第一篇：半導體問答

影響工廠成本的主要因素有哪些？

答：Direct Material 直接材料,例如:蕊片

Indirect Material間接材料,例如氣體… Labor人力

Fixed Manufacturing機器折舊,維修,研究費用……等

Production Support其它相關單位所花費的費用

在FAB內，間接物料指哪些？

答：Gas 氣體 Chemical 酸,堿化學液 PHOTO Chemical 光阻,顯影液 Slurry 研磨液 Target 靶材 Quartz 石英材料 Pad & Disk 研磨墊 Container 晶舟盒(用來放蕊片)Control Wafer 控片 Test Wafer測試,實驗用的蕊片

什幺是變動成本(Variable Cost)?

答：成本隨生產量之增減而增減.例如:直接材料,間接材料

什幺是固定成本(Fixed Cost)? 答：此種成本與產量無關,而與每一期間保持一固定數額.例如:設備租金,房屋折舊及檵器折舊

Yield(良率)會影響成本嗎?如何影響?

答：Fab yield= 若無報廢產生,投入完全等于產出,則成本耗費最小

CP Yield:CP Yield 指測試一片芯片上所得到的有效的IC數目。當產出芯片上的有效IC數目越多,即表示用相同制造時間所得到的效益愈大.生產周期(Cycle Time)對成本(Cost)的影響是什幺?

答：生產周期愈短,則工廠制造成本愈低。正面效益如下:(1)積存在生產線上的在制品愈少(2)生產材料積存愈少(3)節省管理成本(4)產品交期短,贏得客戶信賴,建立公司信譽

FAC

根據工藝需求排氣分幾個系統? 答：分為一般排氣（General）、酸性排氣（Scrubbers）、堿性排氣（Ammonia）和有機排氣（Solvent）四個系統。

高架地板分有孔和無孔作用?

答：使循環空氣能流通，不起塵，保證潔凈房內的潔凈度;防靜電；便于HOOK-UP。

離子發射系統作用

答：離子發射系統，防止靜電

SMIC潔凈等級區域劃分

答：Mask Shop class 1 & 100

Fab1 & Fab2 Photo and process area: Class 100

Cu-line Al-Line OS1 L3 OS1 L4 testing Class 1000 什幺是制程工藝真空系統(PV)

答：是提供廠區無塵室生產及測試機臺在制造過程中所需的工藝真空;如真空吸筆、光阻液涂布、吸芯片用真空源等。該系統提供一定的真空壓力(真空度大于 80 kpa)和流量，每天24小時運行

什幺是MAU(Make Up Air Unit),新風空調機組作用

答：提供潔凈室所需之新風，對新風濕度，溫度，及潔凈度進行控制，維持潔凈室正壓和濕度要求。

House Vacuum System 作用

答：HV(House Vacuum)系統提供潔凈室制程區及回風區清潔吸取微塵粒子之真空源，其真空度較低。使用方法為利用軟管連接事先已安裝在高架地板下或柱子內的真空吸孔，打開運轉電源。此系統之運用可減低清潔時的污染。

Filter Fan Unit System(FFU)作用

答：FFU系統保證潔凈室內一定的風速和潔凈度，由Fan和Filter(ULPA)組成。

什幺是Clean Room 潔凈室系統

答：潔凈室系統供應給制程及機臺設備所需之潔凈度、溫度、濕度、正壓、氣流條件等環境要求。

Clean room spec:標準

答：Temperature 23 °C ± 1°C(Photo:23 °C ± 0.5°C)Humidity 45%± 5%(Photo:45%± 3%)

Class 100

Overpressure +15pa

Air velocity 0.4m/s ± 0.08m/s

Fab 內的safety shower的日常維護及使用監督由誰來負責

答：Fab 內的 Area Owner（若出現無水或大量漏水等可請廠務水課（19105）協助）

工程師在正常跑貨用純水做rinse或做機臺維護時，要注意不能有酸或有機溶劑（如IPA等）進入純水回收系統中，這是因為：

答：酸會導致conductivity(導電率)升高，有機溶劑會導致TOC升高。兩者均會影響并降低純水回收率。

若在Fab 內發現地面有水滴或殘留水等，應如何處理或通報

答：先檢查是否為機臺漏水或做PM所致，若為廠務系統則通知廠務中控室（12222）

機臺若因做PM或其它異常，而要大量排放廢溶劑或廢酸等應首先如何通報

答：通知廠務主系統水課的值班（19105）

廢水排放管路中酸堿廢水/濃硫酸/廢溶劑等使用何種材質的管路?

答：酸堿廢水/高密度聚乙烯(HDPE)濃硫酸/鋼管內襯鐵福龍(CS-PTFE)廢溶劑/不琇鋼管(SUS)

若機臺內的drain管有接錯或排放成分分類有誤，將會導致后端的主系統出現什幺問題? 答：將會導致后端處理的主系統相關指標處理不合格，從而可能導致公司排放口超標排放的事故。

公司做水回收的意義如何?

答：(1)節約用水，降低成本。重在環保。(2)符合ISO可持續發展的精神和公司環境保護暨安全衛生政策。

何種氣體歸類為特氣(Specialty Gas)? 答：SiH2Cl2

何種氣體由VMB Stick點供到機臺? 答：H2

何種氣體有自燃性? 答：SiH4

何種氣體具有腐蝕性? 答：ClF3

當機臺用到何種氣體時，須安裝氣體偵測器? 答：PH3

名詞解釋 GC, VMB, VMP

答：GC-Gas Cabinet 氣瓶柜VMB-Valve Manifold Box 閥箱，適用于危險性氣體。VMP-Valve Manifold Panel 閥件盤面，適用于惰性氣體。

標準大氣環境中氧氣濃度為多少？工作環靜氧氣濃度低于多少時人體會感覺不適？

答：21%

19%

什幺是氣體的 LEL? H2的LEL 為多少？

答：LEL-Low Explosive Level 氣體爆炸下限H2 LEL-4%.當FAB內氣體發生泄漏二級警報（既Leak HiHi），氣體警報燈（LAU）會如何動作？FAB內工作人員應如何應變？

答：LAU紅、黃燈閃爍、蜂鳴器叫聽從ERC廣播命令，立刻疏散。

化學供應系統中的化學物質特性為何?

答：(1)Acid/Caustic 酸性/腐蝕性(2)Solvent有機溶劑(3)Slurry研磨液

有機溶劑柜的安用保護裝置為何?

答：(1)Gas/Temp.detector;氣體/溫度偵測器(2)CO2 extinguisher;二氧化碳滅火器

中芯有那幾類研磨液(slurry)系統?

答：(1)Oxide(SiO2)(2)Tungsten(W)鵭

設備機臺總電源是幾伏特? 答：208V OR 380V

欲從事生產/測試/維護時,如無法就近取得電源供給,可以無限制使用延長線嗎? 答：不可以

如何選用電器器材?

答：使用電器器材需采用通過認證之正規品牌

機臺開關可以任意分/合嗎?

答：未經確認不可隨意分/合任何機臺開關,以免造成生產損失及人員傷害.欲從事生產/測試/維護時,如無法就近取得電源供給,也不能無限制使用延長線,對嗎? 答：對

假設斷路器啟斷容量為16安培導線線徑2.5mm2,電源供應電壓單相220伏特,若使用單相5000W電器設備會產生何種情況? 答：斷路器跳閘

當供電局供電中斷時,人員仍可安心待在FAB中嗎?

答：當供電局供電中斷時,本廠因有緊急發電機設備,配合各相關監視系統,仍然能保持FAB之Safety,所以人員仍可安心待在FAB中.MFG

什幺是WPH?

答：WPH(wafer per hour)機臺每小時之芯片產出量

如何衡量 WPH ?

答：WPH 值愈大,表示其機臺每小時之芯片產出量高,速度快

什幺是 Move?

答：芯片的制程步驟移動數量.什幺是 Stage Move?

答：一片芯片完成一個Stage之制程,稱為一個Stage Move 什幺是Step Move?

答：一片芯片完成一個Step 之制程, 稱為一個Step Move.Stage 和 step 的關系?

答：同一制程目的的step合起來稱為一個stage;例如爐管制程長oxide的stage, 通常要經過清洗,進爐管,出爐管量測厚度3道step AMHS名詞解釋? 答：Automation Material Handling System;生產線大部份的lot是透過此種自動傳輸系統來運送

SMIF名詞解釋?

答：Standard Mechanic InterFace(確保芯片在操作過程中;不會曝露在無塵室的大環境中;所需的界面)所需使用的器具有FOUP/Loadport/Mini-environment等;為什幺SMIF可以節省廠務的成本? 答：只需將這些wafer run貨過程中會停留的小區域控制在class 1 下即可,而其它大環境潔凈度只要維持在class 100 或較低的等級);在此種界面下可簡稱為“包貨包機臺不包人”;對于維持潔凈度的成本是較低的;操作人員穿的無塵衣可以較高透氣性為優先考量,舒適性較佳

為什幺SMIF可以提高產品的良率?

答：因為無塵室中的微塵不易進入wafer的制程環境中

Non-SMIF名詞解釋

答：non-Standard mechanic InterFace;芯片在操作的過程中會裸露在無塵室的大環境中,所以整個無塵室潔凈度要維持在class1的等級;所以廠務的成本較高且操作人員的無塵衣要以過濾性為優先考量,因此是較不舒適的SMIF FOUP名詞解釋?

答：符合SMIF標準之WAFER container,Front Opening Unit FOUP MES名詞解釋?

答：Manfaucture Execution System;即制造執行系統;該系統掌握生產有關的信息,簡述幾項重點如下(1)每一類產品的生產step內容/規格/限制(2)生產線上所有機臺的可使用狀況;如可run那些程序,實時的機臺狀態(可用/不可用)(3)每一產品批的基本資料與制造過程中的所有數據(在那些機臺上run過/量測結果值/各step的時間點/誰處理過/過程有否工程問題批注…等(4)每一產品批現在與未來要執行的step等資料

EAP名詞解釋?

答：(1)Equpiment Automation Program;機臺自動化程序;(2)一旦機臺有了EAP,此系統即會依據LOT ID來和MES與機臺做溝通反饋及檢查, 完成機臺進貨生產與出貨的動作;另外大部份量測機臺亦可做到自動收集量測資料與反饋至后端計算機的自動化作業

EAP的好處

答：(1)減少人為誤操作(2)改善生產作業的生產力(3)改善產品的良率

為什幺EAP可以減少人為操作的錯誤

答：(1)避免機臺RUN錯貨(2)避免RUN錯機臺程序

為什幺EAP可以改善機臺的生產力?

答：(1)機臺可以自動Download程式不需人為操作(2)系統可以自動出入帳,減少人為作帳錯誤(3)系統可以自動收集資料減少人為輸入錯誤

為什幺EAP可以改善產品的良率?

答：(1)在Phot/etch/CMP區中,可自動微調制程參數(2)當機臺alarm時,可以自動hold 住貨(3)當lot內片數與MES系統內的片數帳不符合時,可自動hold 住貨

GUI名詞解釋? 答：Graphical User Interface of MES;將MES中各項功能以圖形界面的呈現方式使得user可以方便執行

EUI名詞解釋?功能是什麼? 答：EAP User Interface;機臺自動化程序的使用者界面,透過EUI可以看到機臺目前的狀態及貨在機臺內的情形

SORTER 分片機的功能?

答：可對晶舟內的wafer(1)進行讀刻號(2)可將wafer的定位點(notch/flat)調整到晶舟槽位(slot)的指定方位(3)依wafer號碼重新排列在晶舟內相對應的槽位號碼上(4)執行不同晶舟內wafer的合并(5)將晶舟內的wafer分批至多個晶舟內

OHS名詞解釋?

答：Over Head Shuttle of AMHS(在AMHS軌道上傳送FOUP的小車)FAB內的主要生產區域有那些?（有7個）

答：黃光, 蝕刻, 離子植入, 化學氣象沉積, 金屬濺鍍, 擴散, 化學機械研磨

Wafer Scrap規定?

答：Wafer由工程部人員判定機臺、制程、制造問題，已無法或無必要再進行后續制程時，則于當站予以報廢繳庫，Wafer Scrap時請填寫“Wafer Scrap處理單” Wafer經由工程部人員判定機臺、制程、制造問題已無法或無必要再進行后續制程時應采取何種措施?

答：SCRAP（報廢，定義請參照Wafer Scrap規定）

TERMINATE規定？

答：工程試驗產品已完成試驗或已無法或無必要再進行后續制程時，則需終止試驗產品此時就需將產品終止制程，稱之為TERMINATE

WAFER經由客戶通知不需再進行后續制程時應采取何種措施? 答：TERMINATE

FAB疏散演練規定一年需執行幾次?

答：為確保FAB內所有工作人員了解并熟悉逃生路徑及方式，MFG將不定期舉行疏散演練。演習次數之要求為每班每半年一次。

何時應該填機臺留言單及生產管理留言單？

答：機臺留言單：機臺有部分異常需暫時停止部分程序待澄清而要通知線上人員時生產留言單：有特殊規定需提醒線上人員注意時

填寫完成的機臺臨時留言單應置放于那里?

答：使用機臺臨時留言單應將留言單置放于LOGSHEET或粘貼于機臺上

機臺臨時留言單過期后應如何處理?

答：機臺臨時留言單過期后應由MFG On-line人員清除回收, 訊息若需長期保存則請改用生產管理留言單。

生產管理留言單的有效期限是多久? 答：三個月

何時該填寫芯片留言單？

答：芯片有問題時或是芯片有特殊交待事項需讓線上人員知道則可使用芯片留言單

芯片留言單的有效期限是多久? 答：三個月

填寫完成的芯片留言單應置放于何處? 答：FOUP 上之套子內 芯片留言單需何人簽名后才可生效? 答：MFG 的 Line Leader或Supervisor 何謂Hold Lot? 答：芯片需要停下來做實驗或產品有問題需工程師判斷時的短暫停止則需HOLD LOT;帳點上的狀態為Hold,如此除非解決hold住的原因否則無法繼續run貨

PN（Production Note，制造通報）的目的?

答：(1)為公布FAB內生產管理的條例。(2)闡述不清楚和不完善的操作規則。

PN的范圍?

答：(1)強調O.I.或TECN之規定, 未改變(2)更新制造通報內容(3)請生產線協助搜集數據(4)O.I.未規定或未限制, 且不改變RECIPE、SPEC及操作程序

何謂MONITOR?

答：對機臺進行定期的檢測或是隨產品出機臺時的檢測稱之為MONITOR，如測微粒子、厚度等

機臺的MONITOR項目暫時變更時要填何種文件?

答：Tempory Engineering Change Notice（TECN，暫時工程變更）

暫時性的MONITOR頻率增加時可用何種表格發布至線上? 答：Production Note（PN，制造通知）

新機臺RELEASE但是OI尚未生效時應填具何種表格發布線上? 答：Tempory Engineering Change Notice（TECN，暫時工程變更）

控片的目的是什幺?(Control wafer)答：為了解機臺未來的run貨結果是否在規格內,必須使用控片去試run,并量測所得結果如厚度,平坦度,微粒數…控片使用一次就要進入回收流程。

擋片(Dummy wafer)的目的是什幺?

答：用途有2種：(1)暖機(2)補足機臺內應擺芯片而未擺的空位置。擋片可重復使用到限定的時間﹝RUN數、厚度…﹞后，再送去回收.例如可以同時run150片wafer的爐管,若不足150片時必須以擋片補足,否則可能影響制程平坦度等…;High current 機臺每次可同時run17片,若不足亦須以擋片補足擋片的Raw wafer(原物料wafer)有不同的阻值范圍嗎?

答：是的;阻值范圍愈緊的,成本愈貴;例如8~12歐姆用于當產品的原物料,0~100的可能只能用當監控機臺微塵的控片

機臺狀態的作用?

答：為能清楚地評量機臺效率,並告訴線上人員機臺當時的狀況

機臺狀態可分為那兩大類? 答：(1)UP(2)Down

機臺狀態定義為availabe可用的狀態有那些?

答：RUN : 機臺正常,正在使用中BKUP : 機臺正常,幫其它廠RUN貨IDLE : 機臺正常,待料或缺人手TEST : 機臺正常,借工程師做工程實驗或調整RECIPETEST_CW : 機臺正常,正在RUN 控檔片

機臺狀態定義為SCHEDULE NON-AVAILABLE的有那些? 答：MON_R : 機臺正常,依據OI規定進行檢查,如每shift/daily/monthlyMON_PM : 機臺正常,機臺定期維護后的檢查PM : OI規定之例行維修時機及項目;如汽車5000KM保養HOLD_ENG : 機臺正常,制程工程師澄清與確認產品異常原因,停止機臺RUN LOT

在機臺當機處理完后;交回制造部時應掛何種STATUS? 答：WAIT_MFG

在工程師借機檢查機臺調整RECIPE時應掛何種STATUS? 答：TEST

若是機臺MONITOR異常工程師借機檢查機臺時應掛何種STATUS? 答：DOWN

線上發現機臺異常時通知工程師時應掛何種STATUS? 答：WAIT_ENG

線上在要將機臺交給工程師做PM前等待工程師的時間應掛何種STATUS? 答：WAIT_ENG

工程在將機臺修復后交給制造部等制造部處的這段時間應掛何種STATUS? 答：WAIT_MFG

年度維修時應掛何種STATUS? 答：OFF

Muti-Chamber的機臺有一個Chamber異常時制造部因為派工ISSUE無法交出Chamber該掛何種STATUS? 答：HOLD_MFG

制程工程師澄清或確認產品異常原因停止機臺RUN貨時應掛何種STATUS? 答：HOLD_ENG

因工程部ISSUE而成機臺不能正常RUN貨時應掛何種STATUS? 答：HOLD_ENG

MES或電腦等自動化系統相關問題造成死機要掛何種STATUS? 答：CIM

因為廠務水電氣的問題而造成機臺死機的問題要掛何種STATUS? 答：FAC

生產線因電力壓降、不穩定造成生產中斷時,機臺狀態應掛為? 答：FAC

生產線因MES中斷或EAP連線中斷而造成生產停止,此時機臺將態為何? 答：CIM

機臺狀態EQ status定義的真正用意何在?

答：(1)機臺非常貴重,所以必須知道時間都用到何處了,最好是24小時都用來生產賣錢的產品;能清楚知道時間用到何處,就能進行改善(2)責任區分,各個狀態都有不同的責任單位,如制造部/設備工程師/制程工程師…等

什幺是 T/R?

答：Turn Ratio, 芯片之移動速度;即1天內移動了幾個制程stage 如何衡量 T/R ?

答：一片芯片在1天內完成一個Stage Move,其 T/R值為 1.T/R 值愈大,表示其移動速度愈快,意謂能愈快完成所有制程.什幺是 EAR ?

答：Engineer Abnormal Report(工程異常報告);通常發生系統性工程問題或大量的報廢時,必須issue EAR.異常事件是否issue EAR 主要依據EAR OI 定義

EAR 之目的為何 ?

答：在于記錄Wafer生產過程中異常現象的發生與解決對策，及探討異常事件的真正原因進而建立有效的預防及防止再發措施，以確保生產線之生產品質能持續改善 什幺是 MO ?

答：MO(Mis-Operation)指未依工作準則之作業,而造成的生產損失.MO 有何之可能影響?

答：(1)產品制程重做(REWORK)。(2)產品報廢。(3)客戶要求退還產品，并要求賠償.如何防止 MO 之產生 ? 答：依工作準則作業.什幺是 Waferout ?

答：完成所有制程后并可當成產品賣出之芯片.什幺是 clean room(潔凈室)?

答：指空氣中浮塵被隔離之操作空間

為何要有 clean room ?

答：避免空氣中的微浮塵掉入產品,進而破壞產品的品質

clean room 有何等級 ?

答：class 1, calss 10, class 100, class 1000, class 10000,…等級愈高(class 1)則表示要求環境之潔凈度就愈高.如醫院開刀房之環境為 class 1000.FOUP回收清洗流程?

答：(1)線上各大區將所使用過的FOUP送回Wafer Start 清洗。(2)下線MA將回收待清洗的FOUP.底盤逐一拆下。(3)Cassette 須量測有無問題.(全新的也須量測)。(4)拆下的Door& 底盤須用IPA擦拭干凈。(5)拆下FOUP 放置Cleaner清洗。

FOUP回收清洗時間?

答：回收清洗時間為每三個月一次.然而RF ID 在每次清洗完Issue時會同時將下一次清洗的時間Updata上。

FOUP各部門領用流程? 答：各部門的領用人至W/S領取物品時,須填寫”FOUP & 塑料封套 領料記錄表”填上領取的件數以及部門.名字.工號即可

FAB 制造通報(Production Notice)responsibility?

答：(1)制造部負責通報的管理與執行，Fab相關部門因工程與生產需要可制作制造通報經單位主管及制造部同意后進線執行。(2)制造通報涉及工程限制（Constrain）時需由工程部門負責工程師在MES上設定/修改完成后交由制造部審核確認及生效后，此通報才能進線執行。

FAB 制造通報(Production Notice)規定和禁令?

答：(1)通報被取消則此通報將視為無效.(2)通報內容新舊版本相沖突時以新版本為主，initiator 需告知前份作廢PN ,以便MA立取出(3)通報最長期限為一個月.如果通報想延長期限,必須重新提出申請與簽核,但以一次為限.(4)至截止期后通報將自動失效.FAB 制造通報(Production Notice)管理?

答：(1)如果此通報由制造部主管直接公布,簽署過程即省略(2)通報內容應盡量言簡意賅,避免繁瑣冗長的陳述(3)制造部各區文件管理人負責將取消或無效之生產通告傳回Key-in Center 以避免被錯誤使用(4)通報應蓋上Key-in center 有效公章.WHAT’S “Bank In”? 答：各部門依據規定執行Hold 貨或設Future Hold，并下Bank In之制式Comment后，貨到站后由當區MA/LL負責于MES作帳，Wafer存入Stocker。

WHAT’S “Bank Out”?

答：各部門于Hold Comment下Bank Out之制式Comment并通知當區主管，于MFG確認Hold Comment無誤后，于MES作帳，Wafer依Comment處理。

WHAT’S ’Bank Period“?

答：每批存入Bank的Lot自Bank In起，至Bank out止，累積之時間

Bank 適用時機?

答：(1)客戶通知暫停流程/放行之Wafer。(2)新制程開發，于重點層次預留/放行之Wafer。(3)經WAT檢查后，有問題之Wafer。(4)經QE檢查后，有問題之Wafer。(5)FAB預先生產，且需暫存之Wafer。(6)特殊原因且經MFG P&Q Section Manager同意之Wafer Bank Quota?limit?

答：(1)各部門申請的Bank有一定數量限制，依制造部與各部門討論而定(2)PC部門則由PC與客戶協議，依PC相關規定處理

Bank period規定?

答：(1)PC要求之Bank最長可存放六個月；但若Customer有特殊需求，且經PC與MFG P&Q Manager同意者，則不在此限。(2)Lot Type 為L/T/LF/C/D/Z/V者，存放期限為60天。(3)Lot Type 為P/R/M/E1~9/B者，若非PC所要求，則存放期限為7天且申請時需PC 同意。

FAB內空的FOUP應存放在那些指定位置上?

答：(1)放在指定的暫存貨架上。(2)放在機臺旁的待Run Wip貨架上(3)Stocker內

為什幺FOUP 放在STOCK 入口而長時間不進去？

答：Stocker 已滿，或不能讀取RF ID。

為什幺FOUP會被送至WaferStart出口?

答：RF ID上的FOUP Clean Time 過期，或格式不正確。

何謂Bullet lot?

答：(1)就是優先權最高的lot(priority 1);(2)lot本身帶有特別重要的目的;如客戶大量投產前的試run產品,工程部特別重要的實驗貨,與其它重要目的.Bullet Lot Management Rule?

答：(1)Priority 皆為1(2)面交下一站，不得用AMHS System傳送。(3)需提前通知下一站備妥機臺。(4)有工程問題工程部必須優先解決此種lot 列出所有的Lot Priority，并說明其代表的含義

答：Priority 等級從1~5 優先權以1最大5最小Priority 1 :bullet lot(字義”子彈般快的lot“;此lot擁有特殊目的如重要實驗,客戶大量投片前試run貨等..)priority 2 : hot lot(依MFG/MPC 定義而定;通常為試run貨pilot lot, 驗證光罩設計的實驗lot..等)priority 3 : delay lot(需要加把勁否則無法準時交給客戶的lot)priority 4 : normal lot(按預定進度進行的lot)priority 5 : control wafer(生產線上的控片面)將Lot 分pirority 優先權的生產管理意義? 答：生產線上眾多的lot(可能有2000以上),各有不同的交期與目的,透過操控每批LOT的優先權數字設定來讓所有MA知道產品安排的優先級

什幺是RF ID?

答：用來記錄FOUP ID與MES對應的芯片ID、刻號、機臺的EAP亦是透過RF ID 來和MES溝通了解當站該RUN那一種程序

什幺是stocker?

答：生產線上用來存放FOUP容器的倉儲(FOUP有裝載芯片和光罩兩種)

為什幺FOUP 放在stocker 入口而長時間不進去？

答：(1)Stocker已滿(2)不能讀取RF ID 什幺FOUP 會被自動傳輸系統HOLD?

答：有同名的Lot.可根據Hold Reason 找出兩個同名Lot 的位置。

當GUI顯示說Mapping的片數和MES上的片數不匹配時如何處理？

答：請檢查MES上LOT的片數和機臺內Mapping出來的片數，若兩者不同，請找PE/EE解決；若兩者相同，請CALL EAP ENGINEER。

Process完成后GUI顯示實際RUN的片數和MES上的數量不匹配時如何處理？

答：請檢查MES上LOT的片數和機臺內Process完成的片數，若兩者不同，請找PE/EE解決；若兩者相同，請CALL EAP ENGINEER

GUI顯示“FOUP due day is expired”或“FOUP clean due day is empty“時如何處理？

答：檢查SmartRF ID中清洗FOUP的時間是否已經過期或時間是空值：若已過期，請換一個FOUP。若是空值，請先做IssueRF ID，何謂Bank Lot?

答：若芯片有客戶要求需要長時間的停止時則需使用BANK LOT;即帳點上的狀態為BANK;除非客戶再次通知后解除,否則無法往下RUN貨

何謂future hold?

答：MES 上的一個功能;對于未來制程中的某一歩驟,若需要停下來執行實驗或檢查..等目的時,可預先提早下future hold

生產線那些地方,可以感測FOUP上的RF ID并回傳此FOUP的位置? 答：Stocker 與機臺

HOLD住待處理的問題芯片;必須放在何處? 答：放置在指定之HOLD LOT貨架上

工程師使用的芯片、控擋片;必須放在何處? 答：放置在工程師芯片專用貨架上

待run產品 ,必須放在何處?

答：放入STOCKER內或放置在機臺旁之貨架（推車上）

Fab通常如何定義產品的復雜度?

答：必須經過幾道photo layer,有幾層poly, 有幾層metal越多層越復雜

假設一種產品的制程共有20次photo layer,103個stage 的產品,從投片到出貨的周期時間(cycle time)為22天;試問此LOT 的平均T/R是多少? 答：103 stage/22天=4.7

假設一種產品的制程共有20次photo layer,103個stage 的產品,從投片到出貨的周期時間(cycle time)為22天;試問平均C/T per layer(每一photo layer的cycle time)是多少?

答：22天/20=1.1

Signal Tower 的功能為何?

答：用以提醒操作者,機臺的實時狀況,實時處理,增加機臺的使用率 Signal Tower有那幾種燈號顏色? 答：紅/黃/綠三種顏色

Signal Tower的紅燈亮(ON)起來時,代表何意義? 答：機臺的主要功能當掉訊息出現時

Signal Tower的紅燈閃爍(flash)時,代表何意義? 答：機臺有任何Alarm的訊息出現時

Signal Tower的綠燈亮(ON)起來時,代表何意義? 答：機臺是在run貨狀態;且所有進貨端都擺滿了貨

Signal Tower的綠燈閃爍(flash)時,代表何意義?

答：機臺是在run貨狀態;但有某一個以上的進貨端有空檔,用以提醒操作人員進貨(MIR;move in request)

Signal Tower的黃燈閃爍(flash)時,代表何意義?

答：機臺是在可使用狀態;但有某一個以上的出貨端有貨run完,等著出貨,用以提醒操作人員把貨拿走(MOR;move Out request)光罩產品有哪兩種材料組成?

答：(1)BLANK;玻璃主體;使得光容易透過(2)PELLICLE;一種高分子材料,用來保護玻璃上的電路圖,避免particle影響

簡單分類光罩可分為哪兩種？

答：Binary光罩(一般光罩)& PSM光罩(相位移光罩);PSM光罩一般用于窄線寬或某幾個最重要的PHOTO 層如Poly/Contact/Metal 1 photo layer 現行工廠內有哪兩種PELLICLE(光罩的鉻膜)？

答：I-line(365光源用)DUV（248光源用）

I-line pellicle的光罩可否用于DUV的曝光機?

答：不能;因為DUV光源的能量Energy較強,會將pellicle 燒焦

DUV pellicle的光罩可否用于I-line的曝光機? 答：可以

光罩上PATTERN或玻璃面有刮傷可否修補? 答：不能

PELLICLE毀損能否修補?

答：若沒傷到pellicle下的電路圖形，可撕除pellicle,重新貼上新的PELLICLE 何謂cycle time,周期時間?

答：wafer 從投片wafer start 到WAT電性測試結束這段生產時間(如早上出門.搭車到達公司所需經過的時間)

cycle time 周期時間是由那些時間所構成答：(1)Process time 所有步驟的制程時間總和(2)waiting time : 所有步驟中所耗費的等待時間,如等人或等機臺有空(3)hold time:所有步驟因為異常等原因,被扣留下來檢查的時間

如何降低cycle time 周期時間?

答：cycle time是process time(機臺run貨時間),waiting time(等候時間), hold time(等待澄清問題時間);所以任何有助于降低三者的活動皆有幫助

如何減少process time 總和? 答：(1)由制程整合工程師檢討流程中是否有步驟可以去除不做;如一些檢查站點或清洗站點等(2)由工程部制程工程師研究改善縮短每一步驟的制程時間(需經過實驗測試是否影響品質,此項達成度較難)如何減少waiting time總和?

答：waiting time 是因為少人少機臺所造成;所以有下列幾種方法(1)加人買機臺(此方法必須說服老板人和機臺都已充份利用最大化了)(2)改善人的能力;如每一MA有多種操作技能,加強派貨能力等(3)改善機臺的能力;如增加WPH每小時的產出量,設備工程師將機臺維持在高的UP time等(4)檢討減少生產線上的wafer 數目;檢討是否有太早下線的wafer或不必要的實驗貨,過多少片數的LOT(例如透過公運輸或多人共乘減少)路上的車輛

如何減少hold time 總和? 答：hold time 來自制程不穩定與機臺不穩定和實驗測試所致;與發生hold time后的后續處理時間;所以必須針對這幾項來著手

如何簡單地評定一個代工廠的能力?

答：(1)良率維持在穩定的高點(2)周期時間cycle tiem愈短愈好(3)製造成本愈低愈好

工廠準時交貨率(On-Time Delivery Order)

答：值越高表示工廠準時交貨的能力越好，對于客戶的服務也越佳

工廠產量完成率(On-Time Delivery for Volume)答：衡量工廠滿足客戶需求的能力是否良好，但并不評估是否按照預定日程交貨，值越高越好

控/擋片使用率(Control/Dummy Usage)

答：平均每生產一片芯片所需使用的控/擋片數量由于控/擋片可以重復使用，因此當生產線系統越穩定，技術員操作越熟練，則控/擋片壽命也越長，生產成本也因而降低。

何謂OI?

答：Operation Instruction操作指導手冊；每一型號的機臺都有一份OI。OI含括制程參數、機臺程序、機器簡介、操作步驟與注意事項。其中操作步驟與注意事項是我們該熟記的部分

何謂Discipline

答：簡單稱之為『紀律』。泛指經由訓練與思考，對群體的價值觀產生認同而自我約束，使群體能在既定的規范內達成目標，與一般的盲從不同。

如何看制造部的紀律好不好?

答：制造部整體紀律的表現，可以由FAB執行6S夠不夠徹底和操作錯誤多寡作為衡量標準！

如何看整個FAB紀律好不好?

答：FAB內整體的紀律表現，可以反應在Yield上。

公司的企業文化為何? 答：重操守（integrity）誠實（honesty）團隊合作（team work）注重效能（effectiveness）永續經營和不斷改進（PDCA——plan/do/check/action）

那些是對外不可說的事?

答：(1)產品良率(Yield)(2)訂單數量(3)客戶名字(4)公司組織(5)主管手機號碼(6)公司人數(7)其它廠商Vendor的資料(8)生產線的機臺臺數及種類。

那些是對外不可做的事? 答：(1)與Vendor聚餐,需經過部門主管的同意(2)收傭金,有價證券(3)收受禮物(禮物價值>15RMB)(4)接受招待旅游(5)出入不正當場所

Fab4的工作精神為何? 答：OwnershipHands OnTeamwork&CooperateCall for helpFollow up;Discipline 何謂Ownership? 答：主人翁精神;對待處理公事如己之私事般完善;把事情做好而不是把事情做完

何謂Hands On ?

答：親力親為;總裁Richard要求所有人尤其是主管必須對自己的業務了若指掌

何謂Call for help ?

答：請求支持;任務過程中遇困難,必須尋求同事或主管幫忙,否則會誤了大事

為什幺溝通時必須使用”精準“的字眼?,避免使用”好象“, ”可能“;”大概“ ,”差不多“ 等模糊字眼

答：因為團隊的其它人必須根據你的話來下決定與做判斷,一旦用了模糊字眼,就必須一來一往才能澄清問題,泿費時間,所以不了解的事,就直接回答不清楚

為什幺開會描述問題時,必須先講結果或別人必須配合的AR(action request),然后再講問題發生的原因? 答：因為開會時間有限,參與的人太多(如全廠的生產晨會);先講結果或AR可以讓人快速抓住重點,如果時間不足原因可以簡略說明即可

為什幺會議中要避免某些人”開小會“(小組自行討論)的現象? 答：因為你不是主持人,開小會使得議程被打斷,討論主題發散,會議時間冗長,泿費大家時間

為什幺開會,上臺進行演示文稿時,要力求大聲?

答：因為所有人必須跟據你的說明下判斷或決定,而且小聲講也顯得自己沒有自信

什幺是6S運動?

答：在自己的工作區內徹底執行整理/整頓/清掃/清潔/紀律/安全6項作業準則標準

整理與整頓的意含差異?

答：整理為保管要的東西,丟掉不要的東西,整頓為針對要的東西進行定位/標示/歸位的動作

清掃與清潔的意含差異?

答：清除為清除臟亂污垢,清潔為保持整理/整頓/清掃的成果

6S運動推廣重點區域?

答：辦公區與潔凈室是兩大重點

為何無塵室中的任何地板開孔都必須以警示圍籬區隔?

答：為了安全考量;任何小洞都可能造成人員拌倒,芯片摔破

為何無塵室中的中間走道高架地板上要鋪設鋼板? 答：為防止move-in 機臺所用的拖板車刮傷地板

無塵室中間走道高架地板上的鋼板,如何鋪設?

答：先鋪設塑料墊,再鋪設鋼板,每一片鋼板的接鏠邊必須以膠帶貼合,避免人員或芯片推車拌倒

無塵室中有那些地板必須以顏色膠帶做定位?

答：中間走道,各Bay信道,機臺安裝前的定位標示,逃生信道,貨架定位,零附件暫存區定位

無塵室中的最大發塵源為何? 答：無塵室中走動的人

那些會發塵的物品不得帶入無塵室? 答：通常屬于天然類的物質都會發塵,如一般紙張,木箱,鉛筆,等

無塵室中施工時必須參考的layout 圖,如何帶入無塵室? 答：請以無塵紙影印人后帶入

可在無塵室中做地板切割作業?

答：不行,因為會產生微塵,所以請將地板攜出進行作業

可在無塵室中做地板鉆孔作業?

答：可以,但鉆孔時必須同時以吸塵器清除這些鐵屑(必須2人同時作業)貨架不能擋住那些緊急設施?

答：沖身洗眼器,滅火器,機臺的緊急按鈕(EMO)手套上寫字記事情,為什幺違反6S規定? 答：因為筆墨會到處沾粘;是微塵的來源

口罩必須如何戴才不違反6S規定?

答：完全蓋住口鼻;且全程保持標準,不得拉下口罩,露出鼻子

制程或設備工程師review 完問題貨,如果不放回定位,hold lot 貨架或stocker內會有何影響? 答：制造部MA,將大海撈針式地搜索此LOT,因為只有在Stocker和機臺上才能感測RFID,回傳該LOT的位置

如何從自身執行公司的機密文件管制?

答：機密文件檔案嚴禁任意放置在檔案柜內或桌面上,必須放入有鎖的抽里。

辦公區域內不可吃飲料類以外的食物屬于那一種要求? 答：辦公區的工作紀律

辦公區域內不得任意喧嘩屬于那一種要求? 答：辦公區的工作紀律

辦公區域內嚴禁打電子游戲屬于那一種要求? 答：辦公區的工作紀律

有獨立辦公室的同仁在離開辦公室時，必須關上門屬于那一種要求? 答：辦公區的工作紀律

下班時請將桌面上所有文件清除屬于那一種要求? 答：辦公區的整理整頓

桌面下方物品堆放整齊，不可有雜物屬于那一種要求? 答：辦公區的整理整頓

何謂OCAP?

答：Out of Control Action Plan, 即產品制程結果量測值或機臺監控monitor量測值,違反統計制程管制規則后的因應對策

制造部人員如何執行品質監控系統OCAP?

答：遇產品或機臺monitor量測值OOC或OOS時,必須Follow 相對應的檢查流程(有厚度/微塵/CD/Overlay…等OCAP 窗體);并通知工程師檢查工程上的問題

工程部人員(制程或設備工程師)如何執行品質監控系統OCAP?

答：制造部MA通知必須Follow的OCAP;必須依流程判斷LOT或機臺有工程間題

什幺是OOS?

答：out of spec;制程結果超出允收規格

什幺是OOC?

答：out of control;制程結果在允收規格內但是違反統計制程管制規則;用以警訊機臺或制程潛在可能的問題

發現Fab內地板有如水的不明液體要如何處理?

答：請先假設它可能為強酸強堿, 以酸堿試紙檢測PH值后再以無塵布或吸酸棉吸收后丟入分類垃圾桶中

Fab內的滅火器為那一類? 答：CO2 類

為什幺FAB必須使用CO2類的滅火器? 答：因為CO2無干粉滅火器產塵的顧忌

如果不依垃圾分類原則來丟垃圾會有什幺后果?

答：可能造成無塵室的火災危機,因為酸堿中和,產生熱后可能引起火災

無塵室的正下方我們稱為什幺? 答：sub-fab

Sub-fab的功能主要為何?

答：生產機臺所需的供酸供氣等需求,主要由此處來供應上來

Fab內的空氣和外界進行交換的比例為何? 答：約20%~25%

Fab生產區域內最在意靜電(ESD)效應的區域為何? 答：PHOTO 黃光區(低能量靜電放電導致光罩的破壞)PHOTO 區如何消除靜電效應

答：(1)機臺接地(2)使用導電或防靜電的材質(3)使用靜電消除裝置

PHOTO 區的靜電消除器安置在那些地方?

答：(1)天花板(2)機臺scanner上方(3)Stocker內

靜電效應主要造成那些破壞? 答：(1)使得wafer表面易吸附particle(2)堆積的靜電荷一旦有放電作用,即會因產生的電流造成組件的破壞

何謂沖身洗眼器?/何處可以找到?

答：無塵室中各區域皆會有;是一可緊急使用沖淋身體與眼睛的地方

遇到什幺狀況時,需要使用沖身洗眼器

答：當碰到酸堿或任何其它溶劑時,請立即進入沖淋間,以大量清水沖淋15分鐘,然后趕急至醫護室進行下一步處理

為何要配合海關進行資產盤點?(機臺/芯片/原物料)

答：因為進口的大部份資產都有關稅優惠;海關為了解企業確實將這些進口的材料加工成品后賣錢;而不是轉手賣掉.這一盤點對公司來說是非常重要的

PHOTO區域若發生miss operaton;可進行rework將光阻去除后重新來過;所以不用太緊張對嗎?

答：錯!重做多次將影響良率

PEL-STEL(short term exposure limit)短時間(15分鐘)時量平均容許濃度

答：勞工在短時間之內可以連續暴露，而不會遭受刺激，慢性或不可逆的組織損害，或在每天之暴露沒有超過工作日時量平均容許濃度時不致因昏迷以致于會增加意外事故，損害自我救援能力，或實質地降低工作效率。

PEL-Ceiling最高容許濃度：

答：在工作期間之任何時間暴露，均不可以超過的濃度。

LEL & UEL(Lower(Upper)Explosion Limit)

答：.爆炸下限 & 爆炸上限;可燃性氣體分子在空氣中混合后的氣體百分率,達爆炸范圍時，可引起燃燒或爆炸，此爆炸范圍的下限及上限稱為LEL及UEL例如 SiH4 1.4%-96%

TLV(THRESHOLD LIMIT VALUE)國際標準閾限值、恕限量

答：空氣中的物質濃度，在此情況下認為大多數人員每天重復暴露，不致有不良效應。在此濃度每天呼吸暴露8小時不致有健康危害。但因每人體質感受性差異很大，因此，有時即使低于TLV之濃度方可能導致某些人之不舒服、生病或使原有情況加劇。

PEL-TWA(time-weighted average)工作日時量平均容許濃度：各國家對同要物質可能有不同 TWA;例如AsH3 在 USA:20ppb Taiwan:50ppb

答：正常8小時一個工作天,40小時一工作周之時間加權的平均濃度下，大部份的勞工都重復一天又一天的曝露，而無不良的反應。

PHOTO

PHOTO 流程?

答：上光阻→曝光→顯影→顯影後檢查→CD量測→Overlay量測

何為光阻？其功能為何？其分為哪兩種？

答：Photoresist(光阻).是一種感光的物質，其作用是將Pattern從光罩(Reticle)上傳遞到Wafer上的一種介質。其分為正光阻和負光阻。

何為正光阻?

答：正光阻，是光阻的一種，這種光阻的特性是將其曝光之后，感光部分的性質會改變，并在之后的顯影過程中被曝光的部分被去除。

何為負光阻?

答：負光阻也是光阻的一種類型，將其曝光之后，感光部分的性質被改變，但是這種光阻的特性與正光阻的特性剛好相反，其感光部分在將來的顯影過程中會被留下，而沒有被感光的部分則被顯影過程去除。

什幺是曝光？什幺是顯影？

答：曝光就是通過光照射光阻，使其感光；顯影就是將曝光完成后的圖形處理，以將圖形清晰的顯現出來的過程。

何謂 Photo?

答：Photo=Photolithgraphy,光刻，將圖形從光罩上成象到光阻上的過程。

Photo主要流程為何?

答：Photo的流程分為前處理，上光阻，Soft Bake, 曝光，PEB，顯影，Hard Bake等。

何謂PHOTO區之前處理?

答：在Wafer上涂布光阻之前，需要先對Wafer表面進行一系列的處理工作，以使光阻能在后面的涂布過程中能夠被更可靠的涂布。前處理主要包括Bake，HDMS等過程。其中通過Bake將Wafer表面吸收的水分去除，然后進行HDMS工作，以使Wafer表面更容易與光阻結合。

何謂上光阻? 答：上光阻是為了在Wafer表面得到厚度均勻的光阻薄膜。光阻通過噴嘴（Nozzle）被噴涂在高速旋轉的Wafer表面，并在離心力的作用下被均勻的涂布在Wafer的表面。何謂Soft Bake?

答：上完光阻之后，要進行Soft Bake，其主要目的是通過Soft Bake將光阻中的溶劑蒸發，并控制光阻的敏感度和將來的線寬，同時也將光阻中的殘余內應力釋放。

何謂曝光?

答：曝光是將涂布在Wafer表面的光阻感光的過程，同時將光罩上的圖形傳遞到Wafer上的過程。

何謂PEB(Post Exposure Bake)?

答：PEB是在曝光結束后對光阻進行控制精密的Bake的過程。其目的在于使被曝光的光阻進行充分的化學反應，以使被曝光的圖形均勻化。

何謂顯影? 答：顯影類似于洗照片，是將曝光完成的Wafer進行成象的過程，通過這個過程，成象在光阻上的圖形被顯現出來。

何謂Hard Bake?

答：Hard Bake是通過烘烤使顯影完成后殘留在Wafer上的顯影液蒸發，并且固化顯影完成之后的光阻的圖形的過程。

何為BARC?何為TARC?它們分別的作用是什幺？

答：BARC=Bottom Anti Reflective Coating, TARC=Top Anti Reflective Coating.BARC是被涂布在光阻下面的一層減少光的反射的物質，TARC則是被涂布在光阻上表面的一層減少光的反射的物質。他們的作用分別是減少曝光過程中光在光阻的上下表面的反射，以使曝光的大部分能量都被光阻吸收。

何謂 I-line？

答：曝光過程中用到的光，由Mercury Lamp(汞燈)產生，其波長為365nm，其波長較長，因此曝光完成后圖形的分辨率較差，可應用在次重要的層次。

何謂 DUV？

答：曝光過程中用到的光，其波長為248nm，其波長較短，因此曝光完成后的圖形分辨率較好，用于較為重要的制程中。

I-line與DUV主要不同處為何?

答：光源不同，波長不同，因此應用的場合也不同。I-Line主要用在較落后的制程（0.35微米以上）或者較先進制程（0.35微米以下）的Non-Critical layer。DUV則用在先進制程的Critical layer上。

何為Exposure Field?

答：曝光區域，一次曝光所能覆蓋的區域

何謂 Stepper? 其功能為何?

答：一種曝光機，其曝光動作為Step by step形式,一次曝整個exposure field,一個一個曝過去

何謂 Scanner? 其功能為何?

答：一種曝光機，其曝光動作為Scanning and step形式, 在一個exposure field曝光時, 先Scan完整個field, Scan完後再移到下一個field.何為象差？

答：代表透鏡成象的能力,越小越好.Scanner比Stepper優點為何？

答：Exposure Field大，象差較小

曝光最重要的兩個參數是什幺？ 答：Energy(曝光量), Focus(焦距)。如果能量和焦距調整的不好，就不能得到要求的分辨率和要求大小的圖形，主要表現在圖形的CD值超出要求的范圍。因此要求在生產時要時刻維持最佳的能量和焦距，這兩個參數對于不同的產品會有不同。

何為Reticle?

答：Reticle也稱為Mask，翻譯做光掩模板或者光罩，曝光過程中的原始圖形的載體，通過曝光過程，這些圖形的信息將被傳遞到芯片上。

何為Pellicle?

答：Pellicle是Reticle上為了防止灰塵(dust)或者微塵粒子(Particle)落在光罩的圖形面上的一層保護膜。

何為OPC光罩？

答：OPC(Optical Proximity Correction)為了增加曝光圖案的真實性，做了一些修正的光罩，例如，0.18微米以下的Poly, Metal layer就是OPC光罩。

何為PSM光罩？

答：PSM(Phase Shift Mask)不同于Cr mask, 利用相位干涉原理成象，目前大都應用在contact layer以及較小CD的Critical layer（如AA，POLY，METAL1）以增加圖形的分辨率。

何為CR Mask？

答：傳統的鉻膜光罩,只是利用光訊0與1干涉成像,主要應用在較不Critical 的layer

光罩編號各位代碼都代表什幺？

答：例如003700-156AA-1DA, 0037代表產品號，00代表Special code,156代表layer,A代表客戶版本，后一個A代表SMIC版本，1代表FAB1，D代表DUV(如果是J,則代表I-line),A代表ASML機臺（如果是C，則代表Canon機臺）

光罩室同時不能超過多少人在其中？

答：2人，為了避免產生更多的Particle和靜電而損壞光罩。

存取光罩的基本原則是什幺？

答：(1)光罩盒打開的情況下，不準進出Mask Room,最多只準保持2個人(2)戴上手套(3)輕拿輕放

如何避免靜電破壞Mask？

答：光罩夾子上連一導線到金屬桌面，可以將產生的靜電導出。

光罩POD和FOUP能放在一起嗎？它們之間至少應該保持多遠距離？

答：不能放在一起，之間至少要有30公分的距離，防止搬動FOUP時碰撞光罩Pod而損壞光罩。

何謂 Track?

答：Photo制程中一系列步驟的組合，其包括：Wafer的前、后處理，Coating(上光阻)，和Develop(顯影)等過程。

In-line Track機臺有幾個Coater槽，幾個Developer槽？

答：均為4個

機臺上亮紅燈的處理流程？

答：機臺上紅燈亮起的時候表明機臺處于異常狀態，此時已經不能RUN貨，因此應該及時Call E.E進行處理。若EE現在無法立即解決，則將機臺掛DOWN。

何謂 WEE? 其功能為何?

答：Wafer Edge Exposure。由于Wafer邊緣的光阻通常會涂布的不均勻，因此一般不能得到較好的圖形，而且有時還會因此造成光阻peeling而影響其它部分的圖形，因此 將Wafer Edge的光阻曝光，進而在顯影的時候將其去除，這樣便可以消除影響。

何為PEB？其功能為何？

答：Post Exposure Bake，其功能在于可以得到質量較好的圖形。（消除standing waves）

PHOTO POLYIMIDE所用的光阻是正光阻還是負光阻

答：目前正負光阻都有，SMIC FAB內用的為負光阻。

RUN貨結束后如何判斷是否有wafer被reject？

答：查看RUN之前lot里有多少Wafer,再看Run之后lot里的WAFER是否有少掉，如果有少，則進一步查看機臺是否有Reject記錄。

何謂 Overlay? 其功能為何?

答：迭對測量儀。由于集成電路是由很多層電路重迭組成的，因此必須保證每一層與前面或者后面的層的對準精度，如果對準精度超出要求范圍內，則可能造成整個電路不能完成設計的工作。因此在每一層的制作的過程中，要對其與前層的對準精度進行測量，如果測量值超出要求，則必須采取相應措施調整process condition.何謂 ADI CD?

答：Critical Dimension，光罩圖案中最小的線寬。曝光過后，它的圖形也被復制在Wafer上，通常如果這些最小的線寬能夠成功的成象，同時曝光的其它的圖形也能夠成功的成象。因此通常測量CD的值來確定process的條件是否合適。

何謂 CD-SEM? 其功能為何?

答：掃描電子顯微鏡。是一種測量用的儀器，通常可以用于測量CD以及觀察圖案。

PRS的制程目的為何？

答：PRS(Process Release Standard)通過選擇不同的條件（能量和焦距）對Wafer曝光，以選擇最佳的process condition。

何為ADI？ADI需檢查的項目有哪些？

答：After Develop Inspection，曝光和顯影完成之后，通過ADI機臺對所產生的圖形的定性檢查，看其是否正常，其檢查項目包括：Layer ID,Locking Corner,Vernier,Photo Macro Defect 何為OOC, OOS，OCAP？

答：OOC=out of control,OOS=Out of Spec,OCAP=out of control action plan 當需要追貨的時候，是否需要將ETCH沒有下機臺的貨追回來？

答：需要。因為通常是process出現了異常，而且影響到了一些貨，因此為了減少損失，必須把還沒有ETCH的貨追回來，否則ETCH之后就無法挽回損失。

PHOTO ADI檢查的SITE是每片幾個點？

答：5點，Wafer中間一點，周圍四點。

PHOTO OVERLAY檢查的SITE是每片幾個點？

答：20

PHOTO ADI檢查的片數一般是哪幾片？

答：#1，#6，#15，#24;統計隨機的考量 何謂RTMS，其主要功能是什幺？

答：RTMS(Reticle Management System)光罩管理系統用于trace光罩的History,Status,Location,and Information以便于光罩管理

PHOTO區的主機臺進行PM的周期？

答：一周一次

PHOTO區的控片主要有幾種類型

答：(1)Particle :作為Particle monitor用的芯片,使用前測前需小於10顆(2)Chuck Particle :作為Scanner測試Chuck平坦度的專用芯片,其平坦度要求非常高(3)Focus :作為Scanner Daily monitor best 的wafer(4)CD :做為photo區daily monitor CD穩定度的wafer(5)PR thickness :做為光阻厚度測量的wafer(6)PDM :做為photo defect monitor的wafer

當TRACK剛顯示光阻用完時，其實機臺中還有光阻嗎？

答：有少量光阻

當TRACK剛顯示光阻用完時，其實機臺中還有光阻嗎？

答：有少量光阻

WAFER SORTER有讀WAFER刻號的功能嗎？

答：有

光刻部的主要機臺是什幺? 它們的作用是什幺?

答：光刻部的主要機臺是: TRACK(涂膠顯影機), Sanner(掃描曝光機)為什幺說光刻技術最象日常生活中的照相技術

答：Track 把光刻膠涂附到芯片上就等同于底片,而曝光機就是一臺最高級的照相機.光罩上的電路圖形就是”人物“.通過對準,對焦,打開快門, 讓一定量的光照過光罩, 其圖像呈現在芯片的光刻膠上, 曝光后的芯片被送回Track 的顯影槽, 被顯影液浸泡, 曝光的光刻膠被洗掉, 圖形就顯現出來了.光刻技術的英文是什幺

答：Photo Lithography

常聽說的.18 或點13 技術是指什幺?

答：它是指某個產品,它的最小”CD" 的大小為0.18um or 0.13um.越小集成度可以越高, 每個芯片上可做的芯片數量越多, 難度也越大.它是代表工藝水平的重要參數.從點18工藝到點13 工藝到點零9.難度在哪里?

答：難度在光刻部, 因為圖形越來越小, 曝光機分辨率有限.曝光機的NA 是什幺?

答：NA是曝光機的透鏡的數值孔徑;是光罩對透鏡張開的角度的正玹值.最大是1;先進的曝光機的NA 在0.5---0.85之間.曝光機分辨率是由哪些參數決定的? 答：分辨率=k1*Lamda/NA.Lamda是用于曝光的光波長;NA是曝光機的透鏡的數值孔徑;k1是標志工藝水準的參數, 通常在0.4--0.7之間.如何提高曝光機的分辨率呢?

答：減短曝光的光波長, 選擇新的光源;把透鏡做大,提高NA.現在的生產線上, 曝光機的光源有幾種, 波長多少?

答：有三種: 高壓汞燈光譜中的365nm 譜線, 我們也稱其為I-line;KrF 激光器, 產生248 nm 的光;ArF 激光器, 產生193 nm 的光;下一代曝光機光源是什幺? 答：F2 激光器.波長157nm

我們可否一直把波長縮短,以提高分辨率? 困難在哪里?

答：不可以.困難在透鏡材料.能透過157nm 的材料是CaF2, 其晶體很難生長.還未發現能透過更短波長的材料.為什幺光刻區采用黃光照明？

答：因為白光中包含365nm成份會使光阻曝光,所以采用黃光;就象洗像的暗房采用暗紅光照明.什幺是SEM

答：掃描電子顯微鏡(Scan Electronic Microscope)光刻部常用的也稱道CD SEM.用它來測量CD

如何做Overlay 測量呢?

答：芯片(Wafer)被送進Overlay 機臺中.先確定Wafer的位置從而找到Overlay MARK.這個MARK 是一個方塊 IN 方塊的結構.大方塊是前層, 小方塊是當層;通過小方塊是否在大方塊中心來確定Overlay的好壞.生產線上最貴的機器是什幺

答：曝光機;5-15 百萬美金/臺

曝光機貴在哪里?

答：曝光機貴在它的光學成像系統(它的成像系統由15 到20 個直徑在200 300MM 的透鏡組成.波面相位差只有最好象機的5%.它有精密的定位系統(使用激光工作臺)

激光工作臺的定位精度有多高?

答：現用的曝光機的激光工作臺定位的重復精度小于10nm 曝光機是如何保證Overlay<50nm

答：曝光機要保證每層的圖形之間對準精度<50nm.它首先要有一個精準的激光工作臺, 它把wafer移動到準確的位置.再就是成像系統,它帶來的圖像變形<35nm.在WAFER 上, 什幺叫一個Field?

答：光罩上圖形成象在WAFER上, 最大只有26X33mm一塊(這一塊就叫一個Field),激光工作臺把WAFER 移動一個Field的位置，再曝一次光，再移動再曝光。直到覆蓋整片WAFER。所以，一片WAFER 上有約100左右Field.什幺叫一個Die?

答：一個Die也叫一個Chip;它是一個功能完整的芯片。一個Field可包含多個Die;

為什幺曝光機的綽號是“印鈔機”

答：曝光機 很貴；一天的折舊有3萬-9萬人民幣之多;所以必須充份利用它的產能,它一天可產出1600片WAFER。

Track和Scanner內主要使用什幺手段傳遞Wafer：

答：機器人手臂(robot), Scanner 的ROBOT 有真空(VACCUM)來吸住WAFER.TRACK的ROBOT 設計獨特, 用邊緣HOLD WAFER.可否用肉眼直接觀察測量Scanner曝光光源輸出的光

答：絕對禁止;強光對眼睛會有傷害

為什幺黃光區內只有Scanner應用Foundation(底座)答：Scanner曝光對穩定性有極高要求(減震)近代光刻技術分哪幾個階段?

答：從80’S 至今可分4階段:它是由曝光光源波長劃分的;高壓水銀燈的G-line(438nm), I-line(365nm);excimer laser KrF(248nm), ArF laser(193nm)I-line scanner 的工作范圍是多少?

答：CD >0.35um 以上的圖層(LAYER)KrF scanner 的工作范圍是多少?

答：CD >0.13um 以上的圖層(LAYER)ArF scanner 的工作范圍是多少?

答：CD >0.08um 以上的圖層(LAYER)什幺是DUV SCANNER

答：DUV SCANNER 是 指所用光源為Ｄeep Ultra Voliet, 超紫外線．即現用的248nm,193nm Scanner

Scanner在曝光中可以達到精確度宏觀理解：

答：Scanner 是一個集機，光，電為一體的高精密機器；為控制iverlay<40nm,在曝光過程中，光罩和Wafer的運動要保持很高的同步性．在250nm/秒的掃描曝光時，兩者同步位置<10nm．相當于兩架時速1000公里／小時的波音747飛機前后飛行，相距小于10微米

光罩的結構如何？

答：光罩是一塊石英玻璃，它的一面鍍有一層鉻膜（不透光）．在制造光罩時，用電子束或激光在鉻膜上寫上電路圖形（把部分鉻膜刻掉，透光）．在距鉻膜5mm 的地方覆蓋一極薄的透明膜（叫pellicle），保護鉻膜不受外界污染.在超凈室（cleanroom）為什幺不能攜帶普通紙

答：普通紙張是由大量短纖維壓制而成，磨擦或撕割都會產生大量微小塵埃（particle）．進cleanroom 要帶專用的Cleanroom Paper.如何做CD 測量呢? 答：芯片(Wafer)被送進CD SEM 中.電子束掃過光阻圖形(Pattern).有光阻的地方和無光阻的地方產生的二次電子數量不同;處理此信號可的圖像.對圖像進行測量得CD.什幺是DOF

答：DOF 也叫Depth Of Focus, 與照相中所說的景深相似.光罩上圖形會在透鏡的另一側的某個平面成像, 我們稱之為像平面(Image Plan), 只有將像平面與光阻平面重合(In Focus)才能印出清晰圖形.當離開一段距離后, 圖像模糊.這一可清晰成像的距離叫DOF

曝光顯影后產生的光阻圖形（Pattern）的作用是什幺？

答：曝光顯影后產生的光阻圖形有兩個作用：一是作刻蝕的模板，未蓋有光阻的地方與刻蝕氣體反應，被吃掉．去除光阻后，就會有電路圖形留在芯片上．另一作用是充當例子注入的模板．

光阻種類有多少？

答：光阻種類有很多．可根據它所適用的曝光波長分為I-line光阻,KrF光阻和ArF光阻

光阻層的厚度大約為多少？

答：光阻層的厚度與光阻種類有關．I-line光阻最厚，0.7um to 3um.KrF光阻0.4-0.9um.ArF光阻0.2-0.5um.哪些因素影響光阻厚度？

答：光阻厚度與芯片（ＷＡＦＥＲ）的旋轉速度有關，越快越薄，與光阻粘稠度有關．

哪些因素影響光阻厚度的均勻度？

答：光阻厚度均勻度與芯片（ＷＡＦＥＲ）的旋轉加速度有關，越快越均勻，與旋轉加減速的時間點有關．

當顯影液或光阻不慎濺入眼睛中如何處理

答：大量清水沖洗眼睛，并查閱顯影液的ＣＳＤＳ（Chemical Safety Data Sheet）,把它提供給醫生，以協助治療

第二篇：半導體論文

半導體器件論文試題（任選5題）

《1月7號前交給班長，要求手寫》

1、闡述本征半導體、P型半導體、N型半導體的概念并給出其能帶圖。

2、論述PN結的構成及其能帶圖的成因。

3、論述PN結單向導電的成因。

4、論述PN結被擊穿的機理。

5、論述PN結電容的分類及內在機制。

6、以NPN型晶體管為例論晶體管的基本結構及其放大原理。

7、以NPN型晶體管為例論述晶體管反向電流的種類及其成因。

8、論述P-N結模型伏安特性偏離理想方程的原因。

9、推導證明本征半導體的費米能級Ei基本在禁帶中間。

10、論述MIS結構表面積累、表面耗盡、表面反型的形成機理。

第三篇：初三物理教案 半導體（精選）

初三物理教案 半導體

初三物理教案 半導體

教學目標

知識目標

了解半導體以及半導體在現代科學技術中的應用.能力目標

通過半導體知識的學習，擴展知識面.情感目標

知道半導體在現代科技中的重要性，樹立科技強國的觀念.教學建議

教材分析 教材從分析導體和絕緣體的區別入手，進一步引入另一種介乎導體和絕緣體之間的材料--半導體.接著分析了半導體的特點并提出問題.教材又結合實例，介紹幾種半導體的特性，說明了半導體地重要性.教法建議

本節的教學要注重科技的聯系，避免孤立的學習，要注意聯系實際.可以提出問題學生自主學習，學生根據提出的問題，可以利用教材和教師提供的一些資料進行學習.也可以教師提出課題，學生查閱資料，從收集資料、信息的過程中學習，提高收集信息和處理信息的能力.教學設計方案

【教學過程設計】 方法

1、學生閱讀教材，教師提供一些半導體的材料，教師提出一些問題，學生閱讀時思考，例如：半導體和導體、絕緣體的有什么不同?你知道那些半導體元件?半導體都在哪些地方有應用?

方法

2、對于基礎較好的班級，可以采用實驗探究和信息學習的方法.實例如下

實驗探究：可以組織學生小組，圖書館、互聯網查閱有關半導體方面的資料，小組討論，總結半導體和導體、絕緣體的區別.【板書設計】

1．半導體

概念

與導體、絕緣體的區別

2．半導體材料

3.半導體的電學性能 探究活動

【課題】探究二極管的特性

【組織形式】學習小組

【活動方式】查閱有關資料，總結、討論

【活動內容】查找、總結

1、二極管的四個特性.2、判斷二極管的方法.3、二極管的有關參數..

第四篇：說課稿-半導體器件

尊敬的各位領導、各位老師下午好，我今天說課的題目是：平衡PN結

一、分析教材

首先我對本節的教材內容進行分析：

《半導體器件物理》是應用物理學專業的一門重要專業方向課程。通過本課程的學習，使學生能夠結合各種半導體的物理效應掌握常用和特殊半導體器件的工作原理，從物理角度深入了解各種半導體器件的基本規律。PN結是構成各類半導體器件的基礎，如雙極型晶體管、結型場效應晶體管、可控硅等，都是由PN結構成的。PN結的性質集中反映了半導體導電性能的特點，如存在兩種載流子、載流子有漂移運動、擴散運動、產生與復合三種基本運動形式等。獲得在本課程領域內分析和處理一些最基本問題的初步能力，為進一步深入學習和獨立解決實際工作中的有關問題奠定一定的基礎。

根據以上分析，結合本節教學要求，再聯系學生實際，我確立了以下教學目標：

1、知識目標

(1)了解PN結的結構、制備方法；

(2)掌握平衡PN結的空間電荷區和能帶圖；

(3)掌握平衡PN結的載流子濃度分布。

2、能力目標

(1)通過典型圖例，指導學生進行觀察和認識PN結，培養學生的觀察現象、分析問題以及理論聯系實際的能力；

(2)指導學生自己分析，借助教材和圖例，培養學生的動手能力以及通過實驗研究問題的習慣；

3、情感目標

(1)培養學生學習半導體器件物理的興趣，進而激發學生對本專業熱愛的激情；

(2)培養學生科學嚴謹的學習態度。

考慮到一方面學生的文化基礎比較薄弱，綜合解決問題的能力有待提高，另一方面，對于高職類學校的學生而言，要求有較強的動手能力，我把教學的重點和難點設置如下：

1、教學重點

平衡p–n結空間電荷區的形成；平衡p–n結的能帶圖

2、教學難點

平衡p–n結中載流子的分布

二、說教法

興趣是推動學生求知欲的強大動力，在教學中把握學生好奇心的特點至關重要。另一方面，在教學課堂中，不僅要求傳授書本的理論知識，更要注重培養學生的思維判斷能力、依據理論解決實際問題的能力以及自學探索的能力。據此，我準備以演示法和引導式教學為主，遵循學生為學生為主體，教師為主導的原則，通過講授理論知識，使學生獲得必要的感性認識，讓疑問激起他們的學習研究興趣，然后再引導學生掌握必要的基礎知識，最后在開放的課堂上提供學生進一步研究的機會，滿足他們的好奇心，開發他們的創新潛力。

三、說學法

學生是教學活動的主體，教學活動中要注意學生學法的指導，使學生從“學會”轉化為“會學”。根據教學內容，本節采用觀察、分析的學習方法，在做好演示圖例的同時，引導學生合作討論，進而獲取知識。

另外，在教學過程中，我還會鼓勵學生運用探究性的學習方法，培養他們發現、探究、解決問題的能力。

四、說教學過程

為了完成教學目標，解決教學重點，突破教學難點，課堂教學我準備按以下幾個環節展開：

1、新課導入

通過半導體物理基礎的學習，分析了P型和N型半導體中的載流子濃度分布和運動情況，如果將P型和N型半導體結合在一起，在二者的交界處就形成了PN結。首先學習PN結。引出問題：什么是PN結？

設計意圖：通過問題的提出，引導學生形成對所學事物的輪廓，豐富他們的感性認識，吸引學生的注意力和好奇心。

2、講解新課

通過講解在本征半導體中參入不同雜質，引出半導體的一個特殊結構：PN結。

(1)講解PN結

用圖示演示PN結的基本結構，兩種不同類型的半導體：P型半導體和N型半導體。為了加深學生的理解，可以采用情景教學的方式，讓學生在輕松有趣的互動游戲中掌握枯燥的概念。

(2)平衡PN結的空間電荷區和能帶圖

通過圖例展示，教師講解平衡PN結空間電荷區的形成和能帶圖，然后讓學生復述，傾聽學生自己的理解，在此基礎上進一步分析，講解各名詞的概念：擴散、漂移、空間電荷區、自建電場、勢壘、勢壘區。

(3)平衡PN結的接觸電勢差

由此，也進一步引出N區和P區之間存在電勢差，稱為PN結的接觸電勢差。給出n區電子濃度、p區空穴濃度的公式，引導學生推導接觸電勢差。

(4)平衡PN結的載流子濃度分布

通過圖示回顧上課過程中提到的空間電荷區、自建電場、擴散、漂移、載流子的耗盡等概念，總結平衡PN結的載流子濃度分布并給出示意圖。

3、歸納總結，布置作業

設計問題，由學生回答問題,通過設問回答補充的方式小結，學生自主回答三個問題，教師關注全體學生對本節課知識的掌握程度，學生是否愿意表達自己的觀點。

(1)什么是PN結？

(2)PN結的制備方法有哪些？

(3)平衡PN結的空間電荷區是如何形成的？

(4)平衡PN結的能帶圖中費米能級的作用？

(5)平衡PN結接觸電勢差的推導過程？

設計意圖：通過提問方式引導學生進行小結，養成學習——總結——再學習的良好習慣，發揮自我評價作用，同時可培養學生的語言表達能力。作業分層要求，做到面向全體學生，給基礎好的學生充分的空間，滿足他們的求知欲。

五、板書設計

采用三欄式

以上，我從教材、教法、學法、教學過程和板書設計五個方面對本課進行了說明，我的說課到此結束，謝謝各位評委老師。

第五篇：半導體材料測試技術

常規材料測試技術

一、適用客戶：

半導體，建筑業，輕金屬業，新材料，包裝業，模具業，科研機構，高校，電鍍，化工，能源，生物制藥，光電子，顯示器。

二、金相實驗室

? Leica DM/RM 光學顯微鏡

主要特性：用于金相顯微分析，可直觀檢測金屬材料的微觀組織，如原材料缺陷、偏析、初生碳化物、脫碳層、氮化層及焊接、冷加工、鑄造、鍛造、熱處理等等不同狀態下的組織組成，從而判斷材質優劣。須進行樣品制備工作，最大放大倍數約1400倍。

? Leica 體視顯微鏡

主要特性：

1、用于觀察材料的表面低倍形貌，初步判斷材質缺陷；

2、觀察斷口的宏觀斷裂形貌，初步判斷裂紋起源。

? 熱振光模擬顯微鏡

? 圖象分析儀

? 萊卡DM/RM 顯微鏡附 CCD數碼 照相裝置

三、電子顯微鏡實驗室

? 掃描電子顯微鏡(附電子探針)(JEOL JSM5200，JOEL JSM820，JEOL JSM6335)

主要特性：

1、用于斷裂分析、斷口的高倍顯微形貌分析，如解理斷裂、疲勞斷裂（疲勞輝紋）、晶間斷裂（氫脆、應力腐蝕、蠕變、高溫回火脆性、起源于晶界的脆性物、析出物等）、侵蝕形貌、侵蝕產物分析及焊縫分析。

2、附帶能譜，用于微區成分分析及較小樣品的成分分析、晶體學分析，測量點陣參數/合金相、夾雜物分析、濃度梯度測定等。

3、用于金屬、半導體、電子陶瓷、電容器的失效分析及材質檢驗、放大倍率：10X—300,000X；樣品尺寸：0.1mm—10cm；分辯率:1—50nm。

? 透射電子顯微鏡（菲利蒲 CM-20,CM-200）

主要特性：

1、需進行試樣制備為金屬薄膜，試樣厚度須<200nm。用于薄膜表面科學分析，帶能譜，可進行化學成分分析。

2、有三種衍射花樣：斑點花樣、菊池線花樣、會聚束花樣。斑點花樣用于確定第二相、孿晶、有序化、調幅結構、取向關系、成象衍射條件。菊池線花樣用于襯度分析、結構分析、相變分析以及晶體精確取向、布拉格位移矢量、電子波長測定。會聚束花樣用于測定晶體試樣厚度、強度分布、取向、點群

? XRD-Siemens500—X射線衍射儀

主要特性：

1、專用于測定粉末樣品的晶體結構（如密排六方，體心立方，面心立方等），晶型，點陣類型，晶面指數，衍射角，布拉格位移矢量，已及用于各組成相的含量及類型的測定。測試時間約需1小時。

2、可升溫（加熱）使用。

? XRD-Philips X’Pert MRD—X射線衍射儀

主要特性：

1、分辨率衍射儀，主要用于材料科學的研究工作，如半導體材料等，其重現性精度達萬分之一度。

2、具備物相分析（定性、定量、物相晶粒度測定；點陣參數測定），殘余應力及織構的測定；薄膜物相鑒定、薄膜厚度、粗糙度測定；非平整樣品物相分析、小角度散射分析等功能。

3、用于快速定性定量測定各類材料（包括金屬、陶瓷、半導體材料）的化學成分組成及元素含量。如：Si、P、S、Mn、Cr、Mo、Ni、V、Fe、Co、W等等，精確度為0.1%。

4、同時可觀察樣品的顯微形貌，進行顯微選區成分分析。

5、可測尺寸由φ 10 × 10mm至φ280×120mm；最大探測深度：10μm

? XRD-Bruker—X射線衍射儀

主要特點 ：

1、有二維探測系統，用于快速測定金屬及粉末樣品的晶體結構（如密排六方、體心立方、面心立方等）、晶型、點陣類型、晶面指數、衍射角、布拉格位移矢量。

2、用于表面的殘余應力測定、相變分析、晶體織構及各組成相的含量及類型的測定。

3、測試樣品的最大尺寸為100×100×10(mm)。

? 能量散射X-射線熒光光譜儀(EDXRF)主要特點：

1、用于快速定性定量測定各類材料（包括金屬、陶瓷、半導體材料）的化學成分組成及元素含量。如：Si、P、S、Mn、Cr、Mo、Ni、V、Fe、Co、W等等。

2、同時可觀察樣品的顯微形貌，進行顯微選區成分分析。

3、最大可測尺寸為：φ280×120mm

四、光子/激光光譜實驗室

? 傅里葉轉換紅外光譜儀(Perkin Elmer 1600)主要特點：

1、通過不同的紅外光譜來區分不同塑膠等聚合物材料的種類。

2、用于古董的鑒別，譬如：可以分辨翡翠等玉器的真偽。

3、樣品的尺寸范圍：φ25mm – φ0.1mm

? 紫外可見光譜儀(UV-VIS)主要特性：

1、測試物質對光線的敏感性。譬如：薄膜、電子晶片、透明塑料、化工涂料的透光性或吸光性。

2、測試液體的濃度。波長范圍：190nm—1100nm ? 拉曼光譜儀(Spex Rama Log 1403)

? 拉曼顯微鏡光譜儀(T64000)

? 布里淵光譜儀(Sanderock 前后干涉計)

五、表面科學實驗室

? 原子發射光譜儀, 俄歇能譜儀(PHI Model 5802)? 原子力顯微鏡，掃描隧道顯微鏡(Park 科技)? 高分辨率電子能量損耗能譜儀(LK技術)

? 低能量電子衍射, 原子發射光譜&紫外電子能譜儀(Micron)? 熒光光譜儀

? XPS+AES 電子表面能譜儀

主要特點：

用于表面科學10-12材料跡量，樣品表面層的化學成分分析（1μm）以內，超輕元素分析，所測成分是原子數的百分比（He及H除外）；并可分析晶界富集有害雜質原子引起的脆斷。

六、熱學分析實驗室

? 示差掃描熱量計（DSC）（Perkin Elmer DSC7,TA MDSC2910）

主要特點：

1、將樣品及標樣升高相同的溫度，通過測試熱量（吸熱及放熱）的變化，來尋找樣品相變開始及結束的溫度。

2、用于形狀記憶合金及多組分材料Tg的測量。

? 差熱分析儀DTA/DSC（Setaram Setsys DSC16/ DTA18）

主要特性：

用于熱重量分析，利用熱效應分析材料及合金的組織、狀態轉變；可用于研究合金及聚合物的熔化及凝固溫度、多型性轉變、固溶體分解、晶態與非晶態轉變、聚合物的各組份含量分析。

? 動態機械分析儀（DMA）/熱機械分析儀（TMA）

主要特點：

1、用于低溫合金和低熔點合金材料的熱力學及熱機械性能分析。

2、用于測定材料的熱膨脹系數（包括體膨脹系數和線膨脹系數）、內耗、彈性模量。材料的熱膨脹系數受到材料的化學成分，冷加工變形量，熱處理工藝等因素的影響。

七、薄膜加工實驗室

（一）物理氣相沉積(PVD)設備 ? 射頻和直流源磁控濺射系統。? 離子束沉積系統

? 電子槍沉積系統 ? 熱蒸發沉積系統 ? 脈沖激光沉積系統

? 閉合磁場非平衡磁控濺射離子鍍

主要特性：

制備高品質的表面涂層，賦予產品新的性能(譬如：提高表面硬度，抗磨損性及抗刮擦質量，減低摩擦系數等)。在苛刻的工作環境中提高產品的使用壽命，并且改善產品的外觀。例如在工業生產涂層的種類：

1、氮化鈦膜(TiN)：常用于大多數工具的涂層，包括模具、鉆頭、沖頭、切割刀片等。

2、類金剛石涂層(DLC)---Ti+DLC涂層具有良好硬度及低摩擦系數，適用于耐磨性表面、鑄模、沖模、沖頭及電機原件；Cr+DLC涂層為不含氫的固體潤滑濺射涂層，適用于汽車部件、紡織工業、訊息儲存及潮濕環境。

３、含MoS2的金屬復合固體潤滑涂層—適用于銑刀、鉆頭、軸承、及極低磨擦需求的環境、如航空及航天科技的應用

（二）化學氣相沉積(CVD)設備 ? 熱絲化學氣相沉積系統

? 射頻和直流源化學氣相沉積系統 ? 金屬有機分解及熔解凝固沉積系統

? 電子回旋共振-微波等離子化學氣相沉積系統

1、等離子體化學氣相沉積是一種新型的等離子體輔助沉積技術。在一定壓力、溫度（大于500℃）及脈沖電壓作用下，在產品表面形成各種硬質膜如TiN,TiC,TiCN,(Ti、Si)CN及多層復合膜，顯微硬度高達HV2000-2500。

2、PCVD技術可實現離子滲氮、滲碳和鍍膜依次滲透復合，可提高產品表面的耐磨損、耐腐蝕及抗熱疲勞等性能。適用于鈦合金，硬質合金，不銹鋼，高速鋼及一些模具材料的表面涂層處理。

（三）PIII等離子實驗室

1、PIII等離子實驗室由一個半導體等離子注入裝置和一個多源球形等離子浸沒離子注入裝置組成，通過將高速等離子體注入工件表面，改變表面層的結構及性能，提高產品的硬度，耐蝕性，減少磨擦力以達到表面強化，延長產品的使用壽命及靈敏度的目的。

2、PIII球形等離子注入技術廣泛應用于半導體、生物、材料、航空航天關鍵組件等各個領域，是一種綜合技術，用于合成薄膜及修正強化材料的表面性能。與傳統的平面線性等離子注入技術相比，PIII技術可從內壁注入作表面強化處理，極適用于體積龐大而形狀不規則的工業產品。

八、材料加工實驗室

（一）金屬及合金加工實驗室 ? 行星球磨機

? 激光粒度分析儀(Coulter LS100)

? 比表面積分析儀(NOVA1000)? 滾動磨床 ? 水銀孔隙率計 ? 交流磁化率計 ? 振動磁力計

（二）聚合物加工實驗室

? 加工成型設備（注塑模、比利時塑料擠出機、壓塑模、擠壓機）

? 性能測試設備(霍普金森壓力系統、FTIR、掃描電鏡、透射電鏡、光學顯微鏡及所有來自熱學實驗室的儀器)

（三）高級陶瓷實驗室 ? 陶瓷加工成形設備

? 微平衡系統、球磨機與等靜壓系統(ABB QIH-3)? 電子陶瓷性能測試儀器

標準精度鐵電測試系統(鐳射技術)，MTI2000 鍵盤薄膜傳感器，壓電尺，精密電阻分析儀(HP4294A)，Pico-Amp Meter，直流電壓環境。

? 超聲波測試系統

先進電子陶瓷--標準化電性能測試系統Signatone Model S106R 用于測試先進電子陶瓷材料（包括片狀樣品和薄膜樣品）的鐵電和壓電及熱釋電性能。測試不同溫度下電容、電阻的變化曲線及頻譜曲線。

九、機械性能測試實驗室

? 單一拉伸實驗機（型號為Instron 4206和5567）

主要特性：

1、拉伸試驗是最常規的塑性材料準靜載試驗。

2、用于測量各類材料（包括Cu,Al,鋼鐵，聚合物等）的屈服強度，抗拉（壓）強度，剪切強度，斷面收縮率，屈服點及制定應力—應變曲線。

3負荷由30KN—1KN。

? 金屬疲勞強度測試儀（型號為Instron 8801）? 沖擊性能測試機：

（懸臂梁式沖擊測試儀（Ceast），落錘式重力沖擊測試儀（Ceast））

主要特性：

1、用于測定塑膠及電子材料的沖擊韌性σk、應力應變曲線，對材料品質、宏觀缺陷、顯微組織十分敏感，故常成為材質優劣的度量。

2、最大負荷為19KN，溫度變化范圍為-50℃—150 ℃，能測出百萬分之一秒內時間與力的變化。

? 蠕變測試儀（Creep Testers ESH）

主要特性：

1、用于測定高溫和持續載荷作用下金屬產生隨時間發展的塑性變形量及金屬材料在高溫下發生蠕變的強度極限。

2、試驗使用溫度與合金熔點的比值大于0.5，能精確測定微小變形量，試驗時間在幾萬小時以內。

? 維氏顯微硬度測試儀Vickers FV-700 主要特性：

1、用于測量顯微組織硬度，不同相的硬度，滲層（如氮化層，滲碳層，脫碳層等）及鍍層的硬度分布和厚度。

2、硬度—材料對外部物體給予的變形所表現出的抵抗能力的度量，與強度成正比。