第一篇：電子科學與技術專業外語翻譯

Figure 1-1】圖1－1 給出了在三種材料中一些重要材料相關的電阻值（相應電導率ρ≡1/δ)。

However】然而鍺不太適合在很多方面應用因為溫度適當提高后鍺器件會產生高的漏電流。

For a given】對于給定的半導體，存在代表整個晶格的晶胞，通過在晶體中重復晶胞組成晶格。

This structure】這種結構也屬于金剛石結構并且視為兩個互相貫穿的fcc亞點陣結構，這個結構具有一個可以從其它沿立方對角線距離的四分之一處移動的子晶格（位移 /4）

Most of】多數Ⅲ-Ⅴ 半導體化合物具有閃鋅礦結構，它與金剛石有相同結構除了一個有Ⅲ 族Ga原子的fcc子晶格結構和有 Ⅴ族As原子的另一個。

.For example】例如，孤立氫原子的能級可由玻爾模型得出：式中m0 代表自由電子質量, q是電荷量,ε0是真空中電導率, h 是普朗克常數，n 是正整數稱為主量子數。

Further decrease】空間更多減少將導致能帶從不連續能級失去其特性并合并起來，產生一個簡單的帶。

As shown】如圖1－4（a）能帶圖所示，有一個大帶隙。注意到所有的價帶都被電子充滿而導帶中能級是空的As a consequence】結果，半滿帶的最上層電子以及價帶頂部電子在獲得動能（外加電場）時可以運動到與其相應的較高能級上

At room】在室溫和標準大氣壓下，帶隙值硅（1.12ev）砷化鎵（1.42ev）在0 K帶隙研究值硅（1.17ev）砷化鎵（1.52ev）

Thus】于是，導帶的電子密度等于把N(E)F(E)dE從導帶底Ec（為 簡化起見設為0）積分到導帶頂Etop

Figure 1-5】圖1-5從左到右示意地表示了本征半導體的能帶圖, 態密度(N(E)~E1/2), 費米分布函數, 本征半導體的載流子濃度

In an extrinsic】在非本征半導體中，一種載流子類型增加將會通過復合減少其它類型的數目； 因此，兩種類型載流子的數量在一定溫度下保持常數

For shallow】對硅和砷化鎵中的淺施主,在室溫下,常常有足夠的熱能電離所有的施主雜質,給導帶提供等量的電子

We shall】我們先討論剩余載流子注入的概念。剩余載流子在非平衡條件下會增加，這就是說，載流子的濃度的乘積p*n不等于平衡時ni*ni的值

The thermal】作熱的運動單一電子可以形象的當做是原子晶格或雜質原子或其他散射中心碰撞產生的連續隨即散射。就像所闡述的When excess】當載流子濃度過度時就引入一個直接能隙半導體，這在電子和空穴將再直接復合時是很有可能的，因為導帶底和價帶頂是整隊的和沒有足夠躍遷過能隙的額外的晶體動力 These p-n】這些PN結是根本功能表現如整流,增幅,開關,和另外一些電路元器件

There must】在這個PN結之間一定存在一些經過完整的數學處理將使簡單的PN結的活動物理特征難理解；另一方面，在統計時，一個完整的定性分析將沒用

However】但是，因為結的偏壓的增加導致電場的增大，導致靜電流。如果我們明白這4中電流組成的本質，無論有沒有偏壓，一個合理的PN結理論都成立

With the】有了前一節的背景知識，電流流動的基本特征理解起來相對簡單，而這些定性的概念形成了對結中的正向和反向電流的分析性描述的基礎

But in most】但是，在大多數的p-n結型器件中，與它的面積相比，每個區域的長度是很小的，而摻雜通常是中等到重度摻雜；因此每個中性區的電阻是很小的，在空間電荷（過渡）區外，只有很小的電壓降能被維持

If the doping】如果p區域摻雜大于1019cm-3，那么這種結構無疑就是p+-n，因為np型比pn型要小五個數量級以上。既然這種結構在科技設備上這么普遍應用，我們將在下面做更多的討論 舉例來說，當空穴在Xno 被 電勢場領域的p 邊在整個聯接被掃射的時候，在 n 材料空穴分布有一個傾斜度存在，而且在 n 區域的空穴向結點擴散。重要的是，雖然方向相反的電流發生在結點由于載流子的漂移，這個電流由每邊中間區域的兩邊的少數載流子流入的The resistivity】一個好的導體電阻率數量級為10－6 ohm*cm，對一個半導體而言，數量級的范圍為10－3到10（6）ohm*cm，對絕緣體，可能是10（10）ohm*cm或更大

Above the】以上費米能級，入住概率（一個狀態是由一個電子）接近零，低于該標準。因此，費米能級是一種“頂面”的電子對分布，類似于一個容器一個面對面的液體

Of great】極重要的是漂移運動是關于載流子濃度和電場兩個變量的函數，而擴散運動是關于濃度梯度一個變量的函數

The rate】速率的變化密度承運人在一個點（或積累的運營商在一個地區），可以由等同于向合并的影響，交通運輸，發電，并在重組這一點（或附近地區），其結果是一個延續性方程

Early in the 1950s 】 早在20世紀50年代，shockley提出了用附屬雙極來描述他新設想的器件，因為兩種載流子類型在晶體管作用機理里起重要作用。相反，他描述在場效應的期間中（他所提出的就實用具體器件而言）都是單極的，因為晶體管的工作原理主要還是依賴于單種載流子類型。

The individual BJTs 】分立的雙極結型晶體管通過靈活互聯可形成具有一定功能的實用化電路，由此可以把含有十萬個以上器件的電路集成在同一個硅芯片上。

Since the BJT】 由于晶體管是一個三接線端的器件，其中一端作為輸入端和輸出端的公共端，其他兩端獨立并與對應端相聯系。

It is a curious 】這是一個難以理解的事實，在發射極和集電極區域的均勻摻雜，且有時也會均勻摻雜在基區突變結，現在技術越來越接近應用最簡單分析的觀點

In spite of the 】盡管基極電流比較小，但它是非常重要的。因為正如我們所看到的，它是提供給共射極晶體管輸入端的控制電流

For example, in a MESFET】半導體場效應晶體管器件中必須減小柵極長度以提高截止頻率，必須減少源極和漏極的接觸電阻以使頻率響應不受RC的限制。

The range of light 】 可見光范圍近似為0.4μm到 0.7μm, 紫外光范圍為0.01μm 到 0.4μm, 紅外光范圍為0.7μm 到1000μm.這章中主要感興趣的范圍是從近紫外(~0.3μm)到近紅外(~1.5μm)。To convert the】 用下式可把波長轉換為光子能量，上式中c是真空中的光速，v是光的頻率，h是普朗克常數，hv是光子能量，單位為電子伏特，There are basically】光和固體中電子的相互作用基本上有三個過程；吸收，自發輻射和受激輻射。

The dominant operation】發光二極管中主要的過程是自發輻射；激光器中主要的過程是受激輻射，光電探測器和太陽能電池中主要的過程是吸收。

For example, an electron 】例如導帶邊的電子和價帶邊的空穴復合，發射一個能量為禁帶寬度的光子

the BJTs is】雙極結型晶體管是最常用的共發射極配置，這意味著輸入信號施加到基于終端，輸出信號從集電極和發射極端子接線，共同投入輸出端口

The epitaxial process offers an important means of controlling the doping profiles so that device and circuit performances can be optimized】外延工藝提供了控制摻雜分布的重要手段，使設備和電路性能可以得到優化

Under these conditions, an overpressure of arsenic is established(1)to cause the transport of arsenic vapor to the gallium melt, converting it into gallium arsenic vapor to the gallium melt, converting it into gallium arsenide, and(2)to prevent decomposition of the gallium arsenide while it is being formed in the furnace】在這種條件下，砷過壓的形成（1）是使砷氣體輸送到鎵熔體，使之從砷化鎵氣體轉化到鎵熔體，轉化為砷化鎵，（2）防止砷化鎵在（反應爐中）合成過程中分解

The dopant chemistry for arsine is illustrated in a figure, which shows arsine being adsorbed on the surface, decomposing, and being incorporated（合并）into the growing layer】對于砷的摻雜化學可以用一個圖來說明，它顯示砷化氫被吸附在表面，分解，與被并入到生長層

The first important thin film from the thermal oxide group is the gate oxide layer under which a conduction channel can be formed between the source and the drain】第一個來自熱氧化組的重要薄膜是柵氧化層，其下方一個傳導通道可在源和漏極之間形成Dielectric layers（such as the deposited silicon dioxide and silicon nitride）are used for insulation between conducting layers, for diffusion and ion implantation masks掩蔽層, for capping doped films to prevent the loss of dopants, and for passivation鈍化層 to protect devices from impurities, moisture濕氣, and scratches.】絕緣層/介電層，例如沉積的二氧化硅和氮化硅，可用作導電層間的絕緣層，用于擴散和離子注入的掩蔽層，用于覆蓋摻雜的薄膜以防止摻雜損失，用作鈍化層 保護器件 不受雜質，濕氣和劃痕等的影響

Polycrystalline silicon, usually referred to as polysilicon, is used as gate electrode material in MOS devices, as a conductive material for devices with shallow junctions】沉積的二氧化硅，氮化硅等電解質層做為導電層之間的絕緣層，可作為擴散和離子注入時的掩蔽層，也可作為摻雜薄膜之上覆蓋層以防止摻雜損失。同時可作為鈍化層防止器件受外界雜質、潮濕空氣，劃痕等的影響

Each film must both perform its intended function and be compatible with the overall processing sequence, that is, the film must withstand the required chemical treatment and thermal cycle while its structure remains stable】每一層薄膜都必須執行其預設功能，并與整體處理順序兼容，也就是說，薄膜必須經受必要的化學處理和熱循環，而其結構保持穩定

In addition, the puller has an overall microprocessor-based control system to control process parameters such as temperature, crystal diameter, pull rate, and rotation speeds, as well as to permit programmed steps】此外，有一套基于微處理器控制的控制系統對提拉裝置進行全面控制，可控制如溫度，晶體直徑，牽拉速度和旋轉速度等，同時可對工藝過程進行編程控制

第二篇：電子科學與技術專業

電子科學與技術專業

主要課程:電子線路、計算機語言、微型計算機原理、電動力學、量子力學、理論物理、固體物理、半導體物理、物理電子與電子學、微電子學等。

專業實驗:物理電子技術實驗、光電子技術實驗、半導體器件與集成電路實驗等.學制:4年.授予學位:工學學士.相近專業:電子信息工程.就業方向:主要到該領域內從事各種電子材料、元器件、集成電路乃至集成電子系統和光電子系統的設計、制造和相應的新產品、新技術、新工藝的研究、開發工作.就業形勢:根據有關資料統計,近幾年該專業畢業生就業率在70%左右,重點名牌高校就業率在90%左右.根據對國內外電子科學與技術行業的現狀和發展趨勢分析，美國、西歐、日本、韓國、臺灣地區的電子科學與技術產業已經步入上升軌道。中國隨著市場開放和外資的不斷涌入，電子科學與技術產業開始煥發活力。中國“十一五”規劃的建議書將信息產業列入重點扶植產業之一，中國軍事和航天事業的蓬勃發展也必然帶動電子科學與技術行業的發展和內需。中國電子科學與技術產業將有一個明顯的發展空間，高科技含量的自主研發的產品將進入市場，形成自主研發和來料加工共存的局面；中國大、中、小企業的分布和產品結構趨于合理，出口產品將穩步增加；高技術含量產品將向民用化發展，必然促進產品的內需和產量。隨著社會需求會逐步擴大，電子科學與技術專業總體就業前景看好。

畢業生面臨“再學習”過程

跟發達國家相比，我國目前在微電子領域的高等教育水平還比較低。清華大學微電子學研究所王志華教授在接受《中國電子報》記者采訪時表示，大學工科學科研究的重要目的是解決工業界期望解決而沒有解決（至少是沒有解決好）的科學和技術問題，這就是工科領域的創新。因此，大學中工科學科的研究水平一定與所在國家相關工業的發展水平密切相關。如果國家相關工業水平在世界上處于落后地位，相關工程學科的研究水平整體上不可能領先世界，即便能取得一些世界領先的成果，也一定是鳳毛麟角。與此相關的是，高水平工程技術的人才培養，與受教育者在大學中研究經驗的積累密切相關，在工業落后的情況下，高等工程教育的整體水平不可能領先世界。我國微電子產業與教育的現狀和趨勢恰好印證了王教授的這個觀點。

在看清楚差距之后，加大對高校微電子專業科研的投入就顯得尤為必要，因為高素質的人才一定是通過科研實踐活動培養出來的。“這必須是國家行為。”王志華教授強調說，“高校的科研不應該是與企業競爭，大學從事的創新性研究可能會面對失敗，高水平人才的培養過程中也常常要面臨各種形式的失敗，但這種失敗所付出的社會成本比在企業中失敗要小得多，這是對全社會都有利的；當然，高等院校在國家支持下所取得的科研成果應該由全社會分享。”

在王志華教授看來，高等院校在工科技術人才培養方面至少應該做好兩件事，第一是基礎學科的教育，包括基本的數學知識、物理知識和工程知識等；第二是盡可能地為學生提供全面的工程訓練。對于研究型大學，還要培養學生的創新能力。“客觀地講，要完全達到上述目標難度非常大。”王教授略帶遺憾地說。中國高校的招生規模已經從1977年恢復高考時的27萬人擴大到2008年的近600萬人，對于高校本科畢業生而言，中國的高等教育已經不再是當年的精英教育，高校所培養的是一般意義上的勞動者，他們在大學里掌握的是從事各種工作所需要的基本技能、繼續學習所需要基礎知識及思維方法。王教授認為，作為教學機構，高等院校不可能為各家企業量身定制他們所需的人才，因此，即便是具有很強專業技能的碩士畢業生，在其進入企業以后也將經歷一個“再學習”的過程，這個任務，客觀上需要企業自己完成。

電子信息科學與技術專業

本專業培養系統地掌握電子信息科學與技術的基本理論、基本知識和基本技能，受到良好的現代化電子信息系統方面的科學研究訓練的高級專門人才.主要課程設置：

電子科學與技術、計算機科學與技術、電子技術基礎、數字系統與邏輯設計、微機原理與應用、信號與系統、信息理論與編碼、電磁場與電磁波、通信原理、信息處理技術及其應用。

本專業畢業生能夠在電子信息科學技術、計算機科學與技術及相關領域和行業，從事研究、教學、科技開發、工程設計和管理工作。

學習這個專業的基本要求：

1.具有較扎實的數理基礎；

2.掌握電子學、信息科學、計算機科學等的基本理論、基本方法和技能；

3.具有在信息的獲取、傳遞、處理及應用等方面從事理論研究和解決實際問題的能力；

4.了解電子信息學科的理論前沿、應用前景和最新發展動態，以及電子信息產業的發展狀況；

5.掌握文獻檢索、資料查詢以及應用現代信息技術獲取相關信息的基本方法；

6.具有良好的口頭和書面表達能力，以及較強撰寫科學論文的能力，并能熟練運用一門外語進行溝通和交流；

7.具有良好的人文素養和科學素養、較好的心理素質、較強的創新精神。主干學科：電子科學與技術、計算機科學與技術。

主要課程：

高等數學、工程數學、大學物理、C語言程序設計、電路理論、模擬電子技術、數字電路與邏輯設計、信號與系統、微機原理、單片機與嵌入式系統、通信電子線路、數字信號處理、信息論與編碼、通信原理、可編程器件原理、DSP技術與應用、數字語音處理、數字圖象處理等。

主要專業實驗：

物理實驗、電子線路實驗、數字電路實驗等。

就業單位：

國有企業、民營及私營企業，IT企業，信息與計算科學專業的畢業生進入IT企業是一個重要的就業方向，它們可以在這些企業非常高效的從事計算機軟件開發、信息安全與網絡安全等工作。信息產業對人才的需求首先是基本的“技能”，包括計算機編程的基本能力，要求具有良好的數據庫和計算機網絡的知識和使用技能，熟悉基本的軟件開發平臺。由于信息產業進入“應用”為主流的時代，高水平的從業人員不僅要掌握基本的“技能”，關鍵還要具備將實際問題提煉為計算問題以及求解該問題的能力，這正是信息與計算科學專業學生的優勢所在，也是近幾年來國內大型IT企業“搶購”知名高校計算數學專業畢業生的原因所在。

電子信息科學與技術專業就業前景 專業就業前景：這一行業的前景是十分廣闊的，將來的分工也會越來越細，未來中國需要大量這方面的專業人員。目前不僅沒有飽和，而且需求會越來越大。不過要有真本事，將來的競爭肯定也會越來越激烈。

主要到應用光學、光電子學及相關的電子信息科學、計算機科學等領域(特別是光機電算一體化產業)從事科學研究、教學、產品設計、生產技術或管理工作。

隨著計算機技術廣泛深入地應用于人類社會生活，以及全球信息產業的迅速崛起，二十一世紀的中國將向知識經濟時代邁進，教育、科研、社會、經濟等各個領域需要越來越多的信息與計算科學的人才，信息與計算科學的研究和應用將邁向更深入和更廣泛的領域。可以預計，信息科學與技術在今后較長時間里仍然是極具生命力的領域。畢業生就業面寬，適應能力強，適宜到科技、教育、經濟和管理部門從事科研、開發、管理及教學工作，特別是與數學、計算機應用和經濟管理相關的工作，可以繼續攻讀數學、計算機科學、經濟管理和一些相關學科的碩士學位研究生。

三、基本要求

本專業主要學習電子信息科學的基本理論、基本方法、基本知識，掌握扎實的電子技術與信息理論基礎，具備在電子信息及相關領域內從事科學研究、應用開發的能力。畢業生應獲得以下幾方面的知識和能力： 1.掌握較扎實的數學、物理等自然科學和一定的社會科學基礎知識，具有較強的運用外語的能力；

2.較系統地掌握本專業所必需的電子技術信息的基本理論與技能；

3.能熟練使用計算機（包括常用語言、工具及一些專用軟件）進行信息處理，具有基本的算法分析、設計能力和較強的編程能力；

4.掌握必要的相關學科和相關專業的知識，包括智能信息處理、文字語音視覺圖象處理、光電信息處理等領域的基本知識；

5.掌握文獻檢索、資料查詢的基本方法，具有較強的分析、解決實際問題的能力和從事科研的初步能力。

預言半導體產業四大趨勢

第一大趨勢：30年河“西”，30年河“東”。

回望晶體管誕生這60年，我們可以明顯看到半導體產業明顯向東方遷移的趨勢，特別是從80年代末開始。1987年臺積電這個純晶圓代工廠的成立，宣告著半導體制造業開始從西方向東方遷移；90年代初，三星成為全球最大的DRAM廠商，隨后，再成為全球閃存的最大廠商；90年代中，臺灣智原、聯發科、聯詠等一批IC公司從聯電分離出來，吹響了東方IC公司挑戰西方IC公司的號角；進入21世紀，中芯國際帶動中國大陸代工業成長起來，成為另一個制造中心，并且也帶動了中國IC設計業的成長；最后，德州儀器、飛思卡爾、英飛凌、LSI以及ADI等眾多傳統的IDM廠商轉向輕資產模式，放棄獨自建造45nm工廠，而分別與臺積電、特許和聯電等合作研制，2008年，在集成電路誕生50周年的這一年，這些傳統IDM公司的45nm產品都將亮相，但是，不是在這些IDM自己的工廠生產，而是在以上亞洲的代工廠里生產。

90nm是一個轉折點，當臺積電等代工廠突破了這個節點后，它們已將先進工藝的大旗從IDM手中接了過來，未來，臺灣晶圓代工廠在半導體工藝技術上將領先全球，并且成為全球IC產量最大的基地。雖然英特爾仍主宰著PC產業，并繼續IDM模式和領導最先進的工藝，但是，半導體產業的推動力已由PC轉向消費電子。展望未來，不論是在應用推動還是在技術創新上東方都將取代西方成為產業的領導著。全球半導體產業將演義30年河“西”，30年河“東”的歷史大戲。

第二大趨勢：有更多的私募基金加入半導體行業，且IC公司之間的整合加速。

半導體行業將會越來越遵循大者恒大的定律。恩智浦半導體大中華區區域執行官葉昱良指出：“私募基金加入半導體行業是一個趨勢，這個趨勢源起于IC公司會有愈來愈多的整合需求，基于大者恒大的定論，在IC產業通常也只有前5強才能生存。” 在大者恒大定律的驅動下，會有更多半導體公司的整合。其中最值得期待的是中國臺灣與大陸半導體公司之間的整合。義隆電子董事長葉儀晧指出：“因臺灣沒有具經濟規模的市場，故不易培養出可以主導新應用的產品規格的大型OEM，而沒有這些有品牌的系統廠商配合時，臺灣IC設計公司新產品開發的策略，很自然地大多以跟隨者為主。但中國大陸擁有廣大的市場及具規模的系統廠商，所以臺灣IC設計公司與大陸市場及系統公司合作是未來的趨勢。” 促成更多半導體公司整合的另一個重要原因是IP需求，隨著半導體產業向高端SoC發展，對IP的需求巨增。但是，對于IP的獲得卻會越來越難。一些擁有豐富IP的半導體廠商并不希望將IP授權出去，正如NXP的葉昱良表示：“事實上，一個公司光靠授權IP是很難長期發展的，所以我們的策略是如何加快我們自己的SoC研發，并且更加靈活的和partner合作。我們擁有大量優秀的IP，我們的挑戰就是如何將這些IP最快地轉化為IC。”（對于ARM來說可能是例外，ARM是只靠授權獲取利潤獲得很好發展的公司）

因此，中小歐美半導體廠商之間整合也會越來越頻繁。希圖視鼎總裁兼CEO劉錦湘分析道：“和10年前相比，硅谷的公司生態環境發生了很大變化。很多公司相互合并，或者大公司把小公司吃掉，很多公司面臨嚴重的生存危機。公司規模越來越大，但公司數量越來越少，每一個市場最終生存下來不會超過三個公司。”

第三大趨勢：歐美廠商不再輕易放棄低利潤市場。

未來10年，半導體產業會逐漸成為一個成熟的產業，一個微利的產業。半導體產業年增長率會從兩位數降到單位數，IC總產量和總銷售額會繼續增加，但利潤率會下降。

在利潤率逐漸下降的趨勢下，歐美半導體廠商不再輕易放棄低利潤的市場。義隆電子董事長葉儀晧說道：“以前歐美日大廠IC的毛利率如果低45%時，他們通常會放棄而漸由臺灣IC設計公司取代，他們會轉移到更高毛利的新興應用市場上。但這幾年殺手級的產品并不多，那些大廠不再輕易放棄，且會進行各種Cost Down規劃，以維持市占率及產品的毛利率，讓臺灣IC設計公司的競爭愈來愈辛苦。

未來，隨著亞洲成為全球的應用創新與消費中心，歐美廠商在該市場將與中國大陸和臺灣的眾多IC公司爭奪一些關鍵領域，而利潤會越來越低。最典型的將是移動多媒體處理器，也稱為應用處理器。此外，模擬IC的利潤也會越來越低。圣邦微電子總裁張世龍表示：“在模擬IC領域，相對技術門檻正在逐年降低。越來越多的臺灣和大陸公司開始涉足這一領域。隨著模擬器件市場競爭越來越激烈，傳統歐美公司在模擬器件市場上越來越難以維持其競爭力，只能向更高的系統集成度發展。”

第四大趨勢：分久必合，合久必分。

在2000年前后，眾多的半導體廠商從母公司剝離，包括英飛凌、科勝迅、杰爾、NEC、飛思卡爾以及NXP等。但是剝離出來后的獨立半導體公司活得并不如預期的好，其中不少是連續多年虧損。最典型的是杰爾，不斷出售產品線，最后被被LSI收購。雖然他們有著令人羨慕的技術積累與IP積累，但分離出來后，他們仍嚴重依賴每公司，在開拓新的大牌OEM客戶方面做得并不好。其實，最重要的是，由于SoC向高系統集成發展，在開發大規模的LSI時，仍需要IC公司與OEM的緊密合作。

瑞薩半導體管理(中國)有限公司CEO山村雅宏表示：“在開發大規模LSI方面，我們認為與大型OEM和服務商合作是一個方向。”瑞薩在開發3G手機芯片時就是與六家公司聯合開發的，包括日本最大的電信運營商NTT Docomo和幾家手機制造商。很明顯，聯合開發將帶來IP、開發成本以及開發時間的優勢。“目前半導體制造商難以獨自開發領先的技術。我們必須利用過去的研發資本包括IP、與OEM合作伙伴以及第三方的關系。”

因此，展望未來，大型半導體廠商與OEM會再度整合，但可能是一種松散的組合。合久必分，分久必合，這一遠古的名言，用于半導體產業再合適不過。

今年是“十二五”開局之年，也是集成電路產業迎來新一輪發展的大好時機，2010年10月十七屆五中全會的決議，把新一代新意技術列為七大戰略性新興產業之首，明確指出要增強科技創新能力，在核心電子器件等集成電路細分領域攻克一批核心關鍵技術。今年1月12日，國務院召開的常務會議研究部署進一步鼓勵軟件產業和集成電路產業發展政策措施，會議指出，軟件產業和集成電路產業是國家戰略性新興產業，是國民經濟和社會信息化的重要基礎，這一切充分體現了國家對集成電路產業發展的高度重視，而且繼續給予大力支持。集成電路產業的戰略基礎地位和國家的高度重視，為產業發展營造了良好的發展環境，我們行業同仁們受到了極大的鼓舞。

回首新舊世紀之交，國務院18號文的頒布，開辟了產業發展的新歷程，迎來了產業歷史上最好的十年的發展時期，這期間所取得的成就為產業快速發展奠定了難能可貴的基礎。產業規模繼續擴大，產業銷售收入從2000年僅僅186億元到2005年為700億元，到2010年現在根據預估有望實現同比增長28%以上，銷售收入超過1400億元。同時，技術創新取得進展，產業結構改善，企業在國際競爭中迅速成長，以集成電路企業為例，2009年大家知道全球金融危機，全球集成電路產業由此深度下滑，但是在這種情況下，我們的設計業實現了近15%的正增長，09年銷售收入過億元的設計企業有40家，最高的達到41億元。剛過去的2010年，設計業又實現大幅度增長，過億元的企業數量和整個設計業的銷售額還將進一步大幅度增加，各種跡象表明我國集成電路設計企業在經歷了成功與挫折，磨難與考驗之后，正在進入快速發展階段，他們所積累聚集的能量正在迸發出來，我們完全有信心期待更好的發展前景，我們也完全有信息期待更多的公司在眾多產品的工藝技術領域有更好的發展前景。

第三篇：電子科學與技術專業

《半導體照明技術及其應用》課程教學大綱

（秋季）

一、課程名稱：半導體照明技術及其應用Semiconductor Lighting Technology and Applications

二、課程編碼：

三、學時與學分：32/2

四、先修課程: 微積分、大學物理、固體物理、半導體物理、微電子器件與IC設計

五、課程教學目標：

半導體照明是指用全固態發光器件LED作為光源的照明，具有高效、節能、環保、壽命長、易維護等顯著特點，是近年來全球最具發展前景的高新技術領域之一，是人類照明史上繼白熾燈、熒光燈之后的又一場照明光源的革命。本課程注重理論的系統性﹑結構的科學性和內容的實用性，在重點講解發光二極管的材料、機理及其制造技術后，詳細介紹器件的光電參數測試方法，器件的可靠性分析、驅動和控制方法，以及各種半導體照明的應用技術，使學生學完本課程以后，能對半導體照明有深入而全面的理解。六﹑適用學科專業：電子科學與技術

七、基本教學內容與學時安排： 緒論（1學時）

半導體照明簡介、學習本課程的目的及要求 第一章 光 視覺 顏色（2學時）光的本質 光的產生和傳播 3 人眼的光譜靈敏度 4 光度學及其測量 5 作為光學系統的人眼 6 視覺的特征與功能 7 顏色的性質 國際照明委員會色度學系統 9 色度學及其測量 第二章 光源（1學時）太陽 月亮和行星 人工光源的發明與發展 4 白熾燈 5 鹵鎢燈 6 熒光燈 7 低壓鈉燈 高壓放電燈 9 無電極放電燈 10 發光二極管 11 照明的經濟核算

第三章 半導體發光材料晶體導論（2學時）

1晶體結構

2能帶結構

3半導體晶體材料的電學性質

4半導體發光材料的條件

第四章 半導體的激發與發光（1學時）PN結及其特性 2 注入載流子的復合 輻射與非輻射復合之間的競爭 4 異質結構和量子阱

第五章 半導體發光材料體系（2學時）砷化鎵 2 磷化鎵 3 磷砷化鎵 4 鎵鋁砷 5 鋁鎵銦磷 6 銦鎵氮

第六章 半導體照明光源的發展和特征參量（1學時）發光二極管的發展 發光二極管材料生長方法 3 高亮度發光二極管芯片結構 4 照明用LED的特征參數和要求

第七章 磷砷化鎵、磷化鎵、鎵鋁砷材料生長（3學時）磷砷化鎵氫化物氣相外延生長（HVPE）2 氫化物外延體系的熱力學分析 3 液相外延原理 4 磷化鎵的液相外延 5 鎵鋁砷的液相外延

第八章 鋁鎵銦磷發光二極管（2學時）AlGaInP金屬有機物化學氣相沉積通論 2 外延材料的規模生產問題 3 電流擴展 4 電流阻擋結構 5 光的取出 6 芯片制造技術 器件特性

第九章 銦鎵氮發光二極管（2學時）GaN生長 2 InGaN生長 3 InGaN LED

4提高質量和降低成本的幾個重要技術問題 第十章 LED芯片制造技術（3學時）

1光刻技術

2氮化硅生長

3擴散

4歐姆接觸電極 5 ITO透明電極 6

表面粗化 7

光子晶體

8激光剝離（Laser Lift off，LLO）9

倒裝芯片技術 垂直結構芯片技術 11 芯片的切割 LED芯片結構的發展

第十一章 白光發光二極管（2學時）

1新世紀光源的研制目標 2

人造白光的最佳化 3

熒光粉轉換白光LED 4

多芯片白光LED 第十二章 LED封裝技術（3學時）LED器件的設計 2 LED封裝技術

第十三章 發光二極管的測試及可靠性（2學時）

發光器件的效率 2

電學參數

3光電特性參數——光電響應特性 4

光度學參數

5色度學參數

6熱學參數（結溫、熱阻）7

靜電耐受性 8 LED可靠性概念 9 LED的失效分析 10 可靠性試驗 11 壽命試驗 可靠性篩選 例行試驗和鑒定驗收試驗

第十四章 有機發光二極管（2學時）OLED

4有機發光 5

6白光OLED發展趨勢和實用化預測

第十五章 半導體照明驅動和控制（2學時）LED驅動技術 2 LED驅動器 LED集成驅動電路 4

控制技術

第十六章 半導體照明應用技術、市場現狀和展望（1學時）

1半導體照明應用產品開發原則 2 LED顯示屏

3交通信號燈

4景觀照明

5手機應用 6

汽車用燈 LCD顯示背光源 8

微型投影機 9

通用照明 光源效率和照明系統整體效率 11 LED外延 12 LED芯片技術 13 LED封裝技術 LED發光效率的發展 15 市場現狀和預測 16 半導體照明發展目標 八﹑教材及參考書

方志烈編著，《半導體照明技術》，電子工業出版社，2009

九、參考書

1、史光國編著，《半導體發光二極管及固體照明》，科學出版社，2007

2、陳元燈編著，《LED制造技術與應用》，電子工業出版社，2009

3、肖志國編著，《半導體照明發光材料及應用》，工學工業出版社，2008

4、毛興武等編著，《新一代綠色光源LED及其應用技術》，人民郵電出版社，2008

十、考核方式：開卷考試

第四篇：電子科學與技術專業 問卷調查

問卷調查

你好，我們是的學生，耽誤你幾分鐘，做一份關于我們專業的調查報告，在此承諾對于你的答案我們會做好保密工作，謝謝你的配合。

1.您的性別是？（）

A.男B.女

2.您現在是？（）

A.已畢業工作的大學生B.正在工作的大學生

C.高中畢業或仍在高中學習的準大學生

3.您學的（想學的）專業是？（）

A.理工科方面的B.商業方面的C.傳媒新聞方面的D.醫學方面的E.創意方面的F.其它方面

4.您對您所學（將學）的專業的未來信心如何？（）

A.很有信心，覺得自己一定可以在該專業領域取得成就

B.不看好，可以以后會從事其它工作。

C.順其自然，畢業后能找到專業工作就找專業工作，找不到不在乎快專業。

電子科學與技術是以電子器件及其系統應用為核心，重視器件與系統的交叉與融合，面向微電子、光電子、光通信、高清晰度顯示產業等國民經濟發展需求，培養在通信、電子系統、計算機、自動控制、電子材料與器件等領域具有寬廣的適應能力、扎實的理論基礎、系統的專業知識、較強的實踐能力、具備創新意識的高級技術人才和管理人才，并掌握一定的人文社會科學及經濟管理方面的基礎知識，能從事這些領域的科學研究、工程設計及技術開發等方面工作。

5.你對電子科學技術有一定了解么？（）

A.不是很了解B.有一定的了解C.很是了解

6.你身邊是否有人從事通信或者電子產業的工作？（）A有B沒有

7.他們反響如何？（接上題，如果上題選B此題可以不解答）（）A就業情況良好，薪水也較可觀

B就業前景一般，薪水方面也一般。

C就業前景堪憂，推薦換份新專業或工作。

8.你認為如今的電子產品吸引顧客的方面是？（多選）（）A外觀B功能C品牌D價格E售后服務F輔助功能 G其他

9.電子科學領域畢業，你認為在當下從事哪項工作會更有希望成功？（）A電子工程師 B軟件工程師C項目主管D質量管理 E銷售

10.你認為發展該專業需要哪些必備的能力？（）

A 表達溝通技巧B英語水平C物理數學能力D動手能力 E創新能力 F邏輯能力 G其它能力

謝謝你的配合，祝你生活愉快！

第五篇：電子科學與技術專業概論

電子科學與技術專業概論

姓名:王立龍學號:22131129班級:電科13-1班

摘要: 21世紀，隨著現代科學技術的飛速發展，人類歷史即將進入一個嶄新的時代──信息時代。其鮮明的時代特征是，支撐這個時代的諸如能源、交通、材料和信息等基礎產業均將得到高度發展，并能充分滿足社會發展及人民生活的多方面需求。作為信息技術發展的基石，微電子技術伴隨著計算機技術、數字技術、移動通信技術、多媒體技術和網絡技術的出現得到了迅猛的發展.光電子技術集中了固體物理、波導光學、材料科學和半導體科學技術的科研成就，成為具有強烈應用背景的新興交叉學科，至今光電子技術已經應用于工業、通信、信息處理、醫療衛生、軍事、文化教育、科學研究和社會發展等各個領域。可以預言，光電子技術將繼微電子技術之后再次推動人類科學技術的革命和進步。因此，本世紀將是微電子和光電子共同發揮越來越重要作用的時代，是電子科學與技術飛速發展的時代。

關鍵詞 : 電子科學與技術、學習、科技

一、電子科與學技術專業簡介

專業培養具備微電子、光電子、集成電路等領域寬厚理論基礎、實驗能力和專業知識，能在電子科學與技術及相關領域從事各種電子材料、元器件、集成電路、電子系統、光電子系統的設計、制造、科技開發，以及科學研究、教學和生產管理工作的復合型專業人才。

二、電子科與學技術專業發展

1947年美國貝爾實驗室發明了晶體管，開創了固體電子技術時代。根據國外發展電子器件的進程，我國在1956年提出了“向科學進軍”，將半導體技術列為重點發展的領域之一。到了1970年前后，隨著對半導體器件需求量的增加，尤其是大型電子計算機對集成電路需求的推動，促進了國內半導體工業的發展以及對專業人才的需求，全國很多高校都先后增加了半導體物理與器件專業。

進入20世紀80年代，由于國內半導體器件和集成電路生產還缺乏競爭力，受到進口元器件的沖擊，很多半導體器件廠下馬或轉產，市場不景氣導致了很多高校的半導體專業被迫取消，專業萎縮。

進入20世紀90年代，由于微型計算機、通信、家電等信息產業的發展和普及，對集成電路芯片的需求量越來越大，此外幾場局部戰爭讓全世界接受了電子戰、信息戰的高科技戰爭的理念。微電子技術得到了前所未有的重視，半導體技術專業由此更名為微電子技術專業。為了在信息時代和高科技領域趕上國際先進水平，國家加大了對微電子技術行業的支持力度，并不斷吸引外資，市場對微電子技術專業畢業生的需求不斷增加，從而迎來了微電子技術專業發展的新高峰。

1985年，根據原國家教委頒布的專業目錄，將激光專業和紅外光譜學合并，更名為光電子技術專業。為了拓寬專業口徑和與國際接軌，教育部1998年4月頒布了新的本科專業目錄和引

導性專業目錄，將原微電子技術、光電子技術、物理電子技術、電子材料與元器件和電磁場與微波等本科專業整合為一級學科“電子科學與技術”。

三、電子科學與技術專業現狀與發展趨勢

（一）電子科學與技術專業發展現狀

目前，全國設有電子科學與技術相關專業的高等院校有111所，在校學生估計3～4萬人。本專業設有專科、本科和研究生教育三個層次，不同層次的人才對應著本專業不同層次的社會需求。本專業的發展現狀總體來說是良好的，主要表現在：本專業的規模在逐年擴大，開設此專業的學校和招生人數都在增加；本專業畢業生的就業率相對較高。這是與電子科學與技術行業的經濟的穩步發展相適應的。

電子科學與技術對于國家經濟發展、科技進步和國防建設都具有重要的戰略意義。今天，面對電子科學與技術的迅猛發展，世界上許多發達國家，像美國、德國、日本、英國、法國等，都競相將微電子技術和光電子技術引入國家發展計劃。我國對微電子技術和光電子技術的研究給予了高度重視，在多項國家級戰略性科技計劃中，如“863計劃”、“973計劃”、國家攻關計劃中微電子技術（集成電路技術）和光電子技術（激光技術）都有立項；1995年，原電子工業部提出了“九五”集成電路發展戰略，并實施了“909工程”；國家自然科學基金委員會在1996年底立項開展“光子學與光子技術發展戰略”研究；在“九五”和“十五”期間，國家自然科學基金委員會在重大、重點和杰出青年基金中對電子科學與技術方面的立項給予了足夠的重視和支持。在全國電子科學與技術的科研、教學、生產和使用單位的共同努力下，我國已經形成了門類齊全、水平先進、應用廣泛的微電子和光電子技術的科學研究領域，并在產業化方面形成了一定規模，取得了可喜的進步，為我國的科學技術、國民經濟和國防建設做出了積極貢獻，在國際上了也爭得了一席之地。但是我們應該清醒地看到，在電子科學與技術領域，我國與世界上發達國家的先進水平仍有不小的差距，特別在微電子技術方面的差距更大。這既有歷史、體制、技術、工藝和資金方面的原因，也有各個層次所需專業人才短缺的原因。

（二）電子科學與技術專業發展趨勢

1、微電子發展趨勢

微電子技術一般是指以集成電路技術為代表，制造和使用微小型電子元器件和電路，實現電子系統功能新型技術學科，主要涉及研究集成電路的設計、制造、封裝相關的技術與工藝。由于實現信息化的網絡、計算機和各種電子設備的基礎是集成電路。

1975年摩爾提出了關于集成電路集成度發展的“摩爾定律”，這個定律說，集成度(即電路芯片的電子器件數)每18個月翻一番，而價格保持不變甚至下降。幾十年的發展狀況基本上符合了這個定律。由此可見這一領域發展速度之快

國家信息產業計劃綱要指出：“信息產業作為國民經濟的基礎產業、先導產業、支柱產業和戰略性產業，對國民經濟、國家安全、人民生活和社會進步正在發揮著越來越重要的作用。信息產業是國民經濟新的增長點，到2005年，信息產業在國民經濟各產業中位居前列，發展成為最大的產業。”作為信息產業基礎工業的微電子工業，“綱要”指出：“以加強集成電路設計為

重點。集成電路設計要與整機開發相結合，積極支持有條件的整機企業建立集成電路設計中心，設計開發市場較大的整機產品所需的各種專用集成電路和系統級芯片。產品的技術水平達到0.18～0.25微米,開發、生產有自主知識產權的集成電路產品。有條件地逐步設計開發通用集成電路（包括CPU）。擴大和提升國內現有的集成電路生產線的生產能力和技術水平。通過加強工藝技術、生產技術的研究開發和改造，加快現有生產線的技術升級,形成規模生產能力，提高產品技術水平，擴大產品品種，替代進口。實施優惠政策，改善投資環境，積極鼓勵國內外有經濟實力和技術實力的企業或投資機構在國內建立先進水平的集成電路芯片生產線，提高國內集成電路的生產技術水平。積極支持集成電路、新型元器件等電子專用材料的開發與生產。”目前，隨著信息產業的步入上升軌道，微電子技術產業就有了更大的上升空間。

2、光電子發展趨勢

光電子技術涉及以下內容：作為光子產生、控制的激光技術及其相關應用技術；作為光子傳輸的波導技術；作為光子探測和分析的光子檢測技術；光計算和信息處理技術；作為光子存儲信息的光存儲技術；光子顯示技術；利用光子加工與物質相互作用的光子加工與光子生物技術。

光電子產業是21世紀的支柱產業之一。國家發展委員會從2002年開始組織實施光電子產業化專項光電子專項產業化目標是：根據我國在光電子研究開發方面所具有的技術優勢和資源特點，重點支持一批技術水平高、市場前景好的光電子產品，實現產業技術升級，并盡量形成規模生產。專項支持重點有：

光通信器件：①光有源器件：包括10Gb/s光發送接收模塊，光放大器（寬光譜、高增益、低噪聲摻鉺光纖放大器EDFA，摻譜光纖放大器PFDA，拉曼光纖放大器，1.55微米波長半導體光放大器SOA），10Gb/s 1.3～1.55微米波長可調諧光纖光柵分布反饋式（DFB）激光器，共振腔Si基可調諧窄帶探測器，1.3微米波長垂直腔面發射激光器（VCSEL）。②光無源器件：包括光連接器、光耦合器、介質膜干涉光濾波器、波分復用／解復用器、布拉格光柵、陣列波導光柵（AWG），波導光開關陣列等WDM器件。③光交換器件：包括可調諧波長轉換器、波長選擇器、路由選擇器（模塊）等。④光子集成器件：包括光路集成器件和實用化光電子集成模塊等。

光存儲器件：包括藍綠光480納米波長半導體激光器和650納米波長紅光半導體激光器，高密、高效、高速的母盤刻錄和新型光記錄介質等技術。

大功率激光器：包括大功率半導體激光器（DPSSL）及大規模集成組件，以及光有源器件、光無源器件、光交換器件、光子集成器件、光存儲器件、大功率激光器。

四、電子科學與技術專業特點

本專業培養掌握現代電子技術理論、通曉電子系統設計原理與設計方法，具有較強的計算機、外語和相應工程技術應用能力，面向電子技術、自動控制和智能控制、計算機與網絡技術等電子、信息、通信領域的寬口徑、高素質、德智體全面發展的具有創新能力的高級工程技術人才開發。

知識理論系統性較強。學習本課程需要有一定的基礎理論、知識作鋪墊且又是學習有關后續專業課程的基礎。

基礎理論比較成熟。雖然電子技術發展很快，新的器件、電路日新月異，但其基本理論已經形成了相對穩定的體系。有限的學校教學不可能包羅萬象、面面俱到，要把學習重點放在學習、掌握基本概念、基本分析、設計方法上。

實踐應用綜合性較強。本課程是一門實踐性很強的技術基礎課，討論的許多電子電路都是實用電路，均可做成實際的裝置。

五、電子科學與技術專業學習

（一）電子科學與技術專業學習要求

電子科學與技術專業專業學生主要學習電子信息科學與技術的基本理論和技術，受到科學實驗與科學思維的訓練，具有本學科及跨學科的應用研究與技術開發的基本能力。電子科學與技術專業專業主要是學習基本電路知識，并掌握用計算機等處理信息的方法。首先要有扎實的數學知識，對物理學的要求也很高，并且主要是電學方面；要學習許多電路知識、電子技術、信號與系統、計算機控制原理、通信原理等基本課程。學習電子信息工程自己還要動手設計、連接一些電路并結合計算機進行實驗，對動手操作和使用工具的要求也是比較高的。譬如自己連接傳感器的電路，用計算機設置小的通信系統，還會參觀一些大公司的電子和信息處理設備，理解手機信號、有線電視是如何傳輸的等，并能有機會在老師指導下參與大的工程設計。學習電子信息工程，要喜歡鉆研思考，善于開動腦筋發現問題。

（二）電子科學與技術專業培養目標

電子科學與技術專業專業培養具備電子信息科學與技術的基本理論和基本知識，受到嚴格的科學實驗訓練和科學研究初步訓練，能在電子信息科學與技術、計算機科學與技術及相關領域和行政部門從事科學研究、教學、科技開發、產品設計、生產技術管理工作的電子信息科學與技術高級專門人才。

隨著社會信息化的深入，各行業大都需要電子信息工程專業人才，而且薪金很高。學生畢業后可以從事電子設備和信息系統的設計、應用開發以及技術管理等。比如，做電子工程師，設計開發一些電子、通信器件；做軟件工程師，設計開發與硬件相關的各種軟件；做項目主管，策劃一些大的系統，這對經驗、知識要求很高；還可以繼續進修成為教師，從事科研工作等。

（三）電子科學與技術專業課程設置

電子科學與技術主要課程：電子線路、計算機語言、微型計算機原理、電動力學、量子力學、理論物理、固體物理、半導體物理、物理電子與電子學以及微電子學等方面的專業課程。主要實踐性教學環節：包括電子工藝實習、電子線路實驗、計算機語言和算法實踐、課程設計、生產實習、畢業設計等。一般安排20周。

六、電子科學與技術專業社會需求

電子科學與技術專業是前沿學科，現代社會的各個領域及人們日常生活等都與電子信息技術有著緊密的聯系。全國各地從事電子技術產品的生產、開發、銷售和應用的企事業單位很多.,隨著改革步伐的加快，這樣的企事業單位會越來越多。為促進市場經濟的發展，培養一大批具有大專層次學歷，能綜合運用所學知識和技能，適應現代電子技術發展的要求，從事企事業單位與本專業相關的產品及設備的生產、安裝調試、運行維護、銷售及售后服務、新產品技術開發等應用型技術人才和管理人才是社會發展和經濟建設的客觀需要，市場對該類人才的需求越來越大。

根據前面對國內外電子科學與技術行業的現狀和發展趨勢分析，美國、西歐、日本、韓國、臺灣地區的電子科學與技術產業已經步入上升軌道。我國隨著市場開放和外資的不斷涌入，電子科學與技術產業開始煥發活力。我國“十一五”規劃的建議書將信息產業列入重點扶植產業之一，我國軍事和航天事業的蓬勃發展也必然帶動電子科學與技術行業的發展和內需。因此，今后5年我國電子科學與技術產業將有一個明顯的發展空間，高科技含量的自主研發的產品將進入市場，形成自主研發和來料加工共存的局面；我國大、中、小企業的分布和產品結構趨于合理，出口產品將穩步增加；高技術含量產品將向民用化發展，必然促進產品的內需和產量。隨著社會需求會逐步擴大，電子科學與技術專業總體就業前景看好。

目前，市場對電子科學與技術專業人才的需求基本上是供不應求，特別是高層次的設計人才短缺。但是應該注意到電子科學與技術產業的分布不均，分類較細，發展變化較快，不同產品在不同時期受市場的影響程度并不相同。另外，電子科學與技術產業結構具有多樣性，既有勞動密集型的大型企業、大公司，更多的是小公司和小企業；既有國有企業和私營企業，更有合資、獨資的外企。因此，不同單位在不同時期對人才的需求是不同的。從這一點來看，社會需求與本專業畢業生的層次結構之間的供需矛盾還會繼續存在。

七、總結電子科學與技術專業是信息社會人才的培養基地中國經濟、科技以及社會發展對電子科學與技術專業起到了重要的支撐作用,21世紀國內外電子科學與技術專業相關領域的快速發展滿足了電子科學與技術專業的人才需求,國家一系列教育政策和激勵機制對電子科學與技術專業發展起到了巨大的促進作用,教育教學指導性文件對電子科學與技術專業產生了關鍵的指導作用與深刻的影響,實習基地對電子科學與技術專業的高科技人才培養也起著重要推動作用.總之，我們要充分抓住機遇，迎接挑戰。要付之與行動，并且取得成功，達到我們最終的目的。然而現實是變幻莫測的，事事都難以預料，我們必須做好心理準備，在遇到突發因素、不良影響時，要注意保持清醒冷靜的頭腦，不僅要及時面對、分析所遇問題，更應快速果斷的拿出應對方案，對所發生的事情，能挽救的盡量挽救，不能挽救的要積極采取措施，爭取做出最好矯正

參考文獻：電子科學與技術專業發展戰略研究報告（j）.中國教育.2007年.第6期