自然殺傷細(xì)胞等增殖，具有殺傷和清除腫瘤細(xì)胞和病毒感染細(xì)胞的功能，在體內(nèi)是免疫監(jiān)視功能的基礎(chǔ)。10細(xì)胞工程和基因工程的應(yīng)用產(chǎn)生了兩種醫(yī)療技術(shù)：細(xì)胞移植和基因治療

11單抗最主要的特點是專一性和單克隆性，是針對一個抗原決定簇的、單一的、特異的、均質(zhì)的抗體。

12鹽析法：將硫酸銨或硫酸鈉等中性鹽加入到蛋白質(zhì)溶液中，破壞蛋白質(zhì)的膠體顆粒在溶液中的穩(wěn)定因素而使其沉淀的方法。13有機溶劑沉淀法：在蛋白質(zhì)溶液中，加入與水互溶的有機溶劑，能顯著的減小蛋白質(zhì)的溶解度而發(fā)生沉淀。

14選擇性沉淀法包括等電點沉淀法和選擇性沉淀法。15等電點沉淀法：對于兩性物質(zhì)，等電點時靜電荷為零，是穩(wěn)定的雙電層及水化膜變?nèi)趸蚱茐模肿娱g排斥點位降低，吸引力增大，相互聚集產(chǎn)生沉淀。16變性沉淀：是根據(jù)各種蛋白質(zhì)在不同理化因子作用下穩(wěn)定性不同的原理，而常用于提取溶液中的雜蛋白，選擇性較強，方法簡單，但使用和范圍較窄。17離子交換色譜：其原理是通過帶電的溶質(zhì)分子與離子交換劑中可交換的離子進(jìn)行交換，從而達(dá)到分離的目的。

18反向色譜：是利用溶質(zhì)分子中非極性基團與非極性固定相之間相互作用的大小，以及溶質(zhì)分子中極性基團與流動相中極性分子之間在相反方向作用力大小的差異進(jìn)行分離的。

19疏水色譜：主要是利用蛋白質(zhì)表面上的疏水區(qū)域和介質(zhì)的疏水基團之間的相互作用，無機鹽的存在能使相互作用力增強。20疫苗：是指用人工變異或從自然界篩選獲得的減毒物或無毒的、活的病原微生制成的制劑，或用理化方法將病原微生物殺死制備的生物制劑，用于人工自動免疫以使人或動物產(chǎn)生免疫力。

21減毒活性疫苗：是將微生物的自然強毒株通過物理的、化學(xué)的和生物學(xué)的方法，連續(xù)傳代，使其對宿主喪失致病力，或只引起亞臨床感染，但仍保持良好的免疫原性，遺傳特性，用這種毒株制備的疫苗叫做減毒活性疫苗。22基因工程疫苗：是指使用重組DNA技術(shù)克隆并表達(dá)保護(hù)性抗源基因，利用表達(dá)的抗原產(chǎn)物，或重組體本身制成的疫苗。23基因工程疫苗包括：基因工程亞單位疫苗、基因工程載體疫苗、基因缺失活疫苗、核算疫苗、蛋白質(zhì)工程疫苗。

24細(xì)菌性疫苗：由細(xì)菌、支原體、螺旋體等制成的疫苗。包括活菌疫苗、死菌疫苗、純化的多糖活蛋白質(zhì)成分苗。

25基因工程菌苗：指利用重組DNA技術(shù)研制的菌苗。包括保護(hù)性抗原基因在原核或真核細(xì)胞中表達(dá)的生物合成亞單位疫苗，以某些細(xì)菌為外源基因為載體的活載體苗和通過基因組突變、缺失或插入的基因缺失疫苗。26治療性疫苗：是指在已感染病原生物或患某些疾病的機體中，通過誘生機體的特異性或非特異性免疫應(yīng)答，以達(dá)到治療或防治疾病惡化的天然、人工修飾合成或用基因重組技術(shù)表達(dá)的產(chǎn)品或生物制品。

27補體系統(tǒng)是由一系列蛋白質(zhì)分子組成的，是機體的主要防御體系之一，在生物學(xué)反應(yīng)中，如吞噬、調(diào)理、趨化和細(xì)胞溶解等，都有重要作用。

1新型生物反應(yīng)器：①機械攪拌式生物反應(yīng)器②鼓泡式生物反應(yīng)器③氣升式生物反應(yīng)器④膜生物反應(yīng)器⑤固定床和流化床生物反應(yīng)器⑥自吸式生物反應(yīng)器。

2國外生物技術(shù)產(chǎn)業(yè)特點：①現(xiàn)代生物技術(shù)產(chǎn)品銷售額增長迅速②新醫(yī)藥是現(xiàn)代生物技術(shù)產(chǎn)業(yè)的主題產(chǎn)品③農(nóng)業(yè)領(lǐng)域?qū)⑾破鹕锛夹g(shù)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“第二個浪潮”④工業(yè)生物技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展成為“第三個浪潮”。3美國發(fā)展模式：①政府和私人對生物技術(shù)研究與開發(fā)持續(xù)的大量資金投入是至關(guān)重要的后盾②政府、大學(xué)和企業(yè)間的密切伙伴關(guān)系以及完善的技術(shù)轉(zhuǎn)移機制是研究成果得以迅速商品化應(yīng)用的橋梁③學(xué)術(shù)界的敬業(yè)精神和企業(yè)界的創(chuàng)業(yè)精神是發(fā)展的動力④日趨成熟的風(fēng)險投資和股票市場是產(chǎn)業(yè)化的保障。4美國的發(fā)展特點：①把握前沿，高度重視基礎(chǔ)研究，特別是與生命科學(xué)相關(guān)的醫(yī)學(xué)生物學(xué)研究②創(chuàng)造良好的機制和環(huán)境③鼓勵形成集中區(qū)域和扎堆效應(yīng)。5我國發(fā)展優(yōu)勢：①政府高度重視②研究開發(fā)條件明顯改善③人才和技術(shù)已有相當(dāng)?shù)馁A備④生物、遺傳資源豐富6我國發(fā)展的劣勢：①科技投入明顯不足②技術(shù)貯備相對不足，創(chuàng)新成果不多③科技體制尚不能適應(yīng)市場經(jīng)濟的需要④發(fā)展高技術(shù)產(chǎn)業(yè)的政策環(huán)境和機制尚不夠完善

7總體戰(zhàn)略目標(biāo)：①立足創(chuàng)新②需求牽引③集成應(yīng)用④重點突破 ⑤協(xié)調(diào)發(fā)展

8總體戰(zhàn)略目標(biāo)：努力提高生物技術(shù)在我國國民經(jīng)濟和社會發(fā)展中的貢獻(xiàn)率，增強我國生物技術(shù)的創(chuàng)新能力和國際競爭能力。9原料的保存方法：①冷凍法②有機溶劑脫水法③防腐劑保鮮

10生物原料的預(yù)處理：①動物原料 采集后要立即處理，去除結(jié)締組織、脂肪組織等，并迅速冷凍儲存；②植物原料 要擇時采集，并就地去除不用的部分，保鮮處理；③微生物原料 要及時將菌細(xì)胞與培養(yǎng)液分開，并進(jìn)行保鮮處理。

11分離純化技術(shù)的要求：①技術(shù)條件要溫和，要抑制宿主細(xì)胞或分泌產(chǎn)物中相應(yīng)的酶活性，防止其消化降解待提純產(chǎn)物，以保持目的產(chǎn)物的生物活性；②選擇性要好，優(yōu)化選擇與組合各種分離純化技術(shù)方法以達(dá)到較高的純化倍數(shù)③去除細(xì)胞或分泌產(chǎn)物中非目標(biāo)產(chǎn)物成分，同時盡量保持交工的目標(biāo)產(chǎn)物成分的回收率；④要能直接銜接，不需要對物料加以處理或調(diào)整⑤整個分離純化過程要快，時間短，能夠滿足高生產(chǎn)率的要求⑥保持環(huán)境清潔，防止雜物污染。12蛋白質(zhì)分離純化方法：①鹽析和有機溶劑沉淀法②按分子大小分離方法（微濾、超濾）③選擇性沉淀④色譜法（離子交換色譜、凝膠過濾色譜）⑤電泳法 13含目的的產(chǎn)物的起始物料特點：①菌種類型及其代謝特性。包括菌種的各種生物學(xué)性質(zhì)、產(chǎn)物和副產(chǎn)物種類、代謝物種類，產(chǎn)物類似物、毒素和能降解產(chǎn)物的酶等；②原材料和培養(yǎng)基的來源及其質(zhì)量；③生產(chǎn)工藝和條件，包括滅菌方法和條件，生產(chǎn)方式，生產(chǎn)周期，生產(chǎn)能力，工藝控制條件、因素及方式等；④初始物料的生物、化學(xué)和生物學(xué)特性，包括產(chǎn)物濃度、主要雜質(zhì)種類和濃度、鹽的種類和濃度、溶解度、PH、黏度、流體力學(xué)性質(zhì)和熱力學(xué)性質(zhì)。

14色譜優(yōu)點：①分離效率高②選擇性強③過程自動化操作④分離快速⑤使用范圍廣⑥高靈敏度的在線檢測

15人源性生物制品的特點：①效價高、療效可靠；②安全性好，不易產(chǎn)生副反應(yīng)；③穩(wěn)定性好；④資源有限，研究意義重大 16人源性生物制品的種類：①血液制品②尿液制品③胎盤制品④人體液細(xì)胞中的活性物質(zhì) 17尿液中的生物活性物質(zhì)：尿激酶、激肽釋放酶、尿抑胃素、人尿胰蛋白酶抑制劑、人絨毛膜促性腺激素、人尿中的其他活性物質(zhì)

18動物源性生物制品特點：①原料來源豐富②制種類多③要重視安全性

19動物源性生物制品：動物血紅素、胰蛋白酶、胰酶、胰島素、胸腺肽、膽紅素、肝素、硫酸軟骨素、溶菌酶。

20菌苗存在問題：①盡管疫苗免疫取得了巨大的成功，但小于5歲的嬰幼兒每年死于傳染病的數(shù)目仍很高②與病毒相比，基因工程細(xì)菌及細(xì)菌核酸苗報道明顯少。

21理想菌苗條件：①安全，不能有毒性②遺傳性狀穩(wěn)定，無致癌性，無致畸變或致流產(chǎn)性③結(jié)構(gòu)簡單清楚，可生物降解，有生物相容性，與組織抗原無免疫學(xué)交叉反映④接受疫苗接種的各年齡組人群必須能夠很高比例的產(chǎn)生保護(hù)性免疫⑤多價，有更大的覆蓋面，最好一次性免疫⑥能口服，能有效誘導(dǎo)黏膜免疫⑦為大量人群應(yīng)用，疫苗必須廉價⑧易于生產(chǎn)，貯存及服務(wù)不需冷藏。

22預(yù)防性疫苗與治療新疫苗區(qū)別：①預(yù)防性疫苗的接種對象是健康群體，對易感人群均可適用，主要起免疫預(yù)防作用，安全可靠，治療性疫苗使用對象是感染者②治療性疫苗與預(yù)防性疫苗實用的目的不同，后者是為了防病，前者是為了治療或防止病情惡化③治療性疫苗應(yīng)用時必須考慮適應(yīng)癥與禁忌癥，也可根據(jù)需要進(jìn)行各種組合和調(diào)整。

1生物制品：指采用現(xiàn)代生物技術(shù)手段人為地創(chuàng)造一些條件，借用某些微生物、植物或動物體來生產(chǎn)某些初級代謝產(chǎn)物或次級代謝產(chǎn)物，或利用生物體的某一組成部分，制成作為診斷或治療或預(yù)防疾病或達(dá)到某種特殊醫(yī)學(xué)目的的醫(yī)藥用品，統(tǒng)稱為生物制品。

2生物制品學(xué)：是指研究各類生物制品的來源、結(jié)構(gòu)特點、應(yīng)用、生產(chǎn)工藝、原理、現(xiàn)狀、存在問題與發(fā)展前景等諸方面知識的一門科學(xué)。

3現(xiàn)代生物技術(shù)領(lǐng)域：基因工程、細(xì)胞工程、酶工程、發(fā)酵工程、蛋白質(zhì)工程、抗體工程、生物芯片技術(shù)、人類基因組計劃、糖鏈工程、代謝工程、自動生化藥物篩選技術(shù)、后基因組計劃于人類蛋白質(zhì)組計劃、海洋生物技術(shù)、宇航生物技術(shù)、生化工程、下游工程或高效分離純化系統(tǒng)。4現(xiàn)代生物技術(shù)：農(nóng)業(yè)生物技術(shù)、家畜生物技術(shù)、食品生物技術(shù)、環(huán)保生物技術(shù)、能源生物技術(shù)、海洋生物技術(shù)、醫(yī)藥生物技術(shù)、生物制品技術(shù)。

5生物制品分類：按來源分（人源生物制品、動物源生物制品、植物源生物制品、微生物源生物制品）按使用對象分（用于人的生物制品、用于家畜的生物制品、用于家禽的生物制品、用于作物的生物制品）按結(jié)構(gòu)與功能（疫苗類、抗體類、人血液代用品、重組細(xì)胞因子、反義寡核苷酸、重組激素類）。

6細(xì)胞因子：是人類或動物的各類細(xì)胞分泌的具有度=多種生物活性的因子。它們是可溶性物質(zhì)，是一組不均一的蛋白質(zhì)分子，能調(diào)節(jié)細(xì)胞的生長和分化。7干擾素：是一類重要的細(xì)胞因子，在同種細(xì)胞上具有光譜抗病毒、抗細(xì)胞分裂和免疫調(diào)節(jié)等多種生物學(xué)活性。

8白細(xì)胞介素：是淋巴因子家族的一類，分別有單核—巨噬細(xì)胞、淋巴細(xì)胞及其他多種細(xì)胞產(chǎn)生。白細(xì)胞介素能激活免疫活性細(xì)胞，使之增殖分化，介導(dǎo)細(xì)胞間的相互作用。免疫調(diào)節(jié)功能，增強抗體免疫力。

9白細(xì)胞介素—2：能使機體內(nèi)細(xì)胞毒性T淋巴細(xì)胞和自然殺傷細(xì)胞等增殖，具有殺傷和清除腫瘤細(xì)胞和病毒感染細(xì)胞的功能，在體內(nèi)是免疫監(jiān)視功能的基礎(chǔ)。10細(xì)胞工程和基因工程的應(yīng)用產(chǎn)生了兩種醫(yī)療技術(shù)：細(xì)胞移植和基因治療

11單抗最主要的特點是專一性和單克隆性，是針對一個抗原決定簇的、單一的、特異的、均質(zhì)的抗體。

12鹽析法：將硫酸銨或硫酸鈉等中性鹽加入到蛋白質(zhì)溶液中，破壞蛋白質(zhì)的膠體顆粒在溶液中的穩(wěn)定因素而使其沉淀的方法。13有機溶劑沉淀法：在蛋白質(zhì)溶液中，加入與水互溶的有機溶劑，能顯著的減小蛋白質(zhì)的溶解度而發(fā)生沉淀。

14選擇性沉淀法包括等電點沉淀法和選擇性沉淀法。15等電點沉淀法：對于兩性物質(zhì)，等電點時靜電荷為零，是穩(wěn)定的雙電層及水化膜變?nèi)趸蚱茐模肿娱g排斥點位降低，吸引力增大，相互聚集產(chǎn)生沉淀。16變性沉淀：是根據(jù)各種蛋白質(zhì)在不同理化因子作用下穩(wěn)定性不同的原理，而常用于提取溶液中的雜蛋白，選擇性較強，方法簡單，但使用和范圍較窄。17離子交換色譜：其原理是通過帶電的溶質(zhì)分子與離子交換劑中可交換的離子進(jìn)行交換，從而達(dá)到分離的目的。

18反向色譜：是利用溶質(zhì)分子中非極性基團與非極性固定相之間相互作用的大小，以及溶質(zhì)分子中極性基團與流動相中極性分子之間在相反方向作用力大小的差異進(jìn)行分離的。

19疏水色譜：主要是利用蛋白質(zhì)表面上的疏水區(qū)域和介質(zhì)的疏水基團之間的相互作用，無機鹽的存在能使相互作用力增強。20疫苗：是指用人工變異或從自然界篩選獲得的減毒物或無毒的、活的病原微生制成的制劑，或用理化方法將病原微生物殺死制備的生物制劑，用于人工自動免疫以使人或動物產(chǎn)生免疫力。

21減毒活性疫苗：是將微生物的自然強毒株通過物理的、化學(xué)的和生物學(xué)的方法，連續(xù)傳代，使其對宿主喪失致病力，或只引起亞臨床感染，但仍保持良好的免疫原性，遺傳特性，用這種毒株制備的疫苗叫做減毒活性疫苗。22基因工程疫苗：是指使用重組DNA技術(shù)克隆并表達(dá)保護(hù)性抗源基因，利用表達(dá)的抗原產(chǎn)物，或重組體本身制成的疫苗。23基因工程疫苗包括：基因工程亞單位疫苗、基因工程載體疫苗、基因缺失活疫苗、核算疫苗、蛋白質(zhì)工程疫苗。

24細(xì)菌性疫苗：由細(xì)菌、支原體、螺旋體等制成的疫苗。包括活菌疫苗、死菌疫苗、純化的多糖活蛋白質(zhì)成分苗。

25基因工程菌苗：指利用重組DNA技術(shù)研制的菌苗。包括保護(hù)性抗原基因在原核或真核細(xì)胞中表達(dá)的生物合成亞單位疫苗，以某些細(xì)菌為外源基因為載體的活載體苗和通過基因組突變、缺失或插入的基因缺失疫苗。26治療性疫苗：是指在已感染病原生物或患某些疾病的機體中，通過誘生機體的特異性或非特異性免疫應(yīng)答，以達(dá)到治療或防治疾病惡化的天然、人工修飾合成或用基因重組技術(shù)表達(dá)的產(chǎn)品或生物制品。

27補體系統(tǒng)是由一系列蛋白質(zhì)分子組成的，是機體的主要防御體系之一，在生物學(xué)反應(yīng)中，如吞噬、調(diào)理、趨化和細(xì)胞溶解等，都有重要作用。

1新型生物反應(yīng)器：①機械攪拌式生物反應(yīng)器②鼓泡式生物反應(yīng)器③氣升式生物反應(yīng)器④膜生物反應(yīng)器⑤固定床和流化床生物反應(yīng)器⑥自吸式生物反應(yīng)器。

2國外生物技術(shù)產(chǎn)業(yè)特點：①現(xiàn)代生物技術(shù)產(chǎn)品銷售額增長迅速②新醫(yī)藥是現(xiàn)代生物技術(shù)產(chǎn)業(yè)的主題產(chǎn)品③農(nóng)業(yè)領(lǐng)域?qū)⑾破鹕锛夹g(shù)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“第二個浪潮”④工業(yè)生物技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展成為“第三個浪潮”。3美國發(fā)展模式：①政府和私人對生物技術(shù)研究與開發(fā)持續(xù)的大量資金投入是至關(guān)重要的后盾②政府、大學(xué)和企業(yè)間的密切伙伴關(guān)系以及完善的技術(shù)轉(zhuǎn)移機制是研究成果得以迅速商品化應(yīng)用的橋梁③學(xué)術(shù)界的敬業(yè)精神和企業(yè)界的創(chuàng)業(yè)精神是發(fā)展的動力④日趨成熟的風(fēng)險投資和股票市場是產(chǎn)業(yè)化的保障。4美國的發(fā)展特點：①把握前沿，高度重視基礎(chǔ)研究，特別是與生命科學(xué)相關(guān)的醫(yī)學(xué)生物學(xué)研究②創(chuàng)造良好的機制和環(huán)境③鼓勵形成集中區(qū)域和扎堆效應(yīng)。5我國發(fā)展優(yōu)勢：①政府高度重視②研究開發(fā)條件明顯改善③人才和技術(shù)已有相當(dāng)?shù)馁A備④生物、遺傳資源豐富6我國發(fā)展的劣勢：①科技投入明顯不足②技術(shù)貯備相對不足，創(chuàng)新成果不多③科技體制尚不能適應(yīng)市場經(jīng)濟的需要④發(fā)展高技術(shù)產(chǎn)業(yè)的政策環(huán)境和機制尚不夠完善

7總體戰(zhàn)略目標(biāo)：①立足創(chuàng)新②需求牽引③集成應(yīng)用④重點突破 ⑤協(xié)調(diào)發(fā)展

8總體戰(zhàn)略目標(biāo)：努力提高生物技術(shù)在我國國民經(jīng)濟和社會發(fā)展中的貢獻(xiàn)率，增強我國生物技術(shù)的創(chuàng)新能力和國際競爭能力。9原料的保存方法：①冷凍法②有機溶劑脫水法③防腐劑保鮮

10生物原料的預(yù)處理：①動物原料 采集后要立即處理，去除結(jié)締組織、脂肪組織等，并迅速冷凍儲存；②植物原料 要擇時采集，并就地去除不用的部分，保鮮處理；③微生物原料 要及時將菌細(xì)胞與培養(yǎng)液分開，并進(jìn)行保鮮處理。

11分離純化技術(shù)的要求：①技術(shù)條件要溫和，要抑制宿主細(xì)胞或分泌產(chǎn)物中相應(yīng)的酶活性，防止其消化降解待提純產(chǎn)物，以保持目的產(chǎn)物的生物活性；②選擇性要好，優(yōu)化選擇與組合各種分離純化技術(shù)方法以達(dá)到較高的純化倍數(shù)③去除細(xì)胞或分泌產(chǎn)物中非目標(biāo)產(chǎn)物成分，同時盡量保持交工的目標(biāo)產(chǎn)物成分的回收率；④要能直接銜接，不需要對物料加以處理或調(diào)整⑤整個分離純化過程要快，時間短，能夠滿足高生產(chǎn)率的要求⑥保持環(huán)境清潔，防止雜物污染。12蛋白質(zhì)分離純化方法：①鹽析和有機溶劑沉淀法②按分子大小分離方法（微濾、超濾）③選擇性沉淀④色譜法（離子交換色譜、凝膠過濾色譜）⑤電泳法 13含目的的產(chǎn)物的起始物料特點：①菌種類型及其代謝特性。包括菌種的各種生物學(xué)性質(zhì)、產(chǎn)物和副產(chǎn)物種類、代謝物種類，產(chǎn)物類似物、毒素和能降解產(chǎn)物的酶等；②原材料和培養(yǎng)基的來源及其質(zhì)量；③生產(chǎn)工藝和條件，包括滅菌方法和條件，生產(chǎn)方式，生產(chǎn)周期，生產(chǎn)能力，工藝控制條件、因素及方式等；④初始物料的生物、化學(xué)和生物學(xué)特性，包括產(chǎn)物濃度、主要雜質(zhì)種類和濃度、鹽的種類和濃度、溶解度、PH、黏度、流體力學(xué)性質(zhì)和熱力學(xué)性質(zhì)。

14色譜優(yōu)點：①分離效率高②選擇性強③過程自動化操作④分離快速⑤使用范圍廣⑥高靈敏度的在線檢測

15人源性生物制品的特點：①效價高、療效可靠；②安全性好，不易產(chǎn)生副反應(yīng)；③穩(wěn)定性好；④資源有限，研究意義重大 16人源性生物制品的種類：①血液制品②尿液制品③胎盤制品④人體液細(xì)胞中的活性物質(zhì) 17尿液中的生物活性物質(zhì)：尿激酶、激肽釋放酶、尿抑胃素、人尿胰蛋白酶抑制劑、人絨毛膜促性腺激素、人尿中的其他活性物質(zhì)

18動物源性生物制品特點：①原料來源豐富②制種類多③要重視安全性

19動物源性生物制品：動物血紅素、胰蛋白酶、胰酶、胰島素、胸腺肽、膽紅素、肝素、硫酸軟骨素、溶菌酶。

20菌苗存在問題：①盡管疫苗免疫取得了巨大的成功，但小于5歲的嬰幼兒每年死于傳染病的數(shù)目仍很高②與病毒相比，基因工程細(xì)菌及細(xì)菌核酸苗報道明顯少。

21理想菌苗條件：①安全，不能有毒性②遺傳性狀穩(wěn)定，無致癌性，無致畸變或致流產(chǎn)性③結(jié)構(gòu)簡單清楚，可生物降解，有生物相容性，與組織抗原無免疫學(xué)交叉反映④接受疫苗接種的各年齡組人群必須能夠很高比例的產(chǎn)生保護(hù)性免疫⑤多價，有更大的覆蓋面，最好一次性免疫⑥能口服，能有效誘導(dǎo)黏膜免疫⑦為大量人群應(yīng)用，疫苗必須廉價⑧易于生產(chǎn)，貯存及服務(wù)不需冷藏。

22預(yù)防性疫苗與治療新疫苗區(qū)別：①預(yù)防性疫苗的接種對象是健康群體，對易感人群均可適用，主要起免疫預(yù)防作用，安全可靠，治療性疫苗使用對象是感染者②治療性疫苗與預(yù)防性疫苗實用的目的不同，后者是為了防病，前者是為了治療或防止病情惡化③治療性疫苗應(yīng)用時必須考慮適應(yīng)癥與禁忌癥，也可根據(jù)需要進(jìn)行各種組合和調(diào)整。