第一篇：高光實驗報告

高等光學

(實驗報告)

高等光學實驗報告

實驗一 數字干涉測量方法及實驗

一、實驗目的：

1．了解激光干涉的近代方法??數字干涉技術的原理和方法 2．掌握干涉的實時檢測技術

3．了解數字干涉方法的特點及應用場合

二、實驗原理

隨著電子技術與計算機技術的發展，并與傳統的干涉檢測方法結合，產生了一種新的位相檢測技術——數字干涉技術，這是一種位相的實時檢測技術。這種方法不僅能實現干涉條紋的實時提取，而且可以利用波面數據的存儲功能消除干涉儀系統誤差，消除或降低大氣擾動及隨機噪聲，使干涉技術實現λ/100的精度，這是目前干涉儀精度最高的近代方法。其原理如下圖所示：

圖中的實驗系統仍采用T-G干涉儀，但參考鏡2由壓電陶瓷PZT驅動，產生位移。此位移的頻率與移動量由計算機控制。設參考鏡的瞬時位移為li，被測表面的形貌（面形）為w(x,y)，則參考光路和測試光路可分別用下式表示：

UR?a?exp[i2k(s?li)]（1）Ut?b?exp{i2k[s?w(x,y)]}（2）

式中a,b為光振幅常數。參考光與測試光相干產生干涉條紋，其瞬時光強由式

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與式2，可得：

I(x,y,li)?1?rcos2k[w(x,y)?li]（3）

式中r?2ab/(a2?b2)是干涉條紋的對比度。

式3說明，干涉場中任意一點的光強都是的余弦函數。由于隨時間變化，因此，式3的光強是一個時間周期函數，可用傅里葉級數展開。設r=1，則

I(x,y,li)?a0?a1cos2kli?b1sin2kli

式中：a0?a2?b2,a1?2abcos2kw(x,y),b1?2absin2lw(x,y)

由三角函數的正交性，可求出Fourier級數的各個系數，從而求得被測波面，由下式給出：

I(x,y,li)sin2kli?n2ni?1n2nw(x,y)?12ktg?1b1a1?12ktg?1?I(x,y,li)cos2klii?1

式中li??2n?i,i?0,1,2,3...為進一步降低噪聲，提高測量精度，可用P個周期進行驅動掃描，測量數據作累加平均，即

I(x,y,li)sin?ni?12n,pw(x,y)?12k2klitg?12nn,p?I(x,y,li)cos2klii?1

式中說明孔徑內任意一點的位相可由該點上的n×p個光強的采樣值計算出來，因此，可獲得整個孔徑上的位相。除實現自動檢測外，還可以測定被測件的三維形貌。

三、實驗光路

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激光器1發出的激光經衰減器2（用于調節激光強度）后由二個定向小孔3，5引導，經反射鏡6，7進入擴束準直物鏡8，10（即圖1中的L1），由分光鏡14（即圖1中BS）分成二束光，分別由反射鏡16（即圖1中的），18（）反射形成干涉條紋并經成像物鏡20（即圖1中）將條紋成于CMOS 23上（即D），這樣在計算機屏上就可看到干涉條紋，實現微位移的測量。

四、實驗步驟

1.開機，激光器1迅速起輝，待光強穩定；

a)打開驅動電源開關；檢查CMOS23上電信號燈亮否； b)按實驗光路圖布置好光路，擴束激光；

2.在組合工作臺16、18上分別裝平面反射鏡，調節工作臺16、18上的微調旋鈕，使二路反射光在成像透鏡后焦面上會聚于一點。

3.調節可調光闌22孔徑位置和大小，使主光線通過光闌中心小孔，達到濾除光路中產生的寄生雜散光的目的。

4.打開本實驗儀配套軟件“Csylaser”，然后調節光路使得兩光束產生干涉，產生清晰地干涉條紋，并在軟件顯示屏上顯示。

五、實驗結果及分析

在軟件“Csylaser”中，“定位類別”選擇“A-位移定位測試”，點“活動圖像”觀測實時干涉條紋，在干涉情況好的情況下凍結圖像，如下圖所示，干涉條

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紋清晰。

六、思考題：

1．試分析決定數字干涉儀測量準確性的因素和提高測量準確性的主要方法。

答：如果適當增加條紋計數的數量，如1000條或用光電法計數，只要保證計數準確，那么測量的準確度可隨著計數量增加而提高。

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實驗二

4f光學系統FT及IFT系統實驗

一、實驗目的：

1．進一步掌握透鏡的FT性質，學習FT光路的原理

2．應用4f光學FT系統觀察常見圖樣的反傅氏變換（IFT）圖像，并與FT頻譜和試件圖樣比較

3.觀察漸暈效應

二、實驗原理

理論基礎：波動方程、復振幅、光學傳遞函數

透鏡之所以能夠做FT，根本原因在于透鏡的二次位相因子對入射波前起到位相調制作用。若以透鏡后焦面為觀察平面，物體相對于會聚透鏡發生變化時，可以研究透鏡的FT性質。

圖1 上圖表示物體緊靠透鏡放置FT光路，物體指透射型薄平面試片。采用振幅A的單色平面波照明，為求出透鏡后焦面上的光強分布Uf，須逐面求出透鏡前后平面光場分布、（l指lens）設物體的復振幅透過率，則有

Ul(x,y)?A?t(x,y)

不計透鏡孔徑作用，透鏡的復振幅透過率

tl(x,y)?exp[?jk2f(x?y)]22

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那么Ul'(x,y)?Ul(x,y)?tl(x,y)光波從透鏡傳播f距離后，根據菲涅爾衍射公式

頻率取值與后焦面坐標關系為：fx?到

xfxf,fy?yfxf，不計常量相位因子將得

上式表明，透鏡后焦面上的光場分布正比于物體的FT，其頻率取值與后焦面坐標，其值是

fx?xfxf,fy?yfxf

圖2 當然，由于變換式前存在位相因子exp[jk2f(xf?yf)]，后焦面上的位相分

22布與物體頻譜的位相分布并不等同。但對光強響應型光電轉換顯示器件及目視效果來說，這一位相彎曲并無影響，所以If(xf,yf)?(在于其后焦面上光強分布，恰恰是物體的功率譜。

圖2 表示物體放置在透鏡前方d0距離，可推得

A)T(fx,fy)的物理意義

22?f6

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可見后焦面上的復振幅分布仍然正比于物體的FT。而變換式前面的二次位相因子使物體頻譜產生一個位相彎曲。

當d0=0時，公式(6)與圖1情況完全一致，Uf(xf,yf)?Aj?fT(fx,fy)當d0=f時，公式(6)變為：

此時，位相彎曲效應消失，后焦面上光場分布是物體準確的FT。這正是我們所用的FT運算光路。

物體放置在透鏡后方，后焦面上仍然得到物體的FT（相差一個二次位相因子）。當d=f時，即物體緊靠透鏡后表面時，與緊靠透鏡前方放置效果一樣。

若需要對所得的物體頻譜利用透鏡再作一次變換，例如物體頻譜位于透鏡前焦面，觀察平面選在透鏡后焦面，即x’y’平面。透鏡的焦距不變。略去常系數，可以得到：

式中，C為常數。于是連續兩次變換的結果是在空間域還原一個物體，它是原物體的一個倒像。如果采用反射坐標系，即令x’’=-x,y’’=-y，則U(x,y)?Ct(x,y)，此時，透鏡的作用可看作是實現了對物體頻譜的傅里葉反''''''''變換（IFT）。

必須指出的是，當點光源位于有限距離，即采用球面波照明方式，透鏡仍然可起FT作用，頻譜面位于光源的像面位置，而不再是后焦面上。另外，透鏡孔徑對FT變換有影響。實質原因是對參與變換的頻率成分有濾波作用，通低頻，阻高頻，產生漸暈效應。，孔徑越大，越靠近物體，漸暈效應越小。

三、實驗光路

激光經定向孔3，5定向，透鏡8，10擴束，經分光棱鏡14透射試件夾19中FT試件。試件夾19位于透鏡21前焦面，直角棱鏡25移入光路，光路途徑IFT透鏡26，將物體頻譜面圖像恢復成試件夾19中試片中圖案。

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四、實驗步驟：

1.開機，激光器1迅速起輝，待光強穩定；

2.打開驅動電源開關；檢查CMOS23上電信號燈亮否； 3.按實驗光路圖布置好光路，擴束激光； 4.在試件夾19中裝入任一件FT試件

5.在FT透鏡20的焦面附近移動CMOS23，使成像清晰，鎖定23，同時鎖定20

6.使直角棱鏡25（鍍膜）轉向虛線所示位置，微調直角棱鏡28，60o方向，鎖定，在試件夾27上裝上圖像處理試片（IFT不需裝試片），微調FT透鏡20，觀測計算機上IFT圖像和圖像處理效果

7.記錄IFT圖像

五、實驗結果

試件為一小孔，在軟件“Csylaser”中選擇“E衍射計量測試”實驗得到的頻譜圖為：

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將直角棱鏡25（鍍膜）轉向虛線所示位置，4f系統后觀察到的小孔圖為：

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由圖可以觀察孔圖像并不是很清晰，邊緣模糊，可以觀察到明顯的漸暈現象。

六、思考題

1.試畫出4f的光學原理圖。

指出4f系統中FT，IFT及濾波的原理。

在4F系統中，物場經過透鏡實現第一次傅里葉變換（FT）變換成頻譜，然后經過濾波器實現空間濾波，新頻譜經過透鏡實現反傅里葉變換，形成像場。

2.說出4f有幾種可能的應用場合。空間濾波器，方向濾波器，相襯顯微鏡

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實驗三

位移的納米測量方法

一、實驗目的：

1．建立納米測量的概念，了解其實現方法。2．利用筆束激光干涉法進行納米量級的位移測量。

二、實驗原理：

?9?8納米科學是在納米（10m）和原子（約10m）的尺度上（1nm～100nm）研究物質的特性、物質相互作用以及如何利用這些特性的多學科交叉的前沿科學與技術。納米測量技術是納米科學的一個重要分支。

用于納米測量的筆束激光干涉儀原理如圖所示：激光器發出的激光，其直徑的1～1.5mm是甚細的準直激光束（稱為筆束光），記其波前為U0。被分光鏡4分為測量光束~Im和參考光束

~Ir。這兩筆束光分別經各自的直角棱鏡反射后，被

~Im平行地反射回來并再一次到達分光鏡4，但此時與

~Ir已不再重合，而是存在一間距2d。經過分光鏡4后，測量光束與參考光束平行入射至傅立葉變換（FT）透鏡8，并在FT透鏡8的后焦面上發生干涉，形成計量條紋。干涉條紋被物鏡10放大后成像于CMOS11上，通過USB2.0接口輸入計算機進行數據處理。

在CMOS上干涉條紋的位移量Xf

式中N為條紋移動數，M為物鏡10的放大倍數，f為FT透鏡8的焦距，2d為測量光束與參考光束的空間間距，S為被測量鏡的位移量。

從上式中知道，記錄干涉條紋移動數，就可得到位移量，而測量的靈敏度完全取決于物鏡放大率，FT透鏡的焦距和2d。當f足夠大，而2d足夠小（所以用筆束光的理由），就可以得到納米量級靈敏度。而該裝置卻很簡單。

三、實驗光路

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激光1經反射鏡4，12，13轉向，分光棱鏡14分光，工作臺16，18上試件折成兩束近距平行光，經透鏡20會聚于焦平面上一點，移動透鏡21使該點放大成像于CMOS23上，將看到比普通干涉條紋更靈敏的納米干涉條紋。

四、實驗步驟

1．開機，激光器1迅速起輝，待光強穩定；

2．打開驅動電源開關；檢查CMOS23上電信號燈亮否； 3．按實驗光路圖布置好光路，不擴束激光；

4．在工作臺16、18上分別裝入小直角棱鏡，利用工作臺測微螺桿和調平調向螺釘調節直角棱鏡，使二反射光束成相距5～8mm的平行光束，經透鏡20會聚于焦點；

5．用光闌22濾去雜散光；

6．把光闌換成目鏡，目鏡21成像，微調，使透鏡20焦點處的光點放大成像在CMOS23上；

7．移動CMOS23，使條紋清晰

五、實驗結果

在軟件“Csylaser”中選擇“C-納米計量測試”，得到的干涉條紋圖像為：

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第二篇：光高校友征文啟事-

“光高學子——那些年, 我們一起走過的高三”

征稿啟事

各位親愛的校友：

還記得光高那條鋪滿落葉的林蔭道嗎？還記得光高那片茵茵綠草的大操場嗎？依然記得那一年，我們在光高共同走過一個個美麗的日子。那年，是你我的高三；此刻，無限的回憶卻縈繞在你我心頭。現團委將于2012年啟動首屆校友征文活動“那些年, 我們一起走過的高三”，向光高全體校友征集稿件，作品辭藻不求華麗，但求情感真切；可將我們在光高的高考歲月娓娓道來，亦可詳細介紹高三時本人某一學科的獨到復習方法、心態調整和作息調整等。

寫下曾經的高考備戰戰略，讓我們把更多高三的回憶留在母校懷抱中、交給師弟妹手中吧！請拿出譜寫心靈的妙筆，沉淀你對光高最深的回憶！

一、征文主題

“那些年, 我們一起走過的高三”，可圍繞此主題自行擬定文章題目。

二、征文內容

1）十年磨一劍、百日鑄輝煌，請執筆詳細介紹高三時本人某一學科的獨到復習方法、心態調整和作息調整等。

2）寒窗苦讀，當進入大學的象牙塔后，你對母校的思念、那些人、那些事、那些物是否都撩撥起你心中的情絲；請將我們在光高的高考歲月娓娓道來吧。

三、征文要求

1)原創作品，體裁不限，字數不限，可以是五六十字共十幾條的的經驗概括，如果把高考復習方法和如何培養意志力等經驗整理概括為幾條，供現高三學弟學妹參考；也可以是富有情感的五六百字以上的文章，供母校師生和你一起分享那年的高三充實而有意義的生活。

2)文章主題鮮明、積極健康，文筆流暢，富有真情實感。

3)作者要標明本人屬于哪屆畢業生，當初所在班級+班主任+個人姓名，現在所在大學+專業，另外附一張大學的生活照。

4)為了便于校友文集的編輯，提交的文章應符合下述簡明格式要求：標題用3號黑體字，正文用5號宋體字，1.5倍行距。

5)最終截稿日期為2012年2月5日，出校友會專版報紙： 投遞郵箱：（公共郵箱）602977714@qq.com

6)聯系人：團委張記寶老師***

光明新區高級中學

二〇一二年一月十四日

（微博宣傳140字）親愛的校友，還記得光高那條鋪滿落葉的林蔭道嗎？還記得光高那片茵茵綠草的大操場嗎？依然記得那一年，我們在光高共同走過一個個美麗的日子。那年，是你我的高三；此刻，無限的回憶卻縈繞在你我心頭。現母校啟動首屆光高校友征文活動“那些年, 我們一起走過的高三”，了解詳情請登入：（放網址）

第三篇：高光效工作報告定稿

《甘肅省優質蘋果高光效新樹形高技術產

業化及示范》項目 秦安縣工作報告

蘋果高光效新樹形高技術產業化示范項目是由甘肅省發展和改革委向國家發展和改革委申報立項的2007年國家高新技術產業化項目。甘肅省發展和改革委委托省林業技術總站承擔。經省林業技術總站下達秦安縣果業局承擔了秦安縣范圍內的《蘋果高光效新樹形高技術產業化示范》項目。經過三年的實施，項目組緊緊圍繞課題的任務和經濟技術指標，以綠色蘋果生產技術為標準，對十二年生以上的紅富士系蘋果密閉園進行高光效新樹形高技術的應用，采取了提干、落頭、疏枝、拉枝開角等方法，進一步加強果園田間土肥水管理、花果管理、病蟲害綜合防治等技術措施。圓滿完成了各項任務和技術指標，取得了顯著的經濟效益，并總結出了一套適合我縣及周邊地區的老果園更新改造集成技術。為加快我縣果品產業化進程起到了積極的作用。

一、項目來源及任務指標

（一）項目來源

為了改變甘肅省果品生產管理落后、市場競爭力弱、商品率低的現狀，由甘肅省發展和改革委向國家發展和改革委

和推廣，科技項目的研究與試驗，無公害、綠色果品生產技術的指導，病蟲害綜合防治的預測預報與信息發布，果品貯藏加工的技術服務與咨詢、果樹設施栽培的技術試驗與推廣等工作。現有職工34人，其中專業技術人員33名按職稱分：高級農藝師5名，農藝師11名，助理農藝師17名。

秦安縣果業管理局屬正科級事業單位，隸屬于縣林業局，下設辦公室、園藝技術指導站、鄭川園藝場、何屲園藝場等基層單位。

三、項目完成情況

（一）示范區建設

項目按照蘋果高光效新樹形高技術產業化示范項目改造更新方案要求，在海拔1030—1650米，無廠礦企業污染、空氣清晰、晴天多、云霧少、光照充足的郭加鎮元川村、蓮花鎮馮溝村、隴城鎮龍泉村、常營村3鄉鎮4個行政村488戶中，實施面積1000畝，占總任務的100%。三年來，我局組織技術骨干，經過認真調研，完成郭加鎮元川村200畝示范園、馮溝村300畝示范園、龍泉村300畝示范園、常營村200畝示范園的建設，并確定這1000畝為全縣的優質蘋果高光效新樹形高技術示范基地。確定示范果園樹齡都在12年以上，樹勢強，果園郁閉，株均大主枝16.8個，行間主枝交叉，通風透光條件較差的紅富士蘋果園，由技術小組邀請

培訓，分別在興國鎮鄭川村250畝，隴城鎮常營村200畝，劉坪鄉彭洼村200畝、大灣村350畝，西川鎮下高堡村600畝，王尹鄉包全村300畝、姚溝村300畝，魏店鄉吊川村300畝，蓮花鎮仁義村400畝、馮溝村300畝、上河村400畝、桑川村600畝，安伏鄉姬洼村250畝，興豐鄉燕灣村300畝，千戶鄉王嶺村250畝等村的果農進行了系統的培訓，開展現場改型修剪，并在不同的物侯期及時開展樹形改造、土壤改良、高接換優、病蟲害防治、果園施肥、疏花疏果、果實套袋、摘葉轉果、鋪設反光膜等配套技術指導。三年合計完成推廣面積5000畝，占項目規定任務的125%，超額完成了項目合同規定4000畝的推廣任務。（見表1）

（三）高光效樹形改造措施

高光效樹形及樹體結構改造主要技術措施可概括為：

1、提干。

2、落頭。

3、疏大枝。

4、永久性主枝和臨時性大枝區別對待。

5、注意結果枝組的培養、維持與更新。

6、永久株和臨時株的選留。

（四）果農培訓

該項目的實施是傳統果樹生產方式向現代果樹生產方式和新技術集成的徹底改變。充分發揮各種機構，利用多動

為保證樹體改形技術的順利實施，課題組三年間從山東、陜西、天水果樹研究所等地引進天富一號、禮泉短富、宮崎、惠民短枝、煙富6號等10個富士系列新品種，并篩選出一批適合當地的優良蘋果品種5個。在柴家山建立良種苗木繁育基地60畝，從生長結果情況觀察，大部分品種性狀表現尚好。同時，采用良種接穗，對西川鎮下高堡村的75畝、興國鎮鄭川村的173畝老果園進行了高接換優，共計完成248畝，占任務的124%。同時培育嫁接苗木15萬株，年提供接穗80多萬枝，為低效蘋果園改良和擴大良種示范面積提供了物質保證。

2、土壤改良

按照合同要求，對全縣的1000畝示范園全部進行了土壤改良。主要措施：采取的技術措施有果園種草、覆草、增施有機肥、化肥等辦法，有效的解決了土壤肥力不足的問題。三年來，完成果園種草130畝，果園覆草20畝，鋪設除草膜246畝，化肥施用604畝，發放化肥1812袋。

種草覆草，提高土壤肥力。

三年來，完成果園種草130畝，果園覆草20畝，顯著提高土壤中有機肥和樹體必須的營養元素含量。在全園中進行種草覆蓋后，生草的殘體分解后的營養成分供給蘋果根系吸收，肥力均勻且損失少，比人為施肥更適合樹體需肥的要

進行病蟲害統防統治。

（五）試驗研究效果

1、郁閉紅富士蘋果園樹形改造效果

通過樹形改造顯著改善園內的通風透光條件，在樹形改造的第1年畝產量雖有所減少，第二年畝產量和對照園基本持平，第三年畝產量超過未改造樹由于果品品質顯著提高。經濟效益顯著增加。

2、傷口愈合效果

通過使用田馬園愈合劑對改造樹傷口愈合有很好作用、愈合率高、形成愈傷組織寬、無腐爛病和流黑水現象，且成本低，易操作。果農可根據實際情況選擇使用，但傷口每年至少處理2-3次，連年處理，直至傷口完全愈合。

3、全園覆蓋和高壟覆膜溝灌技術

連續三年在蘋果樹下覆蓋麥草和黑色地膜，其樹冠外圍延長枝平均長為覆蓋麥草為40.01cm，覆蓋黑色除草膜為41.05cm對照清耕為35.06cm，兩種覆蓋物延長枝平均長比對照增加4.47cm.蘋果直徑，覆蓋后蘋果直徑在80.1～85.0mm果數和占有率明顯高于清耕，蘋果直徑75mm以下及75.1～80.0mm果數和占有率明顯低于清耕。覆蓋的果園，1次降雨10～15mm，20天后麥草下地表土壤還是潮濕的，經測其土壤含水量25%以上。利用高壟覆膜溝灌技術的1次降雨10～15mm，20天后地膜下地

附件3蘋果園全園覆蓋麥草技術和高壟覆膜溝灌技術 附件4影響套袋蘋果外觀質量的原因及分析 附件5紅富士蘋果噴施碧護抗凍保花增產試驗 五 經費使用情況

三年共收到省林業技術推廣總站高光效項目經費40萬元，其中2008年12萬元、2009年16萬元，2010年12萬元。三年支出45.3萬元，其中2008年支出12萬元，2009年支出16萬元，2010年17.3萬元。明細支出為：

1、組織果農培訓120場，發放高光效果園改造技術材料13600份（冊），共計3.6萬元；

2、項目宣傳費1.97萬元。3、1000畝示范基地發放傷口愈合劑，共計4.465萬元；

4、購買改型工具10套，共計0.3萬元；

5、購買反光膜，共計 0.144萬元，購買黑色地膜計 2.345萬元，農藥8.55萬元，共計11.039萬元。

6、示范基地應用磷酸二銨，共計2.25萬元；

7、高接換優采集穗條3萬枝，每枝1元，共計3萬元；

8、發放套袋100萬個，計5萬元。

9、項目設計費2萬元；

10、支付示范園補償費2萬元；

11、其他費用共計支出9.376萬元。

①2008年-2010年累計新增總產量191.03萬公斤（按0.8縮值），累計新增總產值5706.86萬元。

②累計新增純收益3911.84萬元。③科技投資收益率5.58。④推廣成效率2.55%。⑤農民得益率7.3。

2、社會效益

一是優質蘋果高光效新樹形高技術示范推廣，使項目區產值增加，果品外觀和內在質量明顯提高，為市場提供了好看好吃營養安全無污染的優質蘋果，滿足了消費需求。

二是項目區蘋果以果個大、著色好、風味濃、耐貯藏、品質優，提高了秦安蘋果的知名度，推動全縣果品產業的大發展。

三是項目實施嚴格按照優質蘋果高光效新樹形的技術標準，合理使用化肥、農藥示范推廣新技術，使果園的收入增加，成本降低，對構建和諧自然生態環境十分有利。

四是通過技術培訓，改變了傳統的蘋果栽培管理方式，使新技術入戶率有很大的提高，受訓果農的科技文化素質得到提升。

七 存在的問題及建議

《蘋果高光效新樹形高技術產業化示范》項目經過幾年

第四篇：光高新生開學必看

新生開學宿舍應備物品（待修改）

1． 箱子(旅行箱.旅行包之類...）

2． 香皂盒或洗手液

3． 牙具（牙膏.牙刷）

4． 毛巾3條，（洗臉，擦手，洗澡）

5． 洗澡用品（洗發露，護發素，沐浴露，澡巾，洗面奶）

6． 鏡子（1大1小.一個放宿舍.一個隨身帶）

7． 洗碗布，洗潔精，刷鞋的刷子

8． 花露水，防曬霜，痱子粉，護手霜

護膚用品（營養水，隔離霜，美白,女生還要帶就自己看這辦吧）

9.本子，筆

10． 拖鞋（2雙，一雙在宿舍穿.一雙下雨穿)

11． 雨傘

12． 手紙（2種，抽紙，手紙）樟腦球

13． 衣服架（掛衣，曬衣）

14． 衣服（內衣褲，襪子），鞋兩雙，睡衣（夏秋）

15． 藥品（感冒藥，消炎藥，板藍根，創可貼，嗎丁零，眼藥水，雙氧水，棉棒，...當然,不是所有東西都要帶齊

因人而異...有些東西可以不帶。

開學那天將統一發“宿舍套裝”(全市統一)價格未知

被子(空調被/棉被)、床套、床墊、床單、枕頭、枕頭套、蚊帳、涼席、牙杯、一個水桶、一個臉盆、衣架幾個 光高宿舍【模擬版】

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注： 床不是木床。（鐵的）也不是這樣的梯子。洗手臉盆出于素材原因也不是這樣的校車（中南巴士）各區路線安排

福田：兒童醫院羅湖：體育館

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如果你有想法。..也可以建新的社團.向學校申請。每周的社團課是在周五的下午第三節課

在校吃住問題

吃住

￥450/學期包一定水電費。超出期末算錢

宿舍環境可以，也是深圳市名列前茅的！

都是新裝修的.四人一個宿舍-上下鋪

獨立廁所/浴室

可以換宿舍.要和班主任和宿管說.學校禁止帶充電器/風筒 等電器..但不要用得太瘋狂就好了.男生宿管不怎么管.女生就小心點了.有洗衣機。三元6件不能洗鞋襪

一般我們都是幾個同學一起洗的。便宜.飯堂

套餐 6元

也可以自己點餐.點餐的話.兩三個菜就要9塊多了

一下課會很多人奔過去...所以..先回宿舍也不遲哇~

免費提供湯 / 夏天還有涼茶

早餐有 豆漿 or 糖水 每天不同

很豐富的啦~ 說不完...學校是不允許叫外賣的，連生日蛋糕都不允許，學校發現之后直接沒收的周末留宿及請假外出問題

周末留宿問題

一般周末（除了特殊情況除外）學校是允許留宿的，只不過手續比較麻煩。首先要爭得家長的統一，然后要去找班主任簽條（每班一個男女各一總表），統一找分部主任簽字即可！

請假外出問題

光高為封閉式的寄宿學校，所以上學期間不允許外出，特殊情況（外出就醫及家里有事等）可以申請外出。首先必須得到家長許可，先找班主任索要請假條，后給分部主任簽名，再給宿管簽名即可。高一課程安排

下為高一第一學期所學課程及版本（僅供參考）

語文：必修

一、必修二（第三屆為廣東教育版）

數學：必修

一、必修二（第三屆為人民教育版）

英語：必修

一、必修二（第三屆為人民教育版）

物理：必修一（第三屆為人民教育版）

化學：必修一（第三屆為人民教育版）

生物：必修一（第三屆為人民教育版）

政治：必修一（第三屆為人民教育版）

歷史：必修一（第三屆為人民教育版）

地理：必修一（第三屆為中國地圖版）

音樂/美術：單雙周上，也就是一周音樂、一周美術

電腦/通用技術課：一周一節只有高一有電腦課，高二開始沒有電腦課； 電腦與通用技術一般是半學期 換，也就是上半學期學電腦 下半學期學通用技術

體育課：

一周兩節（游泳課就是在體育課上游泳）

上學/回家問題

1.每個月一次雙休（周六周日休息）

2.其余的星期都是周六下午回家，周日下午返校

3.羅湖/福田/南山/寶安 可以申請乘坐學校包的中南巴士。￥130/月 來回（下一屆可能有變）

寶安的同學也不怕坐車難。學校與公交公司協商 630路巴士在放學的時候進入學校同學們可以乘坐

手機/充電/用電器問題

1.學校規定，教學區內不允許使用手機，被老師發現就沒收，一般到回家才會歸還，如果發現次數多了就會找家長。

2.不允許使用充電器充電，不允許在宿舍使用用電器，一經發現直接沒收，不予歸還！

第五篇：高光免噴涂ABS、透明ABS材料

高光免噴涂ABS、透明ABS材料

透明材料一直是市場上受追捧的寵兒，但是由于市場能夠量產的透明ABS或多或少有不同的性能欠缺，因此限制了透明ABS的應用領域。透明ABS的主要關注的幾個物性指標；

1：霧度值一般常用Haze 值表示，霧度和材料的透明度息息相關。霧度高，材料的透度就差

2：透度，一般透明材料的光透過率都在85%以上，純透明材料如 PMMA透度會更高一般在90%以上。3：沖擊性能，這是市場上廣大透明材料的弱點，沖擊性能高的，霧度值高；霧度值低的，沖擊性能低。4：硬度，一般用鉛筆硬度檢測，但是鉛筆硬度檢測硬度與實驗員關系很大，兩個實驗員檢測同一款材料，檢測誤差較大，因此也有人用邵氏硬度計檢測。

目前市場上研究比較熱的是 PMMA 透明增韌、PC透明增韌，另外一款就是透明ABS，當然在這幾種透明材料中，透明PMMA增韌也已經有很好增韌劑出現，我在實驗室取得的實驗結果是 PMMA 添加增韌劑后，霧度值在1.8~2.1左右，透度基本沒有任何變化，懸沖（1/8"）90J/M隨著增韌劑的添加增加還可以提高，只不過霧度值會略微提高。PC透明增韌，大家主要是看到PC材料的優良材料性能以及材料的透明性，但是PC材料的缺口開裂問題還是制約著PC材料的使用領域，現在已經有不少大學和研究院所加入到這個課題研究，解決方法也從單一添加增韌到添加相容劑，采用與其他材料共混的方法得到。

現在講透明ABS，也許有人問，它的用途在那里？其實大家熟悉的 LG H-X569C三星的 5770.0505 等高光ABS 都是透明ABS染色制備的。因為透明的材料染色后，會加深材料黑度的深度，給人一種更炫的感覺，另外也有人講現在更多的免噴涂高光ABS使用的是高膠粉+PMMA，但是如果高光ABS采用高膠粉的方法制備，由于成型產品是薄壁大面積液晶顯示器的邊框，注塑成型過程中流道過長、注射口較小，剪切強烈，容易造成材料分相，從而使成品表面產生白色霧斑塊；另外高膠粉的添加使材料的流動性降低，為了充滿整個模腔，必須提高注塑溫度或者磨具溫度，這不僅影響了成型周期，更由于模具溫度的提高，造成了成品脫模后，產品收縮，造成成品尺寸變化，大大降低成品的合格率。

這款材料采用的是 ASPMMAMBS 三組分共混的方式。制備透明材料的原理告訴我們，如果想在一款透明材料中添加其他物質，保證原材料的透明性的話，那添加物質有兩種方法滿足；

1：添加物質粒徑足夠小，如果添加物質的粒徑小于光的波長，那添加的物質可以被看做是光波中的懸浮微粒，而不影響光的通過。2：添加的物質與原材料相容而且折光率相近，如果兩款材料的折光率小于0.009，這兩款材料共混后一般是透明的。

PMMA 的折光指數為 1.492AS的折光指數1.56左右 MBS 1.54我們使用上面的原理，將三款材料的折光指數折中到1.54左右。那我們可以設計配方PMMA：AS =1：1，我們這里選擇 PMMA 與AS比例為1：1是因為我們知道 PMMA 與AS在1：1的時候是完全相容的。我們可以根據材料沖擊性能的需要，添加不同分數的MBS，當然MBS的添加分數不同會影響到材料的霧度，我推薦添加量在20~25份 當然添加30份更是可以得到沖擊性能 接近200 J/M的高抗沖透明（Haze = 3.0~3.5左右的）ABS材料.如果我們添加量在 17分左右，霧度會有略微提高，但是懸沖可以達到80J/M，鉛筆硬度更是可以達到H以上，完全滿足高光免噴涂ABS的需求。同時由于MBA 核殼結構的穩定性和易加工性，減少了材料在注塑成型時的廢品率，提高了產能。

直接改性奇美的PMS樹脂，使其沖擊性能達到 150J/M的懸沖，而霧度值控制在2.5左右，從而使這款材料完全能夠滿足電子材料領域的應用。