第一篇：微電子工藝習(xí)題總結(jié)(DOC)

第一章

1.What is a wafer? What is a substrate? What is a die? 什么是硅片，什么是襯底，什么是芯片 答：硅片是指由單晶硅切成的薄片；芯片也稱為管芯（單數(shù)和復(fù)數(shù)芯片或集成電路）；硅圓片通常稱為襯底。

2.List the three major trends associated with improvement in microchip fabrication technology, and give a short description of each trend.列出提高微芯片制造技術(shù)相關(guān)的三個(gè)重要趨勢(shì)，簡(jiǎn)要描述每個(gè)趨勢(shì) 答:提高芯片性能:器件做得越小，在芯片上放置得越緊密，芯片的速度就會(huì)提高。

提高芯片可靠性：芯片可靠性致力于趨于芯片壽命的功能的能力。為提高器件的可靠性，不間斷地分析制造工藝。

降低芯片成本：半導(dǎo)體微芯片的價(jià)格一直持續(xù)下降。

3.What is the chip critical dimension(CD)? Why is this dimension important? 什么是芯片的關(guān)鍵尺寸，這種尺寸為何重要 答：芯片的關(guān)鍵尺寸（CD）是指硅片上的最小特征尺寸；

因?yàn)槲覀儗D作為定義制造復(fù)雜性水平的標(biāo)準(zhǔn)，也就是如果你擁有在硅片某種CD的能力，那你就能加工其他所有特征尺寸，由于這些尺寸更大，因此更容易產(chǎn)生。

4.Describe scaling and its importance in chip design.描述按比例縮小以及在芯片設(shè)計(jì)中的重要性 答：按比例縮小：芯片上的器件尺寸相應(yīng)縮小是按比例進(jìn)行的

重要性：為了優(yōu)電學(xué)性能，多有尺寸必須同時(shí)減小或按比例縮小。

5.What is Moore's law and what does it predict?

什么是摩爾定律，它預(yù)測(cè)了什么 答：摩爾定律：當(dāng)價(jià)格不變時(shí)，集成電路上可容納的晶體管數(shù)，月每隔18個(gè)月便會(huì)增加1倍，性能也將提升1倍。

預(yù)言在一塊芯片上的晶體管數(shù)大約每隔一年翻一番。

第二章

6.What is the advantage of gallium arsenide over silicon? 砷化鎵相對(duì)于硅的優(yōu)點(diǎn)是什么 答：優(yōu)點(diǎn)：具有比硅更高的電子遷移率；減小寄生電容和信號(hào)損耗的特性；集成電路的速度比硅電路更快；材料的電阻率更大。

7.What is the primary disadvantage of gallium arsenide over silicon? 砷化鎵相對(duì)于硅的主要缺點(diǎn)是什么 答：主要缺點(diǎn)：缺乏天然氧化物；材料的脆性；成本比硅高10倍；有劇毒性在設(shè)備，工藝和廢物清除設(shè)施中特別控制。

第三章

8.What is an active component? Give two examples of this type of component.什么是無(wú)源元件，舉出兩個(gè)無(wú)源元件的例子

答：有源器件：在不需要外加電源的條件下，就可以顯示其特性的電子元件。

例子：電阻，電容。

9.What are some notable characteristics of bipolar technology? What is biggest drawback to bipolar technology? 雙極技術(shù)有什么顯著特征，雙極技術(shù)的最大缺陷是什么 答：顯著特征：高速，耐久性和功率控制能力。

最大缺陷：功耗高。

10.What are the benefits of the field-effect transistor(FET)? 場(chǎng)效應(yīng)管有什么優(yōu)點(diǎn) 答：低電壓和低功耗。

11.What are the two basic types of FETs? What is the major difference between them? FET的兩種基本類型是什么，他們之間的主要區(qū)別是什么 答：類型：結(jié)型（JFET）和金屬-氧化物型（MOSFET）半導(dǎo)體。

區(qū)別：MOSFET作為場(chǎng)效應(yīng)管晶體輸入端的柵極由一層薄介質(zhì)與晶體管的其他兩極絕緣。JFET的柵極實(shí)際上同晶體管其他電極形成物理的pn結(jié)。

12.What are the two categories of MOSFETs? How are they distinguishable from one another? MOSFET有哪兩種類型，他們?cè)鯓訁^(qū)分 答：類型：nMOS（n溝道）和pMOS（p溝道）

區(qū)分方法：可有各自器件的多數(shù)載流來(lái)區(qū)別。

13.What two IC technologies are used in BiCMOS? BiCMOS使用了哪兩種集成電路技術(shù) 答：采用了CMOS和雙極技術(shù)

14.What could a digital/analog(D/A)converter chip be used for? What could an analog/digital(A/D)chip be used for? 數(shù)模轉(zhuǎn)換器芯片能用做什么，模數(shù)轉(zhuǎn)換器芯片能用做什么 答：數(shù)/模轉(zhuǎn)化器芯片可用來(lái)提供用做電子機(jī)械設(shè)備的控制模擬驅(qū)動(dòng)信號(hào)。

模/數(shù)轉(zhuǎn)換器芯片可用來(lái)測(cè)量模擬驅(qū)動(dòng)信號(hào)的輸出。

15.Explain the difference between an enhancement-mode transistor and depletion-mode transistor with regards to their standby condition.解釋增強(qiáng)型晶體管和耗盡型晶體管使用情況的區(qū)別 答：增強(qiáng)型晶體管很好地工作于數(shù)字陸機(jī)應(yīng)用中，只需要單極的輸入信號(hào)控制場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

耗盡型被已經(jīng)存在的閉合溝道部分開(kāi)啟。輸入電壓可以在一個(gè)方向變化以提高流過(guò)溝道的電流，或者在相反方向降低流過(guò)的溝道電流。如果柵極的輸入電壓在反向更大地提高，耗盡型晶體管將會(huì)斷開(kāi)。

第四章

16.Why is it necessary to have monocrystal silicon for wafer fabrication? 為什么要用單晶進(jìn)行硅片制造 答：半導(dǎo)體芯片加工需要純凈的單晶硅結(jié)構(gòu)，這是因?yàn)閱伟貜?fù)的單晶結(jié)構(gòu)能夠提供制作工藝和器件特性所需要的電學(xué)和機(jī)械性質(zhì)。糟糕的晶體結(jié)構(gòu)和缺陷導(dǎo)致微缺陷的形成。

17.Which crystal plane orientation is most common MOS? Which is most common for bipolar? MOS器件中用的最多的是哪種方向晶向，雙極型用的最多的是哪幾種 答：MOS ：(100)面的硅片； 雙極型：（111）面的硅片

18.Define crystal growth.What is the CZ method for crystal growth? 定義晶體生長(zhǎng)，什么是CZ單晶生長(zhǎng)法 答：晶體生長(zhǎng)：是把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅。

CZ單晶生長(zhǎng)法：是熔化了的半導(dǎo)體級(jí)硅液體變?yōu)橛姓_晶向并且被摻雜成n型或p型的固體硅錠。

19.List seven wafer quality requirements for a silicon wafer.列舉硅片的七種質(zhì)量要求 答：物理尺寸；平整度；微粗糙度；氧含量；晶體缺陷；顆粒；體電阻率

20.What is an epitaxial layer, and why is it used on wafers? 什么是外延層，為什么在硅片上使用它 答：在某種情況下，需要硅片有非常純的與襯底有相同晶體結(jié)構(gòu)的硅表面，還要保持對(duì)雜質(zhì)類型和濃度的控制，這要通過(guò)在硅表面沉積一個(gè)外延層來(lái)達(dá)到。

原因是外延層在優(yōu)化pn結(jié)的擊穿電壓的同時(shí)降低了集電極電阻，在適中的電流強(qiáng)度下提高了器件速度。外延在CMOS集成電路中變得重要起來(lái)，因?yàn)殡S著器件尺寸不斷縮小它將閂鎖效應(yīng)降到最低。外延層通常是沒(méi)有玷污的。

第八章

21、What is plasma? Why is RF energy used in plasma? 什么是等離子體，為什么要在等離子體中使用RF能量

答：等離子是一種中性，高能量，離子化的氣體，包含中性原子或分子，帶電離子和自由電子。

RF能量的使用可以產(chǎn)生一個(gè)高功效的等離子體。

第九章

22、List the six distinct production areas in a wafer fab and give a short description of each area.列出芯片廠中6個(gè)不同的生產(chǎn)區(qū)域并對(duì)每一個(gè)區(qū)域做簡(jiǎn)單的描述 答：擴(kuò)散：擴(kuò)散區(qū)一般認(rèn)為是進(jìn)行高溫工藝及薄膜沉積的區(qū)域。

光刻：使用黃色瑩光管照明使得光刻區(qū)與芯片廠中的其他各個(gè)區(qū)明顯不同。

刻蝕：是在硅片上沒(méi)有光刻膠保護(hù)的地方留下永久的圖形。

離子注入：采用高電壓和磁場(chǎng)來(lái)控制并加速離子。

薄膜生長(zhǎng)：主要負(fù)責(zé)生產(chǎn)各個(gè)步驟當(dāng)中的介質(zhì)層與金屬層的沉積。

拋光：為了使硅片表面平坦化，是通過(guò)將硅片表面突出的部分減薄到下凹部分的高度實(shí)現(xiàn)。

23、Identify the three production areas where photoresistcoated wafers can be found.確定有光刻膠覆蓋硅片的三個(gè)生產(chǎn)區(qū)域 答：光刻區(qū)，刻蝕區(qū)和離子注入?yún)^(qū)

24、What is the purpose of the etch process? Name the most common tools used in this area? 刻蝕工藝的目的是什么，這個(gè)區(qū)中最常用的設(shè)備是什么 答：目的：硅片上沒(méi)有光刻膠保護(hù)的地方留下永久的圖形。

常用設(shè)備：等離子刻蝕機(jī)，等離子體去膠機(jī)和濕法清洗設(shè)備。

25、What are the reasons for the thermal anneal process after ion implantation? 離子注入后進(jìn)行退火工藝的原因是什么

答：可使裸露的硅片表面生長(zhǎng)一層新的阻擋氧化層；高溫使得雜質(zhì)向硅中移動(dòng)；可使注入引入的損傷得到修復(fù)；使雜質(zhì)原子與硅原子間的共價(jià)鍵被激活，使得雜質(zhì)原子成為晶格結(jié)構(gòu)中的一部分。

26、What is shallow trench isolation(STI)? What process did it replace? 什么是淺槽隔離（STI），它取代了什么工藝

答：淺槽隔離（STI）是在襯底制作的晶體管有源區(qū)之間隔離區(qū)的一種可選工藝。

取代了局域氧化工藝（LOCOS）

第十章

27、What is the difference between a grown and a deposited oxide layer? 生長(zhǎng)氧化層和淀積氧化層間的區(qū)別是什么

答：在升溫環(huán)境里，通過(guò)外部供給高純氧氣使之與硅襯底反應(yīng)，可以在硅片上得到一層熱生長(zhǎng)的氧化層；沉積的氧化層可以通過(guò)外部供給氧氣和硅源，使它們?cè)谇惑w中反應(yīng)，從而在硅片表面形成一層薄膜。

28、Describe the field oxide layer, and state its range of thickness.描述場(chǎng)氧化層及其厚度范圍

答：場(chǎng)氧化層：抑制金屬層的電荷堆積的厚氧化層

范圍：2500~12000 * 10^-10（A上面一個(gè)圈）之間

29、Why is the gate oxide thermally grown? 為什么刪氧要用熱生長(zhǎng)

答：因?yàn)闁叛跖c其下的Si具有高質(zhì)量和穩(wěn)定性的特點(diǎn)，柵氧一般通過(guò)熱生長(zhǎng)獲得。

30、List six applications for thermal oxides in wafer fabrication and give a purpose for each application.列出熱氧化物的硅片制造的六種用途，并給出各種用途的目的

答：金屬層間絕緣阻擋層：用做金屬連線間的保護(hù)層。

注入屏蔽氧化層：用于減小注入夠到和損傷。勢(shì)氧化層：做氧化硅緩沖層以減小應(yīng)力。

摻雜阻擋層：作為摻雜或注入雜質(zhì)到硅片中的掩蔽材料。阻擋氧化層：保護(hù)有源器件和硅免受后續(xù)工藝的影響。柵氧化層：用做MOS晶體管柵和源漏之間的介質(zhì)。

31.If an oxide layer is thermally growri to be 2,000 A thick,how much silicon is consumed? 如果熱生長(zhǎng)氧化層厚度為2000A，那么Si消耗多少

答：920A（每生長(zhǎng)1000A的氧化物，就有460A的硅被消耗）

32.List the four types of oxide charges Si/Si02 interface.列出Si/Si02 界面處的4種氧化物電荷

答：正的電荷。負(fù)的電荷。界面陷阱電荷。可移動(dòng)氧化物電荷

33.Give two advantages to using chloijinated agents during oxidation.舉出氧化工藝中摻氯的兩個(gè)優(yōu)點(diǎn)

答：優(yōu)點(diǎn)：可以中和界面處的電荷堆積；能使氧化速率提高10%到15%。

34、What effect does doping have on oxide growth? 摻雜對(duì)氧化物生長(zhǎng)的影響是什么 答：重?fù)诫s的硅要比輕摻雜的氧化速率快。

35、Explain the effect from crystal orientation on oxide growth.解釋晶體晶向?qū)ρ趸锷L(zhǎng)的影響 答：線性氧化物速率依賴于晶向的原因是（111）面的硅原子密度比（100）面的大。因此，在線性階段，（111）硅單晶的氧化速率將比（100）稍快，但是（111）的電荷堆積更多。

36、Pressure has what effect on oxide growth? 壓力對(duì)氧化物生長(zhǎng)的影響是什么 答：生長(zhǎng)速率隨著壓力增大而增大。高壓強(qiáng)迫使氧原子更快地穿越正在生長(zhǎng)的氧化層，這對(duì)線性和拋物線速率系數(shù)的增加很重要。這就允許降低溫度但仍保持不變的氧化速率，或者在相同溫度下獲得更快的氧化生長(zhǎng)。氧化生長(zhǎng)的經(jīng)驗(yàn)法則表明，每增加一個(gè)大氣壓的壓力，相當(dāng)于爐體溫度降低30攝氏度。

37、What are the five components in a vertical furnace system? 立式爐系統(tǒng)的五部分 答：工藝腔，硅片傳輸系統(tǒng)，氣體分配系統(tǒng)，尾氣系統(tǒng)，溫腔系統(tǒng)

38What is a rapid thermal processor(RTP)? What are six advantages it has over the conventional furnace? 什么是快速熱處理，相比于系統(tǒng)爐其6大優(yōu)點(diǎn)是什么 答：快速熱處理是在非常短的時(shí)間內(nèi)，將單個(gè)硅片加熱至400~1300攝氏度范圍內(nèi)的一種方法。

優(yōu)點(diǎn)：減小熱預(yù)算。硅中雜質(zhì)運(yùn)動(dòng)最小。減小玷污，這歸功于冷壁加熱。由于較小的腔體體積，可以達(dá)到清潔的氣氛。更短的加工時(shí)間。加大熱梯度。

38Describe how an RTP heats a wafer.Is an RTP typically a hot wall or cold wall heating system 描述RTP如何對(duì)單個(gè)硅片加熱，RTP是熱壁系統(tǒng)還是冷壁系統(tǒng) 答：

是冷壁系統(tǒng)

第十一章

39、List and describe the three stages of thin film growth.列舉并描述薄膜生長(zhǎng)的三個(gè)階段 答：第一步是晶核形成：成束的穩(wěn)定小晶核形成，這一步發(fā)生在起初少量原子或分子反應(yīng)物結(jié)合起來(lái)，形成附著在硅片表面的分離的小膜層的時(shí)候。晶核直接形成于硅片表面，是薄膜進(jìn)一步生長(zhǎng)的基礎(chǔ)；第二步是聚集成束，也稱為島生長(zhǎng)。這些隨機(jī)方向的島束依照表面的遷移率和束密度來(lái)生長(zhǎng)。島束不斷生長(zhǎng)，直到第三步即形成連續(xù)的膜，這些島束匯聚合并形成固態(tài)的薄層并延伸鋪滿襯底表面。

40、List the five major techniques for deposition.列出沉積的5種主要技術(shù) 答：化學(xué)氣相淀積（cvd）電鍍 物理氣相淀積（pvd或?yàn)R射）蒸發(fā) 旋涂方法

41、Explain APCVD.What is the principal disadvantage with APCVD Si02, using silane as a source? 解釋APCVD，使用APCVD SiO2的主要問(wèn)題是什么，是用硅烷作為反應(yīng)源嗎 答：常壓化學(xué)氣相淀積；傳統(tǒng)上這些膜通常作為層間介質(zhì)（ILD），保護(hù)覆蓋物或者表面平坦化；不是使用硅烷作為反應(yīng)源

42、What CVD tool is used to deposit the polysilicon gate material? List six reasons why polysilicon is used as a gate electrode 沉積多晶硅柵材料采用什么CVD工具，列舉多晶硅作為柵電極的6個(gè)原因 答：采用LPCVD工具；1.通過(guò)摻雜可得到特定的電阻；2.和二氧化硅優(yōu)良的界面特性；3和后續(xù)高溫工藝的兼容性；4.比金屬電極更高的可靠性；5.在陡峭的結(jié)構(gòu)上淀積的均勻性；6。實(shí)現(xiàn)柵的自對(duì)準(zhǔn)工藝。

43、State six advantages to using plasma during CVD.CVD過(guò)程中采用等離子體的優(yōu)點(diǎn)有哪些 答：1.更高的工藝溫度（250-450℃）；2.對(duì)高的深寬比間隙有好的填充能力(用高密度等離子體)；3.淀積的膜對(duì)硅片有優(yōu)良的粘附能力；4.高的淀積速率；5.少的針孔和空洞，因而有高的膜密度；6.工藝溫度低因而應(yīng)用廣泛。

44、Explain what HDPCVD is.What are its main benefits in advanced ICs? 解釋HDPCVD，它在IC中有什么優(yōu)勢(shì) 答： 高密度等離子體化學(xué)氣相淀積；HDPCVD在IC中的優(yōu)勢(shì)是有良好的間隙能力，并可以在300-400℃較低的淀積溫度下，制備出能夠填充高深寬比間隙的膜。

45、Describe the effect wafer biasing has on HDPCVD directionality.描述硅片偏置對(duì)HDPCVD方向性的影響 答：使HDPCVD能夠淀積得到的膜可以填充深寬比為3:1到4:1甚至更高的間隙

46.Explain simultaneous deposition and etching for HDPCVD.What is the value for the typical dep-etch ratio? 解釋HDPCVD中同步沉積和刻蝕。典型深寬比的值是什么 答：它是采用材料填充高深寬比的間隙并且無(wú)空洞形成的基礎(chǔ)。3:1

47、What are LOCOS and STI（寫中英文全稱）? Why has STI replaced LOCOS for advanced ICs? List the processing steps for STI.什么是LOCOS和STI（寫中英文全稱），為什么在高級(jí)IC中STI取代了LOCOS，列舉STI的工藝步驟 答：LOCOS:硅的局部氧化隔離 local oxidation of silicon STI：淺槽隔離 shallow trench isolation 原因：1.更有效的器件隔離的需要，尤其是對(duì)DRAM器件而言 2.對(duì)晶體管隔離而言，表面積顯著減小。3.超強(qiáng)的閂鎖保護(hù)能力。4.對(duì)溝道沒(méi)有侵蝕。5.與CMP的兼容

步驟：阻擋層和線性氧化層

第十三章

48、Describe the difference between a reticle and a photomask.描述投影掩膜版和光掩膜版的區(qū)別 答：投影掩膜版它包括了要在硅片上重復(fù)生成的圖形。這種圖形可能僅包含一個(gè)管芯，也可能是幾個(gè)

光掩膜版通常稱為掩膜版，包含了對(duì)于整個(gè)硅片來(lái)說(shuō)確定一工藝層所需的完整管芯陣列。

49、Explain the difference between negative and positive lithography.解釋負(fù)性和正性光刻的區(qū)別 答：負(fù)性光刻把掩膜版上圖形相反的圖形復(fù)制到硅片表面，正性光刻把與掩膜版上相同的圖形復(fù)制到硅片上。主要區(qū)別是所用光刻膠的種類不同

50、Describe a clear-field mask and a dark-field mask 解釋亮場(chǎng)掩膜版和暗場(chǎng)掩膜版 答：如果一個(gè)掩膜版，其石英板上大部分被鉻覆蓋，它就指的是暗場(chǎng)掩膜版。亮場(chǎng)掩膜版有大面積的透明的石英，而只有很細(xì)的鉻圖形。

51、List the eight steps of photolithography, and give a short explanation of each step.列出光刻的8個(gè)步驟，并對(duì)每一步做出簡(jiǎn)要解釋。答：1氣相成底膜：第一步是清洗、脫水和硅片表面成底膜處理。2旋轉(zhuǎn)涂膠：完成底膜后，硅片要立即采用旋轉(zhuǎn)涂膜的方法涂上液相光刻膠材料。3軟烘：光刻膠被涂到硅片表面后，必須要經(jīng)過(guò)軟烘去除光刻膠中的溶劑。4對(duì)準(zhǔn)和曝光：掩膜版與涂了膠的硅片上的正確位置對(duì)準(zhǔn)。5曝光后烘焙：對(duì)于深紫外（duv）光刻膠在100℃到110℃的熱板上進(jìn)行曝光后烘焙是必要的。6顯影：光刻膠上的可溶解區(qū)域被化學(xué)顯影劑溶解，將可見(jiàn)的島或者窗口圖形留在硅片表面。7堅(jiān)膜烘焙：顯影后的熱烘指的就是堅(jiān)膜烘焙，提高光刻膠對(duì)硅片表面的粘附性。8顯影后檢查：一旦光刻膠在硅片上形成圖形，就要進(jìn)行檢查以確定光刻膠圖形的質(zhì)量

52、Give two purposes of a photoresist in wafer fabrication.給出硅片制造中光刻膠的兩種目的 答：1.將掩膜版圖案轉(zhuǎn)移到硅片表面頂層的光刻膠中。2.在后續(xù)工藝中保護(hù)下面的材料。

53、List and describe the two major types of photoresist.列出并描述兩種主要的光刻膠 答：負(fù)性光刻膠和正性光刻膠。負(fù)性光刻膠是負(fù)相的掩膜圖形形成在光刻膠上、正相掩膜圖形出現(xiàn)在光刻膠上

54、What is the resolution limit of negative resist? Which resist is used for submicron lithography? 什么是負(fù)膠分辨率的限制，哪種膠應(yīng)用在亞微米光刻膠中。答：由于顯影時(shí)的變形和膨脹，負(fù)性光刻膠通常只有2μm的分辨率。正性光刻膠

55.List and describe the four components to an i-line resist.列出并描述I線光刻膠的4種成分。答：1.樹脂。光刻膠樹脂是一種惰性的聚合物基質(zhì)，用于把光刻膠中的不同材料聚在一起的粘合劑2.感光劑。是光刻膠材料中的光敏成分，它對(duì)光形成的輻射能會(huì)發(fā)生反應(yīng)3.溶劑。使光刻膠保持液體狀態(tài)，直到它被涂在硅片襯底上4.添加劑：是專用化學(xué)品，用來(lái)控制和改變光刻膠材料的特定化學(xué)性質(zhì)或光刻膠材料的光響應(yīng)特性

56、What are two disadvantages of a negative photoresist? 負(fù)膠的兩大缺點(diǎn)是什么。

答：在顯影時(shí)曝光區(qū)域由溶劑引起的泡脹；曝光時(shí)光刻膠可與氮?dú)夥磻?yīng)從而抑制其交聯(lián)

57、What does resist thickness vary with? 光刻膠厚度隨什么變化 答：粘度越高轉(zhuǎn)速越低，光刻膠就越厚

58、State the four reasons for soft bake.陳述軟烘的4個(gè)原因 答：1.將硅片上覆蓋的光刻膠溶劑去除；2。增強(qiáng)光刻膠的粘附性以便在顯影時(shí)光刻膠可以很好地粘附；3.緩和在旋轉(zhuǎn)過(guò)程中光刻膠膠膜內(nèi)產(chǎn)生的應(yīng)力。4.防止光刻膠粘在設(shè)備上 第十四章

59、Describe the relationship between light exposure wavelength and image resolution.描述曝光波長(zhǎng)和圖像分辨率的關(guān)系 答：較短的波長(zhǎng)可以獲得光刻膠上較小尺寸的分辨率

60、List and describe the two UV exposure sources used in optical lithography.列出并描述光刻中使用的兩種UV曝光光源 答：汞燈和準(zhǔn)分子激光

61、What happens to resist sidewalls if there is excessive resist light absorbance? 如果光刻膠對(duì)光的吸收過(guò)多側(cè)墻會(huì)怎樣 答：如果光刻膠的吸收過(guò)多，光刻膠底部接收的光強(qiáng)度就會(huì)比頂部的少很多，會(huì)導(dǎo)致圖形側(cè)墻傾斜。

62、What excimer laser is used as a 248 nm light source? As a 193 nm light source? 哪種激光器用做248nm的光源，193nm的光源是什么 答：通常用于深紫外光刻膠的準(zhǔn)分子激光器是波長(zhǎng)為248nm氟化氪（KrF）激光器，193nm的氟化氪激光器大概是作為曝光源的準(zhǔn)分子激光器

63、What is a typical dose exposure latitude for a DUV resist? 典型的DUV光刻膠曝光劑量的寬容度是多少 答：深紫外光刻膠的曝光寬容度是劑量變化范圍在1%左右

64、What lens material is used at the DUV exposure wavelength? DUV波長(zhǎng)曝光時(shí)使用哪種透鏡材料 答：一種合適的透鏡材料是熔融石英，他是深紫外波長(zhǎng)范圍內(nèi)的較少的光吸收，氟化鈣正在作為一種可能的候選透鏡材料

65、Explain how lens compaction occurs and what problem it creates.解釋透鏡壓縮是怎么發(fā)生的，它產(chǎn)生了什么問(wèn)題 答：透鏡壓縮是透鏡材料結(jié)構(gòu)上的重新排列導(dǎo)致透鏡材料增密，壓縮發(fā)生在透鏡材料中，包括熔融石英它可以增加激光束穿過(guò)區(qū)域的透鏡材料的折射率，這將導(dǎo)致圖像質(zhì)量的損失

66、What is numerical aperture(NA)? State its formula, including the approximate formula.什么是數(shù)值孔徑（NA），陳述它的公式，包括近似公式 答：透鏡收集衍射光的能力被稱做透鏡的數(shù)值孔徑，NA=(n)t透鏡的半徑除以透鏡的焦長(zhǎng)

67、State the formula for resolution.What three lithography parameters affect resolution? 陳述分辨率公式。影響光刻分辨率的三個(gè)參數(shù) 答：R=K*入/NA 1，波長(zhǎng) 入 2，數(shù)值孔徑NA 3，工藝因子K

68、List and explain the two primary problems of light reflection from the wafer surface.列出并解釋硅片表面反射引起的最主要的兩個(gè)問(wèn)題 答：兩種主要的光反射問(wèn)題是反射切口和反射駐波，在刻蝕形成的垂直側(cè)墻表面，反射光到不需要曝光的光刻膠中就會(huì)形成反射切口，光刻中一個(gè)光波反射和干涉的例子是駐波現(xiàn)象駐波本質(zhì)上降低了光刻膠成像的分辨率

69、What happens to resolution if the light wavelength decreases? If NA goes up? 如果光波長(zhǎng)減小分辨率會(huì)有什么變化，如果NA增加了呢 答：光波長(zhǎng)減小分辨率提高，】。如果NA增加分辨率提高

70、Calculate the resolution of a scanner if X = 248 nm,NA = 0.65, and k = 0.6.計(jì)算掃描光刻機(jī)的分辨率，假設(shè)波長(zhǎng)是248nm, NA=0.65, K是0.6 答：0.6*248/0.65=228.9 R=K*入/ＮＡ

71、Write the equation to calculate DOF.寫出計(jì)算焦深的公試 答：DOF=入/（2*NA）2

72、What happens to depth of focus as resolution inreases? 當(dāng)分辨率增加時(shí)焦深會(huì)發(fā)生什么變化 答：焦深減小

72、What material is used to make a reticle? What opaque material is patterned on a reticle? 使用什么材料制作投影掩膜板，投影掩膜板上形成圖形的不透明材料是什么 答：最主要的是用于亞微米光刻的投影掩膜版襯底材料是熔融石英。不透明材料是一薄層鉻 第十五章

74、Explain resist selectivity and whether it should be high or low.解釋光刻膠選擇比，要求的比例是高還是低 答：顯影也應(yīng)具有選擇性，高的顯影選擇性比意味著顯影液與曝光的光刻膠反應(yīng)得快。

要求比例低

75、Why is a post-develop inspection performed? 為什么要進(jìn)行顯影后檢查 答：為了查找光刻膠中成形圖形的缺陷，鑒別并除去有缺陷的硅片，用來(lái)檢查光刻工藝的好壞，為光學(xué)光刻工藝生產(chǎn)人員提供用于糾正的信息

７６光學(xué)光刻技術(shù)的改進(jìn)有哪些方面？ 答：1.減小紫外線光源波長(zhǎng)； 2.提高光學(xué)光刻工具的數(shù)值孔徑； 3.化學(xué)放大深紫外光刻膠； 4.分辨率提高技術(shù)； 5.硅片平坦化； 6.光學(xué)光刻設(shè)備的先進(jìn)性。77、List four alternative lithography methods under evaluation for next-generation lithography.列舉下一代光刻技術(shù)中4種正在研發(fā)的光刻技術(shù) 答：1.極紫外光刻技術(shù)（EUV）2.離子束投影光刻技術(shù)（IPL）3.角度限制投影電子束光刻技術(shù)（SCALPEL）4.X射線光刻技術(shù)

第十六章 78、What is the goal of etching? 刻蝕的目的是什么 答：目的是為涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩膜圖形

79、List the three major material categories for dry etch.列出按材料分類的三種主要干法刻蝕 答：金屬刻蝕、介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕

80、Describe isotropic and anisotropic etch profiles and what are the desirable and undesirable aspects of each profile.描述各同向性和各向異性刻蝕剖面，以及在每一種剖面中哪一種是希望的哪一種是不希望的 答：各向同性的刻蝕剖面在所有方向上以相同的刻蝕速率進(jìn)行刻蝕，這將帶來(lái)不希望的線寬損失。各向異性的刻蝕剖面即刻蝕只在垂直于硅片表面的方向進(jìn)行，只有很少的橫向刻蝕。希望剖蝕面是各向異性的。

81.Is a dry etch profile isotropic, anisotropic or both? What about a wet etch profile? 干法刻蝕的剖面是各同向性，各向異性的還是兩者都有，濕法腐蝕的剖面是怎樣的 答：兩者都有。詳情請(qǐng)見(jiàn)表16.1

82.Does dry etching have good or poor selectivity? 干法刻蝕有高的或低的選擇比 答：干法刻蝕通常不能提供對(duì)下一層材料足夠高的刻蝕選擇比

83、List the advantages of dry etch over wet etch.What are the disadvantages of dry etch? 列舉干法刻蝕同濕法刻蝕相比具有的優(yōu)點(diǎn)，干法刻蝕的不足之處是什么 答：優(yōu)點(diǎn)：1.刻蝕剖面是各向異性，具有非常好的側(cè)壁剖面控制

2.好的CD控制。

3.最小的光刻膠脫落或粘附問(wèn)題

4.好的片內(nèi)、片間、批次間的刻蝕均勻性 5.較低的化學(xué)制品使用和處理費(fèi)用。

缺點(diǎn)：對(duì)下層材料的差的刻蝕選擇比、等離子體帶來(lái)的器件損傷和昂貴的設(shè)備

84、一個(gè)成功的干法刻蝕要求是哪些方面？List six requirements for successful dry etch.列出在干法刻蝕中發(fā)生刻蝕反應(yīng)的六種方法 答：1.對(duì)不需要刻蝕的材料的高選擇比

2.獲得可接受的產(chǎn)能的刻蝕速率 3.好的側(cè)壁剖面控制 4.好的片內(nèi)均勻性 5.低的器件損傷

6.寬的工藝制造窗口

85、What gas chemistries are used for silicon dioxide, aluminum, silicon and photoresist? 二氧化硅，鋁，硅和光刻膠刻蝕分別使用什么化學(xué)氣體來(lái)實(shí)現(xiàn)干法刻蝕 答：刻蝕硅采用的化學(xué)氣體為CF4/O2和CL2.刻蝕二氧化硅采用的化學(xué)氣體為CHF3.刻蝕鋁采用的化學(xué)氣體為CL2和BCL2.刻蝕光刻膠采用的化學(xué)氣體為O2.86、Describe the tungsten etchback process.描述平板反應(yīng)器 答：首先在層間介質(zhì)二氧化硅中刻出通孔窗口，然后再覆蓋有TiN阻擋層的通孔窗口中淀積W，最后進(jìn)行干法等離子體反刻刻蝕掉多余的鎢覆蓋層，制作出填滿鎢的通孔。

87、What gas chemistries are usually used for etching polysilicon and why has these chemistries replaced fluorine chemistries? 哪種化學(xué)氣體通常用來(lái)刻蝕多晶硅，為什么這種化學(xué)氣體替代了氟基化學(xué)氣體 答：氯氣、溴氣、氯/溴氣

原因：因?yàn)榉鶜怏w的刻蝕是各向同性的并且對(duì)光刻膠的選擇比一般，為了避免擊掉下一層的氧化物材料，所以選用轟擊離子能量更低的化學(xué)氣體。88.Give three requirements for polysilicon gate etch.列出并闡述刻蝕多晶硅的三個(gè)步驟 答：1.對(duì)下層?xùn)叛趸瘜泳哂懈叩倪x擇比

2.非常好的均勻性和可重復(fù)性。3.高度的各向異性

第十七章

89、列舉用于硅片制造的5種常用摻雜。答：離子注入，熱擴(kuò)散，硅漿料，絲網(wǎng)印刷，激光

90、離子注入通常在什么工藝之后？ 答：光刻。

91、列舉離子注人優(yōu)于擴(kuò)散的7點(diǎn)。答：1.精確控制雜質(zhì)含量。

2.很好的雜質(zhì)均勻性。

3.對(duì)雜質(zhì)穿透深度有很好的控制。4.產(chǎn)生單一離子束。5.低溫工藝。

6.注入的離子能穿過(guò)薄膜。7.無(wú)固溶度極限。

92，離子注入的主要缺點(diǎn)是什么？如何克服？ 答：

1、高能雜質(zhì)離子轟擊硅原子將對(duì)晶體結(jié)構(gòu)產(chǎn)生損傷。（高溫退火進(jìn)行修復(fù)）。

2、注入設(shè)備的復(fù)雜性。（被注入機(jī)對(duì)劑量和深度的控制能力及整體工藝的靈活性彌補(bǔ)）。

93、列舉離子注入設(shè)備的5個(gè)主要子系統(tǒng)。答：1.離子源 2.引出電極和離子分析器 3.加速管 4.掃描系統(tǒng) 5.工藝室

94.描述溝道效應(yīng)。列舉并簡(jiǎn)要解釋控制溝道效應(yīng)的三種機(jī)制。答：當(dāng)注入離子未與硅原子碰撞減速，而是穿透了晶格間隙時(shí)，就發(fā)生了溝道效應(yīng)。

三種機(jī)制：

1.傾斜硅片：它把硅片相對(duì)于離子束運(yùn)動(dòng)方向傾斜一個(gè)角度，保證了雜質(zhì)離子進(jìn)入硅中很短距離內(nèi)就會(huì)發(fā)生碰撞。

2.掩蔽氧化層：注入前在硅片表面生長(zhǎng)或淀積一薄層氧化層，并在注入之后去除。注入離子通過(guò)這樣一層非晶氧化層后進(jìn)入硅片，它們的方向?qū)⑹请S機(jī)的，因此可以減小溝道效應(yīng)。

3.預(yù)非晶化：用電不活潑粒子，使單晶硅預(yù)非晶化，在注入前進(jìn)行，用以損壞硅表面一薄層的單晶結(jié)構(gòu)。隨后的離子將注入非晶結(jié)構(gòu)的硅，產(chǎn)生很小的溝道效應(yīng)。

第十二章

95、列出并討論引入銅金屬化的五大優(yōu)點(diǎn)。答：1.電阻率的減小。

2.減小了功耗。

3.更高的集成密度。4.良好的抗電遷徙性能。5.更少的工藝步驟 96、什么是阻擋層金肩？阻擋層材料的基本特性是什么？哪種金屬常被用做阻擋層金屬? 答：阻擋金屬層是淀積金屬或金屬塞，用以阻止上下的材料互相混合。

特性：1.有很好的阻擋擴(kuò)散特性，結(jié)果分界面兩邊材料的擴(kuò)散率在燒結(jié)溫度時(shí)很低。2.高電導(dǎo)率具有很低的歐姆接觸電阻。3.在半導(dǎo)體和金屬之間有很好的附著。

4.抗電遷徙。

5.在很薄并且高溫下具有很好的穩(wěn)定性。6.抗侵蝕和氧化。

鈦（Ti）、鎢（W）、鉭（Ta）、鉬（Mo）、鈷（Co）、鉑（Pt）、鈦鎢（TiW）、氮化鈦（TiN）。

97、為濺射做一個(gè)簡(jiǎn)短的解釋，并描述它的工作方式？濺射適合于合金淀積嗎？濺射淀積的優(yōu)點(diǎn)是什么？ 答：濺射是物理氣相淀積形式之一，是一種薄膜淀積技術(shù)。

工作方式：在濺射過(guò)程中，高能粒子撞擊具有高純度的靶材料固體平板，按物理過(guò)程撞 擊出原子。這些被撞擊出的原子穿過(guò)真空，最后淀積在硅片上。

優(yōu)點(diǎn)：1.具有淀積并保持復(fù)雜合金原組分的能力。

2.能夠淀積高溫熔化和難溶金屬。

3.能夠在直徑為200毫米或更大的硅片上控制淀積均勻薄膜。

4.具有多腔集成設(shè)備，能夠在淀積金屬前清除硅片表面沾污和本身的氧化層。98、縮寫中文含義： APCVD：常壓化學(xué)氣相淀積 HDPCVD：高密度等離子體化學(xué)氣相淀積 LPCVD：低壓化學(xué)氣相淀積 PECVD：等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積 PVD：物理氣相淀積 BJT：雙極型晶體管

CD：關(guān)鍵尺寸 CMOS：互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 CMP：化學(xué)機(jī)械平坦化 MIC：可動(dòng)離子玷污 ILD：層間介質(zhì) MBE：分子束外延

SOI:絕緣體上硅 DUV：深紫外光 MOCVD：金屬有機(jī)化學(xué)氣相淀積 BSG：硼硅玻璃 PSG：磷硅玻璃 BPSGRTP：快速熱處理器 RTAIC：集成電路 LOCOSSTI:淺溝槽隔離 LIVLSI：超大規(guī)模集成電路 CAFIB：聚焦離子束 ARCASIC：專用集成電路 RIEFIB：聚焦離子束 EUVLDD：輕摻雜漏

：硼磷硅玻璃 ：快速熱退火

：硅局部氧化隔離法 ：局部互連

：化學(xué)放大（膠）：抗反射涂層 ：反應(yīng)離子刻蝕 ：極紫外線

第二篇：微電子工藝演講稿

微電子工藝演講稿

光刻技術(shù)作為制備半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵技術(shù)之一將制約著半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展和半導(dǎo)體器件的性能。隨著半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展,集成電路的特征尺寸越來(lái)越小,光刻技術(shù)將面臨新的挑戰(zhàn)。下面我著重介紹了極紫外光刻(EUVL)作為下一代光刻技術(shù)的發(fā)展前景和技術(shù)難點(diǎn)、激光無(wú)掩膜光刻技術(shù)的發(fā)展,特別是激光近場(chǎng)掃描光刻、激光干涉光刻、激光非線性光刻等新技術(shù)的最新進(jìn)展及其在高分辨率納米加工領(lǐng)域的應(yīng)用前景。

圖2說(shuō)明：光束經(jīng)過(guò)光學(xué)器件系統(tǒng)聚焦、投影到掩膜上，經(jīng)過(guò)掩膜達(dá)到光刻膠膜面實(shí)現(xiàn)曝光，但是光學(xué)投影系統(tǒng)的分辨率受到衍射的限制。即如果一個(gè)不透明的物體放在點(diǎn)光源和屏之間，物體的邊緣將在屏上形成輪廓分明的陰影，幾何陰影內(nèi)的點(diǎn)上無(wú)光到達(dá)，而陰影的外側(cè)被均勻地照亮。實(shí)際上，由邊緣形成的陰影會(huì)擴(kuò)散，組成明暗相間延伸到幾何陰影的光帶。這種光線在邊緣處的明顯彎曲就稱為衍射，其形成的幾何陰影光帶制約著曝光的分辨率

圖5說(shuō)明：材料受到聚焦激光輻射后，吸收激光的能量，溫度升高，可發(fā)生相變、融化、氣化以及等離子態(tài)等變化。材料相變后物理化學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化，通過(guò)后續(xù)顯影等獲得納米圖形結(jié)構(gòu)； 激光氣化材料可以進(jìn)行激光直寫刻蝕圖形； 等離子態(tài)的超冷效應(yīng)可以用來(lái)合成多

種納米材料

激光干涉光刻：對(duì)于兩束相干光，其形成的駐波周期P 滿足下面的關(guān)系式P= λ/2sinθ

式中：λ 為入射波長(zhǎng)；θ 為兩束入射光夾角的一半。另外，相干長(zhǎng)度是制備大面積相干圖形的關(guān)鍵參數(shù)，因?yàn)楣鈴?qiáng)只存在于光源的相干長(zhǎng)度內(nèi)。相干長(zhǎng)度L 與光源的波長(zhǎng)λ、光束的線寬Δλ 以及介質(zhì)的折射率n有關(guān)，滿足如下關(guān)系式 P= λ2/nΔλ 激光的單色性越好(Δλ 越小)，相干長(zhǎng)度就越長(zhǎng)。典型的He-Cd 激光器的相干長(zhǎng)度約為20 cm，半導(dǎo)體激光器的單色性得到提高，相干長(zhǎng)度可以達(dá)到數(shù)十米，光纖激光有比半導(dǎo)體激光器更好的單色性，因而有更大的相干長(zhǎng)度，所以干涉光刻擁有大面積制備圖形的能力。

實(shí)際上，樣品的旋轉(zhuǎn)角度可以在0°~90°內(nèi)變化，從而得到不同的圖形結(jié)構(gòu)，例如旋轉(zhuǎn)30°、45°和60°，可以分別得到納米點(diǎn)、納米螺母和納米棒的陣列結(jié)構(gòu)[41]。這些圖形都是在光

刻膠上形成，經(jīng)過(guò)進(jìn)一步的化學(xué)刻蝕，可以將這些圖形轉(zhuǎn)移到硅襯底或是其他介質(zhì)，用于高密度光存儲(chǔ)、微電子器件、自組裝的模板以及場(chǎng)發(fā)射平板顯示器的制備等

與傳統(tǒng)的單光子吸收不同，這里光敏聚合物通過(guò)非線性吸收(雙光子或是多光子吸收)引發(fā)聚合反應(yīng)，非線性吸收的概率與光強(qiáng)的平方成正比，只有在聚焦光斑的中心區(qū)域，光強(qiáng)足夠強(qiáng)的地方才有強(qiáng)的非線性吸收，如圖9(a)所示，因而使得非線性聚合反應(yīng)只發(fā)生在聚焦光斑的中心區(qū)域(如圖9(b)所示)

第三篇：微電子加工工藝總結(jié)資料

1、分立器件和集成電路的區(qū)別

分立元件：每個(gè)芯片只含有一個(gè)器件；集成電路：每個(gè)芯片含有多個(gè)元件。

2、平面工藝的特點(diǎn)

平面工藝是由Hoerni于1960年提出的。在這項(xiàng)技術(shù)中，整個(gè)半導(dǎo)體表面先形成一層氧化層，再借助平板印刷技術(shù)，通過(guò)刻蝕去除部分氧化層，從而形成一個(gè)窗口。P-N結(jié)形成的方法： ① 合金結(jié)方法

A、接觸加熱：將一個(gè)p型小球放在一個(gè)n型半導(dǎo)體上，加熱到小球熔融。

B、冷卻：p型小球以合金的形式摻入半導(dǎo)體底片，冷卻后，小球下面形成一個(gè)再分布結(jié)晶區(qū)，這樣就得到了一個(gè)pn結(jié)。

合金結(jié)的缺點(diǎn)：不能準(zhǔn)確控制pn結(jié)的位置。

②生長(zhǎng)結(jié)方法

半導(dǎo)體單晶是由摻有某種雜質(zhì)（例如P型）的半導(dǎo)體熔液中生長(zhǎng)出來(lái)的。生長(zhǎng)結(jié)的缺點(diǎn)：不適宜大批量生產(chǎn)。擴(kuò)散結(jié)的形成方式 與合金結(jié)相似點(diǎn)：

表面表露在高濃度相反類型的雜質(zhì)源之中 與合金結(jié)區(qū)別點(diǎn)：

不發(fā)生相變，雜質(zhì)靠固態(tài)擴(kuò)散進(jìn)入半導(dǎo)體晶體內(nèi)部 擴(kuò)散結(jié)的優(yōu)點(diǎn)

擴(kuò)散結(jié)結(jié)深能夠精確控制。平面工藝制作二極管的基本流程：

襯底制備——氧化——一次光刻（刻擴(kuò)散窗口）——硼預(yù)沉積——硼再沉積——二次光刻（刻引線孔）——蒸鋁——三次光刻（反刻鋁電極）——P-N結(jié)特性測(cè)試

3、微電子工藝的特點(diǎn)

高技術(shù)含量 設(shè)備先進(jìn)、技術(shù)先進(jìn)。

高精度 光刻圖形的最小線條尺寸在亞微米量級(jí)，制備的介質(zhì)薄膜厚度也在納米量級(jí)，而精度更在上述尺度之上。超純 指工藝材料方面，如襯底材料Si、Ge單晶純度達(dá)11個(gè)9。

超凈 環(huán)境、操作者、工藝三個(gè)方面的超凈，如 VLSI在100級(jí)超凈室10級(jí)超凈臺(tái)中制作。大批量、低成本 圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)使之得以實(shí)現(xiàn)。

高溫 多數(shù)關(guān)鍵工藝是在高溫下實(shí)現(xiàn)，如：熱氧化、擴(kuò)散、退火。

4、芯片制造的四個(gè)階段

固態(tài)器件的制造分為4個(gè)大的階段（粗線條）： ① ② ③ ④

晶圓制備：（1）獲取多晶

（2）晶體生長(zhǎng)----制備出單晶，包含可以摻雜（元素?fù)诫s和母金摻雜）（3）硅片制備----制備出空白硅片 硅片制備工藝流程（從晶棒到空白硅片）：

晶體準(zhǔn)備（直徑滾磨、晶體定向、導(dǎo)電類型檢查和電阻率檢查）→

切片→研磨→化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）→背處理→雙面拋光→邊緣倒角→拋光→檢驗(yàn)→氧化或外延工藝→打包封裝 芯片制造的基礎(chǔ)工藝

增層——光刻——摻雜——熱處理 材料制備

晶體生長(zhǎng)/晶圓準(zhǔn)備 晶圓制造、芯片生成 封裝

5、high-k技術(shù)

High—K技術(shù)是在集成電路上使用高介電常數(shù)材料的技術(shù)，主要用于降低金屬化物半導(dǎo)體（MOS）晶體管柵極泄漏電流的問(wèn)題。集成電路技術(shù)的發(fā)展是伴隨著電路的元器件（如MOS晶體管）結(jié)構(gòu)尺寸持續(xù)縮小實(shí)現(xiàn)的。隨著MOS晶體管結(jié)構(gòu)尺寸的縮小，為了保持棚極對(duì)MOS晶體管溝道電流的調(diào)控能力，需要在尺寸縮小的同時(shí)維持柵極電容的容量，這通常需要通過(guò)減小棚極和溝道之間的絕緣介質(zhì)層厚度來(lái)實(shí)現(xiàn)，但由此引起的棚極和溝道之間的漏電流問(wèn)題越來(lái)越突出。High—K技術(shù)便是解決這一問(wèn)題的優(yōu)選技術(shù)方案。因?yàn)椋琈OS器件柵極電容類似于一個(gè)平板電容，由于MOS器件面積、絕緣介質(zhì)層厚度和介電常數(shù)共同決定，因此MOS器件柵極電容在器件面積減小的前提下，采用了High—K材料后，可以在不減小介質(zhì)層厚度（因此柵極泄漏電流而不增加）的前提下，實(shí)現(xiàn)維護(hù)柵極電容容量不減小的目標(biāo)。High—K材料技術(shù)已被英特爾和IBM應(yīng)用到其新開(kāi)發(fā)的45mm量產(chǎn)技術(shù)中。目前業(yè)界常用的High—K材料主要是包括HfO2在內(nèi)的Hf基介質(zhì)材料。

6、拉單晶的過(guò)程

裝料——融化——種晶——引晶——放肩——等徑——收尾——完成

7、外延技術(shù)的特點(diǎn)和應(yīng)用 外延特點(diǎn)： 生成的晶體結(jié)構(gòu)良好 摻入的雜質(zhì)濃度易控制 可形成接近突變pn結(jié)的特點(diǎn) 外延分類： 按工藝分類

A 氣相外延（VPE）利用硅的氣態(tài)化合物或者液態(tài)化合物的蒸汽，在加熱的硅襯底表面和氫發(fā)生反應(yīng)或自身發(fā)生分解還原出硅。B 液相外延（LPE）襯底在液相中，液相中析出的物質(zhì)并以單晶形式淀積在襯底表面的過(guò)程。此法廣泛應(yīng)用于III-V族化合半導(dǎo)體的生長(zhǎng)。原因是化合物在高溫下易分解，液相外延可以在較低的溫度下完成。C 固相外延（SPE）

D 分子束外延（MBE）在超高真空條件下，利用薄膜組分元素受熱蒸發(fā)所形成的原子或分子束，以很高的速度直接射到襯底表面，并在其上形成外延層的技術(shù)。特點(diǎn)：生長(zhǎng)時(shí)襯底溫度低，外延膜的組分、摻雜濃度以及分布可以實(shí)現(xiàn)原子級(jí)的精確控制。按導(dǎo)電類型分類

n型外延：n/n, n/p外延 p型外延：p/n, p/p外延 按材料異同分類

同質(zhì)外延：外延層和襯底為同種材料，例如硅上外延硅。

異質(zhì)外延：外延層和襯底為不同種材料，例如SOI((絕緣體上硅)是一種特殊的硅片，其結(jié)構(gòu)的主要特點(diǎn)是在有源層和襯底層之間插入絕緣層——— 埋氧層來(lái)隔斷有源層和襯底之間的電氣連接)按電阻率高低分類

正外延：低阻襯底上外延高阻層n/n+ 反外延：高阻襯底上外延低阻層

硅的氣相外延的原理：在氣相外延生長(zhǎng)過(guò)程中，有兩步： 質(zhì)量輸運(yùn)過(guò)程－－反應(yīng)劑輸運(yùn)到襯底表面

表面反應(yīng)過(guò)程－－在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)釋放出硅原子

摻雜

有意摻雜：按器件對(duì)外延導(dǎo)電性和電阻率的要求，在外延的同時(shí)摻入適量的雜質(zhì)，這稱為有意摻雜。自摻雜：襯底中的雜質(zhì)因揮發(fā)等而進(jìn)入氣流，然后重新返回外延層。雜質(zhì)外擴(kuò)散:重?fù)诫s襯底中的雜質(zhì)通過(guò)熱擴(kuò)散進(jìn)入外延層。外延的應(yīng)用

1、雙極型電路：n/n外延,在n型外延層上制作高頻功率晶體管。+ 外延：雙極型傳統(tǒng)工藝在p襯底上進(jìn)行n型外延通過(guò)簡(jiǎn)單的p型雜質(zhì)隔離擴(kuò)散，實(shí)現(xiàn)雙極型集成電路元器件的隔離。

2、MOS電路:外延膜的主要應(yīng)用是作為雙極型晶體管的集電極。

外延膜在MOS集成電路中的較新應(yīng)用是利用重?fù)诫s外延減小閂鎖效應(yīng)（寄生閘流管效應(yīng)）。

8、分子束外延（MBE）的原理及其應(yīng)用

在超高真空下，熱分子束由噴射爐噴出，射到襯底表面，外延生長(zhǎng)出外延層。

9、二氧化硅膜的用途

表面鈍化：保護(hù)器件的表面及內(nèi)部，禁錮污染物。

摻雜阻擋層：作為雜質(zhì)擴(kuò)散的掩蔽膜，雜質(zhì)在二氧化硅中的運(yùn)行速度低于在硅中的運(yùn)行速度。絕緣介質(zhì)：IC器件的隔離和多層布線的電隔離，MOSFET的柵電極，MOS電容的絕緣介質(zhì)。

10、二氧化硅膜的獲得方法 A：熱氧化工藝 B：化學(xué)氣相淀積工藝 C：濺射工藝 D：陽(yáng)極氧化工藝

11、熱氧化機(jī)制

① 線性階段，② 拋物線階段（生長(zhǎng)逐漸變慢，直至不可忍受）

影響氧化速率的因素有：氧化劑、晶向、摻雜類型和濃度、氧化劑的分壓。熱氧化生長(zhǎng)方法：

（1）干氧氧化：干燥氧氣，不能有水分；隨著氧化層的增厚，氧氣擴(kuò)散時(shí)間延長(zhǎng)，生長(zhǎng)速率減慢；適合較薄的氧化層的生長(zhǎng)。氧化劑擴(kuò)散到SiO2/Si界面與硅反應(yīng)。

（2）水汽氧化:氣泡發(fā)生器或氫氧合成氣源；原理：

（3）濕氧氧化：濕氧氧化的各種性能都是介于干氧氧化和水汽氧化之間，其掩蔽能力和氧化質(zhì)量都能夠滿足一般器件的要求。（4）摻氯氧化：薄的MOS柵極氧化要求非常潔凈的膜層，如果在氧化中加入氯，器件的性能和潔凈度都會(huì)得到改善。減

+弱二氧化硅中的移動(dòng)離子（主要是鈉離子）的沾污影響，固定Na離子；減少硅表面及氧化層的結(jié)構(gòu)缺陷

12、SiO2/Si界面特性： 熱氧化薄膜是由硅表面生長(zhǎng)得到的二氧化硅薄膜。高溫生長(zhǎng)工藝將使SiO2/Si界面雜質(zhì)發(fā)生再分布，與二氧化硅接觸的硅界面的電學(xué)特性也將發(fā)生變化。雜質(zhì)再分布：有三個(gè)因素： ① 分凝效應(yīng)② 擴(kuò)散速率 ③ 界面移動(dòng)

水汽氧化速率遠(yuǎn)大于干氧氧化速率，水汽氧化SiO2/Si界面雜質(zhì)的再分布就遠(yuǎn)小于干氧氧化；濕氧氧化速率介于水汽、干氧之間，SiO2/Si界面雜質(zhì)的再分布也介于水汽、干氧之間。二氧化硅層中存在著與制備工藝有關(guān)的正電荷，這種正電荷將引起SiO2/Si界面P-Si的反型層，以及MOS器件閾值電壓不穩(wěn)定等現(xiàn)象。可動(dòng)離子或可動(dòng)電荷

主要是Na、K、H等，這些離子在二氧化硅中都是網(wǎng)絡(luò)修正雜質(zhì)，為快擴(kuò)散雜質(zhì)。其中主要是Na。在人體與環(huán)境中大++++量存在Na，熱氧化時(shí)容易發(fā)生Na沾污。加強(qiáng)工藝衛(wèi)生方可以避免Na沾污；也可采用摻氯氧化，固定Na離子。固定離子或固定電荷

主要是氧空位。一般認(rèn)為：固定電荷與界面一個(gè)很薄的（約30?）過(guò)渡區(qū)有關(guān)，過(guò)渡區(qū)有過(guò)剩的硅離子，過(guò)剩的硅在氧化過(guò)程中與晶格脫開(kāi)，但未與氧完全反應(yīng)。干氧氧化空位最少，水汽氧化氧空位最多。熱氧化時(shí)，首先采用干氧氧化方法可以減小這一現(xiàn)象。氧化后，高溫惰性氣體中退火也能降低固定電荷。

13、氧化膜厚度的檢測(cè)

劈尖干涉和雙光干涉：利用干涉條紋進(jìn)行測(cè)量，因?yàn)橐圃炫_(tái)階，所以為破壞性測(cè)量。

比色法：以一定角度觀察SiO2膜，SiO2膜呈現(xiàn)干涉色彩，顏色與厚度存在相應(yīng)關(guān)系。比色法方便迅速，但只是粗略估計(jì)。橢圓儀法：入射的橢圓偏振光經(jīng)氧化膜的多次反射和折射以后，得到了改變橢圓率的反射橢圓偏振光，其改變量和膜厚與折射率相關(guān)。高頻MOS結(jié)構(gòu)C-V法：測(cè)量金屬柵極的電容，利用公式測(cè)量氧化膜層的厚度。

14、化學(xué)氣相沉積定義

化學(xué)氣相淀積（Chemical Vapor Deposition）是通過(guò)氣態(tài)物質(zhì)的化學(xué)反應(yīng)在襯底上淀積薄膜的工藝方法。與之對(duì)應(yīng)的是：PVD（蒸發(fā)和濺射），它主要應(yīng)用于導(dǎo)體薄膜。

15、淀積技術(shù)包括哪兩種？CVD和PVD

16、LPCVD和APCVD的主要區(qū)別？LPCVD有何優(yōu)勢(shì)？

APCVD：原料以氣相方式被輸送到反應(yīng)器內(nèi)，原料氣體向襯底基片表面擴(kuò)散，被基片吸附，由于基片的溫度高或其它能量提供給原料氣體，使其發(fā)生表面化學(xué)反應(yīng)，生成物在基片表面形成薄膜，而生成物中的其它物質(zhì)是氣相物質(zhì)，擴(kuò)散到氣相中被帶走。LPCVD：低壓情況下，分子自由程較長(zhǎng)，薄膜電極的均勻性較高。LPCVD相對(duì)APCVD的特點(diǎn)：

增加了真空系統(tǒng)，氣壓在1-10Torr之間；壓下分子自由程長(zhǎng)，可以豎放基片；熱系統(tǒng)一般是電阻熱壁式。

17、PECVD的機(jī)理？PECVD有何優(yōu)勢(shì)？

優(yōu)勢(shì)：采用等離子體把電能耦合到氣體中，促進(jìn)化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行,由此淀積薄膜；因此該法可以在較低溫度下淀積薄膜。PECVD常常是低溫和低壓的結(jié)合。-2+++

+機(jī)理：反應(yīng)器的射頻功率使低壓氣體（真空度1-10Torr）產(chǎn)生非平衡輝光放電，雪崩電離激發(fā)出的高能電子通過(guò)碰撞激活氣體形成等離子體。襯底基片（具有一定溫度，約300℃）吸附活潑的中性原子團(tuán)與游離基即高能的等離子體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成的薄膜物質(zhì)被襯底吸附、重排進(jìn)而形成淀積薄膜，襯底溫度越高形成的薄膜質(zhì)量越好。

18、多晶硅淀積和外延淀積的主要區(qū)別。淀積多晶硅薄膜的方法：主要采用LPCVD的方法。摻雜則采用：離子注入；化學(xué)氣相淀積；擴(kuò)散。多晶硅的淀積和外延淀積的主要區(qū)別：硅烷的使用

19、金屬薄膜的用途？金屬化的作用?

（1）在微電子器件與電路中金屬薄膜最重要的用途是作為內(nèi)電極（MOS柵極和電容器極板）和各元件之間的電連接。（2）在某些存儲(chǔ)電路中作為熔斷絲。

（3）用于晶圓的背面（通常是金），提高芯片和封裝材料的黏合力。

金屬化的作用：集成電路中金屬化的作用是將有源器件按設(shè)計(jì)的要求連接起來(lái)，形成一個(gè)完整的電路與系統(tǒng)。20、說(shuō)明為什么鋁作為通常使用的金屬薄膜，說(shuō)明銅作為新一代金屬薄膜的原因。鋁膜：用途: 大多數(shù)微電子器件或集成電路是采用鋁膜做金屬化材料

優(yōu)點(diǎn)：導(dǎo)電性較好；與p-Si，n-Si（>5*10）能形成良好的歐姆接觸；光刻性好；與二氧化硅黏合性好；易鍵合。缺點(diǎn)：抗電遷移性差；耐腐蝕性、穩(wěn)定性差 ；臺(tái)階覆蓋性較差。工藝：蒸發(fā)，濺射 銅膜：用途：新一代的金屬化材料，超大規(guī)模集成電路的內(nèi)連線；缺點(diǎn)：與硅的接觸電阻高，不能直接使用；銅在硅中是快擴(kuò)散雜質(zhì)，能使硅中毒，銅進(jìn)入硅內(nèi)改變器件性能；與硅、二氧化硅粘附性差。優(yōu)點(diǎn)：電阻率低（只有鋁的40-45%），導(dǎo)電性較好；抗電遷移性好于鋁兩個(gè)數(shù)量級(jí)； 工藝：濺射

21、VLSI對(duì)金屬化的要求是什么？

① 對(duì)n+硅和p+硅或多晶硅形成低阻歐姆接觸，即金屬/硅接觸電阻小 ② 能提供低電阻的互連引線，從而提高電路速度 ③ 抗電遷移性能要好

④ 與絕緣體（如二氧化硅）有良好的附著性 ⑤ 耐腐蝕 ⑥ 易于淀積和刻蝕

⑦ 易鍵合，且鍵合點(diǎn)能經(jīng)受長(zhǎng)期工作

⑧ 層與層之間絕緣要好，不互相滲透和擴(kuò)散，即要求有一個(gè)擴(kuò)散阻擋層

22、Al-Si接觸的常見(jiàn)問(wèn)題及解決辦法？

Al和Si之間不能合成硅化物，但是可以形成合金。Al在Si中溶解度很小，但是相反Si在Al中溶解度很大，這樣就形成尖楔現(xiàn)象，從而使P-N結(jié)失效。解決尖楔問(wèn)題： +（1）一般采用Al-Si合金代替Al作為Al/Si的接觸和互連材料。但是又引入了硅的分凝問(wèn)題。

（2）由于銅的抗電遷移性好，鋁-銅（0.5-4%）或鋁-鈦（0.1-0.5%）合金結(jié)構(gòu)防止電遷移，結(jié)合Al-Si合金，在實(shí)際應(yīng)用中人們經(jīng)常使用既含有銅又含有硅的Al-Si-Cu合金以防止合金化（即共熔）問(wèn)題和電遷移問(wèn)題。（3）（4）Al-摻雜多晶硅雙層金屬化結(jié)構(gòu)：在多晶硅中摻雜重磷或重砷，構(gòu)成摻雜多晶的結(jié)構(gòu)。鋁-隔離層結(jié)構(gòu)：在Al-Si之間沉積一層薄的金屬層，替代磷摻雜多晶硅，成為阻擋層。

23、說(shuō)明難熔金屬在金屬連線中的作用？

難熔金屬及其硅化物有較低的電阻率和接觸電阻。難熔金屬的一個(gè)廣泛應(yīng)用是在多層金屬結(jié)構(gòu)中填充連接孔，這個(gè)工序叫作過(guò)孔填充，填補(bǔ)好的過(guò)孔叫做接線柱。

24、金屬化的實(shí)現(xiàn)方法有幾種？請(qǐng)論述真空濺射方法 金屬化的實(shí)現(xiàn)主要通過(guò)兩種方式來(lái)實(shí)現(xiàn)： ① 物理淀積

A：真空蒸發(fā)淀積（較早，金屬鋁線）

B：真空濺射淀積（Al-Si合金或Al-Si-Cu合金）2LPCVD（難熔金屬）○真空蒸發(fā)淀積 ：被蒸物質(zhì)從凝聚相轉(zhuǎn)化為氣相；氣相物質(zhì)在真空系統(tǒng)中的輸運(yùn)；氣相分子在襯底上淀積和生長(zhǎng)。分為電阻、電子束等蒸發(fā)沉積。真空濺射沉積：濺射淀積是用核能離子轟擊靶材，使靶材原子從靶表面逸出，淀積在襯底材料上的過(guò)程。

25、說(shuō)明金屬CVD的優(yōu)勢(shì)和主要用途。金屬CVD ： LPCVD可以應(yīng)用于制作金屬薄膜。

優(yōu)勢(shì)：不需要昂貴的高真空泵；臺(tái)階覆蓋性好；生產(chǎn)效率較高。用途：難控制金屬；難熔金屬，主要是鎢。

26、什么叫做光刻，光刻有何目的？

光刻是圖形復(fù)印與腐蝕作用相結(jié)合，在晶片表面薄膜上制備圖形的精密表面工藝技術(shù)。

光刻的目的就是：在介質(zhì)薄膜、金屬薄膜或金屬合金薄膜上面刻蝕出與掩膜版完全對(duì)應(yīng)的幾何圖形，從而實(shí)現(xiàn)選擇性擴(kuò)散和金屬薄膜布線的目的。

27、光刻技術(shù)的圖形轉(zhuǎn)移分為哪兩個(gè)階段？ 圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠層；圖形從光刻膠層轉(zhuǎn)移到晶圓層

28、列出光刻工藝的十個(gè)步驟，并簡(jiǎn)述每一步的目的。表面準(zhǔn)備：微粒清除，保持襯底的憎水性。

涂光刻膠：與襯底薄膜粘附性好，膠膜均勻，是光刻工藝的核心材料。

前烘：使膠膜體內(nèi)的溶劑充分揮發(fā)使膠膜干燥；增加膠膜和襯底的粘附性以及膠膜的耐磨性 對(duì)準(zhǔn)和曝光：把所需圖形在晶圓表面上定位或?qū)?zhǔn)；通過(guò)曝光燈或其他輻射源將圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠涂層上

后烘：減少駐波效應(yīng)，激發(fā)化學(xué)增強(qiáng)光刻膠的PAG產(chǎn)生的酸與光刻膠上的保護(hù)基團(tuán)發(fā)生反應(yīng)并移除基團(tuán)使之能溶解于顯影液。顯影：將掩膜板上的圖形顯示在光刻膠上。

堅(jiān)膜：除去光刻膠中剩余的溶劑，增強(qiáng)光刻膠對(duì)襯底的附著力。

刻蝕：把顯影后的光刻膠微圖形下層材料的裸露部分去掉，將光刻膠圖形轉(zhuǎn)移到下層材料上去的工藝叫作刻蝕。去膠：刻蝕完成以后將光刻膠去除掉。

29、光刻膠的分類，談?wù)務(wù)z和負(fù)膠的區(qū)別。

正膠：膠的曝光區(qū)在顯影中除去。正膠曝光時(shí)發(fā)生光分解反應(yīng)變成可溶的。使用這種光刻膠時(shí)，能夠得到與掩膜版遮光圖案相同的圖形，故稱之為正膠。負(fù)膠：膠的曝光區(qū)在顯影中保留，用的較多。具體說(shuō)來(lái)負(fù)膠在曝光前對(duì)某些有機(jī)溶劑是可溶的，而曝光后發(fā)生光聚合反應(yīng)變成不可溶的。使用這種光刻膠時(shí)，能夠得到與掩膜版遮光圖案相反的圖形，故稱之為負(fù)膠。30、刻蝕的方法分類，刻蝕常見(jiàn)有哪些問(wèn)題？ 分類：刻蝕分為濕法刻蝕和干法刻蝕。

濕法刻蝕：化學(xué)腐蝕，在腐蝕液中通過(guò)化學(xué)反應(yīng)去除窗口薄膜，得到薄膜圖形。優(yōu)點(diǎn)：工藝簡(jiǎn)單，無(wú)需復(fù)雜設(shè)備，選擇比高；均勻性好。缺點(diǎn)：各向同性腐蝕；分辨率低，自動(dòng)化難。干法刻蝕：使用氣體和等離子體能量來(lái)進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)的化學(xué)工藝。

常見(jiàn)問(wèn)題：不完全刻蝕、刻蝕和底切、各向同性刻蝕。優(yōu)點(diǎn)：刻蝕非常有方向性（各向異性），導(dǎo)致良好的小開(kāi)口區(qū)域的精密度。缺點(diǎn)：選擇性差。

31、摻雜技術(shù)實(shí)現(xiàn)的兩種方式以及摻雜的目的 方式：擴(kuò)散和離子注入

目的：在晶圓表面下的特定位置處形成PN結(jié)；在晶圓表面下得到所需的摻雜濃度。

32、擴(kuò)散的基本原理、離子注入的基本原理及其比較

微電子工藝中的擴(kuò)散是雜質(zhì)在晶體內(nèi)的擴(kuò)散，因此是一種固相擴(kuò)散。晶體內(nèi)擴(kuò)散有多種形式：填隙式擴(kuò)散、替位式擴(kuò)散、填隙-替位式擴(kuò)散。離子注入技術(shù)：離子注入是將含所需雜質(zhì)的化合物分子（如BCl3、BF3）電離為雜質(zhì)離子后，聚集成束用強(qiáng)電場(chǎng)加速，使其成為高能離子束，直接轟擊半導(dǎo)體材料，當(dāng)離子進(jìn)入其中時(shí)，受半導(dǎo)體材料原子阻擋，而停留在其中，成為半導(dǎo)體內(nèi)的雜質(zhì)。離子注入時(shí)可采用熱退火工藝，修復(fù)晶格損傷，注入雜質(zhì)電激活。離子注入技術(shù)的優(yōu)勢(shì)：① 離子注入克服熱擴(kuò)散的幾個(gè)問(wèn)題：

A 橫向擴(kuò)散，沒(méi)有側(cè)向擴(kuò)散 B 淺結(jié)

C 粗略的摻雜控制 D 表面污染的阻礙 ② 離子注入引入的額外的優(yōu)勢(shì)：

A 在接近常溫下進(jìn)行 B 使寬范圍濃度的摻雜成為可能

33、集成電路的形成

集成電路的制造工藝與分立器件的制造工藝一樣都是在硅平面工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的，有很多相同之處，同時(shí)又有所不同。相同點(diǎn)：?jiǎn)雾?xiàng)工藝相同的方法外延，氧化，光刻，擴(kuò)散，離子注入，淀積等。不同點(diǎn)：主要有電隔離，電連接，局部氧化，平整化以及吸雜等。

電隔離：

（1）PN結(jié)隔離：雙極型集成電路多采用PN結(jié)隔離，是在硅片襯底上通過(guò)擴(kuò)散與外延等工藝制作出隔離島，元件就做在隔離島上。（2）介質(zhì)隔離：SOS集成電路（Silicon on Sapphire）是最早的介質(zhì)隔離薄膜電路，新材料SOI（Silicon on Insulator）有很大發(fā)展，SOI集成電路也是采用介質(zhì)隔離工藝的電路。

電連接：集成電路各元件之間構(gòu)成電路必須進(jìn)行電連接，這多是采用淀積金屬薄膜，經(jīng)光刻工藝形成電連接圖形，電路復(fù)雜的集成電路一般是多層金屬布線，構(gòu)成電連接。局部氧化：分離器件的氧化工藝是在整個(gè)硅片表面制備二氧化硅薄膜，而集成電路工藝中的氧化有時(shí)是在局部進(jìn)行，如MOS型電路中以氮化硅作為掩蔽膜的局部氧化技術(shù)。平整化：超大規(guī)模集成電路的制備經(jīng)過(guò)多次光刻、氧化等工藝，使得硅片表面不平整，臺(tái)階高，這樣在進(jìn)行電連接時(shí)，臺(tái)階處的金屬薄膜連線易斷裂，因此，有時(shí)通過(guò)平面化技術(shù)來(lái)解決這一問(wèn)題，如在金屬布線進(jìn)行電連接之前，采用在硅片表面涂附聚酰亞胺膜的方法達(dá)到平面化的工藝技術(shù)。

吸雜：硅單晶本身的缺欠以及電路制備工藝中的誘生缺欠，對(duì)電路性能影響很大，有源元件附近的缺欠，通過(guò)吸雜技術(shù)可以消除或減少缺欠，如通過(guò)在硅片背面造成機(jī)械損傷，噴沙或研磨，這種背損傷可以吸收雜質(zhì)與缺欠。

34、封裝的工藝流程

底部準(zhǔn)備：底部準(zhǔn)備通常包括磨薄和鍍金。劃片：用劃片法或鋸片法將晶片分離成單個(gè)芯片

取片和承載：在挑選機(jī)上選出良品芯片，放于承載托盤中。

粘片：用金硅熔點(diǎn)技術(shù)或銀漿粘貼材料粘貼在封裝體的芯片安裝區(qū)域。

打線：A：芯片上的打線點(diǎn)與封裝體引腳的內(nèi)部端點(diǎn)之間用很細(xì)的線連接起來(lái)（線壓焊）；B：在芯片的打線點(diǎn)上安裝半球型的金屬突起物（反面球形壓焊）；C：TAB壓焊技術(shù)； 封裝前檢查 有無(wú)污染物；芯片粘貼質(zhì)量；金屬連接點(diǎn)的好壞 電鍍、切割筋成和印字 最終測(cè)試

35、封裝設(shè)計(jì)

金屬罐法；雙列直插封裝；雙列直插封裝；針形柵格陣列封裝 球形柵格陣列封裝；薄形封裝；四面引腳封裝 ；板上芯片（COB）

第四篇：通用技術(shù)_工藝_習(xí)題

工藝常識(shí)教學(xué)設(shè)計(jì)

知識(shí)要點(diǎn)：

1、常見(jiàn)工藝分類：加工工藝、裝配工藝、檢測(cè)工藝、鑄造工藝，表面加工工藝等。

2、常用工藝：木工工藝、鉗工工藝、機(jī)械加工工藝、焊接工藝、鑄造工藝、鍛造工藝、沖壓工藝等等。

3、金屬材料的加工工藝

劃線：劃出基準(zhǔn)——?jiǎng)澇叽缇€——?jiǎng)澼喞€——沖眼（了解工具劃線）鋸割：割斷金屬材料，了解操作要領(lǐng) 挫削：少量切削，加工小的面 鉆孔：臺(tái)鉆，麻花鉆

連接：常用連接方法：鉚接、黏接、焊接、螺栓、螺母、平頭螺絲、元寶螺帽、墊圈、彈簧墊圈

4、工具及設(shè)備

（1）木工工具及其設(shè)備

①木工使用的量具有：鋼卷尺、直尺、角尺、鋼直尺

②木工畫線工具有：木工鉛筆、木工圓規(guī)、畫線規(guī)、墨斗等

③木工常用設(shè)備：工作臺(tái)、鉆孔機(jī)、帶鋸床、平刨機(jī)、木工車床等 ④鋸、刨、鑿、羊角錘、銼刀、釘沖等等（2）鉗工工具及設(shè)備 ①鉗工手工工具及量具：

劃線工具：劃針、劃規(guī)、樣沖、角尺、鋼直尺、手錘、鏨子、銼刀 攻絲工具：手用絲錐和攻絲絞手，用于在孔內(nèi)加工螺紋 套絲工具：板牙及板牙架，用于在軸或桿上加工螺紋 ②鉗工常用的基本設(shè)備：鉗臺(tái)、虎鉗、砂輪機(jī)、鉆床等 知識(shí)回顧

典型例題一（08年高考題）

節(jié)約用水應(yīng)從身邊做起。某同學(xué)設(shè)計(jì) 了能使生活廢水充分利用的沖廁方案。請(qǐng)據(jù)圖回答以下問(wèn)題：

(4）制作木制支架需要哪些工具？ ①鋸子②刨子③臺(tái)鉗④鑿子⑤螺絲刀 A.①②③ B.①③⑤ C.③④⑤ D.①②④

典型例題二（09年高考題）

型例題三

小蘭要把一段鋼管截短并使其兩端光滑，用到的主要工具有：

知識(shí)回顧一：

1、常用的木工工具：鋸子、刨子、鏨子、鑿、銼、直尺、角尺、鋼卷尺、手槍鉆等。

鉗工工具：劃線工具：（劃針、鋼直尺、劃規(guī)、角尺、樣沖）、鋼鋸、銼、臺(tái)虎鉗、臺(tái)鉆等。

2、圖片：

（1）鋸：鋸子是用來(lái)把木料鋸斷或鋸割開(kāi)的工具。

操作要領(lǐng)：

1、站立和握鋸姿勢(shì)要正確

2、推鋸加壓，回拉不加壓

3、鋸程要長(zhǎng)

4、推拉要有節(jié)奏

（2）刨：刨子是用來(lái)對(duì)木材表面進(jìn)行刨削，使其光滑、平直的工具。刨身長(zhǎng)短可分為長(zhǎng)、中、短三種，刨身越長(zhǎng)，越能將材料刨得平直。

（3）鑿子

鑿于有平鑿、圓鑿等，主要用于鑿削抹眼或其他局部形狀的鏟削。

（4）銼刀

銼削操作要領(lǐng)：

1、銼削時(shí)要注意身體和手臂的協(xié)調(diào)

2、在推銼過(guò)程中，左手的施壓要由大變小，右手的施壓要由小變大，使銼刀平穩(wěn)而不上下擺動(dòng)。

（5）角尺

（6）樣沖（7）虎鉗

虎鉗是用來(lái)夾持工件的，有臺(tái)虎鉗、機(jī)用平口鉗及手虎鉗等。臺(tái)虎鉗固定在鉗臺(tái)上，機(jī)用平口鉗是放在鉆床等機(jī)床的工作臺(tái)上夾持工件的，手虎鉗則用于夾持輕巧的小工件，并用手把持。

（8）鉆床

鉆床是用來(lái)對(duì)工件進(jìn)行鉆孔、擴(kuò)孔、或孔、絞孔和攻絲等操作的設(shè)備，有臺(tái)鉆、立鉆、搖臂鉆三種。

安全操作警示：

二要：操作要集中注意力；鉆孔要戴防護(hù)鏡。

二不：不準(zhǔn)帶手套；不能用手直接扶持小工件，薄工件。（9）金屬加工中的劃線工具 典型例題四

小蘭家的茶幾的一個(gè)鐵質(zhì)腳斷裂了，她最好采用那種連接方式進(jìn)行修補(bǔ)（）

A 焊接 B 榫接

C 膠結(jié) D 鉚接 典型例題五：

號(hào)稱“天下第一名鐘”的景云鐘，制造于唐景云年間，每年除夕中央人民廣播電臺(tái)放的新年鐘聲就是以景云鐘錄制的。景云鐘的制造主要應(yīng)（）工藝。A 鍛造 B 沖壓

C 鉗工 D 鑄造 典型例題六：

在利用手工工具制造螺絲桿的時(shí)候，應(yīng)選用的工具是（）A 錘子和鏨子 B 銼刀和樣沖

C 手用絲錐和攻絲扳手 D 板牙和板牙架 知識(shí)回顧二：

1、木工、金屬加工中的常用連接方法

（1）木工中的常用連接方法：榫接、釘接、膠結(jié)等。（2）鉗工中的常用連接方法：

2、金屬的加工工藝包括劃線、鋸割、銼削、鉆孔、連接和表面處理。

劃線：就是在待加工的材料上用相應(yīng)的工具劃出加工部件的輪廓線或基準(zhǔn)點(diǎn)或基準(zhǔn)線。一般步驟為：（1）劃出基準(zhǔn)（2）劃尺寸線（3）劃輪廓線（4）沖眼。工具一般有：劃針、鋼直尺、角尺、劃規(guī)和樣沖。

鋸割：手鋸的安裝和握法，起鋸方法和操作要領(lǐng)。

銼削：為了使工件符合設(shè)計(jì)所要求的形狀、尺寸和粗糙度，往往需要進(jìn)行銼削，銑削和磨削。其中銼削加工操作方便，使用廣泛。有扁平銼、半圓銼、圓銼、三角銼。

鉆孔：用鉆頭在實(shí)體材料上打孔的方法，稱為鉆孔。常用的設(shè)備是臺(tái)鉆，鉆頭是麻花鉆。鉆孔的操作步驟：（1）劃線定位（2）裝夾工件（3）裝夾鉆頭（4）鉆孔。連接：通過(guò)固定連接和半固定連接的方法可以實(shí)現(xiàn)金屬件之間的連接 表面處理：表面刷光，噴涂油漆、鍍層。

3、螺紋的加工方法：攻絲工藝和套絲工藝

（1）攻絲：在工件上制作內(nèi)螺紋稱為攻絲。用到的工具為絲錐和絲錐扳手。（2）套絲：在工件上制作外螺紋為套絲。用到的工具為板牙和扳手。

鞏固練習(xí)一

1、范仲淹的“先天下之憂而憂，后天下之樂(lè)而樂(lè)”使岳陽(yáng)樓聞名天下。它是一座三層的純木結(jié)構(gòu)建筑。其木結(jié)構(gòu)的各個(gè)構(gòu)析，先表面處理，后進(jìn)行榫卯連接。用于表面拋光的工具是（）A、鋸 B、刨子 C、銼 D、鑿子

2、某班在技術(shù)活動(dòng)中要制作臺(tái)燈，制作臺(tái)燈支架需要一節(jié)細(xì)鋼管，下面工具中適合截取、加工這段鋼管的工具是（）

①斧頭 ②錘頭 ③臺(tái)虎鉗 ④銼刀 ⑤刨子 ⑥鋼鋸 A、①③⑥ B、②⑤⑥ C、①③④ D、③④⑥

3、劉勇家里的木質(zhì)靠背椅的靠背出現(xiàn)了無(wú)法修復(fù)的損壞，詳見(jiàn)示意圖中圓圈部分。現(xiàn)要對(duì)這張椅子進(jìn)行簡(jiǎn)單的木工處理，使它變成一張小茶幾。完成這個(gè)任務(wù)最適合的工具（）A．鋸子和木銼

B．刨子和手鉆

C．鑿子和手鉆

D．刨子和鑿子

4、把120mm長(zhǎng)的金屬管加工為80mm長(zhǎng)的金屬管，合理的加工方法是（）Ａ．鋸割、銼削

Ｂ．刨削、銼削

Ｃ．鉆孔、鋸割

Ｄ．鉆孔、銼削

5、刨子是木工常用的工具，刨身越_____________（填“長(zhǎng)”或“短”），越能將材料刨得平直。鞏固練習(xí)二

1、鉗工工藝是一種常用工藝，下面不屬于鉗工加工方法的是（）A、攻絲 B、銼 C、鏨 D、刨削

2、劉海的自行車，多處表面都已嚴(yán)重銹蝕，他想讓維修店的工人師傅通過(guò)金屬的表面方法提高自行車的美觀程度，在下列處理工藝中最合理的是（）A、在生銹的地方直接刷上油漆

B、在生銹的地方先進(jìn)行表面刷光并打上底漆，后噴涂 C、在生銹的地方進(jìn)行鍍層處理

D、在生銹的地方用砂紙刷光再鍍層

3、圖1中的大樹歷經(jīng)數(shù)百年風(fēng)雨，依然根深葉茂，原因是其結(jié)構(gòu)的______________較好；突然有一天，小明在樹下發(fā)現(xiàn)一根折斷的大樹枝，原來(lái)折斷面處被蛀蟲鉆出一個(gè)洞，導(dǎo)致樹枝被風(fēng)折斷，這是蛀洞破壞了結(jié)構(gòu)的_____________；為了充分利用這塊木頭，小明決定做一個(gè)馬扎（圖2）,為使它更加堅(jiān)固耐用，在圖2所示連接處選用的最好的連接方式是_______________。綜合練習(xí)

1、金屬材料劃線的一般步驟為（）

①?zèng)_眼 ②劃尺寸線 ③劃出基準(zhǔn) ④劃輪廓線

A、①②③④ B、③①②④ C、③②④① D、④①③②

2、屬加工中常用的劃線工具——樣沖，樣沖的用途是（）A、用于劃出直線線痕 B、用于劃直線的導(dǎo)向工具 C、用于檢查銼削平面的垂直度

D、用于在鉆孔中心沖出沖眼，防止鉆孔中心滑移

3、在金屬材料的加工的劃線工藝中，不需要用到的的工具為（）A劃規(guī) B、劃針 C、鋼直尺 D、手鋸

4、鉗工工藝是一種常用工藝，下面不屬于于鉗工加工方法的是（）。A、攻絲 B、銼 C、鏨 D、刨削

5、兩塊木板之間的連接不能采用（）A、鉚接 B黏接 C、焊接 D、螺釘

6、小明的鋁合金書架斷裂了，他最好采用那種連接方式進(jìn)行修補(bǔ)：（）A、焊接 B、榫接 C、膠接 D、鉚接

7、關(guān)于銼刀的使用，下列說(shuō)法不正確的是：（）

A．截面比較小的銼刀在使用時(shí)，施力不要過(guò)大 B．銼刀和銼柄上防止油脂污染 C．銼刀用后，應(yīng)妥善放置，不應(yīng)重疊擺放 D．銼削產(chǎn)生的切屑要用嘴吹掉

8、以下關(guān)于金屬加工的方法錯(cuò)誤的是（）

A、利用手鋸對(duì)金屬進(jìn)行加工時(shí)，推據(jù)加壓，回拉不加壓； B、沖眼時(shí)沖尖對(duì)準(zhǔn)劃線的交點(diǎn)或劃線；

C、一般都是用鋼直尺來(lái)檢查銼削平面的垂直度； D、在推銼過(guò)程中，左手的施壓由大變小，右手的施壓要由小變大；

9、以下不屬于金屬材料加工工藝的是（）A、刨削 B、劃線 C、鋸割 D、切削

10、小強(qiáng)家里的木質(zhì)靠背椅的靠背出現(xiàn)了無(wú)法修復(fù)的損壞，現(xiàn)要對(duì)這張椅子進(jìn)行簡(jiǎn)單的木工處理，使它變成一張茶幾，他完成這個(gè)任務(wù)最合適的工具是（）A、鋸子和木銼 B、刨子和手鉆 C、鑿子和手鉆 D、刨子和鑿子

11、小強(qiáng)家的木質(zhì)書桌桌面已經(jīng)嚴(yán)重掉漆，而且有很多地方坑洼不平，他決定對(duì)桌面進(jìn)行簡(jiǎn)單的維修。下列維修工序中最合理的是（）。A、刨平?打磨?上漆 B、上漆?打磨?刨平C、上漆?刨平?打磨 D、打磨?上漆?刨平

12、劉海的自行車，多處表面都已嚴(yán)重銹蝕，他想讓維修店的工人師傅通過(guò)金屬的表面處理方法提高自行車的美觀程度，在下列處理工藝中最合理的是（）。A.在生銹的地方直接刷上油漆

B.在生銹的地方先進(jìn)行表面刷光并打上底漆，后噴涂

C.在生銹的地方進(jìn)行鍍層處理

D.在生銹的地方用砂紙磨光

13、以下哪一項(xiàng)不是工藝：（）

A．汽車的裝配流程 B．景泰藍(lán)的上色方法 C．可口可樂(lè)的生產(chǎn)配方 D．手工制的藝術(shù)品

14、以下屬于正確的鉆孔步驟的是（）

①裝夾鉆頭 ②裝夾工件 ③劃線定位 ④鉆孔

A①②③④ B②①③④ C③②①④ D③①②④

15、下列有關(guān)鉆孔時(shí)的安全操作警示，其中錯(cuò)誤的是（）A、鉆孔操作要集中注意力；

B、鉆孔時(shí)要戴防護(hù)眼鏡，以防鉆屑飛出傷害眼睛； C、鉆孔時(shí)應(yīng)帶手套操作；

D、不能用手直接扶持小工件、薄工件鉆孔，以免造成傷害事故。

16、鋸割時(shí)安裝鋸條和加壓的方法正確的是（）

A、鋸齒斜向前裝，推鋸時(shí)不加壓，回拉時(shí)加壓；鋸程要盡量短 B、鋸齒斜向后裝，推鋸時(shí)加壓，回拉時(shí)不加壓；鋸程要足夠長(zhǎng)。C、鋸齒斜向前裝，推鋸時(shí)加壓，回拉時(shí)也加壓 ；鋸程要盡量短 D、鋸齒斜向前裝，推鋸時(shí)加壓，回拉時(shí)不加壓；鋸程要足夠長(zhǎng)。

17、（）是指利用工具和設(shè)備對(duì)原材料、半成品進(jìn)行技術(shù)處理，使之成為產(chǎn)品的方法。A、結(jié)構(gòu) B、造型 C、工藝 D、表面處理

第五篇：模具制造工藝習(xí)題

《模具制造技術(shù)》復(fù)習(xí)題

2.制約模具加工精度的因素有哪些？1）工藝系統(tǒng)的幾何誤差對(duì)加工精度的影響2）工藝系統(tǒng)受力變形對(duì)加工精度的影響3）工藝系統(tǒng)的熱變形對(duì)加工精度的影響

3.電火花加工必須具備哪些條件？

1）必須使工件電極與工具電極之間經(jīng)常保持一定放電間隙，以便形成火花放電的條件2）脈沖放電必須具有脈沖性，間歇性。3)電火花放電必須在具有一定絕緣性能的液體介質(zhì)中進(jìn)行。

4.板類零件的加工質(zhì)量要求主要有哪幾個(gè)方面？

1)一般模板平面加工質(zhì)量要達(dá)到 IT7-IT8.2)平行度公差3）表面粗糙度Ra 4)配合精度 5）垂直度 6）一般誤差

5.P10什么是零件的結(jié)構(gòu)工藝性？對(duì)結(jié)構(gòu)工藝性的要求有哪些？

答；零件的結(jié)構(gòu)工藝性: 設(shè)計(jì)的零件在滿足使用要求的前提下，制造的可行性和經(jīng)濟(jì)性。1）便于達(dá)到零件圖上所要求的加工質(zhì)量2）便于采用高生產(chǎn)率的加工方法3）有利于減少零件的加工工作量4）有利于縮短時(shí)間

6.P9制定模具機(jī)加工工藝規(guī)程應(yīng)遵循哪些原則？1）技術(shù)上的先進(jìn)性2）工藝上的合理 性3）經(jīng)濟(jì)上的合理性4）縮短制造周期5）創(chuàng)造必要的工作條件

7.P225沖裁模具總裝配要點(diǎn)？1）選擇裝配基準(zhǔn)孔2）確定裝配順序3）控制沖裁 間隙4）位置正確，動(dòng)作無(wú)誤5)試沖

8.P69磨削燒傷與溫度有什么關(guān)系？怎么控制？

磨削熱是造成磨削燒傷的根源，所以改 善磨削燒傷有兩個(gè)途徑；一是盡可能地減少磨削熱的產(chǎn)生二是改善冷卻條件，盡量使產(chǎn)生的熱量少傳入零件措施如下；1）正確選擇砂輪2）合理選擇磨削用量3）改善冷卻條件。

3.定位基準(zhǔn)的選擇 按作用不同

①.設(shè)計(jì)基準(zhǔn)在零件圖上用于確定其他點(diǎn)、線、面的基準(zhǔn)②.工藝基準(zhǔn)零件在加工和裝配過(guò)程中所使用的基準(zhǔn)。工藝基準(zhǔn)按用途不同分為 ①.定位基準(zhǔn)加工時(shí)工件在機(jī)床或夾具中占據(jù)一正確位置所用的基準(zhǔn)。②.測(cè)量基準(zhǔn)零件檢驗(yàn)時(shí)用以測(cè)量已加工表面尺寸及位置的基準(zhǔn)。③.裝配時(shí)用以確定零件在部件或在產(chǎn)品中位置的基準(zhǔn)。

4.粗基準(zhǔn)的選擇

①.為保證加工表面與不加工表面之間的位置尺寸要求應(yīng)選不加工表面作粗基準(zhǔn) ②.若要保證某加工表面切除的余量均勻應(yīng)選該表面作粗基準(zhǔn)。③.為保證各加工表面都有足夠的加工余量應(yīng)選擇毛坯余量小的表面作粗基準(zhǔn)。④.選作粗基準(zhǔn)的表面應(yīng)盡可能平整不能有飛邊、澆注系統(tǒng)、冒口或其它缺陷。⑤.粗基準(zhǔn)在同一尺寸方向上只能使用一次。⑥.一般情況下粗基準(zhǔn)不重復(fù)使用。

5.精基準(zhǔn)的選擇

①基準(zhǔn)重合原則選用設(shè)計(jì)基準(zhǔn)作為定位基準(zhǔn)。②基準(zhǔn)統(tǒng)一原則采用同一組基準(zhǔn)定位加工零件上盡可能多的表面。③自為基準(zhǔn)原則選擇加工表面本身作為定位基準(zhǔn)。④互為基準(zhǔn)原則工件上兩個(gè)相互位置要求很高的表面加工時(shí)互相作為基準(zhǔn)。

6.加工階段的劃分

粗加工階段切除大部分加工余量、半精加工階段消除粗加工留下的誤差、精加工 階段去除半精加工留下的加工余量、光整階段提高精度和表面粗糙度。

7.工藝工程分階段的主要原因1保證產(chǎn)品質(zhì)量2合理使用設(shè)備3便于熱處理工序的合理安排 4便于及時(shí)發(fā)現(xiàn)毛坯缺陷和保護(hù)已加工表面

8.工序的集中與分散

①.工序集中特點(diǎn)，1，一次裝夾加工多個(gè)加工表面能較好地保證表面之間的相互位置精度可以減少裝夾 工件的次數(shù)和輔助時(shí)間減少工件在機(jī)床之間的搬運(yùn)次數(shù)有利于縮短生產(chǎn)周期。2，可減少機(jī)床數(shù)量、操作工人節(jié)省車間生產(chǎn)面積簡(jiǎn)化生產(chǎn)計(jì)劃和生產(chǎn)組織工作。3，采用的設(shè)備和工裝結(jié)構(gòu)復(fù)雜、投資大調(diào)節(jié)和維修的難度大工人的技術(shù)要求高。

4單件小批生產(chǎn)采用工序集中②.工序分散特點(diǎn) 1機(jī)床設(shè)備及工裝比較簡(jiǎn)單調(diào)整

方便生產(chǎn)工人易于掌握。2可以采用最合理的切削用量減少機(jī)動(dòng)時(shí)間。3設(shè)

備數(shù)量多操作工人多生產(chǎn)面積大。大批、大量生產(chǎn)采用工序集中和分散 9.加工順序的安排1基準(zhǔn)先行2先主后次3先粗后精4先面后孔

10.熱處理的安排

1預(yù)備熱處理為改善金屬組織和加工性能的熱處理工序。2最終熱處理為提高

零件硬度和耐磨性的熱處理工序。11.加工余量與工序尺寸的確定

1成型磨削的加工原理

分為成型砂輪磨削法與夾具磨削法成型砂輪磨削法也稱仿形法先將砂輪修整成與工件型

面完全吻合的相反面再用砂輪去磨削工件獲得所需工件夾具磨削法也成范成法加工時(shí)

將工件裝夾在專用夾具上通過(guò)有規(guī)律地改變工件與砂輪的位置實(shí)現(xiàn)對(duì)成型面的加工。第1、并行工程是一種企鵝也組織、管理和運(yùn)行的先進(jìn)技術(shù)、制造模式是采用多學(xué)科團(tuán)隊(duì)和

并行過(guò)程的集成化產(chǎn)品開(kāi)發(fā)模式

1、冷沖模模架

由上模座、導(dǎo)套、導(dǎo)柱、下模座等零件組導(dǎo)柱安裝在下模座導(dǎo)套在上模座為保證上、下模座的導(dǎo)套、導(dǎo)柱孔距一致可將兩塊模座裝夾在一起加工

2、導(dǎo)柱導(dǎo)套加工工藝

毛坯棒料—車削加工—滲碳處理、淬火—內(nèi)、外圓磨削—精磨。導(dǎo)柱的心部要求韌

性好故導(dǎo)柱的材料為20號(hào)低碳鋼導(dǎo)柱在熱處理后應(yīng)修正中心孔以便在一次裝夾中將

導(dǎo)柱的兩個(gè)外圓磨出以保證兩圓柱面的同軸度導(dǎo)套車削時(shí)先車削內(nèi)孔再已孔位基準(zhǔn)

車削外圓

3、冷沖模制造

①凸、凹模的設(shè)計(jì)有5點(diǎn)要求1結(jié)構(gòu)合理2高的尺寸精度、形位精度表面質(zhì)量和刃口

鋒利3足夠的剛度和強(qiáng)度4良好的耐磨性5一定疲勞強(qiáng)度

④壓印銼修壓印銼修是一種鉗工加工方法壓印前根據(jù)非圓形凸模的形狀和尺寸準(zhǔn)備

坯料在車床上或刨床上預(yù)加工毛坯各表面在斷面上按刃口輪廓?jiǎng)澗€在銑床上按劃線粗

加工凸模工作表面并留有壓印后的銼修余量0.15~0.25。壓印時(shí)在壓力機(jī)上將粗加工后的凸模毛坯垂直壓入已淬硬的凹模型孔內(nèi)。

⑤凸模的電火花線切割工藝(1)毛坯準(zhǔn)備,將圓形棒料進(jìn)行鍛造鍛成六面體并進(jìn)行退

火處理2刨或銑六個(gè)面在刨床或銑床上加工鍛坯的六個(gè)面3鉆穿絲孔在線切割

加工起點(diǎn)處鉆出直接為2~3mm電極絲穿絲孔4加工螺釘孔。將固定凸模用的兩個(gè)螺釘孔

加工出啦5熱處理將工件淬火、回火、并檢查其表面硬度硬度要求達(dá)到58~62HRC

6磨削上下兩平面表面粗糙度Ra應(yīng)低于0.8um7去除穿絲孔雜質(zhì)并進(jìn)行

退磁處理8線切割加工凸模9研磨線切割過(guò)后鉗工研磨凸模工作部分是工作

表面粗糙度降低

⑥凸模的成型磨削加工程序1準(zhǔn)備毛坯用圓鋼鍛成六面體并退火處理2刨削或銑削六個(gè)面在刨床或銑床上加工鍛坯的六個(gè)面3磨上下兩個(gè)平面及基準(zhǔn)面4

鉗工劃線鉆孔、功螺紋5用銑床加工外型留磨削余量6熱處理將凸模淬

火、回火處理并檢查表面硬度硬度要求達(dá)到58~62HRC7磨削上下兩平面表面粗糙

度Ra應(yīng)低于0.8um8成型磨削按一定的磨削程序磨削凸模的外形。9精修凸模

外形和凹模配間隙

⑦沖裁模凹模的制造工藝工程凹模加工和凸模加工相比有以下特點(diǎn)1在多孔沖裁

模或級(jí)進(jìn)模中凹模上有一系列孔凹模孔系位置精度通常要求在±0.01~0.02mm以上

這給孔加工帶來(lái)困難。2凹模在鏜孔時(shí)孔與外形有一定的位置精度要求加工時(shí)

要求確定基準(zhǔn)并準(zhǔn)確確定孔的中心位置這給加工帶來(lái)很大難度3凹模內(nèi)孔

加工的尺寸往往直接取決于刃具的尺寸因此刃具的尺寸精度、剛度及磨損將直接影響內(nèi)孔的加工精度4凹模孔加工時(shí)，切削區(qū)在工件內(nèi)部，排屑、散熱條件差、加工精度和表面質(zhì)量不易控制

⑧凹模電火花線切割加工工藝過(guò)程，1，準(zhǔn)備毛坯，用圓鋼鍛成方形坯料并退火，2刨六個(gè)面，將毛坯刨成六面體，3，平磨上、下兩平面及角尺面，4，鉗工劃線，并加工銷孔，鉸孔、鉆孔，和螺釘孔鉆孔、功螺紋5去除型孔內(nèi)部廢料沿型孔輪廓?jiǎng)澇鲆幌盗锌转缓筱@出來(lái)鑿?fù)ㄕ麄€(gè)輪廓，敲出中間廢料，6，熱處理，淬火和回火，檢測(cè)表面硬度要求達(dá)到58~62HRC，7，平磨上下兩個(gè)平面及角尺面，8，電火花切割型孔線切割加工銅凸模相似9切割好的凹模進(jìn)行穩(wěn)定回火10鉗工研磨銷孔及凹模刃口使其達(dá)到規(guī)定要求

⑨凹模電火花加工工藝工程1準(zhǔn)備毛坯圓鋼鍛成方形坯料并退火2刨削六章個(gè)面3平磨磨上下兩平面和角尺面4鉗工劃線劃出型孔輪廓線級(jí)螺孔、銷孔位置5切除中心廢料現(xiàn)在型孔適當(dāng)位置鉆孔然后用帶鋸機(jī)去除中心廢料6螺孔和銷孔加工加工螺孔鉆孔、功螺紋加工銷孔鉆孔、鉸孔7熱處理淬火和回火檢查硬度表面硬度要求達(dá)到58~62HRC8平磨磨上下兩平面9退磁處理10電火花加工型孔利用凸模加長(zhǎng)一段鑄鐵后作為電極電加工完成后去掉鑄鐵部分后做凸模用先用粗規(guī)準(zhǔn)加工然后調(diào)整平動(dòng)頭的偏心量再用精規(guī)準(zhǔn)加工。

4冷沖模的工藝性

①設(shè)計(jì)冷沖模時(shí)需考慮的原則1.模具結(jié)構(gòu)盡量簡(jiǎn)單。在保證使用前提下模具結(jié)構(gòu)盡可能簡(jiǎn)單2.模具使用過(guò)程中的易損件能方便的更換和調(diào)整3盡可能使用標(biāo)準(zhǔn)件4模具零件尤其是凸凹模零件應(yīng)具有良好的工藝性5模具應(yīng)便于裝配

②冷沖模使用電火花加工時(shí)凹模結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)如下1采用整體結(jié)構(gòu)因?yàn)樾】住⒓?/p>

角和窄槽等機(jī)械加工非常困難2可減薄模板厚度因?yàn)楸苊鉄崽幚淼挠绊應(yīng)褂脡勖L(zhǎng)、性能好縮短制模周期節(jié)省貴重模具材料3凹模型孔的尖角改為圓角因?yàn)榧饨遣糠指g較快圓角還有利于減少應(yīng)力集中提高模具強(qiáng)度5標(biāo)出凸模的基本尺寸和公差便于凸模和電極配套成形磨削6刃口表面變質(zhì)層的處理可按需求是否保留變質(zhì)層

5塑料模型腔加工通用機(jī)床加工仿形銑床加工型腔加工新工藝

6型腔拋光的方法點(diǎn)解拋光超聲波拋光

7低熔點(diǎn)合金模具是指工作零件刃口或型面材料采用低熔點(diǎn)合金制造工藝采用鑄造代

替機(jī)械加工的模具 優(yōu)點(diǎn)有1制造方便制模周期短2可簡(jiǎn)化模具的保管工作8低熔點(diǎn)合金模具的鑄模工藝自鑄法和澆鑄法看書

9鐵基合金模具的特點(diǎn)以鋅為基體的鋅、銅、鋁三元合金加入微量鎂稱為鐵基合金用其制造的模具稱為鐵基合金模具。制模周期短工藝簡(jiǎn)單成本低

1裝配的工藝方法： 1完全互換法，實(shí)質(zhì)是利用控制零件的制造誤差來(lái)保證裝配精度的方

法，優(yōu)點(diǎn)是裝配簡(jiǎn)單，生產(chǎn)率高，對(duì)工人的要求不高，便于自動(dòng)化裝配，容易實(shí)現(xiàn)專業(yè)化生產(chǎn)備件供應(yīng)方便，常用在單件小批量生產(chǎn)，2修配法，在零件上預(yù)留修配量，優(yōu)點(diǎn)是能獲得很高的裝配精度。而零件的制造精度可以放寬缺點(diǎn)是裝配中增加了修配工作量工時(shí)多而不穩(wěn)定，裝配質(zhì)量依賴工人的技術(shù)水平，效率低，3調(diào)整法用一個(gè)可調(diào)整位置的零件來(lái)調(diào)整它在機(jī)器中的位置以達(dá)到裝配精度優(yōu)點(diǎn)夠獲得很高的裝配精度零件可按經(jīng)濟(jì)精度要求確定公差缺點(diǎn)制造費(fèi)用提高依賴工人水平調(diào)整時(shí)間長(zhǎng)難預(yù)定2模具零件的固定方法

緊固件法、壓入法、鉚接法、熱套法、焊接法、低熔點(diǎn)法、粘接法具體看書p2013間隙壁厚的控制方法

墊片法、鍍銅法、透光法、涂層法、腐蝕法、工藝尺寸法、工藝定位器法