第一篇：半導體封裝模具模盒內主要部件材料選型
半導體封裝模具模盒內主要部件材料選型
摘 要：通過對半導體封裝模具模盒內的零件在不同工作環境和不同受力情況的分析，來合理的選用各零部件的材料，以達到模具的結構穩定性和提高模具的使用壽命。
關鍵詞：環氧樹脂；耐磨性；脫模性
中圖分類號：TP391.72 文獻標識碼：A 文章編號：1671-2064（2018）10-0050-01
半導體的封裝模具是將芯片、金線以及引線框架一起用熱固性環氧樹脂保護起來的一種設備，該類模具一般250秒左右為一個開合模周期，每個周期根據封裝制品類型的不同，可封裝出幾十甚至數千只成品，且模具上設置有加熱裝置，使模具長期處在180度左右的高溫下工作，合模時的壓力也根據封裝制品的種類和數量的不同而有差異，一般合模工作壓力在150噸至350噸之間，由于半導體元器件的特殊工作環境，要求其具有良好的電性能和散熱能力，同時抗老化性、焊接性、抗壓性等都要較高的要求，因此引線框架、環氧樹脂等選型有較大的局限性，而半導體封裝模具是一種低溫熱作、多腔位、熱固性擠塑模具，其結構和材料選型等需要在滿足模具相對狹窄的條件下使用，既要保證其穩定性，又要達到一定的使用壽命，還要結構輕巧，操作方便。MGP模和AUTO模是目前市場上使用最為廣泛的封裝模具結構，本文主要針對其中的模盒部分的材料選型和熱處理來做部分闡述。半導體封裝模具的工作環境及狀態
模盒部分是模具的核心部分，環氧樹脂在這里完成軟化，流動，成型，固化，制品脫模等過程，由于環氧樹脂內含有硅粉等填料，流動的過程中對模具摩擦，產生熱能，使模具表面慢慢磨損、氧化，特別是流道、澆口等狹窄的進料部位，磨損尤為嚴重，同時，模具為上下合模的方式運動，為保證合模的精度，每個模盒一般都設計四個方向的定位導向機構，用來防止上下模錯位而導致的模面受損和制品上下腔體錯位等缺陷，且模具長期在180度左右的高溫和較高的壓力下工作，模盒部分的零件需要滿足以下的技術特點：
1.1 加工特性良好
半導體產品對外觀要求非常嚴格，亞光面的產品需要外形粗糙度均勻一致，無表面異常凸起、花斑等現象，光面的產品需要產品表面平整無色差，這樣在后續激光打標的步驟中才會使制品表面字跡清晰，不易擦花，因此對于封裝模具，必須提高鋼材純凈度和保證組織均勻，一般通過電渣重熔鋼（ESR）或真空弧溶解法（VAR）的冶煉方法來實現，粉末冶金也可實現，但成本會提高，一般用在較為重要的鑲件上。
1.2 基體剛性和耐壓性能
模具長期在高壓環境下工作，從而需要一定的剛性，如果剛性和耐壓強度不夠，會造成零件變形甚至開裂，成型部分和澆口部分的鑲條由于尺寸較小，剛性和韌性更為重要，要求材料硬度在HRC60以上，其余承壓部件的基體硬度要求HRC55以上。
1.3 耐磨損性
模具在工作當中，澆道、澆口、腔體不斷與含有硅粉、玻璃纖維等填料的樹脂接觸，不斷摩擦并產生大量熱量，會使鑲條的流道的表面磨損，脫模斜度變小，澆口尺寸變大，增加樹脂用量的同時還不易制品脫模，影響了產品質量，因此鑲件部分必須具有高耐磨性、超硬性等。
1.4 尺寸穩定性
模具上核心零部件的尺寸公差一般在0.005mm以內，且模具不一定24小時一直在工作，停機的時候加熱裝置不加熱，模具會冷卻至室溫狀態，需要工作的時候再重新加熱，為保證模具在反復加熱冷卻后尺寸不能發生變化，工作過程中還要保持零件尺寸穩定，最少要求30萬模次內鑲條長度變化小于0.02mm。
1.5 良好的脫模性和耐腐蝕性
優良的脫模性可以保證產品品質和生產效率，模具工作溫度在180℃附近，與環氧樹脂接觸，內中解腐的塑料分子會對零件有腐蝕，洗模和脫模膠條也對鑲條有腐蝕作用，一般通過選用耐腐蝕性材料和對零件表面處理實現。
1.6 運動軸類件需要有一定的耐磨性和抗拉強度
大部分軸類零件主要承受拉力和摩擦力，且受產品外形和模盒大小的限制，部分軸類零件（例如頂桿）的直徑尺寸較小，目前常用的頂桿直徑從0.5mm到3不等，所以要選用基體韌性強，表面硬度高的材料。化學成分對材料的特性的影響
材料所具有的性能是由其化學成分組成所決定的，一般來講各種不同的合金元素決定和組合決定了鋼材的性能，盡管這些性能可能需要通過熱處理工藝實現，但本質上還是其成份決定，合金元素的添加對材料的物理性能、化學性能、組織結構的影響非常重要，例如碳的作用是提高鋼材淬透性，增加鋼材基體強度和耐磨性，但對鋼的韌性有一定的損失；鉻的作用可以極大程度提高鋼材淬透性，增加耐磨性、耐腐蝕性，資料表明含鉻12%以上的鋼材均具有良好的耐蝕性，同時鉻的存在與碳作用形成合金碳化物，進一步提高了耐磨性；鉬（Mo）、鎢（W）、釩（V）、鈷（Co）等元素的添加有效地提高了鋼材在高溫下的搞回火穩定性，保持組織穩定，制約了鋼材在高溫加熱時晶粒長大的趨勢，降低了鋼材的過熱敏感性，從而提高了鋼材的韌性。模盒內不同部位零件的材料選型：
3.1 成型鑲條、澆口鑲條的材料選型
模盒內的成型鑲條、澆口鑲條一般選用耐磨性好、硬度高、加工性能良好的粉末冶金鋼，如ASP23，ASP30等，此等材料要求在熱處理工藝中通過多次深冷處理與高溫回火來保證，并要求在200℃*72h時效后，前后尺寸變化值（RCD）為±10*10-6范圍內，工件需要在真空狀態下回火，脫碳氧化，且采用多段不同溫度回火，保證了材料的光亮和表面潔凈度，深冷處理需要在氮氣保護下進行，避免了水氣泄露對工件外觀成色的損害，對于特殊要求的產品澆口部位可以采用拼裝硬質合金材料，例如F20、CD650等。
3.2 起支撐作用的零部件材料選型
對于支撐基體零件，例如鑲件座、支撐柱、頂針推板等，一般選用淬火硬度HRC57-HRC60左右、材料熱膨脹系數與鑲條接近的冷作模具鋼，例如Cr12Mo1V1，SLD等；而對于模盒墊板這類經常拆卸模盒時來回運動的零件，考慮其剛性摩擦的工作環境，一般選用SUS440C，此類材料作為墊板使用，表面可不用電鍍，避免摩擦引起的鉻層脫落導致厚度尺寸變化。
3.3 軸類零件的材料選型
模盒內的軸類零件分為兩類，一類是參與注射成型的pot和plunger，該零件是向樹脂傳遞壓力的主要零件，且兩個零件之間一直在做往復的軸類運動，兩者之間的間隙中還有樹脂粉末隨著一起運動，受到的擠壓力和摩擦力非常大，不管是與樹脂接觸的斷面，還是兩個零件之間相互摩擦的面，都特別容易磨損，所以該零件的選材一般選用硬質合金，例如F10，同時表面和內壁需要研磨至鏡面，或者選用淬火后韌性較強的工具鋼M2，加工成品后表面做納米涂層處理，增加摩擦面的表面硬度和耐磨性，另一類軸類零件是起頂出作用的頂桿和復位桿，該類零件主要起封裝制品的頂出脫模作用，且數量眾多，單個零件受壓力不大，主要是復位的時候受拉力和運動時與孔的摩擦力，所以一般選用淬火后硬度HRC60左右的材料，列如SKH51，該類材料基體韌性較強，特別是尾端做部分退火處理，降低肩部硬度，可以避免回退的時候拉斷。
3.4 定位及導向類零部件材料選型
起上下模定位和導向作用的零件一般稱之為精定位塊，該類零件是使模具對模準確以及保證封裝制品偏錯位的重要零件，其主要承受上下運動的摩擦力和橫向的剪切力，且一般四個方向均設計有精定位塊，所以該類零件一般選用硬度HRC68以上的粉末冶金鋼，例如ASP60，或者硬質合金，例如CD650、F10等，表面需要精磨或者拋光處理，減小摩擦阻力。結語
半導體封裝模具的發展也有很長一段時間，而目前使用綠色環保樹脂已經是行業內的標準，樹脂的牌號也在不斷更新，其流動性、粘度、電性能都在不斷的變化，為適應不同牌號的樹脂，模具的材料?x型也在不斷變化，但不管選用何種材料，最終的目的是能在封裝出合格制品的前提下提高模具壽命，降低維護成本，提升加工性能。
第二篇：半導體封裝項目經濟可行性研究報告2
半導體封裝項目經濟可行性研究報告2.txt不要放棄自己！-------（媽媽曾經這樣對我說，轉身出門的一剎那，我淚流滿面，卻不想讓任何人看見！）看到這一句 小編也心有感觸，想起當初離家前往幾千里外的地方的時候，媽媽也說過類似的話，但是身為男兒，必須創出一片天，才能報答父母的養育之恩！
半導體封裝項目經濟可行性研究報告 用于投資者前期的市場調查、項目預可研。第一章 半導體封裝項目建設計劃
一、項目建設目標
二、項目建設計劃的構成
第二章 半導體封裝項目行業背景分析
一、中國宏觀經濟形勢分析
二、行業發展分析
（一）行業發展現狀
（二）金融危機對半導體封裝行業發展的影響
（三）行業發展趨勢
第三章 半導體封裝項目市場分析
一、供需分析
二、價格分析
三、產業鏈分析
四、競爭分析
（一）行業核心競爭力分析
（二）競爭策略分析
（三）替代性分析
第四章 半導體封裝項目業務發展
一、發展戰略
（一）戰略定位
（二）發展策略
二、經營目標及其實現模式
三、業務發展計劃
（一）人員擴充計劃
（二）市場開發戰略
第五章 半導體封裝項目投資估算與資金籌措
一、投資估算依據
二、投資估算
第六章 半導體封裝項目實施進度
一、項目實施計劃
二、項目進度及施工期測算
第七章 半導體封裝項目財務分析
一、項目收益期及折現率的測算
（一）財務預測說明
（二）項目收益期的確定
（三）折現率的選取
二、項目收益測算
（一）營業收入測算與銷售稅金及附加估算
（二）項目主營業務成本測算
（三）項目期間費用估算
（四）項目利潤測算
（五）項目還款資金測算
三、項目凈現金流的測算
四、項目財務指標分析
五、財務預測假設條件
六、經濟效益分析結果
第八章 半導體封裝項目風險分析
一、政策風險
二、產業鏈風險
三、市場風險
四、其他風險
第九章 結論與建議
一、結論
二、項目建議
編制機構：千訊（北京）信息咨詢有限公司 半導體封裝項目可行性研究報告 政府立項、申請土地、銀行貸款、招商引資、投資合作等。第一章 總論
一、半導體封裝項目背景 1．項目名稱 2．承辦單位概況
3．半導體封裝項目可行性研究報告編制依據 4．半導體封裝項目提出的理由與過程
二、半導體封裝項目概況
1．半導體封裝項目擬建地點
2．半導體封裝項目建設規模與目的 3．半導體封裝項目主要建設條件
4．半導體封裝項目投入總資金及效益情況 5．半導體封裝項目主要技術經濟指標
三、項目可行性與必要性
四、問題與建議
第二章 市場預測
一、半導體封裝產品市場供應預測
1．國內外半導體封裝市場供應現狀 2．國內外半導體封裝市場供應預測
二、產品市場需求預測
1．國內外半導體封裝市場需求現狀 2．國內外半導體封裝市場需求預測
三、產品目標市場分析
1．半導體封裝產品目標市場界定 2．市場占有份額分析
四、價格現狀與預測
1．半導體封裝產品國內市場銷售價格 2．半導體封裝產品國際市場銷售價格
五、市場競爭力分析
1．主要競爭對手情況
2．產品市場競爭力優勢、劣勢 3．營銷策略
六、市場風險
第三章 資源條件評價
一、半導體封裝項目資源可利用量
二、半導體封裝項目資源品質情況
三、半導體封裝項目資源賦存條件
四、半導體封裝項目資源開發價值
第四章 半導體封裝項目建設規模與產品方案
一、建設規模
1．半導體封裝項目建設規模方案比選 2．推薦方案及其理由
二、產品方案
1．半導體封裝項目產品方案構成 2．半導體封裝項目產品方案比選 3．推薦方案及其理由
第五章 半導體封裝項目場址選擇
一、半導體封裝項目場址所在位置現狀 1．半導體封裝項目地點與地理位置
2．半導體封裝項目場址土地權所屬類別及占地面積 3．土地利用現狀
二、半導體封裝項目場址建設條件 1．地形、地貌、地震情況 2．工程地質與水文地質 3．氣候條件
4．城鎮規劃及社會環境條件 5．交通運輸條件
6．公用設施社會依托條件（水、電、氣、生活福利）7．防洪、防潮、排澇設施條件 8．環境保護條件 9．法律支持條件
10．征地、拆遷、移民安置條件 11．施工條件
三、半導體封裝項目場址條件比選 1．半導體封裝項目建設條件比選 2．半導體封裝項目建設投資比選 3．半導體封裝項目運營費用比選 4．半導體封裝項目推薦場址方案 5．半導體封裝項目場址地理位置圖
第六章 半導體封裝項目技術方案、設備方案和工程方案
一、半導體封裝項目技術方案
1．半導體封裝項目生產方法（包括原料路線）2．半導體封裝項目工藝流程 3．半導體封裝項目工藝技術來源
4．推薦方案的主要工藝（生產裝置）流程圖、物料平衡圖，物料消耗定額表
二、半導體封裝項目主要設備方案 1．半導體封裝項目主要設備選型
2．半導體封裝項目主要設備來源（進口設備應提出供應方式）3．半導體封裝項目推薦方案的主要設備清單
三、半導體封裝項目工程方案
1．半導體封裝項目主要建、構筑物的建筑特征、結構及面積方案 2．半導體封裝項目礦建工程方案 3．半導體封裝項目特殊基礎工程方案
4．半導體封裝項目建筑安裝工程量及“三材”用量估算 5．半導體封裝項目主要建、構筑物工程一覽表
第七章 半導體封裝項目主要原材料、燃料供應
一、主要原材料供應
1．半導體封裝項目主要原材料品種、質量與年需要量 2．半導體封裝項目主要輔助材料品種、質量與年需要量 3．半導體封裝項目原材料、輔助材料來源與運輸方式
二、燃料供應
1．半導體封裝項目燃料品種、質量與年需要量 2．半導體封裝項目燃料供應來源與運輸方式
三、主要原材料、燃料價格
1．半導體封裝項目原材料、燃料價格現狀 2．半導體封裝項目主要原材料、燃料價格預測
四、編制主要原材料、燃料年需要量表
第八章 總圖、運輸與公用輔助工程
一、半導體封裝項目總圖布置 1．平面布置 2．豎向布置
（1）場區地形條件
（2）豎向布置方案
（3）場地標高及土石方工程量 3．總平面布置圖
4．總平面布置主要指標表
二、半導體封裝項目場內外運輸 1．場外運輸量及運輸方式 2．場內運輸量及運輸方式 3．場內運輸設施及設備
三、半導體封裝項目公用輔助工程 1．半導體封裝項目給排水工程
（1）給水工程。用水負荷、水質要求、給水方案
（2）排水工程。排水總量、排水水質、排放方式和泵站管網設施 2．半導體封裝項目供電工程
（1）供電負荷（年用電量、最大用電負荷）
（2）供電回路及電壓等級的確定
（3）電源選擇
（4）場內供電輸變電方式及設備設施 3．半導體封裝項目通信設施
（1）通信方式
（2）通信線路及設施 4．半導體封裝項目供熱設施
5．半導體封裝項目空分、空壓及制冷設施 6．半導體封裝項目維修設施 7．半導體封裝項目倉儲設施
第九章 半導體封裝項目節能措施
一、節能措施
二、能耗指標分析
第十章 半導體封裝項目節水措施
一、節水措施
二、水耗指標分析
第十一章 半導體封裝項目環境影響評價
一、場址環境條件
二、項目建設和生產對環境的影響
1．半導體封裝項目建設對環境的影響
2．半導體封裝項目生產過程產生的污染物對環境的影響
三、環境保護措施方案
四、環境保護投資
五、環境影響評價 第十二章 半導體封裝項目勞動安全衛生與消防
一、危害因素和危害程度 1．有毒有害物品的危害 2．危險性作業的危害
二、安全措施方案
1．采用安全生產和無危害的工藝和設備 2．對危害部位和危險作業的保護措施 3．危險場所的防護措施
4．職業病防護和衛生保健措施
三、消防設施
1．火災隱患分析 2．防火等級 3．消防設施
第十三章 半導體封裝項目組織機構與人力資源配置
一、半導體封裝項目組織機構
1．半導體封裝項目法人組建方案
2．半導體封裝項目管理機構組織方案和體系圖 3．半導體封裝項目機構適應性分析
二、半導體封裝項目人力資源配置 1．生產作業班次
2．勞動定員數量及技能素質要求 3．職工工資福利
4．勞動生產率水平分析 5．員工來源及招聘方案 6．員工培訓計劃
第十四章 半導體封裝項目實施進度
一、半導體封裝項目建設工期
二、半導體封裝項目實施進度安排
三、半導體封裝項目實施進度表（橫線圖）
第十五章 半導體封裝項目投資估算
一、半導體封裝項目投資估算依據
二、半導體封裝項目建設投資估算 1．半導體封裝項目建筑工程費
2．半導體封裝項目設備及工器具購置費 3．半導體封裝項目安裝工程費
4．半導體封裝項目工程建設其他費用 5．半導體封裝項目基本預備費 6．半導體封裝項目漲價預備費 7．半導體封裝項目建設期利息
三、半導體封裝項目流動資金估算
四、半導體封裝項目投資估算表 1．半導體封裝項目投入總資金估算匯總表 2．半導體封裝項目單項工程投資估算表 3．半導體封裝項目分年投資計劃表 4．半導體封裝項目流動資金估算表
第十六章 半導體封裝項目融資方案
一、半導體封裝項目資本金籌措
二、半導體封裝項目債務資金籌措
三、半導體封裝項目融資方案分析
第十七章 半導體封裝項目財務評價
一、半導體封裝項目財務評價基礎數據與參數選取 1．財務價格
2．計算期與生產負荷 3．財務基準收益率設定 4．其他計算參數
二、半導體封裝項目銷售收入估算（編制銷售收入估算表）
三、半導體封裝項目成本費用估算（編制總成本費用估算表和分項成本估算表）
四、半導體封裝項目財務評價報表
1．半導體封裝項目財務現金流量表 2．半導體封裝項目損益和利潤分配表 3．半導體封裝項目資金來源與運用表 4．半導體封裝項目借款償還計劃表
五、半導體封裝項目財務評價指標 1．半導體封裝項目盈利能力分析
（1）項目財務內部收益率
（2）資本金收益率
（3）投資各方收益率
（4）財務凈現值（5）投資回收期
（6）投資利潤率
2．半導體封裝項目償債能力分析（借款償還期或利息備付率和償債備付率）
六、半導體封裝項目不確定性分析
1．半導體封裝項目敏感性分析（編制敏感性分析表，繪制敏感性分析圖）2．半導體封裝項目盈虧平衡分析（繪制盈虧平衡分析圖）
七、半導體封裝項目財務評價結論
第十八章 半導體封裝項目國民經濟評價
一、半導體封裝項目影子價格及通用參數選取
二、半導體封裝項目效益費用范圍調整 1．半導體封裝項目轉移支付處理
2．半導體封裝項目間接效益和間接費用計算
三、半導體封裝項目效益費用數值調整 1．半導體封裝項目投資調整 2．半導體封裝項目流動資金調整 3．半導體封裝項目銷售收入調整 4．半導體封裝項目經營費用調整
四、半導體封裝項目國民經濟效益費用流量表 1．半導體封裝項目國民經濟效益費用流量表
2．半導體封裝項目國內投資國民經濟效益費用流量表
五、半導體封裝項目國民經濟評價指標 1．半導體封裝項目經濟內部收益率 2．半導體封裝項目經濟凈現值
六、半導體封裝項目國民經濟評價結論
第十九章 半導體封裝項目社會評價
一、半導體封裝項目對社會的影響分析
二、半導體封裝項目與所在地互適性分析
1．半導體封裝項目利益群體對項目的態度及參與程度 2．半導體封裝項目各級組織對項目的態度及支持程度 3．半導體封裝項目地區文化狀況對項目的適應程度
三、半導體封裝項目社會風險分析
四、半導體封裝項目社會評價結論
第二十章 半導體封裝項目風險分析
一、半導體封裝項目主要風險因素識別
二、半導體封裝項目風險程度分析
三、半導體封裝項目風險防范和降低風險對策
第二十一章 半導體封裝項目可行性研究結論與建議
一、半導體封裝項目推薦方案的總體描述
二、半導體封裝項目推薦方案的優缺點描述 1．優點 2．存在問題
3．主要爭論與分歧意見
三、半導體封裝項目主要對比方案 1．方案描述
2．未被采納的理由
四、結論與建議
第二十二章 附圖、附表、附件
一、附圖
1．半導體封裝項目場址位置圖 2．半導體封裝項目工藝流程圖 3．半導體封裝項目總平面布置圖
二、附表
1．半導體封裝項目投資估算表
（1）半導體封裝項目投入總資金估算匯總表（2）半導體封裝項目主要單項工程投資估算表（3）半導體封裝項目流動資金估算表 2．半導體封裝項目財務評價報表
（1）半導體封裝項目銷售收入、銷售稅金及附加估算表
（2）半導體封裝項目總成本費用估算表
（3）半導體封裝項目財務現金流量表
（4）半導體封裝項目損益和利潤分配表
（5）半導體封裝項目資金來源與運用表
（6）半導體封裝項目借款償還計劃表 3．半導體封裝項目國民經濟評價報表
（1）半導體封裝項目國民經濟效益費用流量表
（2）半導體封裝項目國內投資國民經濟效益費用流量表
第三篇：晶圓封裝測試工序和半導體制造工藝流程
晶圓封裝測試工序和半導體制造工藝流程.txt-兩個人同時犯了錯，站出來承擔的那一方叫寬容，另一方欠下的債，早晚都要還。-不愛就不愛,別他媽的說我們合不來。A.晶圓封裝測試工序
一、IC檢測
1.缺陷檢查Defect Inspection 2.DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy 用來檢測出晶圓上是否有瑕疵，主要是微塵粒子、刮痕、殘留物等問題。此外，對已印有電路圖案的圖案晶圓成品而言，則需要進行深次微米范圍之瑕疵檢測。一般來說，圖案晶圓檢測系統系以白光或雷射光來照射晶圓表面。再由一或多組偵測器接收自晶圓表面繞射出來的光線，并將該影像交由高功能軟件進行底層圖案消除，以辨識并發現瑕疵。3.CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement 對蝕刻后的圖案作精確的尺寸檢測。
二、IC封裝
1.構裝（Packaging）
IC構裝依使用材料可分為陶瓷（ceramic）及塑膠（plastic）兩種，而目前商業應用上則以塑膠構裝為主。以塑膠構裝中打線接合為例，其步驟依序為晶片切割（die saw）、黏晶（die mount / die bond）、焊線（wire bond）、封膠（mold）、剪切/成形（trim / form）、印字（mark）、電鍍（plating）及檢驗（inspection）等。(1 晶片切割（die saw）
晶片切割之目的為將前制程加工完成之晶圓上一顆顆之晶粒（die）切割分離。舉例來說：以0.2微米制程技術生產，每片八寸晶圓上可制作近六百顆以上的64M微量。
欲進行晶片切割，首先必須進行晶圓黏片，而后再送至晶片切割機上進行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于膠帶上，而框架的支撐避免了膠帶的皺褶與晶粒之相互碰撞。(2 黏晶（die mount / die bond）
黏晶之目的乃將一顆顆之晶粒置于導線架上并以銀膠（epoxy）粘著固定。黏晶完成后之導線架則經由傳輸設備送至彈匣（magazine）內，以送至下一制程進行焊線。(3 焊線（wire bond）
IC構裝制程（Packaging）則是利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成集成電路（Integrated Circuit；簡稱IC），此制程的目的是為了制造出所生產的電路的保護層，避免電路受到機械性刮傷或是高溫破壞。最后整個集成電路的周圍會向外拉出腳架（Pin），稱之為打線，作為與外界電路板連接之用。(4 封膠（mold）
封膠之主要目的為防止濕氣由外部侵入、以機械方式支持導線、內部產生熱量之去除及提供能夠手持之形體。其過程為將導線架置于框架上并預熱，再將框架置于壓模機上的構裝模上，再以樹脂充填并待硬化。(5 剪切/成形（trim / form）
剪切之目的為將導線架上構裝完成之晶粒獨立分開，并把不需要的連接用材料及部份凸出之樹脂切除（dejunk）。成形之目的則是將外引腳壓成各種預先設計好之形狀，以便于裝置于電路板上使用。剪切與成形主要由一部沖壓機配上多套不同制程之模具，加上進料及出料機構所組成。
(6 印字（mark）及電鍍（plating）
印字乃將字體印于構裝完的膠體之上，其目的在于注明商品之規格及制造者等資訊。(7 檢驗（inspection）
晶片切割之目的為將前制程加工完成之晶圓上一顆顆之檢驗之目的為確定構裝完成之產品是否合與使用。其中項目包括諸如：外引腳之平整性、共面度、腳距、印字是否清晰及膠體是否有損傷等的外觀檢驗。(8 封裝
制程處理的最后一道手續，通常還包含了打線的過程。以金線連接芯片與導線架的線路，再封裝絕緣的塑料或陶瓷外殼，并測試集成電路功能是否正常。2.測試制程（Initial Test and Final Test）(1 芯片測試（wafer sort）(2 芯片目檢（die visual）(3 芯片粘貼測試（die attach）(4 壓焊強度測試（lead bond strength）(5 穩定性烘焙（stabilization bake）(6 溫度循環測試（temperature cycle）(7 離心測試（constant acceleration）(8 滲漏測試（leak test）(9 高低溫電測試(10 高溫老化（burn-in）
(11 老化后測試（post-burn-in electrical test B.半導體制造工藝流程
NPN高頻小功率晶體管制造的工藝流程為：
外延片——編批——清洗——水汽氧化——一次光刻——檢查——清洗——干氧氧化——硼注入——清洗—— UDO淀積——清洗——硼再擴散——二次光刻——檢查——單結測試——清洗——干氧氧化——磷注入——清洗——鋁下CVD——清洗——發射區再擴散——三次光刻——檢查——雙結測試——清洗——鋁蒸發——四次光刻——檢查——氫氣合金——正向測試——清洗——鋁上CVD——檢查——五次光刻——檢查——氮氣烘焙——檢查——中測——中測檢查——粘片——減薄——減薄后處理——檢查——清洗——背面蒸發——貼膜——劃片——檢查——裂片——外觀檢查——綜合檢查——入中間庫。PNP小功率晶體管制造的工藝流程為：
外延片——編批——擦片——前處理——一次氧化——QC檢查（tox）——一次光刻——QC檢查——前處理——基區CSD涂覆——CSD預淀積——后處理——QC檢查（R□）——前處理——基區氧化擴散——QC檢查（tox、R□）——二次光刻——QC檢查——單結測試——前處理——POCl3預淀積——后處理（P液）——QC檢查——前處理——發射區氧化——QC 檢查（tox）——前處理——發射區再擴散（R□）——前處理——鋁下CVD——QC檢查（tox、R□）——前處理——HCl氧化——前處理——氫氣處理——三次光刻——QC檢查——追擴散——雙結測試——前處理——鋁蒸發——QC檢查（tAl）——四次光刻——QC檢查——前處理——氮氣合金——氮氣烘焙——QC檢查（ts）——五次光刻——QC檢查——大片測試——中測——中測檢查（——粘片——減薄——減薄后處理——檢查——清洗——背面蒸發—— 貼膜——劃片——檢查——裂片——外觀檢查）——綜合檢查——入中間庫。GR平面品種（小功率三極管）工藝流程為：
編批——擦片 ——前處理——一次氧化——QC檢查（tox）——一次光刻——QC檢查——前處理——基區干氧氧化——QC檢查（tox）——一GR光刻（不腐蝕）—— GR硼注入——濕法去膠——前處理——GR基區擴散——QC檢查（Xj、R□）——硼注入——前處理——基區擴散與氧化——QC檢查（Xj、tox、R□）——二次光刻——QC檢查——單結測試——前處理——發射區干氧氧化——QC檢查（tox）——磷注入——前處理——發射區氧化和再擴散——前處理 ——POCl3預淀積（R□）——后處理——前處理——鋁下CVD——QC檢查（tox）——前處理——氮氣退火——三次光刻——QC檢查——雙結測試 ——前處理——鋁蒸發——QC檢查（tAl）——四次光刻——QC檢查——前處理——氮氣合金——氮氣烘焙——正向測試——五次光刻——QC檢查——大片測試——中測編批——中測——中測檢查——入中間庫。雙基區節能燈品種工藝流程為：
編批——擦片——前處理——一次氧化——QC 檢查（tox）——一次光刻——QC檢查——前處理——基區干氧氧化——QC檢查（tox）——一硼注入——前處理——基區擴散——后處理——QC檢查（Xj、R□）——前處理——基區CSD涂覆——CSD預淀積——后處理——QC檢查（R□）——前處理——基區氧化與擴散——QC檢查（Xj、tox、R□）——二次光刻——QC檢查——單結測試——磷注入——前處理——發射區氧化——前處理——發射區再擴散——前處理——POCl3預淀積（R□）—— 后處理——前處理——HCl退火、N2退火——三次光刻——QC檢查——雙結測試——前處理——鋁蒸發——QC檢查（tAl）——四次光刻——QC檢查 ——前處理——氮氫合金——氮氣烘焙——正向測試（ts）——外協作（ts）——前處理——五次光刻——QC檢查——大片測試——測試ts——中測編批 ——中測——中測檢查——入中間庫。
變容管制造的工藝流程為：
外延片——編批——擦片——前處理——一次氧化——QC檢查—— N+光刻——QC檢查——前處理——干氧氧化——QC檢查——P+注入——前處理——N+擴散——P+光刻——QC檢查——硼注入1——前處理—— CVD（LTO）——QC檢查——硼注入2——前處理——LPCVD——QC檢查——前處理——P+擴散——特性光刻——電容測試——是否再加擴——電容測試——......（直到達到電容測試要求）——三次光刻——QC檢查——前處理——鋁蒸發——QC檢查（tAl）——鋁反刻——QC檢查——前處理 ——氫氣合金——氮氣烘焙——大片測試——中測——電容測試——粘片——減薄——QC檢查——前處理——背面蒸發——綜合檢查——入中間庫。
P+擴散時間越長，相同條件下電容越小。穩壓管（N襯底）制造的工藝流程為：
外延片——編批——擦片——前處理——一次氧化——QC檢查——P+光刻——QC檢查——前處理——干氧氧化——QC檢查——硼注入——前處理——鋁下 UDO——QC檢查——前處理——P+擴散——特性光刻——擴散測試（反向測試）——前處理——是否要P+追擴——三次光刻——QC檢查——前處理——鋁蒸發——QC檢查（tAl）——四次光刻——QC檢查——前處理——氮氣合金——氮氣烘焙——大片測試——中測。P+擴散時間越長，相同條件下反向擊穿電壓越高。肖特基二極管基本的制造工藝流程為：
編批——擦片——前處理——一次氧化——QC檢查（tox）——P+光刻——QC檢查——硼注入——前處理——P+擴散與氧化——QC檢查（Xj，R□，tox）——三次光刻——QC檢查——前處理——鉻濺射前泡酸——鉻濺射——QC檢查（tcr）——先行片熱處理——先行片后處理——特性檢測（先行片：VBR，IR）——熱處理——后處理——特性測試（VBR，IR）——前處理——鈦/鋁蒸發——QC檢查（tAl）——四次光刻——QC檢查——前處理——氮氣合金先行（VBR，IR）——氮氣合金——特性測試（VBR，IR）——大片測試——中測——反向測試（抗靜電測試）——中測檢驗 ——如中轉庫。
第四篇：第一章 半導體器件 模電教師教案
模擬電子技術
教案
授課人：王旭東
第一章 半導體器件
課時分配: 6學時
目的要求：了解半導體二極管；穩壓管；晶體管和MOS場效應管的工作原理和主要參數。
重 點：PN結的單向導電特性；二極管的伏安特性曲線；三極管的電流分配方式和電流放大作用。
難 點：二極管的基本電路及分析方法；二極管的伏安特性曲線；三極管的電流分配方式和電流放大作用。
教 學
方法手段: 結合多媒體電子課件, 啟發式、互動式講解；屏幕投影、黑板、模型實物及實物投影四體合一課堂教學手段；理論講解和電路仿真同步。
教 具： 電子課件、計算機、投影、電子展臺。
新 授： 0 引言
模擬電子電路的核心是半導體器件，而半導體器件是由半導體材料制成的。因此，我們必須首先了解半導體的有關知識，尤其應當了解半導體的導電特性。1.1 半導體的特性
物質按其導電能力的強弱，可分為導體、絕緣體和半導體。
一、導體
導電能力很強的物質，叫導體。如低價元素銅、鐵、鋁等。
二、絕緣體
導電能力很弱，基本上不導電的物質,叫絕緣體.如高價惰性氣體和橡膠、陶瓷、塑料等高分子材料等.三、半導體
導電能力介于導體和絕緣體之間的物質，叫半導體。如硅、鍺等四價元素，其簡化原子結構模型如圖1.1.1所示。
為什么物質的導電能力有如此大的差別呢？這與它們的原子結構有關，即與它們的原子最外層的電子受其原子核束縛力的強弱有關。1.1.1 本征半導體
純凈且呈現晶體結構的半導體，叫本征半導體。
一、本征半導體結構
通過特殊工藝加工，可以使硅或鍺元素的原子之間靠共有電子對—共價鍵，形成非常規則的晶體點陣結構。結果每個原子外層相對排滿８個電子，形成相對穩定的狀態。這種結構整齊且單一的純凈半導體，叫本征半導體。如圖1.1.3所示
二.本征激發
在常溫下，由于熱能的激發，使本征半導體共價鍵中的價電子獲得足夠的能量而脫離共價鍵的束縛，成為自由電子。同時，在共價鍵中留下一個空位，叫空穴。這種產生自由電子和空穴對的現象，叫本征激發。溫度一定，自由電子和空穴對的濃度也一定。
由于本征激發而在本征半導體中存在一定濃度的自由電子（帶負電荷）和空穴（帶正電荷）對，故其具有導電能力，但其導電能力有限。1.1.3 雜質半導體
在本征半導體中摻入適量且適當的其他元素（叫雜質元素），就形成雜質半導體，其導電能力將大大增強。
一、Ｎ型半導體
在硅或鍺本征半導體中摻入適量的五價元素（如磷），則磷原子與其周圍相鄰的四個硅或鍺原子之間形成共價鍵后，還多出一個電子，這個多出的電子極易成為自由電子參與導電。同時,因本征激發還產生自由電子和空穴對。結果,自由電子成為多數載流子(稱多子),空穴成為少數載流子(稱少子)。這種主要依靠多數載流子自由電子導電的雜質半導體，叫N型半導體，如圖1.1.4所示。
二、P型半導體
在硅或鍺本征半導體中，摻入適量的三價元素（如硼），則硼原子與周圍的四個硅或鍺原子形成共價鍵后，還留有一個空穴。同時，因本征激發 還產生自由電子和空穴對。結果，空穴成為多子，自由電子成為少子。這種主要依靠多子空穴導電的雜質半導體，叫P型半導體。如圖1.1.5所示。
無外電場作用時，本征半導體和雜質半導體對外均呈現電中性，其內部無電流。
本征半導體、P型和N型半導體都不能單獨構成半導體器件，PN結才是構成半導體器件的基本單元。1.2 半導體二極管
半導體二極管是利用雜質半導體做成的。1.2.1 PN結的形成
一、多數載流子的擴散
在P型和N型半導體交界面兩側,電子和空穴的濃度差很大。在濃度差的作用下，P區中的多子空穴向N區擴散,在P區一側留下雜質負離子,在N區一側集中正電荷;同時，N區中的多子自由電子向P區擴散，在N區一側留下雜質正離子，在P區一側集中負電荷。結果，在P型和N型半導體交界面處形成空間電荷區，自建內電場ε內（從N區指向P區），如圖1-6所示。
二、少數載流子的漂移
在內電場的作用下，P區中的少子自由電子向N區漂移，而N區中的少子空穴向P區飄移，使內電場削弱。
三、擴散與漂移的動態平衡 當內電場達到一定值時，多子的擴散運動與少子的漂移運動達到動態平衡時，空間電荷區不再變化，這個空間電荷區，就稱為PN結。
空間電荷區無載流子停留，故曰耗盡層，又叫阻擋層或勢壘層。無外電場作用時，PN結內部雖有載流子運動，但無定向電流形成。1.2.2 PN結的單向導電特性
一、PN結加正向電壓
PN結加正向電壓（正偏）時，外電場與內電場反方向，使空間電荷區變窄，多子的擴散運動遠大于少子的漂移運動，由濃度大的多子擴散形成較大的正向電流，PN結處于導通狀態。此時，其正向通態電阻很小，正向通態管壓降也很小。
二、PN結加反向電壓
PN結加反向電壓（反偏）時，外電場與內電場同方向，使空間電荷區變寬，多子擴散運動大大減弱，而少子的漂移運動相對加強，由濃度很小的少子漂移形成很小的反向飽和電流IS,PN結處于截止狀態。此時，反向電阻很大。
PN結正偏時導通，反偏時截止，故具有單向導電特性。其特性曲線如 圖1-8所示，電壓U與電流I的關系式為
ID=IS（e?1）
三、反向擊穿
當PN結所加反向電壓達到UB時，其反向電流急劇增加，叫反向擊穿，UB叫擊穿電壓。
PN結有雪崩擊穿和齊納擊穿兩種擊穿狀態。無論處于何種擊穿時，反向電流只要不超過允許值，去掉反向電源后，仍能恢復單向導電性。
四、PN結的電容效應 1.勢壘電容CT 當PN結的反偏電壓變化時，空間電荷區隨之變寬（相當于充入電荷）或變窄（相當于放出電荷），故具有電容效應，叫勢壘電容，用CT表示。2.擴散電容CD 當PN結的正偏電壓變化時，P區和N 區中多子的濃度和濃度梯度均隨之變化，也具有一定的電容效應，叫擴散電容，用CD表示 3.PN結的結電容CJ CJ=CT+CD
正偏時，CD起主要作用；反偏時，CT起主要作用。1.2.3 半導體二極管 一、二極管的結構
給PN結加上兩個引線（管腳）和管殼即成二極管，接P區的管腳稱陽極，接N區的管腳稱陰極。二、二極管的類型 1.按結構區分
點接觸型：PN結面積小，工作電流小，PN結電容小，工作頻率高。面接觸型：PN結面積大，工作電流大，PN結電容大，工作頻率低。2.按工作頻率區分 有高頻管和低頻管。3.按功率區分
有大功率管和小功率管。4.按用途區分
有普通管、整流管、穩壓管、開關管等等。三、二極管的特性
1.正向特性，與PN結相同 UPUT2.反向特性，與PN結相同 3.擊穿特性，與PN結相同
4.溫度特性，溫度升高時，二極管的正反向特性曲線均向縱軸靠近。
四、主要參數
1.最大整流電流IF，又叫額定電流。2.最大反向工作電壓UR，又叫額定電壓。3.反向飽和電流IS。
4.反向電流IR，二極管未擊穿時的電流值。5.最高工作頻率fM。
6.直流電阻RD：RD=UD/IF，如圖1-14所示。
7.交流電阻rd：RD=ΔUD/ΔID=dud/did,如圖1-15所示。
rd系指某一工作點的動態電阻。常溫下，rd=UT/ID=26(mv)/IDQ IDQ為直流工作點的電流，單位為mA 1.2.4 穩壓二極管
一、結構
結構與普通二極管相似，只是摻雜濃度比普通二極管大得多，通常為硅材料穩壓二極管。
二、特性
正向特性曲線與普通二極管的正向特性曲線相似；反響未擊穿的特性曲線與普通二極管的反向擊穿時的特性曲線相似。但穩壓二極管的反向擊穿特性曲線很陡。如圖1-16所示。
三、參數
1.穩定電壓UZ 2.穩定電流IZ 3.額定功率PZ
4.動態電阻rZ，rZ=ΔUZ/ΔIZ，rZ很小。
5.電壓溫度系數α。α=ΔUZ/Ut × 100%。UZ>7V時，α為正溫度系數；UZ<5V時，α為負溫度系數；5V 一、發光二極管 將電能轉換為光能的半導體器件。正偏時，有正向電流通過而發光，其正向通態管壓降為1.8—2.2V.二、光電二極管 將光能轉換為電能的半導體器件。反向偏置下，當光線強弱改變時，光電二極管的反向電流隨之改變。 三、光電耦合器 光電耦合器由光電二極管和發光二極管組合封裝而成。發光二極管為輸入端，光電二極管輸出端。 四、變容二極管 變容二極管的勢壘電容隨外加反向電壓變化而變化。1.3 雙極型三極管 半導體三極管又稱為晶體管或雙極性三極管，是組成各種電子電路的核心器件。 1.3.1 三級管的結構和類型 一、結構 三極管有兩個結，三個電極，三個區組成。 兩個結：發射結和集電結 三個極：發射極E，基極B，和集電極C 三個區：發射區；參雜濃度大。 基區；很薄，參雜濃度很小。 集電區:參雜濃度小，但面積大。 這種特殊結構是三極管具有電流放大作用的內部依據。 二、類型 1.按結構區分：有NPN型和PNP型。2.按材料區分：有硅三極管和鍺三極管。 3.按工作頻率區分：有高頻三極管和低頻三極管。4.按功率大小區分：有大功率三極管和小功率三極管。 三、工作條件 三極管有電流放大作用大外部條件。 1.NPN型三極管：VC>VB>VE 2.PNP型三極管：VC 1.共發射極接法：發射極為交流輸入和輸出信號的公共端。2.共集電極接法：集電極為交流輸入和輸出信號的公共端。3.共基極接法： 基極為交流輸入和輸出信號的公共端。1.3.3 三極管的電流放大原理 一、載流子傳輸過程 以NPN型三極管為例進行分析。 1.發射。發射結正偏，發射區中的多子電子大量地向基區擴散，形成發射極電流。 2.復合。從發射區擴散到基區的電子，很少一部分與基區中的空穴相復合，形成基極電流的主要部分ICN。 3.收集。從發射區擴散到基區的電子，除很少部分被復合掉外，絕大部分電子向集電結擴散，且在集電結反偏電壓的作用下，迅速漂移過集電結被集電區所收集，形成集電極電流的主要部分。同時，集電區少子空穴在集電結反偏電壓的作用下向基區漂移，形成集電結反向飽和電流ICBO，它是集電極電流的極小部分，也是基極電流的一部分。如圖1-32所示。 二、各極電流的關系 IC=ICN+ICBO ICN=IC-ICBO IB=IBN-ICBO IBN=IB+ICBO IE≈ICN+IBN=IC-ICBO+IB+ICBO IE=IC+IB 三、電流放大系數 1.直流電流放大系數β β=ICN/IBN=(IC-ICBO)/(IB+ICBO)≈IC/IB(IC>>IB>>ICBO)2.交流電流放大系數β β≈ΔIC/ΔIB 3.穿透電流ICEO ICEO=(1+β)ICBO 1.3.4 三極管的特性曲線 一、輸入特性 iB=f(ube)∣UCE=常數 1.UCE =0V時 三極管的輸入特性曲線，相當于二級管的正向特性曲線，如圖1-34所示。2.UCE =1V時 三極管的輸入特性曲線將向右移。3.UCE >1V時 三極管的特性曲線幾乎與UCE =1V時的輸入特性曲線重合。 二、輸出特性 iC=f(uCE)∣IB=常數 輸出特性曲線有三個主要區域。如圖1-35所示。1.截止區 UBE≤0V,IB≤0,IC=ICEO,三極管幾乎不導通，叫截止狀態。2.放大區 UBE>0.5—0.7（硅管）,UBE>0.1—0.3V(鍺管)，UCE>>UBE,當UCE不變時，IC=βIB 3.飽和區 UBE>0.5—0.7（硅管）,UBE>0.1—0.3V(鍺管)，UCE 一、電流放大系數 β=ΔIC/ΔIB∣UCE=常數 二、極間反向電流 ICBO ICEO=(1+β)ICBO 三、極限參數 1.集電極最大允許電流ICM 2.集電極最大允許功率損耗PCM PCM=UCEIC 3.反向擊穿電壓 BUCBO>BUCEO>BUEBO 為了安全起見，應使三極管的UCE 四、溫度對三極管參數的影響 1.對VBE有影響 2.對ICBO和ICEO有影響 3.對β有影響 如溫度升高時，VBE↓,ICBO↑,ICEO↑,β↑；反之，亦反之。1.4 場效應三極管 場效應管(簡稱FET)是一種電壓控制(電場效應控制)器件(uGS~ iD)，工作時，只有一種(多數)載流子參與導電，因此它是單極型器件。 場效應管分為兩大類：絕緣柵場效應管和結型場效應管。1.4.1 結型場效應管 一、結構 在一塊N型半導體的兩邊利用雜質擴散出高濃度的P型區域,用P+表示,形成兩個P+N結。 N型半導體的兩端引出兩個電極，分別稱為漏極D和源極S。把兩邊的P區引出電極并連在一起稱為柵極G。 二、工作原理 首先，假如在G—S間加上反向電壓VGS，則PN結反向偏置。顯然,改變VGS將改變耗盡層的寬度。 其次，由于PN結兩邊，P區摻雜濃度很高，N區摻雜濃度相對較低；PN結中N區一側的正離子數與P區一側的負離子數相等，因而交界面兩側的寬度并不相等。摻雜程度低的N溝道層寬比P區層寬大很多。 故此,可以認為,當耗盡層展寬時主要向著導電溝道的一側。 UGS、UDS影響ID電流的大小。VGS越負，溝道越窄，VGD越負，溝道越窄。 三、特性曲線 JFET的特性曲線有兩條：轉移特性曲線和輸出特性曲線。 轉移特性描述柵源電壓UGS對漏極電流ID的控制作用。轉移特性有兩個重要參數：夾斷電壓UP和飽和漏極電流IDSS。 輸出特性描述當柵源電壓UGS不變時，漏極電流ID與漏源電壓UDS的關系。 1.4.2 絕緣柵型場效應管(IGFET)分為： 增強型 ? N溝道、P溝道 耗盡型 ? N溝道、P溝道 一、N溝道增強型MOS管 1.結構 四個電極：漏極D，源極S, 柵極G和 襯底B。 2.工作原理 ①柵源電壓UGS的控制作用 ②漏源電壓UDS對漏極電流ID的控制作用 3.特性曲線 ①輸出特性曲線： ID=f(UDS)?UGS=const ②轉移特性曲線： ID=f(UGS)?UDS=const 4．重要參數--跨導gm gm=?iD/?uGS?uDS=const(單位mS)gm的大小反映了柵源電壓對漏極電流的控制作用.在轉移特性曲線上，gm為的曲線的斜率。 二、N溝道耗盡型MOSFET 在柵極下方的SiO2層中摻入了大量的金屬正離子。所以當UGS=0時，這些正離子已經感應出反型層，形成了溝道。特點：當UGS=0時,就有溝道，加入UDS，就有ID。 三、P溝道MOSFET P溝道MOSFET的工作原理與N溝道MOSFET完全相同，只不過導電的載流子不同，供電電壓極性不同而已。 四、例題 例1.4.1 絕緣柵場效應管工作狀態分析 1.4.3 場效應管的主要參數 一、直流參數 二、交流參數 三、極限參數 課堂討論： 1.何謂本征半導體？其導電能力由什么因素決定。2.P型和N型半導體的特點？ 3.半導體的導電能力與哪些因素有關？ 4.三極管如何實現放大功能？ 5.場效應管與三極管如何區分？ 小 結： 1．半導體材料中有兩種載流子：電子和空穴。電子帶負電，空穴帶正電。在純凈半導體中摻入不同的雜質，可以得到N型半導體和P型半導體。 2．采用一定的工藝措施，使P型和N型半導體結合在一起，就形成了PN結。PN結的基本特點是單向導電性。 3．二極管是由一個PN結構成的。其特性可以用伏安特性和一系列參數來描述。在研究二極管電路時，可根據不同情況，使用不同的二極管模型。 4．BJT是由兩個PN結構成的。工作時,有兩種載流子參與導電，稱為雙極性晶體管。BJT是一種電流控制電流型的器件,改變基極電流就可以控制集電極電流。BJT的特性可用輸入特性曲線和輸出特性曲線來描述。其性能可以用一系列參數來表征。BJT有三個工作區：飽和區、放大器和截止區。 5．FET分為JFET和MOSFET兩種。工作時只有一種載流子參與導電，因此稱為單極性晶體管。FET是一種電壓控制電流型器件。改變其柵源電壓就可以改變其漏極電流。FET的特性可用轉移特性曲線和輸出特性曲線來描述。其性能可以用一系列參數來表征。 布置作業:P45-1.3 P46-1.4；1.5；1.8 P47-1.12；1.13 P48-1.15 P49-1.19 模具的快速定位安裝整改報告 由于產品種類較多，模具更換頻繁，換模時間又長，嚴重影響生產效率，而且公司在人員和設備的配備上存在一定的弱勢，如果看見哪臺沖床空閑就裝哪臺的話就勢必會影響車間的整個流程（每個產品多有不少工序），從而影響公司的整個生產計劃，進而影響公司的效益。以下有幾種方法可供參考： 1、每臺沖床加裝一套夾模器(舉模、上夾模、下夾模都是油壓鎖固) 2、沖床床臺后側安裝兩個定位肖(定位肖固定的位置要根據生產事先計算好的) 3、模具的下模座加工兩個V型曹 架模過程:將模具放在舉模器上,模具的V曹對準床臺的定位肖推入定位,放下舉模器,上夾模、下夾模鎖固模座,完成架模.下模與上模相反 同噸位的機臺全部安裝定位肖,模具的下模座同樣根據(模具的中心線對準床臺的中心線,沖壓的左右負荷也最好較平均)全部加工V型曹這樣每套模只要推進定位肖定位就好.安裝夾模器也是為了快速鎖模 裂紋和破裂產生的原因主要是由于大型曲面制件局部毛坯受到的拉應力超過了強度極限所致。具體影響的原因有： 1.材料的沖壓性能不符合工藝要求。 2.板料厚度超差－當板料厚度超過上偏差時，局部間隙小的 區域進料時卡死，沖壓變形困難，材料不易通過該處凹模內而被拉斷。當板料厚度超過下偏差時，材料變薄了，橫剖面單位面積上的壓應力增大，或者由于材料變薄，阻力減小，流入凹模內的板料過多而先形成皺紋，這時，材料不易流動而被拉裂。 3.沖壓件材料表面質量差－劃痕引起應力集中、銹蝕增大后阻力。 4.壓料面的進料阻力過大－毛坯外形大、壓料筋槽間隙小、凹模圓角半徑過小、外滑塊調的過深、拉深筋過高、壓料面和凹模圓角半徑光潔度差。 5.局部拉深量太大，拉深變形超過了材料變形極限。 6.在操作中，把毛坯放偏，造成一邊壓料過大，一邊壓料過小。過大的一邊則進料困難，造成開裂；過小的一邊，進料過多，易起皺，皺后進料困難，引起破裂。7.不按工藝規定涂潤滑劑，后阻力增大，造成進料困難而開裂。8.沖模安裝不當或壓力機精度差，引起間隙偏斜，造成進料阻力不均。 這里講到是的生產中經常會遇到的問題，還有其他很多不可能預見的現象等待大家來挖掘，希望大家能多提寶貴的意見和多方交流。坤順公司是專業生產和經營沖壓件的企業，模具師傅也是從廣東請來的元老泰斗，經驗雄厚，技術先進，為大家提供更多完善的服務。第五篇：模具快速換模改善方案
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