第一篇：[《半導體物理》教學大綱.doc]

《半導體物理》教學大綱

學時：72其中實驗12學時

學分：4.5分

教材：《半導體物理學》編者劉恩科 朱秉開羅晉生 等國防工業出版社參考書：《半導體物理學》葉良修編； 《半導體物理學》顧祖毅編；

一、課程性質和任務

《半導體物理》是微電子技術專業的專業基礎課和學位課之一。其目的使學生掌握半導體物理的基礎理論和半導體的主要性質，為后續專業課程的學習和將來相關專業的工作打下基礎。

二、教學內容和要求

1、理論教學(60學時)

第一章 半導體中電子狀態

掌握晶體結構，半導體中電子的運動、有效質量，本征半導體的導電結構、空穴，常規半導體的能帶結構

第二章 半導體中雜質和缺陷能級

掌握硅、鍺晶體的雜質能級，Ⅲ－Ⅴ族化合物中的雜質能級，自學雜質、缺陷能級

第三章 半導體中載流子的統計分布

掌握費米能級和載流子的統計分布，本征半導體、雜質半導體的載流子濃度，簡并半導體概念和基本性質。自學一般情況下載流子的統計分布。

第四章 半導體的導電性

掌握載流子的遷移運動、散射，遷移率與雜質濃度和溫度的關系，電阻率與雜質濃度和溫度的關系。了解強電場下的效應，多能谷散射。自學玻耳茲曼方程。

第五章 非平衡載流子

掌握非平衡載流子的注入、復合與壽命，準費米能級，復合理論，陷阱效應，載流子的擴散運動、愛因斯坦關系。自學連續性方程。

第七章 金屬和半導體的接觸

掌握金屬和半導體的接觸能級圖，金屬和半導體的整流理論及歐姆接觸。

第八章 半導體表面與MIS結構

掌握表面電場效應，MIS結構的電容－電壓特性，了解Si－SiO2系統的性質及表面遷移率。

為鞏固基本概念和基礎理論，培養學生分析解決問題能力，每章完后布置一定作業。

三、實驗教學(12學時)

為了運用課堂基礎理論，培養動手能力，本課程設置四個實驗：

2、橢偏法測SiO2層的厚度和折射率

3、MOS結構高頻C-V測試

4、霍爾效應及參數測試

5、高頻光電導衰減法測Si單晶少子壽命

教師課堂講解實驗原理、內容及要求，強調注意事項。

學生分組完成實驗并提交實驗報告。

第二篇：半導體物理教學大綱（精選）

《半導體物理》

課程編號：01500277

課程名稱：半導體物理 Semiconductor Physics 學分：3.5 學時: 56

先修課程： 固體物理、量子力學、理論物理

一、目的與任務

《半導體物理學》是電子科學與技術專業的一門必修課程。通過學習本課程，使學生掌握半導體物理的基本理論和基本規律，培養學生分析和應用半導體各種物理效應的能力，同時為后繼課程《半導體器件》與《半導體集成電路》的學習奠定基礎。

本課程的任務是揭示和研究半導體的微觀機構，從微觀的角度解釋發生在半導體中的宏觀物理現象；重點學習半導體中的電子狀態及運動規律；學習半導體中載流子的統計分布、輸運理論及相關規律；學習載流子在輸運過程中發生的一些宏觀物理現象；學習半導體的某些基本結構，包括金屬半導體結及表面問題。

二、教學內容及學時分配

第一章 半導體中的電子狀態（8學時）1．半導體中的電子狀態與能帶 2．半導體中電子的運動有效質量 3．本征半導體的導電機構空穴 4．硅和鍺的能帶結構

第二章 半導體中雜質和缺陷能級（2學時）1．硅、鍺晶體中的雜質能級 2．Ⅲ-V族化合物中的雜質能級

第三章 半導體中載流子的統計分布（8學時）1．狀態密度

2．費米能級和載流子的統計分布 3．本征半導體的載流子濃度 4．雜質半導體的載流子濃度 5．一般情況下的載流子統計分布 6．簡并半導體

第四章 半導體的導電性（8學時）1．載流子的漂移運動遷移率 2．載流子的散射

3．遷移率與雜質濃度和溫度的關系 4．電阻率及其與雜質濃度和溫度的關系 5．波爾茲曼方程電導率的統計理論 6．強電場下的效應，熱載流子 7．多能谷散射耿氏效應 第五章 非平衡載流子（8學時）1．非平衡載流子的注入與復合 2．非平衡載流子的壽命 3．準費米能級 4．復合理論 5．陷阱效應 6．載流子的擴散運動

7．載流子的漂移運動愛因斯坦關系 8．連續性方程式

第六章 金屬和半導體接觸（4學時）1．金屬與半導體接觸及其能帶圖 2．金屬與半導體接觸的整流理論 3．歐姆接觸

第七章 半導體表面與MIS結構（4學時）1．表面態 2．表面電場效應

3．MIS結構的電容電壓特性 4．硅—二氧化硅系統的性質 第八章 異質結（2學時）1．異質結及其能帶圖 2．異質結的電流輸運機構

第九章半導體的光電性質、光電與發光現象（4學時）1．半導體的光吸收和光電導 2．半導體的光生伏特效應 3．半導體的發光、激光

第十章 半導體熱電性質（4學時）1．熱電效應 2．熱電效應的應用

第十一章 半導體磁和壓阻效應（4學時）1．霍耳效應 2．磁阻效應 3．光磁電效應 4．壓阻效應

三、考核與成績評定

采用紙筆式閉卷考試，按百分制進行成績評定。

四、大綱說明

1.本課程在理論物理基礎課程學習之后開設。學生應掌握必要的熱力學與統計物理、量子力學、電磁場、固體物理學等知識。

2.在保證基本教學要求的前提下，教師可以根據實際情況，對內容進行適當的調整和刪節。

3.本大綱適合近電子科學與技術類專業。

五、教科書、參考書

［1］劉恩科，朱秉升，羅晉生等.半導體物理學［M］.北京：國防工業出版社，1994.［2］葉良修.半導體物理學［M］.上冊.北京：高等教育出版社，1986.［3］S.M.Sze,physics of Semiconductor Devices［M］.John Wiley and Sons,Inc.1981.《微電子器件基礎》

第三篇：半導體物理課程教學大綱

《半導體物理》課程教學大綱

課程編號：C030001 適用專業：微電子技術，微電子學

學時數：72（實驗12）學分數：4．5

先修課程：《熱力學與統計物理學》、《量子力學》和《固體物理學》

考核方式：閉卷

執筆者：劉諾

編寫日期：2004.5

一、課程性質和任務

《半導體物理學》是面向電子科學與技術方向本科生所開設的微電子技術專業和微電子學專業的一門專業基礎課和學位課，是培養方案中的核心課程之一。開設的目的是使學生熟悉半導體物理的基礎理論和半導體的主要性質，以適應后續專業課程的學習和將來工作的需要。

二、教學內容和要求

理論教學（60學時）

半導體中的電子狀態（8學時）：

理解能帶論。掌握半導體中的電子運動、有效質量，本征半導體的導電機構、空穴，鍺、硅、砷化鎵和鍺硅的能帶結構。半導體中的雜質和缺陷能級（5學時）：

掌握鍺、硅晶體中的雜質能級，Ⅲ-Ⅴ 族化合物半導體的雜質能級。理解缺陷、位錯能級。

熱平衡時半導體中載流子的統計分布（10學時）：

掌握狀態密度，費米能級和載流子的統計分布，本征半導體的載流子濃度，雜質半導體的載流子濃度。理解一般情況下的載流子的統計分布。了解簡并半導體。半導體的導電性（8學時）：

掌握載流子的漂移運動，載流子的散射，遷移率與雜質濃度和溫度的關系，玻爾茲曼方程。了解電導的統計理論。理解強電場效應，熱載流子。

非平衡載流子（8學時）：

掌握非平衡載流子的注人與復合，非平衡載流子的壽命，準費米能級，復合理論，陷阱效應，載流子的擴散運動、愛因斯坦關系，理解連續性方程。

p-n結（0學時）：

了解p-n結及能帶圖，p-n結的電流電壓特性，p-n結電容，p-n結擊穿和p-n結隧道效應。

異質結（0學時）：

了解異質結及其能帶圖和異質結的電流輸運機構。金屬和半導體的接觸（10學時）：

掌握金屬和半導體接觸的整流理論。理解少數載流子的注人，歐姆接觸。

半導體表面理論（10學時）：

掌握表面態、表面電場效應，MIS結構的電容一電壓特性，理解硅一二氧化硅系統，表面電導及遷移率。

半導體磁效應（1學時）：

掌握霍耳效應。

為鞏固課堂講授的基本概念和基本理論，培養學生分析問題和解決問題的能力．每章講完后，需布置一定分量的課外作業。必做題約40道，選做題平均每章3－5題。

2.實驗教學（12學時）

“ 半導體物理實驗 ” 包括了六個實驗，MOS結構高頻C－V特性測試、MOS結構準靜態C－V特性測試、MOS結構中可動電荷測試、霍爾效應、橢偏法測SiO2 層的厚度及折射率、及參數測試以及高頻光電導衰減法測量Si單晶少子壽命。教師根據實驗設備數量選做四個實驗。

教師在課堂講解每個實驗的基本原理、測試內容及實驗要求，交待實驗注意事項。?

學生分組做實驗，每組2人。要求學生必須自已動手做實驗，獨立處理實驗數據，完成實驗報告，回答思考題。

三、建議教材和參考資料

1.教材：（半導體物理學），西安交大劉恩科主編

2.參考資料：

（1）Fundamental of Solid-State Electronics，Chih-Tang Sah（U.S.A.）

（2）《半導體物理學》，葉良修編

（3）《半導體物理學》，顧祖毅編

（4）《半導體物理實驗指導書》，自編講義

第四篇：浙江大學半導體物理教學大綱

一、教學目的與基本要求：

隨著計算機產業和凝聚態物理的發展，近幾十年來半導體物理發展迅速。本課程使學生熟練掌握半導體物理的基礎理論，了解半導體器件及其背后的物理原理，并對電子器件的研究前沿有所認識。同時也幫助學生了解物理學和工程學科的關系，培養學生閱讀查找專業文獻和進行學術報告的能力，為今后工作和科研打下基礎。

二、主要內容及學時分配：

每周３學時，共16周。主要內容為：

1.半導體電子學 12學時

a)鍵和能帶

b)雜質和缺陷

c)載流子的統計分布

d)電荷輸運

2.半導體硅工藝 3學時

3.結和接觸 9學時

a)p-n結

b)異質結

c)金屬-半導體接觸

4.MOS（金屬-氧化物-半導體）和MOS場效應晶體管 6學時

5.低維系統 6學時

a)二維電子氣和量子霍耳效應

b)量子線

c)量子點

6.自旋電子學 6學時

a)巨磁阻：自旋電子學的開始

b)磁性半導體

c)自旋輸運和自旋器件

7.學生報告：半導體中的光、熱和磁效應 6學時

三、相關教學環節安排：

1.基礎部分（1-4章）安排作業。

2.前沿部分（5-6章）結合多媒體投影教學。

3.組織學生閱讀書籍文獻，最后進行報告。

四、教學方式：

課堂講授。多媒體教學。學生報告。

五、考試方式及要求：

筆試結合學生報告。

六、推薦教材或參考書：（含教材名，主編，出版社，出版年代）

教材：

半導體物理學（第6版），劉恩科、朱秉升、羅晉生等編著，電子工業出版社，2003。

參考書：

集成電路的器件電子學（第2版），R.S.Muller、T.I.Kamins著，John Wiley & Sons，1986。

半導體基礎：物理和材料性質（第3版），P.Y.Yu、M.Cardona著，Springer，2001。

半導體物理基礎，黃昆、韓汝琦著，科學出版社，1979。

磁電子學，焦正寬、曹光旱著，浙江大學出版社，2005。

第五篇：《半導體器件物理》教學大綱(精)

《半導體器件物理》教學大綱

（2006版）

課程編碼：07151022 學時數：56

一、課程性質、目的和要求

半導體器件物理課是微電子學，半導體光電子學和電子科學與技術等專業本科生必修的主干專業基礎課。它的前修課程是固體物理學和半導體物理學，后續課程是半導體集成電路等專業課，是國家重點學科微電子學與固體電子學碩士研究生入學考試專業課。本課程的教學目的和要求是使學生掌握半導體器件的基本結構、物理原理和特性，熟悉半導體器件的主要工藝技術及其對器件性能的影響，了解現代半導體器件的發展過程和發展趨勢，對典型的新器件和新的工藝技術有所了解，為進一步學習相關的專業課打下堅實的理論基礎。

二、教學內容、要點和課時安排

第一章 半導體物理基礎（復習）（2學時）

第二節 載流子的統計分布

一、能帶中的電子和空穴濃度

二、本征半導體

三、只有一種雜質的半導體

四、雜質補償半導體

第三節 簡并半導體

一、載流子濃度

二、發生簡并化的條件

第四節 載流子的散射

一、格波與聲子

二、載流子散射

三、平均自由時間與弛豫時間

四、散射機構 第五節 載流子的輸運

一、漂移運動 遷移率 電導率

二、擴散運動和擴散電流

三、流密度和電流密度

四、非均勻半導體中的自建場

第六節 非平衡載流子

一、非平衡載流子的產生與復合

二、準費米能級和修正歐姆定律

三、復合機制

四、半導體中的基本控制方程：連續性方程和泊松方程

第二章 PN結（12學時）第一節 熱平衡PN結

一、PN結的概念：同質結、異質結、同型結、異型結、金屬－半導體結

突變結、緩變結、線性緩變結

二、硅PN結平面工藝流程（多媒體演示 圖2.1）

三、空間電荷區、內建電場與電勢

四、采用費米能級和載流子漂移與擴散的觀點解釋PN結空間電荷區形成的過程

五、利用熱平衡時載流子濃度分布與自建電勢的關系求中性區電勢

及PN結空間電荷區兩側的內建電勢差

六、解poisson’s Eq 求突變結空間電荷區內電場分布、電勢分布、內建電勢差和空間電荷區寬度（利用耗盡近似）

第二節 加偏壓的P?N結

一、畫出熱平衡和正、反偏壓下PN結的能帶圖，定性說明PN結的單向導電性

二、導出空間電荷區邊界處少子的邊界條件，解釋PN結的正向注入和反向抽取現象

第三節

理想P?N結的直流電流-電壓特性

一、解擴散方程導出理想PN結穩態少子分布表達式，電流分布表達式，電流－電壓關系

二、說明理想PN結中反向電流產生的機制（擴散區內熱產生載流子電流）

第四節 空間電荷區的復合電流和產生電流

一、復合電流

二、產生電流

第五節 隧道電流

一、隧道電流產生的條件

二、隧道二極管的基本性質（多媒體演示 Fig2.12）

第六節 I?V特性的溫度依賴關系

一、反向飽和電流和溫度的關系

二、I?V特性的溫度依賴關系

第七節耗盡層電容，求雜質分布和變容二極管

一、PN結C-V特性

二、過渡電容的概念及相關公式推導

求雜質分布的程序（多媒體演示 Fig2.19）

三、變容二極管

第八節 小訊號交流分析

一、交流小信號條件下求解連續性方程，導出少子分布，電流分布和總電流公式

二、擴散電容與交流導納

三、交流小信號等效電路

第九節

電荷貯存和反響瞬變

一、反向瞬變及電荷貯存效應

二、利用電荷控制方程求解?s

三、階躍恢復二極管基本理論 第十節 P-Ｎ結擊穿

一、PN結擊穿

二、兩種擊穿機制，PN結雪崩擊穿基本理論的推導

三、計算機輔助計算例題2－3及相關習題

第三章 雙極結型晶體管（10學時）第一節雙極結型晶體管的結構

一、了解晶體管發展的歷史過程

二、BJT的基本結構和工藝過程（多媒體 圖3.1）概述

第二節 基本工作原理

一、理想BJT的基本工作原理 二、四種工作模式

三、放大作用（多媒體Fig3.6）

四、電流分量（多媒體Fig3.7）

五、電流增益（多媒體Fig3.8 3.9）

第三節 理想雙極結型晶體管中的電流傳輸

一、理想BJT中的電流傳輸：解擴散方程求各區少子分布和電流分布

二、正向有源模式

三、電流增益～集電極電流關系

第四節 愛拜耳斯-莫爾（Ebers?Moll）方程 一、四種工作模式下少子濃度邊界條件及少子分布

二、E-M模型等效電路

三、E-M方程推導

第五節 緩變基區晶體管

一、基區雜質濃度梯度引起的內建電場及對載流子的漂移作用

二、少子濃度推導

三、電流推導

四、基區輸運因子推導

第六節 基區擴展電阻和電流集聚

一、基區擴展電阻

二、電流集聚效應

第七節 基區寬度調變效應

一、基區寬度調變效應（EARLY效應）

二、hFE和ICE0的改變

第八節 晶體管的頻率響應

一、基本概念：小信號共基極與共射極電流增益（?，hfe），共基極截止頻率和共射極截止頻率（Wɑ ,W?）,增益－頻率帶寬或稱為特征頻率（WT），二、公式（3－36）、（3－65）和（3－66）的推導

三、影響截止頻率的四個主要因素：τB、τE、τC、τD及相關推導

四、Kirk效應

第九節 混接?型等效電路

一、參數：gm、gbe、CD 的推導

二、等效電路圖（圖3－23）

三、證明公式（3－85）、（3－86）

第十節

晶體管的開關特性

一、開關作用

二、影響開關時間的四個主要因素：td、tr、tf、ts

三、解電荷控制方程求貯存時間ts 第十一節 擊穿電壓

一、兩種擊穿機制

二、計算機輔助計算：習題 閱讀

§3.12、§3.13、§3.14

第四章 金屬—半導體結（4學時）第一節肖特基勢壘

一、肖特基勢壘的形成

二、加偏壓的肖特基勢壘

三、M－S結構的C-V特性及其應用

第二節 界面態對勢壘高度的影響

一、界面態

二、被界面態鉗制的費米能級

第三節 鏡像力對勢壘高度的影響

一、鏡像力

二、肖特基勢壘高度降低

第四節肖特基勢壘二極管的電流電壓特性

一、熱電子發射

二、理查德-杜師曼方程

第五節 肖特基勢壘二極管的結構

一、簡單結構

二、金屬搭接結構

三、保護環結構

第六節 金屬-絕緣體-半導體肖特基勢壘二極管

一、基本結構

二、工作原理

第七節 肖特基勢壘二極管和PN結二極管之間的比較

一、開啟電壓

二、反向電流

三、溫度特性

第八節 肖特基勢壘二極管的應用

一、肖特基勢壘檢波器或混頻器

二、肖特基勢壘鉗位晶體管

第九節 歐姆接觸

一、歐姆接觸的定義和應用

二、形成歐姆接觸的兩種方法 第五章 結型場效應晶體管和金屬-半導體場效應晶體管（4學時）第一節JFET的基本結構和工作過程

一、兩種N溝道JFET

二、工作原理

第二節 理想JFET的I-V特性

一、基本假設

二、夾斷電壓

三、I-V特性

第三節 靜態特性

一、線性區

二、飽和區

第四節 小信號參數和等效電路

一、參數：gl gml gm CG

二、JFET小信號等效電路圖

第五節JFET的截止頻率

一、輸入電流和輸出電流

二、截止頻率

第六節 夾斷后的JFET性能

一、溝道長度調制效應

二、漏極電阻

第七節 金屬-半導體場效應晶體管

一、基本結構

二、閾值電壓和夾斷電壓

三、I-V特性

第八節 JFET和MESFET的類型

一、N—溝增強型

N—溝耗盡型

二、P—溝增強型

P—溝耗盡型 閱讀

§5.8 §5.9 第六章 金屬-氧化物-場效應晶體管（10學時）第一節 理想MOS結構的表面空間電荷區

一、MOSFET的基本結構（多媒體演示Fig6-1）

二、半導體表面空間電荷區的形成

三、利用電磁場邊界條件導出電場與電荷的關系公式（6－1）

四、載流子的積累、耗盡和反型

五、載流子濃度表達式 六、三種情況下MOS結構能帶圖

七、反型和強反型條件，MOSFET工作的物理基礎

第二節 理想MOS電容器

一、基本假設

二、C～V特性：積累區，平帶情況，耗盡區，反型區

三、溝道電導與閾值電壓：定義 公式（6－53）和（6－55）的推導

第三節 溝道電導與閾值電壓

一、定義

二、公式（6－53）和（6－55）的推導

第四節 實際MOS的電容—電壓特性

一、M-S功函數差引起的能帶彎曲以及相應的平帶電壓，考慮到M-S功函數差，MOS結構的能帶圖的畫法

二、平帶電壓的概念

三、界面電荷與氧化層內電荷引起的能帶彎曲以及相應的平帶電壓四、四種電荷以及特性平帶電壓的計算

五、實際MOS的閾值電壓和C～V曲線

第五節 MOS場效應晶體管

一、基本結構和工作原理

二、靜態特性

第六節 等效電路和頻率響應

一、參數：gd

gm

rd

二、等效電路

三、截止頻率

第七節 亞閾值區

一、亞閾值概念

二、MOSFET的亞閾值概念

第九節 MOS場效應晶體管的類型

一、N—溝增強型

N—溝耗盡型

二、P—溝增強型

P—溝耗盡型

第十節 器件尺寸比例

MOSFET制造工藝

一、P溝道工藝

二、N溝道工藝

三、硅柵工藝

四、離子注入工藝

第七章 太陽電池和光電二極管（6學時）第一節半導體中光吸收

一、兩種光吸收過程

二、吸收系數

三、吸收限

第二節 PN結的光生伏打效應

一、利用能帶分析光電轉換的物理過程（多媒體演示）

二、光生電動勢，開路電壓，短路電流，光生電流（光電流）

第三節 太陽電池的I-V特性

一、理想太陽電池的等效電路

二、根據等效電路寫出I-V公式，I-V曲線圖（比較：根據電流分量寫出I-V公式）

三、實際太陽能電池的等效電路

四、根據實際電池的等效電路寫出I-V公式

五、RS對I-V特性的影響

第四節 太陽電池的效率

一、計算 Vmp

Imp

Pm

二、效率的概念??FFVOCIL?100% Pin第五節 光產生電流和收集效率

一、“P在N上”結構，光照，GL???Oe??x少子滿足的擴散方程

二、例1－1，求少子分布，電流分布

三、計算光子收集效率：?col?JptJnG?O 討論：波長長短對吸收系數的影響 少子擴散長度和吸收系數對收集效率的影響 理解Fig7-9,Fig7-10所反映的物理意義

第六節

提高太陽能電池效率的考慮

一、光譜考慮(多媒體演示)

二、最大功率考慮

三、串聯電阻考慮

四、表面反射的影響

五、聚光作用

第七節

肖特基勢壘和MIS太陽電池

一、基本結構和能帶圖

二、工作原理和特點

閱讀 §7.8 第九節 光電二極管

一、基本工作原理

二、P-I-N光電二極管

三、雪崩光電二極管

四、金屬－半導體光電二極管

第十節

光電二極管的特性參數

一、量子效率和響應度

二、響應速度

三、噪聲特性、信噪比、噪聲等效功率（NEP）

四、探測率（D）、比探測率（D*）第八章 發光二極管與半導體激光器（4學時）第一節輻射復合與非輻射復合

一、輻射復合：帶間輻射復合，淺施主和主帶之間的復合，施主－受主對（D-A 對）復合，深能級復合，激子復合，等電子陷阱復合

二、非輻射復合：多聲子躍遷，俄歇過程（多媒體演示），表面復合

第二節 LED的基本結構和工作過程

一、基本結構

二、工作原理（能帶圖）

第三節 LED的特性參數

一、I-V特性

二：量子效率：注射效率?、輻射效率?r、內量子效率?i，逸出概率?o、外量子效率

三、提高外量子效率的途徑，光學窗口

四、光譜分布，峰值半高寬 FWHM,峰值波長，主波長，亮度

第四節 可見光LED

一、GaP LED

二、GaAs1-xPx LED

三、GaN LED 第五節 紅外 LED 一、性能特點

二、應用

光隔離器

閱讀§8.6 , §8.7 , §8.8 , §8.9 , §8.10(不做作業和考試要求)第九章 集成器件（閱讀，不做作業和考試要求）第十章 電荷轉移器件（4學時）第一節 電荷轉移

一、CCD基本結構和工作過程

二、電荷轉移

第二節 深耗盡狀態和表面勢阱

一、深耗盡狀態—非熱平衡狀態

二、公式（10-8）的導出

第三節 MOS電容的瞬態特性

深耗盡狀態的能帶圖

一、熱弛豫時間

二、信號電荷的影響

第四節 信息電荷的輸運 轉換效率

一、電荷轉移的三個因素

二、轉移效率、填充速率和排空率

第五節

電極排列和CCD制造工藝 一、三相CCD 二、二相CCD 第六節 體內（埋入）溝道CCD

一、表面態對轉移損耗和噪聲特性的影響

二、體內（埋入）溝道CCD的基本結構和工作原理

第七節

電荷的注入、檢測和再生

一、電注入與光注入

二、電荷檢測

電荷讀出法

三、電荷束的周期性再生或刷新

第八節

集成斗鏈器件

一、BBD的基本結構

二、工作原理

三、性能

第九節 電荷耦合圖象器件

一、行圖象器

二、面圖象器

三、工作原理和應用

三、教學方法

板書、講授、多媒體演示

四、成績評價方式

閉卷考試加平時作業、課堂討論

五、主要參考書目

1、孟慶巨、劉海波、孟慶輝編著 《半導體器件物理》，科學出版社，2005-6第二次印刷。

2、S M Sze.《半導體器件:物理和工藝》。王陽元、嵇光大、盧文豪譯。北京：科學出版社，1992

3、S M Sze.《現代半導體器件物理》科學出版社 2001年6月第一次印刷

4、愛得華·S·揚 《半導體器件物理基礎》，盧紀譯。北京：人民教育出版社，1981

5、劉文明 《半導體物理學》長春：吉林人民出版社，1982

6、孟憲章，康昌鶴.《半導體物理學》長春：吉林大學出版社，1993

7、R A史密斯.《半導體》(第二版).高鼎三等譯。北京：科學出版社，1987

8、Casey H C,Panish Jr M B.Heterostructure lasers.Academic Press,1978

9、Donald A·Nermen著《半導體物理與器件》 趙毅強，姚淑英，謝曉東譯 電子工業出版社，2005年2月第一次印刷