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實驗報告內容一般包括以下幾個內容：1、目的要求 2、儀器用具及材料（儀器名稱及主要規格、用具名稱）3、實驗內容及原理（簡單但要抓住要點，寫出依據原理）4、操作方法與實驗步驟 5、數據圖表格（照片）6、實驗過程原始記錄 7、數據處理及結果（按實驗要求處理數據、結論）8、作業題 9、討論（對實驗中存在的問題、進一步的想法等進行討論）

注：不同專業可以根據不同情況填寫，報告空白不夠填寫可附紙粘貼。

實驗報告內容：

1.實驗目的

1.了解cadence工具軟件的應用

2.了解反相器原理

2.實驗內容

1.首先建立一個庫文件取名為inv,在新建的庫文件中建立反相器原理圖件。

反相器由一個pmos管和nmos管組成。利用快捷鍵i放置mos管，因為p管是空穴導電，n管是電子導電，電子遷移率大于空穴，所以在同樣電場下，n管電流大于p管，所以要增加p管的寬長比。點擊p管利用快捷鍵q修改p管寬長比。放置完成后使用快捷鍵w連接元件。利用快捷鍵p放置引腳來設置虛擬激勵進行仿真。

原理圖如圖1-1所示：

圖1-1

原理圖創建完成點擊design選擇第一個選項對原理圖進行檢查和保存，檢查無誤后進行前仿真。點擊tools選項中analog environment打開仿真界面。

如圖1-2所示：

圖 1-2

打開仿真界面選擇輸出與輸入節點，給予引腳虛擬激勵，如圖1-3所示

圖 1-3

設置瞬態仿真數據，如圖1-4所示：

圖 1-4

設置完成后進行仿真波形如圖1-5所示：

圖 1-5

根據原理圖可知當輸入為0時輸出為1；輸入為1時，輸出為0。符合反相器設計要求。

2.原理圖建立完成后進行版圖設計

根據原理圖pmos管寬度560n可知有源區長度為560n，pmos和nmos管長度為130n所以多晶硅的長度為130n.有源區與多晶硅的重疊部分形成pmos管，同理畫出nmos管.根據原理圖建立完成mos管后，通過原理圖可以知道pmos管的源極與vdd相連，nmos管與gnd相連，所以在畫出兩塊有源區與兩塊mos管連接.有源區的連接需要通孔相連，所以要在有源區打上金屬通孔，根據drc規則可知通孔為0.16*0.16n的正方形，畫出通孔后放置于有源區。根據drc規則通孔與有源區最小間距為0.06，與多晶硅的最小間距為0.11所以可以直到有源區長度為0.06+0.16+0.11+0.13+0.11+0.16+0.06=0.79n.所以pmos管有源區為0.56*0.79，nmos管有源區為0.28*0.79.有源區確定后確定多晶硅的寬度，根據drc規則，多晶硅超過有源區最小間距為0.17，所以pmos管多晶硅長度為0.17+0.56=0.73n，nmos管多晶硅長度為0.17+0.28=0.45n.兩塊mos管確定后需要進行p+注入和n+注入，根據drc規則p+注入和n+注入層與有源區上下層最小間距為0.3，左右層為0.16，所以需要在pmos管外繪制1.11*1.16n的sp層nmos管同理，將pmos管與nmos管使用多晶硅相連相連.根據原理圖繪制vdd有源區與gnd有源區，完成后使用金屬層將vdd與pmos管相連,gnd與nmos管相連.在繪制金屬層時需要根據金屬外層與通孔的最小間距0.05來繪制.繪制完成后根據原理圖將pmos管與nmos管漏極相連同時通過金屬層與原理圖輸出相連，柵極通過多晶硅相連，多晶硅通過金屬通孔與金屬層相連表示輸入。

整體完成后添加nw層表示n阱.添加網絡標簽來表示vdd，gnd,in，out.繪制完成后如圖1-6所示：

圖 1-6

運行drc檢查是否符合標準,結果如圖1-7所示：

圖 1-7

以上錯誤為密度錯誤，以及全局設計的問題，所以暫時不顧。

完成drc后進行lvs仿真，驗證原理圖與版圖網表的驗證.結果如圖1-8所示：

圖 1-8

以上完成后進行寄生參數的提取并進行后仿真：

運行pex完成后生成具有寄生參數的calibre文件.如圖1-9所示

圖 1-9

完成寄生參數提取后，建立一個測試原理圖，拉入反相器原理圖創建的symbol如圖1-10所示：

圖 1-10

完成后在反相器目錄下建立config文件完成文件的設置，如圖1-11所示：

完成設置后會自動彈出下一界面，如圖1-12所示：

圖 1-12

完成以上設置后點擊庫中的config文件彈出圖1-10的界面，使用快捷鍵e可以看到symbol連接到了具有寄生參數的反相器原理圖。檢查無誤后進行后仿真，仿真結果如圖1-13所示：

根據波形圖可知，仿真結果無誤。符合反相器設計要求。