第一篇：半導(dǎo)體器件原理課程復(fù)習(xí)提綱

《半導(dǎo)體器件原理》課程復(fù)習(xí)提綱

基礎(chǔ)：半導(dǎo)體物理基本概念、物理效應(yīng)，p－n結(jié)。重點(diǎn)：雙極型晶體管、JFET、GaAs MESFET、MOSFET。了解：材料物理參數(shù)、器件直流參數(shù)和頻率參數(shù)的意義。

根據(jù)物理效應(yīng)、重要方程、實(shí)驗修正，理解半導(dǎo)體器件工作原理和特性，進(jìn)行器件設(shè)計、優(yōu)化、仿真與建模。

第一章：半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)

主要內(nèi)容包括半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體能帶、本征載流子濃度、非本征載流子、本征與摻雜半導(dǎo)體、施主與受主、漂移擴(kuò)散模型、載流子輸運(yùn)現(xiàn)象、平衡與非平衡載流子。

半導(dǎo)體物理有關(guān)的基本概念，質(zhì)量作用定律，熱平衡與非平衡、漂移、擴(kuò)散，載流子的注入、產(chǎn)生和復(fù)合過程，描述載流子輸運(yùn)現(xiàn)象的連續(xù)性方程和泊松方程。（紅色部分不作考試要求）第二章：p－n結(jié)

主要內(nèi)容包括熱平衡下的p－n結(jié)，空間電荷區(qū)、耗盡區(qū)（耗盡層）、內(nèi)建電場等概念，p－n結(jié)的瞬態(tài)特性，結(jié)擊穿，異質(zhì)結(jié)與高低結(jié)。

耗盡近似條件，空間電荷區(qū)、耗盡區(qū)（耗盡層）、內(nèi)建電勢等概念，討論pn結(jié)主要以突變結(jié)（包括單邊突變結(jié)）和線性緩變結(jié)為例，電荷分布和電場分布，耗盡區(qū)寬度，勢壘電容和擴(kuò)散電容的概念、定義，直流特性：理想二極管IV方程的推導(dǎo)

對于考慮產(chǎn)生復(fù)合效應(yīng)、大注入效應(yīng)、溫度效應(yīng)對直流伏安特性的簡單修正。PN的瞬態(tài)特性，利用電荷控制模型近似計算瞬變時間。結(jié)擊穿機(jī)制主要包括熱電擊穿、隧道擊穿和雪崩擊穿。要求掌握隧道效應(yīng)和碰撞電離雪崩倍增的概念，雪崩擊穿條件，雪崩擊穿電壓、臨界擊穿電場及穿通電壓的概念，異質(zhì)結(jié)的結(jié)構(gòu)及概念，異質(zhì)結(jié)的輸運(yùn)電流模型。高低結(jié)的特性。（紅色部分不作考試要求）

第三章：雙極型晶體管

主要內(nèi)容包括基本原理，直流特性，頻率響應(yīng)，開關(guān)特性，異質(zhì)結(jié)晶體管。

晶體管放大原理，端電流的組成，電流增益的概念以及提高電流增益的原則和方法。理性晶體管的伏安特性，工作狀態(tài)的判定，輸入輸出特性曲線分析，對理想特性的簡單修正，緩變基區(qū)的少子分布計算，基區(qū)擴(kuò)展電阻和發(fā)射極電流集邊效應(yīng)，基區(qū)寬度調(diào)制，基區(qū)展寬效應(yīng)，雪崩倍增效應(yīng)，基區(qū)穿通效應(yīng)，產(chǎn)生復(fù)合電流和大注入效應(yīng)，晶體管的物理模型E－M模型和電路模型G－P模型。跨導(dǎo)和輸入電導(dǎo)參數(shù)，低頻小信號等效電路和高頻等效電路，頻率參數(shù)，包括共基極截止頻率fα和共射極截止頻率fβ的定義，特征頻率fT的定義，頻率功率的限制，其中少子渡越基區(qū)時間，提高頻率特性的主要措施。開關(guān)特性的參數(shù)定義，開關(guān)時間的定義和開關(guān)過程的描述，利用電荷控制方程簡單計算開關(guān)時間。開關(guān)晶體管中最重要的參數(shù)是少子壽命。異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管的結(jié)構(gòu)及優(yōu)點(diǎn)。（紅色部分不作考試要求）第四章：結(jié)型場效應(yīng)晶體管

主要內(nèi)容包括金半接觸，肖特基勢壘二極管，結(jié)型場效應(yīng)晶體管，肖特基柵場效應(yīng)晶體管，異質(zhì)結(jié)MESFET。

金半接觸包括肖特基勢壘接觸和歐姆接觸，肖特基勢壘高度，及它與內(nèi)建電勢的關(guān)系，可以把它看成單邊突變結(jié)進(jìn)行計算，肖特基效應(yīng)，肖特基勢壘二極管SBD的伏安特性。歐姆接觸以及影響接觸電阻的因素。結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）的工作原理，伏安特性，使用緩變溝道近似模型等理想條件，伏安特性分為線性區(qū)和飽和區(qū)，分別定義了溝道電導(dǎo)（漏電導(dǎo)）和跨導(dǎo)。輸出特性和轉(zhuǎn)移特性曲線，直流參數(shù)，包括夾斷電壓VP，飽和漏極電流IDSS，溝道電阻，漏源擊穿電壓BVDS的定義及計算。簡單理論的修正，利用電荷控制法分析溝道雜質(zhì)任意分布對器件伏安特性的影響，高場遷移率對器件伏安特性的影響。交流小信號等效電路和高頻等效電路，頻率參數(shù)，特征（截止）頻率fT的定義及計算，最高振蕩頻率fm的定義。肖特基柵場效應(yīng)晶體管（MESFET）的工作原理與JFET相同，只不過用肖特基勢壘代替pn結(jié)，MESFET的分類，伏安特性，溝道電導(dǎo)（漏電導(dǎo)）和跨導(dǎo)的概念，夾斷電壓和閾值電壓的概念和計算。交流小信號等效電路，特征截止頻率的定義，提高M(jìn)ESFET輸出功率的一些主要措施，MESFET的建模，包括I－V、C－V、SPICE模型。異質(zhì)結(jié)MESFET。（紅色部分不作考試要求）

第五章：MOS器件

主要內(nèi)容包括MOS結(jié)構(gòu)，MOS二極管，MOS場效應(yīng)晶體管

MOS器件與雙極晶體管的比較。

MOS結(jié)構(gòu)基本理論，平帶電壓VFB，表面勢，費(fèi)米勢的定義，表面狀態(tài)出現(xiàn)平帶、積累、耗盡反型情況。MOS器件表面強(qiáng)反型的判定條件。MOSFET的基本結(jié)構(gòu)和工作原理，分類。閾值電壓的定義及計算。直流伏安特性方程，弱反型（亞閾值）區(qū)的伏安特性，輸出特性和轉(zhuǎn)移特性曲線，直流參數(shù)，包括飽和漏源電流IDSS，截止漏電流，導(dǎo)通電阻，導(dǎo)電因子。交流小信號等效電路和高頻等效電路，低頻小信號參數(shù)，包括柵跨導(dǎo)的定義，以及柵源電壓、漏源電壓和串聯(lián)電阻RS、RD對跨導(dǎo)的影響，提高跨導(dǎo)（增大β因子）的方法；襯底跨導(dǎo)，非飽和區(qū)漏電導(dǎo)，飽和區(qū)漏電導(dǎo)不為零主要由于溝道長度調(diào)制效應(yīng)和漏感應(yīng)源勢壘降低效應(yīng)（DIBL效應(yīng)）。頻率特性主要掌握跨導(dǎo)截止頻率ωgm和特征截止頻率fT的定義，以及提高頻率特性的途徑。了解MOSFET的功率特性（高頻功率增益、輸出功率和耗散功率）和功率結(jié)構(gòu)，以及擊穿特性的主要擊穿機(jī)理：漏源擊穿（漏襯底雪崩擊穿、溝道雪崩擊穿和勢壘穿通）和柵絕緣層擊穿。

開關(guān)特性，主要以CMOS倒相器為例，開關(guān)時間的定義及簡單計算，包括截止關(guān)閉時間和導(dǎo)通開啟時間，開關(guān)過程的簡單描述。溫度特性主要掌握遷移率和閾值電壓與溫度的關(guān)系。

短溝道效應(yīng)（SCE）和窄溝道效應(yīng)（NWE）。速度飽和效應(yīng)對漏特

性及跨導(dǎo)的影響。熱載流子效應(yīng)（HCE），造成器件的長期可靠性問題。短溝道MOSFET，MOS保持長溝道特性的兩個判定標(biāo)準(zhǔn)。具有長溝道特性的最小溝道長度的經(jīng)驗公式。器件小型化的規(guī)則，以及按比例縮小存在一定的限制。第六章：新型半導(dǎo)體器件簡介

主要內(nèi)容包括現(xiàn)代MOS器件，CCD器件，存儲器件，納米器件，功率器件，微波器件，光電子器件，量子器件等。（紅色部分不作考試要求）

第二篇：說課稿-半導(dǎo)體器件

尊敬的各位領(lǐng)導(dǎo)、各位老師下午好，我今天說課的題目是：平衡PN結(jié)

一、分析教材

首先我對本節(jié)的教材內(nèi)容進(jìn)行分析：

《半導(dǎo)體器件物理》是應(yīng)用物理學(xué)專業(yè)的一門重要專業(yè)方向課程。通過本課程的學(xué)習(xí)，使學(xué)生能夠結(jié)合各種半導(dǎo)體的物理效應(yīng)掌握常用和特殊半導(dǎo)體器件的工作原理，從物理角度深入了解各種半導(dǎo)體器件的基本規(guī)律。PN結(jié)是構(gòu)成各類半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)，如雙極型晶體管、結(jié)型場效應(yīng)晶體管、可控硅等，都是由PN結(jié)構(gòu)成的。PN結(jié)的性質(zhì)集中反映了半導(dǎo)體導(dǎo)電性能的特點(diǎn)，如存在兩種載流子、載流子有漂移運(yùn)動、擴(kuò)散運(yùn)動、產(chǎn)生與復(fù)合三種基本運(yùn)動形式等。獲得在本課程領(lǐng)域內(nèi)分析和處理一些最基本問題的初步能力，為進(jìn)一步深入學(xué)習(xí)和獨(dú)立解決實(shí)際工作中的有關(guān)問題奠定一定的基礎(chǔ)。

根據(jù)以上分析，結(jié)合本節(jié)教學(xué)要求，再聯(lián)系學(xué)生實(shí)際，我確立了以下教學(xué)目標(biāo)：

1、知識目標(biāo)

(1)了解PN結(jié)的結(jié)構(gòu)、制備方法；

(2)掌握平衡PN結(jié)的空間電荷區(qū)和能帶圖；

(3)掌握平衡PN結(jié)的載流子濃度分布。

2、能力目標(biāo)

(1)通過典型圖例，指導(dǎo)學(xué)生進(jìn)行觀察和認(rèn)識PN結(jié)，培養(yǎng)學(xué)生的觀察現(xiàn)象、分析問題以及理論聯(lián)系實(shí)際的能力；

(2)指導(dǎo)學(xué)生自己分析，借助教材和圖例，培養(yǎng)學(xué)生的動手能力以及通過實(shí)驗研究問題的習(xí)慣；

3、情感目標(biāo)

(1)培養(yǎng)學(xué)生學(xué)習(xí)半導(dǎo)體器件物理的興趣，進(jìn)而激發(fā)學(xué)生對本專業(yè)熱愛的激情；

(2)培養(yǎng)學(xué)生科學(xué)嚴(yán)謹(jǐn)?shù)膶W(xué)習(xí)態(tài)度。

考慮到一方面學(xué)生的文化基礎(chǔ)比較薄弱，綜合解決問題的能力有待提高，另一方面，對于高職類學(xué)校的學(xué)生而言，要求有較強(qiáng)的動手能力，我把教學(xué)的重點(diǎn)和難點(diǎn)設(shè)置如下：

1、教學(xué)重點(diǎn)

平衡p–n結(jié)空間電荷區(qū)的形成；平衡p–n結(jié)的能帶圖

2、教學(xué)難點(diǎn)

平衡p–n結(jié)中載流子的分布

二、說教法

興趣是推動學(xué)生求知欲的強(qiáng)大動力，在教學(xué)中把握學(xué)生好奇心的特點(diǎn)至關(guān)重要。另一方面，在教學(xué)課堂中，不僅要求傳授書本的理論知識，更要注重培養(yǎng)學(xué)生的思維判斷能力、依據(jù)理論解決實(shí)際問題的能力以及自學(xué)探索的能力。據(jù)此，我準(zhǔn)備以演示法和引導(dǎo)式教學(xué)為主，遵循學(xué)生為學(xué)生為主體，教師為主導(dǎo)的原則，通過講授理論知識，使學(xué)生獲得必要的感性認(rèn)識，讓疑問激起他們的學(xué)習(xí)研究興趣，然后再引導(dǎo)學(xué)生掌握必要的基礎(chǔ)知識，最后在開放的課堂上提供學(xué)生進(jìn)一步研究的機(jī)會，滿足他們的好奇心，開發(fā)他們的創(chuàng)新潛力。

三、說學(xué)法

學(xué)生是教學(xué)活動的主體，教學(xué)活動中要注意學(xué)生學(xué)法的指導(dǎo)，使學(xué)生從“學(xué)會”轉(zhuǎn)化為“會學(xué)”。根據(jù)教學(xué)內(nèi)容，本節(jié)采用觀察、分析的學(xué)習(xí)方法，在做好演示圖例的同時，引導(dǎo)學(xué)生合作討論，進(jìn)而獲取知識。

另外，在教學(xué)過程中，我還會鼓勵學(xué)生運(yùn)用探究性的學(xué)習(xí)方法，培養(yǎng)他們發(fā)現(xiàn)、探究、解決問題的能力。

四、說教學(xué)過程

為了完成教學(xué)目標(biāo)，解決教學(xué)重點(diǎn)，突破教學(xué)難點(diǎn)，課堂教學(xué)我準(zhǔn)備按以下幾個環(huán)節(jié)展開：

1、新課導(dǎo)入

通過半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)的學(xué)習(xí)，分析了P型和N型半導(dǎo)體中的載流子濃度分布和運(yùn)動情況，如果將P型和N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起，在二者的交界處就形成了PN結(jié)。首先學(xué)習(xí)PN結(jié)。引出問題：什么是PN結(jié)？

設(shè)計意圖：通過問題的提出，引導(dǎo)學(xué)生形成對所學(xué)事物的輪廓，豐富他們的感性認(rèn)識，吸引學(xué)生的注意力和好奇心。

2、講解新課

通過講解在本征半導(dǎo)體中參入不同雜質(zhì)，引出半導(dǎo)體的一個特殊結(jié)構(gòu)：PN結(jié)。

(1)講解PN結(jié)

用圖示演示PN結(jié)的基本結(jié)構(gòu)，兩種不同類型的半導(dǎo)體：P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體。為了加深學(xué)生的理解，可以采用情景教學(xué)的方式，讓學(xué)生在輕松有趣的互動游戲中掌握枯燥的概念。

(2)平衡PN結(jié)的空間電荷區(qū)和能帶圖

通過圖例展示，教師講解平衡PN結(jié)空間電荷區(qū)的形成和能帶圖，然后讓學(xué)生復(fù)述，傾聽學(xué)生自己的理解，在此基礎(chǔ)上進(jìn)一步分析，講解各名詞的概念：擴(kuò)散、漂移、空間電荷區(qū)、自建電場、勢壘、勢壘區(qū)。

(3)平衡PN結(jié)的接觸電勢差

由此，也進(jìn)一步引出N區(qū)和P區(qū)之間存在電勢差，稱為PN結(jié)的接觸電勢差。給出n區(qū)電子濃度、p區(qū)空穴濃度的公式，引導(dǎo)學(xué)生推導(dǎo)接觸電勢差。

(4)平衡PN結(jié)的載流子濃度分布

通過圖示回顧上課過程中提到的空間電荷區(qū)、自建電場、擴(kuò)散、漂移、載流子的耗盡等概念，總結(jié)平衡PN結(jié)的載流子濃度分布并給出示意圖。

3、歸納總結(jié)，布置作業(yè)

設(shè)計問題，由學(xué)生回答問題,通過設(shè)問回答補(bǔ)充的方式小結(jié)，學(xué)生自主回答三個問題，教師關(guān)注全體學(xué)生對本節(jié)課知識的掌握程度，學(xué)生是否愿意表達(dá)自己的觀點(diǎn)。

(1)什么是PN結(jié)？

(2)PN結(jié)的制備方法有哪些？

(3)平衡PN結(jié)的空間電荷區(qū)是如何形成的？

(4)平衡PN結(jié)的能帶圖中費(fèi)米能級的作用？

(5)平衡PN結(jié)接觸電勢差的推導(dǎo)過程？

設(shè)計意圖：通過提問方式引導(dǎo)學(xué)生進(jìn)行小結(jié)，養(yǎng)成學(xué)習(xí)——總結(jié)——再學(xué)習(xí)的良好習(xí)慣，發(fā)揮自我評價作用，同時可培養(yǎng)學(xué)生的語言表達(dá)能力。作業(yè)分層要求，做到面向全體學(xué)生，給基礎(chǔ)好的學(xué)生充分的空間，滿足他們的求知欲。

五、板書設(shè)計

采用三欄式

以上，我從教材、教法、學(xué)法、教學(xué)過程和板書設(shè)計五個方面對本課進(jìn)行了說明，我的說課到此結(jié)束，謝謝各位評委老師。

第三篇：常用半導(dǎo)體器件教案

第一章

常用半導(dǎo)體器件

1.1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識

1.1.1 本征半導(dǎo)體

一、半導(dǎo)體

1． 概念：導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間。2． 本征半導(dǎo)體：純凈的具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。

二、本征半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)（圖1.1.1）

1． 晶格：晶體中的原子在空間形成排列整齊的點(diǎn)陣。2． 共價鍵

三、本征半導(dǎo)體中的兩種載流子（圖1.1.2）

1． 本征激發(fā)：在熱激發(fā)下產(chǎn)生自由電子和空穴對的現(xiàn)象。2． 空穴：講解其導(dǎo)電方式； 3． 自由電子

4． 復(fù)合：自由電子與空穴相遇，相互消失。5． 載流子：運(yùn)載電荷的粒子。

四、本征半導(dǎo)體中載流子的濃度

1． 動態(tài)平衡：載流子濃度在一定溫度下，保持一定。2． 載流子濃度公式：

ni?pi?K1T3/2e?EGO/(2kT)

自由電子、空穴濃度（cm?5－

3），T為熱力學(xué)溫度，k為波耳茲曼常數(shù)（8.63?10eV/K），EGO為熱力學(xué)零度時破壞共價鍵所需的能量（eV），又稱禁帶寬度，K1是與半導(dǎo)體材料載流子有效質(zhì)量、有效能級密度有關(guān)的常量。

1.1.2 雜質(zhì)半導(dǎo)體

一、概念：通過擴(kuò)散工藝，摻入了少量合適的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體。

二、N型半導(dǎo)體（圖1.1.3）

1． 形成：摻入少量的磷。2． 多數(shù)載流子：自由電子 3． 少數(shù)載流子：空穴

4． 施主原子：提供電子的雜質(zhì)原子。

三、P型半導(dǎo)體（圖1.1.4）

1． 形成：摻入少量的硼。2． 多數(shù)載流子：空穴 3． 少數(shù)載流子：自由電子

4． 受主原子：雜質(zhì)原子中的空穴吸收電子。

5． 濃度：多子濃度近似等于所摻雜原子的濃度，而少子的濃度低，由本征激發(fā)形成，對溫度敏感，影響半導(dǎo)體的性能。

1.1.3 PN結(jié)

一、PN結(jié)的形成（圖1.1.5）

1． 擴(kuò)散運(yùn)動：多子從濃度高的地方向濃度低的地方運(yùn)動。2． 空間電荷區(qū)、耗盡層（忽視其中載流子的存在）3． 漂移運(yùn)動：少子在電場力的作用下的運(yùn)動。在一定條件下，其與擴(kuò)散運(yùn)動動態(tài)平衡。4． 對稱結(jié)、不對稱結(jié)：外部特性相同。

二、PN結(jié)的單向?qū)щ娦?/p>

1． PN結(jié)外加正向電壓：導(dǎo)通狀態(tài)（圖1.1.6）正向接法、正向偏置，電阻R的作用。（解釋為什么Uho與PN結(jié)導(dǎo)通時所表現(xiàn)的外部電壓相反：PN結(jié)的外部電壓為U即平時的0.7V，而內(nèi)電場的電壓并不對PN結(jié)的外部電壓產(chǎn)生影響。）

2． PN結(jié)外加反向電壓：截止?fàn)顟B(tài)（圖1.1.7）反向電壓、反向偏置、反向接法。形成漂移電流。

三、PN結(jié)的電流方程

1． 方程（表明PN結(jié)所加端電壓u與流過它的電流i的關(guān)系）：

i?IS(euUT?1)

UT?kT

q為電子的電量。q2．平衡狀態(tài)下載流子濃度與內(nèi)電場場強(qiáng)的關(guān)系： 3． PN結(jié)電流方程分析中的條件：

4． 外加電壓時PN結(jié)電流與電壓的關(guān)系：

四、PN結(jié)的伏安特性（圖1.1.10）

1． 正向特性、反向特性

2． 反向擊穿：齊納擊穿（高摻雜、耗盡層薄、形成很強(qiáng)電場、直接破壞共價鍵）、雪崩擊穿（低摻雜、耗盡層較寬、少子加速漂移、碰撞）。

五、PN結(jié)的電容效應(yīng)

1． 勢壘電容：（圖1.1.11）耗盡層寬窄變化所等效的電容，Cb（電荷量隨外加電壓而增多或減少，這種現(xiàn)象與電容器的充放電過程相同）。與結(jié)面積、耗盡層寬度、半導(dǎo)體介電常數(shù)及外加電壓有關(guān)。2． 擴(kuò)散電容：（圖1.1.12）

（1）平衡少子：PN結(jié)處于平衡狀態(tài)時的少子。

（2）非平衡少子：PN結(jié)處于正向偏置時，從P區(qū)擴(kuò)散到N區(qū)的空穴和從N區(qū)擴(kuò)散到P區(qū)的自由電子。

（3）濃度梯度形成擴(kuò)散電流，外加正向電壓增大，濃度梯度增大，正向電流增大。

（4）擴(kuò)散電容：擴(kuò)散區(qū)內(nèi)，電荷的積累和釋放過程與電容器充放電過程相同。i越大、τ越大、UT越小，Cd就越大。

（5）結(jié)電容Cj?Cb?Cd

pF級，對于低頻忽略不計。

1.2 半導(dǎo)體二極管

（幾種外形）（圖1.2.1）

1.2.1 半導(dǎo)體二極管的幾種常見結(jié)構(gòu)（圖1.2.2）

一、點(diǎn)接觸型：電流小、結(jié)電容小、工作頻率高。

二、面接觸型：合金工藝，結(jié)電容大、電流大、工作頻率低，整流管。

三、平面型：擴(kuò)散工藝，結(jié)面積可大可小。

四、符號

1.2.2 二極管的伏安特性 一、二極管的伏安特性

1． 二極管和PN結(jié)伏安特性的區(qū)別：存在體電阻及引線電阻，相同端電壓下，電流??；存在表面漏電流，反向電流大。

2． 伏安特性：開啟電壓（使二極管開始導(dǎo)通的臨界電壓）（圖1.2.3）

二、溫度對二極管方案特性的影響

1． 溫度升高時，正向特性曲線向左移，反向特性曲線向下移。

2． 室溫時，每升高1度，正向壓降減小2～2.5mV；每升高10度，反向電流增大一倍。

1.2.3 二極管的主要參數(shù)

一、最大整流電流IF：長期運(yùn)行時，允許通過的最大正向平均電流。

二、最高反向工作電壓UR：工作時，所允許外加的最大反向電壓，通常為擊穿電壓的一半。

三、反向電流IR：未擊穿時的反向電流。越小，單向?qū)щ娦栽胶?；此值對溫度敏感?/p>

四、最高工作頻率fM：上限頻率，超過此值，結(jié)電容不能忽略。

1.2.4 二極管的等效電路 一、二極管的等效電路：在一定條件下，能夠模擬二極管特性的由線性元件所構(gòu)成的電路。一種建立在器件物理原理的基礎(chǔ)上（復(fù)雜、適用范圍寬），另一種根據(jù)器件外特性而構(gòu)造（簡單、用于近似分析）。

二、由伏安特性折線化得到的等效電路：（圖1.2.4）

1． 理想二極管：注意符號 2． 正向?qū)〞r端電壓為常量

3． 正向?qū)〞r端電壓與電流成線性關(guān)系 4． 例1（圖1.2.5）三種不同等效分析：（1）V遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于UD，（2）UD變化范圍很小，(3)接近實(shí)際情況。5． 例2（圖1.2.6）三、二極管的微變等效電路（圖1.2.7）（圖1.2.8）（圖1.2.9）

動態(tài)電阻的公式推倒：

1.2.5 穩(wěn)壓二極管

一、概念：一種由硅材料制成的面接觸型晶體二極管，其可以工作在反向擊穿狀態(tài)，在一定電流范圍內(nèi)，端電壓幾乎不變。

二、穩(wěn)壓管的伏安特性：（圖1.2.10）

三、穩(wěn)壓管的主要參數(shù)

1． 穩(wěn)定電壓UZ：反向擊穿電壓，具有分散性。2． 穩(wěn)定電流IZ：穩(wěn)壓工作的最小電流。

3． 額定功耗PZM：穩(wěn)定電壓與最大穩(wěn)定電流的乘積。4． 動態(tài)電阻rZ：穩(wěn)壓區(qū)的動態(tài)等效電阻。

5． 溫度系數(shù)α：溫度每變化1度，穩(wěn)壓值的變化量。小于4V為齊納擊穿，負(fù)溫度系數(shù)；大于7V為雪崩擊穿，正溫度系數(shù)。

四、例（圖1.2.11）

1.2.6 其他類型二極管

一、發(fā)光二極管（圖1.2.12）可見光、不可見光、激光；紅、綠、黃、橙等；開啟電壓大。

二、光電二極管（圖1.2.13）遠(yuǎn)紅外接受管，伏安特性（圖1.2.14）光電流（光電二極管在反壓下，受到光照而產(chǎn)生的電流）與光照度成線性關(guān)系。

三、例（圖1.2.15）

1.3 雙極型晶體管

雙極型晶體管（BJT: Bipolar Junction Transistor）幾種晶體管的常見外形（圖1.3.1）

1.3.1 晶體管的結(jié)構(gòu)及類型（圖1.3.2）

一、構(gòu)成方式：同一個硅片上制造出三個摻雜區(qū)域，并形成兩個PN結(jié)。

二、結(jié)構(gòu)：

1． 三個區(qū)域：基區(qū)（薄且摻雜濃度很低）、發(fā)射區(qū)（摻雜濃度很高）、集電區(qū)（結(jié)面積大）；

2． 三個電極：基極、發(fā)射極、集電極； 3． 兩個PN結(jié)：集電結(jié)、發(fā)射結(jié)。

三、分類及符號：PNP、NPN 1.3.2 晶體管的電流放大作用

一、放大：把微弱信號進(jìn)行能量的放大，晶體管是放大電路的核心元件，控制能量的轉(zhuǎn)換，將輸入的微小變化不失真地放大輸出，放大的對象是變化量。

二、基本共射放大電路（圖1.3.3）

1． 輸入回路：輸入信號所接入的基極－發(fā)射極回路；

2． 輸出回路：放大后的輸出信號所在的集電極－發(fā)射極回路； 3． 共射放大電路：發(fā)射極是兩個回路的公共端； 4． 放大條件：發(fā)射結(jié)正偏且集電結(jié)反偏；

5． 放大作用：小的基極電流控制大的集電極電流。

三、晶體管內(nèi)部載流子的運(yùn)動（圖1.3.4）分析條件?uI?0

1． 發(fā)射結(jié)加正向電壓，擴(kuò)散運(yùn)動形成發(fā)射極電流IE，空穴電流IEP由于基區(qū)摻雜濃度很低，可以忽略不計；IE?IEN?IEP

2． 擴(kuò)散到基區(qū)的自由電子與空穴的復(fù)合運(yùn)動形成電流IBN；

3． 集電結(jié)加反向電壓，漂移運(yùn)動形成集電極電流IC，其中非平衡少子的漂移形成ICN，平衡少子形成ICBO。

??ICBO4． 晶體管的電流分配關(guān)系：IC?ICN?ICBO，IB?IBN?IEP?ICBO?IB，IE?IB?IC

四、晶體管的共射電流放大系數(shù)

1． 共射直流電流放大系數(shù)：??ICNIC?ICBO ??IBIB?ICBO2． 穿透電流ICEO：IC??IB?(1??)ICBO??IB?ICEO

基極開路時，集電極與發(fā)射極之間的電流；

3． 集電結(jié)反向飽和電流ICBO：發(fā)射極開路時的IB電流； 4．近似公式：IC??IB，IE?(1??)IB

5． 共射交流電流放大系數(shù)：當(dāng)有輸入動態(tài)信號時，???ic ?iB6． 交直流放大系數(shù)之間的近似：若在動態(tài)信號作用時，交流放大系數(shù)基本不變，則有iC?IC??iC??IB?ICEO???iB??(IB??iB)?ICEO因為直流放大系數(shù)在線性區(qū)幾乎不變，可以把動態(tài)部分看成是直流大小的變化，忽略穿透電流，有：???，放大系數(shù)一般取幾十至一百多倍的管子，太小放大能力不強(qiáng)，太大性能不穩(wěn)定；

7． 共基直流電流放大系數(shù)：??ICN??，??，??

1??IE1???iC，??? ?iE8． 共基交流電流放大系數(shù)：??

1.3.3 晶體管的共射特性曲線

一、輸入特性曲線（圖1.3.5）iB?f(uBE)u的能力有關(guān)。

二、輸出特性曲線（圖1.3.6）iC?f(uCE)IB?常數(shù)CE?常數(shù)，解釋曲線右移原因，與集電區(qū)收集電子

（解釋放大區(qū)曲線幾乎平行于橫軸的原因）

1． 截止區(qū)：發(fā)射結(jié)電壓小于開啟電壓，集電結(jié)反偏，穿透電流硅1uA，鍺幾十uA；

2． 放大區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏，iB和iC成比例；

3． 飽和區(qū)：雙結(jié)正偏，iB和iC不成比例，臨界飽和或臨界放大狀態(tài)（uCB?0）。

1.3.4 晶體管的主要參數(shù)

一、直流參數(shù)

1． 共射直流電流系數(shù)? 2． 共基直流電流放大系數(shù)? 3． 極間反向電流ICBO

二、交流參數(shù) 1． 共射交流電流放大系數(shù)? 2． 共基交流電流放大系數(shù)?

3． 特征頻率fT：使?下降到1的信號頻率。

三、極限參數(shù)（圖1.3.7）

1． 最大集電極耗散功率PCM；

2． 最大集電極電流ICM：使?明顯減小的集電極電流值；

3． 極間反向擊穿電壓：晶體管的某一電極開路時，另外兩個電極間所允許加的最高反向電壓，UCBO幾十伏到上千伏、UCEO、UEBO幾伏以下。

UCBO?UCEX?UCES?UCER?UCEO

1.3.5 溫度對晶體管特性及參數(shù)的影響

一、溫度對ICBO影響：每升高10度，電流增加一倍，硅管的ICBO要小一些。

二、溫度對輸入特性的影響：（圖1.3.8）與二極管伏安特性相似。溫度升高時，正向特性曲線向左移，反向特性曲線向下移，室溫時，每升高1度，發(fā)射結(jié)正向壓降減小2～2.5mV。

三、溫度對輸出特性的影響：（圖1.3.9）溫度升高?變大。

四、兩個例題

1.3.6 光電三極管

一、構(gòu)造：（圖1.3.10）

二、光電三極管的輸出特性曲線與普通三極管類似（圖1.3.11）

三、暗電流：ICEO無光照時的集電極電流，比光電二極管的大，且每上升25度，電流上升10倍；

四、光電流：有光照時的集電極電流。

1.4 場效應(yīng)管

1.4.1 結(jié)型場效應(yīng)管 1.4.2 絕緣柵型場效應(yīng)管

一、N溝道增強(qiáng)型MOS管（圖1.4.7）

1． 結(jié)構(gòu)：襯底低摻雜P，擴(kuò)散高摻雜N區(qū)，金屬鋁作為柵極； 2． 工作原理：

(1)柵源不加電壓，不會有電流；

(2)（圖1.4.8）uDS?0且uGS?0時，柵極電流為零，形成耗盡層；加大電壓，形成反型層（導(dǎo)電溝道）；開啟電壓UGS(th)；

(3)（圖1.4.9）uGS?UGS(th)為一定值時，加大uDS，iD線性增大；但uDS的壓降均勻地降落在溝道上，使得溝道沿源－漏方向逐漸變窄；當(dāng)uGD＝UGS(th)時，為預(yù)夾斷；之后，uDS增大的部分幾乎全部用于克服夾斷區(qū)對漏極電流的阻力，此時，對應(yīng)不同的uGS就有不同的iD，從而可以將iD看為電壓uGSiD出現(xiàn)恒流?？刂频碾娏髟?。

3． 特性曲線與電流方程：(1)特性曲線：（圖1.4.10）轉(zhuǎn)移特性、輸出特性；

?u?(2)電流方程：iD?IDO?GS?1?

?U??GS(th)?

二、N溝道耗盡型MOS管（圖1.4.10）

1． 結(jié)構(gòu)：絕緣層加入大量的正離子，直接形成反型層； 2． 符號

三、P溝道MOS管：漏源之間加負(fù)壓

四、VMOS管

21.4.3 場效應(yīng)管的主要參數(shù)

一、直流參數(shù)

1． 開啟電壓UGS(th)：是UDS一定時，使iD大于零所需的最小UGS值；

2． 夾斷電壓UGS(off)：是UDS一定時，使iD為規(guī)定的微小電流時的uGS；

3． 飽和漏極電流IDSS：對于耗盡型管，在UGS＝0情況下，產(chǎn)生預(yù)夾斷時的漏極電流； 4． 直流輸入電阻RGS(DC)：柵源電壓與柵極電流之比，MOS管大于10?。

二、交流參數(shù)

1． 低頻跨導(dǎo)：gm?9?iD?uGS

UDS?常數(shù)2． 極間電容：柵源電容Cgs、柵漏電容Cgd、1～3pF，漏源電容Cds0.1～1pF

三、極限參數(shù)

1． 最大漏極電流IDM：管子正常工作時，漏極電流的上限值； 2． 擊穿電壓：漏源擊穿電壓U(BR)DS，柵源擊穿電壓U(BR)GS。3． 最大耗散功率PDM：

4． 安全注意：柵源電容很小，容易產(chǎn)生高壓，避免柵極空懸、保證柵源之間的直流通路。

四、例

1.4.4 場效應(yīng)管與晶體管的比較

一、場效應(yīng)管為電壓控制、輸入電阻高、基本不需要輸入電流，晶體管電流控制、需要信號源提供一定的電流；

二、場效應(yīng)管只有多子參與導(dǎo)電、穩(wěn)定性好，晶體管因為有少子參與導(dǎo)電，受溫度、輻射等因素影響大；

三、場效應(yīng)管噪聲系數(shù)很?。?/p>

四、場效應(yīng)管漏極、源極可以互換，而晶體管很少這樣；

五、場效應(yīng)管比晶體管種類多，靈活性高；

六、場效應(yīng)管應(yīng)用更多。

1.5 單結(jié)晶體管和晶閘管 1.6 集成電路中的元件

第四篇：《半導(dǎo)體器件物理》教學(xué)大綱(精)

《半導(dǎo)體器件物理》教學(xué)大綱

（2006版）

課程編碼：07151022 學(xué)時數(shù)：56

一、課程性質(zhì)、目的和要求

半導(dǎo)體器件物理課是微電子學(xué)，半導(dǎo)體光電子學(xué)和電子科學(xué)與技術(shù)等專業(yè)本科生必修的主干專業(yè)基礎(chǔ)課。它的前修課程是固體物理學(xué)和半導(dǎo)體物理學(xué)，后續(xù)課程是半導(dǎo)體集成電路等專業(yè)課，是國家重點(diǎn)學(xué)科微電子學(xué)與固體電子學(xué)碩士研究生入學(xué)考試專業(yè)課。本課程的教學(xué)目的和要求是使學(xué)生掌握半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)、物理原理和特性，熟悉半導(dǎo)體器件的主要工藝技術(shù)及其對器件性能的影響，了解現(xiàn)代半導(dǎo)體器件的發(fā)展過程和發(fā)展趨勢，對典型的新器件和新的工藝技術(shù)有所了解，為進(jìn)一步學(xué)習(xí)相關(guān)的專業(yè)課打下堅實(shí)的理論基礎(chǔ)。

二、教學(xué)內(nèi)容、要點(diǎn)和課時安排

第一章 半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)（復(fù)習(xí)）（2學(xué)時）

第二節(jié) 載流子的統(tǒng)計分布

一、能帶中的電子和空穴濃度

二、本征半導(dǎo)體

三、只有一種雜質(zhì)的半導(dǎo)體

四、雜質(zhì)補(bǔ)償半導(dǎo)體

第三節(jié) 簡并半導(dǎo)體

一、載流子濃度

二、發(fā)生簡并化的條件

第四節(jié) 載流子的散射

一、格波與聲子

二、載流子散射

三、平均自由時間與弛豫時間

四、散射機(jī)構(gòu) 第五節(jié) 載流子的輸運(yùn)

一、漂移運(yùn)動 遷移率 電導(dǎo)率

二、擴(kuò)散運(yùn)動和擴(kuò)散電流

三、流密度和電流密度

四、非均勻半導(dǎo)體中的自建場

第六節(jié) 非平衡載流子

一、非平衡載流子的產(chǎn)生與復(fù)合

二、準(zhǔn)費(fèi)米能級和修正歐姆定律

三、復(fù)合機(jī)制

四、半導(dǎo)體中的基本控制方程：連續(xù)性方程和泊松方程

第二章 PN結(jié)（12學(xué)時）第一節(jié) 熱平衡PN結(jié)

一、PN結(jié)的概念：同質(zhì)結(jié)、異質(zhì)結(jié)、同型結(jié)、異型結(jié)、金屬－半導(dǎo)體結(jié)

突變結(jié)、緩變結(jié)、線性緩變結(jié)

二、硅PN結(jié)平面工藝流程（多媒體演示 圖2.1）

三、空間電荷區(qū)、內(nèi)建電場與電勢

四、采用費(fèi)米能級和載流子漂移與擴(kuò)散的觀點(diǎn)解釋PN結(jié)空間電荷區(qū)形成的過程

五、利用熱平衡時載流子濃度分布與自建電勢的關(guān)系求中性區(qū)電勢

及PN結(jié)空間電荷區(qū)兩側(cè)的內(nèi)建電勢差

六、解poisson’s Eq 求突變結(jié)空間電荷區(qū)內(nèi)電場分布、電勢分布、內(nèi)建電勢差和空間電荷區(qū)寬度（利用耗盡近似）

第二節(jié) 加偏壓的P?N結(jié)

一、畫出熱平衡和正、反偏壓下PN結(jié)的能帶圖，定性說明PN結(jié)的單向?qū)щ娦?/p>

二、導(dǎo)出空間電荷區(qū)邊界處少子的邊界條件，解釋PN結(jié)的正向注入和反向抽取現(xiàn)象

第三節(jié)

理想P?N結(jié)的直流電流-電壓特性

一、解擴(kuò)散方程導(dǎo)出理想PN結(jié)穩(wěn)態(tài)少子分布表達(dá)式，電流分布表達(dá)式，電流－電壓關(guān)系

二、說明理想PN結(jié)中反向電流產(chǎn)生的機(jī)制（擴(kuò)散區(qū)內(nèi)熱產(chǎn)生載流子電流）

第四節(jié) 空間電荷區(qū)的復(fù)合電流和產(chǎn)生電流

一、復(fù)合電流

二、產(chǎn)生電流

第五節(jié) 隧道電流

一、隧道電流產(chǎn)生的條件

二、隧道二極管的基本性質(zhì)（多媒體演示 Fig2.12）

第六節(jié) I?V特性的溫度依賴關(guān)系

一、反向飽和電流和溫度的關(guān)系

二、I?V特性的溫度依賴關(guān)系

第七節(jié)耗盡層電容，求雜質(zhì)分布和變?nèi)荻O管

一、PN結(jié)C-V特性

二、過渡電容的概念及相關(guān)公式推導(dǎo)

求雜質(zhì)分布的程序（多媒體演示 Fig2.19）

三、變?nèi)荻O管

第八節(jié) 小訊號交流分析

一、交流小信號條件下求解連續(xù)性方程，導(dǎo)出少子分布，電流分布和總電流公式

二、擴(kuò)散電容與交流導(dǎo)納

三、交流小信號等效電路

第九節(jié)

電荷貯存和反響瞬變

一、反向瞬變及電荷貯存效應(yīng)

二、利用電荷控制方程求解?s

三、階躍恢復(fù)二極管基本理論 第十節(jié) P-Ｎ結(jié)擊穿

一、PN結(jié)擊穿

二、兩種擊穿機(jī)制，PN結(jié)雪崩擊穿基本理論的推導(dǎo)

三、計算機(jī)輔助計算例題2－3及相關(guān)習(xí)題

第三章 雙極結(jié)型晶體管（10學(xué)時）第一節(jié)雙極結(jié)型晶體管的結(jié)構(gòu)

一、了解晶體管發(fā)展的歷史過程

二、BJT的基本結(jié)構(gòu)和工藝過程（多媒體 圖3.1）概述

第二節(jié) 基本工作原理

一、理想BJT的基本工作原理 二、四種工作模式

三、放大作用（多媒體Fig3.6）

四、電流分量（多媒體Fig3.7）

五、電流增益（多媒體Fig3.8 3.9）

第三節(jié) 理想雙極結(jié)型晶體管中的電流傳輸

一、理想BJT中的電流傳輸：解擴(kuò)散方程求各區(qū)少子分布和電流分布

二、正向有源模式

三、電流增益～集電極電流關(guān)系

第四節(jié) 愛拜耳斯-莫爾（Ebers?Moll）方程 一、四種工作模式下少子濃度邊界條件及少子分布

二、E-M模型等效電路

三、E-M方程推導(dǎo)

第五節(jié) 緩變基區(qū)晶體管

一、基區(qū)雜質(zhì)濃度梯度引起的內(nèi)建電場及對載流子的漂移作用

二、少子濃度推導(dǎo)

三、電流推導(dǎo)

四、基區(qū)輸運(yùn)因子推導(dǎo)

第六節(jié) 基區(qū)擴(kuò)展電阻和電流集聚

一、基區(qū)擴(kuò)展電阻

二、電流集聚效應(yīng)

第七節(jié) 基區(qū)寬度調(diào)變效應(yīng)

一、基區(qū)寬度調(diào)變效應(yīng)（EARLY效應(yīng)）

二、hFE和ICE0的改變

第八節(jié) 晶體管的頻率響應(yīng)

一、基本概念：小信號共基極與共射極電流增益（?，hfe），共基極截止頻率和共射極截止頻率（Wɑ ,W?）,增益－頻率帶寬或稱為特征頻率（WT），二、公式（3－36）、（3－65）和（3－66）的推導(dǎo)

三、影響截止頻率的四個主要因素：τB、τE、τC、τD及相關(guān)推導(dǎo)

四、Kirk效應(yīng)

第九節(jié) 混接?型等效電路

一、參數(shù)：gm、gbe、CD 的推導(dǎo)

二、等效電路圖（圖3－23）

三、證明公式（3－85）、（3－86）

第十節(jié)

晶體管的開關(guān)特性

一、開關(guān)作用

二、影響開關(guān)時間的四個主要因素：td、tr、tf、ts

三、解電荷控制方程求貯存時間ts 第十一節(jié) 擊穿電壓

一、兩種擊穿機(jī)制

二、計算機(jī)輔助計算：習(xí)題 閱讀

§3.12、§3.13、§3.14

第四章 金屬—半導(dǎo)體結(jié)（4學(xué)時）第一節(jié)肖特基勢壘

一、肖特基勢壘的形成

二、加偏壓的肖特基勢壘

三、M－S結(jié)構(gòu)的C-V特性及其應(yīng)用

第二節(jié) 界面態(tài)對勢壘高度的影響

一、界面態(tài)

二、被界面態(tài)鉗制的費(fèi)米能級

第三節(jié) 鏡像力對勢壘高度的影響

一、鏡像力

二、肖特基勢壘高度降低

第四節(jié)肖特基勢壘二極管的電流電壓特性

一、熱電子發(fā)射

二、理查德-杜師曼方程

第五節(jié) 肖特基勢壘二極管的結(jié)構(gòu)

一、簡單結(jié)構(gòu)

二、金屬搭接結(jié)構(gòu)

三、保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)

第六節(jié) 金屬-絕緣體-半導(dǎo)體肖特基勢壘二極管

一、基本結(jié)構(gòu)

二、工作原理

第七節(jié) 肖特基勢壘二極管和PN結(jié)二極管之間的比較

一、開啟電壓

二、反向電流

三、溫度特性

第八節(jié) 肖特基勢壘二極管的應(yīng)用

一、肖特基勢壘檢波器或混頻器

二、肖特基勢壘鉗位晶體管

第九節(jié) 歐姆接觸

一、歐姆接觸的定義和應(yīng)用

二、形成歐姆接觸的兩種方法 第五章 結(jié)型場效應(yīng)晶體管和金屬-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（4學(xué)時）第一節(jié)JFET的基本結(jié)構(gòu)和工作過程

一、兩種N溝道JFET

二、工作原理

第二節(jié) 理想JFET的I-V特性

一、基本假設(shè)

二、夾斷電壓

三、I-V特性

第三節(jié) 靜態(tài)特性

一、線性區(qū)

二、飽和區(qū)

第四節(jié) 小信號參數(shù)和等效電路

一、參數(shù)：gl gml gm CG

二、JFET小信號等效電路圖

第五節(jié)JFET的截止頻率

一、輸入電流和輸出電流

二、截止頻率

第六節(jié) 夾斷后的JFET性能

一、溝道長度調(diào)制效應(yīng)

二、漏極電阻

第七節(jié) 金屬-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管

一、基本結(jié)構(gòu)

二、閾值電壓和夾斷電壓

三、I-V特性

第八節(jié) JFET和MESFET的類型

一、N—溝增強(qiáng)型

N—溝耗盡型

二、P—溝增強(qiáng)型

P—溝耗盡型 閱讀

§5.8 §5.9 第六章 金屬-氧化物-場效應(yīng)晶體管（10學(xué)時）第一節(jié) 理想MOS結(jié)構(gòu)的表面空間電荷區(qū)

一、MOSFET的基本結(jié)構(gòu)（多媒體演示Fig6-1）

二、半導(dǎo)體表面空間電荷區(qū)的形成

三、利用電磁場邊界條件導(dǎo)出電場與電荷的關(guān)系公式（6－1）

四、載流子的積累、耗盡和反型

五、載流子濃度表達(dá)式 六、三種情況下MOS結(jié)構(gòu)能帶圖

七、反型和強(qiáng)反型條件，MOSFET工作的物理基礎(chǔ)

第二節(jié) 理想MOS電容器

一、基本假設(shè)

二、C～V特性：積累區(qū)，平帶情況，耗盡區(qū)，反型區(qū)

三、溝道電導(dǎo)與閾值電壓：定義 公式（6－53）和（6－55）的推導(dǎo)

第三節(jié) 溝道電導(dǎo)與閾值電壓

一、定義

二、公式（6－53）和（6－55）的推導(dǎo)

第四節(jié) 實(shí)際MOS的電容—電壓特性

一、M-S功函數(shù)差引起的能帶彎曲以及相應(yīng)的平帶電壓，考慮到M-S功函數(shù)差，MOS結(jié)構(gòu)的能帶圖的畫法

二、平帶電壓的概念

三、界面電荷與氧化層內(nèi)電荷引起的能帶彎曲以及相應(yīng)的平帶電壓四、四種電荷以及特性平帶電壓的計算

五、實(shí)際MOS的閾值電壓和C～V曲線

第五節(jié) MOS場效應(yīng)晶體管

一、基本結(jié)構(gòu)和工作原理

二、靜態(tài)特性

第六節(jié) 等效電路和頻率響應(yīng)

一、參數(shù)：gd

gm

rd

二、等效電路

三、截止頻率

第七節(jié) 亞閾值區(qū)

一、亞閾值概念

二、MOSFET的亞閾值概念

第九節(jié) MOS場效應(yīng)晶體管的類型

一、N—溝增強(qiáng)型

N—溝耗盡型

二、P—溝增強(qiáng)型

P—溝耗盡型

第十節(jié) 器件尺寸比例

MOSFET制造工藝

一、P溝道工藝

二、N溝道工藝

三、硅柵工藝

四、離子注入工藝

第七章 太陽電池和光電二極管（6學(xué)時）第一節(jié)半導(dǎo)體中光吸收

一、兩種光吸收過程

二、吸收系數(shù)

三、吸收限

第二節(jié) PN結(jié)的光生伏打效應(yīng)

一、利用能帶分析光電轉(zhuǎn)換的物理過程（多媒體演示）

二、光生電動勢，開路電壓，短路電流，光生電流（光電流）

第三節(jié) 太陽電池的I-V特性

一、理想太陽電池的等效電路

二、根據(jù)等效電路寫出I-V公式，I-V曲線圖（比較：根據(jù)電流分量寫出I-V公式）

三、實(shí)際太陽能電池的等效電路

四、根據(jù)實(shí)際電池的等效電路寫出I-V公式

五、RS對I-V特性的影響

第四節(jié) 太陽電池的效率

一、計算 Vmp

Imp

Pm

二、效率的概念??FFVOCIL?100% Pin第五節(jié) 光產(chǎn)生電流和收集效率

一、“P在N上”結(jié)構(gòu)，光照，GL???Oe??x少子滿足的擴(kuò)散方程

二、例1－1，求少子分布，電流分布

三、計算光子收集效率：?col?JptJnG?O 討論：波長長短對吸收系數(shù)的影響 少子擴(kuò)散長度和吸收系數(shù)對收集效率的影響 理解Fig7-9,Fig7-10所反映的物理意義

第六節(jié)

提高太陽能電池效率的考慮

一、光譜考慮(多媒體演示)

二、最大功率考慮

三、串聯(lián)電阻考慮

四、表面反射的影響

五、聚光作用

第七節(jié)

肖特基勢壘和MIS太陽電池

一、基本結(jié)構(gòu)和能帶圖

二、工作原理和特點(diǎn)

閱讀 §7.8 第九節(jié) 光電二極管

一、基本工作原理

二、P-I-N光電二極管

三、雪崩光電二極管

四、金屬－半導(dǎo)體光電二極管

第十節(jié)

光電二極管的特性參數(shù)

一、量子效率和響應(yīng)度

二、響應(yīng)速度

三、噪聲特性、信噪比、噪聲等效功率（NEP）

四、探測率（D）、比探測率（D*）第八章 發(fā)光二極管與半導(dǎo)體激光器（4學(xué)時）第一節(jié)輻射復(fù)合與非輻射復(fù)合

一、輻射復(fù)合：帶間輻射復(fù)合，淺施主和主帶之間的復(fù)合，施主－受主對（D-A 對）復(fù)合，深能級復(fù)合，激子復(fù)合，等電子陷阱復(fù)合

二、非輻射復(fù)合：多聲子躍遷，俄歇過程（多媒體演示），表面復(fù)合

第二節(jié) LED的基本結(jié)構(gòu)和工作過程

一、基本結(jié)構(gòu)

二、工作原理（能帶圖）

第三節(jié) LED的特性參數(shù)

一、I-V特性

二：量子效率：注射效率?、輻射效率?r、內(nèi)量子效率?i，逸出概率?o、外量子效率

三、提高外量子效率的途徑，光學(xué)窗口

四、光譜分布，峰值半高寬 FWHM,峰值波長，主波長，亮度

第四節(jié) 可見光LED

一、GaP LED

二、GaAs1-xPx LED

三、GaN LED 第五節(jié) 紅外 LED 一、性能特點(diǎn)

二、應(yīng)用

光隔離器

閱讀§8.6 , §8.7 , §8.8 , §8.9 , §8.10(不做作業(yè)和考試要求)第九章 集成器件（閱讀，不做作業(yè)和考試要求）第十章 電荷轉(zhuǎn)移器件（4學(xué)時）第一節(jié) 電荷轉(zhuǎn)移

一、CCD基本結(jié)構(gòu)和工作過程

二、電荷轉(zhuǎn)移

第二節(jié) 深耗盡狀態(tài)和表面勢阱

一、深耗盡狀態(tài)—非熱平衡狀態(tài)

二、公式（10-8）的導(dǎo)出

第三節(jié) MOS電容的瞬態(tài)特性

深耗盡狀態(tài)的能帶圖

一、熱弛豫時間

二、信號電荷的影響

第四節(jié) 信息電荷的輸運(yùn) 轉(zhuǎn)換效率

一、電荷轉(zhuǎn)移的三個因素

二、轉(zhuǎn)移效率、填充速率和排空率

第五節(jié)

電極排列和CCD制造工藝 一、三相CCD 二、二相CCD 第六節(jié) 體內(nèi)（埋入）溝道CCD

一、表面態(tài)對轉(zhuǎn)移損耗和噪聲特性的影響

二、體內(nèi)（埋入）溝道CCD的基本結(jié)構(gòu)和工作原理

第七節(jié)

電荷的注入、檢測和再生

一、電注入與光注入

二、電荷檢測

電荷讀出法

三、電荷束的周期性再生或刷新

第八節(jié)

集成斗鏈器件

一、BBD的基本結(jié)構(gòu)

二、工作原理

三、性能

第九節(jié) 電荷耦合圖象器件

一、行圖象器

二、面圖象器

三、工作原理和應(yīng)用

三、教學(xué)方法

板書、講授、多媒體演示

四、成績評價方式

閉卷考試加平時作業(yè)、課堂討論

五、主要參考書目

1、孟慶巨、劉海波、孟慶輝編著 《半導(dǎo)體器件物理》，科學(xué)出版社，2005-6第二次印刷。

2、S M Sze.《半導(dǎo)體器件:物理和工藝》。王陽元、嵇光大、盧文豪譯。北京：科學(xué)出版社，1992

3、S M Sze.《現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理》科學(xué)出版社 2001年6月第一次印刷

4、愛得華·S·揚(yáng) 《半導(dǎo)體器件物理基礎(chǔ)》，盧紀(jì)譯。北京：人民教育出版社，1981

5、劉文明 《半導(dǎo)體物理學(xué)》長春：吉林人民出版社，1982

6、孟憲章，康昌鶴.《半導(dǎo)體物理學(xué)》長春：吉林大學(xué)出版社，1993

7、R A史密斯.《半導(dǎo)體》(第二版).高鼎三等譯。北京：科學(xué)出版社，1987

8、Casey H C,Panish Jr M B.Heterostructure lasers.Academic Press,1978

9、Donald A·Nermen著《半導(dǎo)體物理與器件》 趙毅強(qiáng)，姚淑英，謝曉東譯 電子工業(yè)出版社，2005年2月第一次印刷

第五篇：《模擬電子技術(shù)》教案：半導(dǎo)體器件

《模擬電子技術(shù)》電子教案

授 課 教 案

課程： 模擬電子技術(shù)

任課教師：

教研室主任：

課號：

課題： 電子線路課程介紹及半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識

教學(xué)目的：了解本課程的特點(diǎn)

掌握半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電特性和原理 掌握PN結(jié)的單向?qū)щ娦?/p>

教學(xué)內(nèi)容：本征半導(dǎo)體；雜質(zhì)半導(dǎo)體；PN結(jié)

教學(xué)重點(diǎn)：P型、N型半導(dǎo)體的特點(diǎn)；PN結(jié)的單向?qū)щ娦?。教學(xué)難點(diǎn)：PN結(jié)的伏安特性；PN結(jié)的電容效應(yīng)。教學(xué)時數(shù)：2學(xué)時

課前提問及復(fù)習(xí)：物質(zhì)導(dǎo)電性的決定因素？ 新課導(dǎo)入：半導(dǎo)體定義

特點(diǎn):導(dǎo)電能力可控（受控于光、熱、雜質(zhì)等）典型半導(dǎo)體材料:硅Si和鍺Ge以及砷化鎵GaAs等

新課介紹：

緒 論

1、電子技術(shù)：

無確切定義。因為近年來它發(fā)展迅猛，分支龐雜。有種說法為“凡是研究含有電子器件的電路、系統(tǒng)及應(yīng)用的學(xué)科”。

2、發(fā)展歷程：

以電子器件的更新?lián)Q代為標(biāo)志！

電子學(xué)近百年發(fā)展史上三個重要里程碑：

A、1904年電子管發(fā)明（真正進(jìn)入電子時代）B、1948年晶體管問世

C、60年代集成電路出現(xiàn)(SSI、MSI、LSI、VLSI)

3、若干蓬勃發(fā)展的研究方向

A、納米電子學(xué)：納米空間電子所表現(xiàn)出來的特性（波動性）和功能 B、生物電子學(xué)：生物芯片，計算機(jī)

C、單芯片系統(tǒng)：微型衛(wèi)星和納米衛(wèi)星應(yīng)用，一片單芯片系統(tǒng)＝一顆衛(wèi)星

世界經(jīng)濟(jì)興衰波動遵循“周期理論”，周期約為 60年。電子技術(shù)的發(fā)展進(jìn)程周期約 40年： 1905～1947（42年）：電子管－晶體管 1947～1987（40年）：晶體管－集成電路

1987～2027（40年），預(yù)計納米電子學(xué)將在21世紀(jì)上葉形成規(guī)模

4、模擬信號與數(shù)字信號比較表

第1章

第1頁

共10頁

《模擬電子技術(shù)》電子教案

項目 模擬信號(Analog)數(shù)字信號(Digital)特點(diǎn) 波形 數(shù)學(xué) 電平數(shù) 典型 發(fā)展 連續(xù) 十進(jìn)制 無窮多個 溫度、壓力等 早、慢 離散 二進(jìn)制 有限個 數(shù)字系統(tǒng)的信號 晚、快

5、課程特點(diǎn)

規(guī)律性：基本電子電路的組成具有規(guī)律性； 非線性：半導(dǎo)體器件具有非線性； 工程性：即近似性，抓主要矛盾； 實(shí)踐性：實(shí)驗和設(shè)計。

第一章

半導(dǎo)體器件

1.1 半導(dǎo)體

1.1.1 本征(intrinsic)半導(dǎo)體

1、定義：

純凈無摻雜的半導(dǎo)體。

2、本征半導(dǎo)體的載流子：

本征半導(dǎo)體有兩種載流子，即自由電子和空穴均參與導(dǎo)電。

并且自由電子與空穴是成對產(chǎn)生的，因此在本征半導(dǎo)體中這兩種載流子的濃度的相等的。其載流子濃度取決于激發(fā)程度。

3、本征半導(dǎo)體缺點(diǎn)：（1）、電子濃度=空穴濃度；

（2）、載流子少，導(dǎo)電性差，溫度穩(wěn)定性差。1.1.2 雜質(zhì)半導(dǎo)體

1、N型半導(dǎo)體：

在本征半導(dǎo)體中摻入+5價的施主雜質(zhì)，如磷等，得到多子為自由電子的雜質(zhì)半導(dǎo)體，稱為N型半導(dǎo)體。

其多子數(shù)量大多數(shù)取決于摻雜程度，少子數(shù)量取決于激發(fā)程度。

2、P型半導(dǎo)體：

在本征半導(dǎo)體中摻入+3價的受主雜質(zhì)，如銦等，得到多子為空穴的雜質(zhì)半導(dǎo)體，稱為P型

第1章

第2頁

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《模擬電子技術(shù)》電子教案

半導(dǎo)體。其多子數(shù)量大多數(shù)取決于摻雜程度，少子數(shù)量取決于激發(fā)程度。

1.1.3 PN結(jié)

1、PN結(jié)的形成：

兩種載流子的兩種運(yùn)動動態(tài)平衡時形成PN結(jié)。

兩種運(yùn)動：擴(kuò)散（濃度差）、漂移（自建電場力），當(dāng)多子擴(kuò)散和少子漂移達(dá)到動態(tài)平衡，形成PN結(jié)。

PN結(jié)又稱空間電荷區(qū)、耗盡層、內(nèi)電場。

2、單向?qū)щ娦裕?/p>

PN結(jié)正偏時導(dǎo)通（大電流），PN結(jié)反偏時截止（小電流）。

3、PN結(jié)的伏安特性：

分為正向特性、反向特性及擊穿特性。

4、PN結(jié)的電容效應(yīng)：

表現(xiàn)為：勢壘電容CB（barrier）、擴(kuò)散電容CD（diffusion）。

課堂小結(jié)：

本征半導(dǎo)體的材料構(gòu)成、特點(diǎn)

雜質(zhì)半導(dǎo)體的材料構(gòu)成、特點(diǎn)，與本征半導(dǎo)體的區(qū)別 PN結(jié)的構(gòu)成及伏安特性，單向?qū)щ娦?/p>

作業(yè)布置：

思考題：PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕?/p>

第1章

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共10頁

《模擬電子技術(shù)》電子教案

授 課 教 案

課程： 模擬電子技術(shù)

任課教師：

教研室主任： 課號：

課題：半導(dǎo)體二極管

教學(xué)目的：掌握半導(dǎo)體二極管的幾種常見結(jié)構(gòu)

掌握半導(dǎo)體二極管的主要參數(shù)和單向?qū)щ娦?掌握穩(wěn)壓管的特性和主要參數(shù)

教學(xué)內(nèi)容：半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)

半導(dǎo)體二極管的伏安特性、主要參數(shù)

二極管的等效電路

穩(wěn)壓管的特性和主要參數(shù) 教學(xué)重點(diǎn)：二極管的單向?qū)щ娞匦?教學(xué)難點(diǎn)：二極管的靈活應(yīng)用 教學(xué)時數(shù)： 2學(xué)時

課前提問及復(fù)習(xí)：PN結(jié)的形成

PN 結(jié)的單向?qū)щ娦?/p>

新課導(dǎo)入： 由PN結(jié)構(gòu)成的半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)

二極管的伏安特性

二極管的主要參數(shù)，等效電路

利用二極管反向擊穿特性制成穩(wěn)壓管

新課介紹： 1.2半導(dǎo)體二極管

將PN結(jié)加外殼和電極引線就構(gòu)成半導(dǎo)體二極管 1.2.1 結(jié)構(gòu)類型和符號

類型：點(diǎn)接觸型、面接觸型和平面 1.2.2 伏安特性 一、二極管和PN結(jié)伏安特性的區(qū)別

與PN結(jié)相似，二極管具有單向?qū)щ娦裕海?）PN結(jié)外加正向電壓，二極管導(dǎo)通。（2）PN結(jié)外加反向電壓，二極管截止。

由于半導(dǎo)體體電阻和引線電阻的作用，與PN結(jié)比較，二極管外加正向電壓時，正向電流，偏小，外加反向電壓時，反向飽和電流偏大。

二極管經(jīng)常應(yīng)用于以下場合：（1）整流。（2）限幅。（3）邏輯（二極管邏輯）。1.2.3 主要參數(shù)

第1章

第4頁

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《模擬電子技術(shù)》電子教案

(1)IF——最大整流電流

(2)VBR——反向擊穿電壓

(3)IR（IS）—— 反向飽和電流

(4)rd ——動態(tài)電阻 1.2.4二極管的等效電路

定義：能夠模擬二極管特性的電路稱為二極管的等效電路。

一、由伏安特性折線化得到的等效電路

理想二極管：二極管導(dǎo)通時正向壓降為零，截止時反向電流為零。二、二極管的微變等效電路 1.2.5穩(wěn)壓二極管

穩(wěn)壓管在反向擊穿時，在一定的電流范圍內(nèi)，端電壓幾乎不變，表現(xiàn)出穩(wěn)壓特性。

一、穩(wěn)壓管的伏安特性

應(yīng)用在反向擊穿區(qū)（雪崩擊穿和齊納擊穿）

二、穩(wěn)壓管的主要參數(shù)

（1）、穩(wěn)定電壓UZ

（2）、穩(wěn)定電流IZ

IZmin ~IZmax、額定功耗

（3）

PZM、動態(tài)電阻rZ

（4）（5）、溫度系數(shù)

穩(wěn)壓二極管在工作時應(yīng)反接，并串入一只電阻。

電阻的作用： 限流保護(hù)

誤差調(diào)節(jié) 1.2.6 特殊二極管

一、發(fā)光二極管

二、光電二極管

課堂小結(jié)：半導(dǎo)體二極管的伏安特性

半導(dǎo)體二極管的主要參數(shù)

二極管的等效電路

穩(wěn)壓管的特性和主要參數(shù) 思考問題：

如何用萬用表判斷二極管的好與壞、測試二極管的P、N極？

作業(yè)布置：

1.4

1.5

1.9

第1章

第5頁

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《模擬電子技術(shù)》電子教案

授 課 教 案

課程： 模擬電子技術(shù)

任課教師：

教研室主任： 課號：

課題：雙極型晶體管 教學(xué)目的：掌握常用晶體管的基本工作原理

掌握晶體管的特性、主要參數(shù) 能夠合理選擇，正確使用晶體管。

教學(xué)內(nèi)容：晶體管的結(jié)構(gòu)及類型

晶體管的電流放大作用、電流放大系數(shù)

晶體管的共射特性曲線

晶體管的主要參數(shù)

溫度對晶體管特性及參數(shù)的影響

光電三極管

教學(xué)重點(diǎn)：三極管工作在放大區(qū)的條件和特點(diǎn) 教學(xué)難點(diǎn)：三極管工作區(qū)的判斷 教學(xué)時數(shù)： 2學(xué)時

課前提問及復(fù)習(xí)：PN結(jié)的形成

PN結(jié)所具有的單向?qū)щ娦?穩(wěn)壓二極管

新課導(dǎo)入：半導(dǎo)體三極管工作原理

半導(dǎo)體三極管的特性曲線

新課介紹： 1.3 半導(dǎo)體三極管

1.3.1 晶體管的結(jié)構(gòu)與類型：

在同一個硅片上制造出三個摻雜區(qū)域，并形成兩個PN結(jié)，構(gòu)成晶體管。

這三個區(qū)域分別稱基區(qū)、集電區(qū)、發(fā)射區(qū)。

對應(yīng)的電極分別為：基極b、集電極c、發(fā)射極e。

兩種類型：NPN和PNP 1.3.2晶體管的電流放大(控制)作用

共射放大電路：發(fā)射極是輸入、輸出回路的公共端。

晶體管工作在放大狀態(tài)的外部條件：發(fā)射結(jié)正向偏置，且集電結(jié)反向偏置。

一、晶體管內(nèi)部載流子的運(yùn)動

1、發(fā)射結(jié)加正向電壓，擴(kuò)散運(yùn)動形成發(fā)射極電流IE。

2、擴(kuò)散到基區(qū)的自由電子與空穴的復(fù)合運(yùn)動形成基極電流IB。

3、集電結(jié)加反向電壓，漂移運(yùn)動形成集電極電流IC。

第1章

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《模擬電子技術(shù)》電子教案

二、晶體管的電流分配關(guān)系

從外部看：IE = IC+ IB

三、晶體管的共射電流放大系數(shù)

β：共射電流放大系數(shù)（支流放大系數(shù)和交流放大系數(shù)近似相等）IC=βIB 1.3.3 特性曲線

描述晶體管各電極之間電壓、電流的關(guān)系。

一、輸入特性曲線：

方程： iB=f(vBE)? vCE=const

與PN結(jié)的伏安特性相類似，呈指數(shù)關(guān)系

二、輸出特性曲線：

方程： iC=f(vCE)? iB=const

有三個工作區(qū)域：

1、截止區(qū)

發(fā)射結(jié)電壓小于開啟電壓UON且集電結(jié)

反向偏置。此時，可以認(rèn)為ic=0。

2、放大區(qū)

發(fā)射結(jié)正向偏置且集電結(jié)反向偏置。此時

ic幾乎取決于IB，與uCE無關(guān)，表現(xiàn)出IB對ic的控制作用。

3、飽和區(qū)

發(fā)射結(jié)與集電結(jié)均處于正向偏置，此時ic不僅與IB有關(guān)，而且明顯隨Uce增大而增大。對于小功率管，可以認(rèn)為當(dāng)Uce=Ube時，晶體管處于臨界飽和（臨界放大）狀態(tài)。1.3.4 晶體管的主要參數(shù)

一、直流參數(shù)

1、共射直流電流放大系數(shù)

2、共基直流電流放大系數(shù)

3、極間反向電流

二、交流參數(shù)

1、共射交流電流放大系數(shù)

2、共基交流電流放大系數(shù)

3、特征頻率

三、極限參數(shù)

1、最大集電極耗散功率PCM

2、最大集電極電流ICM

3、極間反向擊穿電壓

第1章

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《模擬電子技術(shù)》電子教案

由PCM、ICM和V(BR)CEO在輸出特性曲線上可以確定三區(qū)：過流區(qū)、過損區(qū)、過壓區(qū)。1.3.5 溫度對晶體管特性及參數(shù)的影響

一、溫度對ICBO的影響

溫度每升高10度，ICBO增加約一倍。

二、溫度對輸入特性的影響

溫度升高，iB增大。

三、溫度對輸出特性的影響

溫度升高，ICEO、β增大。1.3.6 光電三極管

光電三極管依據(jù)光照的強(qiáng)度來控制集電極電流的大小。

課堂小結(jié)：晶體管的結(jié)構(gòu)及類型

晶體管的電流放大系數(shù)

晶體管的共射特性曲線

晶體管的主要參數(shù)

溫度對晶體管特性及參數(shù)的影響

思考題：如何用萬用表判斷三極管的三個管腳及好壞？

作業(yè)布置：1.16 1.17 1.18

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《模擬電子技術(shù)》電子教案

授 課 教 案

課程： 模擬電子技術(shù)

任課教師：

教研室主任： 課號：

４

課題： 場效應(yīng)管

教學(xué)目的：熟練掌握結(jié)型場效應(yīng)管、絕緣柵型場效應(yīng)管的構(gòu)造原理和特性參數(shù) 教學(xué)內(nèi)容：結(jié)型場效應(yīng)管的形成原理和特性參數(shù)

絕緣柵型場效應(yīng)管的構(gòu)造原理和特性參數(shù)

教學(xué)重點(diǎn)：場效應(yīng)管的工作原理 教學(xué)難點(diǎn)：場效應(yīng)管的恒流區(qū)工伯原理 教學(xué)時數(shù)： 2學(xué)時

課前提問及復(fù)習(xí)：半導(dǎo)體三極管的工作原理

半導(dǎo)體三極管的特性曲線

新課導(dǎo)入：結(jié)型場效應(yīng)管的構(gòu)造原理和特性參數(shù)

絕緣柵型場效應(yīng)管的構(gòu)造原理及應(yīng)用場合

新課介紹：

概念：場效應(yīng)管是利用輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件。按結(jié)構(gòu)分有兩類：結(jié)型、絕緣柵型 1.4.1 結(jié)型場效應(yīng)管

柵極g

漏極d

源極s 導(dǎo)電溝道

一、結(jié)型場效應(yīng)管的工作原理

1、當(dāng)uDS=0時，uGS對導(dǎo)電溝道的控制作用。

2、當(dāng)uDS為UGS（off）~0中某一固定值時，uDS對漏極電流iD的影響。

3、當(dāng)uGD〈UGS（off）時，uGS對iD的控制作用。低頻跨導(dǎo)gm

二、結(jié)型場效應(yīng)管的特性曲線

1、輸出特性曲線

場效應(yīng)管有三個工作區(qū)域： 可變電阻區(qū)、恒流區(qū)、夾斷區(qū)

2、轉(zhuǎn)移特性

1.4.2 絕緣柵型場效應(yīng)管

特點(diǎn)： 絕緣柵型場效應(yīng)管的柵極與源極、柵極與漏極之間均采用SiO2絕緣層隔離。

具有四種類型：N溝道增強(qiáng)型管、N溝道耗盡型管、P溝道增強(qiáng)型管、P溝道耗盡型管。

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《模擬電子技術(shù)》電子教案

一、N溝道增強(qiáng)型管

1、工作原理

開啟電壓UGS（th）

2、特性曲線與電流方程

二、N溝道耗盡型管

在SiO2絕緣層中摻入大量正離子，便可得到耗盡型管。

其符號如圖所示：

Ｐ４３頁所示場效應(yīng)管的符號及特性

1.4.３ 場效應(yīng)管的主要參數(shù)

一、直流參數(shù)

開啟電壓UGS（th）、夾斷電壓UGS（off）、飽和漏極電流ＩＤＳＳ、直流輸入電阻ＲＧＳ（ＤＣ）

二、交流參數(shù)

低頻跨導(dǎo)gm、極間電容、三、極限參數(shù)

最大漏極電流ＩＤＭ、擊穿電壓、最大耗散功率ＰＤＭ 1.4.４ 場效應(yīng)管與晶體管的比較：

1、場效應(yīng)管輸入電阻高。

2、場效應(yīng)管的溫度穩(wěn)定性更好。

3、場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)小。

4、場效應(yīng)管的漏極和源極可以互換使用。

5、場效應(yīng)管的種類更多。課堂小結(jié)：

結(jié)型場效應(yīng)管的構(gòu)造原理和特性參數(shù) 絕緣柵型場效應(yīng)管的構(gòu)造原理和特性參數(shù)

作業(yè)布置：1.23

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