第一篇：現(xiàn)代內(nèi)存顆粒型號命名

GM,代表LGS產(chǎn)品.72,代表SDRAM.66,代表64M 8,代表8bit位寬 4,代表4個芯片 T,代表TSOP2封裝 75,代表133MHZ 內(nèi)存條一般都有標注大小，如果沒有就要看顆粒的編號了，給個你看看：

samsung內(nèi)存

例：samsungk4h280838b-tcb0

第1位——芯片功能k，代表是內(nèi)存芯片。

第2位——芯片類型4，代表dram。

第3位——芯片的更進一步的類型說明，s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。

第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的內(nèi)存采用不同的刷新速率，也會使用不同的編號。64、62、63、65、66、67、6a代表64mbit的容量；28、27、2a代表128mbit的容量；56、55、57、5a代表256mbit的容量；51代表512mbit的容量。

第6、7位——數(shù)據(jù)線引腳個數(shù)，08代表8位數(shù)據(jù)；16代表16位數(shù)據(jù)；32代表32位數(shù)據(jù)；64代表64位數(shù)據(jù)。

第11位——連線“-”。

第14、15位——芯片的速率，如60為6ns；70為7ns；7b為7.5ns(cl=3)；7c為7.5ns(cl=2)；80為8ns；10為10ns(66mhz)。

知道了內(nèi)存顆粒編碼主要數(shù)位的含義，拿到一個內(nèi)存條后就非常容易計算出它的容量。例如一條三星ddr內(nèi)存，使用18片samsungk4h280838b-tcb0顆粒封裝。顆粒編號第4、5位“28”代表該顆粒是128mbits，第6、7位“08”代表該顆粒是8位數(shù)據(jù)帶寬，這樣我們可以計算出該內(nèi)存條的容量是128mbits（兆數(shù)位）×16片/8bits=256mb（兆字節(jié)）。

注：“bit”為“數(shù)位”，“b”即字節(jié)“byte”，一個字節(jié)為8位則計算時除以8。關(guān)于內(nèi)存容量的計算，文中所舉的例子中有兩種情況：一種是非ecc內(nèi)存，每8片8位數(shù)據(jù)寬度的顆粒就可以組成一條內(nèi)存；另一種ecc內(nèi)存，在每64位數(shù)據(jù)之后，還增加了8位的ecc校驗碼。通過校驗碼，可以檢測出內(nèi)存數(shù)據(jù)中的兩位錯誤，糾正一位錯誤。所以在實際計算容量的過程中，不計算校驗位，具有ecc功能的18片顆粒的內(nèi)存條實際容量按16乘。在購買時也可以據(jù)此判定18片或者9片內(nèi)存顆粒貼片的內(nèi)存條是ecc內(nèi)存。

hynix(hyundai)現(xiàn)代

現(xiàn)代內(nèi)存的含義：

hy5dv641622at-36 hyxxxxxxxxxxxxxxxx ***

1、hy代表是現(xiàn)代的產(chǎn)品

2、內(nèi)存芯片類型：(57=sdram，5d=ddrsdram)；

3、工作電壓：空白=5v，v=3.3v,u=2.5v

4、芯片容量和刷新速率：16=16mbits、4kref；64=64mbits、8kref；65=64mbits、4kref；128=128mbits、8kref；129=128mbits、4kref；256=256mbits、16kref；257=256mbits、8kref

5、代表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬：40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位

6、bank數(shù)量：1、2、3分別代表2個、4個和8個bank，是2的冪次關(guān)系

7、i/o界面：1:sstl_

3、2:sstl_2

8、芯片內(nèi)核版本：可以為空白或a、b、c、d等字母，越往后代表內(nèi)核越新

9、代表功耗：l=低功耗芯片，空白=普通芯片

10、內(nèi)存芯片封裝形式：jc=400milsoj，tc=400miltsop-ⅱ，td=13mmtsop-ⅱ，tg=16mmtsop-ⅱ

11、工作速度：55:183mhz、5:200mhz、45:222mhz、43:233mhz、4:250mhz、33:300nhz、l:ddr200、h:ddr266b、k:ddr266a 現(xiàn)代的mbga封裝的顆粒

infineon（英飛凌）

infineon是德國西門子的一個分公司，目前國內(nèi)市場上西門子的子公司infineon生產(chǎn)的內(nèi)存顆粒只有兩種容量：容量為128mbits的顆粒和容量為256mbits的顆粒。編號中詳細列出了其內(nèi)存的容量、數(shù)據(jù)寬度。infineon的內(nèi)存隊列組織管理模式都是每個顆粒由4個bank組成。所以其內(nèi)存顆粒型號比較少，辨別也是最容易的。

hyb39s128400即128mb/4bits，“128”標識的是該顆粒的容量，后三位標識的是該內(nèi)存數(shù)據(jù)寬度。其它也是如此，如：hyb39s128800即128mb/8bits；hyb39s128160即128mb/16bits；hyb39s256800即256mb/8bits。

infineon內(nèi)存顆粒工作速率的表示方法是在其型號最后加一短線，然后標上工作速率。

-7.5——表示該內(nèi)存的工作頻率是133mhz；

-8——表示該內(nèi)存的工作頻率是100mhz。

例如：

1條kingston的內(nèi)存條，采用16片infineon的hyb39s128400-7.5的內(nèi)存顆粒生產(chǎn)。其容量計算為：128mbits（兆數(shù)位）×16片/8=256mb（兆字節(jié)）。

1條ramaxel的內(nèi)存條，采用8片infineon的hyb39s128800-7.5的內(nèi)存顆粒生產(chǎn)。其容量計算為：128mbits（兆數(shù)位）×8片/8=128mb（兆字節(jié)）。

kingmax、kti

kingmax內(nèi)存的說明

kingmax內(nèi)存都是采用tinybga封裝（tinyballgridarray）。并且該封裝模式是專利產(chǎn)品，所以我們看到采用kingmax顆粒制作的內(nèi)存條全是該廠自己生產(chǎn)。kingmax內(nèi)存顆粒有兩種容量：64mbits和128mbits。在此可以將每種容量系列的內(nèi)存顆粒型號列表出來。

容量備注：

ksva44t4a0a——64mbits，16m地址空間×4位數(shù)據(jù)寬度；

ksv884t4a0a——64mbits，8m地址空間×8位數(shù)據(jù)寬度；

ksv244t4xxx——128mbits，32m地址空間×4位數(shù)據(jù)寬度；

ksv684t4xxx——128mbits，16m地址空間×8位數(shù)據(jù)寬度；

ksv864t4xxx——128mbits，8m地址空間×16位數(shù)據(jù)寬度。

kingmax內(nèi)存的工作速率有四種狀態(tài)，是在型號后用短線符號隔開標識內(nèi)存的工作速率：

-7a——pc133/cl=2；-7——pc133/cl=3；

-8a——pc100/cl=2；

-8——pc100/cl=3。

例如一條kingmax內(nèi)存條，采用16片ksv884t4a0a-7a的內(nèi)存顆粒制造，其容量計算為：64mbits（兆數(shù)位）×16片/8=128mb（兆字節(jié)）。

micron（美光）

以mt48lc16m8a2tg-75這個編號來說明美光內(nèi)存的編碼規(guī)則。

含義：

mt——micron的廠商名稱。

48——內(nèi)存的類型。48代表sdram；46代表ddr。

lc——供電電壓。lc代表3v；c代表5v；v代表2.5v。

16m8——內(nèi)存顆粒容量為128mbits，計算方法是：16m（地址）×8位數(shù)據(jù)寬度。

a2——內(nèi)存內(nèi)核版本號。

tg——封裝方式，tg即tsop封裝。

-75——內(nèi)存工作速率，-75即133mhz；-65即150mhz。

實例：一條micronddr內(nèi)存條，采用18片編號為mt46v32m4-75的顆粒制造。該內(nèi)存支持ecc功能。所以每個bank是奇數(shù)片內(nèi)存顆粒。

其容量計算為：容量32m×4bit×16片/8=256mb（兆字節(jié)）。

winbond（華邦）

含義說明：

wxxxxxxxx 12345

1、w代表內(nèi)存顆粒是由winbond生產(chǎn)

2、代表顯存類型：98為sdram，94為ddrram

3、代表顆粒的版本號：常見的版本號為b和h；

4、代表封裝，h為tsop封裝，b為bga封裝，d為lqfp封裝

5、工作頻率:0：10ns、100mhz；8：8ns、125mhz；z：7.5ns、133mhz；y：6.7ns、150mhz；6：6ns、166mhz；5：5ns、200mhz

mosel（臺灣茂矽）

臺灣茂矽科技是臺灣一家較大的內(nèi)存芯片廠商，對大陸供貨不多，因此我們熟悉度不夠。這顆粒編號為v54c365164vdt45，從編號的6、7為65表示單顆粒為64/8＝8mb，從編號的8、9位16可知單顆粒位寬16bit，從編號的最后3位t45可知顆粒速度為4.5ns

nanya（南亞）、elixir、pqi、pluss、atl、eudar

南亞科技是全球第六大內(nèi)存芯片廠商，也是去年臺灣內(nèi)存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位。這顆顯存編號為nt5sv8m16ct-7k，其中第4位字母“s”表示是sdram顯存，6、7位8m表示單顆粒容量8m，8、9位16表示單顆粒位寬16bit，-7k表示速度為7ns。

v-data（香港威剛）、a-data（臺灣威剛）、vt

內(nèi)存顆粒編號為vdd8608a8a-6b h0327，是6納秒的顆粒，單面8片顆粒共256m容量，0327代表它的生產(chǎn)日期為2003年第27周

第二篇：電線電纜型號

BVR銅芯聚氯乙烯絕緣軟電纜（電線）

BVV--銅芯聚氯乙烯絕緣聚氯乙烯護套圓型電纜（電線）

BVVB--銅芯聚氯乙烯絕緣聚氯乙烯護套平型電纜（電線）

BV-105--銅芯耐熱105度聚氯乙烯絕緣電線

BV-ZR 銅芯阻燃型聚氯乙烯絕緣電線

BVR-ZR 銅芯阻燃型聚氯乙烯絕緣軟電線

BVV-ZR 銅芯阻燃型聚氯乙烯絕緣聚氯乙烯護套圓型電纜

BVVB-ZR 銅芯阻燃型聚氯乙烯絕緣聚氯乙烯護套平型電纜

BV-ZR-105 銅芯耐熱105℃阻燃型聚氯乙烯絕緣電線

BVR-ZR-105 銅芯耐熱105℃阻燃型氯乙烯絕緣聚氯乙烯護套圓型軟電纜

BVV-ZR-105 銅芯耐熱105℃阻燃型聚氯乙烯護套圓型電纜

AV-ZR-105 銅芯耐熱105℃阻燃型聚氯乙烯絕緣安裝電線

AVR-ZR-105 銅芯耐熱105℃阻燃型聚氯乙烯絕緣安裝軟電線

AV-ZR 銅芯阻燃型聚氯乙烯絕緣安裝電線

RVB--銅芯聚氯乙烯絕緣平型連接軟電線

RVS--銅芯聚氯乙烯絕緣絞型連接軟電線

RVV--銅芯聚氯乙烯絕緣聚氯乙烯護套平型連接軟電纜（電線）

RV-105--銅芯耐熱105度聚氯乙烯絕緣連接軟電線

SYWV(Y)：物理發(fā)泡聚乙絕緣有線電視系統(tǒng)電纜，視頻（射頻）同軸電纜（SYV、SYWV、SYFV）適用于閉路監(jiān)控及有線電視工程

SYWV（Y）、SYKV 有線電視、寬帶網(wǎng)專用電纜結(jié)構(gòu)：（同軸電纜）單根無氧圓銅線+物理 發(fā)泡聚乙烯（絕緣）+（錫絲+鋁）+聚氯乙烯（聚乙烯）

RVVP屏蔽線：銅芯聚氯乙烯絕緣屏蔽聚氯乙烯護套軟電纜 電壓300V/300V 2-24芯 用途：儀器、儀表、對講、監(jiān)控、控制安裝

RG：物理發(fā)泡聚乙烯絕緣接入網(wǎng)電纜 用于同軸光纖混合網(wǎng)（HFC）中傳輸數(shù)據(jù)模擬信號 KVVP：聚氯乙烯護套編織屏蔽電纜 用途：電器、儀表、配電裝置的信號傳輸、控制、測量 RVV：護套線（227IEC52/53）聚氯乙烯絕緣軟電纜 用途：家用電器、小型電動工具、儀表及動力照明 AVVR 聚氯乙烯護套安裝用軟電纜

SBVV HYA 數(shù)據(jù)通信電纜（室內(nèi)、外）用于電話通信及無線電設備的連接以及電話配線網(wǎng)的分線盒接線用

RV、RVP 聚氯乙烯絕緣電纜

RVS、RVB 適用于家用電器、小型電動工具、儀器、儀表及動力照明連接用電纜

BV、BVR 聚氯乙烯絕緣電纜用途：適用于電器儀表設備及動力照明固定布線用

RIB 音箱連接線（發(fā)燒線）

KVV 聚氯乙烯絕緣控制電纜 用途：電器、儀表、配電裝置信號傳輸、控制、測量

SFTP 雙絞線 傳輸電話、數(shù)據(jù)及信息網(wǎng)

UL2464 電腦連接線

VGA 顯示器線

SYV 同軸電纜 無線通訊、廣播、監(jiān)控系統(tǒng)工程和有關(guān)電子設備中傳輸射頻信號（含綜合用同軸電纜）SDFAVP、SDFAVVP、SYFPY 同軸電纜，電梯專用

JVPV、JVPVP、JVVP 銅芯聚氯乙烯絕緣及護套銅絲編織電子計算機控制電纜

UTP：局域網(wǎng)電纜 用途：傳輸電話、計算機數(shù)據(jù)、防火、防盜保安系統(tǒng)、智能樓宇信息網(wǎng)SBVV HYA 數(shù)據(jù)通信電纜（室內(nèi)、外）用于電話通信及無線電設備的連接以及電話配線網(wǎng)的 分線盒接線用

第三篇：冰箱型號參數(shù)詳解

型號：

一般冰箱上的型號是這樣區(qū)分識別的：

如：BCD-181WA和BCD-181A為例

B代表的是：家用的意思

C代表的是：冷藏的意思

D代表的是：冷凍的意思

所以BCD也就是家用冷藏冷凍箱的意思（俗稱電冰箱）。

181代表的是該家用冷藏冷凍箱（電冰箱）的有效容積為181立升，這里要強調(diào)的是“有效容積”。

W代表的是該電冰箱的制冷形式是無霜（也就是間冷式冰箱或者可稱做為風冷式電冰箱）的意思。

如果在該冰箱的有效容積后面沒有‘W''字母的，該電冰箱就是直冷式（也可稱做為有霜冰箱）冰箱。

A代表的是該立升冰箱系列的設計序號（他可以是A，B，C......Z等等）

BCD-181WA：以A為設計序號的181立升無霜（間冷式）家用電冰箱（冷藏冷凍箱）BCD-181A：以A為設計序號的181立升有霜（直冷式）家用電冰箱（冷藏冷凍箱)★冰箱容積

有專業(yè)人士建議人均容積60-70立升較為合適，一般三口之家選擇200升左右的冰箱就比較理想了。當然，并不是說就一定要按這個來，人口較多，經(jīng)濟條件好，住房面積大的家庭，相應挑選容積大的冰箱才是更明智的選擇。

★冰箱的制冷方式

冰箱的制冷方式有直冷（有霜），間冷（風冷、無霜），選擇那種制冷方式，要看用戶的具體需求如何了。直冷方式優(yōu)點是耗電小、噪音低、價格低、冷凍強，適合在冬季比較干燥的北方和內(nèi)陸地區(qū)使用，缺點是溫度均勻性較差，而且需要手動除霜；間冷方式優(yōu)點是冷凍速度快、無霜、溫度均勻性好，適合在南方等比較潮濕的地區(qū)使用，缺點是耗電量大、噪音一般也較高、價格也較高，食品容易被風干。另外，現(xiàn)在有的冰箱采用了先進的風直冷技術(shù)，即冷藏室用直冷，冷凍室用風冷，充分結(jié)合了二者的優(yōu)勢，不過這類冰箱價格也較貴。這里不能說誰好誰壞，主要還是要看用戶的訴求。

星級：

冰箱星級。星級常見為三星級，表示不高于－18℃。四星級電冰箱的溫度同三星級電冰箱,第四個星為冷凍星,表示該電冰箱具有速凍能力。)星級 符號 冷凍室溫度（℃）大約保存食品時間 一星級 *

≤-6

1星期 二星級 **

≤-12

1個月 三星級 ***

≤-18

3個月 四星級 **** ＜-18

3-6個月

氣候類型：

①SN，代表亞溫帶氣候類型，適宜的環(huán)境溫度為10-32℃。

②N,代表溫帶氣候類型，適宜的環(huán)境溫度為16-32℃。

③ST，代表亞熱帶氣候類型，適宜的環(huán)境溫度為18-38℃。

④T，代表熱帶氣候類型，適宜的環(huán)境溫度為18-43℃。耗電量：

是指冰箱在正常運行的情況下一天24小時內(nèi)的用電量，目前最好的冰箱三天使用一度電，可以算是最節(jié)能的冰箱。冷凍能力：

是指冰箱在特定的時間內(nèi)可以冷凍多少斤的食物，斤數(shù)越大表明冰箱的冷凍能力就越強。制冷劑：

又稱冷凍劑,它是制冷系統(tǒng)中完成工作循環(huán)的工作介質(zhì),有的人稱它為“雪種”。目前世界上多數(shù)國家均采用美國供暖制冷空調(diào)工程師協(xié)會標準的規(guī)定來命名制冷劑,用英文單詞制冷劑“Refriger-ant”的首寫字母“R”作為制冷劑的代號如R12、R134a。

無霜冰箱：

無霜冰箱的制冷方式采用風冷式制冷方式，那么有消費者會問了，什么又是風冷式制冷方式呢？風冷式制冷方式是冰箱內(nèi)有一個小風扇強制箱內(nèi)空氣流動，因此箱內(nèi)溫度均勻，冷卻速度快，使用方便。但因具有除霜系統(tǒng)，耗電量稍大，制造相對復雜，因此這種利用一只小型風扇強迫箱內(nèi)空氣對流，以達到冷卻的目的，因此我們看不到它所產(chǎn)生的霜。所以我們稱之為無霜冰箱。

目前多數(shù)無霜冰箱都是雙開門以上的大容積冰箱，對開門以上的高端冰箱多采用風冷無霜技術(shù)以達到大空間內(nèi)冷氣迅速循環(huán)。而消費者在選購時，還可以注意一個小細節(jié)，看冰箱的型號是否有字母＂W＂，通常這個＂W＂就是無霜的意思。

無氟冰箱：

說起“無氟”冰箱，人們往往認為這種冰箱不使用氟了，因為有氟冰箱是使用氟里昂11和氟里昂12來做發(fā)泡劑和制冷劑的冰箱。但中國保護消費者基金會的專家指出，從化學反應式中可以看到，破壞臭氧層的元兇，是“氯”而并非“氟”。以前普通電冰箱的制冷系統(tǒng)，常常使用Ｒ１２制冷劑。當它泄漏到空氣中，受到陽光的照射，會產(chǎn)生化學反應。導致臭氧數(shù)量減少，破壞大氣環(huán)境，造成臭氧層消失而形成的空洞，對人類的健康及生物正常成長造成很大的威脅。隨著國家發(fā)布了對氟利昂制冷劑的規(guī)定，凡是帶有氟利昂制冷劑產(chǎn)品2010年全部不準銷售。所以，現(xiàn)在很多廠家陸續(xù)轉(zhuǎn)型推出無氟電冰箱。這種電冰箱大多采用了R134a制冷劑或R600a制冷劑替代了R12制冷劑，其電冰箱的主要零部件和密封材料以及潤滑油都與普通電冰箱不同。因此冰箱參數(shù)標表中帶有R134a或R600a字符時，這樣的冰箱就屬于無氟冰箱。何為變頻冰箱：

變頻冰箱采用變頻壓縮機，并在冰箱控制系統(tǒng)中增加了變頻控制器，通過改變壓縮機的轉(zhuǎn)速可以改變冰箱的制冷量。由于變頻壓縮機和變頻控制器的成本較高，使得變頻冰箱的價格也較高，現(xiàn)在一般用在高檔冰箱產(chǎn)品中。

變頻冰箱主要體現(xiàn)在耗電量方面，采用變頻技術(shù)就是為了節(jié)能，一般情況高端產(chǎn)品采用變頻技術(shù)的較多，像冰箱250升以上的采用變頻技術(shù)，采用變頻技術(shù)主要是從冰箱的運行、使用過程實現(xiàn)節(jié)能，通過改變壓縮機轉(zhuǎn)速來改變冰箱的制冷量，使制冷量能夠根據(jù)負荷的變化而變化，從而減小開停機損失、降低耗電量。

因此當你聽到有促銷員給你推薦的說是變頻冰箱，那么你就要看清楚是不是250升以上的容量，如果自己選的冰箱還沒到250升這個界限，就不必選購變頻冰箱，因為這樣沒有必要，主要是變頻壓縮機和變頻控制器的成本較高，使得變頻冰箱的價格也較高，現(xiàn)在一般用在高檔冰箱產(chǎn)品中，所以不要盲目聽從促銷員盲目的促銷，還是要選對自己所需的產(chǎn)品。

按照國家推出的《家用電冰箱電耗限定值及能源效率等級》標準規(guī)定，把電冰箱分成1、2、3、4、5五個等級，其中：

能效等級

1級表示產(chǎn)品達到國際先進水平，最節(jié)電； 2級表示比較節(jié)電；

3級表示產(chǎn)品的能源效率為市場的平均水平；

4級表示產(chǎn)品能源效率低于市場平均水平；

5級表示耗能高，是市場準入指標，低于該等級要求的產(chǎn)品不允許生產(chǎn)和銷售。

能效標識

如果消費者在選購冰箱的時候看到下面這樣的圖標，就要看看右面的數(shù)字是多少，看看是不是符合國家標準的能效等級產(chǎn)品。從數(shù)字分析看，我們很容易得出一個結(jié)論，數(shù)字越小越省電，但是目前就編者從市場上面了解到，一般1級能效標準的產(chǎn)品價格大部分都很高，但是也有少數(shù)價格便宜，畢竟低能耗的冰箱產(chǎn)品使用的壓縮機與制冷劑相對于一般冰箱成本高，所以能效等級越小的產(chǎn)品越省電，目前市場上面較多的還是2級能效標準的產(chǎn)品，像我們普通消費家庭使用2級能效的就可以了。

小結(jié)：編者從冰箱上面貼的銘牌、無霜、無氟、變頻、能效等級這幾方面介紹了冰箱的整體內(nèi)容，這樣的介紹可以讓一個不了解冰箱參數(shù)的人了解冰箱，可以讓消費在購買冰箱之前對冰箱有80%的了解，可以不被促銷員忽悠，胸有成竹選購自己需要的冰箱。編者的解釋也許不夠明白，但是絕大部分都是選購冰箱時的嘗試，了解這些我想不會比促銷員知道的少，我想看完編者的介紹后腦子里會浮現(xiàn)出一臺完整的冰箱，我想那就是你所想擁有的那臺吧。

第四篇：招商局漳州開發(fā)區(qū)命名

1、踞閩東南沿海富庶寶地之一隅，隔海相望鷺島，發(fā)端于小平同志南巡講話之際，成長于中國經(jīng)濟發(fā)展迅猛之年代，盡天、地、人之利，揚股東、區(qū)位、岸線優(yōu)勢，顯港口、體制、高校特色，致力于建設宜居宜業(yè)宜游之濱海新城。古為漁民小村，荒山野嶺，雜草叢生。創(chuàng)辦蛇口工業(yè)區(qū)之袁庚，千里岸線一路南行，佇立南炮臺之上，感慨曰：漳州有女初長成，養(yǎng)在深閨人未識。這是一顆塵封霧鎖的明珠，一旦放出光芒，將照耀東南海疆。九二年末，一聲山石爆破巨響，驚醒這片沉寂大地，數(shù)萬各地建設者，響應祖國號召，離鄉(xiāng)背井到此創(chuàng)業(yè)開發(fā)，克服艱難困苦，現(xiàn)代愚公移山，精衛(wèi)填海，硬是搬掉數(shù)十座山頭，在這不毛之地建起了一座濱海城市之雛型。短短二十年載，荒山野嶺已無蹤，袁庚預言已成真，一個以臨港工業(yè)、食品加工業(yè)和港航物流業(yè)為特色的新興海濱工業(yè)城市正展現(xiàn)在世人面前。廈門灣南岸正成為一顆耀眼的明珠。

2、名稱：招商局漳州明珠港

名稱闡釋：閩東南故地，漳州新港，南海濱海灣，漳州外水廊。接陸地而有淺灘，面大洋而有深槽。袁庚于茲佇立，感慨此塵封霧鎖明珠，若釋放光芒，必照耀東南海疆。遂邀招商局興明珠港于鷺島之彼岸。此為該地得名之史。

3、名稱：招商明珠城（掌上明珠城）

古為漁民小村，荒山野嶺，雜草叢生。短短二十年載，荒山野嶺已無蹤，袁庚預言已成真，一個以臨港工業(yè)、食品加工業(yè)和港航物流業(yè)為特色的新興海濱工業(yè)城市正展現(xiàn)在世人面前。廈門灣南岸正成為一顆耀眼的明珠。故稱為招商明珠城。

4、名稱：招商局漳州山海灣

南有太武山，東臨廈門灣，內(nèi)有卓歧湖，依山面海，區(qū)內(nèi)半山半海而成，馳騁山海之間，構(gòu)筑宜居宜業(yè)宜游之濱海新城，幸福之城。觀海瀾庭，山風徐徐，悅享一城；更有雙魚島，廈漳海底隧道，無線期許。悅山、悅海、悅灣，一躍成名，此乃招商局漳州山海灣。

第五篇：包覆燃料顆粒制備技術(shù)研究論文

【摘要】本文首先介紹了高溫氣冷堆核燃料元件生產(chǎn)線工程（827工程）概況，然后講述包覆燃料顆粒的構(gòu)成，制備工藝流程及關(guān)鍵設備，最后調(diào)試結(jié)果表明此制備技術(shù)可以生產(chǎn)出各項性能都滿足產(chǎn)品技術(shù)條件的包覆燃料顆粒。

【關(guān)鍵詞】包覆燃料顆粒；流程；制備技術(shù)

0前言

827工程是國內(nèi)首條高溫氣冷堆核電站燃料元件生產(chǎn)線，為示范電站提供首爐燃料元件和運行后換料所需的燃料元件，并為今后商用高溫氣冷堆核電廠的燃料元件生產(chǎn)積累技術(shù)經(jīng)驗。球形燃料元件由燃料區(qū)和無燃料區(qū)構(gòu)成。燃料區(qū)是包覆燃料顆粒彌散在石墨基體里的直徑為約50mm的球體。無燃料區(qū)是圍繞燃料區(qū)的厚度約5mm（和燃料區(qū)相同的石墨基體材料）的球殼。燃料區(qū)和無燃料區(qū)間無物理上分界面。球形燃料元件的直徑為60mm，每個球形燃料元件含7g鈾，即約為12000個包覆燃料顆粒。包覆燃料顆粒是高溫氣冷堆核電站燃料元件的重要組成部分，它是利用化學氣相沉積的原理，采用清華大學核能與新能源技術(shù)研究院專有技術(shù)制備的[1]。包覆燃料顆粒是由二氧化鈾燃料核芯、疏松熱解碳層、內(nèi)致密熱解碳層、碳化硅層和外致密熱解碳層組成。

1工藝原理

合格的UO2燃料核芯在高溫流化床沉積爐中采用氣相沉積法制成包覆燃料顆粒。包覆基本化學過程：C2H2→2C+H2↑C3H6→3C+3H2↑CH3SiCl3→SiC+3HCl↑

2工藝流程簡述

首先檢查冷卻水源、氣源是否正常，水壓為0.2~0.3MPa，壓縮空氣壓力為0.5~0.6MPa，氬氣、乙炔、丙烯、氫氣和甲基三氯硅烷（MTS）供氣壓力為0.2~0.3MPa。然后抽真空，通氬氣，升溫，氣體從包覆爐底部的噴嘴送入，在包覆爐升溫達到一定溫度后，將UO2燃料核芯從包覆爐頂部的裝料器中放入。分四層進行包覆。第一層，疏松熱解碳層。將包覆爐升溫至1200℃，氬氣作為稀釋和載帶氣體，通入反應氣體乙炔，生成疏松熱解碳層。疏松熱解碳層的密度小于1.1g/cm3，厚度為50~140μm，它的主要作用是儲存氣態(tài)裂變產(chǎn)物，吸收輻照引起的核芯腫脹，緩沖輻照以及溫度變化引起的應力，防止裂變反沖核直接轟擊致密熱解碳層以及解脫燃料核芯與致密熱解碳層間的機械耦合。第二層，內(nèi)致密熱解碳層。將包覆爐升溫至1400℃，氬氣作為稀釋和載帶氣體，通入反應氣體乙炔和丙烯，生成內(nèi)致密熱解碳層。內(nèi)致密熱解碳層的密度約1.9g/cm3，厚度為20~60μm，它作為SiC層沉積的基底，用來防止在包覆SiC層時產(chǎn)生的HCl和UO2核芯反應，延緩金屬裂變產(chǎn)物對SiC層的腐蝕，承受輻照時對包覆層產(chǎn)生的內(nèi)壓。第三層，碳化硅層。將包覆爐升溫至1500℃以上，氬氣作為保護氣體，氫氣作為稀釋和載帶氣體，通入反應氣體甲基三氯硅烷（MTS），生成碳化硅層。碳化硅層的密度大于3.18g/cm3，厚度約為25~45μm，由于它的強度高、彈性模量大、具有耐腐蝕性，因此是承受包覆燃料顆粒內(nèi)壓以及阻擋裂變產(chǎn)物釋放的關(guān)鍵層。它阻擋固態(tài)裂變產(chǎn)物的能力比熱解碳層高1~3個量級，強度比熱解碳層高好幾倍。第四層，外致密熱解碳層。將包覆爐降溫至1400℃，氬氣作為稀釋和載帶氣體，通入反應氣體乙炔和丙烯，生成外致密熱解碳層。外致密熱解碳層的密度約1.9g/cm3，厚度為20~60μm，它是阻擋裂變產(chǎn)物釋放的又一道屏障，并且能夠保護SiC層免受機械損傷。在完成疏松熱解碳層和內(nèi)致密熱解碳層沉積之后要分別取樣，用作性能檢驗。最后包覆爐降溫冷卻，卸出包覆燃料顆粒產(chǎn)品，進行滾筒篩的篩分和振動臺的分選，除去尺寸和球形度不合格的包覆燃料顆粒次品，經(jīng)性能檢驗，合格的包覆燃料顆粒送大球制備工序制造球形元件。不合格的包覆燃料顆粒送返品破碎煅燒工序處理。包覆第一、二和四層過程產(chǎn)生的尾氣經(jīng)炭黑除塵器（三級分離：旋風分離、布袋除塵、精密過濾）除去炭黑，剩余的可燃氣體在點火裝置點火后排入通風系統(tǒng)；包覆第三層（碳化硅層）過程產(chǎn)生的尾氣經(jīng)吸收塔吸收除去HCl氣體，剩余的可燃氣體在點火裝置點火后排入通風系統(tǒng)，HCl吸收產(chǎn)生的NaCl廢液排入天然蒸發(fā)池。在包覆顆粒的包覆過程中，是由水環(huán)真空機組對整個系統(tǒng)進行抽真空，確保包覆爐爐壓為微負壓（-1～1kPa），滿足工藝生產(chǎn)要求。

3關(guān)鍵設備

整個包覆系統(tǒng)是由包覆爐、MTS供給系統(tǒng)、配氣柜、炭黑除塵器、吸收塔、水環(huán)真空機組和點火器組成[2]。其中關(guān)鍵設備為包覆爐，包覆燃料顆粒的制備過程都是在包覆爐中完成的。包覆爐及輔助系統(tǒng)主要由包覆爐、真空系統(tǒng)、循環(huán)冷卻水系統(tǒng)、加熱電源及溫控系統(tǒng)、裝卸料系統(tǒng)、防爆管路等組成。

4結(jié)論

包覆燃料顆粒各包覆層的厚度、密度方面的性能主要受包覆各層時的反應氣體流量、沉積溫度、沉積時間的影響[3]。包覆顆粒制備工藝試驗投料為貧料，設定好各包覆層的反應氣體流量、沉積溫度、沉積時間，進行包覆。包覆完畢，再根據(jù)制備出的包覆燃料顆粒各包覆層厚度、密度檢測結(jié)果，調(diào)整工藝參數(shù)，經(jīng)過多次試驗，最終制備出各項性能都滿足產(chǎn)品技術(shù)條件的包覆燃料顆粒，為下一步穿衣顆粒制備工序打下良好的基礎(chǔ)。

【參考文獻】

［1］高溫氣冷堆核電站示范工程燃料元件生產(chǎn)線工程初步設計輸入資料[S].［2］包覆爐系統(tǒng)用戶手冊[S].［3］高溫氣冷堆核燃料元件生產(chǎn)線調(diào)試報告[R].