第一篇：電磁場與微波技術實驗心得

電磁場與微波技術實驗報告

我們班連續觀摩了三個《電磁場與微波技術》課程的實驗，通過觀看視頻，老師講解和演示，以及自己的一些操作，使我們加深了對這三個實驗的一些了解。

實驗

一、電磁波極化

在這個實驗我們主要了解電磁波極化、天線極化的概念；了解電磁波的分解與合成原理；了解圓極化波產生的基本原理。這個實驗主要用到的儀器是微波分光儀，里面包含支座、分度轉臺、喇叭天線、可變衰減器、晶體檢波器、視頻電纜及微安表、讀書機構、柵網組件、三厘米信號源、分光介質板。

實驗內容：

首先連接好實驗儀器，三厘米固態信號源工作在等幅狀態，按下電壓按鍵使三位半數字表顯示電壓的示數，信號源的輸出端通過同軸線連接到微波分光儀，此時的電信號通過同軸轉波導經過隔離器、可變衰減器到達輻射天線的輻射喇叭（Pr0），輻射喇叭輻射出的波經過柵網組件的反射和吸收到達接收喇叭（Pr3），經由晶體檢波器，通過同軸線與微安表相連。垂直柵網（Pr1）與輻射喇叭在同一條水平線上，通過長鋁質支柱固定在基座上；水平柵網（Pr2）正對著輻射喇叭，并與垂直柵網成直角，通過讀數機構和短鋁質支柱固定在基座上。接收喇叭與輻射喇叭成45o角。然后開始實驗，打開信號源開關，這時轉動接收喇叭Pr3，當Pr3喇叭E面與垂直柵網平行時收到E⊥波，經幾次調整輻射喇叭Pr0的轉角使Pr3接收到的｜E∥｜=｜E⊥｜，實現圓極化的幅度相等要求。然后接收喇叭Pr3在E∥和E⊥之間轉動，將出現任意轉角下的｜Eα｜≤｜E∥｜（或E⊥）。這時改變Pr2水平柵網位置，使Pr3接收的波具有｜Eα｜=｜E∥｜=｜E⊥｜，從而實現了E∥和E⊥兩個波的相位差為±90o，得到圓極化波。

實驗心得：

通過老師的細心講解以及在老師的指導下，我們進行了一些簡單的操作，熟悉了實驗儀器的名稱，以及一些儀器的作用以及工作原理，如三厘米信號源, 它是一種使用體效應管作振蕩源的微波信號源，能輸出等幅信號及方波調制信號。它有許多優點：可以長期工作、耗能少、體積緊湊、功率輸出較大、價格低廉。這個實驗給我的總體感受是比較復雜，難理解，需要充分理解實驗原理和對實驗現象進行聯想。

實驗

二、駐波比的測量

通過這個實驗我們了解測量駐波比的原理和常用方法。主要儀器有微波信號源、隔離器、波長表、可變衰減器、波導測量、被測件（電容膜片、電感膜片）、匹配負載、選頻放大器。實驗內容：

1、打開微波信號源使其工作在方波狀態，調節頻率旋鈕使其工作頻率在8.60-9.60GHz，并根據頻率的大小調節波長表的刻度。打開選頻放大器，選擇輸入電壓為x1檔，頻率為1K，量程為x0.1。

2、調節可變衰減器和波導測量線，使選頻放大器有示數。

3、旋轉波導測量線旋鈕，觀察選頻放大器測出位于相鄰波腹和波節點的錯誤！未找到引用源。和錯誤！未找到引用源。并記錄下來。當檢波晶體工作在平方律檢波情況時，駐波比S為錯誤！未找到引用源。，通過多次測量取平均即可得出結果。

實驗心得：

通過這個實驗我知道了駐波產生的原因是由于負載阻抗與波導特性阻抗不匹配。這個實驗用到的儀器很多，而且大多都要反復調節，容易遺漏步驟，造成錯誤結果或者較大誤差。這也再次提醒我，一個實驗結果的正確性除了要有精密的儀器和沒有干擾的環境外，人的主觀因素也很重要，所以我們每次做實驗都要保持清醒的頭腦和認真的態度。

實驗

三、波導波長的測量

通過這個實驗我們了解求波導波長的測量方法。主要儀器有微波信號源、隔離器、波長表、可變衰減器、波導測量、可變電抗器、選頻放大器。

實驗內容：

1、打開微波信號源使其工作在方波狀態，調節頻率旋鈕使其工作頻率在8.60-9.60GHz，并根據頻率的大小調節波長表的刻度。打開選頻放大器，選擇輸入電壓為x1檔，頻率為1K，量程為x0.1。

2、調節可變衰減器和波導測量線，使選頻放大器有示數。

3、為了提高實驗精度，采用等指示度法多次測出最小點錯誤！未找到引用源。對應的錯誤！未找到引用源。，即可測出錯誤！未找到引用源。（錯誤！未找到引用源。略大于錯誤！未找到引用源。），相對應的兩個位置錯誤！未找到引用源。、錯誤！未找到引用源。，則 錯誤！未找到引用源。，錯誤！未找到引用源。

4、多次測量計算結果并求其平均，即可求得精度較高的波長。

實驗心得：

這個實驗的儀器和實驗步驟跟實驗二差不多，測量的數據有所不同，因為可變電抗的反射系數接近1，在測量線中入射波與反射波的疊加為接近純駐波的圖形，所以我們最重要是要測出相鄰波節點的位置錯誤！未找到引用源。、錯誤！未找到引用源。，由錯誤！未找到引用源。，即可求得波導波長。為了提高精度，需要多次測量以減少誤差，所以做起來會比較繁瑣，這很考驗人的細心程度。總結起來就是做實驗前要做好準備工作，充分理解實驗原理，正確連接好實驗儀器，實驗時嚴格按照實驗步驟做，有需要記錄數據的要準確讀數，必要時多次測量以減少誤差。

第二篇：電磁場與微波技術名詞解釋

電磁場與微波技術名詞解釋

1.電場：任何電荷在其所處的空間中激發出對置于其中別的電荷有作用力的物質。

2.磁場：任一電流元在其周圍空間激發出對另一電流元（或磁鐵）具有力作用的物質。

3.標量場：物理量是標量的場成為標量場。

4.矢量場：物理量是矢量的場成為矢量場。

5.靜態場：場中各點對應的物理量不隨時間變化的場。

6.有源場：若矢量線為有起點，有終點的曲線，則矢量場稱為有源場。

7.通量源：發出矢量線的點和吸收矢量線的點分別稱為正源和負源，統稱為通量源。

8.有旋場：若矢量線是無頭無尾的閉曲線并形成旋渦，則矢量場稱為有旋場。

9.方向導數：是函數u（M）在點

M0

處沿

l

方向對距離的變化率。

10.梯度：在標量場

u(M)

中的一點

M

處，其方向為函數

u(M)在M

點處變化率最大的方向，其模又恰好等于此最大變化率的矢量

G，稱為標量場

u(M)

在點

M

處的梯度，記作

grad

u(M)。

11.通量：矢量A沿某一有向曲面S的面積分為A通過S的通量。

12.環量：矢量場

A

沿有向閉曲線

L的線積分稱為矢量

A

沿有向閉曲線

L的環量。

13.亥姆霍茲定理：對于邊界面為S的有限區域V內任何一個單值、導數連續有界的矢量場，若給定其散度和旋度，則該矢量場就被確定，最多只相差一個常矢量；若同時還給出該矢量場的邊值條件，則這個矢量場就被唯一確定。（前半部分又稱唯一性定理）

14.電荷體密度：，即某點處單位體積中的電量。

15.傳導電流：帶電粒子在中性煤質中定向運動形成的電流。

16.運流電流：帶電煤質本身定向運動形成形成的電流。

17.位移電流：變化的電位移矢量產生的等效電流。

18.電流密度矢量（體（面）電流密度）：垂直于電流方向的單位面積（長度）上的電流。

19.靜電場：電量不隨時間變化的，靜止不動的電荷在周圍空間產生的電場。

20.電偶極子：有兩個相距很近的等值異號點電荷組成的系統。

21.磁偶極子：線度很小任意形狀的電流環。

22.感應電荷：若對導體施加靜電場，導體中的自由帶電粒子將向反電場方向移動并積累在導體表面形成某種電荷分布，稱為感應電荷。

23.導體的靜電平衡狀態：把靜電場中導體內部電場強度為零，所有帶電粒子停止定向運動的狀態稱為導體的靜電平衡狀態。

24.電壁：與電力線垂直相交的面稱為電壁。

25.磁壁：與磁力線垂直相交的面稱為磁壁。

26.介質：(或稱電介質)一般指不導電的媒質。

27.介質的極化：當把介質放入靜電場中后，電介質分子中的正負電荷會有微小移動，并沿電場方向重新排列，但不能離開分子的范圍，其作用中心不再重合，形成一個個小的電偶極子。這種現象稱為介質的極化。

28.媒質的磁化：外加磁場使煤質分子形成與磁場方向相反的感應磁矩

或使煤質的固有分子磁矩都順著磁場方向定向排列的現象。

29.極性介質：若介質分子內正負電荷分布不均勻，正負電荷的重心不重合的介質。

30.極化強度：定量地描述介質的極化程度的物理量。

31.介質的擊穿：若外加電場太大，可能使介質分子中的電子脫離分子的束縛而成為自由電子，介質變成導電材料，這種現象稱為介質的擊穿。

32.擊穿強度：介質能保持不被擊穿的最大外加電場強度。

33.束縛電荷（極化電荷）：被束縛在分子之內不能自由移動的電荷。

34.束縛電流（磁化電流）：由束縛在分子內部的電荷移動形成的電流。

35.恒定電流場：電流密度

J

僅是空間位置的函數，而不隨時間變化，則其形成的電流場稱為恒定電流場。

36.恒定電場：由恒定的電荷分布產生的電場是恒定的，由于它由運動電荷而非靜止電荷產生，因此被稱為恒定電場。

37.局外電場：將局外力與電荷的比值類比為一種電場，稱為局外電場。

38.恒定磁場：由恒定電流產生的磁場不隨時間變化的磁場為恒定磁場。

39.電（磁）場能量：等于該電（磁）場建立過程中外力（電源）所做的總功。

40.鏡像電荷：鏡像法中假象的等效電荷稱為鏡像電荷。

41.感應電場：由磁場變化激勵或者說感應出來的電場被稱為感應電場，42.時變電磁場的唯一性定理：設含有均勻、線性、各向同性媒質的區域

V的邊界面為

S，只要給定t=0時刻區域

V

中各點電場矢量和磁場矢量的初始值，并同時給定t>=0時邊界面

S

上電場矢量的切向分量，或者磁場矢量的切向分量，或者一部分邊界面上的電場矢量切向分量和其余邊界面上的磁場矢量切向分量，則域

V

中的時變電磁場有唯一解。

43.電磁場：時變電場會在周圍空間中激發出時變磁場，時變磁場會在周圍空間中激發出時變電場，電場、磁場不再是孤立的，而是同時出現在同一時間的統一整體，成為電磁場。

44.電磁波：電場磁場互相激勵，往復不止，是的電磁場以波動的形式在周圍空間傳播，所以電磁場也稱為電磁波。

45.電磁輻射：電場和磁場的交互變化產生的電磁波，電磁波向空中發射或泄露的現象，叫電磁輻射。

46.時諧電磁場：隨時間做簡諧變化的電磁場。

47.坡印廷矢量（能流密度矢量）：單位時間內穿過與能量流動方向垂直的單位截面的能量。

48.坡印廷定理：

單位時間內流入

V的電磁能量一部分被損耗掉，另一部分就是

V

中增加的電磁能量。坡印廷定理體現了電磁場中的能量守恒關系。

49.天線：專門用來輻射電磁波的裝置。

50.平面波：等相位面位平面的電磁波。

51.均勻平面波：平面波的任何一個等相位面上的場矢量處處相等的波。

52.理想介質：電導率б為零的媒質成為理想介質。

53.理想導體：電導率б無窮大的導體為理想導體。

54.時間相位：相位移以角頻率隨時間線性變化稱為時間相位。

55.空間相位：相位移隨空間坐標線性變換稱為空間相位。

56.初始相位：θ在Z等于零處，t等于零時的相位為初始相位。

57.傳播常數K：也叫相移常數，表示單位距離內相位的變化量。

58.周期：相位Φ相差2π的兩個時間間隔為周期。

59.頻率：單位時間內的時變周期數為頻率。

60.電磁波波長：在任意固定時刻相位Φ相差2π的兩個空間點的距離。

61.相速度：光波之等相面的傳播速度。

62.波阻抗：定義平面波的波阻抗為Z=E/H。

63.電場的橫向分量：垂直于傳播方向的電場分量。

64.磁場的橫向分量：垂直于傳播方向的磁場分量。

65.自由空間：介電常數，磁導率與真空中相同，電導率б為零的空間。

66.極化：將空間任意固定點上場矢量的模值、方向隨時間變化的方式成為電場波的極化。

67.線極化：電場的水平分量與垂直分量的相位相同或相差180°時的正弦電磁波。

68.圓極化：電場的水平分量與垂直分量的振幅相等，但相位相差90°或270°時的正弦電磁波。

69.橢圓極化：當電場垂直分量和水平分量的振幅和相位具有任意值時（兩分量相等時例外）的電場波。

70.水平極化波：與地面平行放置的線天線的主方向遠區場是與地面平行的線極化波。

71.垂直極化波：與地面垂直放置的線天線的主方向遠區場是與地面垂直的線極化波。

72.極化損耗：在具有復介電常數的介質中電磁波是變傳播邊損耗。振幅逐漸減小，損耗的能量用于克服介質分子，原子的熱運動，使其電偶極矩的方向隨時諧電場的方向變化而變化，這種損耗稱為極化損耗。

73.色散：相速度與頻率無關，不同頻率的電磁波具有不同的相速度，這種現象叫色散。

74.非色散媒質：相速度與頻率無關的煤質。

75.色散媒質：使在其中傳播的電磁波出現色散的煤質。

76.良介質：媒質主要呈現出介質特性。

77.良導體：媒質主要呈現出導體特性。

78.駐波：理想介質中總場不具有波動傳播特性，只隨時間在原處作時諧振蕩，這種波稱為駐波。

79.行波：理想介質中某一物理量的空間分布形態隨著時間的推移向一定的方向行進所形成的波。

80.反射定律：反射角等于入射角。

81.折射定律：即斯涅爾定律，82.全透射：垂直與交界面的入射波功率將全部進入理想介質2，這是全透射現象。

83.全反射：垂直與交界面的入射波功率將全部反射回理想介質1，這種現象是全反射。

84.趨膚效應：進入良導體的電磁波及其引起的感應電流只能分布在良導體極薄的表面層中，這種現象稱為趨膚效應。

85.橫電磁波（TEM）：在傳播方向上沒有電場和磁場分量，稱為橫電磁波。

86.TE波：在傳播方向上有磁場分量但無電場分量，稱為橫電波。

87.TM波：在傳播方向上有電場分量而無磁場分量，稱為橫磁波。

88.TE,TM模的速度：

89.①相速度：導行波的等相位面沿傳輸線軸向移動的速度。

90.②群速度：由多個頻率成分構成“波群”的速度。

91.③能速度：電磁波能量在傳輸線中的傳播速度。

92.導波波長：傳輸線中，在波的傳播方向上，某模式的兩個相位相差2π的等相位面間的距離。

93.微帶線：微波集成電路的主要組成部分，在微波集成電路中用來連接各種元件和器件，并用來構成電感，電容，諧振器，濾波器，混合環，定向耦合器等無源元件。

94.傳輸線：導行電磁波的裝置稱為傳輸線.95.分布參數：平行雙導線作為傳輸線，其自身結構本身處處體現出電容、電感、電阻、電導的效應，也就是說這些電路參數是均勻分布在傳輸線上的，因此稱為分布參數。

96.入射波：傳輸線上從電源流向負載的波叫入射波。

97.反射波：傳輸線上從負載流向電源的波叫反射波。

98.傳輸線的特性阻抗：

具有阻抗的量綱，稱為。。

99.電壓駐波比：傳輸線上電壓的最大振幅值與最小振幅值之比。

100.電壓反射系數：傳輸線上任意一點處的反射波電壓與入射波電壓之比。

101.電長度：定義傳輸線上兩點的間距與波長之比為這兩點間的電長度。

102.駐波系數：描述傳輸線上駐波的大小，是傳輸線上電壓最大振幅值與電壓最小振幅值之比，103.短路線：終端被理想導體所短路的傳輸線稱為短路線

104.負載阻抗匹配：指傳輸線與負載之間的匹配，是為了使傳輸線處于無反射的行波工作狀態。

105.衰減器：在微波系統中控制功率大小的裝置。

106.定向耦合器：是一種具有方向性的功率耦合/分配元件。

107.品質因數Q:描述了諧振器的頻率選擇性的優劣和諧振器中電磁能量的損耗程度。

108.模式：指能夠單獨在傳輸線中存在的電磁場結構。

109.網絡參數：單口網絡中阻抗值Z和導納值Y稱為網絡參數。

110.膜片：導電性能很好，厚度遠小于波導波長但又遠大于電磁波趨膚深度的金屬膜片。

111.基本電抗元件：表現為感性電抗或容性電抗的簡單微波元器件。

112.分離變量法：將一個多元函數表示成幾個單變量函數的乘積，從而將偏微分方程華為幾個帶分離常數的常微分方程的方法。

113.

第三篇：電磁場與微波技術復習題無答案

電磁場與微波技術

復習題

一、單項選擇題

1.導體的靜電平衡條件歸結為以下幾條,其中錯誤的是（）

A.導體內部不帶電,電荷只能分布于導體表面

B.導體內部電場為零

C.導體表面電場線沿切線方向

D.整個導體的電勢相等

2．設區域V內給定自由電荷分布,在V的邊界S上給定電勢/s或電勢的法向導數/s,則V內的電場（）

A.唯一確定

B.可以確定但不唯一

C.不能確定

D.以上都不對

3．有關復電容率的描述正確的是（）

A.實數部分代表位移電流的貢獻，它不能引起電磁波功率的耗散；虛數部分是傳導電流的貢獻，它引起能量耗散

B.實數部分代表傳導電流的貢獻，它不能引起電磁波功率的耗散；虛數部分是位移電流的貢獻，它引起能量耗散

C.實數部分代表位移電流的貢獻，它引起電磁波功率的耗散；虛數部分是傳導電流的貢獻，它不能引起能量耗散

D.實數部分代表傳導電流的貢獻，它引起電磁波功率的耗散；虛數部分是位移電流的貢獻，它不能引起能量耗散

4．金屬內電磁波的能量主要是（）

A.電場能量

B.磁場能量

C.電場能量和磁場能量各一半

D.一周期內是電場能量，下一周期內則是磁場能量，如此循環

5.已知矢勢,則下列說法錯誤的是（）

A.與對應于同一個磁場

B.和是不可觀測量,沒有對應的物理效應

C.只有的環量才有物理意義,而每點上的值沒有直接物理意義

D.由磁場并不能唯一地確定矢勢

6．良導體條件為（）

A.1

B.<<1

C.>>1

D.1

7.平面電磁波的特性描述如下：

⑴

電磁波為橫波，E和B都與傳播方向垂直

⑵

E和B互相垂直，E×B沿波矢K方向

⑶

E和B同相，振幅比為v

以上3條描述正確的個數為（）

A.0個

B.1個

C.2個

D.3個

8.頻率為HZ的微波，在0.7cm0.6cm的矩形波導管中，能以什么波模傳播？（）

A.B.C.及

D.9．共軛匹配要求長線輸入阻抗與信號源內阻互為共軛，設信號源內阻為，長線輸入阻抗為，則共軛匹配時要求（）

A.B.C.D.10.微波傳輸線是一種什么電路？（）

A.集總參數

B.分布參數

C.純阻

D.無耗

二、多項選擇題

1.電荷守恒定律微分式為，下列相關描述正確的有（）

A．

微分形式具體描述了空間各點上電荷變化與電流流動的微觀或局部關系

B．

空間中某點電荷密度隨時間發生變化，此點即成為電流的散度源，發出或匯集電流

C．

電流由電荷減少的地方流出，匯集到電荷增加的地方

D．

此式又稱為電流連續性方程

2.關于庫侖定律，下面討論正確的有（）

A．

兩個點電荷之間的靜電力的大小與兩個電荷的電量成正比、與電荷之間距離的平方成反比，方向在兩個電荷的連線上

B．

當多個點電荷存在時，其中一個點電荷受到的靜電力是其他各點電荷對其作用力的矢量疊加

C．

對于連續分布的電荷系統，靜電力的求解不能簡單地使用庫侖定律，必須進行矢量積分

D．

庫侖定律只給出了點電荷之間作用力的大小和方向，并沒有說明作用力傳遞的方式或途徑

3.真空中靜電場滿足高斯定理，其微分式為，則下列詮釋正確的有（）

A．

空間中任意點電場的散度只與當地的電荷分布，即電荷密度有關

B．

靜電荷是靜電場的散度源，即凡是有電荷存在的地方就會擴散出（或匯集起）電力線，激發起呈擴散狀的靜電場

C．

電場的散度與電場本身是不同的物理量，電場的散度是標量，是散度源的強度，而電場則是矢量

D．

沒有電荷的地方，源的強度為零，即電場的散度為零，但電場強度不一定為零

4.對于靜電場的描述正確的有（）

A．

有源場

B．

無旋場

C．

呈現擴散狀的分布形式

D．

電力線不構成閉合回路

5．關于靜磁場的描述正確的有（）

A．

靜磁場的散度在空間中處處為零，空間不存在磁力線的擴散源和匯集源

B．

靜磁場的散度是標量，而磁感應強度本身是矢量，二者是不同的兩個物理量

C．

雖然磁場的散度處處為零，但空間的磁場不一定處處為零

D．

以上描述都不正確

6．對于安培環路定理的討論正確的有（）

A．

空間任意點靜磁場的旋度只與當地的電流密度有關

B．

穩恒電流是靜磁場的旋渦源，凡是有電流存在的地方就會激起旋渦狀的靜磁場

C．

電流密度決定了旋渦源的強度和方向

D．

沒有電流的地方，磁場的旋度為零，但磁場不一定為零

7．介質的極化主要有哪兩類？（）

A．

在外加電場的影響下，無極分子正負電荷的中心相對位移

B．

在外加電場的影響下，有極分子正負電荷的中心相對靠近

C．

有極分子的取向沿電場方向呈現一定的規則性

D．

有極分子在外電場作用下進行無序化排列

8．對于位移電流的描述正確的有（）

A．

在時變場情況下，磁場仍然是有旋場，但其旋渦源除了傳導電流外，還有位移電流

B．

位移電流代表的是電場隨時間的變化率

C．

位移電流是一種假想的電流

D．

變化的電場會激發磁場，這就是位移電流的物理意義

9．非導電媒質中的均勻平面波滿足，則下列描述哪三個是正確的（）

A．

電場與磁場的振幅之比等于媒質的本征阻抗

B．

電場方向與磁場方向垂直且都垂直于傳播方向

C．

電場相位與磁場相位相同

D．

電場相位落后于磁場相位

10．反射系數圓有下述特點（）

A.圓上不同的點代表傳輸線上不同位置的反射系數

B.反射系數具有的重復性

C.不同的工作狀態對應的反射系數位于反射系數圓的不同區域

D.電長度增大的方向是向波源方向，是順時針方向旋轉

11．矩形波導的尺寸選擇，通常主要考慮下述因素的影響，其中哪三個正確（）

A.不需要考慮波導的重量、體積等因素

B.滿足功率容量的要求

C.波導的衰減要小

D.保證主模工作時有足夠的單模工作頻率

12．為了將微波元件等效為微波網絡，要解決如下三個問題（）

A.確定微波元件的參考面

B.由橫向電磁場定義等效電壓、等效電流和等效阻抗，以便將均勻傳輸線等效為雙線

C.確定一組網絡參數、建立網絡方程，以便將不均勻區等效為網絡

D.從麥克斯韋方程出發，解電磁場的邊值問題

三、判斷題

1.電荷只直接激發其鄰近的場,而遠處的場則是通過場本身的內部作用傳遞出去的.（）

2.由電流激發的磁場都是無源的.（）

3.位移電流實質上是電場的變化率.（）

4.平面電磁波垂直射到金屬表面上,透入金屬內部的電磁波能量全部變為焦耳熱.（）

5.電磁波在全反射過程中,反射平均能流密度在數值上等于入射平均能流密度,即能量全反射,所以全反射過程中第二介質不起作用.（）

四、填空題

1.1820年,發現電流的磁效應;1831年,發現電磁感應定律,并提出場的概念;1864年,把電磁規律總結為方程組,并從理論上預言電磁波的存在;1905年,建立起關于新時空觀的理論.A.Einstein

B.Faraday

C.Oersted

D.Maxwell

E.Lorentz

2.能量守恒定律的積分式是－=+，它的物理意義是______________

____

_。

3.傳播常熟，其中相位常數是，衰減常數是。

4.傳輸線上入射波電壓與入射波電流之比稱為傳輸線的，用表示，其倒數稱為傳輸線的，用表示。

5.所謂工作狀態，即指長線終端接不同負載時，電壓、電流波沿線的分布狀態，有三種：端接無反射負載的；端接全反射負載的；部分反射的。

6.傳輸線長度為10cm，當信號頻率為150kHz時，此傳輸線屬長線還是短線？

五、計算題

1.已知，，求，2．寫出介質中的麥克斯韋方程組，并從麥克斯韋方程組出發證明均勻介質內部的體極化電荷密度總是等于體自由電荷密度的倍。

3．如圖，有一本身不帶電且對地絕緣的導體球和球外一帶電量為q的點電荷，求空間中除導體球和點電荷外任一點P處的電場強度表達式。

4．長為a高為b的矩形區域，已知y=b邊的電位為，其他各邊的電位為0。求矩形空間的電位函數。

5.無耗雙導線的特性阻抗，負載阻抗為。今用短路單支節進行匹配，求支節點的位置和長度。

第四篇：2013廈大電磁場與微波技術考研復習經驗之沖刺階段

2013廈大電磁場與微波技術考研復習經驗之沖刺階段

2014年的研究生入學考試日期日益臨近，很多同學的復習出現了高原反應，到了一個瓶頸期，如何度過這段時期呢？下面給大家介紹一下我的復習方法。

沖刺階段的復習主要是復習思路的調整。

英語的復習到這個階段，單詞的記憶不再成為主要，但是也要不定期的翻看，以防遺忘；閱讀方面主要是做真題，之前復習留下來的幾套未做過的真題，成為上考場之前的練兵之地，測試一下前一段時間的復習效果。作文的寫作也要開始重視起來了，自己可以試著寫一些漫畫類的作文，然后找一些英語比較好的同學幫忙批改一下，這能很好地杜絕在考場上提筆忘言的窘境。

在專業課的復習方面我用的是思睿廈大考研網的《廈門大學820量子力學考研沖刺寶典》和《廈大820量子力學考研模擬五套卷與答案解析》，當然如果選擇考846電子線路科目可以用《廈門大學846電子線路考研沖刺寶典》和《廈大846電子線路考研模擬五套卷與答案解析》,我有同學就是用的這本，個人覺得總結的東西不錯，因為跨校考沒有經歷過各種期中期末考試沒經歷過法學院老師授課過程，根本無法把握出題老師的命題規律，這本書很好的彌補了這一弱勢點,而且通過模擬題可以檢測一下自己的復習質量。

數學的復習，到這個階段最好的方法就是做真題，怎么做呢？告訴你幾個方法：準備兩個本，第一個本是用來記錄自己做錯的和不會做的題，并且記錄自己為什么做錯，為什么不會做；第二個本用來自己對整套真題進行總結分類，每道題考查了什么知識點，這道題屬于常考題型里的哪一種，這種題型通常都用什么方法來解決，自己先回答完這些問題。以后在研究真題的過程中，凡是遇到同種類型的，就把它放在一起，回答相同的問題。最后一遍重做真題，重做真題，這遍就不再是一套一套的做了，而是按照自己總結的本一個題型一個題型的做，重點做自己易錯的和不會做的。這樣到最后相當于把真題做了兩遍，那么知識點也就掌握的更加牢靠了，如果還是不放心，到考試前自己可以再看一遍，把這些知識在腦子里再回顧一遍。達到融會貫通，舉一反三的效果。

政治的復習，政治理論聯系實際太強，學習政治，僅僅背書是不行的。因此學好政治，除了背書以外，還須多看新聞，經常聯系周圍的人和事，特別是國家大事，把這些事情與課本結合起來，試著用課本中的要點來解釋。

政治復習，簡單有效的方法是：對照課本目錄，把平時的所學知識，在腦海里通過“放電影”的形式“放”一遍甚至好幾遍，能有效地幫助你查漏補缺（這種“放電影”是以“蒙太奇”的形式表現的，速度相當快），倒是有可能讓你的考試成績保持穩定，不比平時的學習成績差。更有可能的是，你超常發揮，考出一個好成績。這種方法，適用于每次考試，但如果要切實提高學習成績，平時還須努力學習。

個人經驗就是這樣的，希望對你們的復習有幫助，加油！

第五篇：微波實驗七

實驗七 微帶縫隙天線仿真設計

姓名：李杰

學號：11081536

上課時間：周二下午

一.實驗目的

1、了解微帶縫隙天線的概念。

2、掌握MWO EM structure仿真方法。

3、掌握天線基本參數及優化設計方法。

二．實驗要求

1.熟悉利用MWO軟件進行EM仿真。2.熟悉微帶天線基本特性。

3.了解WMO原理圖引入 EM 結構方法。

4.利用MWO分析天線工作特性（反射，方向圖等）。

三．實驗原理

1、微帶縫隙天線

這種天線由三層組成：上層為金屬層（構成槽線、微帶線的地），中間為介質基板，下層為金屬層來構成微帶導帶。

微帶天線的概念早在1953年就G．A．DeSchampS提出，在20世紀50年代和60年代只有一些零星的研究。直到20世紀70年代初期，當微帶傳輸線的理論模型及對敷銅的介質基片的光刻技術發展之后，第一批具有許多設計結構的實用的微帶天線才被制造出來。縫隙天線最早是在1946年H．G．Booker提出的，同微帶天線一樣最初沒有引起太多的注意。縫隙天線可以借助同軸電纜很方便地饋送能量，也可用波導饋電來實現朝向大平片單側的輻射，還可以在波導壁上切割出縫隙的陣列。縫隙開在導電平片上，稱為平板縫隙天線；開在圓柱面上，稱為開縫圓柱天線。開縫圓柱導體面是開縫導體片至開縫圓柱導體面的進化。波導縫隙陣天線由于其低損耗、高輻射效率和性能等一系列突出優點而得到廣泛應用：而平板縫隙天線卻因為損耗較大，功率容量低，效率不高，導致發展較為緩慢。到1972年，Y．Yoshimura明確提出微帶饋電縫隙天線的概念。微帶天線特點

具有以下優點：饋電網絡和輻射單元相對分離，從而把饋線對天線輻射方向圖的影

響降到最小，對制造公差要求比貼片天線低，可用標準的光刻技術在敷銅電路板上進行生產，在組陣時其單元間隔離可比貼片天線更大。特別是對于運動物體所用天線，微帶縫隙天線可以說是理想的選擇，因為它可以與物體的表面做得平齊，沒有凸起部分，用于快速飛行器表面時不會帶來附加的空氣阻力，既隱蔽又不影響物體的運動。

四．實驗內容及結果

用MWO創建一個電磁結構（EM structure）并仿真。它包含以下幾個步驟： 1.創建 EM structure 2.建立 an enclosure 3.創建層

4.定義端口配置計算網格 5.觀察電流密度和電場強度 6.觀察smith圓圖和方向圖 7.執行頻率掃描(AFS)8.將EM structure添加到原理圖并仿真

Step1: 創建 EM structure

Step2: 設定 Enclosure

Step3: 創建層并定義端口配置計算網格

Step4:經過一系列設置，進行仿真得

1）天線方向圖（fixed theta 選擇0～90若干取值，這里為0,10,30,45,70,90）

2）反射系數

3）3D試圖觀察微帶縫隙天線基本結構

Step5: 修改enclosure option設置

Step6: 新建回波損耗特性圖，運行仿真，得到輸出回波損耗特性圖

Step7: 新建匹配電路

Step8: 運行仿真，得到 1)反射系數圖

2)輸出回波損耗特性圖

Step9: 觀察該微帶縫隙天線的電流和電場 電流：

電場：

四．心得體會

通過本次實驗，我了解了微帶縫隙天線的概念，掌握了MWO EM structure仿真方法和天線基本參數及優化設計方法，受益匪淺。