第一篇：中國科學院半導體材料研究所招生簡章

半導體研究所

2011年碩士招生專業目錄

中國科學院半導體研究所成立于1960年, 是集半導體物理、材料、器件、電路及其 應用研究于一體的綜合性研究所。研究所目前擁有2個國家級研究中心、3個國家重點實 驗室、2個院級重點實驗室及研發中心，擁有大批先進的科研儀器設備和設施，承擔著一 批國家重點科技支撐項目（如973計劃、863計劃、國家自然科學基金重大重點項目等），及地方、企業委托項目等。

半導體所是國家首批設立博士后流動站的設站單位和博士、碩士學位授予單位，是

中國科學院博士生重點培養基地之一，現有3個博士后流動站、4個博士學位授權點、5個 學術型碩士學位授權點及3個專業學位碩士（工程碩士）授權點。

研究所現有在職職工640余人，其中科技人員460余人，中國科學院院士7名、中國工 程院院士2名，研究員及正高級工程技術人員79名、副研究員及高級工程技術人員119名，中國科學院“百人計劃”入選者及國家杰出青年科學基金獲得者36名、國家百千萬人 才工程入選者6名。半導體所擁有一支老、中、青相結合及年齡、知識結構、學科分布合 理的研究生指導教師隊伍，現有研究生導師106人，其中博士生導師68人。

研究所目前在學研究生536名，博士后在站人員28名，研究生已經成為半導體所科研 工作的生力軍。自知識創新工程啟動以來，半導體所累計有4人次獲全國百篇優秀博士論 文，4人次獲院長獎學金特別獎，29人次獲院長獎學金優秀獎，其他獎項49項。半導體所 實行研究生兼任研究助理的方式，為研究生提供優越的科研和生活條件，研究生可以直接 參與研究所承擔的重大課題項目及前沿研究與攻關。

半導體所2011年預計招收學術型碩士學位研究生102名、專業學位碩士研究生（工程 碩士）10名，所有招生專業（含工程碩士）均接收推薦免試生，共擬接收推免生50～60 名。熱忱歡迎廣大考生報考！

網址：http://www.tmdps.cn

單位代碼：80136北京市海淀區清華東路郵政編碼:100083地址： 甲35號

聯系部門：研究生部電話：010-82304321聯系人：徐金威

學科、專業名稱（代碼）研究方向 總招生 人數

考 試 科 目備 注

070205凝聚態物理共..半導體摻雜機制和納米01.112 人 ①101思想政治理論②201..材料的研究英語一③301數學一④977 固體物理或978量子力學

半導體低維結構材料、02.同上..寬帶隙半導體材料、半 導體光伏材料與器件和 半導體材料物理

半導體量子結構中自旋03.同上..相關的物理過程研究

半導體微納結構理論04.同上..半導體中磁性雜質電子05.同上免試推薦和碩博..態的自旋特性與操控連讀

半導體自旋電子的實驗06.同上要求碩博連讀..第1頁2010年8月27日10時46分12秒

單位代碼：80136北京市海淀區清華東路地址：郵政編碼:100083 甲35號

聯系部門：研究生部電話：010-82304321聯系人：徐金威 學科、專業名稱（代碼）研究方向 總招生 人數

考 試 科 目備 注 研究

半導體自旋電子學07.同上 半導體自旋電子學基礎08.同上 物理理論研究

單光子/糾纏光子發射09.同上 器件、單量子點中電子 /空穴/核自旋相互作用

低維納米結構、材料和10.同上 新量子器件原理

石墨烯光電子學；低維11.同上要求碩博連讀 納米材料光學性質

石墨烯和拓撲絕緣體12.同上

鐵磁半導體器件研究及13.同上具有較強的動手 碳基電子學器件的研究能力和扎實的物 理基礎

固體量子計算和量子通14.同上 信的基礎物理研究

半導體低維量子結構的15.同上 電子態

自旋相關的電子輸運和16.同上 光學性質

半導體與金屬復合微納17.同上 結構中光電耦合效應 080501材料物理與化學

GaN同質襯底的制備01.①101思想政治理論②201 英語一③302數學二④976 半導體物理或977固體物 理

半導體低維結構材料02.同上 寬帶隙半導體材料03.同上

半導體低維結構材料物04.同上物理系畢業及有 理科研經歷者優先

第2頁2010年8月27日10時46分12秒

單位代碼：80136 聯系部門：研究生部

北京市海淀區清華東路地址： 甲35號

電話：010-82304321 郵政編碼:100083 聯系人：徐金威

學科、專業名稱（代碼）研究方向 總招生 人數

考 試 科 目備 注

寬帶隙半導體材料和材05.同上 料物理

半導體低維納米材料制06.同上 備及其器件應用

半導體功能材料及其器07.同上 件應用

半導體光伏材料與器件08.同上 和半導體材料物理

半導體納米功能材料及09.同上 其器件應用

寬帶隙半導體材料與應10.同上 用

半導體納米結構及器件11.同上 研究

氮化物LED材料和器件12.同上 研究

III族氮化物材料生長13.同上 用MOCVD等重大裝備研 制；半導體低維結構材 料、寬帶隙半導體材料 和器件應用

氮化物材料生長與應用14.同上 研究；新型高效太陽電 池制備與性能研究；新 型異質結半導體高效光 伏材料與器件

低成本太陽能級多晶提15.同上 純技術、材料性能與電 池制備；CdTeCIGS材 料制備及薄膜太陽能電 池應用 高功率全固態激光器及16.同上

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單位代碼：80136 聯系部門：研究生部

北京市海淀區清華東路地址： 甲35號

電話：010-82304321 郵政編碼:100083 聯系人：徐金威

學科、專業名稱（代碼）研究方向 總招生 人數

考 試 科 目備 注 其應用研究

高效硅基薄膜太陽電池17.同上..相關技術研究

紅外量子材料及器件(18.同上..量子級聯激光器、探測 器；太赫茲材料及器件..)化合物半導體(GaSb、I19.同上..nAs、InP、ZnO、AlN)缺陷、雜質及物性研究

寬禁帶半導體材料物理20.同上..與應用

全固態激光器及非線性21.同上..頻率變換

新型高效率太陽電池技22.同上..術研究；GaN基稀磁半 導體薄膜材料的研究

有機/無機復合半導體23.同上..材料與器件

有機電致發光材料和器24.同上..件應用

太陽電池制備與性能研25.同上..究

080901物理電子學

Si基高效太陽電池研究01.①101思想政治理論②201..英語一③301數學一④976 半導體物理或977固體物 理

半導體光電探測器、單02.同上..光子探測及電路；高效 太陽電池基礎研究 半導體量子點材料與量03.同上..第4頁2010年8月27日10時46分12秒

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聯系部門：研究生部電話：010-82304321聯系人：徐金威 學科、專業名稱（代碼）研究方向 總招生 人數

考 試 科 目備 注 子器件，半導體異質結 兼容低維材料與光電子 器件

大功率半導體激光器04.同上學習過半導體或 光電子課程，碩 博連讀

氮化鎵基激光器；新型05.同上碩博連讀 寬禁帶半導體光電子器 件

氮化鎵基藍紫光激光器06.同上 和太陽盲紫外焦平面探 測器的設計和研制；基 于III-V族半導體的紅 外焦平面探測器

非線性全光邏輯及全光07.同上 信號處理；芯片光互連、高速光調制/光開關 ；通訊用有源、無源光 器件

高效硅基太陽電池08.同上物理系畢業者優 先

光電子與信號處理、光09.同上 纖傳感技術

光通信、光傳感系統與10.同上 器件

光子晶體材料、物理、11.同上物理類學生優先 器件與集成

光子微結構材料物理光12.同上物理或光電子專 學特性及其器件研究業考生優先

硅基光波導無源器件、13.同上物理、電子、電 光波導傳感器力或生物專業

基于硅基光電子的波導14.同上碩博連讀

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聯系部門：研究生部電話：010-82304321聯系人：徐金威 學科、專業名稱（代碼）研究方向 總招生 人數

考 試 科 目備 注 器件、光開關、調制器 和片上光互連系統，光 移相器與慢光器件等

量子點及銻化物二類超15.同上 晶格MBE材料生長，量 子點及銻化物二類超晶 格紅外探測器及激光器 研究

納米結構半導體量子阱16.同上碩博連讀、量子點材料生長與激 光器等應用研究；新型 高效太陽能電池研究

銻化物二類超晶格紅外17.同上 激光器的研究、表面等 離子激元材料及器件研 究、納米光源的研究

微波功率晶體管、量子18.同上 點晶體管探測器、高效 太陽能電池、半導體存 儲器

微納光電子器件及集成19.同上熟悉光波導基本 研究理論及半導體光 電子器件

微納光子學器件物理、20.同上 微腔激光器及光集成

新型半導體材料和器件21.同上 研究

新型光電子器件；硅基22.同上 光子學研究

新型光電子器件及其應23.同上 用

新型信息光電子器件、24.同上

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考 試 科 目備 注 射頻與光電子集成電路、高速并行光傳輸模塊 與系統

利用光子學和微納加工25.同上碩博連讀..技術研制基因測序芯片、Lab on chip等生物 傳感器

量子點紅外探測器及銻26.同上..化物二類超晶格紅外探 測器的研究；銻化物二 類超晶格紅外激光器的 研究；大功率半導體激 光器的研究

080902電路與系統

半導體人工神經網絡硬01.①101思想政治理論②201..件化實現及其應用研究英語一③301數學一④856 電子線路或859信號與系 統

光電信息探測及成像02.同上..光電應用03.同上..目標探測、識別與跟蹤04.同上..技術、系統

圖像處理與模式識別新05.同上..理論、新方法

先進射頻毫米波集成電06.同上..路設計

高速智能圖像傳感器芯07.同上..片設計

智能感知與先進計算模08.同上..型、算法及其應用技術

多信息融合技術09.同上..時空三維重建可視化技10.同上..第7頁2010年8月27日10時46分12秒

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學科、專業名稱（代碼）總招生 考 試 科 目備 注 研究方向人數

術

11.機器學習與智能計算技 同上 術、系統

080903微電子學與固體電子業務課二:選光電

學子方向為976半導 體物理與977固體 物理，二選一；選 微電子方向為976 半導體物理與856 電子線路，二選一

01.新型微電子、光電子器 ①101思想政治理論②201 件及其集成技術的研究

英語一③301數學一④856、開發、中試規模的生

電子線路或976半導體物 產（微電子、光電子方

理或977固體物理 向均可）

02.新型微電子、光電子器 同上

件及其集成技術的研究、開發與應用（微電子、光電子方向均可）

03.量子阱紅外探測器（微 同上

電子、光電子方向均可）

04.半導體納米器件和電路 ①101思想政治理論②201 英語一③301數學一④856 電子線路或976半導體物 理

05.高速數模混合電路系統 同上 集成研究

06.高速智能圖像傳感器芯 同上 片設計

07.圖畫與動漫的自動生成 同上

碩博連讀

08.微納機電系統 同上

碩博連讀

09.先進射頻毫米波集成電 同上 路設計

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考 試 科 目備 注

新型微機電（MEMS）器10.同上 件與系統的研究

新型信息光電子器件、11.同上 射頻與光電子集成電路、高速并行光傳輸模塊 與系統

半導體低維結構材料、12.①101思想政治理論②201 寬帶隙半導體材料、半英語一③301數學一④976 導體光伏材料與器件和半導體物理或977固體物 半導體材料物理理

半導體材料與器件物理13.同上 半導體光電探測器、單14.同上 光子探測及電路；高效 太陽電池基礎研究

半導體量子點材料與量15.同上 子器件，半導體異質結 兼容低維材料與光電子 器件

半導體新型量子結構器16.同上 件

大功率半導體激光器17.同上學習過半導體或 光電子課程，碩 博連讀

大功率寬禁帶SiC外延18.同上微電子專業考生 材料與器件制造技術研 究

氮化鎵基激光器；新型19.同上碩博連讀 寬禁帶半導體光電子器 件

氮化物材料生長與應用20.同上 研究；新型高效太陽電 池制備與性能研究；新

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考 試 科 目備 注 型異質結半導體高效光 伏材料與器件

III族氮化物材料生長21.同上..用MOCVD等重大裝備研 制；半導體低維結構材 料、寬帶隙半導體材料 和器件應用

高效硅基太陽電池22.同上物理系畢業者優..先

光電子集成器件；新型23.同上學過固體物理、..光伏材料和器件半導體物理、量 子力學、光電子 學課程，動手能 力較強

光電子學、集成光電子24.同上..、光子晶體材料、物理、器件與集成

光通信、光傳感系統與25.同上..器件

光子晶體材料、物理、26.同上物理類學生優先..器件與集成

硅基光電子材料和器件27.同上..紅外量子材料及器件(28.同上..量子級聯激光器、探測 器；太赫茲材料及器件..)基于InP光電子器件的29.同上..集成

寬禁帶半導體材料生長30.同上..與光電子器件研制

新型光電子器件及其應31.同上..用

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考 試 科 目備 注

寬禁帶半導體材料物理32.同上 與應用；半導體納米功 能材料及其器件應用

量子點及銻化物二類超33.同上 晶格MBE材料生長，量 子點及銻化物二類超晶 格紅外探測器及激光器 研究

納米結構半導體量子阱34.同上碩博連讀、量子點材料生長與激 光器等應用研究；新型 高效太陽能電池研究

微波功率晶體管、量子35.同上 點晶體管探測器、高效 太陽能電池、半導體存 儲器

微波光電子學36.同上

新型光電子器件；硅基37.同上 光子學研究

用于光通信與光信息處38.同上 理的片上集成光子器件 與系統；并行超高速光 學數字信號處理器

針對光纖通信和光網絡39.同上 的基于InP的光電子集 成

高遷移率CMOS器件40.同上物理學、光學、光電、材料專業 者優先

量子點晶體管探測器、41.同上 高效太陽能電池

微納結構在高增益弱光42.同上

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考 試 科 目備 注 探測中的應用

光子集成、光子晶體43.同上..新型高效硅薄膜電池的44.同上半導體物理基礎..結構設計好，半導體光電 相關專業

085204材料工程

GaN基半導體材料及其01.①101思想政治理論②204..應用、產業化開發英語二③302數學二④976 半導體物理或977固體物 理

薄膜和微結構半導體材02.同上..料科學技術

納米電子、光子材料及03.同上..器件

LED光效率提升研究04.同上..GaN LED外延技術開發05.同上..新型高效率太陽電池技06.同上..術研究；GaN基稀磁半 導體薄膜材料的研究

GaN基第三代半導體發07.同上..光器件關鍵技術工程化 研究

石墨烯光電子學08.同上..半導體照明及其重大裝09.同上..備

085208電子與通信工程

表面等離子激元材料及01.①101思想政治理論②204..器件研究，新型半導體英語二③301數學一④856 激光器研究電子線路或976半導體物 理

GaN基半導體材料及其02.同上..應用、產業化開發

第12頁2010年8月27日10時46分12秒

單位代碼：80136 聯系部門：研究生部

北京市海淀區清華東路地址： 甲35號

電話：010-82304321 郵政編碼:100083 聯系人：徐金威

學科、專業名稱（代碼）研究方向 總招生 人數

考 試 科 目備 注

GaN基第三代半導體發03.同上 光器件關鍵技術工程化 研究

光纖激光器與光纖傳感04.同上 用于光通信與光信息處05.同上 理的片上集成光子器件 與系統

085209集成電路工程

數?；旌霞呻娐?1.①101思想政治理論②204 英語二③301數學一④856 電子線路或976半導體物 理

半導體納米器件和電路02.同上 激光器驅動與探測模塊03.同上

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第二篇：中共中國科學院半導體研究所委員會

中共中國科學院半導體研究所委員會

半發黨字?2009?8號

★

關于印發《中共中國科學院半導體所

黨務公開實施方案》的通知

所屬各有關部門：

現將《中共中國科學院半導體所黨務公開實施方案》下發所屬各有關部門。

附件：1.中共中國科學院半導體所黨務公開實施方案

2.中共中國科學院半導體所黨務公開工作領導小組

二〇〇九年十一月三十日

附件1：

中共中國科學院半導體所黨務公開實施方案

為貫徹落實黨的十七大和十七屆四中全會關于推行黨務公開的要求，根據《中國科學院京區黨的基層組織實行黨務公開的實施意見》和《中國共產黨黨內監督條例》，為進一步落實科學發展觀，加大社會監督力度，推動黨內民主，完善黨務管理，落實黨員干部對黨內事物、政務活動的知情權、參與權和監督權，推進黨務公開工作全面開展，特制定《中共中國科學院半導體所黨務公開實施方案》。

一、指導思想和重要意義

推行基層黨組織黨務公開，要堅持以鄧小平理論和“三個代表”主要思想為指導，全面落實科學發展觀，堅持黨要管黨，從嚴治黨的方針。黨務公開是增強黨的工作透明度，保障黨員民主權利，使黨員更好地了解和參與黨內事務，是加強黨內監督、密切黨群關系、促進黨風廉政的有效途徑，對于以改革創新精神全面推進黨的建設具有重要意義。

二、基本原則

1．依法依紀原則。按照憲法、法律法規以及黨章、黨的方針政策和其他黨內法規，依法依紀進行黨務公開。使公開的程序規范，內容真實，使黨務公開工作逐步實現規范化、制度化和科學化。

2．真實公正原則。認真落實《中國共產黨黨內監督條例（試行）》規定的有關監督制度，落實《黨員權利保障條例》，尊重和保障黨員、干部群眾的知情權、監督權，堅持實事求是，做到內容真實可信，結果公平公正。

3．注重實效原則。堅持從實際和效果出發，增強黨務公開的針對性。既方便群眾知情參與、又保障黨員干部的民主權利，采取合適的公開形式，講求形式和效果的統一。

4．積極穩妥、適度公開的原則。堅持固定內容長期公開，常規問題定期公開，熱點問題隨時公開，重點問題適時公開，對涉及全局性重大問題，按照集體領導、民主集中、個別醞釀、會議決定的原則，黨組織班子集體討論后作出決定。

5．循序漸進、逐步深入原則。在黨務公開過程中，針對廣大黨員民主意識普遍增強、了解和參與黨內事物的愿望日益迫切的新情況，不斷拓寬廣大黨員參與公開的渠道，通過所務公開網、宣傳欄和座談會等形式，使黨務公開經?；?、規范化、程序化。

三、黨務公開內容目錄、程序

（一）內容目錄

1．黨組織決議、決定及執行情況

2．領導班子建設

3．黨委成員及分工

4．黨務信息

5．黨組織生活

6．組織發展

7．黨支部設置及工作

8．自律與監督

9．黨費使用

10．黨員/積極分子培訓

11．反腐倡廉警示錄---違紀違法案例

12．民主生活會

13．志愿者活動

（二）程序

1．將所務公開網原有的“黨建工作”改為“黨務公開”，并增加6項內容：黨組織決議、決定及執行情況；領導班子建設；黨委成員及分工；黨支部設置及工作；黨員/積極分子培訓；反腐倡廉警示錄---違紀違法案例。

2．購買《中國共產黨黨員權利保障條例》、《中國共產黨黨內監督條例（試行）》、《中國共產黨中國共產黨員紀律處分條例》發至黨支部,并將以上內容在所務公開網上開辟專欄。

3．將中科院近年來在基建、財務、職務等違紀違法案例輸入上網，達到警示目的。

4．補充日常性公開目錄內容。

5．涉及重大決策、重要干部任免等黨內重大問題，要采取先黨內后黨外的順序進行公開。有的事項可按照上級黨組織要求僅限于黨內公布，涉及黨和國家秘密的不公開，或按規定僅在黨內特定范圍內公開。

6．積極收集黨內外意見，及時整理反饋。

7．全部內容在2009年12月30日前完成。

半導體所黨務公開要緊緊圍繞提高黨的執政能力和拒腐防變能力，從實際出發，發展黨內民主，加強黨的先進性建設，使黨的民主集中制得到有效保證，黨內監督和社會監督得到加強，使黨組織與群眾溝通的渠道更加通暢，黨內事務不斷透明，形成黨務公開與所務公開有機結合，相互促進的局面，不斷探索和建立基層黨組織實行黨務公開工作的長效機制。

附件2：中共中國科學院半導體所黨務公開工作領導小組

為切實加強黨務公開，不斷提高黨的執政能力，加強和改進黨建工作，建立中共中國科學院半導體所黨務公開工作領導小組：組長：陳樹堂

副組長：李晉閩

成員：俞育德、陳弘達、李樹深、趙玲娟、王國宏、張士力

領導小組下設辦公室：

主 任：李樹深

成 員：劉 力、葛 婷、張海峰、閻 軍、慕 東、韓偉華、倪

海橋、李衛軍、左玉華、趙有文、鄭婉華、主題詞：黨務 公開 方案 通知

中共中國科學院半導體研究所委員會2009年12月1日印發

第三篇：中國科學院微電子研究所2014年招生簡章

太奇考研網http://www.tmdps.cn

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殷華湘男 1974年出生研究員博士生導師

歐文男 1969年出生研究員碩士生導師

歐毅男 1975年出生副研究員碩士生導師

楊清華男 1976年出生副研究員碩士生導師

粟雅娟女 1975年出生副研究員碩士生導師

景玉鵬男 1963年出生研究員碩士生導師

李超波男 1979年出生副研究員碩士生導師

陳波男 1972年出生研究員碩士生導師

劉鍵男 1963年出生研究員碩士生導師

w 集成電路與系統設計技術

該方向為二室、五室、六室、七室、十一室的主要研究方向。本研究方向從系統應用需求出發，研究信號處理算法、低功耗電路、嵌入式處理器內核、多頻多模的射頻收發系統、SOC和可重構多處理器的芯片架構及設計方法。本研究方向涉及通訊系統理論、信號處理、基帶算法、圖像壓縮算法、數?；旌系凸碾娐吩O計、嵌入式處理器設計、軟硬件協同SOC芯片設計、可重構多核處理器架構、射頻及模擬集成電路等研究領域，是一個學科交叉性強的研究方向。

導師簡介

葉甜春男 1965年出生研究員博士生導師所長

周玉梅女 1962年出生研究員博士生導師副所長

黑勇男 1974年出生研究員博士生導師

梁利平男 1969年出生研究員博士生導師

于芳女 1960年出生研究員博士生導師

陳杰男 1964年出生研究員博士生導師

閻躍鵬男 1963年出生研究員博士生導師

張立軍男 1963年出生研究員博士生導師

陳嵐女 1968年出生研究員博士生導師

任卓翔男 1957年出生研究員博士生導師

張海英女 1964年出生研究員博士生導師

袁國順男 1966年出生研究員博士生導師

馬成炎男 1963年出生研究員博士生導師

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韓鄭生男 1962年出生研究員博士生導師

胡國榮男 1966年出生研究員博士生導師

蔣見花女 1976年出生副研究員碩士生導師

趙野男 1977年出生副研究員碩士生導師

張鋒男 1977年出生副研究員碩士生導師

吳斌男 1976年出生研究員碩士生導師

喬樹山男 1981年出生副研究員碩士生導師

楊駿男 1966年出生研究員碩士生導師

張浩男 1975年出生副研究員碩士生導師

杜占坤男 1975年出生副研究員碩士生導師

李金海男 1978年出生副研究員碩士生導師

吳玉平男 1968年出生研究員碩士生導師

呂志強男 1974年出生副研究員碩士生導師

程亞奇男 1958年出生副研究員碩士生導師

郝學飛男 1973年出生副研究員碩士生導師

盧小冬男 1973年出生副研究員碩士生導師

羅家俊男 1973年出生副研究員碩士生導師

周莉女 1977年出生副研究員碩士生導師

魯振鵬男 1969年出生副研究員碩士生導師

巴曉輝男 1980年出生副研究員碩士生導師

魯郁男 1974年出生副研究員碩士生導師

徐建華男 1963年出生高級工程師碩士生導師

李曉江男 1972年出生高級工程師碩士生導師

莫太山男 1979年出生副研究員碩士生導師

w 高性能器件與電路集成技術

該方向為一室、二室、四室的主要研究方向。本研究方向針對空間等輻射應用環境的電子系統，進行高可靠性半導體集成電路與功率器件研究。研究內容包括SOI集成電路及半導體功率器件的輻射效應、輻射機理、輻射加固技術、輻射試驗方法等。通過這些方面的研究可以探索集成電路及半導體功率器件可靠性的科學問題，培養科技人才，為保障我國的航天工程電子系統的可靠性奠定堅實基礎。

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導師簡介

韓鄭生男 1962年出生研究員博士生導師

周玉梅女 1962年出生研究員博士生導師副所長

于芳女 1960年出生研究員博士生導師

陳杰男 1964年出生研究員博士生導師

劉洪剛男 1974年出生研究員博士生導師

賈銳男 1974年出生研究員博士生導師

杜寰男 1963年出生研究員碩士生導師

朱陽軍男 1980年出生副研究員碩士生導師

孫寶剛男 1969年出生副研究員碩士生導師

李多力男 1977年出生副研究員碩士生導師

王立新男 1976年出生研究員碩士生導師

劉剛男 1979年出生副研究員碩士生導師

w 射頻、微波器件與電路集成技術

該方向為四室、六室、十一室的主要研究方向。本研究方向針對射頻、微波電路的應用和發展趨勢開展研究：針對射頻電路的應用，致力于基于各種標準的射頻集成電路及模塊研發、射頻集成電路IP核設計、醫療電子和醫療信息化硬件開發等方面的應用研究;針對系統在小型化、高功率的要求，采用GaN寬禁帶半導體發展高功率密度的微波器件和單片集成電路的研究;針對通信大容量、探測高精度的發展趨勢，采用InP材料研究實現毫米波和亞毫米波器件和電路。

導師簡介

吳德馨女 1936年出生中科院院士博士生導師

劉新宇男 1973年出生研究員博士生導師副所長

金智男 1970年出生研究員博士生導師

劉洪剛男 1974年出生研究員博士生導師

閻躍鵬男 1963年出生研究員博士生導師

張立軍男 1963年出生研究員博士生導師

張海英女 1964年出生研究員博士生導師

萬里兮男 1955年出生研究員博士生導師

申華軍男 1977年出生副研究員碩士生導師

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陳曉娟女 1979年出生副研究員碩士生導師

鄭英奎男 1973年出生高級工程師碩士生導師

魏珂男 1971年出生高級工程師碩士生導師

楊浩男 1978年出生副研究員碩士生導師

尹軍艦男 1974年出生副研究員碩士生導師

張軒雄男 1963年出生研究員碩士生導師

白云女 1978年出生副研究員碩士生導師

羅衛軍男 1981年出生副研究員碩士生導師

樊曉華男 1976年出生研究員碩士生導師

郝明麗女 1979年出生副研究員碩士生導師

黃水龍男 1975年出生副研究員碩士生導師

w 三維集成與系統封裝技術

該方向為九室的研究方向。研究內容涉及多學科：數學、化學、物理、電子技術、半導體技術、機械等等，是一個綜合性很強的新學科。除專門從事先進封裝技術的研究，還進行光互連技術研究。主要研究先進電子封裝技術與應用開發，包括高密度先進封裝、三維封裝、系統級封裝等封裝技術，以及高速并行光互連技術等。承擔了包括國家重大專項，863項目在內的多項國家科學研究任務。

導師簡介

萬里兮男 1955年出生研究員博士生導師

曹立強男 1974年出生研究員博士生導師

王慰男 1969年出生研究院博士生導師

于大全男 1976年出生研究員博士生導師

李志華男 1975年出生副研究員碩士生導師

李寶霞女 1977年出生副研究員碩士生導師

w 新型納米器件與集成技術

該方向為三室、四室研究方向。本研究方向以國家重大需求為導向，瞄準先進的納米加工技術和新結構納米電子器件及集成系統中基礎性、前瞻性的科學問題，加強先進的納米加工的基礎研究，不斷探索新的納米加工手段，設計和研制基于新原理、新結構的器件;圍繞新結構納米電子器件和集成系統在超高頻、低功耗、大輸出功率密度和新原理的特點，對基礎的科學問題進行深入探索。

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導師簡介

馬俊如男研究員博士生導師研究所顧問

劉明女 1964年出生研究員博士生導師

謝常青男 1971年出生研究員博士生導師

霍宗亮男 1975年出生研究員博士生導師

李冬梅女 1965年出生研究員碩士生導師

龍世兵男 1977年出生副研究員碩士生導師

姬濯宇男 1979年出生副研究員碩士生導師

朱效立男 1977年出生副研究員碩士生導師

李泠男 1976年出生研究員碩士生導師

周靜濤男 1975年出生副研究員碩士生導師

w 物聯網與傳感器技術

該方向為二室、六室、十室、十一室、物聯網中心的研究方向。物聯網是國家戰略新興產業之一，同時也是信息技術發展的新階段。物聯網與傳感技術方向重點研究物理信息處理及網絡化服務相關核心關鍵技術，為物聯網規模化應用提供核心技術。重點研究內容包括物聯網新系統結構、傳感器加工技術、物聯網核心芯片、新型傳感器、傳感與處理融合芯片、智能傳感器、新型鏈狀網絡技術、物聯網主動安全與車聯網應用解決方案等。

導師簡介

葉甜春男 1965年出生研究員博士生導師所長

陳大鵬男 1968年出生研究員博士生導師副所長

陳嵐女 1968年出生研究員博士生導師

黑勇男 1974年出生研究員博士生導師

梁利平男 1969年出生研究員博士生導師

王慰男 1969年出生研究院博士生導師

鐘匯才男 1973年出生研究員博士生導師

殷華湘男 1974年出生研究員博士生導師

于大全男 1976年出生研究員博士生導師

胡國榮男 1966年出生研究員博士生導師

馬成炎男 1963年出生研究員博士生導師

牟榮增男 1972年出生研究員碩士生導師

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陳曙東女 1977年出生研究員碩士生導師

李慶男 1972年出生副研究員碩士生導師

郎寶軍男 1963年出生研究員碩士生導師

慕福奇男 1957年出生研究員碩士生導師

王瑋冰男 1977年出生副研究員碩士生導師

徐靜波男 1979年出生副研究員碩士生導師

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第四篇：中國科學院計算技術研究所 2015年推薦免試研究生招生簡章

中國科學院計算技術研究所 2015年推薦免試研究生招生簡章 2015年，計算技術研究所繼續接收具有推薦免試資格的優秀應屆本科畢業生免試攻讀碩士學位研究生（包括學術型和專業型碩士學位研究生),同時還接收推免生直接攻讀博士學位（直博生）。

一、申請條件

凡（預計）在高等院校能獲得推免資格的優秀應屆本科畢業生，并且滿足如下條件的學生均可申請：

1.熱愛科學事業，有較好的科研潛力，道德品質良好，遵紀守法； 2.所在學校必須是教育部規定的當年具有免試生推薦資格的高校；

3.大學本科階段學習成績優異，在學期間無重修科目或補考記錄，在校期間沒有受過紀律處分；

4.計算機或自動化、電子、通信、數學、無線電等相關專業； 5.外語程度良好，具有較強的外語聽、說、讀、寫能力； 6.身體健康狀況符合國家規定的體檢標準，心理健康狀況良好； 7.學習及科研興趣濃厚，且有較強的分析問題和解決問題的能力。

二、申請材料

1）《中國科學院大學推薦免試攻讀碩士學位研究生申請表》（在“中國科學院大學推薦免試生申請系統”http://admission.ucas.ac.cn/中填寫后打?。?/p>

2）大學本科前三年所修課程成績單（五年制的提供前四年課程成績單。成績單需加蓋學校教務部門或者院系公章。如暫時無法提交，最遲可于10月10日前補交）；

3）本人在本年級專業學習成績（或綜合成績）排名證明（請標明參與排名的總人數并加蓋學校教務部門或者院系公章。如暫時無法提交，最遲可于10月10日前補交）；

4）英語等級證書復印件； 5）身份證、學生證復印件；

6）所在學校教務部門開具的推薦免試生資格證明（最遲在10月10日前補交到）； 7）《中國科學院計算技術研究所報考研究生政審表》，由考生所在院系填寫并蓋院系黨總支或學生處章；

8）對申請有參考價值的其它材料（如專家推薦信、大學期間的獲獎證書復印件、發表的學術論文、個人簡歷及專業學習情況介紹等，可自愿提交）。

以上材料須于9月15日（此批次）前和10月8日（最后一批擬錄取）前用EMS快遞寄送到：北京市海淀區中關村科學院南路6號中科院計算所研究生部盧文平收，多投無效。導師與研究室（中心）、研究方向是基本對應的。如該導師或所在實驗室（中心）未接受或面試未通過您的申請，研究生部將會安排在所內其他實驗室（中心）進行調劑。

上述材料恕不退還，請自備留底。

三、申請程序 1.申請方式及時間

凡（預計）自己能在所就讀的高等學校取得推薦免試資格的學生，請于2014年8月19日起登錄中國科學院大學招生信息網(http://admission.ucas.ac.cn/)，通過“推薦免試生申請系統” 選擇“計算技術研究所”提交網上推免申請。為便于統計，請同學們網上報名時，在“社會工作及擔任職務”一欄只填寫報考導師姓名，“社會工作及擔任職務”的信息可在“本人自述”內說明。

2.初審與面試

9月16日，我所各研究室（中心）將根據推免生申請情況進行初審。初審通過者將會收到我所面試通知（通過手機短信或郵件）。請同學們按通知要求到我所參加差額面試。面試以研究室（中心）為單位進行，具體面試時間、地點等由各研究室（中心）確定，名額錄滿為止。

10月上旬，未招滿推免生的研究室（中心）將根據情況，決定是否繼續招收免試生。

四、面試與擬錄取

1.面試形式：包括筆試、面試（每人約20分鐘），英語測試或上機考核（由研究室自定），體檢（北京中關村醫院體檢中心，早上空腹，自帶1寸照片一張）。

2.面試內容：主要包括思想政治品德考核、專業知識和外語考核及體檢。1）思想政治品德考核：考生的政治態度、思想品德、人生觀、價值觀、工作學習態度、團隊合作精神、科研道德、遵紀守法等情況。

2）專業知識考核：考生對知識掌握的深度和廣度，靈活運用程度以及實際動手能力，從事科研工作的潛力和創造性。考核既看學生歷年的學習成績，又注重對學生的動手能力、創新精神和其他特長等綜合素質方面的考查。3）外語考核：考生聽、說等外語運用能力。

4）體檢：考生身體健康狀況，也包括體能及心理素質方面的考查。體檢標準參照教育部、衛生部、中國殘疾人聯合會印發的《普通高等學校招生體檢工作指導意見》（教學[2003]3號），人力資源和社會保障部、教育部、衛生部《關于進一步規范入學和就業體檢項目維護乙肝表面抗原攜帶者入學和就業權利的通知》（人社部發[2010]12號）以及《教育部辦公廳 衛生部辦公廳關于普通高等學校招生學生入學身體檢查取消乙肝項目檢測有關問題的通知》（教學廳[2010]2號）執行，體檢費用自理，約150元。

五、擬錄取和網上報名、現場確認

1.計算所教育工作指導小組對面試結果進行審議，按照“德智體全面衡量、擇優錄取、保證質量、寧缺毋濫”的原則，確定擬錄取名單并公示后，核發擬接收函。

2.收到擬接收函的學生應及時到所在高校領取推薦免試生校驗碼和“全國推薦免試攻讀碩士學位研究生登記表”，并在規定時間內將該登記表寄送回計算所研究生部。

3.收到擬接收函的學生須在教育部規定的時間內，持本科就讀高校所發的推薦免試生校驗碼進行全國碩士研究生招生網上報名，并在規定時間到指定報考點進行現場確認。

4.被擬錄取的推薦免試生無需再報名參加全國碩士生統一入學考試。5.推薦免試生的錄取類別一般為計劃內非定向。

六、復審和錄取

2015年4月計算所將對已錄取的推薦免試生進行復審，出現下列情況之一的，將取消錄取資格：

1.在本科階段最后一學年必修課學習成績有不及格科目； 2.畢業設計（論文）未取得良好以上（含良好）成績； 3.畢業時未獲得學士學位； 4.政審不合格；

5.考試作弊者或違紀（法）受到“警告”以上處分的，或有其他情節嚴重的違法亂紀行為受到處罰者；

6.申請人提交的材料有弄虛作假者。

通過復審的推薦免試生，將與擬錄取的統考生一起上報教育部審核，審核通過即被錄取?！朵浫⊥ㄖ獣放c統考生的《錄取通知書》同時發放（預計2015年6月份）。

七、其他

計算所鼓勵推薦免試生碩博連讀或攻讀直博生?？忌稍诿嬖嚂r提出碩博連讀或直博申請。同等條件下，我所優先考慮錄取愿碩博連讀或攻讀直博生的申請者。

直博生從具有推薦免試資格的優秀應屆本科畢業生中遴選，直接錄取為博士研究生，基本學習年限為5年。被接收為直博生的推免生，不需參加碩士生全國網上報名和現場確認，但須參加中國科學院大學2015年博士生網上報名（預計2014年12月）。具體請留意中國科學院大學招生信息網信息或直接向我所研究生部咨詢。

---------------------------特別提醒：

1.郵寄的材料信封的左下方請標注“免試生申請 +研究室名稱+ 報考導師姓名”字樣。

2.參加今年7月份計算所暑期班未入選或未被擬錄取的同學可繼續申請。已擬錄取的同學也須在系統里報名，可不用再寄送材料，但須在9月18日前將推免資格證明（加蓋學院或教務部門公章）以EMS方式寄送到我所研究生部。如屆時無法提供推免資格證明，其被擬錄取資格自動失效，需按上述要求，重新申請。如有特殊情況，請提前告知我所研究生部。

3.若因特殊原因，學生自己放棄擬錄取資格或未獲得外推資格，請務必以電子郵件方式盡快通知我所研究生部(zhaosheng@ict.ac.cn)。

本簡章未盡事宜，請參看《中國科學院大學2015年招收攻讀碩士學

位研究生簡章》和《中國科學院大學2015年推薦免試生招收簡章》。

聯系人：盧老師

聯系電話：010－62524586 通信地址：北京市海淀區中關村科學院南路6號中科院計算所研究生部 郵政編碼：100190 招生郵箱：zhaosheng@ict.ac.cn 計算所網站：www.tmdps.cn/gsict（參考信息）

中國科學院計算技術研究所研究生部

2014年8月

第五篇：2015年中國科學院近代物理研究所碩士研究生招生簡章

中國科學院近代物理研究所 2015年招收攻讀碩士學位研究生簡章

中國科學院近代物理研究所創建于1957年，是一個依托大科學裝置，主要從事原子核物理基礎和應用研究、相應發展粒子加速器及核技術的基地型研究所，經過半個多世紀的發展，已經成為在國際上有重要影響的重離子物理研究中心。

近代物理研究所長期面向國家戰略和區域經濟發展需求，瞄準學科前沿，通過幾代人的不懈努力和三大科學工程的建設，建立了國家重大科技基礎設施—蘭州重離子加速器HIRFL（Heavy Ion Research Facility in Lanzhou），主要技術指標達到國際先進水平，為我國重離子物理及交叉學科研究創造了先進實驗條件，取得了以新核素合成、原子核質量精確測量、重離子治癌為代表的一批重要科研成果，使我國進入重離子物理及交叉學科研究的國際先進行列。同時，在核技術產業化方面也取得了重要進展，為我國科技、經濟、社會的發展和國家安全做出了貢獻。

近代物理研究所現有中國科學院院士2人，中國工程院院士1人，“新世紀百千萬人才工程”國家級人選4人，“973”首席科學家3人，“國家杰出青年基金”項目獲得者7人，中科院“百人計劃”項目支持者22人，“西部之光”人才計劃項目支持者83人，上崗研究生導師203人。

截止2014年初，近代物理研究所已獲得國家獎17項，省部級獎158項。目前，近代物理研究所承擔著包括“973”計劃和中國科學院A類戰略性先導科技專項“未來先進核裂變能－ADS嬗變系統”（協同國內相關單位研發）在內的一大批科研項目。其中，“加速器驅動嬗變研究裝置”和“強流重離子加速器”兩個大科學裝置建設規劃已經列入《國家重大科技基礎設施建設中長期規劃（2012-2030年）》的建設重點。同時，研究所與國內外60多所著名大學和科研機構建立了良好的科研合作關系，并作為國內牽頭單位參與由17個國家投資，在德國建設的“反質子與離子研究裝置（FAIR）重大國際合作項目”。

近代物理研究所是國務院首批批準招收碩士、博士研究生和設立博士后流動站的單位之一，現有2個博士后流動站，20個碩士、博士招生專業。研究生招生由中國科學院大學統一注冊和授予學位。碩士研究生實行“兩段式”培養模式，第一學年在中國科學院大學（北京）學習學位課程。優秀推薦免試本科生經遴選可直接攻讀博士學位，優秀碩士生經選拔可以碩博連讀。此外，每年選派一定數量的優秀在學研究生赴歐美相關研究機構或著名大學進行聯合培養。

三十多年來，中國科學院近代物理研究所招收和培養了數以千計的博士、碩士研究生，畢業生具有較高的社會認同度，就業率一直穩定在高水平。

2015年預計招收碩士研究生55名左右（含推薦免試研究生40%左右、全日制專業碩士20%左右和“少數民族骨干計劃”2名左右），最終招生人數以國家下達計劃數為準。

一、培養目標

學術型碩士研究生旨在培養德智體全面發展，愛國守法，在本學科內掌握堅實的基礎理論和系統的專業知識，具有創新精神、創新能力和從事科學研究、教學、管理或獨立擔負專門技術等工作能力的高層次學術型專門人才。

全日制專業學位碩士研究生面向社會需求、面向科技前沿，適應工程技術發展和創新需要，培養德智體全面發展、掌握相關專業領域堅實的基礎理論和寬廣的專業知識、具有較強的解決實際問題的能力、能夠承擔專業技術或管理工作、具有良好職業素養的高層次應用型專門人才。

二、報考條件

（一）擁護中國共產黨的領導，品德良好，遵紀守法，勤奮好學，有開拓創新精神。

（二）國家承認學歷的應屆本科畢業生或往屆本科畢業生（獲學士學位）。

（三）獲得國家承認的大專畢業學歷后工作兩年或兩年以上，達到與大學本科畢業生同等學力者。以同等學力報考的考生除滿足中國科學院大學的報考條件外，還需符合以下要求：

1．通過大學外語四級考試（或新四級成績425分以上）并獲得合格證書。2．取得大學本科8門以上主干課程的合格成績（由教務部門出具成績證明或出具本科自學考試成績通知單）。

3．已在公開出版的核心學術期刊發表過本專業或相近專業的學術論文，或作為主要完成人獲得過與報考專業相關的省級以上科研成果獎；或主持過省級以上科研課題。

4．選報專業非跨學科、專業報考。

（四）報考少數民族骨干計劃的考生，報考條件見《中國科學院大學2015年“少數民族高層次骨干人才計劃”碩士研究生招生簡章》。

（五）身體健康，年齡一般不超過40周歲。

三、報名確認

（一）網上報名

2014年10月10日~31日，預報名時間為2014年9月28日~30日。考生登錄中國研究生招生信息網http://yz.chsi.com.cn或http://yz.chsi.cn，認真閱讀公告信息，按提示要求如實填寫本人報名信息。報考近代物理研究所的考生，“招生單位所在地區”均應選擇“北京”，“招生單位”選擇“14430中國科學院大學”，在“院系所名稱”欄中選擇“中國科學院近代物理研究所”，之后選擇報考專業等信息。在規定時間內考生可在報名系統中修改本人報名信息。

近代物理所各招生專業均可接收高等學校優秀應屆本科畢業推薦免試生（含直博生），所有推薦免試生（含直博生）均需通過教育部“全國推薦優秀應屆本科畢業生免試攻讀研究生信息公開暨管理服務系統”（以下簡稱教育部“推免服務系統”）辦理申請和接收程序，不再參加碩士生全國網上報名和現場確認。直博生另須參加2015年中國科學院大學招生網http://zhaosheng.ucas.ac.cn/sign_up/BSBM/index.aspx網上直博生報名。

請考生務必牢記本人網報時的用戶名和密碼，以備后期打印準考證、調劑和錄取等使用。

（二）現場確認

2014年11月10日~14日，考生持本人第二代居民身份證（或軍官證）、本科畢業證書和學士學位證書原件（應屆生憑學生證）等到各?。ㄊ?、自治區）高校招生辦公室指定的報考點，憑報名號交費并照相，確認報考數據。

推免生如被研究所接收確定為直博生，不需要現場確認。

報考少數民族骨干計劃的考生，現場確認時須出示所在省市自治區教育廳民教處蓋章的《報考少數民族高層次骨干人才計劃碩士研究生考生登記表》。

（三）注意事項

1．考生要準確填寫個人信息，特別是要如實填寫在參加國家教育考試過程中因違規、作弊所受處罰情況。對弄虛作假者，按《國家教育考試違規處理辦法》（教育部令?第18號?進行處理。

2．考生在報名時只能填報一個單位和一個招生專業。

3．推薦免試生必須在報名當年10月25日前到中科院近代物理研究所辦理接收錄取手續。

4．少數民族高層次骨干人才計劃以報名時填報的信息為準，在報名結束后不得更改報考類別。

5．在規定的網上報名期間，考生可自行修改個人網報信息。在現場確認期間，考生必須對報名信息進行認真核對并確認。經考生本人確認后的報名信息在考試、復試及錄取階段一律不作修改，如有填寫錯誤責任自負。

6、現場確認后，考生必須及時將本人簽名的全國碩士生入學考試報名信息簡表寄送（交）近代物理研究所研究生部一份（可復?。?。

7、網報和現場確認結束后，研究所將對考生的報名信息進行審查，對符合報考條件的考生準予考試。8、2014年12月下旬~2015年1月初期間，考生登陸研究生招生網下載打印《準考證》，《準考證》正反兩面在使用期間不得涂改。

四、考試

（一）考試時間：2015年初，以教育部公布的日期為準

（二）初試科目為思想政治理論、外國語、基礎課（含數學

（一）或數學

（二））、專業基礎課等4門。其中思想政治理論、外國語、數學

（一）或數學

（二）使用全國統一命題，其余考試科目由中國科學院大學統一命題?？荚嚨攸c以準考證上標注的地點為準。

（三）思想政治理論、外國語的滿分為100分，基礎課（含數學

（一）或數學

（二））和專業基礎課每門滿分為150分。

五、復試

（一）復試前對考生的有效身份證件、學歷證書、學生證等報名材料原件及考生資格再次進行嚴格審查，如果考生的學歷（學籍）信息仍有疑問的，要求考生在規定時間內提供權威機構出具的認證證明。凡不符合教育部規定者，不予參加復試。

（二）根據《中國科學院近代物理所吸引優秀本科畢業生報考碩士研究生的試行辦法》（近人教字?2009?78號），對獲得全國重點院校校內推薦免試資格，但放棄推薦免試指標報考近代物理研究所的優秀應屆本科畢業生，在統考和復試成績合格基礎上優先錄取。

（三）按照教育部下達復試分數線，依據考生初試成績，由高到低按錄取數與參加復試人數1：1.2以上的比例確定本單位復試分數線，擇優選定復試人員名單，再進行差額復試。

（四）復試前對復試考生的有效身份證件、學歷證書、學生證等證件和報名材料再次進行嚴格審查，對不符合規定者，不予復試。對考生的學歷（學籍）信息仍有疑問的，可要求復試考生在規定時間內提供權威機構出具的認證證明。

（五）復試時間在教育部規定的時間內進行（預計時間為2015年3月底或4月初）。復試前通過近代物理研究所網站向考生公布復試規程。其中，政審不合格、復試成績不及格者不予錄取。

（六）外語聽力及口語測試在復試中進行，成績計入復試成績。

（七）同等學力考生參加復試，由研究所指定加試兩門本科主干課程（閉卷筆試），考試科目不得與初試科目重復，每門考試時間為3小時，滿分為100分。并根據所報考專業方向需要進行有關實驗技能等方面的考查。加試科目不及格者不予錄取。

（八）對全日制專業學位研究生的復試，將更加突出對專業知識的應用、專業能力、實踐經驗和科研動手能力等方面的考查，同時，加強對考生興趣、愛好、特長及就業意向等方面的考查。

六、體格檢查

復試階段由研究所統一組織考生在二級甲等以上醫院進行體檢，體檢標準參照教育部、衛生部、中國殘聯印發的《普通高等學校招生體檢工作指導意見》（教學[2003]3號）和教育部辦公廳、衛生部辦公廳《關于普通高等學校招生學生入學身體檢查取消乙肝項目檢測有關問題的通知》等文件和通知精神執行。

根據近代物理研究所科研工作需要和科研場所的特殊性，同等條件下優先錄取身體和心理健康狀況優良者。新生入學后須進行體檢復查。

七、錄取

按國家最終下達的招生計劃，根據考生考試成績（含初試和復試成績），并結合其思想政治表現、業務素質以及身體健康狀況確定錄取名單并公示。

定向生須在錄取前分別與招生單位和用人單位簽署三方定向培養合同。

八、調劑

符合教育部調劑規定的上線考生，無論是調入或調出，均優先考慮在中國科學院系統內部調劑，研究所將積極幫助第一志愿考生聯系和推薦調劑單位?？忌毻ㄟ^“中國研招網”調劑服務系統填寫報考調劑志愿。

九、學習年限

碩士研究生基本學習年限為3年；碩博連讀研究生基本學習年限為5年；直接攻讀博士學位研究生基本學習年限為5年；少數民族骨干計劃碩士研究生基本學習年限為4年，第1學年均在北京中國科學院大學集中學習。

十、收費及待遇

2015年招收的碩士研究生，須按國家規定收取學費。中國科學院在不斷完善研究生獎助政策體系的基礎上，將進一步提高優秀在學研究生的獎助力度。研究所為學生提供良好的獎助學金待遇，碩士研究生國家助學金6000元/人〃年，研究所獎學金7200元/人〃年，國科大學業獎學金平均8000/人〃年，助研津貼7200至14400元/人〃年，此外，每月有保健和伙食補貼，公費辦理醫療保險。推免生第一學年實行特別獎勵。

十一、違紀處罰

對于考生申報虛假材料、考試作弊及其它違反考試紀律的行為，按教育部《國家教育考試違規處理辦法》進行嚴肅處理。

十二、其他

（一）考生因報考研究生與原所在單位或委培、定向及服務合同單位產生的糾紛請自行妥善處理。若因上述問題無法調取考生檔案，造成考生不能復試或無法被錄取的后果，研究所不承擔責任。

（二）現役軍人報考碩士生，按解放軍總政治部的規定辦理。

（三）考生可通過中國科學院大學招生信息網查閱全院招生專業目錄，也可通過中國科學院近代物理研究所網頁查詢相關信息。

（四）本簡章如有與國家新出臺的招生政策不符之處，以新政策為準。

地

址：中科院近代物理研究所研究生部（蘭州市南昌路509號5號樓）郵

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電

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