第一篇：射頻論文

關(guān)于RFIC技術(shù)現(xiàn)狀和發(fā)展

綜述 Xxx 【摘要】無(wú)線通信技術(shù)的迅猛發(fā)展帶動(dòng)了信息產(chǎn)業(yè)的整體發(fā)展，作為無(wú)線傳輸設(shè)備核心器件的射頻集成電路（RFIC）不斷朝著高性能、高集成度、低功耗和低成本方向發(fā)展。CMOS 工藝有著先天的優(yōu)勢(shì)：高集成度(與基帶、數(shù)字信號(hào)處理模塊工藝兼容)、低成本，而且CMOS 隨著特征尺寸的縮小，射頻性能不斷提高，高精度的射頻器件模型及RFIC 設(shè)計(jì)成為當(dāng)前的研究熱點(diǎn)。

近十年來(lái)，射頻無(wú)線移動(dòng)通信技術(shù)的發(fā)展顯得尤為迅猛。其中起決定作用之一的技術(shù)就是RFIC技術(shù)。隨著第三代移動(dòng)通信體制的開(kāi)始，對(duì)新一代無(wú)線通信射頻集成電路（RFIC）的性能、材料和工藝等都提出了新的技術(shù)要求。本文總結(jié)了無(wú)線通信移動(dòng)終端RFIC的發(fā)展歷程和現(xiàn)狀，對(duì)關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行了探討,，最后展望了未來(lái)的發(fā)展前景。

【關(guān)鍵詞】射頻集成電路，CMOS,發(fā)展，現(xiàn)狀，工藝，材料

Status and development of technology on RFIC

Overview

Tao Wen 200808030324 Beijing Union University Institute of information Department of Communication Engineering

【Abstract】Wireless communication technology driven the rapid development of information industry whole development, as wireless transmission equipment core device of radio frequency integrated circuit(RFIC)toward high performance, high integration, low power consumption and low cost development.CMOS technology has advantage of high integration degree:(with a baseband, digital signal processing module processes compatible), low cost, and CMOS as the feature size shrinks, RF continuously improve performance, high precision of the RF device model and RFIC design has become a research hotspot.Come nearly ten years, wireless mobile communication technology development is swift and violent.Which plays a decisive role in one of the technology is RFIC technology.With the third generation mobile communication system to start, on a new generation of wireless communication RF integrated circuit(RFIC)performance, materials and process are put forward new requirements.This article summarizes the wireless communication mobile terminal RFIC development course and the present situation, the key technologies are discussed, finally, forecasts the future development foreground.【Key words】 radio frequency integrated circuit, CMOS, development, current situation, technology, material

引言：

射頻集成電路(RF IC，radio frequency integrated circuits)在近十年內(nèi)得到廣泛重視，并在無(wú)線通信領(lǐng)域取得快速發(fā)展。如今，基帶和中頻帶電路已經(jīng)完全可以用CMOS工藝集成，但在射頻收發(fā)端還有一定的困難。由于CMOS的低成本和高集成度，CMOS集成電路在無(wú)線通信領(lǐng)域1 GHz到2 GHz頻段受到關(guān)注，也是目前單片集成研究的熱點(diǎn)。射頻技術(shù)在當(dāng)今各個(gè)領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，如：蜂窩式個(gè)人通信網(wǎng)(PCI,0、無(wú)線局域網(wǎng)(WLAN)、無(wú)線接入系統(tǒng)、無(wú)線互連(包括Bluetooth)、全球衛(wèi)星定位系統(tǒng)(GPS)、低軌道衛(wèi)星移動(dòng)通信和多媒體移動(dòng)接入通信系統(tǒng)(MMAC)等等。此外還在智能交通系統(tǒng)(ITS)、雷達(dá)等方面得到應(yīng)用。巨大的市場(chǎng)需求促使世界發(fā)達(dá)國(guó)家及相關(guān)大公司投巨資竟相研發(fā)適應(yīng)社會(huì)需求的無(wú)線通信系統(tǒng)。無(wú)線終端的微型化、低功耗、低成本、高性能是未來(lái)通信技術(shù)發(fā)展的新趨勢(shì)，而整個(gè)無(wú)線通信系統(tǒng)的單片集成是適應(yīng)這一趨勢(shì)的必然選擇，因此單片集成無(wú)線終端已成為當(dāng)今無(wú)線通信系統(tǒng)研究開(kāi)發(fā)的熱點(diǎn)。本文總結(jié)了無(wú)線通信移動(dòng)終端RFIC的發(fā)展歷程和現(xiàn)狀，對(duì)關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行了探討,，最后展望了未來(lái)的發(fā)展前景。

正文

近年來(lái)，通信技術(shù)以驚人的速度發(fā)展，而射頻(RF)無(wú)線通信技術(shù)的發(fā)展顯得尤為迅猛。當(dāng)今，射頻無(wú)線通信技術(shù)已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于生活的各個(gè)方面，如：蜂窩式個(gè)人通信與機(jī)站、無(wú)線接入系統(tǒng)、衛(wèi)星通信、全球衛(wèi)星定位系統(tǒng)、無(wú)線局域網(wǎng)等。隨著多種無(wú)線通訊系統(tǒng)的蓬勃發(fā)展，使無(wú)線通訊系統(tǒng)中的關(guān)鍵模塊—射頻集成電路(RFIC)—成為當(dāng)前的研究熱點(diǎn)。射頻IC的優(yōu)化設(shè)計(jì)，除了數(shù)字IC所要求的功耗、速度、產(chǎn)量外，還必須考慮系統(tǒng)部件的噪聲、增益、線性度、最大功率傳輸?shù)纫蛩亍Ｍ瑫r(shí)，由于激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)，通訊系統(tǒng)對(duì)射頻IC的要求也越來(lái)越高，低成本、低功耗、高線性度、多功能等已經(jīng)成為射頻集成電路發(fā)展的趨勢(shì)。21世紀(jì)是信息技術(shù)高度發(fā)展的時(shí)代，以微電子為基礎(chǔ)的電子技術(shù)是推動(dòng)信息技術(shù)發(fā)展的物質(zhì)基礎(chǔ)。集成電路是微電子的核心和主體，也是電子信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)。

一． 發(fā)展歷史和現(xiàn)狀：

21世紀(jì)是信息技術(shù)高度發(fā)展的時(shí)代，以微電子為基礎(chǔ)的電子技術(shù)是推動(dòng)信息技術(shù)發(fā)展的物質(zhì)基礎(chǔ)。集成電路是微電子的核心和主體，是電子信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)。

1.1.無(wú)線移動(dòng)通信發(fā)展對(duì)RFIC的要求

射頻移動(dòng)通信技術(shù)的總趨勢(shì)是：高速化、大帶寬。

第一代和第二代手機(jī)使用5V電源電壓，而第三代則使用3V 至 2V或甚至更低的電源電壓。必須能實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)時(shí)間通話和待機(jī)，因此，低成本、低功耗、重量輕和小型化是未來(lái)RFIC發(fā)展的技術(shù)關(guān)鍵。從技術(shù)上講，應(yīng)實(shí)現(xiàn)高性能——高線性度、低噪聲、高增益和高效率。從工藝實(shí)現(xiàn)上講，可采用有:CMOS,BiCMOS,GaAsFET,HBT and PHEMT.第三代移動(dòng)通信終端RFIC:

GaAs MESFET，Si／SiGe HBT(hetero junction bipolar transistor)，BJT 和PHEM T(pseudomorphic high electron mobility transistor)。因?yàn)榛旌掀骷母逹值，在RF收發(fā)高頻部分，為達(dá)到高集成度和高性能，常采用混合器件組成完整的系統(tǒng)。

RFIC 發(fā)展的理想選擇是CMOS單片集成，這樣將顯著地降低成本并提高系統(tǒng)集成度。如同DSP(digital signal processor)

最終實(shí)現(xiàn)單片CMOS集成一樣，預(yù)計(jì)

高集成度的單片CMOS射頻電路也將在不久的將來(lái)實(shí)現(xiàn)。1.2.RFIC器件材料、工藝技術(shù)

? A.SiGe工藝

極低的噪聲性能 高的截止頻率高，低的生產(chǎn)成本。由于SiGe HBT的優(yōu)異性能，SiGe器件有望取代GaAs RF器件。SiGe器件用于無(wú)線手機(jī)，使電源功率、性能、集成度和低成本溶于一體。

? B.CMOS工藝技術(shù)

? C.GaAs工藝技術(shù)

GaAs性能上的優(yōu)勢(shì)，歷史基礎(chǔ)好，但制造成本高（主要是材料較貴）。

? D.HBT器件

GaAs HBT是一種改進(jìn)的雙極晶體管，只需單一的正電源就可工作； 而GaAs MESFET和GaAs PHEMT則需雙電源工作。

二.移動(dòng)通信中射頻集成電路（RFIC）的晶體管技術(shù)

在移動(dòng)通信初期.通用技術(shù)是硅雙極CMOS.硅雙極晶體管(Si BJT)和砷化稼場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaAs MESFET)。尤其是GaAs MESFET.由于其優(yōu)良的噪聲、增益和功率性能業(yè)己獨(dú)占前端或射頻單片微波集成電路(MMIC)應(yīng)用。近年來(lái)隨著工作頻率的提高(頻譜過(guò)分擁擠和對(duì)更高性能的需求).開(kāi)始追蹤其它晶體管技術(shù).開(kāi)始研究GAAs異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)和高電子遷移率晶體管(HEMT).更吸引人的技術(shù)如Inp基晶體管也開(kāi)始探索

不同晶體管技術(shù)性能比較

當(dāng)今用于移動(dòng)通信系統(tǒng)的GaAs IC大部分是MESFET}.己成為低噪聲和功率放大器的主要微波固態(tài)器件.并目‘仍是MMIC的最重要工藝。MESFET的柵長(zhǎng)是關(guān)鍵參數(shù).它愈短.最高工作頻率愈高。標(biāo)準(zhǔn)的MESFET工藝給出0.5um柵長(zhǎng).與其對(duì)應(yīng)的最高工作頻率約為18GHz.更高性能工藝給出柵長(zhǎng)0.2Um.其對(duì)應(yīng)的頻率增加到25 GHz左右。耗盡型MESFET(最通用的型式)的缺點(diǎn)是為了控制柵極必須附加一個(gè)負(fù)的柵偏壓.囚此為了器件正常工作.需要兩個(gè)獨(dú)立的電源.與MESFET相比.在性能和成本上都上一臺(tái)階的是屑配高電子遷移率晶體管(PHEMT}.該工藝技術(shù)傳統(tǒng)上用在毫米波段(30-V300 GH2}.與采用同質(zhì)結(jié)的常規(guī)器件不同.MESFET有一個(gè)異質(zhì)結(jié).由兩種不同性質(zhì)材料如AlGaAd、和GaAs構(gòu)成結(jié).這種結(jié)構(gòu)的傳輸機(jī)理與MESFET 相比.給出更高的電子遷移率和更高的工作頻率。PHEMT的主要優(yōu)勢(shì)是其可1.3．RFIC發(fā)展趨勢(shì)

? 高度集成 ? 減小體積 ? 降低電源電壓 ? 降低成本

1.4.RFIC的現(xiàn)狀

在RF領(lǐng)域中，性能、工藝的要求要比數(shù)字集成 電路本身復(fù)雜得多。其中，功耗、速度、成品率是最主要的參數(shù) 由于印刷電路工藝的不斷完善和單片集成度的提高，這些性能不可避免地得到提高。同時(shí)，RF IC還要考慮到噪聲(寬帶和窄帶)、線性度、增益和功效。這樣，應(yīng)用于RF IC中的優(yōu)化器件一直在不斷完善和發(fā)展。當(dāng)前，RF設(shè)計(jì)者在1～ 2 GHz的頻段主要的選擇有：Si CMOS，BiCMOS，工作在較低的電源電壓(小于3 V).而MESFET需要 4V或更高。

與PHEMT類似的一種異質(zhì)結(jié)器件—砷化稼異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(GaAs HBT).作為MESFET技術(shù)的另一個(gè)挑戰(zhàn)者正在吸引大量的注意HBT是一種改進(jìn)的雙極晶體管.其發(fā)射區(qū)和基區(qū)是由不同帶隙的半導(dǎo)體構(gòu)成.發(fā)射區(qū)具有寬帶隙材料.這種發(fā)射極結(jié)構(gòu)提供一勢(shì)壘.擋空穴注入基區(qū).而有利于電子的注入由于在發(fā)射極采用寬帶隙材料HBT基區(qū)層摻雜濃度可非常高.從而維持高的電源增益.在GaAs HBT中基區(qū)薄層電阻僅200 SZ/巨.比典型的SIBJT'差夯考翻據(jù)一個(gè)數(shù)量級(jí)·容許大的圖形尺寸;C}aAs半絕緣襯底消除了收集極一襯底電容·該電容在電路中是對(duì)延遲時(shí)間常數(shù)的主要貢獻(xiàn).導(dǎo)致的增益帶寬較低另外.GaAs的電子遷移率8500 cm-/V一比Si的1500 cm-/V “ s高得多.允許GaAs HIS”I}在低的Vce(小于1V)達(dá)到高的F.這有利于低電壓、小功率電路l}}i用。然而SJBJT為了達(dá)到高的F.則需要幾伏的V 因此本質(zhì)上GaAs HBT是一種超負(fù)載雙極晶體管。由于HBT是雙極工藝.器件可以在單一正電源電壓卜工作.無(wú)需象M I:SFI:“I}和YHI':M”I“那樣需要雙電源工作。HBT的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是它具有縱向結(jié)構(gòu).電流從發(fā)射極到收集極垂直流過(guò)HY”I“.而不象M ESFET橫向流動(dòng)。縱向電流流動(dòng)維持高的功率密度.囚此HBT”是比M ESFET更為有效的功率放大器件.三.CMOS關(guān)鍵技術(shù) 3.1.RFIC 系統(tǒng)

這是第一代數(shù)字蜂窩標(biāo)準(zhǔn)，它是一個(gè)典型的PCS實(shí)例。其它的PCS標(biāo)準(zhǔn)包括IS一95、GSM 和DCS

一1800。通過(guò)它可以了解一些RF的基本模塊結(jié)構(gòu)。

它的發(fā)射端RF頻段為824~849 MHz，接收端 的頻段為869 894 MHz。在整個(gè)系統(tǒng)中，接收端面 臨極大的挑戰(zhàn)，因?yàn)樾盘?hào)載波頻率為880 MHz，而信號(hào)帶寬本身只有30 kHz。這就要求RF接收端要能 夠從其它競(jìng)爭(zhēng)信號(hào)和干擾中將有用信號(hào)提取出來(lái)，它們的比值小于10_。考慮到單元尺寸、傳輸功率、帶寬，接收端的典型噪聲為3 dB或者更低。LNA(1ow noise amplifier)主要影響接收端的整體噪聲系數(shù)。發(fā)射端功率放大器PA要求能夠達(dá)到23 dBm，盡管設(shè)計(jì)時(shí)功放的最大峰值是30 dBm或者更高。減 d,~i]Z3 dBm主要是為了保證系統(tǒng)要求達(dá)到的線性。

另一個(gè)高Q值的帶通濾波器應(yīng)用于輸出端，以滿足射頻輸出對(duì)FCC的要求。在2．7 V 電源供電的情況下，系統(tǒng)載波的寄生特性通常要求在60 dB以下，以保持功率放大器達(dá)到理想的高增益、高線性和在完全帶寬和輸出功率范圍內(nèi)的高功效低相位噪聲的壓控振蕩器(VCO)決定著變頻器的性能。由于系統(tǒng)信道帶寬只有30 kHz，VCO 的相位噪聲成為關(guān)鍵參數(shù)。低噪聲放大器，功率放大器，壓控振蕩器和雙向開(kāi)關(guān)是RF IC中最關(guān)鍵的幾個(gè)基本單元。

3.2 基于CMOS工藝的RF關(guān)鍵模塊單元的發(fā)展?fàn)顩r

A.低噪聲放大器

低噪聲放大器(LNA)是RF系統(tǒng)前端的關(guān)鍵單 元之～，它決定著接收端系統(tǒng)的整體噪聲系數(shù)。

為了與GaAs和雙極工藝競(jìng)爭(zhēng)，CMOS LNA的低功耗(約10 mw)和低噪聲系數(shù)(約2 dB)必須等于或者優(yōu)于前者。當(dāng)然，在標(biāo)準(zhǔn)的CMOS數(shù)字電路中，同時(shí)要求盡可能少的額外無(wú)源器件。但在CMOS LNA 中，低功耗和低噪聲系數(shù)很難同時(shí)滿足。

CMOS LNA 中常使用輸入、輸出匹配網(wǎng)絡(luò)以減小功耗。在0．35 m 工藝下，功耗為0．9 mw 時(shí)，CMOS LNA 的噪聲系數(shù)可以達(dá)到1．8 dBt。目前，在0．8 m CMOS工藝基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)的CMOS LNA，可以

在附加一個(gè)外部電感和輸入輸出電阻為5O Q時(shí)取得好的特性[4]。它采用單級(jí)放大器拓?fù)潆姼胸?fù)反饋，單級(jí)拓?fù)淇梢詼p小功耗和提高P d 和IP3的特性。單級(jí)放大器可以改進(jìn)反轉(zhuǎn)隔離和減小Miller效應(yīng)。同時(shí)，使用電感負(fù)反饋有利于獲得輸入和噪聲的同步匹配。此時(shí)，LNA 的噪聲系數(shù)在6．2 mw 時(shí)為2 dB，8．1 mw 時(shí)為1．78 dB，13．2 mw 時(shí)為1．5dB，3O mw 時(shí)為1．2 dB。在3O mw 和 等于3．0 V時(shí)，LNA 的功率增益為14．5 dB，此時(shí)，IIP3為一1 dBm。在6．2 mw 和 等于2．7 V 時(shí)，LNA 的功率 增益為9．4 dB，此時(shí)，IIP3為一3．8 dBm。

B.功率放大器

按電流通角劃分功率放大器(PA)，有A、B、C 三種工作狀態(tài)。A 類放大器的流通角為360。，B類放大器的流通角為18O。，C 類放大器的流通角小于18O。，A類放大器適用于小信號(hào)低功率放大，B、C類都適用于大功率。三種放大器中，以C類的輸出功率和效率為最高，而PA 的線性度依次下降。后又有工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)的D、E類放大器。E類放大器的效率理論上可達(dá)到100，但由于開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換瞬間所產(chǎn)生的器件功耗的限制而很難達(dá)到。功率放大器的主要參數(shù)有線性度、漏極效率和附加效率。線性度受IP3、相鄰信道功率、ldB壓縮點(diǎn)和非線性失真的限制。漏極效率定義為

附加效率為

de式中，P r，lJ 為RF輸入功率，Pr，為RF輸出功率，P 為直流功率。PA作為RF的重要單元，電路要求同時(shí)滿足線性度、增益、輸出功率和功效的要求。但由于電源電壓的下降(5 V到3 V 或者更低)導(dǎo)致的阻抗匹配的限制，PA很難保證要求的輸出功率和功效。綜合各種要求，C類在A、B、C三類PA 中較為均衡，因此成為首選。

目前，RF 系統(tǒng)中PA 在0．6 m N 阱三層金屬 CMOS工藝上設(shè)計(jì)優(yōu)化口，它的輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò) 中使用第三層金屬螺旋電感，在3 V 和85 mw 下，900 MHz C類放大器的漏極效率是55。

C.壓控振蕩器

壓控振蕩器(VCO)是RF電路設(shè)計(jì)者面對(duì)的最

具挑戰(zhàn)性的單元之一。理想的VCO輸出在一定的 頻段內(nèi)是不存在相位噪聲的，并且它不隨溫度、輸出負(fù)載、電源電壓的波動(dòng)而改變。實(shí)際上，這是很難實(shí)現(xiàn)的。由振蕩器的電感所決定的振蕩器品質(zhì)因子影響著壓控振蕩器的相位噪聲，Leeson提出了一個(gè)與試驗(yàn)結(jié)果相符的很好的描述振蕩器的相位噪聲簡(jiǎn)單表達(dá)式，后來(lái)，Scherer發(fā)展了Leeson的表達(dá)式來(lái)描述閃爍噪聲。低噪聲振蕩器需要較大的輸出放大和低噪聲放大，以獲得最好特性，因此，在品質(zhì)因子Q 很難顯著提高的情況下，為滿足一定功耗，VCO 的相位噪聲需要得到顯著的改善。目前，0．6 m CMOS工藝上實(shí)現(xiàn)的L—C VCO 在2．0 GHz，偏頻100 kHz，直流功耗22 mw 下，其相位噪聲可達(dá)到一103 dBc／Hz L6。

D.開(kāi)關(guān)

高特性的微波開(kāi)關(guān)是在大多數(shù)TDD輸入系統(tǒng)中的一個(gè)關(guān)鍵模塊，因?yàn)樵谳斎胼敵瞿K之間它們 的表現(xiàn)極為重要。通常，微波開(kāi)關(guān)是由高質(zhì)量的二極管實(shí)現(xiàn)的。然而，由于所需要的控制電流較大，目前在手持設(shè)備中，開(kāi)關(guān)主要是由GaAs FET 實(shí)現(xiàn)的，這主要是由于它的低直流功耗。

當(dāng)傳輸功率電平超過(guò)+30 dBm，開(kāi)關(guān)處于3 V 或更低的電源電壓下時(shí)，其中主要的矛盾就更為尖 銳。在“開(kāi)”態(tài)保持線性和在“關(guān)”態(tài)保持隔離是主要的兩個(gè)問(wèn)題。結(jié)隔離si工藝在此面臨較大的困難，主要是因?yàn)殚_(kāi)關(guān)輸入在較大的功率偏移時(shí)，它要受襯偏結(jié)二極管的影響。在開(kāi)關(guān)這一特殊應(yīng)用器件中，絕緣襯底(如GaAs和CMOS／SOS)半導(dǎo)體IC工藝比體硅工藝有較明顯的優(yōu)勢(shì)。目前，在0．5 m CMOS工藝中，3．0 V 時(shí)，雙向開(kāi)關(guān)在928 MHz下 介入損耗達(dá)到0．7 dB，P aB達(dá)到17 dBm，而隔離

可達(dá)到42 dB。它具有較低的介入損耗主要是通過(guò)優(yōu)化偏壓和最小化襯底電阻，直流偏置發(fā)送和接收點(diǎn)在提高P1db把時(shí)減小電容

結(jié)束語(yǔ)

現(xiàn)在基于CMOS的射頻集成電路已廣泛的用于無(wú)線移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)中并且不斷地發(fā)展。目前，GaAs和雙極工藝是射頻收發(fā)端采用的主要技術(shù)，但從IC設(shè)計(jì)發(fā)展趨勢(shì)來(lái)看，潛在的低成本和單片集成會(huì)使CMOS應(yīng)用于1～2 GHz RFIC，并成為主導(dǎo)技術(shù)。為使性能良好、成本低的RF單片集成芯片應(yīng)用于無(wú)線通信產(chǎn)品中，IC設(shè)計(jì)者還需要不斷地進(jìn)行研究和探索。

參考文獻(xiàn)

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第二篇：射頻實(shí)驗(yàn)報(bào)告二

實(shí)驗(yàn)二

混頻器實(shí)驗(yàn)

一、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容

1.連接混頻器實(shí)驗(yàn)板，將混頻器設(shè)置為下變頻模式。

2.用射頻連接線將信號(hào)加至實(shí)驗(yàn)電路板，觀測(cè)本振信號(hào)和射頻信號(hào)以及中頻輸出的波形，記錄并分析。

3.觀測(cè)中頻輸出未經(jīng)過(guò)濾波電路和經(jīng)過(guò)濾波電路的輸出信號(hào)，分別記錄信號(hào)的波形并進(jìn)行分析。

4.保持本振不變，改變射頻信號(hào)的功率，測(cè)量得出混頻器的1dB壓縮點(diǎn)

二、實(shí)驗(yàn)記錄

1．記錄信號(hào)源產(chǎn)生的信號(hào)波形。

2．用示波器在測(cè)量點(diǎn)3、測(cè)量點(diǎn)4觀測(cè)本振信號(hào)和射頻信號(hào)的波形，記錄并分析。

測(cè)量點(diǎn)3：本振信號(hào)

測(cè)量點(diǎn)4：射頻信號(hào)

分析：設(shè)本振信號(hào)為：，射頻信號(hào)為：，圖可知對(duì)于本振信號(hào)為15MHZ，本振信號(hào)峰峰值為380mv。

對(duì)于射頻信號(hào)為20MHZ，峰峰值為52mv。

3．用示波器在測(cè)量點(diǎn)5和輸出2端分別觀測(cè)未經(jīng)過(guò)濾波電路和經(jīng)過(guò)濾波電路的輸出信號(hào)，分別記錄信號(hào)的波形并進(jìn)行分析。

測(cè)量點(diǎn)5輸出信號(hào)波形：

分析：測(cè)試點(diǎn)5輸出信號(hào)為中頻信號(hào)，從頻域角度看，變頻是一種頻譜的線性搬移，輸出中頻信號(hào)與輸入射頻信號(hào)的頻譜結(jié)構(gòu)相同，唯一不同得是載頻。從時(shí)域波形看，輸出中頻信號(hào)的波形與輸入射頻信號(hào)的波形相同，不同的也是載波頻率。

輸出2端輸出信號(hào)波形：

分析：濾波前的輸出信號(hào)波形有毛刺，有失真，說(shuō)明有噪聲干擾；濾波后波形比較光滑。輸出信號(hào)通過(guò)濾波器，利用電路的幅頻特性，其通帶的范圍設(shè)為有用信號(hào)的范圍，而把其他頻譜成分過(guò)濾掉，從而濾除無(wú)用信號(hào)和噪聲干擾。

4·改變射頻信號(hào)的功率，在產(chǎn)生射頻信號(hào)的信號(hào)源輸出端和輸出3端分別測(cè)量射頻輸入信號(hào)的幅度VRF和中頻放大輸出信號(hào)的幅度VIF，分析計(jì)算混頻器的1dB壓縮點(diǎn)。

輸入信號(hào)幅度VRF（單位mV）：100,200,300,400,500,600,700,800,900,1000,1100,1200,1300,1400,1500,1600,1700

對(duì)應(yīng)輸出信號(hào)幅度VIF（單位mV）：66,124,176,230,278,320,365,388,408,416,445,448,456,464,464,464,472則計(jì)算可得

輸入功率PRF（單位*10^4mW）：1,4,9,16,25,36,49,64,81,100,121,144,169,196,225,256,289

輸出功率PIF（單位*10^3mW）:4.356,15.376,30.976,52.9,77.284,102.4,133.225,150.544,166.464,173.056,198.025,200.704,207.936,215.296,215.296,215.296,222.784對(duì)應(yīng)圖像：由于其電阻值相同，故功率可直接寫(xiě)成信號(hào)幅度的平方，對(duì)前四個(gè)值進(jìn)行擬合后的函數(shù)為w=3.2414*x+1.1146

轉(zhuǎn)換為dBm后的圖像為(w=0.9011*x1+0.3469)：

由圖可得1dB壓縮點(diǎn)的位置大致在輸入功率65dBm左右。

5.改變射頻信號(hào)的頻率，記錄下不同的射頻頻率及其對(duì)應(yīng)的中頻信號(hào)頻率，繪出中頻頻率隨射頻頻率變化的曲線。

射頻頻率（MHz）：6,7,8,9,10,11,12,13,14,15,16,17,18,19,20

對(duì)應(yīng)中頻信號(hào)頻率（MHz）：9.01,8.00,6.99,5.99,5.00,4.00,3.01,2.00,1.00,0.00,1.00,2.00,2.99,4.00,5.00

對(duì)應(yīng)圖像：

三、思考題

1.一般情況下，環(huán)行變頻器的射頻口輸入信號(hào)都要求信號(hào)的頻率值，而中頻輸出信號(hào)的頻率值卻可以從最高頻率延伸到直流，請(qǐng)結(jié)合實(shí)驗(yàn)原理說(shuō)明是什么原因？

因?yàn)橹蓄l輸出信號(hào)頻率fIF=fRF-fLO，本振信號(hào)頻率fLO從0Hz到fIF，當(dāng)fLO=0時(shí)，中頻輸出信號(hào)頻率fIF=fRF，為最高頻率當(dāng)fLO=

fRF時(shí)，中頻輸出信號(hào)頻率fIF=0。

2．混頻器產(chǎn)生干擾的原因有哪些？

由于器件非線性特性的高次方項(xiàng)，使本振與輸入信號(hào)除產(chǎn)生有用中頻分量外還會(huì)產(chǎn)生很多組合頻率，當(dāng)某些組合頻率落到中頻帶寬內(nèi)，就形成了對(duì)有用中頻信號(hào)的干擾。一般可分為以下幾種：

(1)

干擾哨聲

混頻器的中頻是。若本振和射頻的諧波引起的組合滿足，其中是音頻，p、q為整數(shù)，它是由非線性器件的（p+q）次方產(chǎn)生的。則這些組合頻率分量和有用中頻就會(huì)在檢波器輸出產(chǎn)生差頻，形成哨叫聲，稱此為干擾哨聲。

(2)

寄生通道干擾

當(dāng)混頻器的輸入信號(hào)中伴有干擾信號(hào)時(shí)，本振除與射頻產(chǎn)生中頻信號(hào)外，還可能與干擾相互作用產(chǎn)生中頻，即：，它是由非線性器件的（q＋p）次方項(xiàng)產(chǎn)生的。若把射頻信號(hào)與本振產(chǎn)生中頻的通道稱為主通道，則干擾與本振產(chǎn)生中頻的通道稱為寄生通道。寄生通道產(chǎn)生的中頻干擾了有用信號(hào)的中頻分量。

(3)

互調(diào)失真

當(dāng)混頻器的射頻輸入口有多個(gè)干擾信號(hào)、同時(shí)進(jìn)入時(shí)，每個(gè)干擾信號(hào)單獨(dú)與本振作用的組合頻率并不等于中頻，但可能會(huì)產(chǎn)生如式

所示的組合頻率分量，使變頻器的輸出中頻失真。它是由非線性器件的（r＋s＋1）次方產(chǎn)生的。這種由兩個(gè)干擾信號(hào)相互作用而產(chǎn)生的干擾稱為互調(diào)失真。r和s的值越小，相應(yīng)產(chǎn)生的寄生中頻分量的幅度越大，互調(diào)失真就越嚴(yán)重

3．混頻器克服干擾的措施有哪些？

（1）提高混頻器前端電路的選擇性（如天線回路的選擇性）

（2）將中頻選在接收頻段以外，避免產(chǎn)生最強(qiáng)干擾哨聲，同時(shí)也可以有效地發(fā)揮混頻前各級(jí)電路的濾波作用。

（3）合理選擇混頻管的工作點(diǎn)，使其主要工作在器件特性的二次方區(qū)域，或者選擇具有平方律特性的場(chǎng)效應(yīng)管作為混頻器件，可減少輸出組合頻率數(shù)目，進(jìn)而減少混頻干擾。

（4）采取各種平衡電路，如模擬乘法器、平衡混頻器、環(huán)形混頻器，可以大大減少組合頻率分量，也就減少了混頻干擾。

四、實(shí)驗(yàn)總結(jié)與心得體會(huì)

通過(guò)此次實(shí)驗(yàn)理解了混頻器的工作原理，也理解了混頻器的產(chǎn)生干擾類型及原因以及克服干擾的措施，對(duì)1dB截止頻率也有了更深的理解

第三篇：射頻工程師經(jīng)驗(yàn)總結(jié)

經(jīng)常有網(wǎng)友在網(wǎng)絡(luò)上問(wèn)，一個(gè)射頻工程師應(yīng)具備哪些知識(shí)，怎樣才能把射頻工作做好。有一個(gè)關(guān)于這個(gè)問(wèn)題的討論貼都跟貼了幾十條，看來(lái)這是一個(gè)普遍的問(wèn)題。那么怎么樣才能把射頻工作做好呢？可以說(shuō)沒(méi)有一個(gè)人敢說(shuō)這樣或者那樣就一定可以學(xué)好射頻，做好射頻；很簡(jiǎn)單，如果你的大學(xué)老師，你的導(dǎo)師這樣的專業(yè)理論教師都沒(méi)讓你感覺(jué)對(duì)學(xué)射頻技術(shù)有所收獲的話，那么很難說(shuō)其它人就能讓你知道怎么學(xué)習(xí)射頻技術(shù)。我本身的專業(yè)不是學(xué)微波技術(shù)的，從事RF電路設(shè)計(jì)工作不到七年，可以說(shuō)當(dāng)初對(duì)如何學(xué)習(xí)射頻技術(shù)根本就是沒(méi)有方向的。如何學(xué)習(xí)RF技術(shù)，以前和現(xiàn)在都是我非常頭腦的問(wèn)題。那如何學(xué)好射頻呢？我想必須從射頻工作的具體內(nèi)容說(shuō)起。射頻工程師的具體工作內(nèi)容：現(xiàn)在人力資源領(lǐng)域把有關(guān)微波和射頻技術(shù)方面的工程師分為幾個(gè)名稱，一般可以從名稱看出其需要的射頻工程師的工作內(nèi)容。比如，如果一個(gè)職位是“微波工程師”或“射頻工程師”，而這個(gè)公司是做通信設(shè)備的，那么其工作內(nèi)容應(yīng)該是小信號(hào)的低噪聲放大器、頻率合成器、混頻器以及功率放大器等單元電路和電路系統(tǒng)的設(shè)計(jì)工作；如果一個(gè)職位是“射頻工程師”，而這個(gè)公司是做RFID的，那么要不就是做微帶天線和功率放大器、低噪聲放大器、頻率合成器的設(shè)計(jì)工作（900MHz以上的高頻段），就是僅僅做電場(chǎng)天線和功率放大器的設(shè)計(jì)工作（30MHz以下頻段）；其它如手機(jī)企業(yè)，都是專向的“手機(jī)射頻工程師”等。那么這些射頻工程師的具體工作內(nèi)容有哪些呢？無(wú)外乎以下內(nèi)容：

1.電路系統(tǒng)分析，有些通信設(shè)備公司的項(xiàng)目中，射頻工程師需要負(fù)責(zé)對(duì)整個(gè)RF系統(tǒng)的電路進(jìn)行系統(tǒng)分析，指導(dǎo)系統(tǒng)設(shè)計(jì)指標(biāo)、分配單元模塊指標(biāo)、規(guī)范EMC設(shè)計(jì)原則、提出配附件功能和性能要求等等；

2.電路原理設(shè)計(jì)，包括框圖設(shè)計(jì)和電路設(shè)計(jì)，這是射頻工程師所必須具備的基本技能。這也是由系統(tǒng)設(shè)計(jì)延伸而來(lái)的，如何實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的目標(biāo)，就是電路原理設(shè)計(jì)的目的，它也是器件選型評(píng)估的“前因”，因?yàn)樵O(shè)計(jì)電路的過(guò)程也是一個(gè)器件選型的過(guò)程。

3.器件選型與評(píng)估，要實(shí)現(xiàn)電路的指標(biāo)要求，選擇合適的器件是必不可少的，這個(gè)過(guò)程其實(shí)與電路原理設(shè)計(jì)是同時(shí)進(jìn)行的。如何選擇相應(yīng)的器件，相比較而言同類型器件中哪一個(gè)更合適我們的產(chǎn)品設(shè)計(jì)？成本、性能、工藝要求、封裝、供應(yīng)商質(zhì)量、貨期等等，更是需要考慮的因素。4.軟件仿真，不管是ADS，MWO，Ansoft還是CST、HFSS，反正你總得會(huì)一到兩個(gè)仿真軟件的使用吧。仿真軟件不能讓你的設(shè)計(jì)達(dá)到百分百的準(zhǔn)確度，但總不會(huì)讓你的設(shè)計(jì)偏離基本方向，起碼它們?cè)诙ㄐ缘姆抡娣矫媸菧?zhǔn)確的。所以一定要學(xué)會(huì)使用一至兩種或更多種仿真軟件，它的基本作用就是讓你能夠定性的分析你的設(shè)計(jì)，誤差總是有的，但是它能增強(qiáng)你的信心。5.PCB-LAYOUT，原理就好比理論基礎(chǔ)，一萬(wàn)個(gè)應(yīng)用可以只依據(jù)一個(gè)理論，幾個(gè)產(chǎn)品也有可能只有一個(gè)原理圖，只要它的布線不一樣，好比手機(jī)，同一個(gè)手機(jī)方案很多公司都拿來(lái)設(shè)計(jì)，原理圖是一樣的，但是不同的公司布出來(lái)的PCB板不一樣，一個(gè)是外型不一樣，一個(gè)是性能也有差異。性能的差異，其實(shí)就是PCB-LAYOUT的差異。符合要求的PCB，其布局與布線兼顧性能、外觀、工藝、EMC等方面。所以，PCB-LAYOUT也是一個(gè)非常重要的技能。

6.調(diào)試分析，這個(gè)調(diào)試和生產(chǎn)調(diào)試不一樣。生產(chǎn)調(diào)試是指令性的，研發(fā)產(chǎn)品的調(diào)試的重點(diǎn)在于發(fā)現(xiàn)問(wèn)題和解決問(wèn)題。調(diào)試是一個(gè)總結(jié)和積累經(jīng)驗(yàn)的過(guò)程，不是說(shuō)通過(guò)調(diào)試來(lái)積累調(diào)試經(jīng)驗(yàn)，而是通過(guò)調(diào)試來(lái)積累設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)；很多問(wèn)題可能在設(shè)計(jì)時(shí)沒(méi)有被發(fā)現(xiàn)，那么通過(guò)調(diào)試發(fā)現(xiàn)以后，就知道以后在設(shè)計(jì)時(shí)如何規(guī)避這些問(wèn)題，如何改善這些問(wèn)題。調(diào)試也是一個(gè)實(shí)踐理論的最有效途徑，我們可以通過(guò)調(diào)試過(guò)程來(lái)定性理解理論知識(shí)。

7.測(cè)試，其實(shí)測(cè)試是為調(diào)試服務(wù)的，調(diào)試是為設(shè)計(jì)服務(wù)的（設(shè)計(jì)是為市場(chǎng)服務(wù)的）。射頻工程師必須熟練使用各種射頻測(cè)試儀器，不管是頻譜分析儀、網(wǎng)絡(luò)分析儀、信號(hào)源、示波器、功率計(jì)、噪聲系數(shù)測(cè)試儀、綜合測(cè)試儀等等。不會(huì)測(cè)試就很難有效調(diào)試，不能發(fā)現(xiàn)問(wèn)題如何得到提高呢？所以不要輕視測(cè)試技術(shù)，其實(shí)放眼國(guó)外RF企業(yè)，真正的高手都是從設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)到了測(cè)試技術(shù)，中間的原因值得我們思考。

第四篇：射頻健學(xué)習(xí)程序

#include “STC15F2K60S2.h” #include

#define uchar unsigned char #define uint unsigned int

sbit RF = P3^4;

//RF_in無(wú)線信號(hào)輸入

1腳

sbit PAD =P3^5;

//做定時(shí)器頻率測(cè)試用 3腳 sbit LED_red =P3^0;

//紅燈（指示燈）sbit OUTA = P3^1;

//繼電器A輸出sbit OUTB = P3^2;

//繼電器B輸出

sbit set = P3^3;

//設(shè)置鍵

bit

decode_ok;

//解碼成功 bit

decode_okA;

//解碼成功 bit decode_okB;

//解碼成功

uchar hh_w,ll_w;

//高,低電平寬度

uchar ma_x;

//接收到第幾位編碼了

uchar bma1,bma2,bma3;

//用于接收過(guò)程存放遙控編碼，編碼比較兩次，這是第一次 uchar idata mmb1,mmb2,mmb3;// 用于接收過(guò)程存放遙控編碼，第二次

bit rf_ok1,rf_ok2;

//解碼過(guò)程中的臨時(shí)接收成功標(biāo)志 bit old_rc5;

//保存上一次查詢到的電平狀態(tài) bit tb_ok;

//接收到同步的馬時(shí)置1

uchar mma1,mma2,mma3;

//用于解碼過(guò)程 bit rf_ok;

//接收到一個(gè)完整的遙控命令后置1,通知解碼程序可以解碼了 bit study=0;

//進(jìn)入學(xué)習(xí)狀態(tài)標(biāo)志 bit system_int;

//系統(tǒng)清零標(biāo)志

uchar temp_h;temp_l;bit bt_auto = 0;

//自動(dòng)設(shè)置遙控接收波特率標(biāo)志

bit L_M_select;uint s,s1;uchar s2;//下面變量的說(shuō)明： //[2][10][3]

->兩組存儲(chǔ)區(qū)，各10遙控器，兩個(gè)地址一個(gè)數(shù)據(jù)位。uchar idata key_number[2][10][3];//遙控器編碼數(shù)組，存放10個(gè)遙控器 uchar KEY_N[2]={0,0};

//以學(xué)習(xí)的遙控器數(shù)量 uint YKBUFF = 0;

//遙控對(duì)碼變量。uint T2time =0;uint idata T2buff[4]={0,0,0,0};uint idata T2timebuff[1];void Delay_Us(unsigned char time);void delay_1ms(uint x);

//1毫秒延時(shí)

//====== /////////片內(nèi)EEPROM讀寫(xiě)驅(qū)動(dòng)程序/////////////////////////// //====== void IAP_Disable(void);

//關(guān)閉IAP //讀一字節(jié)，調(diào)用前需打開(kāi)IAP 功能，入口:DPTR = 字節(jié)地址，返回:A = 讀出字節(jié) uchar read_add(uint addr);//讀EEPROM //字節(jié)編程，調(diào)用前需打開(kāi)IAP 功能，入口:DPTR = 字節(jié)地址, A= 須編程字節(jié)的數(shù)據(jù) void write_add(uint addr,uchar ch);//直接寫(xiě)EEPROM //擦除扇區(qū), 入口:DPTR = 扇區(qū)地址

void Sector_Erase(uint addr);//扇區(qū)擦除 void key_buffer(void);

//把遙控器碼從 EEPROM 復(fù)制到DATA void KEY_study(void);

//遙控器學(xué)習(xí)void system_res(void);

//系統(tǒng)清零

void set_scan(void);

//判斷學(xué)習(xí)鍵狀態(tài) void system_start(void);

//上電初始化

//==========================S void main()

//主函數(shù) {

uchar ONE_ONOFF = 0xFF;

system_start();WDT_CONTR = 0x7D;

//看門(mén)狗設(shè)置 晶振6MHz時(shí)為5秒

while(1){

if(decode_ok){

if(ONE_ONOFF){

ONE_ONOFF=0x00;

if(decode_okA){ OUTA=~OUTA;decode_okA=0;} if(decode_okB){ OUTB=~OUTB;decode_okB=0;}

Delay_Us(100);

}

delay_1ms(200);

} Else {

ONE_ONOFF=0xFF;

}

if(T2timebuff[0]==300)

//大于3秒 清

{

study=0;

system_res();

T2buff[3]=0;

//按鍵按下彈起標(biāo)旨

while(!set){ LED_red = ~LED_red;delay_1ms(150);}

LED_red=1;

} set_scan();WDT_CONTR

= 0x7D;

//喂狗

}

} //==========================GND void Delay_Us(unsigned char time){ while(time--){

_nop_();} }

void delay_1ms(uint x)

//1毫秒延時(shí)(延時(shí)函數(shù)){ uchar b,c;for(x;x>0;x--)

{

for(b=3;b>0;b--)

{

for(c=150;c>0;c--);

} } } //====== /////////片內(nèi)EEPROM讀寫(xiě)驅(qū)動(dòng)程序/////////////////////////// //====== void IAP_Disable(void)

//關(guān)閉IAP {

//關(guān)閉IAP 功能, 清相關(guān)的特殊功能寄存器,使CPU 處于安全狀態(tài)，//一次連續(xù)的IAP 操作完成之后建議關(guān)閉IAP 功能,不需要每次都關(guān)

IAP_CONTR = 0;

//關(guān)閉IAP 功能

IAP_CMD

= 0;

//清命令寄存器,使命令寄存器無(wú)命令,此句可不用

IAP_TRIG = 0;

//清命令觸發(fā)寄存器,使命令觸發(fā)寄存器無(wú)觸發(fā),此句可不用

IAP_ADDRH = 0;

IAP_ADDRL = 0;}//

//讀一字節(jié)，調(diào)用前需打開(kāi)IAP 功能，入口:DPTR = 字節(jié)地址，返回:A = 讀出字節(jié) uchar read_add(uint addr)//讀EEPROM {

IAP_DATA = 0x00;

IAP_CONTR = 0x84;

//打開(kāi)IAP 功能, 設(shè)置Flash 操作等待時(shí)間

IAP_CMD = 0x01;

//IAP/ISP/EEPROM 字節(jié)讀命令

IAP_ADDRH = addr>>8;

//設(shè)置目標(biāo)單元地址的高8 位地址

IAP_ADDRL = addr&0xff;

//設(shè)置目標(biāo)單元地址的低8 位地址

EA = 0;

IAP_TRIG = 0x5a;

//先送 46h,再送B9h 到ISP/IAP 觸發(fā)寄存器,每次都需如此

IAP_TRIG = 0xa5;

//送完 B9h 后，ISP/IAP 命令立即被觸發(fā)起動(dòng)

_nop_();

EA = 1;

IAP_Disable();

//關(guān)閉IAP 功能, 清相關(guān)的特殊功能寄存器,使CPU 處于安全狀態(tài)，//一次連續(xù)的IAP 操作完成之后建議關(guān)閉IAP 功能,不需要每次都關(guān)

return(IAP_DATA);}//----------------

//字節(jié)編程，調(diào)用前需打開(kāi)IAP 功能，入口:DPTR = 字節(jié)地址, A= 須編程字節(jié)的數(shù)據(jù) void write_add(uint addr,uchar ch)

//直接寫(xiě)EEPROM {

IAP_CONTR = 0x84;

//打開(kāi) IAP 功能, 設(shè)置Flash 操作等待時(shí)間

IAP_CMD = 0x02;

//IAP/ISP/EEPROM 字節(jié)編程命令

IAP_ADDRH = addr>>8;

//設(shè)置目標(biāo)單元地址的高8 位地址

IAP_ADDRL = addr&0xff;

//設(shè)置目標(biāo)單元地址的低8 位地址

IAP_DATA = ch;

//要編程的數(shù)據(jù)先送進(jìn)IAP_DATA 寄存器

EA = 0;

IAP_TRIG = 0x5a;

//先送 46h,再送B9h 到ISP/IAP 觸發(fā)寄存器,每次都需如此

IAP_TRIG = 0xa5;

//送完 B9h 后，ISP/IAP 命令立即被觸發(fā)起動(dòng)

_nop_();

EA = 1;

IAP_Disable();

//關(guān)閉IAP 功能, 清相關(guān)的特殊功能寄存器,使CPU 處于安全狀態(tài)，//一次連續(xù)的IAP 操作完成之后建議關(guān)閉IAP 功能,不需要每次都關(guān) }//----------------

//擦除扇區(qū), 入口:DPTR = 扇區(qū)地址

void Sector_Erase(uint addr)//扇區(qū)擦除

{

IAP_CONTR = 0x84;

//打開(kāi)IAP 功能, 設(shè)置Flash 操作等待時(shí)間

IAP_CMD = 0x03;

//IAP/ISP/EEPROM 扇區(qū)擦除命令

IAP_ADDRH =addr>>8;

//設(shè)置目標(biāo)單元地址的高8 位地址

IAP_ADDRL =addr&0xff;

//設(shè)置目標(biāo)單元地址的低8 位地址

EA = 0;

IAP_TRIG = 0x5a;

//先送 46h,再送B9h 到ISP/IAP 觸發(fā)寄存器,每次都需如此

IAP_TRIG = 0xa5;

//送完 B9h 后，ISP/IAP 命令立即被觸發(fā)起動(dòng)

_nop_();

EA = 1;}//----------------//================================= //解碼參數(shù)

//EV1527的振蕩電阻從430K 到 220K // void timeint()interrupt 1

//遙控接收，通過(guò)定時(shí)器0中斷，定時(shí)去查詢（中斷函數(shù)）

{

uchar x1,y1;

PAD=~PAD;

//做定時(shí)器頻率測(cè)試用 推腕

if(!bt_auto)

//自適應(yīng)波特率標(biāo)志

{

TL0=0xE4;

//

430K:FE/B5

220K:FF/30

TH0=0xFD;

}

else

{ TL0=temp_l;

//

430K:FE/B5

220K:FF/30

TH0=temp_h;

}

TF0=0;

// 清除T0中斷標(biāo)志

if(!RF){

ll_w++;old_rc5=0;

// 檢測(cè)到低電平低電平時(shí)間加1,記錄本次電平狀態(tài) }

else

// 檢測(cè)到高電平

{ hh_w++;

if(!old_rc5)

// 檢測(cè)到從低到高的跳變,已檢測(cè)到一個(gè)完整(高-低)電平周期

{

if(((hh_w>=2)&&(hh_w<=8))&&((ll_w>=50)&&(ll_w<=190))//判同步碼2/5 110/140 {

if((ll_w>=110)&&(ll_w<=140)){ ma_x=0;tb_ok=1;bma1=0;bma2=0;bma3=0;bt_auto=0;} else

{

if((ll_w>140)&&(ll_w<=160)){ ma_x=0;tb_ok=1;bma1=0;bma2=0;bma3=0;bt_auto=1;temp_h=0xfd;temp_l=0xb6;}//fe 6b

else

{

if((ll_w>160)&&(ll_w<=190))

{

ma_x=0;tb_ok=1;bma1=0;bma2=0;bma3=0;

bt_auto=1;temp_h=0xfd;temp_l=0x27;

} //fd dc

else

{

if((ll_w>70)&&(ll_w<=90))

{

ma_x=0;tb_ok=1;bma1=0;bma2=0;bma3=0;

bt_auto=1;temp_h=0xfe;temp_l=0x7b;} //ff 30

else

{

if((ll_w>90)&&(ll_w<=110)){

ma_x=0;tb_ok=1;bma1=0;bma2=0;bma3=0;bt_auto=1;temp_h=0xfe;temp_l=0x4b;} //ff 00

else

{

if((ll_w>=50)&&(ll_w<=70)){

ma_x=0;tb_ok=1;bma1=0;bma2=0;bma3=0;bt_auto=1;temp_h=0xfe;temp_l=0xc5;}//ff 7a

}

}

}

}

}

} else if((tb_ok)&&((ll_w>=10)&&(ll_w<=14)))

//

10/14 {

ma_x++;

//已經(jīng)接收到同步碼,判0 if(ma_x>23)

{

if(!rf_ok1){

mma1=bma1;mma2=bma2;mma3=bma3;//將接收到的編碼復(fù)制到解碼寄存器中

rf_ok1=1;

// 通知解碼子程序可以解碼了

tb_ok=0;bt_auto=0;

s=2000;

}

else

{

mmb1=bma1;mmb2=bma2;mmb3=bma3;//將接收到的編碼復(fù)制到解碼寄存器中

rf_ok2=1;

// 通知解碼子程序可以解碼了

tb_ok=0;

bt_auto=0;

} } }

else if((tb_ok)&&((ll_w>=2)&&(ll_w<=8)))

//

3/5

{ switch(ma_x)

{

case 0 : { bma1=bma1 | 0x80;break;}//遙控編碼第1位

case 1 : { bma1=bma1 | 0x40;break;}

case 2 : { bma1=bma1 | 0x20;break;}

case 3 : { bma1=bma1 | 0x10;break;}

case 4 : { bma1=bma1 | 0x08;break;}

case 5 : { bma1=bma1 | 0x04;break;}

case 6 : { bma1=bma1 | 0x02;break;}

case 7 : { bma1=bma1 | 0x01;break;}

case 8 : { bma2=bma2 | 0x80;break;}

case 9 : { bma2=bma2 | 0x40;break;}

case 10: { bma2=bma2 | 0x20;break;}

case 11: { bma2=bma2 | 0x10;break;}

case 12: { bma2=bma2 | 0x08;break;}

case 13: { bma2=bma2 | 0x04;break;}

case 14: { bma2=bma2 | 0x02;break;}

case 15: { bma2=bma2 | 0x01;break;}

case 16: { bma3=bma3 | 0x80;break;}

//2262按鍵狀態(tài)第1位

case 17: { bma3=bma3 | 0x40;break;} case 18: { bma3=bma3 | 0x20;break;}

case 19: { bma3=bma3 | 0x10;break;} case 20: { bma3=bma3 | 0x08;break;}

//ev1527按鍵狀態(tài)第1位 case 21: { bma3=bma3 | 0x04;break;} case 22: { bma3=bma3 | 0x02;break;} case 23: { bma3=bma3 | 0x01;

if(!rf_ok1)

{

mma1=bma1;mma2=bma2;mma3=bma3;//將接收到的編碼復(fù)制到解碼

寄存器中

rf_ok1=1;

// 通知解碼子程序可以解碼了

tb_ok=0;bt_auto=0;

s=2000;break;

} else

{

mmb1=bma1;mmb2=bma2;mmb3=bma3;//將再次接收到的編碼復(fù)制

到解碼寄存器中

rf_ok2=1;

// 通知解碼子程序可以解碼了

tb_ok=0;

bt_auto=0;

break;

}

}

}

ma_x++;

} else

{

//接收到不符合的高-低電平序列

ma_x=0;tb_ok=0;bt_auto=0;bma1=0;bma2=0;bma3=0;hh_w=1;ll_w=0;

}

ll_w=0;hh_w=1;

}

old_rc5=1;

// 記錄本次電平狀態(tài)

} if(rf_ok1)

//規(guī)定時(shí)間內(nèi)接受到2幀相同的編碼數(shù)據(jù)才有效

{

s--;if(!s){rf_ok1=0;} if(rf_ok2)

{

if((mma1==mmb1)&&(mma2==mmb2)&&(mma3==mmb3))

{

rf_ok=1;

rf_ok1=0;

rf_ok2=0;

} else

{

rf_ok=0;

rf_ok1=0;

rf_ok2=0;

}

}

}

if((rf_ok)&&(!study))

//判斷是否是學(xué)習(xí)狀態(tài)

{

EA=0;rf_ok=0;

for(y1=0;y1<2;y1++){

for(x1=0;x1<10;x1++)

{

if((mma1==key_number[y1][x1][0])&&(mma2==key_number[y1][x1][1])&&(mma3==key_number[y1][x1

{

][2]))//

if(y1==0)//檢測(cè)到第一個(gè)鍵

{

decode_ok=1;decode_okA=1;s1=2000;break;

}

if(y1==1)//檢測(cè)到第二個(gè)鍵

{

decode_ok=1;decode_okB=1;

}

EA=1;

} if(decode_ok)

{

s1--;if(!s1)

{

}

}

}

s1=2000;

break;

} } }

//解碼有效信號(hào)，類似2272 PT腳 decode_ok=0;

//T2終斷服務(wù)程序

/*定時(shí)器2@ 6MHz晶振0.01秒 =10mS*/ void t2int()interrupt 12

//中斷函數(shù) { T2time++;

if(T2time>61)

//1S {

T2time=0;T2buff[0]=0;

//計(jì)錄按鍵一秒內(nèi)按下次數(shù)

} if((!set)&(T2buff[1]==0))//10mS抗干擾

{

T2buff[1]+=1;} else{

if(!set){

if(T2timebuff[0]<1000){T2timebuff[0]++;} //計(jì)錄控鍵按下時(shí)間

if(T2buff[2]==0)//按下進(jìn)一次 {

T2buff[2]=1;

T2buff[0]+=1;

T2time=0;

T2buff[3]=1;//按鍵按下彈起標(biāo)旨

LED_red=0;

}

} if(set){ T2buff[1]=0;T2buff[2]=0;T2timebuff[0]=0;

//抗干擾 }

}

if((set)&(T2buff[3]))//按鍵彈起================================= {

if(T2time>60)//1S后

{

if(T2buff[0]==1){//0.5S按下一次按鍵 study=1;

LED_red=0;

YKBUFF=0;

T2buff[3]=0;

} Else {

if(T2buff[0]==2)//0.5S按下2次按鍵 {

study=1;

delay_1ms(150);

LED_red=1;

delay_1ms(150);

LED_red=0;

delay_1ms(150);

LED_red=1;

delay_1ms(150);

LED_red=0;

YKBUFF=1;

T2buff[3]=0;} Else {

T2buff[3]=0;

}

}

}

} }

void key_buffer(void)

//把遙控器碼從 EEPROM 復(fù)制到DATA { uchar n=0;uchar v,w;

for(v=0;v<10;v++)

{

for(w=0;w<3;w++)

{

key_number[0][v][w]= read_add(0x0000+n);

n++;

}

}

for(v=0;v<10;v++)

{

for(w=0;w<3;w++)

{

key_number[1][v][w]= read_add(0x0000+n);

n++;

}

}

KEY_N[0]=read_add(0x003C);KEY_N[1]=read_add(0x003D);} void KEY_study(void)

//遙控器學(xué)習(xí){

uchar num_rf;uchar d_num;uchar m,i,s;if(study==1)

{

rf_ok=0;

d_num=0;

while(!rf_ok)

{

delay_1ms(100);

d_num++;

if(d_num>500)break;

}

d_num=0;

if(rf_ok==1)

{

EA=0;

if(YKBUFF)//第二組 {

num_rf=KEY_N[1];

//取已學(xué)習(xí)的遙控器數(shù)量

if(num_rf>0x09){ num_rf=0;KEY_N[1]=0;//如果遙控器數(shù)量超過(guò)10個(gè)，覆蓋最先學(xué)習(xí)的 }

key_number[YKBUFF][num_rf][0]=mma1;

key_number[YKBUFF][num_rf][1]=mma2;

key_number[YKBUFF][num_rf][2]=mma3;

KEY_N[1]=KEY_N[1]+1;

} Else

/第一組

{

num_rf=KEY_N[0];

//取已學(xué)習(xí)的遙控器數(shù)量

if(num_rf>0x09){ num_rf=0;KEY_N[0]=0;//如果遙控器數(shù)量超過(guò)10個(gè)，覆蓋最先學(xué)習(xí)的}

key_number[YKBUFF][num_rf][0]=mma1;

} }

key_number[YKBUFF][num_rf][1]=mma2;

key_number[YKBUFF][num_rf][2]=mma3;

KEY_N[0]=KEY_N[0]+1;

}

Sector_Erase(0x0000);

num_rf=0;

for(m=0;m<2;m++)

{

for(i=0;i<10;i++)

{

for(s=0;s<3;s++)

{

write_add(num_rf,key_number[m][i][s]);

num_rf+=1;

}

}

}

write_add(0x003C,KEY_N[0]);

write_add(0x003D,KEY_N[1]);

rf_ok=0;

LED_red=1;delay_1ms(500);

EA=1;

}

else

{

rf_ok=0;

for(num_rf=0;num_rf<4;num_rf++)

//操作超時(shí)

{

LED_red=1;

delay_1ms(500);

LED_red=0;

delay_1ms(500);

}

set=1;

} d_num=0;study=0;void system_res(void)//系統(tǒng)清零

{

Sector_Erase(0x0000);

write_add(0x0000,0x00);

key_buffer();

}

void set_scan()

//判斷學(xué)習(xí)鍵狀態(tài)

{

if(study)

{

KEY_study();

//進(jìn)入遙控學(xué)習(xí)狀態(tài)

} }

void system_start(void)

//上電初始化 {

AUXR=0x80;

//T0的時(shí)鐘速度是傳統(tǒng)8051的12倍

OUTA=0;OUTB=0;

P3M1=0X00;P3M0=0X27;

TMOD &= 0xF0;

TMOD |= 0x01;

TL0 = 0xE4;

TH0 = 0xFE;

TF0 = 0;TR0 = 1;

ET0=1;

//

AUXR |= 0x04;//定時(shí)器時(shí)鐘1T模式

T2L = 0xA0;

//設(shè)定時(shí)初值

T2H = 0x15;

//設(shè)定時(shí)初值

AUXR |= 0x10;//定時(shí)器2開(kāi)始計(jì)時(shí) IE2 |= 0x04;

//開(kāi)定時(shí)器2中斷

key_buffer();EA=1;}// 18

第五篇：射頻工程師面試問(wèn)題(經(jīng)典)

1.射頻線一般走多寬，微帶線一般如何處理。差分線怎么走，線間距一般是多少。

2.PA供電一般走多寬，W和GSM分別都是什么范圍。

3.WCDMA及TD的輸出端加的SAW的作用主要作用是什么。

4.如果W的ACLR 指標(biāo)不好，那么該怎么調(diào)。

5.W的雙工器的隔離度一般是多少

6.如果某頻段的接收靈敏度不平，如高信道好，低信道差，該調(diào)哪里。

7.校準(zhǔn)的原理，包含APC,AGC,AFC校準(zhǔn)。

8.W或TD手機(jī)呼叫的流程。

9.W的手機(jī)調(diào)哪里才能讓發(fā)射收斂。

10.TX noise的問(wèn)題一般如何解決。

11.desence 的問(wèn)題的解決思路一般是什么。

12.手機(jī)功率耦合器的作用是什么，有的是每個(gè)PA都有耦合器，有的是在輸出端一個(gè)耦合器，區(qū)別是什么。

13.手機(jī)射頻系統(tǒng)架構(gòu)。

14.各通信制式的靈敏度如何確定的。

15.如何讓GSM 手機(jī)在4個(gè)頻段上自動(dòng)切換，順序是什么。

16.VCTCXO和crystal的區(qū)別是什么，校準(zhǔn)的方式分別是什么。

由于手機(jī)不斷移動(dòng)，手機(jī)和基站之間的距離不斷變化，因此手機(jī)的發(fā)射功率不是固定不 變的，基站根據(jù)距離遠(yuǎn)近的不同向手機(jī)發(fā)出功率級(jí)別信號(hào)，手機(jī)收到功率級(jí)別信號(hào)后會(huì)自動(dòng)調(diào)整自身的功率，離基站遠(yuǎn)時(shí)發(fā)射功率大，離基站近時(shí)發(fā)射功率小。具體過(guò)程如下：手機(jī)中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器存放有功率級(jí)別表，當(dāng)手機(jī)收到基站發(fā)出的功率級(jí)別要求時(shí)，在CPU的控制下，從功率表中調(diào)出相應(yīng)的功率級(jí)別數(shù)據(jù)，經(jīng)數(shù)/模轉(zhuǎn)換后變成標(biāo)準(zhǔn)的功率電平值，而手機(jī)的實(shí)際發(fā)射功率經(jīng)取樣后也轉(zhuǎn)換成一個(gè)相應(yīng)的電平值，兩個(gè)電平比較產(chǎn)生出功率誤差控制電壓，去調(diào)節(jié)發(fā)射機(jī)激勵(lì)放大電路、預(yù)放、功放電路的放大量，從而使手機(jī)的發(fā)射功率調(diào)整到要求的功率級(jí)別上。