第一篇:美國芯源系統有限公司西安電子科技大學現場招聘會
美國芯源系統有限公司西安電子科技大學現場招聘會
美國芯源系統有限公司(MPS)成立于1997年,總部位于美國硅谷的圣何塞,是一家專注于模擬、混合信號集成電路行業的高科技企業。公司集設計、研發、制造、銷售為一體,擁有多項處于世界頂尖水平的專利技術。MPS旗下包括CCFL燈管驅動芯片、DC/DC變換器、白光LED驅動器、D類功放IC四大類100多個品種,不僅在設計和研發上獨樹一幟,更擁有獨特的制造工藝,使MPS產品擁有性能高、體積小、成本低的競爭優勢。
MPS自成立以來,一直視創新為生命,始終走在全球的行業科技尖端,在應用開發、解決方案上大膽突破,使我們產品所應用的電子產品外形更輕巧,性能更穩定、使用更節能。我們的創新理念是:以科技引領科技,讓人類的生活更便捷,盡情暢享科技樂趣!
MPS經過10余年的技術沉淀和全球市場拓展,于2004年在納斯達克成功上市,同時成長為近年來全球發展最為迅速的半導體公司之一。2007年,在福布斯網站上公布的美國規模業績綜合實力發展最快的半導體高科技企業排名中,MPS位列第一。
根據MPS全球化發展戰略,自2003年至2005年,MPS先后投資中國建立MPS上海,MPS成都,MPS深圳及MPS杭州分公司,拓展MPS在中國的業務,并計劃在未來5年內將MPS成都公司打造成為中國最大的集成電路設計中心之一。
MPS各分公司秉承公司總部的一貫宗旨,視人才為企業生命,大力實施中國本土人才培養戰略,以嚴格的選拔程序、海內外結合的培訓機制、良好的企業文化和具有競爭力的薪酬福利以及員工期權來選人、育人、留人。目前,MPS中國公司的技術人員中,80%以上直接來自于校園招聘的應屆畢業生,這批年輕的技術人員已經開始嶄露頭角,他們正在為中國的集成電路行業做出自己的貢獻。
如今,MPS在中國發展非常迅速,需要大量優秀人才加盟。為適應MPS發展需要,MPS計劃于2008年9月23日在西安電子科技大學舉行現場招聘會。
時間:2008年9月23日(周二)2:00-3:30
地點:西安電子科技大學階梯教學樓114室
MPS 成都分公司
碩士:設計工程師、應用工程師、測試工程師、失效分析工程師、知識產權工程師
本科:版圖工程師、生產測試工程師、成品合格率提高工程師、應用技術員、知識產權工程師
MPS 杭州分公司
碩士:應用工程師、知識產權工程師
MPS上海/深圳辦事處
碩士:現場應用工程師
具體職位要求,請登陸了解有關上述職位的更多說明。由于招聘宣講會后隨即將進行筆試,屆時請帶上您的中英文簡歷、筆、直尺及計算器參加我們的現場招聘會。
聯系方式:
成都分公司:
028-87303039劉小姐Selina.Liu@monolithicpower.com
杭州分公司(含上海/深圳辦事處):
0571-87382506 項小姐Sharon.Xiang@monolithicpower.com
公司網址:
第二篇:院士領銜,一步步做強中國“芯”,這里是西安電子科技大學寬禁帶半導體材料與器件教育部重點實驗室
院士領銜,一步步做強中國“芯”,這里是西安電子科技大學寬禁帶半導體材料與器件教育部重點實驗室
在現代世界里,沒有人能和“半導體”脫離了關系。我們每天滑的手機、看的電視、用的電腦、開的燈,都有半導體器件在里面工作。從一定程度上來說,正如互聯網改變了世界,半導體也影響著世界的發展。從19世紀上半葉發現半導體,到第一代、第二代、第三代半導體相繼問世,近2個世紀以來,尋找更高性能、更穩定、更優質的半導體,一直是該領域科學家們不懈的追求。在中國,提到半導體特別是寬禁帶半導體材料和器件研究,有一個地方必然會凝聚大家的目光。這就是西安電子科技大學寬禁帶半導體材料與器件教育部重點實驗室。不久前,教育部信息領域重點實驗室評估結果公布,繼上一個評估期獲評優秀之后,她又一次把“優秀”收入囊中。以中國科學院院士郝躍教授為學術帶頭人,這里匯聚了一批“千人計劃”“長江學者”“杰青”等國內外杰出人才,連續兩年斬獲國家科技進步獎,一步一步做強中國“芯”。高瞻遠矚造就先發優勢 優秀成為一種習慣國內對寬禁帶半導體的研究,差不多始于上個世紀90年代中后期。那時候,半導體材料已經經歷了由硅(Si)和鍺(Ge)向砷化鎵(GaAs)的過渡,這顯然已經是一個進步了。但是,不止于此,尋找更低能耗、更優性能的半導體材料的腳步,在西電,在當時的微電子研究所,在郝躍教授堅定的科研方向中踏了出去。在這個“冷門”里,郝躍和團隊孤獨奮戰了近十年。直到2005年前后,國內寬禁帶半導體產業開始發展之時,大批研究機構和高校紛紛覺醒,才開始布局相關研究。然而,在這十年時間里,西電的寬禁帶半導體研究,已經有了深厚的積累。討論寬禁帶半導體材料理論問題及計算分析的相關論文,常見諸于國內核心學術期刊上。國內最早探討寬禁帶半導體的專著《碳化硅寬帶隙半導體技術》,也在2000年問世。正是在2000年前后,經過4、5年的科研積累,寬禁帶半導體材料的特性、相關研究的脈絡和框架已經有了比較清晰的梳理。但要想把研究做大做強,成立一個專門的機構為科研提供支持就顯得十分必要。加之,搭建科研大平臺也一直是學校建設和發展的要事,于是,申報寬禁帶半導體材料與器件教育部重點實驗室便自然而然地提上了日程。2003年,國家集成電路人才培養基地落成。同年,微電子學院成立。2004年,寬禁帶半導體材料與器件教育部重點實驗室也正式掛牌。又一個十年過去,在科研成果、人才隊伍、成果轉化等方面,“優秀”似乎已經成為了實驗室的習慣。在最近一個的評估期內,實驗室交出了一份滿意的答卷:2項國家科技進步獎二等獎,4項陜西省科學技術一等獎,1項國家級教學成果獎二等獎,1項陜西省教學成果獎特等獎,430余篇SCI和EI論文和近300項授權發明專利……一條擁有若干項自主關鍵技術、最高潔凈度達百級的寬禁帶半導體超凈工藝研發線建成,成為學校的一張“科研名片”。對于寬禁帶半導體實驗室,獲評優秀,與其說是一種“意外之喜”,更像是一份來自自身和他人的信任?!皟炐闶窍鄬Χ缘?,是在某一套評價體系中的優秀?!睂嶒炇覍Υ诉_成共識,“我們相信自身的實力。我們的目標,還在于更高更遠處?!蔽⒂^世界探尋寬廣天地 科技讓生活更美好簡單來說,禁帶寬度對于半導體材料來說是一個非常關鍵的物理數據。由于半導體既能導電,又能不導電,那么,利用好這一特性,讓它既能穩定導電,又能絕緣,就顯得至關重要。而要想保證導電性能的穩定,就要管好一群“自由自在”的電子,讓它們不要過于“歡蹦亂跳”。寬禁帶就是這樣一種存在。它就像一道“鴻溝”,讓被注入了來自熱量或輻射的能量而突然“興奮”起來的電子跨不過去,只能遠遠地看著對岸的電子穩定地工作著?,F有的研究資料表明,以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)為代表的第三代半導體材料的禁帶寬度,就要比以硅(Si)和鍺(Ge)為代表的第一代半導體材料的禁帶寬度,多出2倍以上。因此,第三代半導體在耐高溫、抗輻射、降能耗等方面比第一、二代半導體表現得出色許多。利用這種禁帶寬的物質,把它變成材料,用于制作半導體器件,進而制成集成電路,而后把它推廣出去應用到我們的生產和生活中,就是寬禁帶半導體材料與器件實驗室的使命所在。從微觀世界回到現實生活,第三代半導體已然走入尋常百姓家。在照明領域,盡管紅、綠色發光二極管在上世紀中葉已經問世,但照亮世界的白色光源,因為缺少三原色之一的藍色而無法合成,直到上世紀80年代末才問世。這得托第三代半導體材料氮化鎵(GaN)的福。沒有它,就沒有藍光LED,白光LED也無從談起。除此之外,在微波通訊、供電等領域,第三代半導體更是有著極大的作為空間。比如5G通訊。第一代半導體材料硅(Si),是現在市場上大部分手機集成電路的材料。隨著手機越來越“萬能”,特別是5G時代的到來,硅(Si)已然沒有辦法承擔這么大功率運轉、高帶寬速度的重壓了。不過這一點,氮化鎵(GaN)很擅長。再比如軌道交通動力系統。高鐵動車跑得快,全靠存在于每節車廂的電動機組合力帶。一列高鐵上百臺電機工作同時工作,什么樣的電子器件適合在高電壓、大功率下還能高效率地控制電流、驅動電機呢?最理想的,非碳化硅(SiC)寬禁帶半導體莫屬??傊?,第三代半導體器件就如同建筑行業的鋼筋水泥一樣,遍布電力電子產品充斥的社會的每一個角落。它小小的身軀,為環境友好型、資源節約型社會建設提供了巨大支持。科學研究瞄準重大需求 成果轉化造福社會在2012年-2016年這一個評估期內,寬禁帶半導體材料和器件實驗室有2項研究成果為國家科技進步作出貢獻。2015年,郝躍院士團隊的“氮化鎵基紫外與深紫外LED關鍵技術”獲得國家科技進步獎。這項技術實現了我國在紫外與深紫外LED領域的重大突破,被評價為“達到了國際先進水平”。紫外線,我們都不陌生。紫外殺菌、紫外驗鈔等都是我們熟知的應用領域。不過,傳統紫外光的產生,要靠真空燈管中電子束激發鹵素來得到,體積大、效率低、能耗高,甚至對環境造成污染。完美解決上述問題的,是紫外與深紫外LED。制造這種器件的基礎,是以氮化鋁(AlN)和氮化鎵(GaN)為代表的Ⅲ族氮化物半導體材料。然而,要想達到紫外與深紫外LED最理想的性能,這種半導體材料的生長絕非易事。紫外光具有更高的光子能量和更短的波長。想讓波長變短,就得增加AlGaN中的Al組分。但是,隨著Al組分的增加,三個重大技術難題又隨之而來:材料缺陷急劇增加、p型摻雜十分困難、折射率升高導致全反射進而降低光提取效率。這正是郝躍院士和團隊花費十余年心血攻克的三個重要難題。隨著這三大核心問題的解決,在材料生長方法、摻雜方法、高效率器件結構等方面也有了創新性突破,獲得中國和美國發明專利授權22項?,F在,1千瓦的紫外LED光源和傳統的3.6千瓦紫外熒光燈照明效果一樣,能耗卻降低72%,壽命自然也延長不少,更重要的是,很大程度上避免了重金屬污染。通過產學研合作轉化,在實現7.1億元產值的同時,50余家芯片、封裝及應用企業應用了該項目的技術和產品,紫外LED器件、紫外燈管、紫外光源模組等產品已經在電子產品制造、印刷、水凈化、醫療、農業等領域有所應用,為主要用戶創造9.7億元經濟效益。2016年,楊銀堂教授團隊的“多層次系統芯片低功耗設計技術”獲得國家科技進步獎。這一成果同樣被評價為“達到了國際先進水平”。死機,是追求速度和高效的現代生活中令人不愉快的一種體驗。造成死機的原因諸多,負載過重是“罪魁禍首”。一些性能普通的手機,常常用著用著就燙“死”了。那么,有沒有可能我們的手機能分屏同時操作多個大容量應用程序而不死機,并且還非常省電呢?答案存在于我們對美好生活的向往中。這樣的手機不僅需要多顆“心臟”,還要能夠高效工作,最大可能降低功耗。多層次系統芯片低功耗設計技術,即是針對國內無線通信、雷達信號處理、衛星通信的迫切需求,旨在降低一個芯片系統整體功耗的技術。在一個芯片系統中,哪里會產生能耗,怎樣控制各部分產生的能耗,是這項技術要解決的根本問題。楊銀堂教授和團隊經過十余年的努力,提出系統芯片多層次協同的設計思想,在系統層、通信層、功率層、電路層等多個層次上實現了低功耗設計,讓系統芯片既能“各司其職”,又能相互配合,完美演繹“協奏曲”?,F在,這項技術廣泛適用于系統集成芯片、數?;旌霞梢约肮β使芾砗凸β兽D換系統,數字信號處理器、多模多頻移動基帶等芯片的功耗水平顯著降低。研究成果近3年來實現直接經濟效益10億元以上。進入下一個十年,實驗室依舊在為更低能耗、更優性能的半導體材料奮斗。建立更大的科研平臺、吸引更多的優秀人才、制造更優質的半導體器件,實驗室一直在努力。或許有一天,西電寬禁帶半導體材料和器件實驗室,會叩響未來更新半導體材料時代的大門。(記者陳圓)(來源 西電新聞網)