第一篇:高頻電子電路知識點復習打印
1、通信系統(tǒng)由輸入 變換器、發(fā)送設備、信道、接
收設備以及輸出變換器組成。
2、無線通信中,信號的調制方式有調幅、調頻、調相三種,相應的解調方式分別為檢波、鑒頻、鑒相。
3、在集成中頻放大器中,常用的集中濾波器主要有:LC帶通濾波器、陶瓷、石英晶體、聲表面波濾波器等四種。4諧振功率放大器為提高效率而工作于 丙 類狀態(tài),其導通角小于90度,導通角越小,其效率越 高。
5、諧振功率放大器根據集電極電流波形的不同,可分為三種工作狀態(tài),分別為欠壓狀態(tài)、臨界狀態(tài)、過壓狀態(tài);欲使功率放大器高效率地輸出最大功率,應使放大器工作在臨界狀態(tài)。
6、已知諧振功率放大器工作在欠壓狀態(tài),為了提高輸出功率可將負載電阻Re增大,或將電源電壓Vcc減小,或將輸入電壓Uim增大。
7、丙類功放最佳工作狀態(tài)是臨界狀態(tài),最不安全工作狀態(tài)是強欠壓狀態(tài)。最佳工作狀態(tài)的特點是輸出功率最大、效率較高
8、為了有效地實現基極調幅,調制器必須工作在壓狀態(tài),為了有效地實現集電極調幅,調制器必須工作在過壓狀態(tài)。
9、要產生較高頻率信號應采用LC振蕩器,要產生較低頻率信號應采用RC振蕩器,要產生頻率穩(wěn)定度高的信號應采用石英晶體振蕩器。反饋式正弦波振蕩器由放大部分、選頻網絡、反饋網絡三部分組成。、12、三點式振蕩器主要分為電容三點式和電感三點式電路。
13、石英晶體振蕩器是利用石英晶體的壓電和反壓電效應工作的,其頻率穩(wěn)定度很高,通常可分為串聯型晶體振蕩器和并聯型晶體振蕩器兩種。
14、并聯型石英晶振中,石英諧振器相當于電感,串聯型石英晶振中,石英諧振器相當于短路線。
15、根據頻譜變換的不同特點,頻率變換電路分
為頻譜搬移電路和頻譜的非線性變換電路。
16、普通調幅波的數學表達式UAMt=Ucm(1+M cosΩt)cosωct,為了實現不失真調幅,Ma一般 ≤1。
17、調幅波的幾種調制方式是普通調幅、雙邊帶調幅、單邊帶調幅。
18、二極管包絡檢波電路中,檢波電容和檢波負載的乘積RC太大會造成惰性失真,由于檢波電路的直流負載電阻和交流負載電阻數值相差太大可能會造成 負峰切割 失真。
19、超外差廣播收音機中頻fI =465KHZ,當接收fc=535KHZ電臺信號時,還聽到頻率為1465KHZ的強信號,此時為鏡像干擾;465KHZ調幅信號所造成的是 中頻 干擾。20、根據干擾產生的原因,混頻器的干擾主要有組合頻率干擾、副波道干擾、交調干擾 和互調干擾四種。
21、調頻有兩種方法,分別稱為 直接調頻和間接調頻
22、調頻波的頻偏與調制信號的 幅度 成正比,而與調制信號的頻率 無關,這是調頻波 的基本特征。
23、抑制載波的雙邊帶調制只傳輸 上下
邊帶信號 不傳輸載波,因而同樣服務范圍的發(fā)射機功耗比普通調幅波小。諧振功率放大器中,LC諧振回路主要起
選頻濾波、阻抗匹配 作用。1.先對調制信號進行 積分,再進行調相,可獲得調頻信號。
28、比例鑒頻器是把等幅的調頻信號變成 調頻-調幅 信號,再進行檢波,達到解調目的。30、二極管包絡檢波只適合解調 AM信號,調頻信號應采
用鑒頻器進行解調。
31、調頻波的中心頻率fc=100MHZ,頻偏Δfm =50KHZ,調制信號頻率F=5KHZ,則其調制指數Mf =10;有效頻帶寬度BW=;當調制信號的幅度與頻率增加一倍,此時調制指數Mf = 10;頻帶寬度BW=220 KHz。
32、已調波U(t)=10cos(2π×108
t+2sin2π×102
t),根據已調波的性質可確定它是調頻信號,調制指數為2。
33、在單調諧放大器中,矩形系數越接近于
1、其選擇性越好;在單調諧的多級放大器中,級數越多,通頻帶越窄(寬或窄),其矩形系數越小(大或小)。
34、變頻器可由混頻器和帶通濾波器兩部分組成。
35、列出三個常見的頻譜搬移電路調幅、檢波、變頻。
36、大信號包絡檢波器是利用二極管的 單向導電性和RC網絡的 充放電 特性工作的。
37、無論是調頻信號還是調相信號,它們的ω(t)和φ(t)都同時受到調變,其區(qū)別僅在于按調制信號規(guī)律線性變化的物理量不同,這個物理量在調相信號中是??(t),在調頻信號中是??(t)。
38、調頻波的頻偏與調制信號的 幅度 成正比,而與調制信號的頻率 無關,這是調頻波的基本特征。40.電容三點式振蕩器的發(fā)射極至集電極之間的阻抗Zce性質應為 容性,發(fā)射極至基極之間的阻抗Zbe性質應為 容性,基極至集電極之間的阻抗Zcb性質應為 感性。
1、多級耦合的調諧放大器的通頻帶比組成它的單級單調諧放大器的通頻帶
窄
2、調諧放大器兼有放大和選頻功能。
4、基極調幅實現的是普通調幅,也是高電平調幅。
7、包絡檢波器是利用二極管的單向導電性及檢波負載電
容的充放電過程來完成的。
8、放大器必須同時滿足相位平衡條件和振幅條件才能產生自激振蕩。
13、正弦波振蕩
器中如果沒有選頻網絡,就不能引起自激振蕩。
15、調頻有兩種方法,分別稱為直接調頻和間接調頻。
18、諧振放大器處在諧振時其增益最大。
19、小信號諧振放大器抑制比越大,其選擇性越好。20、石英晶振可分為串聯型和并聯型。
22、利用非線性器件的相乘作用實現頻譜搬移。
23、振蕩器與放大器的主要區(qū)別之一是:放大器的輸出信
號與輸入信號頻率相同,而振蕩器一般不需要輸入信號。
24、混頻器的作用是改變調幅波的載波頻率為固定中頻。25、調
頻
和
調
相
簡
稱
調
角。
27、直接調頻電路實際上就是一個瞬時頻率受調制信號控制的振蕩器。
1、LC并聯諧振回路中,當回路諧振時,ωC等于1/ωL,等效阻抗最大,且為,其諧振的頻率是:1/2π(LC)^(1/2)。
2、調諧放大器以LC回路為負載,有三個重要的指標:增益、通頻帶、選擇性。
3、單調諧放大器的回路Q值越高,增益越大,選擇性越好,通頻帶越窄
4、諧
振功率放大器,根據晶體管是否進入飽和區(qū),分為欠壓、臨界、過壓三種工作狀態(tài)
5、高頻功率放大器中的諧振負載作用是選擇需要的頻率分量,濾除 不需要的頻率分量成分。
6、為了提高諧振功率放大器的效率,通常工作在丙類。
7、為了產生正弦波振蕩,反饋振蕩器必須包含一個正反饋(負電阻),只在一個頻率上產生自激振蕩。
9、反饋式振蕩器主要由 一套震蕩回路,包含兩個(或兩個以上)儲能元件、一個能量來源、一個控制設備 組成。
10、石英晶體振蕩器具有很高的頻率穩(wěn)定度。在并聯諧振回路中,石英晶體作為: 感性元件、在串聯型晶體振蕩器中,石英晶體作 反饋信號的短路元件。
11、高頻扼流圈對高頻振蕩信號視為開路,對直流則視為短路。
12、調幅是調制的一種方式,用 AM 表示,其解調方式是包絡檢波和同步檢波。
13、為了克服普通調幅的缺點,在調幅系統(tǒng)中還采用了抑制載波的雙邊帶調幅制及殘留單邊帶調幅制等方式。
14、在調幅信號中,已調波有三個頻率分量:未調幅的載波、上邊頻(載波頻率與調幅頻率之和)、下邊頻(載波頻率與調幅頻率之差)。
15、普通調幅波有效頻譜占據的頻帶寬度為:調制信號最高頻率的2倍B=2F。
16、檢波的方法可以分為包絡檢波和同步檢波兩大類。包絡檢波適用于對大信號的解調。而同步檢波可以對標準(普通)調幅、雙邊帶調幅和單邊帶調幅信號進行解調。
17、在二極管包絡檢波器中,存在著兩種失真,即 惰性RC≤[(1-Ma^2)^1/2]/ΩMa 失真和負峰切割Ma≤Rl/(R+Rl)失真。
18、調幅與
檢波在時域上都可以表示為兩信號相乘,在頻域上表現為頻譜的線性搬移。
19、模擬乘法器(二極管環(huán)形混頻器)/ 差分對模擬乘法器混頻電路既可用于調幅器,又可以用于檢波器,且具有諧波失真小、傳輸系數高等優(yōu)點,是一種性能優(yōu)良的理想乘法器。20、變頻器電路
是接收機的重要輔助電路之一,它可保證接收機在輸入信號強弱變化較大情況下,輸出信號基本穩(wěn)定,因此得到廣泛應用。
21、減少干擾應從三方面入手,其一是選擇合適的中頻,其二提高混頻前級電路的選擇能力,其三應適當選擇電子器件與工作點。
22、丙類倍頻器實質是輸出調諧在諧波上的丙類諧振功率放大器。
第二篇:電子電路基礎知識點總結
電子電路基礎知識點總結
1、純凈的單晶半導體又稱本征半導體,其內部載流子自由電子空穴的數量相等的。
2、射極輸出器屬共集電極放大電路,由于其電壓放大位數約等于1,且輸出電壓與輸入電壓同相位,故又稱為電壓跟隨器(射極跟隨器)。
3、理想差動放大器其共模電壓放大倍數為0,其共模抑制比為∞。
4、一般情況下,在模擬電器中,晶體三極管工作在放大狀態(tài),在數字電器中晶體三極管工作在飽和、截止狀態(tài)。
5、限幅電路是一種波形整形電路,因它削去波形的部位不同分為上限幅、下限幅和雙向限幅電路。
6、主從JK觸發(fā)器的功能有保持、計數、置0、置1。
7、多級放大器的級間耦合有阻容耦合、直接耦合、變壓器耦合。
8、帶有放大環(huán)節(jié)串聯穩(wěn)壓電路由調整電路、基準電路、取樣電路和比較放大電路分組成。
9、時序邏輯電路的特點是輸出狀態(tài)不僅取決于當時輸入狀態(tài),還與輸出端的原狀態(tài)有關。
10、當PN結外加反向電壓時,空間電荷區(qū)將變寬。反向電流是由少數載流子形成的。
11、半導體具有熱敏性、光敏性、力敏性和摻雜性等獨特的導電特性。
12、利用二極管的單向導電性,可將交流電變成脈動的直流電。
13、硅穩(wěn)壓管正常工作在反向擊穿區(qū)。在此區(qū)內,當流過硅穩(wěn)壓管的電流在較大范圍變化時,硅穩(wěn)壓管兩端的電壓基本不變。
14、電容濾波只適用于電壓較大,電流較小的情況,對半波整流電路來說,電容濾波后,負載兩端的直流電壓為變壓級次級電壓的1倍,對全波整流電路而言較為1.2倍。
15、處于放大狀態(tài)的NPN管,三個電極上的電位的分布必須符合UC>UB>UE,而PNP管處于放大狀態(tài)時,三個電極上的電位分布須符合UE>UE>UC。總之,使三極管起放大作用的條件是:集電結反偏,發(fā)射結正偏。
16、在P型半導體中,多數載流子是空穴,而N型半導體中,多數載流子是自由電子。
17、二極管在反向截止區(qū)的反向電流基本保持不變。
18、當環(huán)境溫度升高時,二極管的反向電流將增大。
19、晶體管放大器設置合適的靜態(tài)工作點,以保證放大信號時,三極管應始終工作在放大區(qū)。
20、一般來說,硅晶體二極管的死區(qū)電壓大于鍺管的死區(qū)電壓。
21、當硅晶體二極管加上0.3V正向電壓時,該晶體二極管相當于阻值很大的電阻。
22、電子秤中使用的半導體器件是利用了半導體的力敏性。
23、畫交流放大器的直流通路時,電容器做開路處理;畫交流通路時,電源和電容器應作短路處理。
24、PN結正向偏置時導通,反向偏置時截止,這種特性稱為PN結的單向導電性。
25、工作在放大狀態(tài)中三極管可視為放大器件,工作在截止飽和狀態(tài)的三極管可視為開關器件。
26、差動放大器只對差模信號有電壓放大作用,而對共模信號無電壓放大作用。射極輸出器的特點是電壓放大倍數略小于1,且接近于1。所以對信號源影響小,帶負載能力強。
27、晶體三極管屬于電流控制器件,場效應管屬于電壓控制器件。
28、三極管屬于雙極型半導體器件,場效應管屬于單極型半導體器件。
29、理想運放的兩個重要結論是:
一、是運放的兩個輸入端的電位相等。
二、運放的兩個輸入端的輸入電流相等,并且等于零。
30、一個自激振蕩器只有滿足相位平衡條件和振幅平衡條件才能產生振蕩。
31、計數器可分為同步計數器和異步計數器,兩者中速度較快的是同步計數器。
32、觸發(fā)器為時序邏輯電路基本單元,門電路為組合邏輯電路基本單元。兩種電路主要區(qū)別在前者具有記憶功能,而后者不具有。
33、二極管兩端加上正向電壓時超過死區(qū)電壓才能導通。
34、為調整放大器的靜態(tài)工作點,使之上移,應該使Rb電阻值減少。
35、一個觸發(fā)器可以存放1位二進制數。
36、放大電路中三極管的組合方式有三種,它們是共集電極、共基極、共發(fā)射極。
37、NPN型晶體三極管的發(fā)射區(qū)是N型半導體,集電區(qū)是N型半導體,基區(qū)是P型半導體。
38、一般情況下,晶體三極管的電流放大系數隨溫度的增加而增加,發(fā)射結的導通壓降Vbe則隨溫度的增加而減小。
39、具有記錄輸入脈沖個數的電路稱為計數器,它的主要組成部分是觸發(fā)器,是時序電路。
40、晶體管構成的三種放大電路中,沒有電壓放大作用但有電流放大作用的是:共集電極接法(射極輸出器)。
41、串聯型穩(wěn)壓電路中的調整管工作在放大區(qū)。
42、一個十進制計器至少需要四個觸發(fā)器構成
43、利用電阻R和電容C可以將脈沖波變換變?yōu)槿遣ê图忭敳ā?/p>
44、三極管的開關特性指的是在基極輸入信號作用下,三極管具有的兩個明顯相反的狀態(tài)即飽和和截止。
45、衡量運算放大電路抑制零漂能力的指針為:運模抑制比,對于運算放大器該參數等于∞。
46、負反饋電路可分為電流串聯負反饋、電流并聯負反饋、電壓串聯負反饋、電壓并聯負反饋。
47、將模擬信號轉換到數字信號的過程稱為A/D,將數字信號轉換成為模擬信號的過程稱為D/A。
48、集成觸 發(fā)器按功能可分為RS觸發(fā)器、D觸發(fā)器、JK觸發(fā)器和T觸發(fā)器。
49、射極輸出器是一種電壓串聯負反饋放大器。
50、半導體材料的電阻率受外界條件(溫度、光線等)的影響很大,溫度升高或受光照射均可使電阻率減小。
51、PN結是晶體二極管的基本結構,也是一般半導體器件的核心。
52、射極輸出器沒有電壓放大能力,由于其輸出電阻小,所以有較強的帶負載能力。
53、振蕩器是一個具有選頻網絡的正反饋放大器。
54、差動放大器的放大的信號有兩種,即共模信號和差模信號,我們總是希望差模放大倍數大一些,而共模放大倍數小一些。
55、晶體三極管可作為開關作用,當三極管集電極發(fā)射極產相當于開頭閉合時,晶體三極管應工作在飽和狀態(tài)。
56、RC微分電路能把矩形波變換成尖脈沖波。其輸出電壓取自電阻兩端。
RC積分電路能把矩形波變換成鋸齒波。其輸出電壓取自電容兩端。
57、經過嚴格提純的半導體,可認為是本征半導體,半導體產生電子空穴對的過程叫本征激發(fā),在室溫下,其電子和空穴對的平衡濃度很小。
58、點接觸型二極管適用于檢波,面接觸型適用于整流。
59、觸發(fā)器電路中,Sd端、Rd端可根據需要預先將觸發(fā)器置1或置0,而不受CP端的同步控制。
60、所謂PN結正向偏置,是將電源的正極與P區(qū)相接,負區(qū)與N區(qū)相接。在正向偏置電壓大于死區(qū)電壓的條件下,PN結將導通。
61、差動放大電路的輸入信號中,差模信號是有用的信號,共模信號則是要高潮抑制的干擾信號。
62、負反饋對放大電路有下列影響:使增益放大倍數減小;使通頻帶變寬;提高電路穩(wěn)定性等。
63、理想運算放大器的輸入電阻Ri=∞;Ro=0;64、利用電阻R和電容C可以將脈沖波形變換為三角波和尖頂波。65、數字集成門電路按照制作工藝可分為TTL和CMOS。66、集成觸發(fā)器按功能可分:RS觸發(fā)器,JK觸發(fā)器,D觸發(fā)器和T觸發(fā)器。
67、十進制編碼簡稱:BCD碼,此類編碼中常見的有8421碼。68、數字電路中,三極管一般工作于飽和和截止狀態(tài)。69、基本邏輯門電路有:與門、非門和或門。
70、如果輸入與輸出關系是:有0出1,全1出0。這是與非門邏輯運算。
71、編碼器與譯碼器邏輯功能相反,它是將有特定意義的輸入數字信號或文字符號編成相應在的若干位二進制的組合邏輯電路。
72、由于觸發(fā)器具有兩分穩(wěn)定狀態(tài),它可記錄1位二進制代碼。73、主從觸發(fā)器是一種能防止空翻現象的實用觸發(fā)器。
74、組合邏輯電路:編碼器、譯碼器、數據選擇器、奇偶校驗器、資料比較器及加法器。
75、時序邏輯電路:各類觸發(fā)器、寄存器、加法器、計數器。76、阻容耦合二極共射電壓放大器的輸出電壓與輸入電壓的相位關系是:同相。
77、正弦波振蕩器的振蕩頻率F取決于反饋網絡組件的參數。78、并聯型穩(wěn)壓電路中,電阻R的作用:既有限流作用,又有調壓作用。
79、在給PN結加反向電壓時:有利于漂移運動,不利于擴散運動。
80、穿透電流大小是衡量三極管放大能力的重要指針。81、共射極基本放大電路的組成原則是:使發(fā)射結正向偏置,集電結反向偏置。
82、射極輸出器的輸出電阻小,因此該電路帶負載能力強。83、典型運放是由三個基本電路組成:一個入高輸入阻抗的差動放大器,一個高增益的電值放大器及一個低阻抗的輸出放大器。
84、在整流電路和穩(wěn)壓電路中均用到了二極管,依次是利用了二極管的單向導電,反向擊穿。
85、RC正弦波振蕩器的起振條件是AF>1。86、移位操作只能出現在寄存器中。
87、當晶體三極管兩個PN結反偏時,則晶體三極管的集成極電流將中斷。
88、在放大交流信號的多極放大器中,放大極之間主要采用阻容耦合和變壓器耦合。
89、不能描述放大電路頻率特性的曲線圖是:伏安特性圖。90、異或門電路可以實現不帶進位的二進制加法。91、NPN寶藍示威者害飽和狀態(tài)時的特點是:Uces=0。92、直流放大器的功能是:直流信號和交流信號都能放大。93、差動放大器抑制零點漂移的效果取決于:兩個三極管的對稱程度。
94、晶體二極管內阻不是常數。
95、直流穩(wěn)壓電源中的電路先后順序應是:整流、濾波再穩(wěn)壓。96、二十進制編碼器,若有四個輸出端,可進行編碼的個數是10個。
97、在晶體管放大電路中引入負反后,其電壓放大倍數Au將減小。98、當晶體二極管的PN結導通后,參加導電的是電子和空穴。99、差動放大器抑制零點漂移的效果取決于兩個三極管的對稱度。100、電容三點式LC振動器與電感三點式LC正弦波振蕩器比較,前者主要優(yōu)點是:輸出波形好。
101、奇偶校驗的作用:對網絡傳送資料中的錯誤進行檢查。102、半導體數碼管用于七段譯碼器。
103、T觸發(fā)器是市場中買不到但可以由其它觸發(fā)器代替的。104、將兩個二極管連接在一起,不能構成任何類型三極管。105、射極輸出器的電壓增益為0分貝。
106、為了使三極管可靠在截止,電路必須滿足:不導電
第三篇:電子電路知識點總結(共)
1、純凈的單晶半導體又稱本征半導體,其內部載流子自由電子空穴的數量相等的。
2、射極輸出器屬共集電極放大電路,由于其電壓放大位數約等于1,且輸出電壓與輸入電壓同相位,故又稱為電壓跟隨器(射極跟隨器)。
3、理想差動放大器其共模電壓放大倍數為0,其共模抑制比為∞。
4、一般情況下,在模擬電器中,晶體三極管工作在放大狀態(tài),在數字電器中晶體三極管工作在飽和、截止狀態(tài)。
5、限幅電路是一種波形整形電路,因它削去波形的部位不同分為上限幅、下限幅和雙向限幅電路。
6、主從JK觸發(fā)器的功能有保持、計數、置0、置1。
7、多級放大器的級間耦合有阻容耦合、直接耦合、變壓器耦合。
8、帶有放大環(huán)節(jié)串聯穩(wěn)壓電路由調整電路、基準電路、取樣電路和比較放大電路分組成。
9、時序邏輯電路的特點是輸出狀態(tài)不僅取決于當時輸入狀態(tài),還與輸出端的原狀態(tài)有關。
10、當PN結外加反向電壓時,空間電荷區(qū)將變寬。反向電流是由少數載流子形成的。
11、半導體具有熱敏性、光敏性、力敏性和摻雜性等獨特的導電特性。
12、利用二極管的單向導電性,可將交流電變成脈動的直流電。
13、硅穩(wěn)壓管正常工作在反向擊穿區(qū)。在此區(qū)內,當流過硅穩(wěn)壓管的電流在較大范圍變化時,硅穩(wěn)壓管兩端的電壓基本不變。
14、電容濾波只適用于電壓較大,電流較小的情況,對半波整流電路來說,電容濾波后,負載兩端的直流電壓為變壓級次級電壓的1倍,對全波整流電路而言較為1.2倍。
15、處于放大狀態(tài)的NPN管,三個電極上的電位的分布必須符合UC>UB>UE,而PNP管處于放大狀態(tài)時,三個電極上的電位分布須符合UE>UE>UC。總之,使三極管起放大作用的條件是:集電結反偏,發(fā)射結正偏。
16、在P型半導體中,多數載流子是空穴,而N型半導體中,多數載流子是自由電子。
17、二極管在反向截止區(qū)的反向電流基本保持不變。
18、當環(huán)境溫度升高時,二極管的反向電流將增大。
19、晶體管放大器設置合適的靜態(tài)工作點,以保證放大時,三極管應始終工作在放大區(qū)。
20、一般來說,硅晶體二極管的死區(qū)電壓大于鍺管的死區(qū)電壓。
21、當硅晶體二極管加上0.3V正向電壓時,該晶體二極管相當于阻值很大的電阻。
22、電子秤中使用的半導體器件是利用了半導體的力敏性。
23、畫交流放大器的直流通路時,電容器做開路處理;畫交流通路時,電源和電容器應作短路處理。
24、PN結正向偏置時導通,反向偏置時截止,這種特性稱為PN結的單向導電性。
25、工作在放大狀態(tài)中三極管可視為放大器件,工作在截止飽和狀態(tài)的三極管可視為開關器件。
26、差動放大器只對差模信號有電壓放大作用,而對共模信號無電壓放大作用。射極輸出器的特點是電壓放大倍數略小于1,且接近于1。所以對信號源影響小,帶負載能力強。
27、晶體三極管屬于電流控制器件,場效應管屬于電壓控制器件。
28、三極管屬于雙極型半導體器件,場效應管屬于單極型半導體器件。
29、理想運放的兩個重要結論是:
一、是運放的兩個輸入端的電位相等。
二、運放的兩個輸入端的輸入電流相等,并且等于零。
30、一個自激振蕩器只有滿足相位平衡條件和振幅平衡條件才能產生振蕩。
31、計數器可分為同步計數器和異步計數器,兩者中速度較快的是同步計數器。
32、觸發(fā)器為時序邏輯電路基本單元,門電路為組合邏輯電路基本單元。兩種電路主要區(qū)
別在前者具有記憶功能,而后者不具有。
33、二極管兩端加上正向電壓時超過死區(qū)電壓才能導通。
34、為調整放大器的靜態(tài)工作點,使之上移,應該使Rb電阻值減少。
35、一個觸發(fā)器可以存放1位二進制數。
36、放大電路中三極管的組合方式有三種,它們是共集電極、共基極、共發(fā)射極。
37、NPN型晶體三極管的發(fā)射區(qū)是N型半導體,集電區(qū)是N型半導體,基區(qū)是P型半導體。
38、一般情況下,晶體三極管的電流放大系數隨溫度的增加而增加,發(fā)射結的導通壓降Vbe則隨溫度的增加而減小。
39、具有輸入脈沖個數的電路稱為計數器,它的主要組成部分是觸發(fā)器,是時序電路。
40、晶體管構成的三種放大電路中,沒有電壓放大作用但有電流放大作用的是:共集電極接法(射極輸出器)。
41、串聯型穩(wěn)壓電路中的調整管工作在放大區(qū)。
42、一個十進制計器至少需要四個觸發(fā)器構成43、利用電阻R和電容C可以將脈沖波變換變?yōu)槿遣ê图忭敳ā?/p>
44、三極管的開關特性指的是在基極輸入信號作用下,三極管具有的兩個明顯相反的狀態(tài)即飽和和截止。
45、衡量運算放大電路抑制零漂能力的指針為:運模抑制比,對于運算放大器該參數等于∞。
46、負反饋電路可分為電流串聯負反饋、電流并聯負反饋、電壓串聯負反饋、電壓并聯負反饋。
47、將模擬信號轉換到數字信號的過程稱為A/D,將數字信號轉換成為模擬信號的過程稱為D/A。
48、集成觸 發(fā)器按功能可分為RS觸發(fā)器、D觸發(fā)器、JK觸發(fā)器和T觸發(fā)器。
49、射極輸出器是一種電壓串聯負反饋放大器。
50、半導體材料的電阻率受外界條件(溫度、光線等)的影響很大,溫度升高或受光照射均可使電阻率減小。
51、PN結是晶體二極管的基本結構,也是一般半導體器件的核心。
52、射極輸出器沒有電壓放大能力,由于其輸出電阻小,所以有較強的帶負載能力。
53、振蕩器是一個具有選頻網絡的正反饋放大器。
54、差動放大器的放大的信號有兩種,即共模信號和差模信號,我們總是希望差模放大倍數大一些,而共模放大倍數小一些。
55、晶體三極管可作為開關作用,當三極管集電極發(fā)射極產相當于開頭閉合時,晶體三極管應工作在飽和狀態(tài)。
56、RC微分電路能把矩形波變換成尖脈沖波。其輸出電壓取自電阻兩端。
RC電路能把矩形波變換成鋸齒波。其輸出電壓取自電容兩端。
57、經過嚴格提純的半導體,可認為是本征半導體,半導體產生電子空穴對的過程叫本征激發(fā),在室溫下,其電子和空穴對的平衡濃度很小。
58、點接觸型二極管適用于檢波,面接觸型適用于整流。
59、觸發(fā)器電路中,Sd端、Rd端可根據需要預先將觸發(fā)器置1或置0,而不受CP端的同步控制。
60、所謂PN結正向偏置,是將電源的正極與P區(qū)相接,負區(qū)與N區(qū)相接。在正向偏置電壓大于死區(qū)電壓的條件下,PN結將導通。
61、差動放大電路的輸入信號中,差模信號是有用的信號,共模信號則是要高潮抑制的干
62、負反饋對放大電路有下列影響:使增益放大倍數減小;使通頻帶變寬;提高電路穩(wěn)定性等。
63、理想運算放大器的輸入電阻Ri=∞;Ro=0;
64、利用電阻R和電容C可以將脈沖波形變換為三角波和尖頂波。
65、數字集成門電路按照制作工藝可分為TTL和CMOS。
66、集成觸發(fā)器按功能可分:RS觸發(fā)器,JK觸發(fā)器,D觸發(fā)器和T觸發(fā)器。
67、十進制編碼簡稱:BCD碼,此類編碼中常見的有8421碼。
68、數字電路中,三極管一般工作于飽和和截止狀態(tài)。
69、基本邏輯門電路有:與門、非門和或門。
70、如果輸入與輸出關系是:有0出1,全1出0。這是與非門邏輯運算。
71、編碼器與譯碼器邏輯功能相反,它是將有特定意義的輸入數字信號或文字符號編成相應在的若干位二進制的組合邏輯電路。
72、由于觸發(fā)器具有兩分穩(wěn)定狀態(tài),它可記錄1位二進制代碼。
73、主從觸發(fā)器是一種能防止空翻現象的實用觸發(fā)器。
74、組合邏輯電路:編碼器、譯碼器、數據選擇器、奇偶校驗器、資料比較器及加法器。
75、時序邏輯電路:各類觸發(fā)器、寄存器、加法器、計數器。
76、阻容耦合二極共射電壓放大器的輸出電壓與輸入電壓的相位關系是:同相。
77、正弦波振蕩器的振蕩頻率F取決于反饋網絡組件的參數。
78、并聯型穩(wěn)壓電路中,電阻R的作用:既有限流作用,又有調壓作用。
79、在給PN結加反向電壓時:有利于漂移運動,不利于擴散運動。
80、穿透電流大小是衡量三極管放大能力的重要指針。
81、共射極基本放大電路的組成原則是:使發(fā)射結正向偏置,集電結反向偏置。
82、射極輸出器的輸出電阻小,因此該電路帶負載能力強。
83、典型運放是由三個基本電路組成:一個入高輸入阻抗的差動放大器,一個高增益的電值放大器及一個低阻抗的輸出放大器。
84、在整流電路和穩(wěn)壓電路中均用到了二極管,依次是利用了二極管的單向導電,反向擊穿。
85、RC正弦波振蕩器的起振條件是AF>1。
86、移位操作只能出現在寄存器中。
87、當晶體三極管兩個PN結反偏時,則晶體三極管的集成極電流將中斷。
88、在放大交流信號的多極放大器中,放大極之間主要采用阻容耦合和變壓器耦合。
89、不能描述放大電路頻率特性的曲線圖是:伏安特性圖。
90、異或門電路可以實現不帶進位的二進制加法。
91、NPN寶藍示威者害飽和狀態(tài)時的特點是:Uces=0。
92、直流放大器的功能是:直流信號和交流信號都能放大。
93、差動放大器抑制零點漂移的效果取決于:兩個三極管的對稱程度。
94、晶體二極管內阻不是常數。
95、直流穩(wěn)壓電源中的電路先后順序應是:整流、濾波再穩(wěn)壓。
96、二十進制編碼器,若有四個輸出端,可進行編碼的個數是10個。
97、在晶體管放大電路中引入負反后,其電壓放大倍數Au將減小。
98、當晶體二極管的PN結導通后,參加導電的是電子和空穴。
99、差動放大器抑制零點漂移的效果取決于兩個三極管的對稱度。
100、電容三點式LC振動器與電感三點式LC正弦波振蕩器比較,前者主要優(yōu)點是:輸出
101、奇偶校驗的作用:對網絡傳送資料中的錯誤進行檢查。102、半導體數碼管用于七段譯碼器。
103、T觸發(fā)器是市場中買不到但可以由其它觸發(fā)器代替的。104、將兩個二極管連接在一起,不能構成任何類型三極管。105、射極輸出器的電壓增益為0分貝。
106、為了使三極管可靠在截止,電路必須滿足:不導電
第四篇:電子電路讀書筆記
純凈不摻雜質的半導體稱為本征半導體。
本征半導體的導電能力仍然很低,如果摻人微量的雜質(某種元素).導電性能就會發(fā)生明顯變化。根據摻人雜質的不同,雜質半導體分為N型半導體和P型半導體。
1.N型半導體
在本征半導體硅中摻入微量的五價元素磷P,硅晶體中某些位置的原于被磷原子代替、由于多余的一個價電子不受共價鍵束縛,只要獲得很少能量,這個多余電子就能掙脫磷原子核的吸引而成為自由電子。通常.幾乎所有多余電子都能成為自由電子。
上述雜質半導體.除了雜質給出的多余自由電子外,原晶體本身也產生少量的電子—空穴對。這種雜質半導體中,自由電子是多數載流子,簡稱“多子”,空穴是少數載流子.簡稱。“少子”。這種雜質半導體叫做N型半導體。
2.P型半導體
在本征半導體硅中摻人微量的三價元素硼B(yǎng),硅晶體中某些位置的原子被硼原子代替,但缺少了一個價電子而產生一個空穴,這樣每個雜質原子都會提供一個空穴,從而使空穴載流子的數目顯著增加成為多子,自由電子因濃度降低而成為少子,這種雜質半導體叫做P型半導體。
所以.雜質半導體中.多子與摻雜量有關.與溫度無關.而少子是由于熱運動產生的.與溫度有密切關系。
第五篇:電子電路實驗總結
電子電路實驗總結
經過一個月的電子電路實驗理論及操作學習,我初步學習了解了電烙鐵鍍錫焊接的基本操作,并能獨立完成電路板電路的電子套件的簡單制作。
第一次課到實驗室時,對這門實驗抱著好奇的心態(tài)想要一探究竟,課上初次了解到這同大二時的電路連接實驗并不相同,之前我們學過的僅是電路的簡單連接,而現在要學習的是電路焊接的知識。因為之前從未接觸過,聽老師講課是一頭霧水,昏昏欲睡,什么情況下電烙鐵需要鍍錫?怎么鍍錫?什么是合格的焊點?如何防止虛焊點?聽不懂的問題,無法解決的問題令人頭疼,然而實踐時兩人合作焊接立方體卻是樂趣無窮,這才初次體會到焊接的樂趣。不同于第一次課的簡單入門,第二次練習的是拆焊和焊接電路板,現在才算是正式入門,一個個細小的焊點,芝麻粒大小的部件,不集中。精神都難以完成課堂練習。先是學習拆焊三步法,再來掌握焊接五步法,加熱電烙鐵、熔化焊錫、電路板往實驗臺磕一下,準備焊接、加熱焊件、熔化焊料、移開焊錫、移開烙鐵……生硬的知識點往往讓人難以理解,實踐是檢驗真理的標準,聽不懂沒關系,做出來是真厲害。將電烙鐵燒熱,待剛剛能熔化焊錫時,涂上助焊劑,再用焊錫均勻地涂在烙鐵頭上,使烙鐵頭均勻吃上一層錫,一個個細小的電阻元器件就這樣被我悍上了剛拆下舊元器件的電路板上。不聽老人言,吃虧在眼前,沒聽老師的話,每次用完電烙鐵都不放回架臺上,終于被烙鐵頭燙了一下,手上起了個白泡,不過不擔心,實驗室有準備燙傷膏,很貼心。經過兩節(jié)課的操作學習,接下來的兩次課我們需要完成這門課的作業(yè),每人完成各自實用工具的電路板焊接。電子套件制作步驟:清點、檢測、記錄;看說明書、識圖;插裝、焊接、整理;檢查、調試、記錄;查找排除故障;交記錄、驗收。注意事項:仔細核對元器件型號、規(guī)格、數值,先清點認識的,其余的對應找出,記清每個元器件名稱與外形、弄清安裝位置;電烙鐵頭必須處于吃錫狀態(tài);焊接順序,先小后大、先低后高、先悍耐熱后悍不耐熱;裝悍順序,標貼元件、跳線或連接線。我分配到的電子套件是萬用表,萬用表套件的電路板焊接并不難,焊點之間的距離較寬,多幾分細心,給點兒耐心,焊接任務很容易完成。難點主要還是萬用表的組裝,芝麻粒兒大小的零件,小彈簧,小鋼球,安裝前得確保零件不丟,弄丟細小的部件是件麻煩的是事,一定得好好保管自己的零件。
總之,剛接觸新的實驗時,實驗前一定要做好預習工作,上課認真聽老師講實驗注意事項,在具體的實驗操作過程中一定要細心,實驗中遇到的各種大小問題盡量自己獨立排查解決,對于自己獨立解決問題的能力是一個極大的提高和鍛煉,這樣實驗才能使自己收益匪淺。