第一篇：模電2知識(shí)點(diǎn),考試必備

半導(dǎo)體的特性：呈電中性、熱敏性、濕敏性、摻雜性。

半導(dǎo)體的分類：本征半導(dǎo)體、雜質(zhì)半導(dǎo)體。純凈的不含其他雜質(zhì)的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體，其導(dǎo)電能力很弱。

半導(dǎo)體中存在兩種載流子：帶負(fù)電的自由電子和帶正電的空穴。載流子的特點(diǎn)：多子擴(kuò)散，少子漂移

常溫下，由于熱激發(fā)使一些價(jià)電子獲得足夠的能量而脫離共價(jià)鍵的束縛，成為“自由電子”，同時(shí)在原來的共價(jià)鍵中留下一個(gè)空位，稱為“空穴”。

本征半導(dǎo)體中存在數(shù)量相等的兩種載流子，即“電子空穴對(duì)”。

半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力取決于載流子的濃度，但本征激發(fā)產(chǎn)生的載流子濃度很低。

本征半導(dǎo)體中載流子的濃度決定因素：材料本身性質(zhì)和溫度（呈指數(shù)關(guān)系）。溫度越高，載流子的濃度越高，本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力越強(qiáng)。雜質(zhì)半導(dǎo)體：在本征半導(dǎo)體中摻入微量的雜質(zhì)，會(huì)使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著的變化。

其原因是摻雜后的半導(dǎo)體，某種載流子的濃度會(huì)大大增加。使自由電子濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體稱為N（加入+5價(jià)雜質(zhì)施主原子）型半導(dǎo)體（電子型半導(dǎo)體，多子是自由電子，少子是空穴，雜質(zhì)越多，自由電子越多，導(dǎo)電能力越強(qiáng)），使空穴濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體稱為P（+3價(jià)受主原子）型半導(dǎo)體（空穴型半導(dǎo)體）。

載流子的運(yùn)動(dòng)：多子擴(kuò)散，少子漂移。兩者分別受濃度和溫度的影響。擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)：由于載流子的濃度差而產(chǎn)生的運(yùn)動(dòng)。漂移運(yùn)動(dòng)：載流子在電場(chǎng)的作用下而產(chǎn)生的運(yùn)動(dòng)。在同一片半導(dǎo)體基片上，用不同的摻雜工藝使其一邊形成P型半導(dǎo)體，另一邊形成N型半導(dǎo)體，則在兩種半導(dǎo)體的交界面將形成PN結(jié)。PN結(jié)是多子擴(kuò)散和少子漂移達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡的結(jié)果。

擴(kuò)散和漂移這一對(duì)相反的運(yùn)動(dòng)最終達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，使空間電荷區(qū)的寬度不再變化，即形成了PN結(jié)（空間電荷區(qū)）。由于空間電荷區(qū)內(nèi)缺少可以自由運(yùn)動(dòng)的載流子，所以又稱為耗盡層。

內(nèi)電場(chǎng)的方向是：N區(qū)指向P區(qū)，其作用是阻止多子擴(kuò)散、促進(jìn)少子漂移。

在PN結(jié)上外加一個(gè)正向電壓，正極接P區(qū)，稱為正向偏置。反之稱為反向偏置。

外電場(chǎng)對(duì)內(nèi)電場(chǎng)的作用：正向削弱，反向增強(qiáng)。對(duì)電荷區(qū)的影響：正向變窄。

PN結(jié)的單向?qū)щ娦浴?/p>

正向偏置:多子的擴(kuò)散加強(qiáng)，形成較大的正向電流。反向偏置:少子的漂移加強(qiáng)，但只能形成很小的反向電流

雙極型三極管在放大區(qū)的條件：內(nèi)部條件：發(fā)射區(qū)高摻雜，基區(qū)很薄，集電極面積寬；外部條件：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。

（NPN:Uc>Ub>Ue）溫度上升10°C，Ic升高（Icbo增加一倍，Iceo=(1+β)Icbo）.截止區(qū)：發(fā)射結(jié)和集電結(jié)反偏。飽和區(qū)：發(fā)射結(jié)和集電結(jié)正偏。導(dǎo)通電壓：死區(qū)電壓：

放大電路放大的本質(zhì)是：能量的控制和轉(zhuǎn)換。前提是：保征。單管共發(fā)射極放大電路，基極偏置電路的作用是：隔直通交。

一些電子設(shè)備在常溫下能夠正常工作，但當(dāng)溫度升高時(shí)，性能就可能不穩(wěn)定，產(chǎn)生這種現(xiàn)象的主要原因，是電子器件的參數(shù)受溫度影響而發(fā)生改變。溫度升高時(shí)，靜態(tài)工作點(diǎn)移近飽和區(qū)，使輸出波形產(chǎn)生嚴(yán)重的飽和失真。

單管共集電路（射極跟隨器）的特點(diǎn)：①電壓放大倍數(shù)小于1但接近1，輸出電壓與輸入電壓極性相同。②輸入阻抗高③輸出阻抗低④有電流放大作用，也有功率放大⑤輸出與輸入隔離效果好。

Ai=Uo/Ui（電壓放大倍數(shù)，輸出電壓與輸入電壓之比）Ri=Ui/Ii(輸入電阻，描述放大電路對(duì)信號(hào)源索取電流的大小)Ro(輸出電阻，表征放大電路帶負(fù)載的能力)

一、集成運(yùn)放的電路結(jié)構(gòu)特點(diǎn)1.直接耦合 2.差動(dòng)放大作輸入級(jí) 3.采用電流源4.采用復(fù)合管 5.用復(fù)雜電路實(shí)現(xiàn)高性能的放大電路，因?yàn)殡娐窂?fù)雜并不增加制作工序。

差模信號(hào)：兩個(gè)輸入信號(hào)大小相等、在輸入端極性相反。

Kcmrr=|Aud/Auc|(共模抑制比，差動(dòng)放大器抑制共模的能力)Kcmrr=20Log|Aud/Auc|單位：分貝

集成運(yùn)放，是具有高放大倍數(shù)的集成電路。它的內(nèi)部是直接耦合的多級(jí)放大器，整個(gè)電路可分為偏置電路、輸入級(jí)、中間級(jí)、輸出級(jí)三部分。輸入級(jí)采用差分放大電路，輸入電阻高以消除零點(diǎn)漂移和抑制干擾；中間級(jí)一般采用共發(fā)射極電路，以獲得足夠高的電壓增益，其作用是提高運(yùn)算放大器的電壓放大倍數(shù)；輸出級(jí)一般采用互補(bǔ)對(duì)稱功放電路，以輸出足夠大的電壓和電流，其輸出電阻小，負(fù)載能力強(qiáng)。偏置電路為各級(jí)提供合適的靜態(tài)工作電流。

集成運(yùn)放輸入輸出有四種組態(tài)，雙出的好。理想集成運(yùn)放的特點(diǎn):輸入阻抗無窮大，輸入電流為零；失調(diào)電壓為零；開環(huán)電壓放大倍數(shù)：Avo無窮；輸入阻抗無限高；輸出阻抗低到0；無限寬的帶寬增益；寬輸入電壓從0到無限；無噪聲；無失真；無溫度漂移

理想運(yùn)放的特點(diǎn)：差模電壓放大倍數(shù)（Aud）無窮大；共模抑制比（Kcmrr）無窮大；輸入電阻無窮大；輸出電阻=0；輸入偏置電流Iib=0；輸入失調(diào)電流Iio= 0；輸入失調(diào)電壓為0；無限寬的帶寬增益（Fh）。運(yùn)放不加反饋稱為開環(huán)，此時(shí)的電壓放大倍數(shù)稱為開環(huán)增益。常用分貝表示20Log|Audo|。

引入反饋的原則：1穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)引入直流負(fù)反饋2；改善交流性能引入交流負(fù)反饋；3穩(wěn)定輸出電壓引入電壓負(fù)反饋；4穩(wěn)定輸出電流引入電流負(fù)反饋；5增大輸入電阻引入串聯(lián)負(fù)反饋；6減小輸入電阻引入并聯(lián)負(fù)反饋。自激振蕩的條件是：AF=—1，幅度條件是：|AF|=1，相位條件是：argAF=Ψa+ψf=+(2n+1)π(所有AF上均有小黑點(diǎn))。

負(fù)反饋對(duì)放大電路的影響：串聯(lián)負(fù)反饋使Ri增大，并聯(lián)使之減小；電壓負(fù)反饋使Ro減小。

正弦振蕩平衡條件：|AF|=1，相位條件是：argAF=Ψa+ψf=+2nπ，起振條件是|A|>3，Rf>2R

電容三點(diǎn)式，優(yōu)點(diǎn)：輸出波形好，接近于正弦波；因晶體管的輸入輸出電容與回路電容并聯(lián)，可適當(dāng)增加回路電容提高穩(wěn)定性；工作頻率較高。缺點(diǎn)：調(diào)整頻率困難，起振困難。

電感三點(diǎn)式，優(yōu)點(diǎn)：起振容易，調(diào)整方便。缺點(diǎn)：輸出波形不好；在頻率較高時(shí)，不易起振。

三點(diǎn)式電路的判斷：射同余反。

功放分類：甲類（輸入信號(hào)在整個(gè)周期類都有電流流過三極管），乙類（只有半個(gè)周期Ic>0）,甲乙類（有半個(gè)以上周期Ic>0）

直流電源的組成：電源變壓器—整流電路—濾波器---穩(wěn)壓電路，作用：電源變壓器—降壓；整流電路—把交流電變?yōu)閱畏较虻闹绷麟姡瞧浞底兓艽螅覀儼堰@種直流電叫脈動(dòng)大的直流電；濾波電路—把脈動(dòng)大的直流電處理為平滑的脈動(dòng)小的直流電；穩(wěn)壓電路—得到穩(wěn)定的直流電。

三端集成穩(wěn)壓組成：穩(wěn)壓管、放大電路、基準(zhǔn)電源、采樣電路、啟動(dòng)電路、保護(hù)電路

特點(diǎn)：穩(wěn)壓性能良好，外圍元件簡(jiǎn)單，安裝調(diào)試方便，價(jià)格低廉。

半導(dǎo)體的特性：呈電中性、熱敏性、濕敏性、摻雜性。

半導(dǎo)體的分類：本征半導(dǎo)體、雜質(zhì)半導(dǎo)體。純凈的不含其他雜質(zhì)的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體，其導(dǎo)電能力很弱。

半導(dǎo)體中存在兩種載流子：帶負(fù)電的自由電子和帶正電的空穴。載流子的特點(diǎn)：多子擴(kuò)散，少子漂移

常溫下，由于熱激發(fā)使一些價(jià)電子獲得足夠的能量而脫離共價(jià)鍵的束縛，成為“自由電子”，同時(shí)在原來的共價(jià)鍵中留下一個(gè)空位，稱為“空穴”。

本征半導(dǎo)體中存在數(shù)量相等的兩種載流子，即“電子空穴對(duì)”。

半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力取決于載流子的濃度，但本征激發(fā)產(chǎn)生的載流子濃度很低。

本征半導(dǎo)體中載流子的濃度決定因素：材料本身性質(zhì)和溫度（呈指數(shù)關(guān)系）。溫度越高，載流子的濃度越高，本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力越強(qiáng)。雜質(zhì)半導(dǎo)體：在本征半導(dǎo)體中摻入微量的雜質(zhì)，會(huì)使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著的變化。

其原因是摻雜后的半導(dǎo)體，某種載流子的濃度會(huì)大大增加。使自由電子濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體稱為N（加入+5價(jià)雜質(zhì)施主原子）型半導(dǎo)體（電子型半導(dǎo)體，多子是自由電子，少子是空穴，雜質(zhì)越多，自由電子越多，導(dǎo)電能力越強(qiáng)），使空穴濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體稱為P（+3價(jià)受主原子）型半導(dǎo)體（空穴型半導(dǎo)體）。

載流子的運(yùn)動(dòng)：多子擴(kuò)散，少子漂移。兩者分別受濃度和溫度的影響。擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)：由于載流子的濃度差而產(chǎn)生的運(yùn)動(dòng)。漂移運(yùn)動(dòng)：載流子在電場(chǎng)的作用下而產(chǎn)生的運(yùn)動(dòng)。在同一片半導(dǎo)體基片上，用不同的摻雜工藝使其一邊形成P型半導(dǎo)體，另一邊形成N型半導(dǎo)體，則在兩種半導(dǎo)體的交界面將形成PN結(jié)。PN結(jié)是多子擴(kuò)散和少子漂移達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡的結(jié)果。

擴(kuò)散和漂移這一對(duì)相反的運(yùn)動(dòng)最終達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，使空間電荷區(qū)的寬度不再變化，即形成了PN結(jié)（空間電荷區(qū)）。由于空間電荷區(qū)內(nèi)缺少可以自由運(yùn)動(dòng)的載流子，所以又稱為耗盡層。

內(nèi)電場(chǎng)的方向是：N區(qū)指向P區(qū)，其作用是阻止多子擴(kuò)散、促進(jìn)少子漂移。

在PN結(jié)上外加一個(gè)正向電壓，正極接P區(qū)，稱為正向偏置。反之稱為反向偏置。

外電場(chǎng)對(duì)內(nèi)電場(chǎng)的作用：正向削弱，反向增強(qiáng)。對(duì)電荷區(qū)的影響：正向變窄。

PN結(jié)的單向?qū)щ娦浴?/p>

正向偏置:多子的擴(kuò)散加強(qiáng)，形成較大的正向電流。反向偏置:少子的漂移加強(qiáng)，但只能形成很小的反向電流

雙極型三極管在放大區(qū)的條件：內(nèi)部條件：發(fā)射區(qū)高摻雜，基區(qū)很薄，集電極面積寬；外部條件：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。

（NPN:Uc>Ub>Ue）溫度上升10°C，Ic升高（Icbo增加一倍，Iceo=(1+β)Icbo）.截止區(qū)：發(fā)射結(jié)和集電結(jié)反偏。飽和區(qū)：發(fā)射結(jié)和集電結(jié)正偏。導(dǎo)通電壓：死區(qū)電壓：

放大電路放大的本質(zhì)是：能量的控制和轉(zhuǎn)換。前提是：保征。單管共發(fā)射極放大電路，基極偏置電路的作用是：隔直通交。

一些電子設(shè)備在常溫下能夠正常工作，但當(dāng)溫度升高時(shí)，性能就可能不穩(wěn)定，產(chǎn)生這種現(xiàn)象的主要原因，是電子器件的參數(shù)受溫度影響而發(fā)生改變。溫度升高時(shí)，靜態(tài)工作點(diǎn)移近飽和區(qū)，使輸出波形產(chǎn)生嚴(yán)重的飽和失真。

單管共集電路（射極跟隨器）的特點(diǎn)：①電壓放大倍數(shù)小于1但接近1，輸出電壓與輸入電壓極性相同。②輸入阻抗高③輸出阻抗低④有電流放大作用，也有功率放大⑤輸出與輸入隔離效果好。

Ai=Uo/Ui（電壓放大倍數(shù)，輸出電壓與輸入電壓之比）Ri=Ui/Ii(輸入電阻，描述放大電路對(duì)信號(hào)源索取電流的大小)Ro(輸出電阻，表征放大電路帶負(fù)載的能力)

一、集成運(yùn)放的電路結(jié)構(gòu)特點(diǎn)1.直接耦合 2.差動(dòng)放大作輸入級(jí) 3.采用電流源4.采用復(fù)合管 5.用復(fù)雜電路實(shí)現(xiàn)高性能的放大電路，因?yàn)殡娐窂?fù)雜并不增加制作工序。

差模信號(hào)：兩個(gè)輸入信號(hào)大小相等、在輸入端極性相反。

Kcmrr=|Aud/Auc|(共模抑制比，差動(dòng)放大器抑制共模的能力)Kcmrr=20Log|Aud/Auc|單位：分貝

集成運(yùn)放，是具有高放大倍數(shù)的集成電路。它的內(nèi)部是直接耦合的多級(jí)放大器，整個(gè)電路可分為偏置電路、輸入級(jí)、中間級(jí)、輸出級(jí)三部分。輸入級(jí)采用差分放大電路，輸入電阻高以消除零點(diǎn)漂移和抑制干擾；中間級(jí)一般采用共發(fā)射極電路，以獲得足夠高的電壓增益，其作用是提高運(yùn)算放大器的電壓放大倍數(shù)；輸出級(jí)一般采用互補(bǔ)對(duì)稱功放電路，以輸出足夠大的電壓和電流，其輸出電阻小，負(fù)載能力強(qiáng)。偏置電路為各級(jí)提供合適的靜態(tài)工作電流。

集成運(yùn)放輸入輸出有四種組態(tài)，雙出的好。理想集成運(yùn)放的特點(diǎn):輸入阻抗無窮大，輸入電流為零；失調(diào)電壓為零；開環(huán)電壓放大倍數(shù)：Avo無窮；輸入阻抗無限高；輸出阻抗低到0；無限寬的帶寬增益；寬輸入電壓從0到無限；無噪聲；無失真；無溫度漂移

理想運(yùn)放的特點(diǎn)：差模電壓放大倍數(shù)（Aud）無窮大；共模抑制比（Kcmrr）無窮大；輸入電阻無窮大；輸出電阻=0；輸入偏置電流Iib=0；輸入失調(diào)電流Iio= 0；輸入失調(diào)電壓為0；無限寬的帶寬增益（Fh）。運(yùn)放不加反饋稱為開環(huán)，此時(shí)的電壓放大倍數(shù)稱為開環(huán)增益。常用分貝表示20Log|Audo|。

引入反饋的原則：1穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)引入直流負(fù)反饋2；改善交流性能引入交流負(fù)反饋；3穩(wěn)定輸出電壓引入電壓負(fù)反饋；4穩(wěn)定輸出電流引入電流負(fù)反饋；5增大輸入電阻引入串聯(lián)負(fù)反饋；6減小輸入電阻引入并聯(lián)負(fù)反饋。自激振蕩的條件是：AF=—1，幅度條件是：|AF|=1，相位條件是：argAF=Ψa+ψf=+(2n+1)π(所有AF上均有小黑點(diǎn))。

負(fù)反饋對(duì)放大電路的影響：串聯(lián)負(fù)反饋使Ri增大，并聯(lián)使之減小；電壓負(fù)反饋使Ro減小。

正弦振蕩平衡條件：|AF|=1，相位條件是：argAF=Ψa+ψf=+2nπ，起振條件是|A|>3，Rf>2R

電容三點(diǎn)式，優(yōu)點(diǎn)：輸出波形好，接近于正弦波；因晶體管的輸入輸出電容與回路電容并聯(lián)，可適當(dāng)增加回路電容提高穩(wěn)定性；工作頻率較高。缺點(diǎn)：調(diào)整頻率困難，起振困難。

電感三點(diǎn)式，優(yōu)點(diǎn)：起振容易，調(diào)整方便。缺點(diǎn)：輸出波形不好；在頻率較高時(shí)，不易起振。

三點(diǎn)式電路的判斷：射同余反。

功放分類：甲類（輸入信號(hào)在整個(gè)周期類都有電流流過三極管），乙類（只有半個(gè)周期Ic>0）,甲乙類（有半個(gè)以上周期Ic>0）

直流電源的組成：電源變壓器—整流電路—濾波器---穩(wěn)壓電路，作用：電源變壓器—降壓；整流電路—把交流電變?yōu)閱畏较虻闹绷麟姡瞧浞底兓艽螅覀儼堰@種直流電叫脈動(dòng)大的直流電；濾波電路—把脈動(dòng)大的直流電處理為平滑的脈動(dòng)小的直流電；穩(wěn)壓電路—得到穩(wěn)定的直流電。

三端集成穩(wěn)壓組成：穩(wěn)壓管、放大電路、基準(zhǔn)電源、采樣電路、啟動(dòng)電路、保護(hù)電路

特點(diǎn)：穩(wěn)壓性能良好，外圍元件簡(jiǎn)單，安裝調(diào)試方便，價(jià)格低廉。

半導(dǎo)體的特性：呈電中性、熱敏性、濕敏性、摻雜性。

半導(dǎo)體的分類：本征半導(dǎo)體、雜質(zhì)半導(dǎo)體。純凈的不含其他雜質(zhì)的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體，其導(dǎo)電能力很弱。

半導(dǎo)體中存在兩種載流子：帶負(fù)電的自由電子和帶正電的空穴。載流子的特點(diǎn)：多子擴(kuò)散，少子漂移

常溫下，由于熱激發(fā)使一些價(jià)電子獲得足夠的能量而脫離共價(jià)鍵的束縛，成為“自由電子”，同時(shí)在原來的共價(jià)鍵中留下一個(gè)空位，稱為“空穴”。

本征半導(dǎo)體中存在數(shù)量相等的兩種載流子，即“電子空穴對(duì)”。

半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力取決于載流子的濃度，但本征激發(fā)產(chǎn)生的載流子濃度很低。

本征半導(dǎo)體中載流子的濃度決定因素：材料本身性質(zhì)和溫度（呈指數(shù)關(guān)系）。溫度越高，載流子的濃度越高，本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力越強(qiáng)。雜質(zhì)半導(dǎo)體：在本征半導(dǎo)體中摻入微量的雜質(zhì)，會(huì)使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著的變化。

其原因是摻雜后的半導(dǎo)體，某種載流子的濃度會(huì)大大增加。使自由電子濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體稱為N（加入+5價(jià)雜質(zhì)施主原子）型半導(dǎo)體（電子型半導(dǎo)體，多子是自由電子，少子是空穴，雜質(zhì)越多，自由電子越多，導(dǎo)電能力越強(qiáng)），使空穴濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體稱為P（+3價(jià)受主原子）型半導(dǎo)體（空穴型半導(dǎo)體）。

載流子的運(yùn)動(dòng)：多子擴(kuò)散，少子漂移。兩者分別受濃度和溫度的影響。擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)：由于載流子的濃度差而產(chǎn)生的運(yùn)動(dòng)。漂移運(yùn)動(dòng)：載流子在電場(chǎng)的作用下而產(chǎn)生的運(yùn)動(dòng)。在同一片半導(dǎo)體基片上，用不同的摻雜工藝使其一邊形成P型半導(dǎo)體，另一邊形成N型半導(dǎo)體，則在兩種半導(dǎo)體的交界面將形成PN結(jié)。PN結(jié)是多子擴(kuò)散和少子漂移達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡的結(jié)果。

擴(kuò)散和漂移這一對(duì)相反的運(yùn)動(dòng)最終達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，使空間電荷區(qū)的寬度不再變化，即形成了PN結(jié)（空間電荷區(qū)）。由于空間電荷區(qū)內(nèi)缺少可以自由運(yùn)動(dòng)的載流子，所以又稱為耗盡層。

內(nèi)電場(chǎng)的方向是：N區(qū)指向P區(qū)，其作用是阻止多子擴(kuò)散、促進(jìn)少子漂移。

在PN結(jié)上外加一個(gè)正向電壓，正極接P區(qū)，稱為正向偏置。反之稱為反向偏置。

外電場(chǎng)對(duì)內(nèi)電場(chǎng)的作用：正向削弱，反向增強(qiáng)。對(duì)電荷區(qū)的影響：正向變窄。

PN結(jié)的單向?qū)щ娦浴?/p>

正向偏置:多子的擴(kuò)散加強(qiáng)，形成較大的正向電流。反向偏置:少子的漂移加強(qiáng)，但只能形成很小的反向電流

雙極型三極管在放大區(qū)的條件：內(nèi)部條件：發(fā)射區(qū)高摻雜，基區(qū)很薄，集電極面積寬；外部條件：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。

（NPN:Uc>Ub>Ue）溫度上升10°C，Ic升高（Icbo增加一倍，Iceo=(1+β)Icbo）.截止區(qū)：發(fā)射結(jié)和集電結(jié)反偏。飽和區(qū)：發(fā)射結(jié)和集電結(jié)正偏。導(dǎo)通電壓：死區(qū)電壓：

放大電路放大的本質(zhì)是：能量的控制和轉(zhuǎn)換。前提是：保征。單管共發(fā)射極放大電路，基極偏置電路的作用是：隔直通交。

一些電子設(shè)備在常溫下能夠正常工作，但當(dāng)溫度升高時(shí)，性能就可能不穩(wěn)定，產(chǎn)生這種現(xiàn)象的主要原因，是電子器件的參數(shù)受溫度影響而發(fā)生改變。溫度升高時(shí)，靜態(tài)工作點(diǎn)移近飽和區(qū)，使輸出波形產(chǎn)生嚴(yán)重的飽和失真。

單管共集電路（射極跟隨器）的特點(diǎn)：①電壓放大倍數(shù)小于1但接近1，輸出電壓與輸入電壓極性相同。②輸入阻抗高③輸出阻抗低④有電流放大作用，也有功率放大⑤輸出與輸入隔離效果好。

Ai=Uo/Ui（電壓放大倍數(shù)，輸出電壓與輸入電壓之比）Ri=Ui/Ii(輸入電阻，描述放大電路對(duì)信號(hào)源索取電流的大小)Ro(輸出電阻，表征放大電路帶負(fù)載的能力)

一、集成運(yùn)放的電路結(jié)構(gòu)特點(diǎn)1.直接耦合 2.差動(dòng)放大作輸入級(jí) 3.采用電流源4.采用復(fù)合管 5.用復(fù)雜電路實(shí)現(xiàn)高性能的放大電路，因?yàn)殡娐窂?fù)雜并不增加制作工序。

差模信號(hào)：兩個(gè)輸入信號(hào)大小相等、在輸入端極性相反。

Kcmrr=|Aud/Auc|(共模抑制比，差動(dòng)放大器抑制共模的能力)Kcmrr=20Log|Aud/Auc|單位：分貝

集成運(yùn)放，是具有高放大倍數(shù)的集成電路。它的內(nèi)部是直接耦合的多級(jí)放大器，整個(gè)電路可分為偏置電路、輸入級(jí)、中間級(jí)、輸出級(jí)三部分。輸入級(jí)采用差分放大電路，輸入電阻高以消除零點(diǎn)漂移和抑制干擾；中間級(jí)一般采用共發(fā)射極電路，以獲得足夠高的電壓增益，其作用是提高運(yùn)算放大器的電壓放大倍數(shù)；輸出級(jí)一般采用互補(bǔ)對(duì)稱功放電路，以輸出足夠大的電壓和電流，其輸出電阻小，負(fù)載能力強(qiáng)。偏置電路為各級(jí)提供合適的靜態(tài)工作電流。

集成運(yùn)放輸入輸出有四種組態(tài)，雙出的好。理想集成運(yùn)放的特點(diǎn):輸入阻抗無窮大，輸入電流為零；失調(diào)電壓為零；開環(huán)電壓放大倍數(shù)：Avo無窮；輸入阻抗無限高；輸出阻抗低到0；無限寬的帶寬增益；寬輸入電壓從0到無限；無噪聲；無失真；無溫度漂移

理想運(yùn)放的特點(diǎn)：差模電壓放大倍數(shù)（Aud）無窮大；共模抑制比（Kcmrr）無窮大；輸入電阻無窮大；輸出電阻=0；輸入偏置電流Iib=0；輸入失調(diào)電流Iio= 0；輸入失調(diào)電壓為0；無限寬的帶寬增益（Fh）。運(yùn)放不加反饋稱為開環(huán)，此時(shí)的電壓放大倍數(shù)稱為開環(huán)增益。常用分貝表示20Log|Audo|。

引入反饋的原則：1穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)引入直流負(fù)反饋2；改善交流性能引入交流負(fù)反饋；3穩(wěn)定輸出電壓引入電壓負(fù)反饋；4穩(wěn)定輸出電流引入電流負(fù)反饋；5增大輸入電阻引入串聯(lián)負(fù)反饋；6減小輸入電阻引入并聯(lián)負(fù)反饋。自激振蕩的條件是：AF=—1，幅度條件是：|AF|=1，相位條件是：argAF=Ψa+ψf=+(2n+1)π(所有AF上均有小黑點(diǎn))。

負(fù)反饋對(duì)放大電路的影響：串聯(lián)負(fù)反饋使Ri增大，并聯(lián)使之減小；電壓負(fù)反饋使Ro減小。

正弦振蕩平衡條件：|AF|=1，相位條件是：argAF=Ψa+ψf=+2nπ，起振條件是|A|>3，Rf>2R

電容三點(diǎn)式，優(yōu)點(diǎn)：輸出波形好，接近于正弦波；因晶體管的輸入輸出電容與回路電容并聯(lián)，可適當(dāng)增加回路電容提高穩(wěn)定性；工作頻率較高。缺點(diǎn)：調(diào)整頻率困難，起振困難。

電感三點(diǎn)式，優(yōu)點(diǎn)：起振容易，調(diào)整方便。缺點(diǎn)：輸出波形不好；在頻率較高時(shí)，不易起振。

三點(diǎn)式電路的判斷：射同余反。

功放分類：甲類（輸入信號(hào)在整個(gè)周期類都有電流流過三極管），乙類（只有半個(gè)周期Ic>0）,甲乙類（有半個(gè)以上周期Ic>0）

直流電源的組成：電源變壓器—整流電路—濾波器---穩(wěn)壓電路，作用：電源變壓器—降壓；整流電路—把交流電變?yōu)閱畏较虻闹绷麟姡瞧浞底兓艽螅覀儼堰@種直流電叫脈動(dòng)大的直流電；濾波電路—把脈動(dòng)大的直流電處理為平滑的脈動(dòng)小的直流電；穩(wěn)壓電路—得到穩(wěn)定的直流電。

三端集成穩(wěn)壓組成：穩(wěn)壓管、放大電路、基準(zhǔn)電源、采樣電路、啟動(dòng)電路、保護(hù)電路

特點(diǎn)：穩(wěn)壓性能良好，外圍元件簡(jiǎn)單，安裝調(diào)試方便，價(jià)格低廉。

第二篇：模電知識(shí)點(diǎn)總結(jié)

第一章 緒論

1.掌握放大電路的主要性能指標(biāo)：輸入電阻，輸出電阻，增益，頻率響應(yīng)，非線性失真 2.根據(jù)增益，放大電路有那些分類：電壓放大，電流放大，互阻放大，互導(dǎo)放大 第二章 預(yù)算放大器

1.集成運(yùn)放適合于放大差模信號(hào)

2.判斷集成運(yùn)放2個(gè)輸入端虛短虛斷 如：在運(yùn)算電路中，集成運(yùn)放的反相輸入端是否均為虛地。3.運(yùn)放組成的運(yùn)算電路一般均引入負(fù)反饋

4.當(dāng)集成運(yùn)放工作在非線性區(qū)時(shí)，輸出電壓不是高電平，就是低電平。5.根據(jù)輸入輸出表達(dá)式判斷電路種類

同相：兩輸入端電壓大小接近相等，相位相等。

反相：虛地。

第三章 二極管及其基本電路

1.二極管最主要的特征：?jiǎn)蜗驅(qū)щ娦?/p>

2.半導(dǎo)體二極管按其結(jié)構(gòu)的不同，分為面接觸型和點(diǎn)接觸型 3.面接觸型用于整流。點(diǎn)接觸型用于高頻電路和數(shù)字電路

4.雜質(zhì)半導(dǎo)體中少數(shù)載流子濃度只與溫度有關(guān) 5.摻雜半導(dǎo)體中多數(shù)載流子主要來源于摻雜

6.在常溫下硅二極管的開啟電壓為0.5伏，鍺二極管的開啟電壓為0.1伏 7.硅二極管管壓降0.7伏，鍺二極管管壓降0.2伏 8.PN結(jié)的電容效應(yīng)是勢(shì)壘電容,擴(kuò)散電容

9.PN結(jié)加電壓時(shí),空間電荷區(qū)的變化情況

正向電壓:外電場(chǎng)將多數(shù)載流子推向空間電荷區(qū),使其變窄,削弱內(nèi)電場(chǎng),擴(kuò)散加劇 反向電壓:外電場(chǎng)使空間電荷區(qū)變寬,加強(qiáng)內(nèi)電場(chǎng),阻止擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)進(jìn)行 10.當(dāng)PN結(jié)處于正向偏置時(shí),擴(kuò)散電容大.當(dāng)PN結(jié)反向偏置時(shí),勢(shì)壘電容大 11.穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓時(shí),工作在反向擊穿區(qū).發(fā)光二極管發(fā)光時(shí),工作在正向?qū)▍^(qū) 12.穩(wěn)壓管稱為齊納二極管

13.光電二極管是將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的器件,它在PN結(jié)反向偏置狀態(tài)下運(yùn)行,反向電壓下進(jìn)行,反向電流隨光照強(qiáng)度的增加而上升

14.如何用萬用表測(cè)量二極管的陰陽(yáng)極和判斷二極管的質(zhì)量?jī)?yōu)劣?用萬用表的歐姆檔測(cè)量二極管的電阻,記錄下數(shù)值,然后交換表筆在測(cè)量一次,記錄下來.兩個(gè)結(jié)果,應(yīng)一大一小,讀數(shù)小的那次,黑表筆接的是陽(yáng)極,紅表筆接的是陰極.這個(gè)讀數(shù)相差越多,二極管的質(zhì)量越好.當(dāng)兩個(gè)讀數(shù)都趨于無窮大時(shí),二極管斷路.當(dāng)兩個(gè)讀數(shù)都趨于零時(shí),二極管短路 第四章 雙極結(jié)型三極管及放大電路

1.半導(dǎo)體三極管又稱雙極結(jié)型三極管,簡(jiǎn)稱BJT是放大器的核心器件 2.采用微變等效電路求放大電路在小信號(hào)運(yùn)用時(shí),動(dòng)態(tài)特性參數(shù) 3.晶體三極管可以工作在: 放大區(qū),發(fā)射結(jié)正偏,集電極反偏 飽和區(qū),發(fā)射結(jié)集電極正偏 截止區(qū),發(fā)射結(jié)集電極反偏 4.NPN,PNP,硅鍺管的判斷

5.工作在放大區(qū)的三極管，若當(dāng)Ib以12?A增大到22?A時(shí)，Ic從1mA變?yōu)?mA，?約為100 6.直流偏置電路的作用是給放大電路設(shè)置一個(gè)合適的靜態(tài)工作點(diǎn)，若工作點(diǎn)選的太高——飽和失真。選得太低——截止失真 7.頂部削平——截止失真。底部削平——飽和失真

8.共集電極放大電路，電壓增益小于1而接近于1，輸出電壓與輸入電壓同相，輸入電阻高，輸出電阻低，起阻抗變換的作用——緩沖級(jí)，輸入級(jí)，輸出級(jí)，有電壓跟隨作用 9.共射級(jí)放大電路的電壓和電流增益都大于1，輸入電阻在三中組態(tài)中，輸出電阻與集電極電阻有關(guān)，作為中間級(jí) 10.共基極放大電路只有電壓放大作用，沒有電流放大作用，有電流跟隨作用，輸入電阻小，輸出電阻與集電極電阻有關(guān)。高頻特性好，常用于高頻或?qū)掝l帶低輸入阻抗的場(chǎng)合，集成電路兼有點(diǎn)位移動(dòng)的功能

11.共射—共集：總的電壓增益是多級(jí)電壓增益乘積，要考慮級(jí)間互相影響 12.共集—共集：復(fù)合管電流放大系數(shù)等于各組成管電流放大系數(shù)乘積 13.放大電路需加合適的直流電源才能工作 14.影響放大器工作點(diǎn)的主要因素是溫度 15.電壓放大倍數(shù)空載是指RL=?

16.為增大電壓放大倍數(shù)，集成運(yùn)放的中間級(jí)多采用共射放大電路 17.帶負(fù)載能力強(qiáng)的放大器一定是輸出電阻低 18.射級(jí)跟隨器是共集電極放大電路

19.雙極型三極管是電流控制器件，工作在放大區(qū)時(shí)，發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏 20.場(chǎng)效管是電壓控制器件 21.各級(jí)放大電路增益關(guān)系

22.獲得輸入電壓中的低頻信號(hào)，選用低通濾波電路

23.已知輸入信號(hào)12KHz-14KHz，為防止干擾信號(hào)混入，選用帶通濾波電路

24.為使濾波電路的輸出電阻足夠小，保證負(fù)載電阻變化時(shí)，濾波特性不變，選用有源濾波電路 第五章 場(chǎng)效應(yīng)管放大電路

1.場(chǎng)效管本質(zhì)上是一個(gè)電壓控制電流源器件

2.在大規(guī)模集成電路的制造中，更多采用的是MOS工藝集成電路，而不是雙極型集成電路 3.場(chǎng)效應(yīng)管的類型：金屬—氧化物—半導(dǎo)體場(chǎng)效管，結(jié)型場(chǎng)效管 4.場(chǎng)效管的輸出特性分為幾個(gè)區(qū)：可變電阻區(qū)，飽和區(qū)，截止區(qū) 5.場(chǎng)效管工作在飽和區(qū)

6.對(duì)MOS管中的漏極和源級(jí)接入電路能對(duì)調(diào)使用

7.增強(qiáng)型與耗盡型差別：VDS=0時(shí)，增強(qiáng)型無溝道，耗盡型有溝道 8.柵極電流受參數(shù)控制：VGS 第六章 模擬集成電路

1.鏡像電流源電路——毫安級(jí)。微電流源電路——微安級(jí) 2.典型差動(dòng)放大電路的公共射級(jí)電阻Re，對(duì)共模信號(hào)有抑制作用

3.在差動(dòng)式放大電路中，差模輸入信號(hào)等于兩個(gè)輸入端信號(hào)的差，共模輸入信號(hào)等于兩個(gè)輸入信號(hào)的算術(shù)平均值

4.差模信號(hào)和共模信號(hào)一般是用電壓信號(hào)來描述的。兩輸入電壓之差稱為差模電壓。兩輸出電壓的算術(shù)平均值稱為共模電壓 5.差動(dòng)放大器對(duì)共模信號(hào)具有較強(qiáng)的抑制作用，真正要放大的是差模信號(hào)

6.通用型集成運(yùn)放的輸入級(jí)一般采用差分式放大電路，主要目的是抑制零點(diǎn)漂移 第七章 反饋放大電路

1.對(duì)于放大電路，開環(huán)指無反饋通路，閉環(huán)指有反饋通路 2.直流負(fù)反饋的作用：穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn) 3.負(fù)反饋四種組態(tài)及其特點(diǎn)

電壓串并負(fù)反饋——穩(wěn)定電壓

電流串并負(fù)反饋——穩(wěn)定電流

4.并聯(lián)反饋——減小輸入電阻。串聯(lián)反饋——增大輸入電阻

5.在深度負(fù)反饋時(shí)，閉環(huán)增益與開環(huán)增益無關(guān)

6.使凈輸入信號(hào)量比沒有引入反饋時(shí)減小了，稱這種反饋為負(fù)反饋。

性能影響：

1.閉環(huán)增益下降 2.提高增益的穩(wěn)定性 3.減小非線性失真 4.抑制反饋環(huán)內(nèi)噪聲 第八章 功率放大電路

1.功放的分類：甲類，乙類，甲乙類 2.每種運(yùn)放的特點(diǎn)

第九章 信號(hào)處理與信號(hào)產(chǎn)生電路 1.振蕩條件和起振條件

2.RC橋式振蕩電路的振蕩頻率 第十章 直流穩(wěn)壓電源 1.直流穩(wěn)壓電源電路組成

2.常用濾波器：電容濾波器，電感濾波器，?形濾波器 3.接線對(duì)調(diào)，極性不會(huì)相反

4.三端集成穩(wěn)壓器定義：最簡(jiǎn)單的集成穩(wěn)壓電源只有輸入、輸出、公共引出端，故稱為三端集成穩(wěn)壓器 5.具有放大環(huán)節(jié)的穩(wěn)壓電路中，電源調(diào)整工作在放大狀態(tài)。在開關(guān)電源中，調(diào)整管工作在開關(guān)狀態(tài)

第三篇：模電實(shí)驗(yàn)考試

實(shí)驗(yàn)三單級(jí)低頻放大器的設(shè)計(jì)、安裝和調(diào)試

1．RC和RL的變化對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)有否影響？

答：RC的變化會(huì)影響靜態(tài)工作點(diǎn)，如其它參數(shù)不變，則RC↑==>VCE↓。RL的變化對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)無影響，原因是C2的隔直作用。

2．RC和RL的變化對(duì)放大器的電壓增益有何影響？

??RL答：本實(shí)驗(yàn)電路中AU?rbe?，RL′= RC // RL，RL′增加時(shí)，∣AU∣的值變大，反之則減小。

3．放大器的上、下偏置電阻RB1和RB2若取得過小，將對(duì)放大器的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)指標(biāo)產(chǎn)生什么影響?

答：上、下偏置電阻RB1和RB2取得很小時(shí)，靜態(tài)穩(wěn)定性提高，但靜態(tài)功耗大增而浪費(fèi)能源，而且還會(huì)使放大器的輸入動(dòng)態(tài)電阻減小以致信號(hào)分流過大。

4．C3若嚴(yán)重漏電或者容量失效而開路，兩種器件故障分別對(duì)放大器產(chǎn)生什么影響？

答：C3若嚴(yán)重漏電會(huì)使R4短路失效，放大器不能穩(wěn)定工作，嚴(yán)重時(shí)會(huì)造成放大器處于飽和工作狀態(tài)，而不能放大信號(hào)。

C3容量失效而開路時(shí)，由于R4的作用，使放大器處于深度負(fù)反饋工作狀態(tài)，不能放大信號(hào)，AU≈-1。

Au=VOL/Vi>>1，所以Vi<

實(shí)驗(yàn)八集成運(yùn)放的線性應(yīng)用

1．集成運(yùn)放用于交流信號(hào)放大時(shí)，采用單、雙電源供電時(shí)各有什么優(yōu)缺點(diǎn)？

答：運(yùn)放采用單電源供電：優(yōu)點(diǎn)：電源種類少。缺點(diǎn)：電路中需增加器件，運(yùn)放輸出端的靜態(tài)電位不為零（VCC/2或-VCC/2）。

采用雙電源供電：優(yōu)點(diǎn)：應(yīng)用電路相對(duì)簡(jiǎn)單，輸出端靜態(tài)電位近似為零。缺點(diǎn)：電源種類多。

2．理想運(yùn)放具有哪些最主要的特點(diǎn)？

答：（1）差模電壓增益Ad為無窮大；（2）共模電壓增益AC為零；（3）輸入阻抗Rin為無窮大；（4）輸出阻抗RO為零；（5）有無限的帶寬，傳輸時(shí)無相移；（6）失調(diào)、溫漂、噪聲均為零。

3．集成運(yùn)放用于直流信號(hào)放大時(shí)，為何要進(jìn)行調(diào)零?

答：實(shí)際的集成運(yùn)放不是理想的運(yùn)放，往往存在失調(diào)電壓，為了提高實(shí)驗(yàn)測(cè)量精度，所以要進(jìn)行調(diào)零。

實(shí)驗(yàn)十負(fù)反饋放大器

1．負(fù)反饋放大器有哪四種組成形式，各種組成形式的作用是什么？

答：負(fù)反饋放大器有電壓串聯(lián)、電壓并聯(lián)、電流串聯(lián)和電流并聯(lián)負(fù)反饋四種組成形式。電壓串聯(lián)負(fù)反饋具有穩(wěn)定輸出電壓，降低輸出電阻，提高輸入電阻的作用。電壓并聯(lián)負(fù)反饋具有穩(wěn)定輸出電壓、降低輸出電阻和輸入電阻的作用。電流串聯(lián)負(fù)反饋具有穩(wěn)定輸出電流，提高輸出電阻和輸入電阻的作用。電流并聯(lián)負(fù)反饋具有穩(wěn)定輸出電流，提高輸出電阻，降低輸入電阻的作用。

2．如果把失真的信號(hào)加入到放大器的輸入端，能否用負(fù)反饋的方式來改善放大器的輸出失真波形？

答：不能。因?yàn)樨?fù)反饋放大器只能改善和消除電路內(nèi)部因素造成的失真。

實(shí)驗(yàn)十一 電平檢測(cè)器的設(shè)計(jì)與應(yīng)用

4）二極管VD1和VD2分別起什么作用？

答：分別保證發(fā)射極和集電極的偏置。

5）實(shí)驗(yàn)中，驅(qū)動(dòng)二極管V的基極電阻Rb的阻值如何確定？取值過大或者過小產(chǎn)生什么問題？ 答：Rb?14?2?0.714?2?0.7??25.2k?過大或者過小影響集電極電流的值，過大無法驅(qū)動(dòng)繼電器，過小燒壞三極管，紅燈不亮。ICQ/?50/100

實(shí)驗(yàn)三單級(jí)低頻放大器的設(shè)計(jì)、安裝和調(diào)試

1．RC和RL的變化對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)有否影響？

答：RC的變化會(huì)影響靜態(tài)工作點(diǎn)，如其它參數(shù)不變，則RC↑==>VCE↓。RL的變化對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)無影響，原因是C2的隔直作用。

2．RC和RL的變化對(duì)放大器的電壓增益有何影響？

??RL答：本實(shí)驗(yàn)電路中AU?rbe?，RL′= RC // RL，RL′增加時(shí)，∣AU∣的值變大，反之則減小。

3．放大器的上、下偏置電阻RB1和RB2若取得過小，將對(duì)放大器的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)指標(biāo)產(chǎn)生什么影響?

答：上、下偏置電阻RB1和RB2取得很小時(shí)，靜態(tài)穩(wěn)定性提高，但靜態(tài)功耗大增而浪費(fèi)能源，而且還會(huì)使放大器的輸入動(dòng)態(tài)電阻減小以致信號(hào)分流過大。

4．C3若嚴(yán)重漏電或者容量失效而開路，兩種器件故障分別對(duì)放大器產(chǎn)生什么影響？

答：C3若嚴(yán)重漏電會(huì)使R4短路失效，放大器不能穩(wěn)定工作，嚴(yán)重時(shí)會(huì)造成放大器處于飽和工作狀態(tài)，而不能放大信號(hào)。

C3容量失效而開路時(shí)，由于R4的作用，使放大器處于深度負(fù)反饋工作狀態(tài)，不能放大信號(hào)，AU≈-1。

Au=VOL/Vi>>1，所以Vi<

實(shí)驗(yàn)八集成運(yùn)放的線性應(yīng)用

1．集成運(yùn)放用于交流信號(hào)放大時(shí)，采用單、雙電源供電時(shí)各有什么優(yōu)缺點(diǎn)？

答：運(yùn)放采用單電源供電：優(yōu)點(diǎn)：電源種類少。缺點(diǎn)：電路中需增加器件，運(yùn)放輸出端的靜態(tài)電位不為零（VCC/2或-VCC/2）。

采用雙電源供電：優(yōu)點(diǎn)：應(yīng)用電路相對(duì)簡(jiǎn)單，輸出端靜態(tài)電位近似為零。缺點(diǎn)：電源種類多。

2．理想運(yùn)放具有哪些最主要的特點(diǎn)？

答：（1）差模電壓增益Ad為無窮大；（2）共模電壓增益AC為零；（3）輸入阻抗Rin為無窮大；（4）輸出阻抗RO為零；（5）有無限的帶寬，傳輸時(shí)無相移；（6）失調(diào)、溫漂、噪聲均為零。

3．集成運(yùn)放用于直流信號(hào)放大時(shí)，為何要進(jìn)行調(diào)零?

答：實(shí)際的集成運(yùn)放不是理想的運(yùn)放，往往存在失調(diào)電壓，為了提高實(shí)驗(yàn)測(cè)量精度，所以要進(jìn)行調(diào)零。

實(shí)驗(yàn)十負(fù)反饋放大器

1．負(fù)反饋放大器有哪四種組成形式，各種組成形式的作用是什么？

答：負(fù)反饋放大器有電壓串聯(lián)、電壓并聯(lián)、電流串聯(lián)和電流并聯(lián)負(fù)反饋四種組成形式。電壓串聯(lián)負(fù)反饋具有穩(wěn)定輸出電壓，降低輸出電阻，提高輸入電阻的作用。電壓并聯(lián)負(fù)反饋具有穩(wěn)定輸出電壓、降低輸出電阻和輸入電阻的作用。電流串聯(lián)負(fù)反饋具有穩(wěn)定輸出電流，提高輸出電阻和輸入電阻的作用。電流并聯(lián)負(fù)反饋具有穩(wěn)定輸出電流，提高輸出電阻，降低輸入電阻的作用。

2．如果把失真的信號(hào)加入到放大器的輸入端，能否用負(fù)反饋的方式來改善放大器的輸出失真波形？

答：不能。因?yàn)樨?fù)反饋放大器只能改善和消除電路內(nèi)部因素造成的失真。

實(shí)驗(yàn)十一 電平檢測(cè)器的設(shè)計(jì)與應(yīng)用

4）二極管VD1和VD2分別起什么作用？

答：分別保證發(fā)射極和集電極的偏置。

5）實(shí)驗(yàn)中，驅(qū)動(dòng)二極管V的基極電阻Rb的阻值如何確定？取值過大或者過小產(chǎn)生什么問題？ 答：Rb?

14?2?0.714?2?0.7??25.2k?過大或者過小影響集電極電流的值，過大無法驅(qū)動(dòng)繼電器，過小燒壞三極管，紅燈不亮。ICQ/?50/100

第四篇：模電課程設(shè)計(jì)報(bào)告 (2

華南理工大學(xué)廣州學(xué)院電子信息工程系

華南理工大學(xué)廣州學(xué)院

模擬電子技術(shù)課程設(shè)計(jì)報(bào)告

題目：集成功率放大器

專業(yè)： 電子信息工程 班級(jí)： 電信一班 姓名： 鐘志敏

同組隊(duì)員： 黃楚然、胡白云、陳杰華

梁書華、馮海東、李純、王秋秋 學(xué)號(hào)： 201038795044

日期：2011年 6 月

華南理工大學(xué)廣州學(xué)院電子信息工程系

一、設(shè)計(jì)目的

1、解集成功率放大器內(nèi)部電路工作原理

2、掌握其外圍電路的設(shè)計(jì)與主要性能參數(shù)測(cè)試方法

二、設(shè)計(jì)要求和設(shè)計(jì)指標(biāo)

1、技術(shù)指標(biāo)

（1）功率放大器輸出負(fù)載為一個(gè)

不失真功率（2）低頻截止頻率范圍為（3）集成功放選擇：

2、設(shè)計(jì)要求

（1）選定元器件和參數(shù)，并設(shè)計(jì)好電路原理圖；（2）組裝調(diào)試所設(shè)計(jì)的電路，使其正常工作；（3）在萬能板或面包板上進(jìn)行電路安裝調(diào)測(cè)；（4）測(cè)量最大不失真輸出功率（5）低頻截止頻率（6）寫出設(shè)計(jì)報(bào)告，提出元器件清單。

三、設(shè)計(jì)方案

可用于音頻功率放大器的芯片有很多，比如LA4100等。考慮到性能以及價(jià)格等因素，本次設(shè)計(jì)采用的是設(shè)計(jì)方案采用集成器件的LM系列功放集成電路是一種比較常用的功率放大器件，本電路采用LM384作為核心功放器件，8Ω/0.5w≥500mW； fL≤80Hz；

LM384功率5W,電源電壓Pomax是否滿足設(shè)計(jì)要求；fL是否滿足設(shè)計(jì)要求；

OTL電路。

優(yōu)點(diǎn)是不需要復(fù)雜的計(jì)算，12--26V, LM386、TDA1514A8的揚(yáng)聲器，最大輸出 Pomax負(fù)載歐。

、LM384。外接元件

華南理工大學(xué)廣州學(xué)院電子信息工程系

少，調(diào)試方便，布局方便。如圖所示為L(zhǎng)M384的外部電路典型接法，本設(shè)計(jì)方案便采用此圖。該集成塊電源電壓范圍為12—26V，當(dāng)電源電壓為22V，負(fù)載RL為8Ω時(shí)，最大輸出不失真功率不小于0.5W，低頻截止頻率小于80Hz,足以滿足設(shè)計(jì)要求。

四、工作原理說明和結(jié)果分析

1、集成功放LM384內(nèi)部原理圖

華南理工大學(xué)廣州學(xué)院電子信息工程系

2、總原理圖

華南理工大學(xué)廣州學(xué)院電子信息工程系

如圖，集成功放的電壓增益為32dB，利用10千歐的可變電阻可調(diào)節(jié)揚(yáng)聲器的音量。2.7歐的電阻與0.1微法的電容串聯(lián)可低通濾波，去高頻聲。

靜態(tài)時(shí)輸出電容上電壓為Vcc/2,LM384的最大輸出不失真電壓的峰-峰值約為電源電壓Vcc。設(shè)負(fù)載電阻為Rl,最大輸出功率表達(dá)式為 P=Vcc*Vcc/8RL,當(dāng)Vcc=22V,RL=8ΩSHI ,P=7.5W。符合最大不失真功率大于0.5W的要求。

五、本設(shè)計(jì)改進(jìn)建議

我認(rèn)為本次課程設(shè)計(jì)不錯(cuò)，只是時(shí)間有點(diǎn)緊張，我們沒有更好地設(shè)計(jì)出更理想的結(jié)果。缺點(diǎn)是有的，比如在焊接時(shí)，沒有考慮到整體的布局和美觀，導(dǎo)致把導(dǎo)線和元件焊在了同一面上。這樣雖然不影響功放的效果，但造成了電路整體布局的不規(guī)范和不美觀。我的建議是將導(dǎo)線和元件焊接在電路板正反兩面，這樣視覺效果會(huì)好一點(diǎn)。

六、總結(jié)（感想和心得等）

在本學(xué)期中，模電的課程設(shè)計(jì)是我們的重要課程實(shí)踐。在實(shí)踐中，華南理工大學(xué)廣州學(xué)院電子信息工程系

我們學(xué)到了許多課本以外的知識(shí)，比如LM384的使用，電路板的焊接，整體電路的調(diào)試和測(cè)量等。

兩周時(shí)間就過了，雖然時(shí)間短了點(diǎn)，而且由于我們的知識(shí)有限，因此設(shè)計(jì)較為簡(jiǎn)單沒有太過仔細(xì)，不過我感覺收獲良多。我們這次設(shè)計(jì)的是一個(gè)集成功率放大電路，為了實(shí)現(xiàn)功率的放大，經(jīng)過查閱資料與組員的商討，最終我們形成方案進(jìn)行設(shè)計(jì)。上面的電路就是我們的努力成果，它是由一個(gè)集成功放，幾個(gè)電阻和幾個(gè)電容組成的。其基本功能是對(duì)輸入的音頻信號(hào)進(jìn)行功率放大。

我們利用設(shè)計(jì)好的電路圖，用仿真軟件進(jìn)行多次的仿真設(shè)計(jì)分析。在此過程中，我們對(duì)集成功放的功能進(jìn)一步的了解，同時(shí)掌握了集成功放的原理。接下來便是電路的焊接，由于不太熟悉，所以出現(xiàn)了許多可以避免的錯(cuò)誤，比如沒有合理安排元件的位置，導(dǎo)致有些元件放不下，將電容的兩極弄錯(cuò)，導(dǎo)致電容燒毀。最后我們還是一一克服了這些問題。然后是對(duì)已經(jīng)完成的電路板進(jìn)行最后的測(cè)試，結(jié)果讓我們還算滿意。

兩個(gè)星期的課程設(shè)計(jì)，讓我們受益匪淺。不僅學(xué)到了新知識(shí)，還培養(yǎng)了我們的實(shí)際動(dòng)手能力，團(tuán)隊(duì)合作能力等。令我們認(rèn)識(shí)到，要珍惜和認(rèn)真對(duì)待每一次自己動(dòng)手的機(jī)會(huì)，從中學(xué)到一些課堂上學(xué)習(xí)不到的東西。在往后的日子，在學(xué)習(xí)理論的同時(shí)要更多的注重實(shí)踐，讓自己的知識(shí)更豐富。

七、元器件清單

1、實(shí)驗(yàn)電路板：1個(gè)；

華南理工大學(xué)廣州學(xué)院電子信息工程系

2、LM384：1個(gè)；

3、揚(yáng)聲器（8Ω/0.5w）：1個(gè)；

4、可變電阻（0-10KΩ）：1個(gè)；

5、電阻（2.7Ω）：1個(gè)；

6、電解電容（500微法/25V）：1個(gè)；

7、電容（5.0微法/50V）：1個(gè)；

8、電容（0.1微法）：2個(gè)。

八、參考文獻(xiàn)

1、《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)（第4版）

2、《電子技術(shù)試驗(yàn)與課程設(shè)計(jì)（第版社

3、《Multisim&Ultiboard 10原理圖與子工業(yè)出版社

第 7 頁(yè) 華成英主編，高等教育出版社3版）》 畢滿清主編，機(jī)械工業(yè)出PCB設(shè)計(jì)》 7 頁(yè)

》

劉剛等主編，電 共

第五篇：模電考試精華總結(jié)版

第一章 半導(dǎo)體二極管

一.半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)

1.半導(dǎo)體---導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅Si、鍺Ge)。2.特性---光敏、熱敏和摻雜特性。

3.本征半導(dǎo)體----純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。

4.兩種載流子----帶有正、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。

5.雜質(zhì)半導(dǎo)體----在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。

*P型半導(dǎo)體: 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素（多子是空穴，少子是電子）。

*N型半導(dǎo)體: 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價(jià)元素（多子是電子，少子是空穴）。6.雜質(zhì)半導(dǎo)體的特性

*載流子的濃度---多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫度有關(guān)。

*體電阻---通常把雜質(zhì)半導(dǎo)體自身的電阻稱為體電阻。

*轉(zhuǎn)型---通過改變摻雜濃度，一種雜質(zhì)半導(dǎo)體可以改型為另外一種雜質(zhì)半導(dǎo)體。7.PN結(jié)

* PN結(jié)的接觸電位差---硅材料約為0.6~0.8V，鍺材料約為0.2~0.3V。

* PN結(jié)的單向?qū)щ娦?--正偏導(dǎo)通，反偏截止。8.PN結(jié)的伏安特性

二.半導(dǎo)體二極管

*單向?qū)щ娦?-----正向?qū)ǎ聪蚪刂埂?二極管伏安特性----同ＰＮ結(jié)。

*正向?qū)▔航?-----硅管0.6~0.7V，鍺管0.2~0.3V。*死區(qū)電壓------硅管0.5V，鍺管0.1V。

3.分析方法------將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低: 若 V陽(yáng) >V陰(正偏)，二極管導(dǎo)通(短路);若 V陽(yáng)

該式與伏安特性曲線 的交點(diǎn)叫靜態(tài)工作點(diǎn)Q。

2)等效電路法

?

直流等效電路法

*總的解題手段----將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低: 若 V陽(yáng) >V陰(正偏)，二極管導(dǎo)通(短路);若 V陽(yáng)

? 微變等效電路法

三.穩(wěn)壓二極管及其穩(wěn)壓電路

*穩(wěn)壓二極管的特性---正常工作時(shí)處在PN結(jié)的反向擊穿區(qū)，所以穩(wěn)壓二極管在電路中要反向連接。

第二章 三極管及其基本放大電路

一.三極管的結(jié)構(gòu)、類型及特點(diǎn) 1.類型---分為NPN和PNP兩種。2.特點(diǎn)---基區(qū)很薄，且摻雜濃度最低；發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高，與基區(qū)接觸

面積較小；集電區(qū)摻雜濃度較高，與基區(qū)接觸面積較大。二.三極管的工作原理 1.三極管的三種基本組態(tài)

2.三極管內(nèi)各極電流的分配

* 共發(fā)射極電流放大系數(shù)(表明三極管是電流控制器件

式子

稱為穿透電流。

3.共射電路的特性曲線 *輸入特性曲線---同二極管。

* 輸出特性曲線

(飽和管壓降，用UCES表示

放大區(qū)---發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。截止區(qū)---發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。4.溫度影響

溫度升高，輸入特性曲線向左移動(dòng)。溫度升高ICBO、ICEO、IC以及β均增加。三.低頻小信號(hào)等效模型（簡(jiǎn)化）

hie---輸出端交流短路時(shí)的輸入電阻，常用rbe表示；

hfe---輸出端交流短路時(shí)的正向電流傳輸比，常用β表示；

四.基本放大電路組成及其原則 1.VT、VCC、Rb、Rc、C1、C2的作用。2.組成原則----能放大、不失真、能傳輸。五.放大電路的圖解分析法 1.直流通路與靜態(tài)分析 *概念---直流電流通的回路。*畫法---電容視為開路。*作用---確定靜態(tài)工作點(diǎn)

*直流負(fù)載線---由VCC=ICRC+UCE 確定的直線。*電路參數(shù)對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的影響

1）改變Rb ：Q點(diǎn)將沿直流負(fù)載線上下移動(dòng)。

2）改變Rc ：Q點(diǎn)在IBQ所在的那條輸出特性曲線上移動(dòng)。3）改變VCC：直流負(fù)載線平移，Q點(diǎn)發(fā)生移動(dòng)。2.交流通路與動(dòng)態(tài)分析 *概念---交流電流流通的回路

*畫法---電容視為短路,理想直流電壓源視為短路。*作用---分析信號(hào)被放大的過程。*交流負(fù)載線---連接Q點(diǎn)和V CC’點(diǎn) V CC’= UCEQ+ICQR L’的 直線。

3.靜態(tài)工作點(diǎn)與非線性失真

（1）截止失真

*產(chǎn)生原因---Q點(diǎn)設(shè)置過低

*失真現(xiàn)象---NPN管削頂，PNP管削底。*消除方法---減小Rb，提高Q。（2）飽和失真

*產(chǎn)生原因---Q點(diǎn)設(shè)置過高

*失真現(xiàn)象---NPN管削底，PNP管削頂。*消除方法---增大Rb、減小Rc、增大VCC。

4.放大器的動(dòng)態(tài)范圍

（1）Uopp---是指放大器最大不失真輸出電壓的峰峰值。（2）范圍 *當(dāng)（UCEQ－UCES)＞（VCC’ － UCEQ）時(shí)，受截止失真限制，UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。

*當(dāng)（UCEQ－UCES）＜（VCC’ － UCEQ）時(shí)，受飽和失真限制，UOPP=2UOMAX=2（UCEQ－UCES）。

*當(dāng)（UCEQ－UCES）＝（VCC’ － UCEQ），放大器將有最大的不失真輸出電壓。

六.放大電路的等效電路法 1.靜態(tài)分析

（1）靜態(tài)工作點(diǎn)的近似估算

（2）Q點(diǎn)在放大區(qū)的條件 欲使Q點(diǎn)不進(jìn)入飽和區(qū)，應(yīng)滿足RB＞βRc。

2.放大電路的動(dòng)態(tài)分析

* 放大倍數(shù)

* 輸入電阻

* 輸出電阻

七.分壓式穩(wěn)定工作點(diǎn)共射 放大電路的等效電路法 1．靜態(tài)分析

2．動(dòng)態(tài)分析 *電壓放大倍數(shù)

在Re兩端并一電解電容Ce后

輸入電阻

在Re兩端并一電解電容Ce后

* 輸出電阻

八.共集電極基本放大電路 1．靜態(tài)分析

2．動(dòng)態(tài)分* 電壓放

析 大倍數(shù)

* 輸入電阻

* 輸出電阻

3.電路特點(diǎn)

* 電壓放大倍數(shù)為正，且略小于1，稱為射極跟隨器，簡(jiǎn)稱射隨器。* 輸入電阻高，輸出電阻低。

第三章 場(chǎng)效應(yīng)管及其基本放大電路

一.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）1.結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號(hào)

2.輸出特性曲線

（可變電阻區(qū)、放大區(qū)、截止區(qū)、擊穿區(qū)）

轉(zhuǎn)移特性曲線

UP-----截止電壓

二.絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）

分為增強(qiáng)型（EMOS）和耗盡型（DMOS）兩種。結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號(hào)

2.特性曲線

*N-EMOS的輸出特性曲線

* N-EMOS的轉(zhuǎn)移特性曲線式中，IDO是UGS=2UT時(shí)所對(duì)應(yīng)的iD值。* N-DMOS的輸出特性曲線

注意：uGS可正、可零、可負(fù)。轉(zhuǎn)移特性曲線上iD=0處的值是夾斷電壓UP，此曲線表示式與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管一致。三.場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù) 1.漏極飽和電流IDSS 2.夾斷電壓Up 3.開啟電壓UT 4.直流輸入電阻RGS

5.低頻跨導(dǎo)gm(表明場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件)

四.場(chǎng)效應(yīng)管的小信號(hào)等效模型

E-MOS 的跨導(dǎo)gm---

五.共源極基本放大電路 1.自偏壓式偏置放大電路 * 靜態(tài)分析

動(dòng)態(tài)分析

若帶有Cs，則

2.分壓式偏置放大電路 * 靜態(tài)分析

* 動(dòng)態(tài)分析

若源極帶有Cs，則

六.共漏極基本放大電路 * 靜態(tài)分析

或

* 動(dòng)態(tài)分析

第四章 多級(jí)放大電路

一.級(jí)間耦合方

1.阻容耦合----各級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)彼此獨(dú)立；能有效地傳輸交流信號(hào)；式體積小，成本低。但不便于集成，低頻特性差。2.變壓器耦合---各級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)彼此獨(dú)立，可以實(shí)現(xiàn)阻抗變換。體積大，成本高，無法采用集成工藝；不利于傳輸?shù)皖l和高頻信號(hào)。3.直接耦合----低頻特性好，便于集成。各級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)不獨(dú)立，互相有影響。存在“零點(diǎn)漂移”現(xiàn)象。

*零點(diǎn)漂移----當(dāng)溫度變化或電源電壓改變時(shí)，靜態(tài)工作點(diǎn)也隨之變化，致使uo偏離初始值“零點(diǎn)”而作隨機(jī)變動(dòng)。二.單級(jí)放大電路的頻率響應(yīng) 1．中頻段(fL≤f≤fH)

波特圖---幅頻曲線是20lgAusm=常數(shù)，相頻曲線是φ=-180o。

2．低頻段

(f ≤

fL)

‘

3．高頻段(f ≥fH)

4．完整的基本共射放大電路的頻率特性

三.分壓式穩(wěn)定工作點(diǎn)電路的頻率響應(yīng) 1．下限頻率的估算

2．上限頻率的估算

四.多級(jí)放大電路的頻率響應(yīng) 1.頻響表達(dá)式

2.波特圖 3.五章 功率放大電路

一.功率放大電路的三種工作狀態(tài) 1.甲類工作狀態(tài)

導(dǎo)通角為360o，ICQ大，管耗大，效率低。2.乙類工作狀態(tài)

ICQ≈0，導(dǎo)通角為180o，效率高，失真大。3.甲乙類工作狀態(tài)

導(dǎo)通角為180o~360o，效率較高，失真較大。二.乙類功放電路的指標(biāo)估算 1.工作狀態(tài)

? 任意狀態(tài)：Uom≈Uim ? 盡限狀態(tài)：Uom=VCC-UCES ? 理想狀態(tài)：Uom≈VCC

2.輸出功率3.直流電源提供的平均功率

4.管耗 Pc1m=0.2Pom

5.效率

理想時(shí)為78.5% 三.甲乙類互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路 1.問題的提出

在兩管交替時(shí)出現(xiàn)波形失真——交越失真(本質(zhì)上是截止失真)。

2.解決辦法

? 甲乙類雙電源互補(bǔ)對(duì)稱功率放大器OCL----利用二極管、三極管和電阻上的壓降產(chǎn)生偏置電壓。

動(dòng)態(tài)指標(biāo)按乙類狀態(tài)估算。

? 甲乙類單電源互補(bǔ)對(duì)稱功率放大器OTL----電容 C2 上靜態(tài)電壓為VCC/2，并且取代了OCL功放中的負(fù)電源-VCC。

動(dòng)態(tài)指標(biāo)按乙類狀態(tài)估算，只是用VCC/2代替。四.復(fù)合管的組成及特點(diǎn) 1.前一個(gè)管子c-e極跨接在后一個(gè)管子的b-c極間。2.類型取決于第一只管子的類型。3.β=β1·β 2

第六章 集成運(yùn)算放大電路

一.集成運(yùn)放電路的基本組成

1.輸入級(jí)----采用差放電路，以減小零漂。

2.中間級(jí)----多采用共射(或共源)放大電路，以提高放大倍數(shù)。3.輸出級(jí)----多采用互補(bǔ)對(duì)稱電路以提高帶負(fù)載能力。

4.偏置電路----多采用電流源電路，為各級(jí)提供合適的靜態(tài)電流。二.長(zhǎng)尾差放電路的原理與特點(diǎn) 1.抑制零點(diǎn)漂移的過程----當(dāng)T↑→ iC1、iC2↑→ iE1、iE2 ↑→ uE↑→ uBE1、uBE2↓→ iB1、iB2↓→ iC1、iC2↓。

Re對(duì)溫度漂移及各種共模信號(hào)有強(qiáng)烈的抑制作用，被稱為“共模反饋電阻”。2靜態(tài)分析 1)計(jì)算差放電路IC 設(shè)UB≈0，則UE=－0.7V，得 2)計(jì)算差放電路UCE ? 雙端輸出時(shí)

? 單端輸出時(shí)(設(shè)VT1集電極接RL)對(duì)于VT1：

對(duì)于VT2：

3.動(dòng)態(tài)分析

1）差模電壓放大倍數(shù)

? 雙端輸出

? 單端輸出時(shí)

從VT1單端輸出 ：

從VT2單端輸出 ：

2）差模輸入電阻

3）差模輸出電阻 ? 雙端輸出：? 單端輸出:

三.集成運(yùn)放的電壓傳輸特性

當(dāng)uI在+Uim與-Uim之間，運(yùn)放工作在線性區(qū)域 ：

四.理想集成運(yùn)放的參數(shù)及分析方法 1.理想集成運(yùn)放的參數(shù)特征 * 開環(huán)電壓放大倍數(shù) Aod→∞； * 差模輸入電阻 Rid→∞； * 輸出電阻 Ro→0； * 共模抑制比KCMR→∞； 2.理想集成運(yùn)放的分析方法 1)運(yùn)放工作在線性區(qū): * 電路特征——引入負(fù)反饋

* 電路特點(diǎn)——“虛短”和“虛斷”: “虛短”---“虛斷”---2)運(yùn)放工作在非線性區(qū)

* 電路特征——開環(huán)或引入正反饋 * 電路特點(diǎn)——

輸出電壓的兩種飽和狀態(tài):

當(dāng)u+>u-時(shí)，uo=+Uom

當(dāng)u+

第七章 放大電路中的反饋

一.反饋概念的建立

＊開環(huán)放大倍數(shù)－－－Ａ ＊閉環(huán)放大倍數(shù)－－－Ａｆ ＊反饋深度－－－１＋ＡＦ ＊環(huán)路增益－－－ＡＦ：

1．當(dāng)ＡＦ＞０時(shí)，Ａｆ下降，這種反饋稱為負(fù)反饋。2．當(dāng)ＡＦ＝０時(shí)，表明反饋效果為零。

3．當(dāng)ＡＦ＜０時(shí)，Ａｆ升高，這種反饋稱為正反饋。

4．當(dāng)ＡＦ＝－１時(shí)，Ａｆ→∞。放大器處于 “ 自激振蕩”狀態(tài)。二．反饋的形式和判斷

1.反饋的范圍----本級(jí)或級(jí)間。2.反饋的性質(zhì)----交流、直流或交直流。直流通路中存在反饋則為直流反饋，交流通路中存 在反饋則為交流反饋，交、直流通路中都存在反饋 則為交、直流反饋。

3.反饋的取樣----電壓反饋：反饋量取樣于輸出電壓；具有穩(wěn)定輸出電壓的作用。

（輸出短路時(shí)反饋消失）電流反饋：反饋量取樣于輸出電流。具有穩(wěn)定輸出電流的作用。

（輸出短路時(shí)反饋不消失）

4.反饋的方式-----并聯(lián)反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電

流形式相疊加。Rs越大反饋效果越好。

反饋信號(hào)反饋到輸入端）

串聯(lián)反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電壓的形式相疊加。Rs越小反饋效果越好。

反饋信號(hào)反饋到非輸入端）5.反饋極性-----瞬時(shí)極性法：

（1）假定某輸入信號(hào)在某瞬時(shí)的極性為正（用+表示），并設(shè)信號(hào)的頻率在中頻段。

（2）根據(jù)該極性，逐級(jí)推斷出放大電路中各相關(guān)點(diǎn)的瞬時(shí)極性（升

高用 + 表示，降低用 － 表示）。（3）確定反饋信號(hào)的極性。（4）根據(jù)Xi 與X f 的極性，確定凈輸入信號(hào)的大小。Xid 減小為負(fù)反

饋；Xid 增大為正反饋。

三.反饋形式的描述方法

某反饋元件引入級(jí)間（本級(jí)）直流負(fù)反饋和交流電壓（電流）串

聯(lián)（并聯(lián)）負(fù)反饋。四.負(fù)反饋對(duì)放大電路性能的影響 1.提高放大倍數(shù)的穩(wěn)定性 2.3.擴(kuò)展頻帶

4.減小非線性失真及抑制干擾和噪聲 5.改變放大電路的輸入、輸出電阻 *串聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻增加1+AF倍 *并聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻減小1+AF倍 *電壓負(fù)反饋使輸出電阻減小1+AF倍 *電流負(fù)反饋使輸出電阻增加1+AF倍 五.自激振蕩產(chǎn)生的原因和條件 1.產(chǎn)生自激振蕩的原因

附加相移將負(fù)反饋轉(zhuǎn)化為正反饋。2.產(chǎn)生自激振蕩的條件

若表示為幅值和相位的條件則為：

第八章 信號(hào)的運(yùn)算與處理

分析依據(jù)------“虛斷”和“虛短” 一.基本運(yùn)算電路 1.反相比例運(yùn)算電路

R2 =R1//Rf

2.同相比例運(yùn)算電路

R2=R1//Rf

3.反相求和運(yùn)算電路

R4=R1//R2//R3//Rf

4.同相求和運(yùn)算電路

R1//R2//R3//R4=Rf//R5

5.加減運(yùn)算電路

R1//R2//Rf=R3//R4//R5

二.積分和微分運(yùn)算電路 1.積分運(yùn)算

2.微分運(yùn)算

第九章 信號(hào)發(fā)生電路

一.正弦波振蕩電路的基本概念

1.產(chǎn)生正弦波振蕩的條件(人為的直接引入正反饋)自激振蕩的平衡條件 : 即幅值平衡條件： 相位平衡條件： 2.起振條件: 幅值條件 ：相位條件:

3.正弦波振蕩器的組成、分類 正弦波振蕩器的組成

(1)放大電路-------建立和維持振蕩。

(2)正反饋網(wǎng)絡(luò)----與放大電路共同滿足振蕩條件。(3)選頻網(wǎng)絡(luò)-------以選擇某一頻率進(jìn)行振蕩。

(4)穩(wěn)幅環(huán)節(jié)-------使波形幅值穩(wěn)定，且波形的形狀良好。* 正弦波振蕩器的分類

(1)RC振蕩器-----振蕩頻率較低,1M以下;(2)LC振蕩器-----振蕩頻率較高,1M以上;(3)石英晶體振蕩器----振蕩頻率高且穩(wěn)定。二.RC正弦波振蕩電1.RC串并聯(lián)正弦波振

2.RC移相式正弦波振蕩電路

路 蕩電路

三.LC正弦波振蕩電路 1.變壓器耦合式LC振蕩電路

判斷相位的方法：

斷回路、引輸入、看相位

2.三點(diǎn)式LC振蕩器

*相位條件的判斷------“射同基反”或 “三步曲法”

(1)電感反饋三點(diǎn)式振蕩器(哈特萊電路)

(2)電容反饋三點(diǎn)式振蕩器(考畢茲電路)

(3)串聯(lián)改進(jìn)型電容反饋三點(diǎn)式振蕩器（克拉潑電路）

(4)并聯(lián)改進(jìn)型電容反饋三點(diǎn)式振蕩器（西勒電路）

(5)四.石英晶體振蕩電路 1.并聯(lián)型石英晶體振蕩器

2.串聯(lián)型石英晶體振蕩器

第十章 直流電源

一.直流電源的組成框圖

? 電源變壓器：將電網(wǎng)交流電壓變換為符合整流電路所需要的交流電壓。

? 整流電路：將正負(fù)交替的交流電壓整流成為單方向的脈動(dòng)電壓。? 濾波電路：將交流成分濾掉，使輸出電壓成為比較平滑的直流電壓。

? 穩(wěn)壓電路：自動(dòng)保持負(fù)載電壓的穩(wěn)定。? 二.單相半波整流電路 1．輸出電壓的平均值UO(AV)

2．輸出電壓的脈動(dòng)系數(shù)S

3．正向平均電流ID(AV)

4．最大反向電壓URM

三.單相全波整流電路 1．輸出電壓的平均值UO(AV)

2．輸出電壓的脈動(dòng)系數(shù)S

3．正向平均電流ID(AV)

4．最大反向電壓URM

四.單相橋式整流電路

UO(AV)、S、ID(AV)

與全波整流電路相同，URM與半波整流電路相同。

五.電容濾波電路 1． 放電時(shí)間常數(shù)的取值

2.輸出電壓的平均值UO(AV)

3.輸出電壓的脈動(dòng)系數(shù)S.整流二極管的平均電流I D(AV)

六.三種單相整流電容濾波電路的比較

七.并聯(lián)型穩(wěn)壓電路 1.穩(wěn)壓電路及其工作原理 *當(dāng)負(fù)載不變，電網(wǎng)電壓

變化時(shí)的穩(wěn)壓過程:

*當(dāng)電網(wǎng)電壓不變，負(fù)載變化時(shí)的穩(wěn)壓過程 :

2.電路參數(shù)的計(jì)算 * 穩(wěn)壓管的選擇

常取UZ=UO；IZM=(1.5~3)IOmax * 輸入電壓的確定

一般取UI(AV)=(2~3)UO * 限流電阻R的計(jì)算

R的選用原則是：IZmin

第一章

半導(dǎo)體二極管 一.半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)

1.半導(dǎo)體---導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅Si、鍺Ge)。

2.特性---光敏、熱敏和摻雜特性。

3.本征半導(dǎo)體----純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。

4.兩種載流子----帶有正、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。

5.雜質(zhì)半導(dǎo)體----在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。

*P型半導(dǎo)體:

在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素（多子是空穴，少子是電子）。

*N型半導(dǎo)體:

在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價(jià)元素（多子是電子，少子是空穴）。6.雜質(zhì)半導(dǎo)體的特性

*載流子的濃度---多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫度有關(guān)。

*體電阻---通常把雜質(zhì)半導(dǎo)體自身的電阻稱為體電阻。

*轉(zhuǎn)型---通過改變摻雜濃度，一種雜質(zhì)半導(dǎo)體可以改型為另外一種雜質(zhì)半導(dǎo)體。7.PN結(jié)

* PN結(jié)的接觸電位差---硅材料約為0.6~0.8V，鍺材料約為0.2~0.3V。

* PN結(jié)的單向?qū)щ娦?--正偏導(dǎo)通，反偏截止。

8.PN結(jié)的伏安特性

二.半導(dǎo)體二極管

*單向?qū)щ娦?-----正向?qū)ǎ聪蚪刂埂?/p>

*二極管伏安特性----同ＰＮ結(jié)。

*正向?qū)▔航?-----硅管0.6~0.7V，鍺管0.2~0.3V。

*死區(qū)電壓------硅管0.5V，鍺管0.1V。

3.分析方法------將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低:

若 V陽(yáng) >V陰(正偏)，二極管導(dǎo)通(短路);

若 V陽(yáng)

該式與伏安特性曲線 的交點(diǎn)叫靜態(tài)工作點(diǎn)Q。

2)等效電路法

?

直流等效電路法

*總的解題手段----將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低:

若 V陽(yáng) >V陰(正偏)，二極管導(dǎo)通(短路);

若 V陽(yáng)

*三種模型

? 微變等效電路法

三.穩(wěn)壓二極管及其穩(wěn)壓電路

*穩(wěn)壓二極管的特性---正常工作時(shí)處在PN結(jié)的反向擊穿區(qū)，所以穩(wěn)壓二極管在電路中要反向連接。

第二章

三極管及其基本放大電路 一.三極管的結(jié)構(gòu)、類型及特點(diǎn) 1.類型---分為NPN和PNP兩種。

2.特點(diǎn)---基區(qū)很薄，且摻雜濃度最低；發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高，與基區(qū)接觸

面積較小；集電區(qū)摻雜濃度較高，與基區(qū)接觸面積較大。

二.三極管的工作原理 1.三極管的三種基本組態(tài)

2.三極管內(nèi)各極電流的分配

* 共發(fā)射極電流放大系數(shù)(表明三極管是電流控制器件

式子

稱為穿透電流。

3.共射電路的特性曲線 *輸入特性曲線---同二極管。

* 輸出特性曲線

(飽和管壓降，用UCES表示 放大區(qū)---發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反截止區(qū)---發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。4.溫度影響

溫度升高，輸入特性曲線向左移動(dòng)。溫度升高ICBO、ICEO、IC以及β三.低頻小信號(hào)等效模型（簡(jiǎn)化）hie---輸出端交流短路時(shí)的輸入

常用rbe表示；

hfe---輸出端交流短路時(shí)的正向電流傳輸比，常用β表示；

四.基本放大電路組成及其原則 1.VT、VCC、Rb、Rc、C1、C2用。

2.組成原則----能放大、不失真、輸。

能傳的作電阻，均增加。偏。五.放大電路的圖解分析法 1.直流通路與靜態(tài)分析

*概念---直流電流通的回路。

*畫法---電容視為開路。

*作用---確定靜態(tài)工作點(diǎn)

*直流負(fù)載線---由VCC=ICRC+UCE 確定的直線。*電路參數(shù)對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的影響

1）改變Rb ：Q點(diǎn)將沿直流負(fù)載線上下移動(dòng)。

2）改變Rc ：Q點(diǎn)在IBQ所在的那條輸出特性曲線上移動(dòng)。

3）改變VCC：直流負(fù)載線平移，Q點(diǎn)發(fā)生移動(dòng)。

2.交流通路與動(dòng)態(tài)分析 *概念---交流電流流通的回路

*畫法---電容視為短路,理想直流電壓源視為短路。

*作用---分析信號(hào)被放大的過程。

*交流負(fù)載線---連接Q點(diǎn)和V CC’點(diǎn) V CC’= UCEQ+ICQR L’的 直線。

3.靜態(tài)工作點(diǎn)與非線性失真

（1）截止失真

*產(chǎn)生原因---Q點(diǎn)設(shè)置過低

*失真現(xiàn)象---NPN管削頂，PNP管削底。*消除方法---減小Rb，提高Q。（2）飽和失真

*產(chǎn)生原因---Q點(diǎn)設(shè)置過高

*失真現(xiàn)象---NPN管削底，PNP管削頂。*消除方法---增大Rb、減小Rc、增大VCC。

4.放大器的動(dòng)態(tài)范圍

（1）Uopp---是指放大器最大不失真輸出電壓的峰峰值。

（2）范圍

*當(dāng)（UCEQ－UCES）＞（VCC’ － UCEQ）時(shí)，受截止失真限制，UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。

*當(dāng)（UCEQ－UCES）＜（VCC’ － UCEQ）時(shí)，受飽和失真限制，UOPP=2UOMAX=2（UCEQ－UCES）。

*當(dāng)（UCEQ－UCES）＝（VCC’ － UCEQ），放大器將有最大的不失真輸出電壓。

六.放大電路的等效電路法 1.靜態(tài)分析

（1）靜態(tài)工作點(diǎn)的近似估

（2）Q點(diǎn)在放大區(qū)的條件

欲使Q點(diǎn)不進(jìn)入飽和區(qū)，應(yīng)滿足RB＞βRc。

2.放大電路的動(dòng)態(tài)分析

* 放大倍數(shù)

* 輸入電阻

算

* 輸出電阻

七.分壓式穩(wěn)定工

放大電路的1．靜態(tài)分析

2．動(dòng)態(tài)分析 *電壓放大倍數(shù)

在Re兩端并一電解電容Ce后

輸入電阻

在Re兩端并一電解電容Ce后

* 輸出電阻

作點(diǎn)共射 等效電路法

八.共集電極基本放大電路 1．靜態(tài)分析

2．動(dòng)態(tài)分析 * 電壓

放大倍數(shù)

* 輸入電阻

* 輸出電阻

3.電路特點(diǎn)

* 電壓放大倍數(shù)為正，且略小于1，稱為射極跟隨器，簡(jiǎn)稱射隨器。

* 輸入電阻高，輸出電阻低。

場(chǎng)效應(yīng)管及其放大電路 一.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）

1.結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號(hào)

2.輸出特性曲線

（可變電阻區(qū)、放大區(qū)、區(qū)、擊穿區(qū)）

轉(zhuǎn)移特性曲線

截止UP-----截止電壓

二.絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）

分為增強(qiáng)型（EMOS）和耗盡型（DMOS）兩種。結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號(hào)

2.特性曲線

*N-EMOS的輸出特性曲線

* N-EMOS的轉(zhuǎn)移特性曲線式中，IDO是UGS=2UT時(shí)所對(duì)應(yīng)的iD值。* N-DMOS的輸出特性曲線