第一篇：半材第4章總結(jié)

第四章、硅中有害雜質(zhì)

1、概念解釋：

①*小平面效應：晶體生長的固液界面，由于受坩堝中熔體等溫線的限制，常常是彎曲的。如果在晶體生長時迅速提起晶體，則在<111>鍺、硅單晶的固液界面會出現(xiàn)一小片平整的平面，它是(111)原子密排面，稱之為小平面。在小平面區(qū)雜質(zhì)濃度與非小平面區(qū)有很大差異，這種雜質(zhì)在小平面區(qū)域中分布異常的現(xiàn)象叫小平面效應。

②雜質(zhì)（生長）條紋：在晶體生長的過程中，由于各種外界因素導致晶體生長速率的的微起伏，造成晶體中雜質(zhì)濃度的起伏，晶體的電阻率、載流子壽命及其他物理性能在縱、徑向出現(xiàn)周期性起伏，在用化學腐蝕時表現(xiàn)出寬窄不一的條紋稱為雜質(zhì)條紋。

③旋轉(zhuǎn)性條紋：在晶體轉(zhuǎn)軸與溫場軸不重合時，不同時刻所生長的晶體中雜質(zhì)濃度是不相同的，這樣形成的條紋叫旋轉(zhuǎn)性條紋。④*中子嬗變摻雜：通常是由三種同位素組成。將高純區(qū)熔硅單晶放入原子反應堆中進行中子輻照，使起施主作用進行摻雜，稱為中子嬗變摻雜（*NTD）

④漩渦缺陷：無位錯單晶在生長方向的橫斷面經(jīng)希特爾腐蝕液腐蝕后，所觀察到的呈漩渦狀分布的宏觀缺陷花紋，俗稱漩渦缺陷。

⑤熱施主效應：在硅單晶中，由于含有氧雜質(zhì)，在對其進行熱處理時，Si與O之間發(fā)生一系列反應，在450C°時SiO以最快的速度形成SiO4，SiO4是一個正電中心，可以束縛一個電子，在室溫下受熱激發(fā)而使它電離出來參與導電，SiO4起施主作用，此種效應稱為熱施主效應。

⑥吸雜工藝：通過機械化學處理方法，在硅片的非電活性區(qū)引入缺陷，在熱處理時一些重金屬雜質(zhì)會 擴散并淀積在這些缺陷處，從而減少了這些有害雜質(zhì)對器件工作區(qū)的影響，改善了器件的性能，這種工藝叫吸雜工藝。

2、簡述CZ法中雜質(zhì)摻入辦法及其選擇依據(jù)。

答：對于不易揮發(fā)的雜質(zhì)如硼，可采用共熔法摻入，即把摻入元素或母合金與原料一起放在坩堝中熔化；對于易揮發(fā)的雜質(zhì)，如砷、銻等，則放在摻雜勺中，待材料熔化后，在拉晶前再投放到熔體中，并需沖入氬氣抑制雜質(zhì)揮發(fā)。（摻入雜質(zhì)的方法—共熔法和投雜法）

3、討論CZ法中影響單晶縱向電阻率均勻性的因素及其控制辦法。

答：影響直拉單晶電阻率的因素有：雜質(zhì)的分凝、蒸發(fā)、沾污等。對于K<1的雜質(zhì)，分凝會使單晶尾部電阻率降低；而蒸發(fā)正好相反，會使單晶尾部電阻率升高。沾污使N型單晶尾部電阻率增高，P型相反。

*控制方法：①變速拉晶法。出發(fā)點是CS=KCL。若在晶體生長初期用較大的拉速，隨后隨著晶體的生長而不斷減小拉速，保持CL與Keff乘積不變，這樣拉出來的單晶縱向電阻率就均勻了。②雙坩堝法。

4、討論CZ法中影響單晶徑向電阻率均勻性的因素及其控制辦法。答：*影響單晶徑向電阻率均勻性的主要原因是晶體生長時固液界面的平坦度和*小平面效應的影響（P82）。

控制辦法：①調(diào)整晶體生長熱系統(tǒng)，使熱場的徑向溫度梯度變小。②調(diào)節(jié)拉晶運行參數(shù)，對凸熔體界面，增加拉速。③調(diào)整晶體或坩堝的轉(zhuǎn)速。④增大坩堝內(nèi)徑與晶體直徑的比值。（對于小平面效應，需將固液界面調(diào)平）

書中補充（非答題）：

①在雜質(zhì)K<1時，凸向熔體的界面會使徑向電阻率出現(xiàn)中間高邊緣低，凹向熔體的界面則相反，平坦的固液界面其徑向電阻率均勻性就比較好。②拉晶時，在固液界面處熱交換主要有四種：I、熔硅凝固放出的熱；II、熔體的熱傳導；III、通過晶體向上的熱傳導；IV、通過晶體向外的輻射熱。

③在生長晶體頭部時，固液界面距單晶爐水冷籽晶桿較近，晶體內(nèi)溫度梯度較大，使晶體縱向?qū)岽笥诒砻孑椛錈幔怨桃航缑嫱瓜蛉垠w，在晶體生長到中部，縱向?qū)岬扔诒砻孑椛錈幔式缑嫫街薄?/p>

5、說明不同的固液生長界面形狀（凸、凹、平）對電阻率徑向分布的影響（K<1雜質(zhì)）

答：對于K<1的雜質(zhì)。①當晶體生長過程中，縱向熱傳導>徑向熱輻射時，如拉晶初期，固液生長界面凸向熔體，導致在同一高度的平面內(nèi)中間部分晶體先生長，雜質(zhì)濃度小，邊緣部分后生長，雜質(zhì)濃度大，造成沿徑向電阻率中間高外面低。②當縱向熱傳導=徑向熱輻射時，如等徑生長部分，固液面平坦，雜質(zhì)濃度和電阻率沿徑向分布均勻。③當縱向熱傳導<徑向熱輻射時，如晶體生長后期，晶體固液界面凹向熔體，導致在同一高度平面內(nèi)中間部分后生長，雜質(zhì)濃度大，邊緣部分先生長，雜質(zhì)濃度小，徑向電阻率中低外高。

6、分析產(chǎn)生雜質(zhì)條紋的根本*原因并說明對于非平坦界面，由于晶轉(zhuǎn)軸與熱轉(zhuǎn)軸不重合帶來的雜質(zhì)條紋的形狀（橫截面、縱截面、表面）

答：根本原因：晶體中雜質(zhì)濃度的起伏---由于晶體生長速率的起伏造成的。①由于單晶爐的機械蠕動和機械震動-間歇式條紋；②由于晶體轉(zhuǎn)軸和溫場軸不同軸—旋轉(zhuǎn)性條紋；③由于加熱器功率或熱量損耗的起伏；④由于液流狀態(tài)不穩(wěn)定。

對于非平臺界面，由于晶轉(zhuǎn)軸與熱場軸不重合，使雜質(zhì)條紋沿晶體橫截面呈螺旋狀結(jié)構(gòu)，縱截面周期性螺旋結(jié)構(gòu)，表面也呈螺旋結(jié)構(gòu)。

7、解釋組分過冷并推導組分過冷產(chǎn)生的條件，討論出現(xiàn)組分過冷時平坦界面上的干擾如何發(fā)展成胞狀界面及枝蔓生長。

答：㈠在拉制重摻雜單晶時，對于K<1雜質(zhì)，由于分凝作用在界面附近形成一個雜質(zhì)富集層。在富集層內(nèi)各點的凝固點不同，雖然界面的溫度為凝固點，但離開界面 的熔體的實際溫度低于凝固點，處于過冷狀態(tài)。原來固液界面前沿的過熱熔體因雜質(zhì)的聚集產(chǎn)生一過冷區(qū)，這種因組分變化而產(chǎn)生的過冷現(xiàn)象稱為*組分過冷。（*成因，生成機制）

㈡組分過冷的推導：P90 ㈢出現(xiàn)組分過冷時，平坦界面上晶體生長出現(xiàn)微突起，突起部分深入組分過冷熔體中，導致突起迅速生長，當突起部位之間相距比較近時，突出側(cè)面由于晶體生長釋放相變潛熱使側(cè)面附近熔體過冷度減小，側(cè)面生長速度低于突起尖端的生長速度，突起越長越長，沿突起橫向看過去，截面呈現(xiàn)胞狀界面；如果在突起的側(cè)面出現(xiàn)干擾產(chǎn)生新的突起，新的突起向側(cè)面迅速生長，這樣生長的突起呈現(xiàn)樹枝狀結(jié)構(gòu)界面出現(xiàn)枝蔓生長。

㈣在拉直重摻雜單晶時，單晶尾部常過早地出現(xiàn)多晶，而且在晶變前的單晶截面經(jīng)腐蝕后呈現(xiàn)蛛網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)或螺旋狀結(jié)構(gòu)。

㈤*防止組分過冷條件：凝固點處的曲線斜率dT(Z)/dZ|Z=0<(dT(Z)/dZ)L ㈥*組分過冷的影響：在平坦的界面上因干擾產(chǎn)生突起時，其尖端處于過冷度較大的熔體中，它的生長速率比界面快，凸起不能自動消失，于是平坦的界面穩(wěn)定性就被破壞了。

8、簡述位錯對材料性能的影響及無位錯單晶工藝的要點。答：對材料性能的影響：

①對載流子濃度的影響：一般影響不大。

②對遷移率的影響：使電子遷移率減小，宏觀遷移率降低，平行位錯線與垂直位錯線方向上遷移率不同。

③對載流子壽命的影響：

④對器件的影響：

無位錯單晶工藝的要點：

①正確的選擇籽晶晶向和制備籽晶；

（選擇的籽晶應是沒有系屬結(jié)構(gòu)或星形結(jié)構(gòu)的晶體；*為了使位錯容易排除體外，必須使生長軸與｛111｝面的最小夾角最大）-拉制無位錯單晶。

②采用合適的拉晶工藝：采用縮頸工藝、籽晶預熱等。

9、補充：

㈠摻雜量的計算：P73 ㈡掌握（111）小平面、凸向熔體：P82

第二篇：半期總結(jié)

2014-2015上學期體育教學半期工作總結(jié)

本人熱愛祖國，擁護中國共產(chǎn)黨。全面貫徹黨的教育方針，忠誠黨的教育事業(yè)。關(guān)心國家大事。積極參加學校組織的各項政治活動，認真學習三個代表，并且認真執(zhí)行學校的各項規(guī)章制度。團結(jié)同志，做到愛校如家，愛生如子。全心全意搞好教學，管教管導，言傳身教，教書育人。

教書育人是塑造靈魂的綜合性藝術(shù)。看到孩子們一天天成長起來，作為教師的我該有多么欣慰。從關(guān)心愛護他們出發(fā)，堅持正面教育，耐心引導，肯定他們的成績，愛護他們的自尊心，鼓勵他們繼續(xù)努力，盡量滿足他們的合理要求，幫助他們解決困難。

一、教學工作。

我的體育教學主要從三點來進行總結(jié)。首先，我特別重視人體生理機能變化規(guī)律在教學過程中的運用。運用這個規(guī)律可以減少傷害事故的發(fā)生，使學生科學的鍛煉身體并健康的成長。在教學過程中培養(yǎng)學生科學鍛煉身體的方法。其次，我在教學過程中特別重視人的認知規(guī)律的培養(yǎng)。這樣，可以使學生盡快的學好技術(shù)，形成技能，使體育教師真正實現(xiàn)精講多練，為體育教學研究科學的教學方法和組織方法奠定基礎(chǔ)。最后，我在教學中特別重視學生的思想教育，利用體育教材的特點結(jié)合具體內(nèi)容，向?qū)W生進行思想教育。培養(yǎng)學生的自覺性、組織性、紀律性、集體榮譽感、不怕苦、不怕累、勇敢頑強的精神等。這三點的有機結(jié)合會使體育教學工作起到事半功倍的作用。

二、課間操工作。我主要是通過以下幾點對廣播操進行教學的。第一，加強對學生的思想教育，使學生真正認識到做操的重要性和必要性，培養(yǎng)學生重視做操、自覺做操、堅持做操、認真做操的良好習慣。第二，體育教師要正確運用示范。示范是體育教學的主要教學方法之一，通過示范能使學生建立正確的動作表象。因此，要求教師示范要清楚、準確、規(guī)范、優(yōu)美。第三，講解要少而精。我在廣播操教學時的講解，主要是結(jié)合我的示范動作，讓學生加深對動作的理解。第四，口令要清楚、洪亮、準確。第五，糾正錯誤動作要及時。

三、訓練工作。

我能夠長期帶領(lǐng)畢業(yè)班學生堅持業(yè)余訓練，并做到訓練有計劃、階段有測驗、測驗有記錄、帶領(lǐng)學生科學系統(tǒng)的進行訓練。在訓練時間上，為不耽誤學生的學習，我每天都是等太陽升起時和太陽落山后進行訓練。在訓練過程中我和班主任努力做好學生和家長的工作，使家長能夠讓學生訓練，使學生能夠安心訓練。在作學生和家長的工作中，領(lǐng)導和班主任老師也為我作了不少工作，支持了我的訓練工作。因此，在今后的工作中更加要加倍努力，爭取取得好成績。

在工作上，我嚴格要求自己，工作實干，并能完成學校給予的各項任務，為提高自身的素質(zhì)，積極參加各項培訓，平時，經(jīng)常查閱有關(guān)教學資料。同時經(jīng)常在課外與學生聯(lián)系，時時關(guān)心他們。

當然在教學工作中存在著一些不足的地方，須在以后進一步的努力。

第三篇：半期總結(jié)

半期總結(jié)

敬愛的物電系黨組織：

我已被正式批準為中共預備黨員.我加入中共預備黨員已快半年了，通過這半年的組織生活，我充分感受到了黨和領(lǐng)導對我們的關(guān)懷，使我對黨和黨組織有了更進一步的認識。

在這半年多時間里，我始終把學習和貫徹科學發(fā)展觀為己任，認真貫徹執(zhí)行黨的每一個方針、政策，在努力提高自己的同時，還向周圍同學宣傳我們黨的思想、方針、政策，帶領(lǐng)周圍同學積極向黨組織靠攏，做好了黨的宣傳工作。然而，本人也明顯地存在著各種各樣的不足，如在生活上過于隨便，宿舍衛(wèi)生不好，往往顯得還不夠成熟。有則改之，無則加勉，我會在今后以這為準則，繼續(xù)發(fā)揚自身優(yōu)點的同時更會注意改正自己存在的不足

黨組織生活充滿色彩與溫馨，我在這半年的組織生活里覺得十分充實和滿足。在這期間我充實地學習，努力工作，不斷開拓自己的視野，使自身的各項素質(zhì)有了進一步的提高，也取得了一定的成績。在文化課上，我始終以一名學生為己任，把自己的學習放在首位，通過這半年努力，在文化課的成績上取得了較好的成績。在工作上，我作為一名班干部，管理著班內(nèi)的德育工作，我在嚴格要求自己的同時，積極做好班內(nèi)的德育宣傳工作，帶領(lǐng)全班同學努力提高整體的德育水平。學習和工作固然重要，但是要不斷使自己能夠進步，達到一名中共黨員應有的各項素質(zhì)，就必須不斷加強自身的思想政治修養(yǎng)，時刻以一名共產(chǎn)黨員的身份要求自己。在這半年時間里，我除了體驗黨組織生活同時，還經(jīng)常閱讀有關(guān)黨建黨史，及黨員先進事跡的書籍和報刊。不斷加強對黨的路線、方針、政策的認識和理解。通過不斷加強思想政治的學習，使我有了一個更加明確的目標和工作學習的動力。

再過半年，我即將離開學校走上社會了。在十二五的浪潮中，我能否分清好壞，正與邪，能否抵制西方資本主義腐朽思想的侵蝕，就要求我不斷加強政治修養(yǎng)點擊查看本資料原創(chuàng)網(wǎng)站更多文章，時刻牢記自己是一名中國共產(chǎn)黨員，以黨員的要求時刻要求自己。在新的環(huán)境中，在新的挑戰(zhàn)面前，時刻具有開拓的精神，發(fā)揚一名中共黨員應有的精神風貌，處處起到帶頭模范作用。吃苦在前，享受在后，帶領(lǐng)周圍群眾為建設(shè)一個強大的現(xiàn)代化國家而努力。

黨的十七大即將召開了，我們黨和國家新的領(lǐng)導班子也即將產(chǎn)生。在這關(guān)系著我們黨和國家未來發(fā)展命運的重大政治會議期間，作為中國共產(chǎn)黨的一分子，我會積極向周圍群眾宣傳黨的每一項方針、政策、宣傳黨的優(yōu)良傳統(tǒng)作風，做好黨的各項宣傳工作，在群眾中樹立黨的良好光輝現(xiàn)象，為黨的十七大的勝利召開，盡自己一份微薄的力量。

讓我們始終堅信黨員是一面旗幟，哪里有艱險,哪里就有共產(chǎn)黨員。黨員是為人民服務的，不是貪圖享樂的，永遠充分體現(xiàn)了黨員的先鋒模范作用。要扎扎實實地為群眾辦好事，辦實事，能常走到群眾中去，了解群眾之所想，急群眾之所急。

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年月日

第四篇：半期總結(jié)2012

清源小學半期總結(jié)表彰會主持詞

尊敬的老師，親愛的同學們：

下午好！時光飛逝，日月如梭。悄然間，我們已走過半個學期的繁忙而充實的學習生活。下面我宣布清源小學2012--2013第一學期半期總結(jié)表彰會正式開始

半期以來，全體老師以飽滿的熱情教育著我們、賞識著我們、激勵著我們。同學們迅速適應了新變化，適應了新老師、新課堂，學習的目標更加明確，學習的習慣逐漸養(yǎng)成。

為了總結(jié)經(jīng)驗、表彰先進、找出差距、齊頭并進，今天，我們在這里表彰半期以來表現(xiàn)優(yōu)秀的同學。

1、因為時間關(guān)系，在這里，我們只公布優(yōu)秀學生名單，獎狀和獎品在會后發(fā)到班上。

首先，我宣讀半期考試成績優(yōu)異的學生名單。

2、下面，我宣讀半期以來優(yōu)秀的隊干部名單。

同學們：江山是打出來的；幸福的生活是辛勤的雙手創(chuàng)造出來的；高超的技藝是不厭其煩地練出來的；出色的成績不是等出來的，而是靠我們奮力拼搏干出來的。讓我們做一個勤奮的學子，運用正確的學習方法，力爭在下一次考試中取得更大進步，獲得優(yōu)異成績。小學生活是繽紛的，學習生活是辛苦的，更是快樂的，但如果大家能夠明白我們今天的辛苦是為了換來一生的幸福，那么再怎么辛苦都是快樂的、幸福的、值得的。最后祝每一位老師、身體健康、工作愉快，家庭幸福，祝每一位同學快樂成長、學習進步、創(chuàng)造輝煌。

第五篇：半期總結(jié)范文

半期總結(jié)

一、學情分析

高2016級11班共65人，其中男生29人，女生36人。絕大多數(shù)同學來至于農(nóng)村，多數(shù)學生家長長期在外打工，家庭條件一般。就學習習慣和學習態(tài)度來看，女生學習習慣好于男生，農(nóng)村來的同學學習比較刻苦。目前學習氛圍基本形成，但很多同學還是缺乏主動性，在學習上經(jīng)常需要老師督促提醒，在生活上少數(shù)同學有點拖拉，學習目標不明確，怕吃苦，成績一般。現(xiàn)在班上絕大多數(shù)同學成績在年級前1000位，少數(shù)能進入年級前300位，個別能進入年級前100。現(xiàn)階段學生基本能做到進教室自己能找到事情做。

二、成績分析

語文數(shù)學英語物理化學生物總分ABCABCABCABCABCABCABC******406364496464半期考試總分進入A優(yōu)共49人，總分進入B優(yōu)共64人。有一人未上優(yōu)分線。從數(shù)據(jù)層面分析，我班總分優(yōu)生人數(shù)多于各科優(yōu)生人數(shù)。說明各科進步的空間還很大，也說明班上同學各科發(fā)展不均衡，偏科的同學很多，發(fā)展?jié)摿艽蟆?/p>

三、后期管理

班級常規(guī)管理始終圍繞“三個正確”展開，即正確的時間出現(xiàn)在正確的地點做正確的事。一如既往的找好常規(guī)，早七點前進教室，晚飯后6點10前進教室。中午12點35前進寢室，晚上10點15前進寢室。培養(yǎng)學生基本的生活學習習慣，進寢室就收拾睡覺，進教室就自己安排作業(yè)。學習管理，高一上主要是培養(yǎng)學生良好的學習習慣，讓學生學會聽課，學會做作業(yè)。要求學生做到以下幾點：

1、聽課前，做好預習

2、聽課中，注意理解

3、聽課后，及時復習

就我班情況來說，學生要想進一步發(fā)展，班級想要進步，必須培養(yǎng)學生的學習習慣，光靠死記硬背和題海戰(zhàn)術(shù)，很多同學已經(jīng)很難進步了，所以，這學期班級學習管理的重心就是培養(yǎng)學生的聽課能力和吸收能力。同時還要改變師生關(guān)系，讓學生由原來的跟著老師學習，變?yōu)樽灾鲗W習，只有會自己動腦研究的學生才能走的更遠，也才能在高考中取得更好的成績。

四、班級目標

高二主要是學生學習習慣的養(yǎng)成教育，爭取的期末時班上的同學都學會如何聽課，如何做作業(yè)。成績方面，爭取各科A優(yōu)人數(shù)達到40人以上，B優(yōu)人數(shù)64人以上。總分進A優(yōu)50人以上，總分進B優(yōu)64人以上。同時要提高A優(yōu)和B優(yōu)生的質(zhì)量。A優(yōu)中爭取2人進入年級前50,5人進入年級前100,20人進入年級前300。班級總體爭取55人進入年級前1000。