第一篇：華僑大學實習報告

華僑大學實習報告

內容：電子門鈴的制作、裝配與調試

班級：

學號姓名

地點：信息科學與工程學院生產實習基地 起止時間：200年月日——月日

第二篇：華僑大學廈門工學院實習報告,參考

華僑大學廈門工學院

生產實習報告

院系：華 僑 大 學 廈 門 工 學 院專業(yè)：班級：姓名：學號：

2011年8月17日

目錄

一、前言---

2二、實習目的----------------------------

2三、實習要求----------------------------

2四、實習單位簡介----------------------

3五、實習安排----------------------------

4六、實習歷程----------------------------

41． 安全教育------------------------4

2． 參觀第二鑄鐵廠---------------

53． 參觀鍛造廠---------------------5

4． 參觀第一裝配廠---------------6

5． 參觀動力機械公司------------7

6． 參觀齒輪廠---------------------7

7． 參觀燃油噴射公司-------------8

8． 參觀開創(chuàng)裝備科技有限公司9

9． 參觀第四裝配廠---------------9

10． 參觀工藝材料研究所---------10

11． 參觀工程機械有限公司------10

12． 參觀熱處理廠------------------1

113． 參觀沖壓廠---------------------1

214． 參觀福萊車身有限公司------1

3七、實習總結------------------------------14

第三篇：華僑大學電子工藝實習

華僑大學廈門校區(qū) 電子工藝實習——實習報告

實習內容：

一、實習安全與安全用電

二、常用電子元件概述及其辨識

三、常用工具及其使用方法

四、準備工藝及裝配

五、基本焊接工藝

六、常用儀器儀表簡介及其應用

七、電路板設計制作與PROTEL應用

地點：華僑大學信息科學與工程學院實習基地

起止時間：2012年 3月 9日—— 3 月 11日

前言

電子工藝：

電子：這里的電子指的是由一些電子原器件（如電阻、電容）和以他們組成的電子產品或電子設備。工藝：工藝是指將材料或半成品經過加工制作為成品的工作、方法、技藝等。

一． 實習意義：

《電子工藝實習》是實踐課程的第一模塊，是電類學生掌握實踐能力的初步，也是所有電類學生在學習電路分析、電子技術理論課程前的一門重要的實踐課程。

二． 實習目的：

加強理論與實踐相結合的能力，為以后的專業(yè)課程課程打下良好基礎； 培養(yǎng)基本技能、實踐能力、獨立分析問題和解決問題的能力，拓寬視野； 培養(yǎng)刻苦認真、實事求是的作風。

三． 實習要求：

常用電子儀器儀表的學習使用，如萬用表，函數發(fā)生器等 辨識常用電子元件

了解protel的應用與PCB設計制作流程

實用電子電路的制作、焊接訓練、電路安裝踐過程，學生一人一組，獨立完成，完成后獨立進行安裝測試。

實通過實踐要求學生進一步掌握基礎理論知識，提高實踐能力、獨立工作能力，拓寬視野。實踐后要求認真總結，寫出實踐報告.四． 實習紀律：

實習學生必須服從導師安排的各項活動,聽從指揮,端正實習態(tài)度,按大綱全面完成任務。

嚴格遵守實習期間作息時間。

不得私自離開實習場所,特殊情況,應向指導老師請假,每天按時清理實習場地。做團結、友愛、文明禮貌的大學生。

違反實習紀律,視情節(jié)嚴重給予處分或停止實習。愛護公物,如有損壞公物或設備者,除照價賠償外,視情節(jié)還給予處分。

五． 實習內容：

實習安全與安全用電 常用電子元件概述及其辨識 常用工具及其使用方法 準備工藝及裝配 基本焊接工藝

常用儀器儀表簡介及其應用 電路板設計制作與PROTEL應用

六． 課堂內容：

理論課：

常用電子元器件概述及其辨識;常用儀器儀表簡介及其應用 實踐操作:

電子元器件焊接與拆卸;印制電路板的制作;音響的制作

目錄

第一章、實習安全與安全用電222222222222222222222225

第二章、常用電子元件概述及其辨識222222222222222227

第三章、常用工具及其使用方法22222222222222222222212

第四章、準備工藝及裝配22222222222222222222222222213

第五章、基本焊接工藝2222222222222222222222222222214

第六章、常用儀器儀表簡介及其應用2222222222222222217

第七章、電路板設計制作與PROTEL應用222222222222219

第八章、心得體會222222222222222222222222222222222222

第一章、實習安全與安全用電

在工廠企業(yè)、科研院所、實驗室等用電單位，都制定有各種各樣的安全用電制度。這些制度絕大多數都是在科學分析基礎上制定的，也有很多條文是在實際中總結出的經驗，可以說很多制度條文是用慘痛的教訓換來的。我們一定要記住：在你走進車間、實驗室等一切用電場所時，千萬不要忽略安全用電制度。

一、安全措施

(1)正常情況下帶電的部分，一定要加絕緣防護，并置于人不容易碰到的地方。例如輸電線、配電盤、電源板等。

(2)所有金屬外殼的用電器及配電裝置都應該裝設保護接地或保護接零。(3)在所有用電場所裝設漏電保護器。

(4)隨時檢查用電器插頭、電線，發(fā)現(xiàn)破損老化及時更換。

(5)手持電動工具盡量使用安全電壓。我國規(guī)定常用安全電壓為36 V或24 V，特別危險場所用12 V。

二、安全操作

(1)檢修電路和電器都要確保斷開電源，不僅斷開設備上的開，還要拔下插頭。

(2)不要濕手開關、插拔電器。

(3)遇到不明情況的電線，先認為它是帶電的。

(4)盡量養(yǎng)成單手操作電工作業(yè)的習慣。

三、設 備 安 全

(1)查設備銘牌。按國家標準，設備都應在醒目處有該設備要求電源電壓、頻率、容量的銘牌或標志。

(2)查環(huán)境電源電壓、容量是否與設備吻合。

(3)查設備電源線是否完好，外殼是否帶電。

四、異常情況的處理辦法：

(1)有下列異常情況之一，應盡快斷開電源，拔下電源插頭，對設備進行檢修。

(2)對燒斷熔斷器的情況，決不允許換上大容量熔斷器繼續(xù)工作，一定要查清原因后再換上同規(guī)格熔斷器。

異常情況：

(1)設備外殼或手持部位有麻電感覺。

(2)開機或使用中熔斷絲燒斷。

(3)出現(xiàn)異常聲音，如有內部放電聲，電機轉動聲音異常等。

(4)有異味：塑料味，絕緣漆揮發(fā)出氣味，甚至燒焦的氣味。

(5)機內打火，出現(xiàn)煙霧。

(6)指示儀表數值突變，指示超出正常范圍。

五、電子裝接操作安全

1)安全用電觀念

增強安全用電的觀念是安全的根本保證。任何制度，任何措施，都是由人來貫徹執(zhí)行的，忽視安全是最危險的隱患。

2)基本安全措施

(1)工作室電源符合電氣安全標準。(2)工作室總電源上裝有漏電保護開關。

(3)使用符合安全要求的低壓電器(包括電線、電源插座、開關、電動工具、儀器儀表等)。

(4)工作室或工作臺上有便于操作的電源開關。

3)養(yǎng)成安全操作習慣

(1)人體觸及任何電氣裝置和設備時先斷開電源。斷開電源一般指真正脫離電源系統(tǒng)。

(2)測試、裝接電力線路采用單手操作。

(3)觸及電路的任何金屬部分之前都應進行安全測試。

(4)不能用試電筆去試高壓電。使用高壓電源應有專門的防護措施。

4)防止燙傷

電烙鐵和電熱風槍。特別是電烙鐵為電子裝接必備工具，通常烙鐵頭表面溫度可達400～500℃，而人體所能耐受的溫度一般不超過50℃，直接觸及電烙鐵頭肯定會造成燙傷。

工作中烙鐵應放置在烙鐵架并置于工作臺右前方。觀測烙鐵溫度可用烙鐵頭熔化松香，不要直接用手觸摸烙鐵頭。

第二章、常用電子元器件概述及其辨識

A.電子元件：如電阻器、電容器、電感器、喇叭、開關等。因為它本身不產生電子，它對電壓、電流無控制和變換作用，所以又稱無源器件。

B.電子器件：如晶體管、電子管、場效應管、集成電路等。因為它本身能產生電子，對電壓、電流有控制、變換作用（放大、開關、整流、檢波、振蕩和調制等），所以又稱有源器件。

一、電阻

電阻按材料分一般有：碳膜電阻、金屬膜電阻、水泥電阻、線繞電阻等。一般的家庭電器使用碳膜電阻較多，因為它成本低廉。金屬膜電阻精度要高些，使用在要求較高的設備上。水泥電阻和線撓電阻都是能夠承受比較大功率的，線撓電阻的精度也比較高，常用在要求很高的測量儀器上。

1、符號

2.基本單位:（Ω）歐姆;（KΩ）千歐姆;（MΩ）兆歐姆 3.產品規(guī)格標準：E6、E12、E24、E48、E96、E192六大系列

E6：分為6個值：1.0 1.5 2.2 3.3 4.7 6.8 ±20%E12： 12個值：1.0 1.2 1.5 1.8 2.2 2.7 3.3 3.9 4.7 5.6 6.8 8.2 ±10% 4.額定功率：1/16W;1/8W;1/4W;1/2W;1W;2W;5W;10W?..5.電阻器的識讀

A：直標法 B數碼表示法（223=22K）

C:字母表示法（4K7=4.7K）D:色環(huán)表示法—四環(huán)或五環(huán) 6.特殊電阻: A、熱敏電阻: 正溫度系數（PTC）Ｔ上升Ｒ增加負溫度系數(ＮTC)Ｔ上升Ｒ下降

B、光敏電阻：無光照時電阻很大，有光照時電阻很小 C、壓敏電阻：兩端所加的電壓大于壓敏電壓值，Ｒ減少 色環(huán)電阻分為四色環(huán)和五色環(huán)。各種顏色表示如下： 黑0 棕1 紅2 橙3 黃4 綠5 藍6 紫7 灰8 白9 金表示誤差±5％或冪數為-1 ；銀表示誤差±10％或冪數為-2；無色表示誤差±20％

(1)四色環(huán)電阻讀法

各色環(huán)表示意義如下：

第一條色環(huán)：阻值的第一位數字；第二條色環(huán)：阻值的第二位數字； 第三條色環(huán)：10的冪數；第四條色環(huán)：誤差表示。

例如：電阻色環(huán)“棕綠橙金” —— 第一位：1；第二位：5； 10的冪為3（即1000）；誤差為5% 即阻值為：15*103歐=15000歐=15千歐=15KΩ2)（2）五色環(huán)電阻讀法 各色環(huán)表示意義如下：

第一條色環(huán)：阻值的第一位數字；第二條色環(huán)：阻值的第二位數； 第三條色環(huán)：阻值的第三位數字；第四條色環(huán)：10的冪數； 第五條色環(huán)：誤差表示。

例如：電阻色環(huán)“綠藍黑黑棕” —— 第一位：5；第二位：6：第 三位：0；10的冪為0；誤差為1%即阻值為：560*100歐=560Ω 3)判別第一條色環(huán)的方法

四色環(huán)電阻為普通型電阻，從標稱阻值系列表可知，其只有三種誤差系列，允許偏差為±5%、±10%、±20%，所對應的色環(huán)為：金色、銀色、無色。而金色、銀色、無色這三種顏色沒有有效數字，所以，金色、銀色、無色作為四色環(huán)電阻器的偏差色環(huán)，即為最后一條色環(huán)（金色，銀色也可作為乘數）

二、電位器

阻值可以調節(jié)地電阻（簡稱可調電阻）

1、符號

2、識讀：A:直標法B:數碼表示法104=100K C:字母表示法4K7=4.7K 三．電容器

1、符號;

2.分類:常見的電容按制造材料的不同可以分為：瓷介電容、滌綸電容、電解電容、鉭電容，還有先進的聚丙希電容(CBB)等等，它們各有不同的用途。例如，瓷價常用于高頻，電解用于電源濾波等。A.電解電容：容量大、誤差大，主要用于濾波、耦合、旁路

B.滌綸電容：容量較小、誤差較小，主要用于濾波、旁路 C.瓷片電容：容量最小，適用于高頻電路 D.云母電容：容量適中

E.鉭 電 容：價格高、誤差小，穩(wěn)定性好 3.電容的標稱容量和額定電壓：

A.基本單位： F(法拉)、mF(毫法)、uF(微法)、nF(納法)、pF(皮法)1法拉=103毫法=106微法=109納法=1012皮法

B.額定電壓（耐壓）：6.3V 10V 16V 25V 35V 50V 63V 100V 160V 250V 4.電容器的識讀

A.直標法：1-100 pF的瓷片電容、電解電容

B.數碼表示法：第1、2位為有效數值，第三位為倍率 C.字母表示法：主要是針對滌綸電容 D.小數點表示法：自然數以下的單位為uF 5.電容容量誤差：

用符號F、G、J、K、L、M表示，允許的誤差分別為： ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%

四．電感器

1．符號2.電感量：

A.單位： 亨利（H）；毫亨（mH）；微亨（uH）B.單位關系： 1H=1000 mH=1000000 uH C.一個電感器電感量的大小與匝數和橫截面積有關 3.色碼電感的識讀：與四環(huán)電阻的讀法相似，單位是uH 4.變壓器：A.升壓型 ；B.降壓型；C.恒壓型

五．其它電子元件

（1）聲電元件：麥克風；揚聲器；蜂鳴器等（2）微動開關、撥碼開關、插座、數碼管、撥動開關等（3）繼電器、保險絲等

六.半導體器件 一、二極管

1、晶體二極管（1）符號：

（2）單向導電性 A：給二極管加上一個正向電壓，二極管導通，相當于阻值很小的電阻 B：給二極管加上一個反向電壓，二極管截止，相當于阻值很大的電阻 C：單向導電性：正向導通，反向截止

2、常用半導體二極管

A-整流二極管：把交流電轉換成直流電 B-發(fā)光二極管：把電能轉換成光能

C-穩(wěn)壓二極管：顧名思義是將電壓穩(wěn)定在某個固定值

3、二極管極性的差別

指針式萬用表撥在R*100或R*1K電阻檔上，數字萬用表直接用二極管檔。

二、三極管

1.符號：

2.分類：(1)高頻/低頻(2)小功率/大功率(3)硅管/鍺管

3.三極管的放大作用:在三極管的各電極間加上極性正確、數值合適的電壓，三極管就能正常工作，起到電流放大或電壓放大的作用。

三、集成電路

1.集成電路的分類

(1)按制作工藝A：薄膜集成電路 B:厚膜集成電路 C：半導體集成電路 D：混合集成電路

2)按集成規(guī)模分A：小規(guī)模集成電路B：中規(guī)模集成電路 C：大規(guī)模集成電路D：超大規(guī)模集成電路

3)按功能分類A：數字集成電路B：模擬集成電路C: 微波集成電路

2.集成電路的封裝形式（1）金屬封裝（2）陶瓷封裝（3）塑料封裝A：扁平型陶瓷封裝B：扁平型塑料封裝

C：雙列直插型陶瓷封裝 D：雙列直插型塑料封裝 E：單列直插型塑料封裝 F：貼片型塑料封裝

第三章、常用工具及其使用方法

一、電烙鐵

(1)分類: A-內熱式;B-外熱式;C-恒溫式(2)配套: A-烙鐵架;B-松香;C-焊錫(3)結構: A-內熱式電烙鐵的外形與結構

B-外熱式電烙鐵的外形與結構

(4)電烙鐵的檢驗和養(yǎng)護：

Ａ-用萬用表歐姆檔測量插頭兩端是否有開路或短路情況，再用Rx1K或Rx10K檔測量插頭和外殼之間的電阻，看是否短路。

Ｂ-新的電烙鐵如果烙鐵頭未上錫，不能立即用，需要先在烙鐵頭鍍上一層焊錫。方法：用銼刀把烙鐵頭銼干凈，按上電源，在溫度漸漸升高烙鐵頭開始能夠熔化焊錫的時候，在把烙鐵頭涂上焊錫。

二、其他常用工具

A-鑷子；B-尖嘴鉗、斜口鉗；C-吸錫器；D-螺絲刀；E-撥線鉗；F-等等．

第四章 準備工藝及裝配

一、元器件引腳的成形

引腳成形的基本要求。引腳成形工藝就是根據焊點之間的距離，做成需要的形狀，目的是使它能迅速而準確地插入孔內。基本要求：元件引腳開始彎曲處，離元件端面的最小距離應不小于2 mm；彎曲半徑不應小于引腳直徑的2倍；怕熱元件要求引腳增長，成形時應繞環(huán)；元件標稱值應處在便于查看的位置；成形后不允許有機械損傷。

二、元器件安裝的技術要求

(1)元件器的標志方向應按照圖紙規(guī)定的要求，安裝后能看清元件上的標志。若裝配圖上沒有指明方向，則應使標記向外易于辨認，并按從左到右、從上到下的順序讀出。

(2)元器件的極性不得裝錯。

(3)安裝高度應符合規(guī)定要求，同一規(guī)格的元器件應盡量安裝 在同一高度上。()安裝順序一般為先低后高，先輕后重，先易后難，先一般元器件后特殊元器件。

(5)元器件在印制電路板上的分布應盡量均勻，疏密一致，排列整齊美觀。不允許斜排、立體交叉和重疊排列。元器件引腳不得相碰，要保證 1mm左右的安全間隙。

(6)元器件的引腳直徑與印制電路板焊盤孔徑應有0.2～0.4 mm的合理間隙。

第五章.基本焊接工藝

一、焊接

焊接是連接各電子元器件與電路板的主要手段。利用加熱焊料將元件工與金屬銅板永久地結合在一起.在已加熱的工件金屬之間，熔入低于工件金屬熔點的焊料，從而使工件金屬與焊料結合為一體。

二、正確選用焊料

錫焊工藝中使用的焊料是錫鉛合金。常用錫鉛焊料：在手工焊接時，為了方便，常將焊錫制成管狀，中空部分注入由特級松香和少量活化劑組成的助焊劑，這種焊錫稱為焊錫絲。焊錫絲的直徑有0.5、0.8、0.9、1.0、1.2、1.5、2.0、2.5、3.0、4.0、5.0 mm等多種規(guī)格。

三、控制焊接溫度和時間

熱能是進行焊接必不可少的條件。溫度過低，會造成虛焊。溫度過高，會損壞元器件和印制電路板。在手工焊接時，控制溫度的關鍵是選用適當功率的電烙鐵和掌握焊接時間。焊接時間過短，會使溫度太低，焊接時間過長，會使溫度太高。一般情況下，焊接時間應不超過3 s。

四、焊點的質量要求

(1)電氣性能良好。高質量的焊點應是焊料與工件金屬界面形成牢固的合金層，才能保證良好的導電性能。不能簡單地將焊料堆在工件金屬表面，這是焊接工藝中的大忌。

(2)具有一定的機械強度。電子設備有時要工作在振動的環(huán)境中，為使焊件不松動或脫落，焊點必須具有一定的機械強度。

(3)焊點上的焊料要適量。焊點上的焊料過少，機械強度不足。焊點上的焊料過多，既增加成本，又容易造成焊點短路。

五、手工焊接工藝

1）焊接準備：選用合適功率的電烙鐵。內熱式電烙鐵具有升溫快、熱效率高、體積小、重量輕的特點，在電子裝配中已得到普遍使用。2）手工焊接

1.電烙鐵拿法有三種：反握法動作穩(wěn)定，長時操作不易疲勞，適于大功率烙鐵的操作。正握法適于中等功率烙鐵或帶彎頭電烙鐵的操作。握筆法一般在操作臺上焊印制板等焊件時多采用。

焊錫絲拿法：a 連續(xù)錫焊時焊錫絲的拿法；b 斷續(xù)錫焊時焊錫絲的拿法

2．焊接的方法與步驟：不少初學者常用這樣一種焊接操作法，即先用烙鐵頭沾上一些焊錫，然后將烙鐵放到焊點上加熱。這種方法，不是正確的操作方法，這樣雖然也可以將焊件焊起來，但卻不能保證質量。正確的方法應該是下面的五步法

(1)準備(圖a): 準備好焊錫絲和烙鐵。此時特別強調的是烙 鐵頭要保持干凈。

(2)加熱焊件(圖b): 將烙鐵接觸焊接點，首先要注意保持烙鐵 加熱焊件各部分，例如印制板上引線和焊盤都使之受熱。

(3)熔化焊料(圖c): 當焊件加熱到能熔化焊料的溫度后將焊絲 置于焊點，焊料開始熔化。

(4)移開焊錫(圖d): 當熔化一定量的焊錫后將焊錫絲移開。

(5)移開烙鐵(圖e): 當焊錫完全潤濕焊點后移開烙鐵，注意移 開烙鐵的方向應該是大致45°的方向。焊錫量要合適。過量的焊錫不但毫無必要地消耗了較貴的錫，增加焊接時間，相應降低了工作速度。更為嚴重的是過量的錫很容易造成短路。4 焊件要固定。在焊錫凝固之前不要使焊件移動或振動，一定要等焊錫凝固再移動。烙鐵撤離有講究。烙鐵撤離要及時，而且撤離時的角度和方向對焊點形成有一定關系 焊接的步驟可采用三步操作法：① 加熱被焊工件。② 填充焊料。③ 移開焊錫絲、移開電烙鐵。根據印制電路板的特點，為防止焊接溫度過高，焊接時間一般以2～3 s為宜。當焊盤面積很小，或用35 W電烙鐵時，甚至可將①、②步合并，有利于連續(xù)操作，提高效率。

對焊接點的要求是光亮、平滑、焊料布滿焊盤并成“裙狀”展開。焊接后應剪腳，“露出”長度在0.5～1 mm。

要求：(1)外形以焊接導線為中心，勻稱，成裙形拉開。(2)焊料連接面呈半弓形凹面。(3)焊料與焊件交界處平滑。

7、焊點質量檢查：外觀檢查焊點是否飽滿，潤濕良好；有沒有漏焊、虛焊；焊料潤濕整個焊盤，均勻散開，以引線為中心成裙形。其次用手檢查那些看上去比較虛的焊點是不是確實牢固。對于晃動的焊點要重焊。

第六章、常用儀器儀表簡介

一、萬用表

1.用途：(1)測量電壓值(2)測量電流值(3)測量電阻(4)測量三極管的特性(5)電容量的測量等

2.注意事項：(1)使用萬用表測量電流時應串接到電路中(2)選擇合適的量程注意應該從大的量程向小量程調整，以避免損壞.3.分類:

(1)指針式萬用表A-機械調零(歐姆調零);B-選擇合適量程;C-選擇正確刻度線;D-讀值時指針最好處于20%--60%為佳.(2)數字式萬用表:A-選擇合適量程、檔位B-量程概念的區(qū)別

(3)臺式數字萬用表

二.直流穩(wěn)壓電源

1.普通數顯直流穩(wěn)壓電源 2.數控式線性直流穩(wěn)壓電壓

四.示波器

1、分類:(1)模擬示波器(2)數字示波器

第七章、電路板設計制作與PROTEL應用

一、原理圖的繪制

二、PCB圖（印刷電路板圖）的繪制

三、線路板制作工藝流程

1、按照實際尺寸裁剪好銅箔板，用0號水磨砂紙將板 表面擦刷凈。

2、將打印好的圖紙用加熱轉印到銅箔板的銅箔面上。

3、用三氯化鐵水溶液腐蝕銅箔板。

4、鉆孔：根據元器件焊盤大小鉆孔，一般選擇合適的鉆(0.8-1mm)。

5、將鉆好的電路板上漆膜用砂紙除去。

四、根據實驗原理圖和實物圖焊接電路板

五、測試作品是否工作，檢查焊接問題，做補充與修改，直到正常工作。

六、組裝作品，把電路板與喇叭裝入塑料盒中。

七、注意事項

1：將電路圖印到電路板上，然后進行熨熱，腐蝕，清洗，熨熱后將紙慢慢揭開，以防墨脫落造成斷路，若已產生斷路，用筆補全。

2：進行焊接，認真把每個所需原件焊接到電路板上；焊接時最好不要造成虛焊，由于器件擺放時間，焊前先磨去引腳氧化部分；注意LED引腳指示燈的正負極。

3：安裝時盡量保證每個孔與之對應，喇叭焊接前先用萬用表電阻200 檔測試。

4:usb接口的焊接要十分注意，要按照要求來；兩板的連接處要焊接好；三個不用的引腳應減去或者拔彎，不可讓其接觸線路板。

5：將各部分安裝好，進行多次調試，直到音響的聲音相對清晰。

第八章、心得體會

在短短三天的實習時間里，我學會了很多東西，這是我人生的第一次工藝實習，第一次接觸電子產品的焊接制作，第一次親手完成電子產品的制作。雖然實習時間是周末，失去了一些休息時間，但得到的卻是課本所沒有的知識和經驗。只有動手操作才真正知曉自己的鄙陋。

雖然之前接觸過如何制作電路板，但在本次實習中，仍然遇到不少的困難。在焊接前，因觸碰電烙鐵將手燙傷，這對我是個不小的打擊，但最后我還是獨立完成了本次電子工藝實習。在焊接時，由于烙鐵接觸焊點時間過長，把銅融化了，還有許多焊點都是虛焊。在拆元件的時候，也是烙鐵接觸焊點時間過長，將電路板上銅氧化。在打孔的時候，由于把握不到位，在連通小孔的時必須要用剪刀等挖開。在焊接元件的時候較為順利，但最后將音響連接上去后，卻只有一個喇叭會響，經過半個小時的多次調試，將各個虛焊的焊點再焊接一次。最后音響兩個喇叭正常工作的時候，心中感到十分驕傲成就感悠然而生，也在一定程度打消了我想要轉專業(yè)的決定。在此次實習中，除了增強自己在電子工藝制作方面的動手能力外，在與同學相處的方面也收獲不少。許多同學早早做完卻沒有離開，而是留在實驗室?guī)椭渌瑢W，這一點讓我感觸很多。而理論課上的黃老師，講課幽默，生動形象，雖然連上幾個小時的課，卻也不懈怠，還一直鼓勵我們參加挑戰(zhàn)杯。實踐課上的唐懋老師也在不斷的幫助同學們尋找音響不工作的原因。三天的實踐早已結束，但這一段記憶卻深深地埋在了我的腦海中。

第四篇：華僑大學

華僑大學是在敬愛的周恩來總理的親切關懷下，于1960年由國家創(chuàng)辦的綜合性大學。學校地處中國閩南金三角，與祖國寶島臺灣隔海相望，主校區(qū)分別設在泉州、廈門。學校直屬國務院僑務辦公室領導，是國家重點建設的大學和首批獲得中國教育部本科教學工作水平評估優(yōu)秀的大學，是中國面向海外開展華文教育的主要基地。

華僑大學設立董事會，實行校長負責制。杰出的國務活動家、已故全國人大常委會副委員長廖承志為首任校長，現(xiàn)任校長是全國政協(xié)委員、博士生導師吳承業(yè)教授。董事會由海外華僑、港澳同胞、歸僑等各界著名人士及各級政府領導組成，莊希泉、胡平、賈慶林、陳明義、宋德福等先后擔任華僑大學董事長。

華僑大學以“面向海外、面向港澳臺、面向海峽西岸經濟區(qū)”為辦學方針，按照“為僑服務、傳播中華文化”的辦學宗旨和“會通中外、并育德才”的辦學理念，形成了“一校兩生、因材施教”的教學特色，“一元主導、多元交融”的校園文化和“寬容為本、和而不同”的校園精神。學校具有博士、碩士、學士、預科等層次完整的辦學體系，現(xiàn)有19個院系（部），9個博士學位點，6個一級學科碩士點，66個碩士學位點，8個工程碩士領域，9個高校教師在職攻讀碩士學位點，53個本科專業(yè)，11個省部級重點學科，學科門類涉及理、工、經、管、法、文、哲、史、史、農、教育等10大類。學校以“重視基礎、拓寬專業(yè)、增強能力、提高素質”為人才培養(yǎng)目標，努力造就富有創(chuàng)新精神和實踐能力、適應境內外經濟和社會發(fā)展需要的應用型人才,建校46年來，共培養(yǎng)海內外各類人才8萬余人，其中境外生3.7萬余人。至2005年底，學校有各類在校生2.4萬人，其中境外生近3000人，分別來自馬來西亞、菲律賓、泰國、日本、朝鮮、美國、阿根廷和港澳臺等30幾個國家和地區(qū)。學校擁有教職員工1700余人，其中500余人具有高級職稱；專任教師900余人，其中正副教授400余人，具有博士學位140人，42位教師享受國務院政府特殊津貼，一批教授在學術界具有廣泛的影響。學校辦學條件優(yōu)良，泉州校區(qū)校園占地面積91萬平方米，校舍建筑面積50萬平方米；廈門校區(qū)(含華文學院)占地面積133萬平方米,已完成校舍建筑面積24萬平方米的廈門新校區(qū)正在興建中。學校教學基礎設施完善，實驗室設備先進，圖書館藏圖書文獻資料總量105萬種、208萬冊。

華僑大學注重教風、學風建設，以教學質量為工作中心，以“教學質量”為主導，教學質量穩(wěn)步提升，人才培養(yǎng)質量得到保證。學校以學風建設為學生工作重點，強調學生素質教育，成績斐然，在近三屆全國“挑戰(zhàn)杯”大學生課外學術科技作品競賽中，華僑大學共獲得10余個獎項，團體總分分別居全國高校第13、16、10名，居福建省高校榜首，并捧得第八屆“優(yōu)勝杯”；學生男子籃球隊在CUBA中國大學生籃球聯(lián)賽已進行的八屆賽事中獲得四屆總冠軍及一屆總亞軍；在歷屆全國大學生英語競賽、數學建模競賽、電子科技競賽、全國周培源力學競賽等賽事中華大學生成績居福建高校前列。2006年5月，華僑大學被教育部定為國家大學生文化素質教育基地。

華僑大學科研工作堅持高起點、高投入、大跨步，加強基礎研究和應用開發(fā)，成效顯著。據不完全統(tǒng)計，“十五”期間，華僑大學共承擔各類研究項目551項，其中國家級課題51項（其中973前期研究專項1項）；獲得福建省部級科技進步一等獎1項，二等獎5項，三等獎13項；獲得福建省社科優(yōu)秀成果獎二等獎9項、三等獎20項；發(fā)表科研論文4600多篇，被SCIE、EI收錄的論文數、論文被國際刊物引用次數均連年居全國高校百強。《華僑大學學報》為全國中文核心期刊，并進入中國期刊方陣。

華僑大學還全方位開展國際學術交流與科技合作，目前已與美國、日本、加拿大、澳大利亞、菲律賓、印尼、泰國等國家和港澳臺地區(qū)的40余所高校建立了校際友好合作關系。諾貝爾物理學獎獲得者楊振寧、諾貝爾經濟學獎獲得者麥克法登等國際著名學者以及泰國上議院議長素春·差里科、泰國公主詩琳通等先后應聘擔任華僑大學名譽教授。

第五篇：華僑大學

華僑大學課題組主要成員

郭亨群

1944年10月生，華僑大學教授，材料學博士生導師.1968年畢業(yè)于北京大學技術物理系，1984年—1986年作為教育部公派訪問學者到英國倫敦帝國理工學院作研究工作，1993年—1994年由國家教委公派高級訪問學者到美國圣地亞哥加利福尼亞大學合作研究，1996年—2004年任華僑大學副校長，現(xiàn)為福建省物理學會副理事長，福建省留學生同學會副會長。長期從事納米材料研究，近年來在硅基納米材料結構及其光電特性研究方面取得一系列研究成果.主持過國家自然科學基金重大項目子課題，國家自然科學基金重點項目子課題和國家自然科學基金面上項目，參加過863項目和福建省自然科學基金重點項目研究，主持過多項福建省自然科學基金和國務院僑辦基金項目，在國內外雜志上發(fā)表50多篇論文，獲福建省第四屆自然科學優(yōu)秀學術論文二等獎，2005年8月國務院批準為享受政府特殊津貼專家.承擔的科研項目: 1 國家自然科學基金項目: 納米Si-SiNx 復合薄膜和Si/SiNx 多量子阱材料制備和非線性光學性質研究(項目編號60678053), 2007年1月-2009年12月 2國家自然科學基金重點項目”硅基光電子學關鍵器件的基礎研究”(項目編號60336010)子課題: Si基納米材料發(fā)光和非線性光學效應研究, 2004年1月—2007年12月 國家自然科學基金項目: 多層納米硅復合膜F-P腔皮秒光雙穩(wěn)研究(項目編號60178038), 2002年1月-2002年12月 國家自然科學基金重大項目“半導體光子集成基礎研究”（項目編號69896060）子課題: 硅基非線性吸收效應及其器件應用, 1998年1月—2001年12月近期已發(fā)表的主要論著目錄： Nonlinear optical response of nc-Si-SiO2 films studied with femtosecond four-wave mixing technique.Chinese Physics Letters, 23(11): 2989-2992(2006)2 納米Si鑲嵌SiO2薄膜的發(fā)光與非線性光學特性的應用.半導體學報, 27(2): 345-349(2006)3 Nonlinear optical properties of Al-doped ncSi-SiO2 composite films.半導體學報, 28(5): 640-644(2007)4 射頻磁控濺射制備摻Al的納米Si-SiO2復合薄膜及其光致發(fā)光特性.功能材料,37(11): 1706-1708(2006)5

Top-emitting organic light-emitting devices with improved light outcoupling and angle-independence.J.Phys.D: Appl.Phys.39(23): 5160-5163(2006)6 360-nm photoluminescence from silicon oxide films embedded with silicon nanocrystals.Semiconductor Photonics and Technology, 12(2): 90-94(2006)7 富硅的氮化硅薄膜的制備及發(fā)光特性.半導體光電,28(2): 209-212(2007)8 富納米硅氮化硅薄膜發(fā)光機制.華僑大學學報, 28(2): 147-150(2007)9 含納米硅氧化硅薄膜的光致發(fā)光特性.華僑大學學報,27(3): 256-258(2006)10 含納米硅粒SiO2薄膜的光致發(fā)光.華僑大學學報, 27(1):35-38(2006)11 多層納米硅復合膜的共振光學非線性.光子學報, 31(11):1340-1343(2002)12 Nonlinear absorption properties of nc-Si:H thin films.Chinese Journal of Lasers.B10(1):57-60(2001)

陳國華

1964年1月生, 博士, 華僑大學教授, 材料學博士生導師.1984年畢業(yè)于廈門大學化學系, 1987年于吉林大學化學系獲理學碩士學位, 1999年于天津大學材料科學與工程系獲工學博士學位.1995年5月-1995年12月在日本岐阜大學工學部作訪問學者, 2000年10月-2000年12月在日本長崎工業(yè)技術中心任客座研究員, 2001年3月-2002年3月為美國密執(zhí)根大學化學系訪問學者.長期從事納米材料研究，近年來進行石墨在聚合物基體的納米分散研究和聚合物/石墨納米復合材料的結構與性能研究.1999年5月被授予福建省新長征突擊手稱號, 2004 年入選教育部新世紀優(yōu)秀人才計劃, 2004年“天然石墨在聚合物基體中的納米分散研究”獲福建省科技進步三等獎。承擔的科研項目: 國家自然科學基金項目：聚合物/納米石墨高度有序復合及其各向異性研究(項目編號20574025), 2006年1月—2008年12月 2 國家自然科學基金項目：石墨納米微片的自組裝及其納米復合材料的特性研究(項目編號50373015), 2004年1月—2006年12月 3 國家自然科學基金項目：石墨的接枝插層及其聚合物納米復合體系的界面作用研究(項目編號20174012), 2002年1月—2004年12月 福建省重點科技項目：聚合物/石墨納米復合電磁屏蔽涂料研究(項目編號2003I032),2003年5月-2006年4月 福建省納米材料重大科技專項：納米光電功能材料研制專題(項目編號2005HZ01-4),2006年1月-2008年12月

近期已發(fā)表的主要論著目錄： 1 Preparation and surface characterization of highly ordered polymer/graphite nanosheet composites.Materials and Manufacturing Processes, 22:733-736(2007)2 The electrical properties of graphite nanosheet filled immiscible polymer blends.Materials Chemistry & Physics, 104:240-3(2007)3 Dispersion of graphite nanosheets in polymer resins via masterbatch technique.J Appl Polym Sci ,103（6）：3470-5（2007）Voltage-induced resistivity relaxation in HDPE/graphite nanosheet composite.Journal of Polymer Science Part B: Polymer Physics , 45:860-863(2007)5 Piezoresistivie behaviors study on finger-sensing silicone rubber /graphite nanosheet nanocomposite.Advanced Functional Materials,17(6):898-904(2007)6 Fabrication of polyethylene /graphite nanocomposite from modified expanded graphite.Polymer International, 56:676-685(2007)

7HDPE/EG nanocomposites prepared via a masterbatch process.Polymer Engineering and Science, 47(6):882-888(2007)8 Study on the acrylic resin /graphite nanosheet electromagnetic interference shielding coatings.Progress in Organic Coatings, 59(2):101-5(2007)Silicone rubber/ graphite nanosheet electrically conducting nanocomposite with a low percolation threshold.Polym.Comp.28(4):493-498(2007)10 Facile preparation of epoxy-based composite with oriented graphite nanosheets.Polymer, 47:8401-5（2006）Epoxy resin/graphite nanosheets electrically conductive nanocomposite.Materials and Manufacturing Processes, 21:167-171(2006)12 Nonlinear DC response in high-density polyethylene/graphite nanosheets composites.Journal of Materials Science, 41:1785-1790(2006)13 Non-universal transport behavior in heterogeneous high-density polyethylene/graphite nanosheets composites.Journal of Polymer Science Part B: Polymer Physics, 44(13): 1846-1852(2006)14 Alteration of the optical properties of poly 9,9'-dioctylfluorene by TiO2 nanocrystalline.Journal of Non-Crystalline Solids, 352:2536-2538(2006)15 Unsaturated polyester resin/graphite nanosheet conducting composite and its electrical properties.Polymer, 47(12): 4440-4444(2006)Novel piezoresistive material from directed shear-induced assembly of graphite nanosheets in polyethylene.Advanced Functional Materials,15（8）:1358-1363（2005）PTC effect of polyethylene/foliated graphite nanocomposites.J.Mater.Sci, 40(18): 5041-5043(2005)林碧洲

1967年11月生，博士，華僑大學教授，材料學博士生導師.1989年畢業(yè)于廈門大學物理系，1999年于福州大學化學系獲博士學位.主要研究方向為無機功能材料和材料的分子設計與合成.2004年12月” 鈮鎢酸鉭鎢酸光催化納米復合材料研究”獲福建省科學技術三等獎, 2005年10月 入選福建省“百千萬人才工程”，2006年5月被授予福建省新長征突擊手稱號.承擔的主要科研項目: 1 國家自然科學基金項目：層柱金屬硫化物—新型多孔復合材料的研究（項目編號50172016）, 2002年1月-2004年12月 福建省自然科學重點基金項目：金屬氧簇基配位聚合物的組裝及性能研究（項目編號E0420001）, 2004年5月-2007年4月

3福建省自然科學基金項目: 多酸化合物光氧化催化材料的研究(項目編號D0010010), 2000年5月-2002年4月

近期已發(fā)表的主要論著目錄： Preparation and characterization of organic-inorganic poly(ethylene glycol)/WS2

nanocomposite, Materials Research Bulletin,(in press, doi: 10.1016/j.materresbull.2006.11.030).Zr-intercalated molybdenum disulfide: preparation, characterization and catalytic activity in nitrobenzene hydrogenation.J.Porous Mater.,(in press, doi 10.1007/s10934.006.9076.0).3 Layered nanocomposites based on molybdenum disulfide and hydroxy-NiAl oligocations: characterization and catalytic activities in oxidation of sulfide.J.Porous Mater.,(in press, doi: 10.1007/s10934.006.9041.y).4 Preparation and electrical conductivity of polyethers/WS2 layered nanocomposites.Electrochimica Acta, 52(9): 3028 – 3034(2007)5 First Strandberg-type polyoxotungstate compound: synthesis and characterization of organic-inorganic hybrid(H2en)(Hen)2[H2P2W5O23]?5.42H2O.J.Mol.Struct.825(1-3): 87 ? 92(2006)Bis(iminodiethylenediammonium)di-?5-hydrogen-phospho-pentamolybdate(VI)tetrahydrate.Acta Crystallogr.Sect.C, 62(8): m355 ? m357(2006)Synthesis, structure and characterization of a inorganic-organic hybrid Dawson polyoxotungstate(H2en)3[P2W18O62] ?6.48H2O.J.Mol.Struct., 783(1-3): 176-183(2006)8 Tris(ethylenediamine)nickel(II)tetraoxomolybdate(VI), [Ni(en)3][MoO4].Acta Crystallogr.Sect.E, 62(3): m532-m534(2006)9 Tris(ethylenediamine)zinc(II)molybdate(VI), [Zn(en)3][MoO4].Acta Crystallogr.Sect.C, 61(6): m313-m314(2005)10 Hydrothermal synthesis and structure of a mixed-valence polyoxotungstate decorated by copper(I)group, [Cu(en)2H2O]2 [{Cu(en)2}HPW12O40]?2H2O.Chinese J.Struct.Chem., 24(5): 608-614(2005).11 Hydrothermal synthesis and characterization of a new hybrid organic-inorganic compound [Cd(en)3]MoO4.J.Mol.Struct., 741(1): 31-35(2005)Preparation and characterization of nanocomposite materials consisting of molybdenum disulfide and cobalt(II)coordination complexes.J.Mater.Chem., 14(13): 2001-2005(2004)

陳曉虎

1965年生，博士，華僑大學副研究員，材料學碩士生導師。1987年畢業(yè)于景德鎮(zhèn)陶瓷學院材料工程系，1994年于江蘇大學材料學院金屬材料及熱處理專業(yè)獲工學碩士學位, 1997年于南京航空航天大學機電工程學院機械制造專業(yè)獲工學博士學位.主要研究方向為新型金屬材料（塊狀金屬玻璃、納米晶及非晶態(tài)合金）和金屬-陶瓷復合材料 承擔的主要科研項目: 國家自然科學基金項目：調幅分解型梯度材料的自生成機理及相穩(wěn)定性研究（項目編號50271027）, 2003年1月-2003年12月 福建省自然科學基金項目： 基于相圖計算的塊狀鐵基金屬玻璃形成能力的研究（項目編號E0310021）, 2003年5月-2006年4月 福建省自然科學基金項目：復合粉體材料的制作及相穩(wěn)定性的研究(項目編號E0310023), 2003年5月-2006年4月 福建省重點科技項目: 強磁性鐵基塊狀金屬玻璃的設計、開發(fā)及其性質研究(項目編號2002I018), 2002年5月-2005年4月 福建省青年科技人才創(chuàng)新項目：利用液相調幅分解性質制備新型結構金屬復合材料（項目編號2002J010）, 2003年1月-2004年12月

近期已發(fā)表的主要論著目錄： 機械合金化制備Fe-Zr-B非晶合金及其晶化動力學行為研究.中國粉體技術, 12(3):12-15(2006)2 Fe-Zr-B非晶合金的機械合金化制備與非晶化機制研究.金屬功能材料, 13(2):6-10(2006)3 機械激活法合成鈦酸鋁粉體中的各向異性生長.陶瓷學報,27(1):88-91(2006)4 機械激活法合成鈦酸鋁粉體的XRD分析.陶瓷學報，26(4):221-224(2005)5 Calculation of the self-formation driving force for composite microstructure in liquid immiscible alloy system.PROGRESS IN NATURAL SCIENCE，2005,Feb 6 液相不溶型合金復合組織自形成驅動力的解析.自然科學進展，14(12):1459-1464(2004)7 金屬轉移層對氧化鋁基自潤滑復相陶瓷磨損行為的影響.中國陶瓷工業(yè), 8(2):22-25(2001)8 激光誘導碳等離子體在強激光沖擊合成金剛石微晶中的作用.南京航空航天大學學報,32(4):417-421(2000)9 The effects of solid lubricant varieties on the properties of self-lubricating Al2O3-based ceramic composite materials.J.Aust.Ceram.Soc.,2001,July 課題組工作條件

本單位有Bruker AXS 公司 D8 Advance型 X射線衍射儀, S-3500N掃描電子顯微鏡，SDT2960 Simultaneous DSC-TAG 差熱分析儀, NEXUS 470傅里葉變換紅外光譜儀，RF-5301 PC熒光光譜儀，UV-3100紫外—可見—近紅外分光光度計，Agilent 86140B光譜分析儀, 高真空多功能薄膜制備系統(tǒng)，L4514程控退火爐，SMG-1對撞脈沖鎖模Nd:YAG激光系統(tǒng)，GKLD-1聲光調Q Nd:YAG激光器，Agilent 81600 B 可調諧激光器等。