第一篇：物理所寬禁帶半導體材料研究與應用團隊主要先進事跡

物理所寬禁帶半導體材料研究與應用團隊主要先進事跡

多年來，該團隊在SiC、GaAs、GaN等晶體和外延材料領域取得了豐碩成果。系統開展了SiC晶體生長設備、晶體生長和加工技術研究，成功生長出2-4英寸高質量晶體，在國內率先實現SiC晶體的產業化，成功打破了國外壟斷。采用濕法腐蝕和寬窄阱耦合技術生長出低位錯密度外延材料，部分消除極化效應，大幅提升LED內量子效率。

先后承擔國家“973”、“863”、科技支撐和02專項等項目數十項；發表SCI論文300余篇，申請國家發明專利50余項（已授權20余項）；將多項科研成果產業化，實現了良好社會經濟效益。

國家天文臺郭守敬望遠鏡(LAMOST)團隊主要先進事跡

該團隊在建設國家重大科學工程LAMOST的十多年中，全體人員勇于創新、鍥而不舍、團結協作、精益求精，全面優質地完成了工程建設任務。建成了目前國際上光譜獲取率最高、口徑最大的大視場望遠鏡，得到了國際天文界的高度評價，使我國大視場多目標光纖光譜的觀測設備處于國際領先地位，并使我國望遠鏡研制技術實現了跨越式發展，顯著提升了我國在該領域的自主創新能力。2009年6月LAMOST項目圓滿地通過了國家竣工驗收。

LAMOST項目的關鍵技術之一“大口徑主動光學實驗望遠鏡裝臵”獲得2006年度國家科學技術進步二等獎。

聲學所聲學智能制導實驗室主要先進事跡

從事水聲學、信息與信號處理研究已有40余年。實驗室自2000年開始承擔了國家某重大科研項目的研制，該項目是我院近年來第一個擔負總技術責任單位的國家重點國防工程項目。經 過十年的努力，2010年6月項目圓滿完成了考核驗收試驗。更為可貴的是，在僅兩個半月的時間內完成了10余次出海試驗，創造了行業內考核項目最復雜、考核時間最短、試驗零安全事故、產品準備零責任事故、所有技術指標滿足或超過研制要求的成績。項目組堅持走自主創新的道路，突破了30余項全新技術，產品主要性能指標達到世界同類產品的領先水平, 大幅提升了我國相關水下技術領域的自主創新水平，引領帶動了相關行業的技術發展，后續直接產值將超過60億元。

化學所中國科學院光化學重點實驗室主要先進事跡

在有機及高分子光物理與光化學、光功能材料與光電化學、光催化及環境光化學和生物光化學的基礎研究和應用基礎研究中取得一系列重要成果。

近五年承擔的重大項目包括、國家“973”項目1項、課題3項；國家重大科學研究計劃項目1項；國家自然科學基金委“創新研究群體”1項、杰出青年基金1項、重點項目8項、重大國際合作2項；創新團隊國際合作伙伴計劃1項、中科院“百人計劃”3項。

獲得國家自然科學二等獎2項，北京市科技進步一等獎1項；中科院院長獎學金特別獎3項。近五年發表論文403篇，其中在JACS, Angew.Chem.Int.Ed.等最重要雜志上發表論文38篇；授權專利26項。

心理所青海玉樹地震科技救災心理援助工作隊

主要先進事跡

履行創新為民的使命,在當地政府的支持下,迅速成立了震后心理援助玉樹和西寧工作站,為心理援助工作提供了組織保障。

深入災區，積極開展心理援助服務。開展20余場團體培訓，培植本土心理援助力量5200余人次；為215戶受災群眾和112 2 戶傷殘人員提供面對面心理輔導，重點救助住院傷病員700余名和異地復學兒童500余名，極大緩解了震后創傷及異地復學不適的心理問題；協助當地政府制定心理援助三年規劃，為持續規范開展援助奠定基礎。發揮科學思想庫作用，向黨和國家上報6份災后心理援助和社會穩定有關的政策建議，2份被中辦采用。發揮了心理學國家隊的引領作用，受到青海省政府和社會的好評和高度認可。

電子所航天微波遙感系統部主要先進事跡

出色完成了多項國家重點型號工程任務，在我國航天星載微波遙感對地觀測載荷研制領域確立了主導和引領地位，切實發揮了“火車頭”的作用。成功研制出我國多型首套航空機載合成孔徑雷達系統裝備，在汶川抗震救災飛行中發揮了重要作用，2008年被授予“創新為民、科技救災”光榮稱號。

科研成果獲得多項國家和院（部）級獎勵：包括國家科技進步一等獎兩項，中國科學院杰出成就獎一項，國防科技進步特等獎一項、一等獎兩項、二等獎、三等獎各一項，發表論文數百篇。

大連化物所甲醇制烯烴國家工程實驗室主要先進事跡

完成新一代甲醇制烯烴（DMTO-II）技術工業性試驗并通過鑒定。實現世界首套甲醇制烯烴（DMTO）工業裝臵開車成功并取得突破性進展。

完成“渣油制烯烴催化劑研制”、中國科學院“天然氣、油田氣綜合利用”等重大項目；完成“催化組合化學”知識創新重要方向項目和“天然氣制烯烴”國家“973”計劃基礎研究課題。目前承擔中科院知識創新重要方向項目2項。獲省部級以上獎勵4項，市級獎勵2項。經過鑒定的科技成果4項，發表科技論文192篇，申請發明專利。為國民經濟發展、產業結構調整升級、促進我國煤化工事業的發展做出更大的貢獻。上海硅酸鹽所鈉硫電池研究團隊主要先進事跡

近年來鈉硫電池研究團隊研制成功從核心材料、單體電池到電池模塊和儲能系統以及核心裝備的鈉硫儲能電池的成套技術。研制成功大容量單體電池，建成2兆瓦單體電池的中試線，實現了電池的小批量制備。100千瓦/800千瓦時儲能系統在上海世博會期間成功實現并網運行并對外展示，現已進入產業化推進階段，項目取得核心專利20余項。承擔了科技部支撐計劃、上海市科委重大、中科院方向性項目以及上海電力公司的多個項目。大容量鈉硫儲能電池研制成功被兩院院士評選為2009年中國十大科技進展新聞。

鈉硫電池的突破使我國成為繼日本之后第二個掌握鈉硫電池核心技術的國家。

武漢植物園植物資源可持續利用中心主要先進事跡

該中心遵循?Resources-Research-Resolution?的3R 模式，開展果樹、藥用、能源、微藻、草坪、觀賞、水生等特色資源植物種質評價、基因發掘、新品種選育等研究，取得了具有特色的基礎與應用研究成果，為國家生物產業和社會經濟可持續發展做出了重要貢獻。

主持美國NSF-Gates項目、國家自然基金重點項目、國家?973?與?863?項目等40余項。在Mol Biol Evol和Plant Physiol等著名SCI刊物發表學術論文近百篇，取得10余項發明專利，獲得多項院教學獎，產生社會經濟效益近5億元。

成都山地所中國科學院山地災害與地表過程重點實驗

室主要先進事跡

5年來先后承擔了西部重要干線的道路泥石流減災項目50余項，保護干線公路鐵路15條，保障了山區干線公路的安全和 4 暢通。高效完成西部大開發的重大工程項目“西氣東輸”選線設計和建設過程中的地質災害防治工作并獲好評。在汶川地震和舟曲特大泥石流發生后，先后有200余人次赴災區，為國家部委和地方提供專家咨詢和編寫減災技術資料。2008年和2010年，美國《Science》雜志對實驗室科技工作給予5次專訪和專題報道。

研究成果先后榮獲四川省科技進步一等獎、國家科技進步二等獎，減災效益超過40億元。發表論文200余篇，撰寫咨詢報告9份，其中5份得到了國家領導人批示。

西安光機所高功率半導體激光器封裝與表征研究室

主要先進事跡

研究室成立于2007年10月，自主研發高功率半導體激光器技術，在熱管理、無銦化技術、低smile技術、光譜控制和功率擴展等方面取得重要成果，承擔并高質量完成了多項重要科研項目。2008年實現了高占空比（8%）下百千瓦準連續超大功率半導體激光器系統；2009年制備兩款世界首創的新器件及產品；2010年研制成功500瓦雙量子阱大功率器件。發表論文10多篇，申請各項專利37項，其中授權11項，2項PCT專利。2009年獲陜西省科學技術獎一等獎。

目前，該實驗室建立了產學研基地，積極推進科技成果轉化，以該基地為平臺建成5條生產線，實現產值逾4000萬元，催生出戰略性新興產業并得到蓬勃發展，為地方經濟社會發展做出了貢獻。

近代物理所ECR離子源室主要先進事跡

從1991年開始，自主研制成功多臺不同頻率，不同結構的ECR離子源，使我國在這一領域處于目前國際領先水平。在世界上首次研制成功具有原創結構的超導高電荷態ECR離子源SECRAL，產生了高電荷態離子束流強度的許多世界記錄，是目前世界上性能最好的高電荷態ECR離子源之一；研制成功國際 上磁場最高、性能最好的全永磁高電荷態ECR離子源LAPECR2。

曾獲得“中科院科技進步一等獎”、“國家科技進步二等獎”和國際離子源領域最高獎項“明亮獎”等多種獎勵；自2005年以來，該室發表SCI/EI論文33篇。各類ECR離子源的成功研制和投入運行，使蘭州重離子加速器及各類綜合平臺的束流強度和整體性能大幅提高，為我國開展核物理和原子物理等研究提供了前所未有的實驗條件。

新疆生地所塔里木沙漠公路生態工程研究團隊

主要先進事跡

為了防治塔里木沙漠公路的風沙危害，該團隊在茫茫沙漠中二十余年如一日，用他們的知識和汗水譜寫他們的沙漠人生。先后承擔了國家“973”、攻關、自治區攻關等重要科研項目，解決了一系列理論和技術難題，在塔克拉瑪干沙漠腹地建成了一條436公里的綠色走廊。不僅為塔里木油氣資源的勘探開發和新疆的經濟發展做出了重大貢獻，而且進一步鞏固了中國在該領域研究的領先地位。“綠色走廊穿越塔克拉瑪干沙漠”被兩院院士評選為2006年中國十大科技進展新聞，“塔里木沙漠公路防護林生態工程”被評為2008年度國家十大環境友好工程、獲國家科技進步二等獎，目前其研究成果已經在新疆、非洲及中亞得到推廣應用。

科學出版社科學出版中心主要先進事跡

該中心是科學出版社的核心出版單位，在科研成果歸納整理、傳播轉移、交流轉化等方面做出了突出貢獻。

中心出版了《中國科學院研究生教學叢書》、《當代杰出青年科學文庫》、《純粹數學與應用數學專著叢書》、《中國植物志》等大批代表中國科技發展最高水平的精品力作，獲得中國圖書政府獎2種，國家圖書獎6種，中國圖書獎一等獎7種，全國優秀科 技圖書獎一等獎30多種，國家自然科學獎8種，國家科技進步獎6種，入選國家十一五重點圖書出版規劃項目27種。

中心年出版圖書品種近700多種，產值近1.2億元。生命科學、資源環境等類圖書均居全國市場份額第一位，是專著、基礎理論、基本資料出版的第一品牌。

成都信息技術有限公司辦公自動化事業部主要先進事跡

該團隊早在1977年就開始大型會議自動化設備的研發，該會議選舉系統已成為黨中央和全國人大指定的為黨和國家重大會議提供服務的設備之一。三十多年來，該團隊已先后為黨和國家從十二大至十七大、六屆至十一屆全國人大、政協等歷次重大會議提供選舉服務，都取得了圓滿成功，得到黨和國家領導人的一致肯定和參會代表的高度評價。2007年10月22日，胡錦濤總書記在十七屆一中全會結束后專門打電話給中辦領導，表示對會議選舉工作十分滿意，并說：“沒想到電子選舉系統這么快，這么準確，這么先進，請向工作人員表示祝賀！”

該系列產品獲得國家科技進步三等獎、中科院科技進步一等獎、四川省科技進步一等獎等重要獎項。

第二篇：南大寬禁帶半導體實驗室

禁帶半導體紫外探測器

紫外探測技術在國防預警與跟蹤、電力工業、環境監測及生命科學領域具有重要的應用，其核心器件是高性能的紫外光電探測器。

基于半導體材料的固態紫外探測器件具有體重小、功耗低、量子效率高、和便于集成等系列優勢。以碳化硅（SiC）和III族氮化物為代表的寬禁帶半導體是近年來國內外重點研究和發展的新型第三代半導體材料，具有禁帶寬度大、導熱性能好、電子飽和漂移速度高以及化學穩定性優等特點，用于制備紫外波段的光探測器件具有顯著的材料性能優勢。

我們實驗室在寬禁帶半導體紫外探測器領域具有較強的實力。率先在國內實現4H-SiC基紫外雪崩單光子探測器；分別研制成功高增益同質外延GaN基紫外雪崩光電探測器、國際上領先的高增益AlGaN基日盲雪崩光電探測器、具有極低暗電流的AlGaN基MSM日盲深紫外探測器、高量子效率AlGaN基PIN日盲深紫外探測器、以及現有芯片面積最大的AlGaN基日盲深紫外探測器，相關結果多次獲得國際主流媒體的跟蹤報導。

目前，我們的工作重點是研制高靈敏度寬禁帶半導體紫外探測器，包括：紫外單光子探測器件結構設計和物理分析，紫外單光子探測線陣和日盲紫外探測陣列制備。

寬禁帶半導體功率電子器件

針對未來高效電力管理系統、電動汽車和廣泛軍事應用大容量化、高密度化和高頻率化的要求，將寬禁帶半導體材料應用于高檔次功率電子器件可以有效解決當今功率電子器件發展所面臨的“硅極限”（silicon limit）問題，將大幅度降低電能轉換過程中的無益損耗，在各領域創造可觀的節能空間。寬禁帶Ⅲ族氮化物半導體具有強擊穿電場、高飽和漂移速度、高熱導率和良好化學穩定性等系列材料性能優勢，是制備新一代功率電子器件的理想材料。這一研究方向近年來成為國際上繼GaN基發光二極管和微波功率器件之后的新興研究熱點。

我們小組在這一研究領域具有較好的基礎，已經研制成功AlGaN/GaN平面功率二極管，其擊穿電壓大于1100V，功率優值系數高達280MW/cm2。為了進一步研制新型功率電子器件，我們將開展相應的低缺陷密度GaN厚膜外延生長、異質結與能帶工程設計、功率器件強電場終端技術、和高功率器件的電接觸物理與鈍化技術研究等。

新型藍光及紫外發光二極管與器件物理

以GaN基發光二極管（LED）為核心的半導體照明技術作為新興的光源技術，具有節能、環保、長效等突出優勢，具有極為廣闊的市場前景和應用價值。但是，盡管近年來GaN基LED技術發展很快，所報道的最高發光效率已超過250lm/W，GaN基LED研究仍有很多基礎的科學與技術問題沒有解決。由于材料制備技術的不成熟以及大失配強極化材料體系中物理效應的復雜性，GaN基LED在總體性能上還存在很多問題，如漏電流高、光抽取效率低、以及大電流注入下發光效率發生明顯降低（droop效應）等，而這些問題在AlGaN基深紫外LED和InGaN基綠光LED中尤為明顯。

我們通過發展新型的同質外延生長技術、摻雜技術、以及量子阱調控技術，研制高量子效率的藍光與紫外LED器件；通過對不同結構的LED器件進行系統的電學、光電、及可靠性測量，研究外延層晶體質量、器件結構、及工藝參數對器件性能的影響，分析器件中載流子的運行規律，解釋器件中各種新奇物理效應的成因。

新型光子晶體LED的設計與研制是我們的研究重點。目前，影響LED發光效率的關鍵因素之一是光抽取效率偏低。當有源層內產生的光大于逃逸角錐的臨界角時，會產生全內反射。由于氮化物半導體材料的折射率高，其臨界角非常小，使得大部分光局限于半導體內部，最終被較厚的基板吸收。

我們可在萃取層刻蝕適當尺寸的二維（2D）光子晶體結構，以提供額外的倒格矢補償光在出射面的波矢失配，使得局限在半導體內的部分光由導波模轉變為高Q共振輻射模，或者與泄漏模耦合，從而逃逸至自由空間，提高LED的光萃取效率。

非晶氧化物半導體薄膜晶體管

以高分辨率、高動態范圍、高對比度、高亮度及采用柔性透明基板等為主要特點的新一代顯示技術已成為當今主要顯示器生產商及相關科研機構的研究熱點。以非晶In-Ga-Zn-O（a-IGZO）為代表的非晶氧化物半導體薄膜晶體管（AOS-TFT）具有驅動能力強、均一性和透明性好、工藝溫度低以及成本適中等優點，不僅是當前實現高性能顯示器的核心技術，在未來基于柔性透明存儲、邏輯器件的系統面板（System on Panel）的研發中也有重要應用，因而極具研究價值和市場潛力。

然而，目前AOS-TFT在電、熱、光等環境作用下的可靠性問題制約了其在先進顯示領域的快速推廣，器件性能發生退化的物理機制仍然眾說紛紜。我們小組目前已建立起較為完整的用于AOS-TFT研究的器件制備及測試系統，通過研制新型的氧化物溝道材料、開發新的晶體管工藝流程、以及發展新的電學分析手段，旨在提高AOS-TFT的綜合性能和穩定性，理解相關的深層次器件物理問題，并計劃近一步研制基于AOS-TFT的邏輯電路。

新型人工微結構材料及光電器件

光電探測器的小型化對集成電路具有重要的意義。然而，主動層材料的有效面積減小必然帶來光響應效率的降低。基于亞波長金屬光柵結構的表面等離激元光電探測器，可以突破這一瓶頸。

我們可基于紫外或紅外探測器，通過在金屬電極中引入新型人工微結構，在吸收層與金屬電極界面激發長程表面等離激化激元波或局域表面等離激元振蕩，從而調控入射光的光場分布，提高光的吸收效率；同時由于外加電場與光場分布的較好重疊，光電轉換效率可得到進一步的提高。

太赫茲主動式特異材料在國防、成像、傳感和通訊等多個領域具有廣闊的發展前景。目前，太赫茲（Terahertz ,THz）頻段（0.1-10THz）的特異材料，無論是在基礎物理研究方面，還是在功能器件實現方面，都未得到充分的研究和開發。

我們小組基于有限元技術（FEM）和時域有限差分方法（FDTD）, 從理論上設計非線性和主動式THz特異材料，研究電磁波與之相互作用的物理過程和新奇的物理效應，包括電響應和磁響應。同時，將新穎電磁特性和半導體電子學相結合，采用先進微加工技術，以Ⅲ-V化合物半導體為基底，通過設計和優化特異材料的共振結構單元，實現高效、寬帶、超快響應的THz特異材料器件原型(開關、調制器等)，對THz輻射進行實時有效的操控。

(Journal papers published in 2016)

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第三篇：院士領銜,一步步做強中國“芯”,這里是西安電子科技大學寬禁帶半導體材料與器件教育部重點實驗室

院士領銜，一步步做強中國“芯”，這里是西安電子科技大學寬禁帶半導體材料與器件教育部重點實驗室

在現代世界里，沒有人能和“半導體”脫離了關系。我們每天滑的手機、看的電視、用的電腦、開的燈，都有半導體器件在里面工作。從一定程度上來說，正如互聯網改變了世界，半導體也影響著世界的發展。從19世紀上半葉發現半導體，到第一代、第二代、第三代半導體相繼問世，近2個世紀以來，尋找更高性能、更穩定、更優質的半導體，一直是該領域科學家們不懈的追求。在中國，提到半導體特別是寬禁帶半導體材料和器件研究，有一個地方必然會凝聚大家的目光。這就是西安電子科技大學寬禁帶半導體材料與器件教育部重點實驗室。不久前，教育部信息領域重點實驗室評估結果公布，繼上一個評估期獲評優秀之后，她又一次把“優秀”收入囊中。以中國科學院院士郝躍教授為學術帶頭人，這里匯聚了一批“千人計劃”“長江學者”“杰青”等國內外杰出人才，連續兩年斬獲國家科技進步獎，一步一步做強中國“芯”。高瞻遠矚造就先發優勢 優秀成為一種習慣國內對寬禁帶半導體的研究，差不多始于上個世紀90年代中后期。那時候，半導體材料已經經歷了由硅（Si）和鍺（Ge）向砷化鎵（GaAs）的過渡，這顯然已經是一個進步了。但是，不止于此，尋找更低能耗、更優性能的半導體材料的腳步，在西電，在當時的微電子研究所，在郝躍教授堅定的科研方向中踏了出去。在這個“冷門”里，郝躍和團隊孤獨奮戰了近十年。直到2005年前后，國內寬禁帶半導體產業開始發展之時，大批研究機構和高校紛紛覺醒，才開始布局相關研究。然而，在這十年時間里，西電的寬禁帶半導體研究，已經有了深厚的積累。討論寬禁帶半導體材料理論問題及計算分析的相關論文，常見諸于國內核心學術期刊上。國內最早探討寬禁帶半導體的專著《碳化硅寬帶隙半導體技術》，也在2000年問世。正是在2000年前后，經過4、5年的科研積累，寬禁帶半導體材料的特性、相關研究的脈絡和框架已經有了比較清晰的梳理。但要想把研究做大做強，成立一個專門的機構為科研提供支持就顯得十分必要。加之，搭建科研大平臺也一直是學校建設和發展的要事，于是，申報寬禁帶半導體材料與器件教育部重點實驗室便自然而然地提上了日程。2003年，國家集成電路人才培養基地落成。同年，微電子學院成立。2004年，寬禁帶半導體材料與器件教育部重點實驗室也正式掛牌。又一個十年過去，在科研成果、人才隊伍、成果轉化等方面，“優秀”似乎已經成為了實驗室的習慣。在最近一個的評估期內，實驗室交出了一份滿意的答卷：2項國家科技進步獎二等獎，4項陜西省科學技術一等獎，1項國家級教學成果獎二等獎，1項陜西省教學成果獎特等獎，430余篇SCI和EI論文和近300項授權發明專利……一條擁有若干項自主關鍵技術、最高潔凈度達百級的寬禁帶半導體超凈工藝研發線建成，成為學校的一張“科研名片”。對于寬禁帶半導體實驗室，獲評優秀，與其說是一種“意外之喜”，更像是一份來自自身和他人的信任。“優秀是相對而言的，是在某一套評價體系中的優秀。”實驗室對此達成共識，“我們相信自身的實力。我們的目標，還在于更高更遠處。”微觀世界探尋寬廣天地 科技讓生活更美好簡單來說，禁帶寬度對于半導體材料來說是一個非常關鍵的物理數據。由于半導體既能導電，又能不導電，那么，利用好這一特性，讓它既能穩定導電，又能絕緣，就顯得至關重要。而要想保證導電性能的穩定，就要管好一群“自由自在”的電子，讓它們不要過于“歡蹦亂跳”。寬禁帶就是這樣一種存在。它就像一道“鴻溝”，讓被注入了來自熱量或輻射的能量而突然“興奮”起來的電子跨不過去，只能遠遠地看著對岸的電子穩定地工作著。現有的研究資料表明，以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體材料的禁帶寬度，就要比以硅（Si）和鍺（Ge）為代表的第一代半導體材料的禁帶寬度，多出2倍以上。因此，第三代半導體在耐高溫、抗輻射、降能耗等方面比第一、二代半導體表現得出色許多。利用這種禁帶寬的物質，把它變成材料，用于制作半導體器件，進而制成集成電路，而后把它推廣出去應用到我們的生產和生活中，就是寬禁帶半導體材料與器件實驗室的使命所在。從微觀世界回到現實生活，第三代半導體已然走入尋常百姓家。在照明領域，盡管紅、綠色發光二極管在上世紀中葉已經問世，但照亮世界的白色光源，因為缺少三原色之一的藍色而無法合成，直到上世紀80年代末才問世。這得托第三代半導體材料氮化鎵（GaN）的福。沒有它，就沒有藍光LED，白光LED也無從談起。除此之外，在微波通訊、供電等領域，第三代半導體更是有著極大的作為空間。比如5G通訊。第一代半導體材料硅（Si），是現在市場上大部分手機集成電路的材料。隨著手機越來越“萬能”，特別是5G時代的到來，硅（Si）已然沒有辦法承擔這么大功率運轉、高帶寬速度的重壓了。不過這一點，氮化鎵（GaN）很擅長。再比如軌道交通動力系統。高鐵動車跑得快，全靠存在于每節車廂的電動機組合力帶。一列高鐵上百臺電機工作同時工作，什么樣的電子器件適合在高電壓、大功率下還能高效率地控制電流、驅動電機呢？最理想的，非碳化硅（SiC）寬禁帶半導體莫屬。總之，第三代半導體器件就如同建筑行業的鋼筋水泥一樣，遍布電力電子產品充斥的社會的每一個角落。它小小的身軀，為環境友好型、資源節約型社會建設提供了巨大支持。科學研究瞄準重大需求 成果轉化造福社會在2012年-2016年這一個評估期內，寬禁帶半導體材料和器件實驗室有2項研究成果為國家科技進步作出貢獻。2015年，郝躍院士團隊的“氮化鎵基紫外與深紫外LED關鍵技術”獲得國家科技進步獎。這項技術實現了我國在紫外與深紫外LED領域的重大突破，被評價為“達到了國際先進水平”。紫外線，我們都不陌生。紫外殺菌、紫外驗鈔等都是我們熟知的應用領域。不過，傳統紫外光的產生，要靠真空燈管中電子束激發鹵素來得到，體積大、效率低、能耗高，甚至對環境造成污染。完美解決上述問題的，是紫外與深紫外LED。制造這種器件的基礎，是以氮化鋁（AlN）和氮化鎵（GaN）為代表的Ⅲ族氮化物半導體材料。然而，要想達到紫外與深紫外LED最理想的性能，這種半導體材料的生長絕非易事。紫外光具有更高的光子能量和更短的波長。想讓波長變短，就得增加AlGaN中的Al組分。但是，隨著Al組分的增加，三個重大技術難題又隨之而來：材料缺陷急劇增加、p型摻雜十分困難、折射率升高導致全反射進而降低光提取效率。這正是郝躍院士和團隊花費十余年心血攻克的三個重要難題。隨著這三大核心問題的解決，在材料生長方法、摻雜方法、高效率器件結構等方面也有了創新性突破，獲得中國和美國發明專利授權22項。現在，1千瓦的紫外LED光源和傳統的3.6千瓦紫外熒光燈照明效果一樣，能耗卻降低72%，壽命自然也延長不少，更重要的是，很大程度上避免了重金屬污染。通過產學研合作轉化，在實現7.1億元產值的同時，50余家芯片、封裝及應用企業應用了該項目的技術和產品，紫外LED器件、紫外燈管、紫外光源模組等產品已經在電子產品制造、印刷、水凈化、醫療、農業等領域有所應用，為主要用戶創造9.7億元經濟效益。2016年，楊銀堂教授團隊的“多層次系統芯片低功耗設計技術”獲得國家科技進步獎。這一成果同樣被評價為“達到了國際先進水平”。死機，是追求速度和高效的現代生活中令人不愉快的一種體驗。造成死機的原因諸多，負載過重是“罪魁禍首”。一些性能普通的手機，常常用著用著就燙“死”了。那么，有沒有可能我們的手機能分屏同時操作多個大容量應用程序而不死機，并且還非常省電呢？答案存在于我們對美好生活的向往中。這樣的手機不僅需要多顆“心臟”，還要能夠高效工作，最大可能降低功耗。多層次系統芯片低功耗設計技術，即是針對國內無線通信、雷達信號處理、衛星通信的迫切需求，旨在降低一個芯片系統整體功耗的技術。在一個芯片系統中，哪里會產生能耗，怎樣控制各部分產生的能耗，是這項技術要解決的根本問題。楊銀堂教授和團隊經過十余年的努力，提出系統芯片多層次協同的設計思想，在系統層、通信層、功率層、電路層等多個層次上實現了低功耗設計，讓系統芯片既能“各司其職”，又能相互配合，完美演繹“協奏曲”。現在，這項技術廣泛適用于系統集成芯片、數模混合集成以及功率管理和功率轉換系統，數字信號處理器、多模多頻移動基帶等芯片的功耗水平顯著降低。研究成果近3年來實現直接經濟效益10億元以上。進入下一個十年，實驗室依舊在為更低能耗、更優性能的半導體材料奮斗。建立更大的科研平臺、吸引更多的優秀人才、制造更優質的半導體器件，實驗室一直在努力。或許有一天，西電寬禁帶半導體材料和器件實驗室，會叩響未來更新半導體材料時代的大門。（記者陳圓）（來源 西電新聞網）

第四篇：航科太陽能寬普LED殺蟲燈研究與應用

航科太陽能航科太陽能LED殺蟲燈

一、航科太陽能航科太陽能LED殺蟲燈系統的部件組成航科太陽能航科太陽能LED殺蟲燈系統由太陽能電池組件、LED燈頭、控制箱內有控制器、蓄電池）、燈桿、捕殺器等部分構成。

二、航科太陽能航科太陽能LED殺蟲燈系統工作原理

太陽能電池白天發電，經過充放電控制器把電能儲存在蓄電池rf1；傍晚當照度逐漸 降低至10 b（以下，太陽能電池板的開路電壓為4V時，充放電控制器延時以后動作；蓄電池通過控制器對LED燈和捕殺器的高壓電網供電，或者只給LED燈供電，并在IED燈的下方采用其它誘器來殺滅害蟲。一般蓄電池放電4-6h后，就可以停止放電，因為在露水降下以后，害蟲的活動就減少了，系統不必像路燈那樣一直工作到天亮。

1、害蟲的趨光性

趨光性昆蟲的視網膜上有一種色素，它能夠吸收某一特殊波長的光，并引起光反應，刺激視覺神經而趨向光源。昆蟲的可見光區要比人類的可見光區(390-700nm)更偏向于短波段光，大多數趨光性昆蟲喜好波長3 30-4 00nm的紫外光波和紫光波，特別是鱗翅日和鞘翅目昆蟲對這一波段更為敏感。根據昆蟲的這一特點，人們早就專門設計出能夠放射波長3 65nm光波的紫外燈，2、可再生能源能對大多數害蟲作測報和誘殺。

研究表明，許多昆蟲對光有趨向性，尤其是對波長365肌的光波趨性極強。黑光燈光譜365nm波長相當豐富，對害蟲的引誘效果比口光燈好；藍光燈的引誘效果比紅光燈好。我公司對18種鱗翅日昆蟲進行的研究發現，昆蟲復眼對黃綠光最敏感，對紫外線耐受能力最差；蚜蟲對黃色、橙色有強烈的趨性，對銀灰色則有忌避性；人們常常用橙、黃、綠、藍、紫和紫外光因為昆蟲看不見紅光，所以一般不采用紅光）來誘捕大景有害昆蟲、偵測蟲害發生的時間與嚴重程度。

由發光二極管串并聯組成的LED燈，其光效和發光強度是2項重要的指標。常見的LED發光二極管有白、紅、綠、藍、黃和透明等色種，其器件的材料不同，發光峰值波長也不同。

3、航科太陽能LED殺蟲燈是利用害蟲的趨光性、趨波性、雌雄飛蛾趨性等特點，采用具有特定光譜的特殊光源和滅殺裝置，在夜間開啟光源，利用光源對害蟲飛蛾）較強的引誘力，將害蟲（飛蛾）引誘飛來，在飛樸光源過程中，使之觸到設在光源外圍的高壓電網，此時高壓電網瞬間放電將其擊殺死亡。在誘捕飛蛾過程中，又可利用同種飛蛾雌雄間相互發出和接受性激素氣味信號吸引，吸引害蟲（飛蛾）飛向殺蟲燈，使害蟲（飛蛾）在未經交尾產卵前

即被滅殺，達到有效地阻斷害蟲的生殖繁育鏈。利用害蟲趨化性如螻蛄對香甜物質，種蠅對糖醋和蔥蒜葉，棉鈴蟲和煙夜蛾對糖蜜等明顯的趨性）。在LED燈的下方，利用糖、醋、蜜等藥盆進行誘殺。不同的害蟲對不同光源的趨光性是不一樣的，要利用黃、綠、藍、紫、白等不同色種的航科太陽能航科太陽能LED殺蟲燈對當前高發的害蟲進行有針對性的殺滅。