第一篇：Science.癌癥免疫學(xué)方面的臨床研究新突破doc

Science:癌癥免疫學(xué)方面的臨床研究新突破

[導(dǎo)讀] 在過(guò)去十年間，癌癥的診斷和治療取得了不少重大進(jìn)展，除了化療和放療，癌癥治療現(xiàn)在還有了其它的新方法，比如靶向癌細(xì)胞中與遺傳畸變有關(guān)的內(nèi)源介導(dǎo)因子，最近癌癥免疫學(xué)方面更是取得了一些突破。近期來(lái)自美國(guó)俄勒岡健康與科學(xué)大學(xué)，法國(guó)巴黎第十一大學(xué)等處的

在過(guò)去十年間，癌癥的診斷和治療取得了不少重大進(jìn)展，除了化療和放療，癌癥治療現(xiàn)在還有了其它的新方法，比如靶向癌細(xì)胞中與遺傳畸變有關(guān)的內(nèi)源介導(dǎo)因子，最近癌癥免疫學(xué)方面更是取得了一些突破。近期來(lái)自美國(guó)俄勒岡健康與科學(xué)大學(xué)，法國(guó)巴黎第十一大學(xué)等處的研究人員發(fā)表了題為“Neutralizing Tumor-Promoting Chronic Inflammation: A Magic Bullet?”的綜述性文章，探討了癌癥免疫學(xué)基礎(chǔ)研究和臨床研究的進(jìn)展。相關(guān)成果公布在1月18日Science雜志上。

關(guān)于炎癥與癌癥之間的癡纏糾結(jié)早已不是什么新聞了，但是這兩者之間到底存在著什么樣的關(guān)聯(lián)呢。可以說(shuō)炎癥是癌癥的標(biāo)志，其中不同的免疫細(xì)胞表現(xiàn)出促進(jìn)腫瘤，或者抑制腫瘤的特征，并且影響治療抗藥性。

雖然Virchow曾經(jīng)首先假設(shè)，癌癥發(fā)生在慢性炎癥部位，認(rèn)為免疫細(xì)胞會(huì)釋放因子，刺激增殖（之后形成腫瘤細(xì)胞），但是另外一位科學(xué)家Coley卻利用細(xì)菌混合物，比如Coley毒素，成功的治療了肉瘤，使得腫瘤消退，現(xiàn)代研究證明，這一過(guò)程是通過(guò)急性激活細(xì)胞毒性免疫細(xì)胞介導(dǎo)的。

這些白細(xì)胞矛盾性的特征，部分是由于髓系和淋巴系細(xì)胞的功能可塑性導(dǎo)致的，比如巨噬細(xì)胞，當(dāng)與II型細(xì)胞因子，如白細(xì)胞介素-4（IL-4）接觸的時(shí)候，會(huì)表達(dá)血管內(nèi)皮生長(zhǎng)因子（VEGF）和表皮生長(zhǎng)因子（EGF），分別促進(jìn)血管生成和乳腺癌轉(zhuǎn)移。

相反，如果巨噬細(xì)胞被腫瘤壞死因子（TNF）受體超家族成員CD40激活的話(huà)，就會(huì)成為抑制腫瘤，消減腫瘤基質(zhì)，從而便于其它免疫細(xì)胞和細(xì)胞毒性藥物接近，研究表明能使胰腺腫瘤消退。

實(shí)驗(yàn)和臨床數(shù)據(jù)也表明，可塑性是大部分白細(xì)胞亞型的共同特征，因此可以被用于治療。免疫系統(tǒng)參與炎癥相關(guān)癌癥，所涉及的免疫細(xì)胞范圍廣，產(chǎn)品也不少，通過(guò)實(shí)驗(yàn)室基礎(chǔ)研究和臨床分析，能更深入解析這些問(wèn)題，并確定干預(yù)治療的潛在目標(biāo)。

大部分惡性腫瘤（95％）都與體細(xì)胞（而不是生殖細(xì)胞）中編碼蛋白的基因突變有關(guān)，這些蛋白調(diào)控著細(xì)胞進(jìn)展和/或死亡的許多關(guān)鍵方面。流行病學(xué)研究提出了這許多突變的可能病因，表明30％的人類(lèi)腫瘤與吸煙有關(guān)，35％與飲食有關(guān)，14-20％與肥胖有關(guān)，18％則與傳染性病原體有關(guān)，還有7％與輻射或環(huán)境污染物有關(guān)。

這些因素除了能直接“刺激”癌細(xì)胞形成，也可以作為促腫瘤形成的作用因子，通過(guò)觸發(fā)急性激活免疫效應(yīng)過(guò)程，導(dǎo)致免疫細(xì)胞“啟動(dòng)”組織的浸潤(rùn)。如果長(zhǎng)時(shí)間未能被處理，那么這些組織的攻擊就會(huì)變?yōu)槁裕ㄟ^(guò)各種機(jī)制，為腫瘤的發(fā)生發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。一些與年齡有關(guān)的細(xì)胞衰老因素，還會(huì)添油加醋的進(jìn)一步刺激一些炎癥過(guò)程，促進(jìn)腫瘤發(fā)生。

第二篇：《臨床免疫學(xué)和免疫學(xué)檢驗(yàn)》課程簡(jiǎn)介

《臨床免疫學(xué)和免疫檢驗(yàn)》課程簡(jiǎn)介

課程名稱(chēng)：《臨床免疫學(xué)和免疫檢驗(yàn)》

英方名稱(chēng)：《clinical immunology and immunological examinations 》 開(kāi)課單位：遵義醫(yī)學(xué)院醫(yī)學(xué)檢驗(yàn)系

課程性質(zhì)：必修課

總 學(xué) 時(shí)：90學(xué)時(shí)，其中理論：46學(xué)時(shí)，實(shí)驗(yàn)：44學(xué)時(shí)

學(xué)分：5學(xué)分

適用專(zhuān)業(yè)：醫(yī)學(xué)檢驗(yàn)

教學(xué)目的：通過(guò)教學(xué)使學(xué)生掌握臨床免疫學(xué)基本理論及免疫學(xué)檢驗(yàn)的方法。對(duì)各種

疾病血清、體液、組織等標(biāo)本的免疫學(xué)檢驗(yàn)原理及操作程序，依據(jù)抗原或抗體的變化規(guī)律，進(jìn)而對(duì)疾病的發(fā)生、發(fā)展及預(yù)后做出診斷等。

內(nèi)容簡(jiǎn)介：臨床免疫學(xué)檢驗(yàn)是研究免疫學(xué)技術(shù)及其在醫(yī)學(xué)領(lǐng)域中應(yīng)用的一門(mén)學(xué)科。

重點(diǎn)闡述免疫學(xué)技術(shù)的原理、類(lèi)型、技術(shù)要點(diǎn)、臨床應(yīng)用及其方法學(xué)評(píng)價(jià)。內(nèi)容包括：抗原抗體反應(yīng)、免疫原和抗血清的制備、凝集反應(yīng)、沉淀反應(yīng)、補(bǔ)體檢測(cè)及應(yīng)用、熒光免疫技術(shù)、酶免疫技術(shù)、流式細(xì)胞技術(shù)、免疫細(xì)胞的分離與檢測(cè)、細(xì)胞因子測(cè)定及應(yīng)用、超敏反應(yīng)及其檢測(cè)、自身免疫病及檢驗(yàn)、免疫增殖病及檢驗(yàn)、免疫缺陷病及其檢驗(yàn)、腫瘤免疫及檢驗(yàn)、移植免疫及檢驗(yàn)、免疫學(xué)檢驗(yàn)的質(zhì)量控制等。

考核形式：閉卷考試

教材：《臨床免疫學(xué)和免疫學(xué)檢驗(yàn)》，人民衛(wèi)生出版社，王蘭蘭，3版，2003年。參考書(shū)目：

1.《現(xiàn)代檢驗(yàn)醫(yī)學(xué)與臨床實(shí)踐》，上海科學(xué)技術(shù)文獻(xiàn)出版社，王鴻利，1999年。

2.《檢驗(yàn)醫(yī)學(xué)自動(dòng)化及臨床應(yīng)用》人民衛(wèi)生出版社，彭黎明，2003年。

3.《內(nèi)科學(xué)》，人民衛(wèi)生出版社，葉任高，6版，2004年。

主講教師：李樹(shù)仁教授

第三篇：臨床化學(xué)、免疫學(xué)質(zhì)量控制流程

臨床化學(xué)、免疫學(xué)質(zhì)量控制流程

目的

建立規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)的貝克曼全自動(dòng)生化分析儀質(zhì)控操作程序，以保證檢驗(yàn)結(jié)果的準(zhǔn)確性。范圍

適用于生化室常規(guī)檢測(cè)項(xiàng)目。責(zé)任

每日大生化班工作人員負(fù)責(zé)貝克曼全自動(dòng)生化分析儀所有測(cè)定項(xiàng)目的室內(nèi)質(zhì)量控制工作，并對(duì)失控原因進(jìn)行分析和處理，科主任對(duì)所有項(xiàng)目的質(zhì)量控制工作進(jìn)行監(jiān)督。相關(guān)程序

1、質(zhì)控物的準(zhǔn)備

購(gòu)買(mǎi)質(zhì)量好、有效期長(zhǎng)（從使用開(kāi)始，至少1年有效）的質(zhì)控物。用去離子水復(fù)溶后，用子彈頭塑料管分裝，每只0.6ml冰凍保存，兩周內(nèi)有效。每天從冰箱冷凍室取出化學(xué)質(zhì)控品放置于室溫約20min，輕輕顛倒混勻數(shù)次，使質(zhì)控品完全溶解備用。

2、質(zhì)控物分析的個(gè)數(shù)、濃度水平及頻率

每批使用1個(gè)濃度水平，每24h進(jìn)行一次檢測(cè)，一般在檢測(cè)標(biāo)本前檢測(cè)，在質(zhì)控在控的情況下進(jìn)行常規(guī)標(biāo)本的檢測(cè)。貝克曼全自動(dòng)生化分析儀的質(zhì)控品使用情況，見(jiàn)附表。

3、質(zhì)控操作程序 3.1 增加新的質(zhì)控物 3.1.1 增加一個(gè)外來(lái)質(zhì)控物（非原裝）：進(jìn)入LIS系統(tǒng)的質(zhì)控品設(shè)置界面，點(diǎn)擊新增，填入儀器和質(zhì)控物名稱(chēng)、質(zhì)控號(hào)、批號(hào)、有效期，質(zhì)控水平，點(diǎn)擊保存，輸入靶值及標(biāo)準(zhǔn)差，點(diǎn)擊保存。

3.2 運(yùn)行質(zhì)控：進(jìn)入編程樣品菜單界面，輸入架子號(hào)、位置號(hào)、樣本編號(hào)，選擇要做質(zhì)控的項(xiàng)目，點(diǎn)擊下一個(gè)，將質(zhì)控物放到相應(yīng)位置上，點(diǎn)擊Run，儀器開(kāi)始檢測(cè)質(zhì)控。3.3 質(zhì)量目標(biāo)的制定

根據(jù)CLIA’88和衛(wèi)生部臨床檢驗(yàn)中心室間質(zhì)評(píng)要求，以被測(cè)項(xiàng)目總誤差的1/4乘以該項(xiàng)目的靶值所得的絕對(duì)值為一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)差，作為室內(nèi)質(zhì)控的質(zhì)量目標(biāo)要求。

3.4 質(zhì)控結(jié)果的判斷規(guī)則：采用1-3s/2-2S/4-1S/10-X規(guī)則。

4、查看質(zhì)控結(jié)果

4.1 查看單次的質(zhì)控結(jié)果：進(jìn)入LIS系統(tǒng)的檢驗(yàn)數(shù)據(jù)界面，輸入質(zhì)控品的樣本編號(hào)，可看到所有項(xiàng)目的質(zhì)控結(jié)果，右鍵點(diǎn)擊轉(zhuǎn)為質(zhì)控?cái)?shù)據(jù)可看到各項(xiàng)目的Levy-Jennings圖；根據(jù)質(zhì)控規(guī)則判斷是否失控。對(duì)失控的質(zhì)控項(xiàng)目要及時(shí)分析失控原因采取措施糾正，并填寫(xiě)失控報(bào)告。

4.2 看某段時(shí)期統(tǒng)計(jì)后的質(zhì)控：進(jìn)入LIS系統(tǒng)質(zhì)控管理的質(zhì)控月統(tǒng)計(jì)界面，選擇儀器、開(kāi)始日期、結(jié)束日期，點(diǎn)擊統(tǒng)計(jì)可看到不同時(shí)期對(duì)質(zhì)控結(jié)果進(jìn)行累積后的分期統(tǒng)計(jì)情況。

5、失控后的處理措施

當(dāng)某個(gè)項(xiàng)目的室內(nèi)質(zhì)控結(jié)果超出質(zhì)控結(jié)果的判斷規(guī)則為失控。失控后，分析失控原因。首先應(yīng)該檢查

試劑狀態(tài)是否良好，包括：外觀顏色、有無(wú)沉淀、配制過(guò)程是否正確、當(dāng)天是否更換不同批號(hào)試劑等。確認(rèn)失控與試劑無(wú)關(guān)后，再考慮質(zhì)控物方面原因。如果試劑和質(zhì)控物都沒(méi)有問(wèn)題，可以考慮用校準(zhǔn)品重新校準(zhǔn)生化分析儀，再重作該項(xiàng)目的室內(nèi)質(zhì)控，一般都會(huì)在控。質(zhì)量記錄表

《寧城縣蒙醫(yī)中醫(yī)醫(yī)院生化室室內(nèi)質(zhì)控失控報(bào)告》

第四篇：《醫(yī)學(xué)免疫學(xué)》課程簡(jiǎn)介(臨床)

《醫(yī)學(xué)免疫學(xué)》課程簡(jiǎn)介

課程名稱(chēng)：《醫(yī)學(xué)免疫學(xué)》

英文名稱(chēng)： 《Medical Immunology》

開(kāi)課單位：基礎(chǔ)醫(yī)學(xué)院免疫學(xué)教研室

課程性質(zhì)：必修課

總 學(xué) 時(shí)：60學(xué)時(shí)，其中理論課40學(xué)時(shí)，實(shí)驗(yàn)課20學(xué)時(shí)

學(xué)分：3.3學(xué)分

適用專(zhuān)業(yè)：臨床醫(yī)學(xué)、麻醉學(xué)、法醫(yī)學(xué)、口腔醫(yī)學(xué)、醫(yī)學(xué)影像學(xué)、醫(yī)學(xué)檢驗(yàn) 教學(xué)目的：通過(guò)教學(xué)使學(xué)生掌握本學(xué)科重要的基本理論、基本知識(shí)和基本技能，為學(xué)生學(xué)習(xí)其它醫(yī)學(xué)課程及臨床課程奠定基礎(chǔ)。

內(nèi)容介紹：醫(yī)學(xué)免疫學(xué)是研究人體免疫系統(tǒng)的組成、結(jié)構(gòu)和功能；免疫應(yīng)答的發(fā)

生機(jī)制、規(guī)律及其效應(yīng)和調(diào)節(jié)機(jī)制；以及有關(guān)疾病的發(fā)生機(jī)理、診斷與防治的一門(mén)學(xué)科。醫(yī)學(xué)免疫學(xué)是臨床、預(yù)防、檢驗(yàn)等醫(yī)學(xué)專(zhuān)業(yè)的基礎(chǔ)醫(yī)學(xué)課程，其任務(wù)是通過(guò)教學(xué)使學(xué)生掌握免疫學(xué)的基礎(chǔ)知識(shí)，為學(xué)習(xí)其它基礎(chǔ)醫(yī)學(xué)課程及臨床醫(yī)學(xué)課程奠定理論基礎(chǔ)，同時(shí)結(jié)合教學(xué)實(shí)踐、培養(yǎng)學(xué)生獨(dú)立思考、獨(dú)立工作的能力和嚴(yán)謹(jǐn)?shù)目茖W(xué)作風(fēng)。本課程以理論課和實(shí)驗(yàn)課兩種方式授課。本門(mén)課程的預(yù)備課程為解剖學(xué)、組織學(xué)、生理學(xué)、生物化學(xué)與分子生物學(xué)、醫(yī)學(xué)遺傳學(xué)及細(xì)胞生物學(xué)。基本內(nèi)容分為理論教學(xué)與實(shí)驗(yàn)教學(xué)。理論教學(xué)主要包括以下幾方面的內(nèi)容：醫(yī)學(xué)免疫學(xué)概論、抗原、免疫球蛋白、補(bǔ)體系統(tǒng)、細(xì)胞因子、白細(xì)胞分化抗原和粘附分子、MHC及其編碼分子、固有免疫應(yīng)答的組成細(xì)胞及其功能、抗原提呈細(xì)胞及其抗原提呈、T細(xì)胞、B細(xì)胞、免疫應(yīng)答（細(xì)胞免疫、體液免疫）、免疫調(diào)節(jié)、免疫耐受、超敏反應(yīng)、自身免疫性疾病、免疫缺陷性疾病、移植免疫、腫瘤免疫、免疫學(xué)防治。實(shí)驗(yàn)教學(xué)主要內(nèi)容是免疫學(xué)基本實(shí)驗(yàn)技術(shù)：淋巴細(xì)胞的分離、血清的分離、凝集實(shí)驗(yàn)、沉淀實(shí)驗(yàn)、吞噬實(shí)驗(yàn)、熒光標(biāo)記技術(shù)、酶標(biāo)記技術(shù)、常見(jiàn)生物制品。醫(yī)學(xué)免疫學(xué)為臨床醫(yī)學(xué)、預(yù)防醫(yī)學(xué)、法醫(yī)和基礎(chǔ)醫(yī)學(xué)等專(zhuān)業(yè)學(xué)生進(jìn)一步學(xué)習(xí)其他專(zhuān)業(yè)課程奠定了理論基礎(chǔ)，使學(xué)生更好地了解機(jī)體免疫系統(tǒng)的組成與功能，了解免疫系統(tǒng)在病理狀態(tài)下組成與功能的改變及其在發(fā)病機(jī)制中的作用，更好地將免疫學(xué)的基礎(chǔ)理論和實(shí)驗(yàn)技術(shù)應(yīng)用到該專(zhuān)業(yè)其他各學(xué)科。

考核形式：閉卷考試

教材：《醫(yī)學(xué)免疫學(xué)》，人民衛(wèi)生出版社，陳慰峰，4版，2004年。參考書(shū)目：

1．《醫(yī)學(xué)免疫學(xué)》，北京大學(xué)醫(yī)學(xué)出版社，安云慶，1版，2004年。

2.《醫(yī)學(xué)免疫學(xué)》，科學(xué)出版社，龔非力，1版，2003年。

3．《醫(yī)學(xué)免疫學(xué)》，科學(xué)出版社，孫萬(wàn)邦，2版，2002年。

4．《Roitt免疫學(xué)基礎(chǔ)》，高等教育出版社，Ivan.M,Roitt，10版，2002年。主講教師：孫萬(wàn)邦 教授羅軍敏 副教授

姚新生 副教授湯賢英 講師

第五篇：國(guó)產(chǎn)5nm碳納米管研究新突破

國(guó)產(chǎn)5nm碳納米管研究新突破

北京大學(xué)信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院彭練矛-張志勇課題組在碳納米管電子學(xué)領(lǐng)域進(jìn)行了十多年的研究，發(fā)展了一整高性能碳納米管CMOS晶體管的無(wú)摻雜制備方法，通過(guò)控制電極功函數(shù)來(lái)控制晶體管的極性。集成電路發(fā)展的基本方式在于晶體管的尺寸縮減，從而性能和集成度，得到更快功能更復(fù)雜的芯片。目前主流CMOS技術(shù)即將發(fā)展到10納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)，后續(xù)發(fā)展將受到來(lái)自物理規(guī)律和制造成本的限制，很難繼續(xù)提升，“摩爾定律”可能面臨終結(jié)。20多年來(lái)，科學(xué)界和產(chǎn)業(yè)界一直在探索各種新材料和新原理的晶體管技術(shù)，以望替代硅基CMOS技術(shù)。但是到目前為止，并沒(méi)有機(jī)構(gòu)能夠?qū)崿F(xiàn)10納米的新型CMOS器件，而且也沒(méi)有新型器件能夠在性能上真正超過(guò)最好的硅基CMOS器件。碳納米管被認(rèn)為是構(gòu)建亞10納米晶體管的理想材料，其原子量級(jí)的管徑保證了器件具有優(yōu)異的柵極靜電控制能力，更容易克服短溝道效應(yīng)；超高的載流子遷移率則保證器件具有更高的性能和更低的功耗。理論研究表明碳管器件相對(duì)于硅基器件來(lái)說(shuō)具有5-10倍的速度和功耗優(yōu)勢(shì)，有望滿(mǎn)足后摩爾時(shí)代集成電路的發(fā)展需求。但是已實(shí)現(xiàn)的最小碳納米管CMOS器件僅停滯在20nm柵長(zhǎng)（2014年 IBM），而且性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于預(yù)期。北京大學(xué)信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院彭練矛-張志勇課題組在碳納米管電子學(xué)領(lǐng)域進(jìn)行了十多年的研究，發(fā)展了一整高性能碳納米管CMOS晶體管的無(wú)摻雜制備方法，通過(guò)控制電極功函數(shù)來(lái)控制晶體管的極性。彭練矛教授（左）和張志勇教授（右）5nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)突破近年來(lái)，該課題組通過(guò)優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)和制備工藝，首次實(shí)現(xiàn)了柵長(zhǎng)為10納米的碳納米管頂柵CMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管（對(duì)應(yīng)于5納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)），p型和n型器件的亞閾值擺幅（subthreshold swing, SS）均為70 mV/DEC。器件性能不僅遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)已發(fā)表的所有碳納米管器件，并且更低的工作電壓（0.4V）下，p型和n型晶體管性能均超過(guò)了目前最好的（Intel公司的14納米節(jié)點(diǎn)）硅基CMOS器件在0.7V電壓下工作的性能。特別碳管CMOS晶體管本征門(mén)延時(shí)達(dá)到了0.062ps，相當(dāng)于14納米硅基CMOS器件（0.22ps）的1/3。圖 1：10納米柵長(zhǎng)碳納米管CMOS器件。A： n型和p型器件截面圖和柵堆垛層截面圖；B-C: p型和n型碳管器件的轉(zhuǎn)移曲線以及與硅基CMOS器件（Intel, 14nm, 22nm）的對(duì)比。D:碳管器件的本征門(mén)延時(shí)與14nm硅基CMOS對(duì)比。課題組進(jìn)一步探索5nm柵長(zhǎng)（對(duì)應(yīng)3納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)）的碳管晶體管。采用常規(guī)結(jié)構(gòu)制備的柵長(zhǎng)為5納米的碳管晶體管容易遭受短溝道效應(yīng)和源漏直接隧穿電流影響，即使采用超薄的高k柵介質(zhì)（等效氧化層厚度0.8納米），器件也不能有效地關(guān)斷，SS一般大于100mV/Dec。課題組采用石墨烯作為碳管晶體管的源漏接觸，有效地抑制了短溝道效應(yīng)和源漏直接隧穿，從而制備出了5納米柵長(zhǎng)的高性能碳納米管晶體管，器件亞閾值擺幅達(dá)到73mV/Dec。圖2：5納米柵長(zhǎng)碳管晶體管。A：采用金屬接觸的碳管晶體管截面TEM圖，以及采用石墨烯作為接觸的碳管晶體管SEM圖；B:石墨烯作為接觸的碳管晶體管示意圖；C：柵長(zhǎng)為5納米的碳管晶體管的轉(zhuǎn)移曲線。性能遙遙領(lǐng)先傳統(tǒng)硅器件在此基礎(chǔ)上，課題組全面比較了碳納米管CMOS器件的優(yōu)勢(shì)和性能潛力。研究表明，與相同柵長(zhǎng)的硅基CMOS器件相比，碳納米管CMOS器件具有10倍左右的速度和動(dòng)態(tài)功耗（能耗延時(shí)積，EDP）綜合優(yōu)勢(shì)，以及更好的可縮減性。對(duì)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)分析表明，5納米柵長(zhǎng)的碳管器件開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換僅有約1個(gè)電子參與，并且門(mén)延時(shí)達(dá)到了42fs，非常接近二進(jìn)制電子開(kāi)關(guān)器件的極限（40fs），該極限由海森堡測(cè)不準(zhǔn)原理和香農(nóng)-馮諾依曼-郎道爾定律（SNL）決定。表明5納米柵長(zhǎng)的碳納米管晶體管已經(jīng)接近電子開(kāi)關(guān)的物理極限。圖3： 碳納米管CMOS器件與傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件的比較。A： 基于碳管陣列的場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)示意圖；B-D：碳管CMOS器件（藍(lán)色、紅色和橄欖色的星號(hào)）與傳統(tǒng)材料晶體管的亞閾值擺幅（SS），本征門(mén)延時(shí)和能量延時(shí)積的比較。課題組研究了接觸尺寸縮減對(duì)器件性能的影響，探索了器件整體尺寸的縮減。將碳管器件的接觸電極長(zhǎng)度縮減到25納米，在保證器件性能的前提下，實(shí)現(xiàn)了整體尺寸為60納米的碳納米管晶體管，并且成果演示了整體長(zhǎng)度為240納米的碳管CMOS反相器，這是目前實(shí)現(xiàn)的最小納米反相器電路。