第一篇：各種太陽能電池的優缺點

各種不同太陽電池的優缺點分析

http://news.cecb2b.com/ 來源：元器件交易網 日期：2012年05月10日

硅太陽電池的應用日趨廣泛, 但昂貴的原材料成為發展的瓶頸.薄膜太陽電池由于只需使用一層極薄的光電材料，材料使用非常少。并可使用軟性襯底，應用彈性大，如果技術發展成熟，其市場面將相當寬闊。本文就迄今被人們廣為關注的薄膜太陽電池, 即非晶硅薄膜太陽電池，微(多)晶硅薄膜太陽電池，銅銦硒薄膜太陽電池，碲化鎘薄膜太陽電池，染料敏化薄膜太陽電池和有機薄膜太陽電池的發展概況,技術難點和優缺點進行論述。

引言

新能源和可再生能源是21世紀世界經濟發展中最具決定性影響的技術領域之一。光伏電池是一種重要的可再生能源,既可作為獨立能源, 亦可實現并網發電, 而且是零污染排放。硅太陽電池由于成本原因, 最初只能用于空間, 隨著技術發展和生產工藝成熟, 其成本日趨下降, 應用也逐步擴大.面對今天的能源供應狀況和日益嚴重的環境污染, 以至危及人類自身生存的現實, 開發新能源和可再生能源的理念已被世界各國廣泛接受.發電能力超過100兆瓦的超大型光伏發電站相繼在世界各處建造, 發電能力為幾十兆瓦的大型光伏發電站更不在少數(在建的和已建成的).大規模的發展使得上游原材料的生產供不應求, 問題日益突出, 許多太陽電池芯片生產廠家和組件生產廠家因原材料問題而不得不經常處于停產狀態, 原材料的供應和價格成了制約當前太陽電池生產的瓶頸。

大力發展薄膜型太陽電池不失為當前最為明智的選擇, 薄膜電池的厚度一般大約為0.5至數微米, 不到晶體硅太陽電池的1/100, 大大降低了原材料的消耗, 因而也降低了成本.薄膜電池可沉積在玻璃、不銹鋼片或聚脂薄膜等廉價的襯底上, 可以彎曲甚至可以卷起來, 便于攜帶。

薄膜太陽電池的研究始于20世紀60年代, 目前從國際上的發展趨勢看主要是非晶硅(a-Si:H)薄膜太陽電池, 微(多)晶硅薄膜太陽電池, 銅銦硒(CuInSe,CIS)薄膜太陽電池, 碲化鎘(CdTe)薄膜太陽電池, 染料敏化薄膜太陽電池(DSSC), 有機薄膜太陽電池.以下分別概述各類薄膜太陽電池的研發情況。

2非晶硅薄膜太陽電池

2.1主要進展

非晶硅薄膜太陽電池在20世紀70年代世界能源危機時獲得了迅速發展, 它在降低成本方面的巨大潛力, 引起了世界各國研究單位、企業和政府的普遍重視, 其主要特點是:

(1)重量輕,比功率高

在不銹鋼襯底和聚脂薄膜襯底上制備的非晶硅薄膜電池, 重量輕、柔軟,具有很高的比功率.在不銹鋼襯底上的比功率可達1000W/Kg,在聚脂膜上的比功率最高可達2000W/Kg.而晶體硅的比功率一般僅40-100W/Kg.由于襯底很薄,可以卷曲、裁剪, 便于攜帶, 這對于降低運輸成本特別是對于空間應用十分有利.(2)抗輻照性能好

由于晶體硅太陽電池和砷化鎵太陽電池在受到宇宙射線粒子輻照時, 少子壽命明顯下降.如在1Mev電子輻射通量1×1016e/cm2時, 其輸出功率下降60%, 這對于空間應用來說是個嚴重問題.而非晶硅太陽電池則表現出良好的抗輻射能力, 因宇宙射線粒子的輻射不會(或很小)影響非晶硅太陽電池中載流子的遷移率, 但卻能大大減少晶體硅太陽電池和砷化鎵太陽電池中少子的擴散長度, 使電池的內量子效率下降.在相同的粒子輻照通量下, 非晶硅太陽電池的抗輻射能力(效率10%, AM0條件下)遠大于單晶硅太陽電池的50倍, 具有良好的穩定性.多結的非晶硅太陽電池比單結的具有更高的抗輻照能力.(3)耐高溫

單晶硅材料的能帶寬度為1.1eV, 砷化鎵的能帶寬度為1.35eV, 而非晶硅材料的光學帶隙大于1.65 eV, 有相對較寬的帶隙, 所以非晶硅材料比單晶硅和砷化鎵材料有更好的溫度特性.在同樣的工作溫度下, 非晶硅太陽電池的飽和電流遠小于單晶硅太陽電池和砷化鎵太陽電池, 而短路電流的溫度系數卻高于晶體硅電池的1倍, 這十分有利在較高溫下保持較高的開路電壓(Voc)和曲線因子(FF).在盛夏,太陽電池表面溫度達到60-70度是常有的, 良好的溫度特性是十分重要的。

據報導在空間應用時, 由于輻照和高溫的原因,初始穩定效率為9%的非晶硅太陽電池, 其性能優于初始效率為14%的單晶硅太陽電池。非晶硅太陽電池經過30多年的發展, 在技術上已取得很大進展, 主要是用非晶碳化硅薄膜或微晶碳化硅薄膜來替代非晶硅薄膜做窗口材料, 以改善電池的短波方向光譜響應;采用梯度界面層, 以改善異質界面的輸運特性;采用微晶硅薄膜做n型層, 以減少電池的串聯電阻;用絨面二氧化錫代替平面氧化銦錫;采用多層背反射電極, 以減少光的反射和透射損失, 提高短路電流;采用激光刻蝕技術, 實現電池的集成化加工;采用疊層的電池結構, 以擴展電池的光譜響應范圍, 提高光電轉換效率;采用分室連續沉積技術, 以消除反應氣體的交叉污染, 提高電池的性能.上述技術的采用使非晶硅薄膜太陽電池的光電轉換效率從2%提高到13.7%。

隨著非晶硅太陽電池光電轉換效率的提高, 其產業化進程也取得令人矚目的進展.由于非晶硅材料優越的短波響應特性, 使其在計算器、手表等熒光燈下工作的微功耗電子產品中占據很大優勢, 不僅在80年代的10年中取得了數十億美元的利潤, 而且至今仍具有很大的消費市場。從計算器、手表等弱光應用到各種消費品甚至功率方面的應用, 如收音機、太陽帽、庭院燈、微波中繼站、航空航海信號燈、氣象監測、光伏水泵及小型獨立電源等應用領域不斷擴大, 產量迅速上升.世界上出現了若干MW級的生產線和許多非晶硅薄膜太陽電池的企業.到80年代中, 整個非晶硅薄膜太陽電池的年銷售量增長很快, 形成了非晶硅薄膜、多晶硅和單晶硅的三分天下的局面。

2.2發展中出現的問題和應對措施

盡管非晶硅薄膜太陽電池具有上述諸多優點, 然而在發展中也顯現出一些明顯的問題.主要是電池的光電轉換效率在強光作用下呈逐漸衰退的態勢, 這一問題是阻礙非晶硅薄膜太陽電池進一步發展的主要障礙.初期產品的光電轉換效率本來就低(僅4-5%), 再加上30%左右的衰退率, 使非晶硅薄膜太陽電池的低成本的優勢被較低的效率所抵消.這樣就造成了非晶硅薄膜太陽電池的產量從80年代末到90年代初期間處在停滯不前的徘徊階段.對此學術界自90年代起圍繞如何提高非晶硅薄膜太陽電池光電轉換效率穩定性的問題, 從材料、器件結構等多個層面進行研究.特別針對光電轉換效率在強光作用下衰退的機理進行了不懈的探索, 初步結論是本征非晶硅材料的S-W效應.為了揭示S-W效應的起因, 在理論上人們提出了各種微觀模型: 如Si-Si 弱鍵模型;電荷轉移模型;再雜化雙位模型;Si-H弱鍵模型以及橋鍵模型等。

了減少材料中的氫的含量, 最成熟的技術是在沉積薄膜的過程中用氫氣稀釋反應氣體法。由于這種方法，工藝簡單易行，而且效果明顯，因此是當前普遍采用的技術。研究表明，用氫氣稀釋法制備的本征非晶硅的太陽電池，其光電轉換效率的衰退率從25%以上降到20%。

除上述通過改善非晶硅材料的S-W效應來提高電池的光電轉換效率的穩定性以外, 人們還從電池結構上采取措施, 其中最重要的就是采用多帶隙疊層電池結構, 即多個不同帶隙的p-i-n結疊加的結構, 這樣可減薄每個子電池的i層厚度, 使每個電池的內電場增強, 從而增加了每個子電池的載流子收集效率。經過十幾年的不斷探索, 目前在提高非晶硅薄膜太陽電池的效率穩定性方面取得了很大的進步, 其光電轉換效率的衰退率已達到小于15%.光電轉換效率本身也有明顯的提高, 如小面積的已達到13%, 大面積的已超過10%, 組件的達到7.1%。技術上的突破與進步帶來了更大規模的發展, 如九十年代中期, 國際上先后建立了數條5-10MW的薄膜太陽電池組件生產線, 生產能力增加了25MW.生產流程實現了全自動化, 組件面積為平方米量級, 采用新型封裝技術, 產品組件壽命達到10年以上.我國自70年代末開始研究非晶硅薄膜太陽電池, 到80年代末小面積電池效率達到11.2%, 大面積電池效率超過8%, 均達到國際先進水平.然而在產業化方面落后于國外, 至今沒有一條具有自主知識產權的非晶硅薄膜太陽電池生產線。

目前研究、開發和生產非晶硅基太陽電池的大企業主要是：

(1)日本的Kaneka公司。發展a-Si太陽電池有20多年歷史，1999年達到規模生產，他們最先開發了在200℃沉積a-Si/μc-Si疊層電池結構，並申請了專利。這種a-Si/μc-Si疊層電池的成本(按40MWp/年來計算), 只及c-Si太陽電池的一半。2002年其生產能力達25MWp/年，出口15MWp，2003年將增至40MWp.他們生產的a-Si太陽電池組件效率為8%，並保證在20年內效率不會低于原來的80%。2005年生產的效率達12%，系統價格120萬日元/3KWp;2006年生產的效率達13%，系統的價格為100萬日元/3KWp。

(2)日本三菱重工。2002年投產a-Si太陽電池，產量達10MWp/年，單結太陽電池效率達8%(初始為10%，3-4月后穩定在8%)，壽命可達20-25年。2005年他們利用μc-Si/a-Si 疊層電池結構改進效率達到12%。其組件面積3600cm2，有50-100V的高壓，功率輸出24-100Wp，100日元/Wp。

(3)日本三洋公司。75年開始研發a-Si，80年形成規模生產能力，生產用于計算器的a-Si太陽電池。目前他們的a-Si太陽電池組件生產能力為5MWp/年。

(4)美國的United Solar 公司。該公司是ECD公司和BESS Europc合資經營的。2001年銷售3。8MWp不銹鋼襯底的a-Si/a-SiGe/a-SiGe三結疊層太陽電池，2002年以前的年產量為5MWp。2002年6月24日開典的新廠，生產能力為30MWp/a，生產高度自動化，可同時在6卷不銹鋼帶上生產非晶硅太陽電池，每卷1。5英里。

2004年全世界薄膜太陽電池(包括a-Si、CdTe、CIS)組件約為63MWp，僅佔太陽電池產量的5%，其中美國約佔36。5%，日本約佔27。7%。a-Si薄膜太陽電池佔了整個薄膜太陽電池的74。6%，其中日本佔37。2%，美國佔29。7%。

2005年全球薄膜太陽電池增長4成，達88MWp，美再生能源實驗室予測2009年，全球薄膜太陽電池的年產量可擴大到280MWp，美國為最高達166MWp，其中非晶硅的年產量為55MWp。微(多)晶硅薄膜太陽電池

現有的非晶硅薄膜太陽電池的光致不穩定性是由非晶硅材料的微結構的亞穩態屬性所決定的, 因此也是不易完全克服的.為了提高效率及其穩定性,近年來又出現了微晶硅(μc-Si)薄膜電池和多晶硅(poly-Si)薄膜電池.實驗證明用微晶硅和多晶硅薄膜來替代非晶硅薄膜制作太陽電池的有源層, 在長期強光照射下沒有任何衰退現象.因此發展晶化的硅薄膜太陽電池是實現高穩定、高效率、低成本最有前途的方法.目前研究的焦點是如何利用低成本工藝技術, 獲得大面積優質的晶體硅薄膜, 以及新型薄膜電池結構的優化設計.制備晶體硅薄膜的技術很多, 基本可分成兩大類, 一類是高溫技術, 溫度高于600℃, 另一類是低溫晶化技術, 溫度低于600℃.目前制備多晶硅薄膜的方法主要有:

(1)低壓化學氣相沉積(LPCVD)

這是一種直接生成多晶硅的方法。LPCVD是集成電路中普遍采用的標準方法，具有生長速度快，成膜致密、均勻、裝片容量大等特點。多晶硅薄膜可采用硅烷氣體通過LPCVD法直接沉積在襯底上，典型的沉積參數是：硅烷壓力為13.3～26.6Pa，沉積溫度Td=580～630℃，生長速率5～10nm/min。由于沉積溫度較高，如普通玻璃的軟化溫度處于500～600℃，則不能采用廉價的普通玻璃而必須使用昂貴的石英玻璃作襯底。

該法生長的多晶硅薄膜，晶粒具有擇優取向，形貌呈“V”字形，內含高密度的微攣晶缺陷，且晶粒尺寸小，載流子遷移率不夠大，使其在器件應用方面受到一定限制。雖然減少硅烷壓力有助于增大晶粒尺寸，但往往伴隨著表面粗糙度的增加，對載流子的遷移率與器件的電學穩定性產生不利影響。

(2)固相晶化(SPC)

所謂固相晶化，是指非晶固體發生晶化的溫度低于其熔融后結晶的溫度。這是一種間接生成多晶硅的方法，先以硅烷氣體作為原材料，用LPCVD方法在550℃左右沉積a-Si:H薄膜，然后將薄膜在 600℃以上的高溫下使其熔化，再在溫度稍低的時候出現晶核，隨著溫度的降低熔融的硅在晶核上繼續晶化而使晶粒增大轉化為多晶硅薄膜。使用這種方法，多晶硅薄膜的晶粒大小依賴于薄膜的厚度和結晶溫度。退火溫度是影響晶化效果的重要因素，在700℃以下的退火溫度范圍內，溫度越低，成核速率越低，退火時間相等時所能得到的晶粒尺寸越大;而在 700℃以上，由于此時晶界移動引起了晶粒的相互吞并，使得在此溫度范圍內，晶粒尺寸隨溫度的升高而增大。經大量研究表明，利用該方法制得的多晶硅晶粒尺寸還與初始薄膜樣品的無序程度密切相關，初始材料越無序，固相晶化過程中成核速率越低，晶粒尺寸越大。由于在結晶過程中晶核的形成是自發的，因此，SPC多晶硅薄膜晶粒的晶面取向是隨機的。相鄰晶粒晶面取向不同將形成較高的勢壘，需要進行氫化處理來提高 SPC多晶硅的性能。這種技術的優點是能制備大面積的薄膜，晶粒尺寸大于直接沉積的多晶硅。可進行原位摻雜，成本低，工藝簡單，易于形成生產線。由于SPC是在非晶硅熔融溫度下結晶，屬于高溫晶化過程，溫度高于 600℃，通常需要1100℃左右，退火時間長達10個小時以上，不宜用玻璃為基底，基底材料采用石英或單晶硅，用于制作小尺寸器件，如液晶光閥、攝像機取景器等。

(3)準分子激光晶化(ELA)

激光晶化相對于固相晶化制備多晶硅來說更為理想，其利用瞬間激光脈沖產生的高能量入射到非晶硅薄膜表面，僅在薄膜表層100nm厚的深度產生熱能效應，使a-Si薄膜在瞬間達到1000℃左右，從而實現a-Si向p-Si的轉變。在此過程中，激光脈沖的瞬間(15～50ns)能量被a-Si薄膜吸收并轉化為相變能，因此，不會有過多的熱能傳導到薄膜襯底，合理選擇激光的波長和功率，使用激光加熱就能夠使a-Si薄膜達到熔化的溫度且保證基片的溫度低于450℃.可以采用玻璃基板作為襯底，其主要優點為脈沖寬度短(15～50ns)，襯底發熱小。通過選擇還可獲得混合晶化，即多晶硅和非晶硅的混合體。

ELA法制備的多晶硅薄膜晶粒大、空間選擇性好，摻雜效率高、晶內缺陷少、電學特性好、遷移率高達到 400cm2/v.s，是目前綜合性能最好的低溫多晶硅薄膜。工藝成熟度高，已有大型的生產線設備，但它也有自身的缺點，晶粒尺寸對激光功率敏感，大面積均勻性較差。重復性差、設備成本高，維護復雜.(4)快速熱退火(RTA)

一般而言，快速退火處理過程包含三個階段：升溫階段、穩定階段和冷卻階段。當退火爐的電源一打開，溫度就隨著時間而上升，這一階段稱為升溫階段。單位時間內溫度的變化量是很容易控制的。在升溫過程結束后，溫度就處于一個穩定階段。最后，當退火爐的電源關掉后，溫度就隨著時間而降低，這一階段稱為冷卻階段。用含氫非晶硅作為初始材料，進行退火處理。平衡溫度控制在600℃以上，納米硅晶粒能在非晶硅薄膜中形成，而且所形成的納米硅晶粒的大小隨著退火過程中的升溫快慢而變化。在升溫過程中，若單位時間內溫度變化量較大時(如100℃/s)，則所形成納米硅晶粒較小(1.6～15nm);若單位時間內溫度變化量較小(如1℃/s)，則納米硅粒較大(23～46nm)。進一步的實驗表明：延長退火時間和提高退火溫度并不能改變所形成的納米硅晶粒的大小;而在退火時，溫度上升快慢直接影響著所形成的納米硅晶粒大小。

RTA退火法制備的多晶硅晶粒尺寸小，晶體內部晶界密度大，材料缺陷密度高，而且屬于高溫退火方法，不適合于以玻璃為襯底制備多晶硅。

(5)等離子體增強化學反應氣相沉積(PECVD)

通過加大氫氣稀釋和微量摻硼可以獲得微晶硅薄膜.這種工藝技術與非晶硅薄膜的制造技術相同,屬低溫工藝,便于大面積生產,因而受到普遍重視.目前用這種技術制備的太陽能電池效率已達到8.5%.該技術的缺點是薄膜生長速率較低(約1à/S), 不利于降低制造成本.當前提高微晶硅生長速率的方法主要是增加等離子體的激發頻率, 如用超高頻技術(UHF)可使微晶硅生長速率提高到10à/S, 并已獲得7.2%的電池效率.不過這種微晶薄膜的晶粒尺寸太小,一般不超過50nm, 晶內缺陷多, 晶界也多.對于采用 PECVD技術制備多晶體硅薄膜的晶化過程,目前有兩種主要的觀點：一種認為是活性粒子先吸附到襯底表面,再發生各種遷移、反應、解離等表面過程, 從而形成晶相結構.因此,襯底的表面狀態對薄膜的晶化起到非常重要的作用;另一種認為是空間氣相反應對薄膜的低溫晶化起到更為重要的作用, 即具有晶相結構的顆粒首先在空間等離子體區形成, 而后再擴散到襯底表面長大成多晶膜。

(6)金屬橫向誘導法(MILC)

20世紀90年代初發現a-Si中加入一些金屬如Al，Cu，Au，Ag，Ni等沉積在a-Si∶H上或離子注入到a-Si∶H薄膜的內部，能夠降低a-Si向p-Si轉變的相變能量.之后對Ni/a-Si:H進行退火處理以使a-Si薄膜晶化，晶化溫度可低于500℃。但由于存在金屬污染未能在薄膜晶體管(TFT)中應用。隨后發現Ni橫向誘導晶化可以避免孿晶產生，鎳硅化合物的晶格常數與單晶硅相近、低互溶性和適當的相變能量，使用鎳金屬誘導a-Si薄膜的方法得到了橫向結晶的多晶硅薄膜。橫向結晶的多晶硅薄膜的表面平滑，具有長晶粒和連續晶界的特征，晶界勢壘高度低于SPC多晶硅的晶界勢壘高度，因此，MILC TFT具有優良的性能而且不必要進行氫化處理。

該法制備多晶硅薄膜具有均勻性高、成本低, 生長溫度在500℃等特點。但是MILC目前它的晶化速率仍然不高，并且隨著熱處理時間的增長, 速率會降低。有人采用MILC和光脈沖輻射相結合的方法，實現了 a-Si薄膜在低溫環境下快速橫向晶化，得到高遷移率、低金屬污染的多晶硅帶。

(7)其他方法

除了上述幾種制備多晶硅薄膜的主要方法外，還有超高真空化學氣相沉積(UHV/CVD)、電子束蒸發等。用UHV/CVD生長多晶硅，當生長溫度低于550℃時能生成高質量細顆粒多晶硅薄膜，不用再結晶處理，這是傳統CVD做不到的，因此該法很適用于低溫多晶硅薄膜晶體管制備。另外，日立公司研究指出，多晶硅還可用電子束蒸發來實現，溫度低于 530℃。因此，我們相信隨著上述幾種多晶硅制備方法的日益成熟和新的制備方法的出現，多晶硅技術的發展必將跨上一個新的臺階，從而推動整個半導體產業和相關行業的發展。

總的來說,高溫技術晶化的材料具有較大的晶粒尺寸,用這種材料制備的電池效率在10%以上.其缺點是能耗高、工藝復雜,襯底材料成本高.低溫晶化技術制備的薄膜晶粒尺寸小, 電池效率也低, 但其最大的優點是便于采用玻璃等廉價材料作襯底,工藝較簡單,能耗低.如將微晶硅薄膜或多晶硅薄膜作為窄帶隙材料與非晶硅薄膜組成疊層電池結構, 則可更充分地利用太陽光譜.因微晶硅薄膜和多晶硅薄膜比非晶硅鍺(a-SiGe)具有更窄的帶隙(1.12eV),用a-Si/μc-Si和a-Si/poly-Si疊層結構代替a-Si/a-SiGe/a-SiGe三結疊層結構,可將太陽電池光譜響應的長波限從目前的0.9μm擴展到 1.1μm, 這樣可提高10% 的太陽能的利用率.目前非晶硅和微晶硅疊層太陽電池的穩定效率已達12%.理論上a-Si/poly-Si疊層電池的效率可達28%.Kaneka公司設計的STAR結構的多晶硅薄膜電池, 效率已達10.7%, 且無光致衰退現象;另一種SOI結構的多晶硅薄膜電池10cmχ10cm, 獲得了14.22%的效率, H.Morikawa 等制出了效率為16% 的多晶硅太陽電池.理論和實驗均表明多晶硅太陽電池很可能成為21世紀最有前途的一種薄膜太陽電池.大面積多(微)晶硅薄膜的獲得及與非晶硅的最佳優化設計,將使硅基薄膜太陽電池性質躍上新的臺階。

銦硒(CIS)薄膜和銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽電池

銅銦硒薄膜是一種Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族化合物半導體,具有黃銅礦閃鋅礦兩個同素異形的晶體結構.摻入鎵即形成四元化合物.銅銦硒薄膜和銅銦鎵硒薄膜的制備方法很多,大致有物理方法和化學方法兩種.經過多年的研究和開發, CdS/CuInSe2電池組件的效率已達11%, CdS/CuInGaSe2 電池組件的效率已達18%, 並已建立起了工業化生產線.該電池的主要優點是: 材料具有較高的光吸收(∝>105cm-1), 所需材料厚度小于1μm, 90% 以上的光子可被吸收;生產成本低, 僅為硅太陽電池的1/3-1/2, CIGS材料隨著銦鎵含量不同, 其光學帶隙可從1.02eV變至1.68eV, 這點對于制造多結疊層太陽電池極為有利;電池的光電轉換效率比較高.主要問題是: 制造過程比較復雜;關鍵原料如銦的供應, 其天然儲量相當有限;太陽電池中的緩沖層材料 CdS是必不可少的, 其毒性對環境的危害, 極大地影響了它的廣泛應用.美國的Shell Solar公司正在進行這種電池的商業化生產, 建立了世界上第一條CIS薄膜太陽電池生產線，組件效率達11%。2001年銷售CIS組件0。4MWp，生產能力達25MW/年，2002年出口15MWp，2003年增加到40MWp。ISET公司提出了利用納米技術以類似油墨的制造過程, 制備層狀結構, 已獲成功, 能否發展成規模化的制造過程, 還有待時間.另外美國的NREL公司亦成功地開發了一種三級制造過程, 在實驗室獲得了19.2% 的光電轉換效率.不過其制造過程太復雜,花費亦大,放大亦不易.化鎘(CdTe)薄膜太陽電池

這種太陽電池系由CdTe、CdS和Ⅱ-Ⅵ族化合物通過相對簡單且成本低的工藝沉積在襯底上經干燥和燒結而成,其研究歷史悠久.1982年Kodak公司做出了轉換效率超過10%的電池,目前實驗室的效率達到16.5%, 中試線的效率達到10%, 已由實驗室的研究階段走向規模化工業生產.典型的CdTe太陽電池結構是由約2μm層的p型碲化鎘層和0.1μm厚的n型硫化鎘形成, 光子吸收發生在碲化鎘層, 光的吸收系數大于105cm-1, 因此數微米厚的材料可吸收大于90%的光子.目前已開發了多種CeTe薄膜的制造工藝, 如濺射法、化學氣相反應法、原子層外延法、網印法、電流沉積法、化學噴塗法、密堆積升華法等.其中電流沉積法是最便宜的, 也是目前工業生產的主要方法.沉積時溫度較低,所消耗的碲元素也最少.這種薄膜太陽電池難以大批量生產的原因是:鎘的毒性會對環境造成的危害;組件和襯底材料成本太高, 占總成本的53%, 而半導體材料只占5.5%;碲的天然儲量有限。

料敏化太陽電池(DSSC)

此類太陽電池源自19世紀照相技術的概念.直到1991年瑞士科學家Gratzel采用納米結構的電極材料, 以及配以適當的染料, 做出了光電轉換效率大于7%的太陽電池.此后該領域的開發研究才引起人們的關注.這種概念的太陽電池完全不同于傳統的半導體光伏發電原理, 可說是第三代太陽電池。其原理是借助于染料作為吸光材料, 染料中的價電子受光激發躍遷到高能態, 進而傳導到納米多孔二氧化鈦半導體電極上, 經由電路引至外部, 失去電子的染料則經由電池中的電解質獲得電子, 電解質是含碘的有機溶劑。

這類電池的結構一般有兩種, 實驗室制備的通常為三明治結構, 上下均為玻璃, 玻璃內側涂有TCO, 當中包括含有染料的二氧化鈦以及電解質.為利用已較成熟的薄膜太陽電池制造技術, Gratzel等于1996年研究出三層式的單片電池結構, 用碳電極取代一層TCO薄膜, 各層的制備可直接沉積在另一層的TCO薄膜上.玻璃並非為必然的基材, 其他可撓性透明材料均可使用, 因此roll-to-roll的制造工藝亦可應用于此.德國的 ISE公司已開發出絲網印刷方式的生產工藝, 制造過程非常簡單。

染料敏化太陽電池如要成為具有商業競爭力,甚至達到具有高的市場占有率, 如下幾點是必需考慮:

1)太陽電池本身的長期穩定性,盡管有一些測試，估推算出使用十年沒問題, 但畢竟缺乏長期使用的實測數。

2)對于大面積的制造技術仍有待開發。

3)對整體電池組件的研究開發仍有許多工作要做。

用光穩定性更好的半導體材料代替多孔的二氧化鈦理論上應較易獲得更耐久的染料太陽電池, 有關這方面的研究有部分研究單位正在積極投入.此外開發新式染料來取代迄今公認的最佳染料有機釕金屬亦是一項熱門研究課題, 如獲成功則可免除使用貴金屬釕, 染料成本可大幅降低。機薄膜太陽電池

有機薄膜太陽電池是把兩層有機半導體薄膜結合在一起, 其光電轉換效率約為1%.近期日本產業技術綜合研究所宣布已開發出一種新型的有機薄膜太陽電池, 即在原有的二層構造中間加入一種混合薄膜變成三層結構 ,這樣就增加了產生電能的分子之間的接觸面積, 從而大大提高了太陽電池的轉換效率, 達到4%, 比原來二層結構的提高了4倍。

有機薄膜太陽電池使用塑料等質輕柔軟的材料為基板,有機小分子光電轉換材料本身具有低成本，可以加工成大面積，合成、表征相對簡單，化學結構容易修飾，可根據需要增減功能基團，可通過不同的方式互相組合，以達到不同的目的。因此對它的實用化期待很高, 研究人員表示, 通過進一步研究有望開發出光電轉換效率達20% 的可投入實用的有機薄膜太陽電池, 也許在不久的將來, 塑料材料的太陽電池將出現在人們的日常生活中。與無機光伏材料相比，有機光伏材料的激子結合能大，不容易自然分離成正負電荷，這樣吸收光就不一定產生光電流;電子不是通過能帶，而是通過能級間的躍遷而傳輸，電子遷移率明顯較低;許多材料在氧和水的環境下不穩定;溫度變化對光電流的產生有很大影響。這些問題限制了有機太陽電池的發展。最近有人提出充分利用有機材料和無機材料的優點制備有機/無機材料的復合器件，成為當前研究的一個新熱點。

結語

從以上所述的各類薄膜太陽電池的發展情況, 不難發現努力提高光電轉換效率和大幅降低太陽電池的成本是各類薄膜太陽電池的共同課題.當前太陽電池產業呈現35% 的年增長率.薄膜太陽電池亦發展很快, 但傳統硅太陽電池的技術發展已日臻成熟, 其主要成本來自硅晶體材料, 能進一步壓縮成本的空間十分有限.而薄膜太陽電池則不然, 大量新材料、新技術、新工藝的采用使它在降低成本提高效率方面還有很大的周旋余地.此外薄膜太陽電池一般而言, 其制造時的能耗不及傳統硅晶體太陽電池的一半, 即所消耗能源的回償時間較短,傳統硅晶體的約為20年, 而薄膜的則小于10年.部分薄膜的甚至小于5年, 如非晶硅薄膜太陽電池與染料敏化太陽電池.加上薄膜太陽電池所使用的材料較少, 整體而言薄膜太陽電池是較為環保、能源效率較高的產品

第二篇：太陽能電池專業英語

A 1.中文：暗飽和電流

英文：Dark Saturation Current 解釋：沒有光照的條件下，將PN結反偏達到飽和時的電流。降低暗飽和電流利于提高電池品質

在以下的理想二極管公式中，I =流過二極管的總電流;I0 = “暗飽和電流”, V = 加在二極管兩端的電壓

B 1.中文：包裝密度

英文：Packing density 解釋：組件中被太陽能電池覆蓋的面積對比于整個組件的面積。它影響了組件的輸出功率及工作溫度

2.中文：背電場

英文：Back Surface Field 解釋：在電池背面由于重摻雜引起的電場。該電場會排斥少數載流子以使它們遠離高復合率的背表面

3.中文：背面反射/底面反射

英文：Rear Surface Reflection 解釋：穿過電池而未被吸收的長波光會被電池背面的金屬或染料反射回電池，增大吸收概率

4.中文：本底摻雜 英文：Background Doping 解釋：電池襯底的摻雜濃度

5.中文：表面制絨

英文：Surface Texturing 解釋：用物理或化學的方法將平滑的硅電池表面變得粗糙，增大光捕獲，減小反射

6.中文：并網系統

英文：Grid-connected Systems 解釋：并網系統指由光伏組件供電的，接入公用電網的光伏系統。這類系統無須蓄電池

7.中文：薄膜太陽能電池

英文：Thin-film Solar Cells 解釋：薄膜太陽能電池是通過在襯底上鍍光伏材料薄層制成的，厚度從幾微米到幾十微米不等。成本較低

但效率普遍較低

8.中文：復合

英文：Recommbination 解釋：又稱為載流子復合，是指半導體中的載流子（電子和空穴）成對消失的過程。

9.中文：表面復合速率

英文：Surface Recombination Velocity 解釋：當少子在表面消失時，由于濃度梯度，少子會從電池體流向表面。表面復合速度表征表面復合的強弱。C 1.中文：摻雜

英文：Doping 解釋：在本征半導體里加入施主或受主雜質（通常是磷或硼）使半導體內自由載流子濃度變高并使其具有p型或n型半導體的性質

2.中文：串聯電阻

英文：Series Resistance 解釋：由電池體、電極接觸等產生的分壓電阻。電池運作時，部分電壓降在電池的串聯電阻上，影響了電池輸出效率

D 1.中文：大氣質量/大氣光學質量

英文：Air Mass 解釋：定義為1/cos(太陽與法線夾角）。表征太陽光到達電池前穿越的大氣厚度。不同的AM值還對應不同的太陽光譜

2.中文：帶隙

英文：Band Gap 解釋：半導體導帶與價帶之間的能級差。常溫下，本征硅的帶隙是1.1eV 3.中文：導帶 英文：Conduction Band 解釋：又名傳導帶，是指半導體或是絕緣體材料中，一個電子所具有能量的范圍。這個能量的范圍高于價帶（valence band），而所有在導帶中的電子均可經由外在的電場加速而形成電流。

4.中文：電池工作溫度

英文：Cell Operating Temperature 解釋：太陽能電池在受到光照激發產生電流時的實際溫度。工作溫度通常高于標準測試條件（STC)規定的25攝氏度，并且會影響電池的開路電壓

5.中文：電池互聯

英文：Cell Interconnection 解釋：將電池板串聯一起組成電池組件

6.中文：電池降格

英文：Cell Degradation 解釋：電池降格指組件在戶外工作一段時間后，效能降低。對晶硅電池來說原因包括：電極脫落或被腐蝕，電極金屬遷移透過P-N節而降低了并聯電阻，減反膜老化，P型材料中形成了硼氧化物 等

7.中文：電流電壓特性

英文：Current-Voltage Charateristic 解釋：又稱為伏安特性，是電子器件的在外部電壓偏置的情況下電流隨外部變壓變化的特性，常用伏安特性曲線來表征。8.中文：電子空穴對

英文：Electron-hole Pair 解釋：半導體中，吸收了一個光子能量的電子離開原子束縛，成為自由載流電子，原來的原子則產生了正電荷，等效于一個孔穴，它們合稱電子空穴對

9.中文：獨立系統

英文：Stand-alone Systems 解釋：不接入公用電網的獨立光伏發電系統，通常需要蓄電池蓄能以備夜間及陰天使用，也常裝備柴油發電機作為補充

10.中文：短路電流

英文：Short Circuit Current(Isc)

解釋：在光照下將電池短路，此時流過電池的電流為短路電流。表征電池能產生的光電流強度。

11.中文：多晶硅

英文：Polycrystalline/Multicrystalline silicon

解釋：在硅晶體里面，晶向的分布式隨機的而不是同一的，相較于單晶硅生產成本低但材料品質也較差

12.中文：等離子增強化學氣相沉積法

英文：Plasma enhanced, Chemical Vapor Deposition(PECVD)

解釋：一種鍍膜技術。常用于在晶硅電池表面鍍氮化硅，二氧化硅，氧化鋁等薄膜。

E 1.中文：額定功率

英文：Rated Power/Rated Watt 解釋：太陽能電池板在國際通行標準條件下（光譜AM1.5，光強1000W／平米，溫度25C）測試出來的輸出功率，實際的輸出功率受使用環境影響

F 1.中文：反偏

英文：Reverse Bias 解釋：對于p-n節來說,指n-type接高電勢，p-type接低電勢

2.中文：方塊電阻率/薄層電阻率

英文：Sheet Resistivity 解釋：通常表征發射極摻雜濃度的高低。高摻雜則電阻率低但削弱藍光響應。可通過四點探針測量

3.中文：非晶硅/無定形硅

英文：Amorphous Silicon 解釋：硅的一種同素異形體，它的原子間的晶格網絡呈無序排列，不存在晶體硅的延展性晶格結構。無定形硅中的部分原子含有懸空鍵(dangling bond)，雖然可以被氫所填充，但在光的照射下，氫化無定形硅的導電性能將會顯著衰退。

4.中文：分布式光伏系統

英文：Distributed PV Systems 解釋：小型模塊化、分散式、布置在用戶附近的，依靠光伏組件發電的電力系統。

5.中文：分流電阻/并聯電阻

英文：Shunt Resistance 解釋：在太陽能電池等效電路中，并聯于電池兩端的漏電阻。該電阻會分流掉部分光電流，因此并聯電阻越大越好

6.中文：封裝

英文：Encapsulation 解釋：指將已互聯的電池通過層壓密封到電池組件里。封裝可以實現電池組件防水，防潮，并且增強電池的機械性能。

7.中文：峰瓦

英文：Peak Watts 解釋：組件在理想的標準測試條件下的輸出功率，該功率值也是組件的額定功率。

8.中文：峰值日照小時數

英文：Peak Sun Hours 解釋：這是一個等效概念，表征一天中太陽的輻射總能量。數值上等于一天中太陽的總輻射能量(千瓦時/平方米)除以1 千瓦/平方米

9.中文：伏安特性曲線

英文：I-V Curve 解釋：用來表征電子器件的在外部電壓偏置的情況下電流隨外部變壓變化的特性曲線。10.中文：復合

英文：Recommbination

解釋：又稱為載流子復合，是指半導體中的載流子（電子和空穴）成對消失的過程。

11.中文：復合損失

英文：Recombination Loss

解釋：在被電極收集之前 電子與空穴的復合使電能流失。

12.中文：副柵線

英文：Fingers

解釋：太陽能電池的電極的一部分，用于收集積累于電池表面的電荷從而形成外電路電流。副柵線通常由絲網印刷金屬漿料或者電鍍金屬形成，寬度小于130微米，與主柵（bus bar）相連。

G 1.中文：跟蹤

英文：Tracking 解釋：在電池組件上安裝智能的制動系統使組件始終朝向太陽以獲得最大輻射量

2.中文：光捕獲/光陷阱

英文：Light Trapping 解釋：通過散射與折射使光進入電池后就被限制在電池內部傳播直至大部分被完全吸收

3.中文：光伏效應 英文：Photovoltaic Effect 解釋：指在光照激發下的半導體或半導體與金屬組合的部位間產生電勢差的現象。由于材料內部的參雜不均勻，在內建電場的作用下，受到激勵的電子和失去電子的空穴向相反方向移動，而形成了正負兩級。此效應最早于1839年由法國物理學家亞歷山大·埃德蒙·貝克勒爾發現。

4.中文：光譜響應

英文：Spectral Response 解釋：指電池對不同波長的單色光的響應。通常以量子效率來呈現這種響應。

5.中文：光學損失

英文：Optical Loss 解釋：入射光由于受到電池的表面反射，電極遮擋等因素影響而無法在電池中激發載流子形成的損失。通過光陷阱的設計和對電極遮擋的優化可以有效減少光學損失。

6.中文：光照強度

英文：Light Intensity 解釋：單位面積接收到的光照功率，單位是 瓦/平方米

7.中文：光子

英文：Photon 解釋：是傳遞電磁相互作用的基本粒子，也是電磁輻射的載體。光子具有波利二象性：既能表現經典波的折射、干涉和衍射等性質，作為粒子性的光子只能傳遞量子化的能量，即： E=hv，其中h是普朗克常數，v是光波的頻率。8.中文：光伏建筑一體化

英文：Building Integrated PV(BIPV)解釋：是使用太陽能光伏材料取代傳統建筑材的一種應用方式，通常利用天窗和外墻是作為最大的接光面，使建筑物本身能夠為自身提供能源，可以部分或全部供應建筑用電，而不必用外加方式加裝太陽能板。由于在建筑設計階段提前規劃，所以發電率和成本比值最佳。

H 1.中文：耗盡區/耗盡層

英文：Depletion Region 解釋：指在P-N節中P型與N型的交界面周圍的區域，通常有幾個微米寬。由于該區域內建電場的存在，多數載流子被排斥而形成耗盡區。

J 1.中文：激光刻槽埋柵太陽能電池

英文：Laser Ｇrooved, Buried Ｃontact Ｓolar Cells 解釋：由新南威爾士大學研究中心開發的電極設計。激光刻槽使副柵線深埋入電池，在減少電極遮光的同時保持良好的導電。

2.中文：寄生電阻

英文：Parasitic Resistance 解釋：電池串聯電阻與并聯電阻的總稱。

3.中文：價帶 英文：Valence Band 解釋：通常是指半導體中在絕對零度下能被電子占滿的最高能帶。全充滿的價帶中的電子不能在固體中自由運動。

4.中文：交錯背接觸電池

英文：Interdigitated Back Contact(IBC)Cell 解釋：電池的正負極接觸都在背面，并且相互交叉，其結構如圖所示。

5.中文：減反膜

英文：Antireflection Coating 解釋：在電池表面鍍上的薄膜，它使入射光由于干涉相消而減少反射率，理想情況下，單層減反膜可使一個特定波長的光的反射率降為零

6.中文：金屬化（形成電極）

英文：Metallisation 解釋：在電池的正表面或背表面上加上金屬使電池形成電極接觸 7.中文：金字塔（表面制絨結構）

英文：Pyramids 解釋：堿溶液對單晶硅的腐蝕是各項異性的，在制絨過程中單晶硅的特定晶面會暴露出來，使得制絨后的硅表面出現數微米高的金字塔

8.中文：禁帶

英文：Forbidden Gap 解釋：在能帶結構中能態密度為零的能量區間。常用來表示價帶和導帶之間的能態密度為零的能量區間。

9.中文：單晶硅/晶體硅

英文：Crystalline Silicon/Monocrystalline Silicon 解釋：硅的單晶體，具有基本完整的點陣結構，純度高。

10.中文：接觸電阻

英文：Contact Resistance

解釋：指電流流過半導體與電極金屬界面所克服的電阻。該電阻是電池總串聯電阻的一部分

11.中文：間接帶隙半導體

英文：Indirect Band-gap semiconductor

解釋：指半導體的能帶圖上導帶底與價帶頂不在同一動量上。需要光子與聲子共同作用來激發電子孔穴對。硅就是常見的間接帶隙半導體

12.中文：聚光光伏

英文：Concentrator PV(CPV)

解釋：通過光學器件將太陽光聚集到電池表面，等效于太陽能電池有了更大的受光面積

K 1.中文：開路電壓

英文：Open Circuit Voltage(Voc)解釋：電池光照下并且電路處于開路狀態時，正負電極之間產生的電勢差。開路電壓衡量了電池可以達到的最高電壓。

2.中文：擴散

英文：Diffusion 解釋：是粒子通過隨機運動從高濃度區域向低濃度區域的網狀的傳播。在光伏應用中，擴散用于向襯底中參雜施主或受主原子以形成p-n結或高低結

3.中文：擴散長度/載流子擴散長度

英文：Diffusion Length 解釋：半導體中載流子在復合前平均移動的距離。與少子壽命及擴散系數成正比，一般擴散長度越長材料的質量越高。

L 1.中文：理想二極管定律

英文：Ideal Diode Law 解釋：電池在無光照情況下的電流電壓關系滿足如下理想二極管公式 I=I_0*(exp(qV/kT)-1)2.中文：理想因子

英文：Ideality Factor 解釋：用于描述電池等效電路模型中的二極管和理想二極管的接近程度。由于理想二極管方程有一些前提假設，而實際二極管會因一些二階效應的影響表現出與理想二極管不同，理想因子被用于表征這種差異。

3.中文：硫化（蓄電池）

英文：Sulfation 解釋：由于長期處在低充電量狀態下，蓄電池電極出現硫酸鉛晶體的現象稱為硫化。硫化會使電池容量及充放電效率降低。

M 1.中文：漫射輻射

英文：Diffuse Radiation 解釋：通常指陰天條件下的太陽光輻射，其特點是輻射能量沿各個方向傳播且光強低。

2.中文：冥王星電池

英文：Pluto solar cells 解釋：由尚德電力主導研發的一種高效率太陽能電池。它具備激光參雜，選擇性發射級，以及背表面局部接觸等特點。2012年初，其在6英寸直拉單晶硅片轉換效率達到20.3%。

N 1.中文：N 型（半導體）

英文：Ｎ-type(semiconductor)解釋：在半導體中由于摻入施主元素而使得電子成為半導體內的多數載流子。常用來制成N型半導體的施主元素為磷

2.中文：逆變器

英文：Inverter 解釋：又稱變流器、反流器，或稱反用換流器、電壓轉換器，是一個利用高頻電橋電路將直流電變換成交流電的電子器件，其目的與整流器相反。

P 1.中文：P-N 結

英文：p-n junction 解釋：P型與N型半導體相接處形成的特殊界面。由于內建電場存在，電流容易從P型流向N型，反之則困難。太陽能電池利用P-N節將被光激發的少數載流子從P-N節的一端遷移到另一端

2.中文：P 型（半導體）

英文：p-type(semiconductor)解釋：在半導體中由于摻入受主元素而使得空穴成為半導體內的多數載流子。常用來制成P型半導體的施主元素為硼

3.中文：旁路二極管 英文：Bypass diode 解釋：是電池組件中用于防止組件由于遮擋產生局部過熱而附加的安全器件。旁路二極管與其所保護的電池并聯，但是二極管極性與電池相反。

R 1.中文：日照常數

英文：Solar Constant 解釋：數值上等于峰值日照小時數，沒有單位。

S 1.中文：砷化鎵

英文：Gallium Arsenide 解釋：由ⅢA族元素Ga和ⅤA族元素As化合而成的半導體材料。分子式為GaAs。室溫下禁帶寬度為1.42eV，屬直接躍遷型能帶結構。

2.中文：失諧損失

英文：Mismatch Losses 解釋：如果組件中串聯的電池板輸出電流的不一致，則總電流受最小電流限制，因而造成功率損失。

3.中文：死層

英文：Dead Layer 解釋：參雜濃度過高的電池前表面參雜區域。這會導致表層載流子壽命顯著減少，電池對短波長光譜反映嚴重衰減。T 1.中文：體電阻

英文：Bulk Resistance 解釋：電流流穿電池襯底時所需克服的電阻。由電池的本底摻雜濃度決定

2.中文：填充因子

英文：Fill Factor 解釋：定義了電池最大輸出功率和開路電壓與短路電流乘積的比值。在圖形上，填充因子描述了電池伏安特性曲線的“直方性”。填充因子越大，伏安曲線約接近于方形。

3.中文：銅銦鎵硒薄膜電池

英文：CuInxGa(1-x)Se2(CIGS)解釋：具有穩定性好、抗輻照性能好、成本低、效率高等優點。但也面臨三個主要的問題：制程復雜，投資成本高；關鍵原料的供應不足；緩沖層CdS具有潛在的毒性。

4.中文：同質節

英文：Homojunctions 解釋：P-N節兩端由同種半導體組成，例如晶硅太陽能電池

5.中文：太陽光譜

英文：solar spectrum 解釋：太陽光在各個波長的輻射能量分布。不同的太陽光譜可能導致不同的電池效率，即使總光強一致。通常測試所用光譜的 AM1.5的太陽光譜

X 1.中文：吸收系數

英文：absorption coefficient 解釋：吸收系數決定了某一波長的光在材料中被吸收前能穿透的深度。例如藍光在硅中的吸收系數高，所以藍光在穿透很薄的硅后就被吸收了

2.中文：效率

英文：efficiency 解釋：又稱為光電轉換效率，是衡量電池質量的最重要標準之一。電池效率由電池的最大輸出功率和輸入功率的比值決定。在標準測試條件（STC）下，輸入功率為：1瓦每平方米 X 電池面積。

Y 1.中文：異質結

英文：Heterojunctions 解釋：P-N節兩端由不同的半導體組成

Z 1.中文：載流子壽命

英文：carrier lifetime 解釋：是一個等效概念，指載流子從產生到復合經歷的平均時長。載流子壽命高的材料通常能做出電壓更高的電池。

2.中文：遮光

英文：shading 解釋：電池運作時部分面積被遮擋而接收不到光照。

3.中文：遮光損失

英文：shading losses 解釋：由于遮光到來的光電流乃至效率的損失

4.中文：折射率

英文：refractive index 解釋：簡單來說，某材料的折射率表征光在真空中的速度與光在該材料中的速度之比率。

5.中文：主柵線

英文：busbars 解釋：電池受光面上較粗的導電電極。通常有兩三根貫穿整個電池，寬度幾毫米

6.中文：阻流二極管 /阻滯二極管

英文：blocking diode 解釋：串聯在組件上，阻止與之并聯的其它組件向其輸送電流的二極管

7.中文：組件 英文：modules 解釋：具有封裝及內部連接的、能單獨提供直流電輸出的、不可分割的太陽能電池組合裝置。通常由太陽能電池片、鋼化玻璃、EVA、透明TPT背板以及鋁合金邊框組成。

8.中文：最大功率點

英文：maximum power point 解釋：指電池或組件在特定光照條件下輸出功率最大的工作點

9.中文：最大功率點跟蹤器

英文：maximum power point tractor 解釋：整合到光伏系統電路中能自動調整組件運作電壓使其輸出功率達到最大的電子器件

10.中文：載流子注入

英文：carrier injection

解釋：指多過剩流子的注入。可以通過在電池上加正偏電壓或提供光照來實現

11.中文：雜質

英文：Impurities

解釋：半導體中除了半導體材料本身以外的其它雜質。

12.中文：直接帶隙半導體

英文：direct band-gap semiconductor

解釋：指半導體的能帶圖上導帶底與價帶頂在同一動量上。單一光子作用即可激發電子空穴對。砷化鎵是常見的直接帶隙半導體

第三篇：太陽能電池最新政策

太陽能光電建筑應用財政補助資金管理暫行辦法

第一條 根據國務院《關于印發節能減排綜合性工作方案的通知》（國發[2007]15號）及《財政部建設部關于印發<可再生能源建筑應用專項資金管理暫行辦法>的通知》（財建[2006]460號）精神，中央財政從可再生能源專項資金中安排部分資金，支持太陽能光電在城鄉建筑領域應用的示范推廣。為加強太陽能光電建筑應用財政補助資金（以下簡稱補助資金）的管理，提高資金使用效益，特制定本辦法。

第二條 補助資金使用范圍

（一）城市光電建筑一體化應用，農村及偏遠地區建筑光電利用等給予定額補助。

（二）太陽能光電產品建筑安裝技術標準規程的編制。

（三）太陽能光電建筑應用共性關鍵技術的集成與推廣。

第三條 補助資金支持項目應滿足以下條件：

（一）單項工程應用太陽能光電產品裝機容量應不小于50kWp；

（二）應用的太陽能光電產品發電效率應達到先進水平，其中單晶硅光電產品效率應超過16％，多晶硅光電產品效率應超過14％，非晶硅光電產品效率應超過6%；

（三）優先支持太陽能光伏組件應與建筑物實現構件化、一體化項目；

（四）優先支持并網式太陽能光電建筑應用項目；

（五）優先支持學校、醫院、政府機關等公共建筑應用光電項目。

第四條 鼓勵地方出臺與落實有關支持光電發展的扶持政策。滿足以下條件的地區，其項目將優先獲得支持。

（一）落實上網電價分攤政策；

（二）實施財政補貼等其他經濟激勵政策；

（三）制定出臺相關技術標準、規程及工法、圖集；

第五條 本通知印發之日前已完成的項目不予支持。

第六條 2009年補助標準原則上定為20元/Wp，具體標準將根據與建筑結合程度、光電產品技術先進程度等因素分類確定。以后補助標準將根據產業發展狀況予以適當調整。

第七條 申請補助資金的單位應為太陽能光電應用項目業主單位或太陽能光電產品生產企業，申請補助資金單位應提供以下材料：

（一）項目立項審批文件（復印件）；

（二）太陽能光電建筑應用技術方案；

（三）太陽能光電產品生產企業與建筑項目等業主單位簽署的中標協議；

（四）其他需要提供的材料。

第八條 申請補助資金單位的申請材料按照屬地原則，經當地財政、建設部門審核后，報省級財政、建設部門。

第九條 省級財政、建設部門對申請補助資金單位的申請材料進行匯總和核查，并于每年的4月30日、8月30日前聯合上報財政部、住房和城鄉建設部（附表）。

第十條 財政部會同住房城鄉建設部對各地上報的資金申請材料進行審查與評估，確定示范項目及補助資金的額度。

第十一條 財政部將項目補貼總額預算的70％下達到省級財政部門。省級財政部門在收到補助資金后，會同建設部門及時將資金落實到具體項目。

第十二條 示范項目完成后，財政部根據示范項目驗收評估報告，達到預期效果的，通過地方財政部門將項目剩余補助資金撥付給項目承擔單位。

第十三條 補助資金支付管理按照財政國庫管理制度有關規定執行。

第十四條 各級財政、建設部門要切實加強補助資金的管理，確保補助資金專款專用。對弄虛作假、冒領、截留、挪用補助資金的，一經查實，按國家有關規定執行。

第十五條 本辦法由財政部、住房城鄉建設部負責解釋。

第十六條 本辦法自印發之日起執行。

附表：太陽能光電技術建筑應用財政補助資金申請匯總表（略）

第四篇：優缺點

主要優缺點

1． 優點：樂于助人，善于團結，吃苦耐勞，平易近人。

缺點：工作作風過于拘謹不夠大膽

2．優點：尊敬師長，團結同學，樂于助人，是老師的好幫手，同學的好朋友，學習勤奮，積極向上，喜歡和同學討論并解決問題，積極參加班級學校組織的各種課內外活動。缺點：思想不夠成熟，理論聯系實際能力較弱。

3．優點：心地善良，為人誠實，一心一意，精明能干，個性穩重，積極主動。

缺點：平時做事太注重于細節，有可能忽視了對整體的把握。

4．優點：關心他人，積極主動、獨立工作能力強，并有良好的交際技能，愿意在壓力下工作，并具領導素質。

缺點：在為人處事方面經驗不夠。

5．優點：做事有恒心、有毅力，處事有自己的見解，而不人云己云。缺點：理論學習需要進一步深化。

6．優點：學習上有自己的方法，學習新的的東西效率高，學習新的技能上手快。缺點：工作經驗較少還需要進一步鍛煉。

7．優點：有積極的工作態度，勇于挑重擔，愿意和能夠在沒有監督的情況下勤奮地工作;公正嚴明，上進心強，有良好的交際技能。

缺點：有時對有的事情想得過多。

第五篇：優缺點

能夠認真學習黨的路線方針政策，學習黨的十七大精神，學習科學發展觀，理論素養有一定提高。學習刻苦努力，成績優異。積極參加學校班級組織的各項活動。團結同學，樂于助人。按時交納黨費，積極參加組織生活。按照黨員標準嚴格要求自己，起到了黨員的先鋒模范作用。

優點：

（1）能夠認真學習黨的路線方針政策，與黨中央保持一致，認真學習黨的十七大精神和各個會議的重要內容，深入學習科學發展觀，政治方面把握、辨別力、敏銳性等。

（2）學習刻苦努力，成績優異。具有很強的科研能能力，積極參加導師的科研項目，并取得了很好的成績。

（3）積極參加學校班級組織的各項活動。團結同學，樂于助人。

（4）按照優秀黨員標準嚴格要求自己，履行黨員義務，知行合一。

缺點:

（1）在遇到問題和困難的時候，考慮不全面，有時會對一些細節把握的不夠。

（3）由于自己還沒有進入工作，在理論聯系實際的能力還有所欠缺。

總之，以上的優點將繼續堅持，缺點要及時的改正，要繼續努力，進一步嚴格要求自己，積極地進行批評與自我批評，愿意接受黨組織對自己的進一步考察和考驗，時刻保持嚴以律己、埋頭苦干的行為準則與工作作風，以一名優秀共產黨員的要求嚴格要求自己！

.缺點和不足：

一年來，自己在黨組織和同事們的幫助和支持下取得了一定的成績，但我深知自己還存在一些缺點和不足，主要表現在以下幾個方面：

1、政治理論基礎不夠扎實，理論聯系實際的能力較差;

2、向黨組織思想匯報和老黨員們的思想交流不夠;

3、自己的綜合素質還有待進一步的提高。