第一篇：射頻健學習程序
#include “STC15F2K60S2.h” #include
#define uchar unsigned char #define uint unsigned int
sbit RF = P3^4;
//RF_in無線信號輸入
1腳
sbit PAD =P3^5;
//做定時器頻率測試用 3腳 sbit LED_red =P3^0;
//紅燈（指示燈）sbit OUTA = P3^1;
//繼電器A輸出sbit OUTB = P3^2;
//繼電器B輸出
sbit set = P3^3;
//設置鍵
bit
decode_ok;
//解碼成功 bit
decode_okA;
//解碼成功 bit decode_okB;
//解碼成功
uchar hh_w,ll_w;
//高,低電平寬度
uchar ma_x;
//接收到第幾位編碼了
uchar bma1,bma2,bma3;
//用于接收過程存放遙控編碼，編碼比較兩次，這是第一次 uchar idata mmb1,mmb2,mmb3;// 用于接收過程存放遙控編碼，第二次
bit rf_ok1,rf_ok2;
//解碼過程中的臨時接收成功標志 bit old_rc5;
//保存上一次查詢到的電平狀態 bit tb_ok;
//接收到同步的馬時置1
uchar mma1,mma2,mma3;
//用于解碼過程 bit rf_ok;
//接收到一個完整的遙控命令后置1,通知解碼程序可以解碼了 bit study=0;
//進入學習狀態標志 bit system_int;
//系統清零標志
uchar temp_h;temp_l;bit bt_auto = 0;
//自動設置遙控接收波特率標志
bit L_M_select;uint s,s1;uchar s2;//下面變量的說明： //[2][10][3]
->兩組存儲區，各10遙控器，兩個地址一個數據位。uchar idata key_number[2][10][3];//遙控器編碼數組，存放10個遙控器 uchar KEY_N[2]={0,0};
//以學習的遙控器數量 uint YKBUFF = 0;
//遙控對碼變量。uint T2time =0;uint idata T2buff[4]={0,0,0,0};uint idata T2timebuff[1];void Delay_Us(unsigned char time);void delay_1ms(uint x);
//1毫秒延時
//====== /////////片內EEPROM讀寫驅動程序/////////////////////////// //====== void IAP_Disable(void);
//關閉IAP //讀一字節，調用前需打開IAP 功能，入口:DPTR = 字節地址，返回:A = 讀出字節 uchar read_add(uint addr);//讀EEPROM //字節編程，調用前需打開IAP 功能，入口:DPTR = 字節地址, A= 須編程字節的數據 void write_add(uint addr,uchar ch);//直接寫EEPROM //擦除扇區, 入口:DPTR = 扇區地址
void Sector_Erase(uint addr);//扇區擦除 void key_buffer(void);
//把遙控器碼從 EEPROM 復制到DATA void KEY_study(void);
//遙控器學習void system_res(void);
//系統清零
void set_scan(void);
//判斷學習鍵狀態 void system_start(void);
//上電初始化
//==========================S void main()
//主函數 {
uchar ONE_ONOFF = 0xFF;
system_start();WDT_CONTR = 0x7D;
//看門狗設置 晶振6MHz時為5秒
while(1){
if(decode_ok){
if(ONE_ONOFF){
ONE_ONOFF=0x00;
if(decode_okA){ OUTA=~OUTA;decode_okA=0;} if(decode_okB){ OUTB=~OUTB;decode_okB=0;}
Delay_Us(100);
}
delay_1ms(200);
} Else {
ONE_ONOFF=0xFF;
}
if(T2timebuff[0]==300)
//大于3秒 清
{
study=0;
system_res();
T2buff[3]=0;
//按鍵按下彈起標旨
while(!set){ LED_red = ~LED_red;delay_1ms(150);}
LED_red=1;
} set_scan();WDT_CONTR
= 0x7D;
//喂狗
}
} //==========================GND void Delay_Us(unsigned char time){ while(time--){
_nop_();} }
void delay_1ms(uint x)
//1毫秒延時(延時函數){ uchar b,c;for(x;x>0;x--)
{
for(b=3;b>0;b--)
{
for(c=150;c>0;c--);
} } } //====== /////////片內EEPROM讀寫驅動程序/////////////////////////// //====== void IAP_Disable(void)
//關閉IAP {
//關閉IAP 功能, 清相關的特殊功能寄存器,使CPU 處于安全狀態，//一次連續的IAP 操作完成之后建議關閉IAP 功能,不需要每次都關
IAP_CONTR = 0;
//關閉IAP 功能
IAP_CMD
= 0;
//清命令寄存器,使命令寄存器無命令,此句可不用
IAP_TRIG = 0;
//清命令觸發寄存器,使命令觸發寄存器無觸發,此句可不用
IAP_ADDRH = 0;
IAP_ADDRL = 0;}//
//讀一字節，調用前需打開IAP 功能，入口:DPTR = 字節地址，返回:A = 讀出字節 uchar read_add(uint addr)//讀EEPROM {
IAP_DATA = 0x00;
IAP_CONTR = 0x84;
//打開IAP 功能, 設置Flash 操作等待時間
IAP_CMD = 0x01;
//IAP/ISP/EEPROM 字節讀命令
IAP_ADDRH = addr>>8;
//設置目標單元地址的高8 位地址
IAP_ADDRL = addr&0xff;
//設置目標單元地址的低8 位地址
EA = 0;
IAP_TRIG = 0x5a;
//先送 46h,再送B9h 到ISP/IAP 觸發寄存器,每次都需如此
IAP_TRIG = 0xa5;
//送完 B9h 后，ISP/IAP 命令立即被觸發起動
_nop_();
EA = 1;
IAP_Disable();
//關閉IAP 功能, 清相關的特殊功能寄存器,使CPU 處于安全狀態，//一次連續的IAP 操作完成之后建議關閉IAP 功能,不需要每次都關
return(IAP_DATA);}//----------------
//字節編程，調用前需打開IAP 功能，入口:DPTR = 字節地址, A= 須編程字節的數據 void write_add(uint addr,uchar ch)
//直接寫EEPROM {
IAP_CONTR = 0x84;
//打開 IAP 功能, 設置Flash 操作等待時間
IAP_CMD = 0x02;
//IAP/ISP/EEPROM 字節編程命令
IAP_ADDRH = addr>>8;
//設置目標單元地址的高8 位地址
IAP_ADDRL = addr&0xff;
//設置目標單元地址的低8 位地址
IAP_DATA = ch;
//要編程的數據先送進IAP_DATA 寄存器
EA = 0;
IAP_TRIG = 0x5a;
//先送 46h,再送B9h 到ISP/IAP 觸發寄存器,每次都需如此
IAP_TRIG = 0xa5;
//送完 B9h 后，ISP/IAP 命令立即被觸發起動
_nop_();
EA = 1;
IAP_Disable();
//關閉IAP 功能, 清相關的特殊功能寄存器,使CPU 處于安全狀態，//一次連續的IAP 操作完成之后建議關閉IAP 功能,不需要每次都關 }//----------------
//擦除扇區, 入口:DPTR = 扇區地址
void Sector_Erase(uint addr)//扇區擦除
{
IAP_CONTR = 0x84;
//打開IAP 功能, 設置Flash 操作等待時間
IAP_CMD = 0x03;
//IAP/ISP/EEPROM 扇區擦除命令
IAP_ADDRH =addr>>8;
//設置目標單元地址的高8 位地址
IAP_ADDRL =addr&0xff;
//設置目標單元地址的低8 位地址
EA = 0;
IAP_TRIG = 0x5a;
//先送 46h,再送B9h 到ISP/IAP 觸發寄存器,每次都需如此
IAP_TRIG = 0xa5;
//送完 B9h 后，ISP/IAP 命令立即被觸發起動
_nop_();
EA = 1;}//----------------//================================= //解碼參數
//EV1527的振蕩電阻從430K 到 220K // void timeint()interrupt 1
//遙控接收，通過定時器0中斷，定時去查詢（中斷函數）
{
uchar x1,y1;
PAD=~PAD;
//做定時器頻率測試用 推腕
if(!bt_auto)
//自適應波特率標志
{
TL0=0xE4;
//
430K:FE/B5
220K:FF/30
TH0=0xFD;
}
else
{ TL0=temp_l;
//
430K:FE/B5
220K:FF/30
TH0=temp_h;
}
TF0=0;
// 清除T0中斷標志
if(!RF){
ll_w++;old_rc5=0;
// 檢測到低電平低電平時間加1,記錄本次電平狀態 }
else
// 檢測到高電平
{ hh_w++;
if(!old_rc5)
// 檢測到從低到高的跳變,已檢測到一個完整(高-低)電平周期
{
if(((hh_w>=2)&&(hh_w<=8))&&((ll_w>=50)&&(ll_w<=190))//判同步碼2/5 110/140 {
if((ll_w>=110)&&(ll_w<=140)){ ma_x=0;tb_ok=1;bma1=0;bma2=0;bma3=0;bt_auto=0;} else
{
if((ll_w>140)&&(ll_w<=160)){ ma_x=0;tb_ok=1;bma1=0;bma2=0;bma3=0;bt_auto=1;temp_h=0xfd;temp_l=0xb6;}//fe 6b
else
{
if((ll_w>160)&&(ll_w<=190))
{
ma_x=0;tb_ok=1;bma1=0;bma2=0;bma3=0;
bt_auto=1;temp_h=0xfd;temp_l=0x27;
} //fd dc
else
{
if((ll_w>70)&&(ll_w<=90))
{
ma_x=0;tb_ok=1;bma1=0;bma2=0;bma3=0;
bt_auto=1;temp_h=0xfe;temp_l=0x7b;} //ff 30
else
{
if((ll_w>90)&&(ll_w<=110)){
ma_x=0;tb_ok=1;bma1=0;bma2=0;bma3=0;bt_auto=1;temp_h=0xfe;temp_l=0x4b;} //ff 00
else
{
if((ll_w>=50)&&(ll_w<=70)){
ma_x=0;tb_ok=1;bma1=0;bma2=0;bma3=0;bt_auto=1;temp_h=0xfe;temp_l=0xc5;}//ff 7a
}
}
}
}
}
} else if((tb_ok)&&((ll_w>=10)&&(ll_w<=14)))
//
10/14 {
ma_x++;
//已經接收到同步碼,判0 if(ma_x>23)
{
if(!rf_ok1){
mma1=bma1;mma2=bma2;mma3=bma3;//將接收到的編碼復制到解碼寄存器中
rf_ok1=1;
// 通知解碼子程序可以解碼了
tb_ok=0;bt_auto=0;
s=2000;
}
else
{
mmb1=bma1;mmb2=bma2;mmb3=bma3;//將接收到的編碼復制到解碼寄存器中
rf_ok2=1;
// 通知解碼子程序可以解碼了
tb_ok=0;
bt_auto=0;
} } }
else if((tb_ok)&&((ll_w>=2)&&(ll_w<=8)))
//
3/5
{ switch(ma_x)
{
case 0 : { bma1=bma1 | 0x80;break;}//遙控編碼第1位
case 1 : { bma1=bma1 | 0x40;break;}
case 2 : { bma1=bma1 | 0x20;break;}
case 3 : { bma1=bma1 | 0x10;break;}
case 4 : { bma1=bma1 | 0x08;break;}
case 5 : { bma1=bma1 | 0x04;break;}
case 6 : { bma1=bma1 | 0x02;break;}
case 7 : { bma1=bma1 | 0x01;break;}
case 8 : { bma2=bma2 | 0x80;break;}
case 9 : { bma2=bma2 | 0x40;break;}
case 10: { bma2=bma2 | 0x20;break;}
case 11: { bma2=bma2 | 0x10;break;}
case 12: { bma2=bma2 | 0x08;break;}
case 13: { bma2=bma2 | 0x04;break;}
case 14: { bma2=bma2 | 0x02;break;}
case 15: { bma2=bma2 | 0x01;break;}
case 16: { bma3=bma3 | 0x80;break;}
//2262按鍵狀態第1位
case 17: { bma3=bma3 | 0x40;break;} case 18: { bma3=bma3 | 0x20;break;}
case 19: { bma3=bma3 | 0x10;break;} case 20: { bma3=bma3 | 0x08;break;}
//ev1527按鍵狀態第1位 case 21: { bma3=bma3 | 0x04;break;} case 22: { bma3=bma3 | 0x02;break;} case 23: { bma3=bma3 | 0x01;
if(!rf_ok1)
{
mma1=bma1;mma2=bma2;mma3=bma3;//將接收到的編碼復制到解碼
寄存器中
rf_ok1=1;
// 通知解碼子程序可以解碼了
tb_ok=0;bt_auto=0;
s=2000;break;
} else
{
mmb1=bma1;mmb2=bma2;mmb3=bma3;//將再次接收到的編碼復制
到解碼寄存器中
rf_ok2=1;
// 通知解碼子程序可以解碼了
tb_ok=0;
bt_auto=0;
break;
}
}
}
ma_x++;
} else
{
//接收到不符合的高-低電平序列
ma_x=0;tb_ok=0;bt_auto=0;bma1=0;bma2=0;bma3=0;hh_w=1;ll_w=0;
}
ll_w=0;hh_w=1;
}
old_rc5=1;
// 記錄本次電平狀態
} if(rf_ok1)
//規定時間內接受到2幀相同的編碼數據才有效
{
s--;if(!s){rf_ok1=0;} if(rf_ok2)
{
if((mma1==mmb1)&&(mma2==mmb2)&&(mma3==mmb3))
{
rf_ok=1;
rf_ok1=0;
rf_ok2=0;
} else
{
rf_ok=0;
rf_ok1=0;
rf_ok2=0;
}
}
}
if((rf_ok)&&(!study))
//判斷是否是學習狀態
{
EA=0;rf_ok=0;
for(y1=0;y1<2;y1++){
for(x1=0;x1<10;x1++)
{
if((mma1==key_number[y1][x1][0])&&(mma2==key_number[y1][x1][1])&&(mma3==key_number[y1][x1
{
][2]))//
if(y1==0)//檢測到第一個鍵
{
decode_ok=1;decode_okA=1;s1=2000;break;
}
if(y1==1)//檢測到第二個鍵
{
decode_ok=1;decode_okB=1;
}
EA=1;
} if(decode_ok)
{
s1--;if(!s1)
{
}
}
}
s1=2000;
break;
} } }
//解碼有效信號，類似2272 PT腳 decode_ok=0;
//T2終斷服務程序
/*定時器2@ 6MHz晶振0.01秒 =10mS*/ void t2int()interrupt 12
//中斷函數 { T2time++;
if(T2time>61)
//1S {
T2time=0;T2buff[0]=0;
//計錄按鍵一秒內按下次數
} if((!set)&(T2buff[1]==0))//10mS抗干擾
{
T2buff[1]+=1;} else{
if(!set){
if(T2timebuff[0]<1000){T2timebuff[0]++;} //計錄控鍵按下時間
if(T2buff[2]==0)//按下進一次 {
T2buff[2]=1;
T2buff[0]+=1;
T2time=0;
T2buff[3]=1;//按鍵按下彈起標旨
LED_red=0;
}
} if(set){ T2buff[1]=0;T2buff[2]=0;T2timebuff[0]=0;
//抗干擾 }
}
if((set)&(T2buff[3]))//按鍵彈起================================= {
if(T2time>60)//1S后
{
if(T2buff[0]==1){//0.5S按下一次按鍵 study=1;
LED_red=0;
YKBUFF=0;
T2buff[3]=0;
} Else {
if(T2buff[0]==2)//0.5S按下2次按鍵 {
study=1;
delay_1ms(150);
LED_red=1;
delay_1ms(150);
LED_red=0;
delay_1ms(150);
LED_red=1;
delay_1ms(150);
LED_red=0;
YKBUFF=1;
T2buff[3]=0;} Else {
T2buff[3]=0;
}
}
}
} }
void key_buffer(void)
//把遙控器碼從 EEPROM 復制到DATA { uchar n=0;uchar v,w;
for(v=0;v<10;v++)
{
for(w=0;w<3;w++)
{
key_number[0][v][w]= read_add(0x0000+n);
n++;
}
}
for(v=0;v<10;v++)
{
for(w=0;w<3;w++)
{
key_number[1][v][w]= read_add(0x0000+n);
n++;
}
}
KEY_N[0]=read_add(0x003C);KEY_N[1]=read_add(0x003D);} void KEY_study(void)
//遙控器學習{
uchar num_rf;uchar d_num;uchar m,i,s;if(study==1)
{
rf_ok=0;
d_num=0;
while(!rf_ok)
{
delay_1ms(100);
d_num++;
if(d_num>500)break;
}
d_num=0;
if(rf_ok==1)
{
EA=0;
if(YKBUFF)//第二組 {
num_rf=KEY_N[1];
//取已學習的遙控器數量
if(num_rf>0x09){ num_rf=0;KEY_N[1]=0;//如果遙控器數量超過10個，覆蓋最先學習的 }
key_number[YKBUFF][num_rf][0]=mma1;
key_number[YKBUFF][num_rf][1]=mma2;
key_number[YKBUFF][num_rf][2]=mma3;
KEY_N[1]=KEY_N[1]+1;
} Else
/第一組
{
num_rf=KEY_N[0];
//取已學習的遙控器數量
if(num_rf>0x09){ num_rf=0;KEY_N[0]=0;//如果遙控器數量超過10個，覆蓋最先學習的}
key_number[YKBUFF][num_rf][0]=mma1;
} }
key_number[YKBUFF][num_rf][1]=mma2;
key_number[YKBUFF][num_rf][2]=mma3;
KEY_N[0]=KEY_N[0]+1;
}
Sector_Erase(0x0000);
num_rf=0;
for(m=0;m<2;m++)
{
for(i=0;i<10;i++)
{
for(s=0;s<3;s++)
{
write_add(num_rf,key_number[m][i][s]);
num_rf+=1;
}
}
}
write_add(0x003C,KEY_N[0]);
write_add(0x003D,KEY_N[1]);
rf_ok=0;
LED_red=1;delay_1ms(500);
EA=1;
}
else
{
rf_ok=0;
for(num_rf=0;num_rf<4;num_rf++)
//操作超時
{
LED_red=1;
delay_1ms(500);
LED_red=0;
delay_1ms(500);
}
set=1;
} d_num=0;study=0;void system_res(void)//系統清零
{
Sector_Erase(0x0000);
write_add(0x0000,0x00);
key_buffer();
}
void set_scan()
//判斷學習鍵狀態
{
if(study)
{
KEY_study();
//進入遙控學習狀態
} }
void system_start(void)
//上電初始化 {
AUXR=0x80;
//T0的時鐘速度是傳統8051的12倍
OUTA=0;OUTB=0;
P3M1=0X00;P3M0=0X27;
TMOD &= 0xF0;
TMOD |= 0x01;
TL0 = 0xE4;
TH0 = 0xFE;
TF0 = 0;TR0 = 1;
ET0=1;
//
AUXR |= 0x04;//定時器時鐘1T模式
T2L = 0xA0;
//設定時初值
T2H = 0x15;
//設定時初值
AUXR |= 0x10;//定時器2開始計時 IE2 |= 0x04;
//開定時器2中斷
key_buffer();EA=1;}// 18
第二篇：射頻論文
關于RFIC技術現狀和發展
綜述 Xxx 【摘要】無線通信技術的迅猛發展帶動了信息產業的整體發展，作為無線傳輸設備核心器件的射頻集成電路（RFIC）不斷朝著高性能、高集成度、低功耗和低成本方向發展。CMOS 工藝有著先天的優勢：高集成度(與基帶、數字信號處理模塊工藝兼容)、低成本，而且CMOS 隨著特征尺寸的縮小，射頻性能不斷提高，高精度的射頻器件模型及RFIC 設計成為當前的研究熱點。
近十年來，射頻無線移動通信技術的發展顯得尤為迅猛。其中起決定作用之一的技術就是RFIC技術。隨著第三代移動通信體制的開始，對新一代無線通信射頻集成電路（RFIC）的性能、材料和工藝等都提出了新的技術要求。本文總結了無線通信移動終端RFIC的發展歷程和現狀，對關鍵技術進行了探討,，最后展望了未來的發展前景。
【關鍵詞】射頻集成電路，CMOS,發展，現狀，工藝，材料
Status and development of technology on RFIC
Overview
Tao Wen 200808030324 Beijing Union University Institute of information Department of Communication Engineering
【Abstract】Wireless communication technology driven the rapid development of information industry whole development, as wireless transmission equipment core device of radio frequency integrated circuit(RFIC)toward high performance, high integration, low power consumption and low cost development.CMOS technology has advantage of high integration degree:(with a baseband, digital signal processing module processes compatible), low cost, and CMOS as the feature size shrinks, RF continuously improve performance, high precision of the RF device model and RFIC design has become a research hotspot.Come nearly ten years, wireless mobile communication technology development is swift and violent.Which plays a decisive role in one of the technology is RFIC technology.With the third generation mobile communication system to start, on a new generation of wireless communication RF integrated circuit(RFIC)performance, materials and process are put forward new requirements.This article summarizes the wireless communication mobile terminal RFIC development course and the present situation, the key technologies are discussed, finally, forecasts the future development foreground.【Key words】 radio frequency integrated circuit, CMOS, development, current situation, technology, material
引言：
射頻集成電路(RF IC，radio frequency integrated circuits)在近十年內得到廣泛重視，并在無線通信領域取得快速發展。如今，基帶和中頻帶電路已經完全可以用CMOS工藝集成，但在射頻收發端還有一定的困難。由于CMOS的低成本和高集成度，CMOS集成電路在無線通信領域1 GHz到2 GHz頻段受到關注，也是目前單片集成研究的熱點。射頻技術在當今各個領域得到廣泛應用，如：蜂窩式個人通信網(PCI,0、無線局域網(WLAN)、無線接入系統、無線互連(包括Bluetooth)、全球衛星定位系統(GPS)、低軌道衛星移動通信和多媒體移動接入通信系統(MMAC)等等。此外還在智能交通系統(ITS)、雷達等方面得到應用。巨大的市場需求促使世界發達國家及相關大公司投巨資竟相研發適應社會需求的無線通信系統。無線終端的微型化、低功耗、低成本、高性能是未來通信技術發展的新趨勢，而整個無線通信系統的單片集成是適應這一趨勢的必然選擇，因此單片集成無線終端已成為當今無線通信系統研究開發的熱點。本文總結了無線通信移動終端RFIC的發展歷程和現狀，對關鍵技術進行了探討,，最后展望了未來的發展前景。
正文
近年來，通信技術以驚人的速度發展，而射頻(RF)無線通信技術的發展顯得尤為迅猛。當今，射頻無線通信技術已經被廣泛應用于生活的各個方面，如：蜂窩式個人通信與機站、無線接入系統、衛星通信、全球衛星定位系統、無線局域網等。隨著多種無線通訊系統的蓬勃發展，使無線通訊系統中的關鍵模塊—射頻集成電路(RFIC)—成為當前的研究熱點。射頻IC的優化設計，除了數字IC所要求的功耗、速度、產量外，還必須考慮系統部件的噪聲、增益、線性度、最大功率傳輸等因素。同時，由于激烈的市場競爭，通訊系統對射頻IC的要求也越來越高，低成本、低功耗、高線性度、多功能等已經成為射頻集成電路發展的趨勢。21世紀是信息技術高度發展的時代，以微電子為基礎的電子技術是推動信息技術發展的物質基礎。集成電路是微電子的核心和主體，也是電子信息產業的基礎。
一． 發展歷史和現狀：
21世紀是信息技術高度發展的時代，以微電子為基礎的電子技術是推動信息技術發展的物質基礎。集成電路是微電子的核心和主體，是電子信息產業的基礎。
1.1.無線移動通信發展對RFIC的要求
射頻移動通信技術的總趨勢是：高速化、大帶寬。
第一代和第二代手機使用5V電源電壓，而第三代則使用3V 至 2V或甚至更低的電源電壓。必須能實現長時間通話和待機，因此，低成本、低功耗、重量輕和小型化是未來RFIC發展的技術關鍵。從技術上講，應實現高性能——高線性度、低噪聲、高增益和高效率。從工藝實現上講，可采用有:CMOS,BiCMOS,GaAsFET,HBT and PHEMT.第三代移動通信終端RFIC:
GaAs MESFET，Si／SiGe HBT(hetero junction bipolar transistor)，BJT 和PHEM T(pseudomorphic high electron mobility transistor)。因為混合器件的高Q值，在RF收發高頻部分，為達到高集成度和高性能，常采用混合器件組成完整的系統。
RFIC 發展的理想選擇是CMOS單片集成，這樣將顯著地降低成本并提高系統集成度。如同DSP(digital signal processor)
最終實現單片CMOS集成一樣，預計
高集成度的單片CMOS射頻電路也將在不久的將來實現。1.2.RFIC器件材料、工藝技術
? A.SiGe工藝
極低的噪聲性能 高的截止頻率高，低的生產成本。由于SiGe HBT的優異性能，SiGe器件有望取代GaAs RF器件。SiGe器件用于無線手機，使電源功率、性能、集成度和低成本溶于一體。
? B.CMOS工藝技術
? C.GaAs工藝技術
GaAs性能上的優勢，歷史基礎好，但制造成本高（主要是材料較貴）。
? D.HBT器件
GaAs HBT是一種改進的雙極晶體管，只需單一的正電源就可工作； 而GaAs MESFET和GaAs PHEMT則需雙電源工作。
二.移動通信中射頻集成電路（RFIC）的晶體管技術
在移動通信初期.通用技術是硅雙極CMOS.硅雙極晶體管(Si BJT)和砷化稼場效應晶體管(GaAs MESFET)。尤其是GaAs MESFET.由于其優良的噪聲、增益和功率性能業己獨占前端或射頻單片微波集成電路(MMIC)應用。近年來隨著工作頻率的提高(頻譜過分擁擠和對更高性能的需求).開始追蹤其它晶體管技術.開始研究GAAs異質結雙極晶體管(HBT)和高電子遷移率晶體管(HEMT).更吸引人的技術如Inp基晶體管也開始探索
不同晶體管技術性能比較
當今用于移動通信系統的GaAs IC大部分是MESFET}.己成為低噪聲和功率放大器的主要微波固態器件.并目‘仍是MMIC的最重要工藝。MESFET的柵長是關鍵參數.它愈短.最高工作頻率愈高。標準的MESFET工藝給出0.5um柵長.與其對應的最高工作頻率約為18GHz.更高性能工藝給出柵長0.2Um.其對應的頻率增加到25 GHz左右。耗盡型MESFET(最通用的型式)的缺點是為了控制柵極必須附加一個負的柵偏壓.囚此為了器件正常工作.需要兩個獨立的電源.與MESFET相比.在性能和成本上都上一臺階的是屑配高電子遷移率晶體管(PHEMT}.該工藝技術傳統上用在毫米波段(30-V300 GH2}.與采用同質結的常規器件不同.MESFET有一個異質結.由兩種不同性質材料如AlGaAd、和GaAs構成結.這種結構的傳輸機理與MESFET 相比.給出更高的電子遷移率和更高的工作頻率。PHEMT的主要優勢是其可1.3．RFIC發展趨勢
? 高度集成 ? 減小體積 ? 降低電源電壓 ? 降低成本
1.4.RFIC的現狀
在RF領域中，性能、工藝的要求要比數字集成 電路本身復雜得多。其中，功耗、速度、成品率是最主要的參數 由于印刷電路工藝的不斷完善和單片集成度的提高，這些性能不可避免地得到提高。同時，RF IC還要考慮到噪聲(寬帶和窄帶)、線性度、增益和功效。這樣，應用于RF IC中的優化器件一直在不斷完善和發展。當前，RF設計者在1～ 2 GHz的頻段主要的選擇有：Si CMOS，BiCMOS，工作在較低的電源電壓(小于3 V).而MESFET需要 4V或更高。
與PHEMT類似的一種異質結器件—砷化稼異質結雙極晶體管(GaAs HBT).作為MESFET技術的另一個挑戰者正在吸引大量的注意HBT是一種改進的雙極晶體管.其發射區和基區是由不同帶隙的半導體構成.發射區具有寬帶隙材料.這種發射極結構提供一勢壘.擋空穴注入基區.而有利于電子的注入由于在發射極采用寬帶隙材料HBT基區層摻雜濃度可非常高.從而維持高的電源增益.在GaAs HBT中基區薄層電阻僅200 SZ/巨.比典型的SIBJT'差夯考翻據一個數量級·容許大的圖形尺寸;C}aAs半絕緣襯底消除了收集極一襯底電容·該電容在電路中是對延遲時間常數的主要貢獻.導致的增益帶寬較低另外.GaAs的電子遷移率8500 cm-/V一比Si的1500 cm-/V “ s高得多.允許GaAs HIS”I}在低的Vce(小于1V)達到高的F.這有利于低電壓、小功率電路l}}i用。然而SJBJT為了達到高的F.則需要幾伏的V 因此本質上GaAs HBT是一種超負載雙極晶體管。由于HBT是雙極工藝.器件可以在單一正電源電壓卜工作.無需象M I:SFI:“I}和YHI':M”I“那樣需要雙電源工作。HBT的另一個優點是它具有縱向結構.電流從發射極到收集極垂直流過HY”I“.而不象M ESFET橫向流動。縱向電流流動維持高的功率密度.囚此HBT”是比M ESFET更為有效的功率放大器件.三.CMOS關鍵技術 3.1.RFIC 系統
這是第一代數字蜂窩標準，它是一個典型的PCS實例。其它的PCS標準包括IS一95、GSM 和DCS
一1800。通過它可以了解一些RF的基本模塊結構。
它的發射端RF頻段為824~849 MHz，接收端 的頻段為869 894 MHz。在整個系統中，接收端面 臨極大的挑戰，因為信號載波頻率為880 MHz，而信號帶寬本身只有30 kHz。這就要求RF接收端要能 夠從其它競爭信號和干擾中將有用信號提取出來，它們的比值小于10_。考慮到單元尺寸、傳輸功率、帶寬，接收端的典型噪聲為3 dB或者更低。LNA(1ow noise amplifier)主要影響接收端的整體噪聲系數。發射端功率放大器PA要求能夠達到23 dBm，盡管設計時功放的最大峰值是30 dBm或者更高。減 d,~i]Z3 dBm主要是為了保證系統要求達到的線性。
另一個高Q值的帶通濾波器應用于輸出端，以滿足射頻輸出對FCC的要求。在2．7 V 電源供電的情況下，系統載波的寄生特性通常要求在60 dB以下，以保持功率放大器達到理想的高增益、高線性和在完全帶寬和輸出功率范圍內的高功效低相位噪聲的壓控振蕩器(VCO)決定著變頻器的性能。由于系統信道帶寬只有30 kHz，VCO 的相位噪聲成為關鍵參數。低噪聲放大器，功率放大器，壓控振蕩器和雙向開關是RF IC中最關鍵的幾個基本單元。
3.2 基于CMOS工藝的RF關鍵模塊單元的發展狀況
A.低噪聲放大器
低噪聲放大器(LNA)是RF系統前端的關鍵單 元之～，它決定著接收端系統的整體噪聲系數。
為了與GaAs和雙極工藝競爭，CMOS LNA的低功耗(約10 mw)和低噪聲系數(約2 dB)必須等于或者優于前者。當然，在標準的CMOS數字電路中，同時要求盡可能少的額外無源器件。但在CMOS LNA 中，低功耗和低噪聲系數很難同時滿足。
CMOS LNA 中常使用輸入、輸出匹配網絡以減小功耗。在0．35 m 工藝下，功耗為0．9 mw 時，CMOS LNA 的噪聲系數可以達到1．8 dBt。目前，在0．8 m CMOS工藝基礎上實現的CMOS LNA，可以
在附加一個外部電感和輸入輸出電阻為5O Q時取得好的特性[4]。它采用單級放大器拓撲電感負反饋，單級拓撲可以減小功耗和提高P d 和IP3的特性。單級放大器可以改進反轉隔離和減小Miller效應。同時，使用電感負反饋有利于獲得輸入和噪聲的同步匹配。此時，LNA 的噪聲系數在6．2 mw 時為2 dB，8．1 mw 時為1．78 dB，13．2 mw 時為1．5dB，3O mw 時為1．2 dB。在3O mw 和 等于3．0 V時，LNA 的功率增益為14．5 dB，此時，IIP3為一1 dBm。在6．2 mw 和 等于2．7 V 時，LNA 的功率 增益為9．4 dB，此時，IIP3為一3．8 dBm。
B.功率放大器
按電流通角劃分功率放大器(PA)，有A、B、C 三種工作狀態。A 類放大器的流通角為360。，B類放大器的流通角為18O。，C 類放大器的流通角小于18O。，A類放大器適用于小信號低功率放大，B、C類都適用于大功率。三種放大器中，以C類的輸出功率和效率為最高，而PA 的線性度依次下降。后又有工作在開關狀態的D、E類放大器。E類放大器的效率理論上可達到100，但由于開關轉換瞬間所產生的器件功耗的限制而很難達到。功率放大器的主要參數有線性度、漏極效率和附加效率。線性度受IP3、相鄰信道功率、ldB壓縮點和非線性失真的限制。漏極效率定義為
附加效率為
de式中，P r，lJ 為RF輸入功率，Pr，為RF輸出功率，P 為直流功率。PA作為RF的重要單元，電路要求同時滿足線性度、增益、輸出功率和功效的要求。但由于電源電壓的下降(5 V到3 V 或者更低)導致的阻抗匹配的限制，PA很難保證要求的輸出功率和功效。綜合各種要求，C類在A、B、C三類PA 中較為均衡，因此成為首選。
目前，RF 系統中PA 在0．6 m N 阱三層金屬 CMOS工藝上設計優化口，它的輸入輸出匹配網絡 中使用第三層金屬螺旋電感，在3 V 和85 mw 下，900 MHz C類放大器的漏極效率是55。
C.壓控振蕩器
壓控振蕩器(VCO)是RF電路設計者面對的最
具挑戰性的單元之一。理想的VCO輸出在一定的 頻段內是不存在相位噪聲的，并且它不隨溫度、輸出負載、電源電壓的波動而改變。實際上，這是很難實現的。由振蕩器的電感所決定的振蕩器品質因子影響著壓控振蕩器的相位噪聲，Leeson提出了一個與試驗結果相符的很好的描述振蕩器的相位噪聲簡單表達式，后來，Scherer發展了Leeson的表達式來描述閃爍噪聲。低噪聲振蕩器需要較大的輸出放大和低噪聲放大，以獲得最好特性，因此，在品質因子Q 很難顯著提高的情況下，為滿足一定功耗，VCO 的相位噪聲需要得到顯著的改善。目前，0．6 m CMOS工藝上實現的L—C VCO 在2．0 GHz，偏頻100 kHz，直流功耗22 mw 下，其相位噪聲可達到一103 dBc／Hz L6。
D.開關
高特性的微波開關是在大多數TDD輸入系統中的一個關鍵模塊，因為在輸入輸出模塊之間它們 的表現極為重要。通常，微波開關是由高質量的二極管實現的。然而，由于所需要的控制電流較大，目前在手持設備中，開關主要是由GaAs FET 實現的，這主要是由于它的低直流功耗。
當傳輸功率電平超過+30 dBm，開關處于3 V 或更低的電源電壓下時，其中主要的矛盾就更為尖 銳。在“開”態保持線性和在“關”態保持隔離是主要的兩個問題。結隔離si工藝在此面臨較大的困難，主要是因為開關輸入在較大的功率偏移時，它要受襯偏結二極管的影響。在開關這一特殊應用器件中，絕緣襯底(如GaAs和CMOS／SOS)半導體IC工藝比體硅工藝有較明顯的優勢。目前，在0．5 m CMOS工藝中，3．0 V 時，雙向開關在928 MHz下 介入損耗達到0．7 dB，P aB達到17 dBm，而隔離
可達到42 dB。它具有較低的介入損耗主要是通過優化偏壓和最小化襯底電阻，直流偏置發送和接收點在提高P1db把時減小電容
結束語
現在基于CMOS的射頻集成電路已廣泛的用于無線移動網絡中并且不斷地發展。目前，GaAs和雙極工藝是射頻收發端采用的主要技術，但從IC設計發展趨勢來看，潛在的低成本和單片集成會使CMOS應用于1～2 GHz RFIC，并成為主導技術。為使性能良好、成本低的RF單片集成芯片應用于無線通信產品中，IC設計者還需要不斷地進行研究和探索。
參考文獻
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第三篇：射頻實驗報告二
實驗二
混頻器實驗
一、實驗內容
1.連接混頻器實驗板，將混頻器設置為下變頻模式。
2.用射頻連接線將信號加至實驗電路板，觀測本振信號和射頻信號以及中頻輸出的波形，記錄并分析。
3.觀測中頻輸出未經過濾波電路和經過濾波電路的輸出信號，分別記錄信號的波形并進行分析。
4.保持本振不變，改變射頻信號的功率，測量得出混頻器的1dB壓縮點
二、實驗記錄
1．記錄信號源產生的信號波形。
2．用示波器在測量點3、測量點4觀測本振信號和射頻信號的波形，記錄并分析。
測量點3：本振信號
測量點4：射頻信號
分析：設本振信號為：，射頻信號為：，圖可知對于本振信號為15MHZ，本振信號峰峰值為380mv。
對于射頻信號為20MHZ，峰峰值為52mv。
3．用示波器在測量點5和輸出2端分別觀測未經過濾波電路和經過濾波電路的輸出信號，分別記錄信號的波形并進行分析。
測量點5輸出信號波形：
分析：測試點5輸出信號為中頻信號，從頻域角度看，變頻是一種頻譜的線性搬移，輸出中頻信號與輸入射頻信號的頻譜結構相同，唯一不同得是載頻。從時域波形看，輸出中頻信號的波形與輸入射頻信號的波形相同，不同的也是載波頻率。
輸出2端輸出信號波形：
分析：濾波前的輸出信號波形有毛刺，有失真，說明有噪聲干擾；濾波后波形比較光滑。輸出信號通過濾波器，利用電路的幅頻特性，其通帶的范圍設為有用信號的范圍，而把其他頻譜成分過濾掉，從而濾除無用信號和噪聲干擾。
4·改變射頻信號的功率，在產生射頻信號的信號源輸出端和輸出3端分別測量射頻輸入信號的幅度VRF和中頻放大輸出信號的幅度VIF，分析計算混頻器的1dB壓縮點。
輸入信號幅度VRF（單位mV）：100,200,300,400,500,600,700,800,900,1000,1100,1200,1300,1400,1500,1600,1700
對應輸出信號幅度VIF（單位mV）：66,124,176,230,278,320,365,388,408,416,445,448,456,464,464,464,472則計算可得
輸入功率PRF（單位*10^4mW）：1,4,9,16,25,36,49,64,81,100,121,144,169,196,225,256,289
輸出功率PIF（單位*10^3mW）:4.356,15.376,30.976,52.9,77.284,102.4,133.225,150.544,166.464,173.056,198.025,200.704,207.936,215.296,215.296,215.296,222.784對應圖像：由于其電阻值相同，故功率可直接寫成信號幅度的平方，對前四個值進行擬合后的函數為w=3.2414*x+1.1146
轉換為dBm后的圖像為(w=0.9011*x1+0.3469)：
由圖可得1dB壓縮點的位置大致在輸入功率65dBm左右。
5.改變射頻信號的頻率，記錄下不同的射頻頻率及其對應的中頻信號頻率，繪出中頻頻率隨射頻頻率變化的曲線。
射頻頻率（MHz）：6,7,8,9,10,11,12,13,14,15,16,17,18,19,20
對應中頻信號頻率（MHz）：9.01,8.00,6.99,5.99,5.00,4.00,3.01,2.00,1.00,0.00,1.00,2.00,2.99,4.00,5.00
對應圖像：
三、思考題
1.一般情況下，環行變頻器的射頻口輸入信號都要求信號的頻率值，而中頻輸出信號的頻率值卻可以從最高頻率延伸到直流，請結合實驗原理說明是什么原因？
因為中頻輸出信號頻率fIF=fRF-fLO，本振信號頻率fLO從0Hz到fIF，當fLO=0時，中頻輸出信號頻率fIF=fRF，為最高頻率當fLO=
fRF時，中頻輸出信號頻率fIF=0。
2．混頻器產生干擾的原因有哪些？
由于器件非線性特性的高次方項，使本振與輸入信號除產生有用中頻分量外還會產生很多組合頻率，當某些組合頻率落到中頻帶寬內，就形成了對有用中頻信號的干擾。一般可分為以下幾種：
(1)
干擾哨聲
混頻器的中頻是。若本振和射頻的諧波引起的組合滿足，其中是音頻，p、q為整數，它是由非線性器件的（p+q）次方產生的。則這些組合頻率分量和有用中頻就會在檢波器輸出產生差頻，形成哨叫聲，稱此為干擾哨聲。
(2)
寄生通道干擾
當混頻器的輸入信號中伴有干擾信號時，本振除與射頻產生中頻信號外，還可能與干擾相互作用產生中頻，即：，它是由非線性器件的（q＋p）次方項產生的。若把射頻信號與本振產生中頻的通道稱為主通道，則干擾與本振產生中頻的通道稱為寄生通道。寄生通道產生的中頻干擾了有用信號的中頻分量。
(3)
互調失真
當混頻器的射頻輸入口有多個干擾信號、同時進入時，每個干擾信號單獨與本振作用的組合頻率并不等于中頻，但可能會產生如式
所示的組合頻率分量，使變頻器的輸出中頻失真。它是由非線性器件的（r＋s＋1）次方產生的。這種由兩個干擾信號相互作用而產生的干擾稱為互調失真。r和s的值越小，相應產生的寄生中頻分量的幅度越大，互調失真就越嚴重
3．混頻器克服干擾的措施有哪些？
（1）提高混頻器前端電路的選擇性（如天線回路的選擇性）
（2）將中頻選在接收頻段以外，避免產生最強干擾哨聲，同時也可以有效地發揮混頻前各級電路的濾波作用。
（3）合理選擇混頻管的工作點，使其主要工作在器件特性的二次方區域，或者選擇具有平方律特性的場效應管作為混頻器件，可減少輸出組合頻率數目，進而減少混頻干擾。
（4）采取各種平衡電路，如模擬乘法器、平衡混頻器、環形混頻器，可以大大減少組合頻率分量，也就減少了混頻干擾。
四、實驗總結與心得體會
通過此次實驗理解了混頻器的工作原理，也理解了混頻器的產生干擾類型及原因以及克服干擾的措施，對1dB截止頻率也有了更深的理解
第四篇：射頻工程師經驗總結
經常有網友在網絡上問，一個射頻工程師應具備哪些知識，怎樣才能把射頻工作做好。有一個關于這個問題的討論貼都跟貼了幾十條，看來這是一個普遍的問題。那么怎么樣才能把射頻工作做好呢？可以說沒有一個人敢說這樣或者那樣就一定可以學好射頻，做好射頻；很簡單，如果你的大學老師，你的導師這樣的專業理論教師都沒讓你感覺對學射頻技術有所收獲的話，那么很難說其它人就能讓你知道怎么學習射頻技術。我本身的專業不是學微波技術的，從事RF電路設計工作不到七年，可以說當初對如何學習射頻技術根本就是沒有方向的。如何學習RF技術，以前和現在都是我非常頭腦的問題。那如何學好射頻呢？我想必須從射頻工作的具體內容說起。射頻工程師的具體工作內容：現在人力資源領域把有關微波和射頻技術方面的工程師分為幾個名稱，一般可以從名稱看出其需要的射頻工程師的工作內容。比如，如果一個職位是“微波工程師”或“射頻工程師”，而這個公司是做通信設備的，那么其工作內容應該是小信號的低噪聲放大器、頻率合成器、混頻器以及功率放大器等單元電路和電路系統的設計工作；如果一個職位是“射頻工程師”，而這個公司是做RFID的，那么要不就是做微帶天線和功率放大器、低噪聲放大器、頻率合成器的設計工作（900MHz以上的高頻段），就是僅僅做電場天線和功率放大器的設計工作（30MHz以下頻段）；其它如手機企業，都是專向的“手機射頻工程師”等。那么這些射頻工程師的具體工作內容有哪些呢？無外乎以下內容：
1.電路系統分析，有些通信設備公司的項目中，射頻工程師需要負責對整個RF系統的電路進行系統分析，指導系統設計指標、分配單元模塊指標、規范EMC設計原則、提出配附件功能和性能要求等等；
2.電路原理設計，包括框圖設計和電路設計，這是射頻工程師所必須具備的基本技能。這也是由系統設計延伸而來的，如何實現系統設計的目標，就是電路原理設計的目的，它也是器件選型評估的“前因”，因為設計電路的過程也是一個器件選型的過程。
3.器件選型與評估，要實現電路的指標要求，選擇合適的器件是必不可少的，這個過程其實與電路原理設計是同時進行的。如何選擇相應的器件，相比較而言同類型器件中哪一個更合適我們的產品設計？成本、性能、工藝要求、封裝、供應商質量、貨期等等，更是需要考慮的因素。4.軟件仿真，不管是ADS，MWO，Ansoft還是CST、HFSS，反正你總得會一到兩個仿真軟件的使用吧。仿真軟件不能讓你的設計達到百分百的準確度，但總不會讓你的設計偏離基本方向，起碼它們在定性的仿真方面是準確的。所以一定要學會使用一至兩種或更多種仿真軟件，它的基本作用就是讓你能夠定性的分析你的設計，誤差總是有的，但是它能增強你的信心。5.PCB-LAYOUT，原理就好比理論基礎，一萬個應用可以只依據一個理論，幾個產品也有可能只有一個原理圖，只要它的布線不一樣，好比手機，同一個手機方案很多公司都拿來設計，原理圖是一樣的，但是不同的公司布出來的PCB板不一樣，一個是外型不一樣，一個是性能也有差異。性能的差異，其實就是PCB-LAYOUT的差異。符合要求的PCB，其布局與布線兼顧性能、外觀、工藝、EMC等方面。所以，PCB-LAYOUT也是一個非常重要的技能。
6.調試分析，這個調試和生產調試不一樣。生產調試是指令性的，研發產品的調試的重點在于發現問題和解決問題。調試是一個總結和積累經驗的過程，不是說通過調試來積累調試經驗，而是通過調試來積累設計經驗；很多問題可能在設計時沒有被發現，那么通過調試發現以后，就知道以后在設計時如何規避這些問題，如何改善這些問題。調試也是一個實踐理論的最有效途徑，我們可以通過調試過程來定性理解理論知識。
7.測試，其實測試是為調試服務的，調試是為設計服務的（設計是為市場服務的）。射頻工程師必須熟練使用各種射頻測試儀器，不管是頻譜分析儀、網絡分析儀、信號源、示波器、功率計、噪聲系數測試儀、綜合測試儀等等。不會測試就很難有效調試，不能發現問題如何得到提高呢？所以不要輕視測試技術，其實放眼國外RF企業，真正的高手都是從設計轉到了測試技術，中間的原因值得我們思考。
第五篇：健峰學習感想
學習心 得
一直聽同事講健峰學院的管理、培訓都很有特色，可一直都沒有機
會去，心中一直留有遺憾。而在我們公司的企業文化中，對員工的培訓一直都放在公司發展戰略層面的高度上，尤其是以陳建強副總指揮為首的總經理領導更是重視對基層管理人員的培訓、提升，基于此，公司為了加快提升基層管理人員的綜合能力，打造一支更有戰斗力的團隊，花費巨大的財力、物力、人力，把“健峰老師”請到公司來，給我們創造了良好的學習機會。我們也深知此次機會的來之不易，所以倍感珍惜。爭先恐后的報名，但名額有限，所以能有幸參加這次培訓感到特別的高興，在此感謝公司給予我這次機會，也感謝健峰學院的各位老師來到我們天能安徽公司授課。
雖然學習的時間只有短短的四夜五天，但在這四夜五天的學習當中讓我學到了很多的東西，受益匪淺。健峰學院的課程安排的十分豐富，合理實用。這幾天的學習主要學習課程是“如何成為一名優秀員工“，“班組長的角色，職責及做法 ”，“團隊建設的重要性”，“如何溝通”，“現場管理的重要方法6S管理”“QC七大手法”的運用”“如何分析問題，改善問題”等。課程的安排有條不紊，井然有序。現在就我這幾天的學習成果跟大家做以下分享：
通過第一天風趣，總是帶著笑容的鄧元瑋老師的教課，讓我對如何成為一名優秀員工的認知有了很大的改變。在我的腦海里優秀員工的定義就是服從安排，產量高、品質好就行了。可鄧老師的講課給我打開了另一扇大門。是啊，成為一名優秀的員工不僅要具備這些，更重要的還要有與公司榮辱與共的精神，強烈的責任心，從此刻起我要轉變自己的思想，以公司核心價值觀“責任為魂，創新共贏”來規范自己的行為，高標準，嚴要求，融入到天能企業文化之中，成為一名真正的優秀員工。
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“班組長的角色，職責及做法’的學習，更進一步掌握了班組長的角色和職責，也了解了班組長的重要性和不可缺少性。班組長是公司生產管理的直接指揮和組織者，也是企業中最基層的負責人，屬于兵頭將尾，是一支數量龐大的隊伍。班組管理是指為完成班組生產任務而必須做好的各項管理活動，即充分發揮全班組人員的主觀能動性和生產積極性，團結協作，合理地組織人力、物力，充分地利用各方面信息，使班組生產均衡有效地進行、產生“1+1>2”的效應，最終做到按質、按量、如期、安全地完成上級下達的各項生產計劃指標。班組長是企業管理的基礎，只有班組長全面成長了，企業才有可能持續經營。
白天鄧老師的講課加上晚上的小組團隊活動讓我深深的體會到了團隊建設的重要性，如助教每天與我們的智庫分享說的一樣，一朵鮮花打扮不了春天，只有百花齊放才能春色滿園。我們只有融入團隊，為團隊考慮，不搞個人主義，團隊至上，這個團隊才是最完美、最成功的團隊。
第二天的鄧老師的講課讓我領悟到了溝通的重要性，溝通是從心靈上挖掘人與人的內心交流，關心每個人善于聽取他人的意見和建議，才能充分發揮其聰明才智與積極性。良好的溝通，可以縮短員工與員工、員工與管理者之間的距離，使員工充分發揮其能動性，使我們企業的發展獲得更加強大的原動力。
前兩天的學習告一段落，鄧老師通過課堂互動，案例說明把怎么成為一名優秀員工，優秀班組長，以及如何加強自己的團隊建設，如何溝通給我們做了詳細的指導。第三天知識豐富，風度偏偏的林老師給我們帶來了現場管理的方法的授課，讓我們更深一步的了解現場管理的方法。林老師就現場問題通過理論學習、分組討論、、分組演練的形式來加深學員對所學內容的掌握，讓每個學員都有鍛煉的機會。我以前對管理的認識還很不全面，而通過學習，我了解到管理就是組織個體或一定的群體，以標準化為基礎，按Ｐ（計劃）、Ｄ（實施）、Ｃ（檢查）、Ａ（改善）模式不斷循環改進，已達成管理者目標的一切活動。通過這次學習，我明白了P-D-C-A管
理模式的精髓所在，它適用于我們工作、生活中的每一件事。
第四天、第五天理論與實踐經驗都特別豐富的吳老師講解了如何去分析現場問題，改善問題。吳老師通過小組的討論，案例，事件分析來闡述。通過“折飛機，試飛”活動的游戲，讓小組成員都參與進來，共同討論“為何飛機未能飛的更遠、更久”，把課堂上所學的“ QC七大手法”運用到實際來，使用柏拉圖來分析原因，使用魚骨圖分情況來找原因，根據魚骨圖的分析的問題提出解決措施，最后根據解決措施來實施改善，查看效果，再利用P-D-C-A循環管理模式再去根據問題查看根源。老師通過游戲讓我們把所學的東西運用到實際上，也更輕松容易的掌握了所學的知識。
隨著時間的流失，我們的培訓也即將告一段落，在這幾天的學習，讓我的思想和理念有了很大的改觀，也加深了與同事的關系。健峰老師以小組討論，游戲互動的形式讓我們自己體會到團隊合作的重要性。形動形象的講課方式，激發了我們學習的欲望。
雖然我們的培訓即將結束，但我們所學的知識還未終止。我們要把在課堂上所學的知識，運用到實際中，理論與實際相結合，充分發揮所學的知識，做好學以致用。而公司當前處在決戰四季度的關鍵時期，這是一場沒有硝煙的戰斗，作為基層管理人員的我們，將沖鋒陷陣在第一線，為公司打贏這場戰斗貢獻出自己的力量。同事們、同學們，你們有沒有信心打贏這場戰斗？ 你們有沒有信心完成四季度的生產任務？
最后，再一次感謝公司為我們提供了這次難得的學習機會，感謝健峰學院的各位老師為我們帶來的精彩講課。
品質部
2011年10月16日
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