久久99精品久久久久久琪琪,久久人人爽人人爽人人片亞洲,熟妇人妻无码中文字幕,亚洲精品无码久久久久久久

半導(dǎo)體絕緣體的禁帶寬度和金屬功函數(shù)

時(shí)間:2019-05-12 20:36:03下載本文作者:會(huì)員上傳
簡(jiǎn)介:寫(xiě)寫(xiě)幫文庫(kù)小編為你整理了多篇相關(guān)的《半導(dǎo)體絕緣體的禁帶寬度和金屬功函數(shù)》,但愿對(duì)你工作學(xué)習(xí)有幫助,當(dāng)然你在寫(xiě)寫(xiě)幫文庫(kù)還可以找到更多《半導(dǎo)體絕緣體的禁帶寬度和金屬功函數(shù)》。

第一篇:半導(dǎo)體絕緣體的禁帶寬度和金屬功函數(shù)

半導(dǎo)體:(室溫)

硅:1.12eV鍺:0.67eV砷化鎵:1.43eV氧化鋅:3.3 eV

絕緣體:

金剛石:6-7eV,金屬的功函數(shù): 一些金屬的功函數(shù)

單位:電子伏特,eV

金屬 功函數(shù) 金屬 功函數(shù) 金屬 功函數(shù) 金屬 功函數(shù) 金屬 功函數(shù) 金屬 功函數(shù) Ag 4.26 Al 4.28 As 3.75 Au 5.1 B 4.45 Ba 2.7 Be 4.98 Bi 4.22 C 5 Ca 2.87 Cd 4.22 Ce 2.9 Co 5 Cr 4.5 Cs 2.14 Cu 4.65 Eu 2.5 Fe 4.5 Ga 4.2 Gd 3.1 Hf 3.9 Hg 4.49 In 4.12 Ir 5.27 K 2.3 La 3.5 Li 2.9 Lu 3.3 Mg 3.66 Mn 4.1 Mo 4.6 Na 2.75 Nb 4.3 Nd 3.2 Ni 5.15 Os 4.83 Pb 4.25 Pt 5.65 Rb 2.16 Re 4.96 Rh 4.98 Ru 4.71 Sb 4.55 Sc 3.5 Se 5.9 Si 4.85 Sm 2.7 Sn 4.42 Sr 2.59 Ta 4.25 Tb 3 Te 4.95 Th 3.4 Ti 4.33 Tl 3.84 U 3.63 V 4.3 W 4.55 Y 3.1 Zn 4.33

第二篇:南大寬禁帶半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室

禁帶半導(dǎo)體紫外探測(cè)器

紫外探測(cè)技術(shù)在國(guó)防預(yù)警與跟蹤、電力工業(yè)、環(huán)境監(jiān)測(cè)及生命科學(xué)領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用,其核心器件是高性能的紫外光電探測(cè)器。

基于半導(dǎo)體材料的固態(tài)紫外探測(cè)器件具有體重小、功耗低、量子效率高、和便于集成等系列優(yōu)勢(shì)。以碳化硅(SiC)和III族氮化物為代表的寬禁帶半導(dǎo)體是近年來(lái)國(guó)內(nèi)外重點(diǎn)研究和發(fā)展的新型第三代半導(dǎo)體材料,具有禁帶寬度大、導(dǎo)熱性能好、電子飽和漂移速度高以及化學(xué)穩(wěn)定性優(yōu)等特點(diǎn),用于制備紫外波段的光探測(cè)器件具有顯著的材料性能優(yōu)勢(shì)。

我們實(shí)驗(yàn)室在寬禁帶半導(dǎo)體紫外探測(cè)器領(lǐng)域具有較強(qiáng)的實(shí)力。率先在國(guó)內(nèi)實(shí)現(xiàn)4H-SiC基紫外雪崩單光子探測(cè)器;分別研制成功高增益同質(zhì)外延GaN基紫外雪崩光電探測(cè)器、國(guó)際上領(lǐng)先的高增益AlGaN基日盲雪崩光電探測(cè)器、具有極低暗電流的AlGaN基MSM日盲深紫外探測(cè)器、高量子效率AlGaN基PIN日盲深紫外探測(cè)器、以及現(xiàn)有芯片面積最大的AlGaN基日盲深紫外探測(cè)器,相關(guān)結(jié)果多次獲得國(guó)際主流媒體的跟蹤報(bào)導(dǎo)。

目前,我們的工作重點(diǎn)是研制高靈敏度寬禁帶半導(dǎo)體紫外探測(cè)器,包括:紫外單光子探測(cè)器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和物理分析,紫外單光子探測(cè)線陣和日盲紫外探測(cè)陣列制備。

寬禁帶半導(dǎo)體功率電子器件

針對(duì)未來(lái)高效電力管理系統(tǒng)、電動(dòng)汽車(chē)和廣泛軍事應(yīng)用大容量化、高密度化和高頻率化的要求,將寬禁帶半導(dǎo)體材料應(yīng)用于高檔次功率電子器件可以有效解決當(dāng)今功率電子器件發(fā)展所面臨的“硅極限”(silicon limit)問(wèn)題,將大幅度降低電能轉(zhuǎn)換過(guò)程中的無(wú)益損耗,在各領(lǐng)域創(chuàng)造可觀的節(jié)能空間。寬禁帶Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體具有強(qiáng)擊穿電場(chǎng)、高飽和漂移速度、高熱導(dǎo)率和良好化學(xué)穩(wěn)定性等系列材料性能優(yōu)勢(shì),是制備新一代功率電子器件的理想材料。這一研究方向近年來(lái)成為國(guó)際上繼GaN基發(fā)光二極管和微波功率器件之后的新興研究熱點(diǎn)。

我們小組在這一研究領(lǐng)域具有較好的基礎(chǔ),已經(jīng)研制成功AlGaN/GaN平面功率二極管,其擊穿電壓大于1100V,功率優(yōu)值系數(shù)高達(dá)280MW/cm2。為了進(jìn)一步研制新型功率電子器件,我們將開(kāi)展相應(yīng)的低缺陷密度GaN厚膜外延生長(zhǎng)、異質(zhì)結(jié)與能帶工程設(shè)計(jì)、功率器件強(qiáng)電場(chǎng)終端技術(shù)、和高功率器件的電接觸物理與鈍化技術(shù)研究等。

新型藍(lán)光及紫外發(fā)光二極管與器件物理

以GaN基發(fā)光二極管(LED)為核心的半導(dǎo)體照明技術(shù)作為新興的光源技術(shù),具有節(jié)能、環(huán)保、長(zhǎng)效等突出優(yōu)勢(shì),具有極為廣闊的市場(chǎng)前景和應(yīng)用價(jià)值。但是,盡管近年來(lái)GaN基LED技術(shù)發(fā)展很快,所報(bào)道的最高發(fā)光效率已超過(guò)250lm/W,GaN基LED研究仍有很多基礎(chǔ)的科學(xué)與技術(shù)問(wèn)題沒(méi)有解決。由于材料制備技術(shù)的不成熟以及大失配強(qiáng)極化材料體系中物理效應(yīng)的復(fù)雜性,GaN基LED在總體性能上還存在很多問(wèn)題,如漏電流高、光抽取效率低、以及大電流注入下發(fā)光效率發(fā)生明顯降低(droop效應(yīng))等,而這些問(wèn)題在AlGaN基深紫外LED和InGaN基綠光LED中尤為明顯。

我們通過(guò)發(fā)展新型的同質(zhì)外延生長(zhǎng)技術(shù)、摻雜技術(shù)、以及量子阱調(diào)控技術(shù),研制高量子效率的藍(lán)光與紫外LED器件;通過(guò)對(duì)不同結(jié)構(gòu)的LED器件進(jìn)行系統(tǒng)的電學(xué)、光電、及可靠性測(cè)量,研究外延層晶體質(zhì)量、器件結(jié)構(gòu)、及工藝參數(shù)對(duì)器件性能的影響,分析器件中載流子的運(yùn)行規(guī)律,解釋器件中各種新奇物理效應(yīng)的成因。

新型光子晶體LED的設(shè)計(jì)與研制是我們的研究重點(diǎn)。目前,影響LED發(fā)光效率的關(guān)鍵因素之一是光抽取效率偏低。當(dāng)有源層內(nèi)產(chǎn)生的光大于逃逸角錐的臨界角時(shí),會(huì)產(chǎn)生全內(nèi)反射。由于氮化物半導(dǎo)體材料的折射率高,其臨界角非常小,使得大部分光局限于半導(dǎo)體內(nèi)部,最終被較厚的基板吸收。

我們可在萃取層刻蝕適當(dāng)尺寸的二維(2D)光子晶體結(jié)構(gòu),以提供額外的倒格矢補(bǔ)償光在出射面的波矢失配,使得局限在半導(dǎo)體內(nèi)的部分光由導(dǎo)波模轉(zhuǎn)變?yōu)楦逹共振輻射模,或者與泄漏模耦合,從而逃逸至自由空間,提高LED的光萃取效率。

非晶氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管

以高分辨率、高動(dòng)態(tài)范圍、高對(duì)比度、高亮度及采用柔性透明基板等為主要特點(diǎn)的新一代顯示技術(shù)已成為當(dāng)今主要顯示器生產(chǎn)商及相關(guān)科研機(jī)構(gòu)的研究熱點(diǎn)。以非晶In-Ga-Zn-O(a-IGZO)為代表的非晶氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管(AOS-TFT)具有驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)、均一性和透明性好、工藝溫度低以及成本適中等優(yōu)點(diǎn),不僅是當(dāng)前實(shí)現(xiàn)高性能顯示器的核心技術(shù),在未來(lái)基于柔性透明存儲(chǔ)、邏輯器件的系統(tǒng)面板(System on Panel)的研發(fā)中也有重要應(yīng)用,因而極具研究?jī)r(jià)值和市場(chǎng)潛力。

然而,目前AOS-TFT在電、熱、光等環(huán)境作用下的可靠性問(wèn)題制約了其在先進(jìn)顯示領(lǐng)域的快速推廣,器件性能發(fā)生退化的物理機(jī)制仍然眾說(shuō)紛紜。我們小組目前已建立起較為完整的用于AOS-TFT研究的器件制備及測(cè)試系統(tǒng),通過(guò)研制新型的氧化物溝道材料、開(kāi)發(fā)新的晶體管工藝流程、以及發(fā)展新的電學(xué)分析手段,旨在提高AOS-TFT的綜合性能和穩(wěn)定性,理解相關(guān)的深層次器件物理問(wèn)題,并計(jì)劃近一步研制基于AOS-TFT的邏輯電路。

新型人工微結(jié)構(gòu)材料及光電器件

光電探測(cè)器的小型化對(duì)集成電路具有重要的意義。然而,主動(dòng)層材料的有效面積減小必然帶來(lái)光響應(yīng)效率的降低。基于亞波長(zhǎng)金屬光柵結(jié)構(gòu)的表面等離激元光電探測(cè)器,可以突破這一瓶頸。

我們可基于紫外或紅外探測(cè)器,通過(guò)在金屬電極中引入新型人工微結(jié)構(gòu),在吸收層與金屬電極界面激發(fā)長(zhǎng)程表面等離激化激元波或局域表面等離激元振蕩,從而調(diào)控入射光的光場(chǎng)分布,提高光的吸收效率;同時(shí)由于外加電場(chǎng)與光場(chǎng)分布的較好重疊,光電轉(zhuǎn)換效率可得到進(jìn)一步的提高。

太赫茲主動(dòng)式特異材料在國(guó)防、成像、傳感和通訊等多個(gè)領(lǐng)域具有廣闊的發(fā)展前景。目前,太赫茲(Terahertz ,THz)頻段(0.1-10THz)的特異材料,無(wú)論是在基礎(chǔ)物理研究方面,還是在功能器件實(shí)現(xiàn)方面,都未得到充分的研究和開(kāi)發(fā)。

我們小組基于有限元技術(shù)(FEM)和時(shí)域有限差分方法(FDTD), 從理論上設(shè)計(jì)非線性和主動(dòng)式THz特異材料,研究電磁波與之相互作用的物理過(guò)程和新奇的物理效應(yīng),包括電響應(yīng)和磁響應(yīng)。同時(shí),將新穎電磁特性和半導(dǎo)體電子學(xué)相結(jié)合,采用先進(jìn)微加工技術(shù),以Ⅲ-V化合物半導(dǎo)體為基底,通過(guò)設(shè)計(jì)和優(yōu)化特異材料的共振結(jié)構(gòu)單元,實(shí)現(xiàn)高效、寬帶、超快響應(yīng)的THz特異材料器件原型(開(kāi)關(guān)、調(diào)制器等),對(duì)THz輻射進(jìn)行實(shí)時(shí)有效的操控。

(Journal papers published in 2016)

Yang, S., Zhou, D., Lu, H., Chen, D., Ren, F., Zhang, R., & Zheng, Y.4H-SiC pin Ultraviolet Avalanche Photodiodes Obtained by Al Implantation.IEEE Photonics Technology Letters, 28(11), 1185-1188,(2016).Yang, S., Zhou, D., Lu, H., Chen, D., Ren, F., Zhang, R., & Zheng, Y.High-Performance 4H-SiC pin Ultraviolet Photodiode With p Layer Formed by Al Implantation.IEEE Photonics Technology Letters, 28(11), 1189-1192,(2016).Li, L.H., Zhou, D., Liu, F., Lu, H., Ren, F., Chen, D., Zhang, R., & Zheng, Y.High Fill-Factor 4H-SiC Avalanche Photodiodes With Partial Trench Isolation.IEEE Photonics Technology Letters, 28(22), 2526-2528,(2016).Xu, W.Z., Ren, F.F., Ye, J., Lu, H., Liang, L., Huang, X., Liu, M., Shadrivov, I.V., Powel, D.A., Yu, G., Jin, B, Zhang, R.Zheng, Y., Tan, H.H., & Jagadish, C.Electrically tunable terahertz metamaterials with embedded large-area transparent thin-film transistor arrays.Scientific Reports, 6:23486,(2016).Cai, X.L., Zhou, D., Yang, S., Lu, H., Chen, D., Ren, F., Zhang, R., & Zheng, Y.4H-SiC SACM Avalanche Photodiode With Low Breakdown Voltage and High UV Detection Efficiency.IEEE Photonics Journal, 8(5), 1-7,(2016).Qian, H.M., Wu, C., Lu, H., Xu, W., Zhou, D., Ren, F., Chen, D., Zhang, R., & Zheng, Y.Bias stress instability involving subgap state transitions in a-IGZO Schottky barrier diodes.Journal of Physics D: Applied Physics, 49(39), 395104,(2016).Chen, Y.F., Lu, H., Chen, D., Ren, F., Zhang, R., & Zheng, Y.High-voltage photoconductive semiconductor switches fabricated on semi-insulating HVPE GaN:Fe template.Physica Status Solidi(c), 13(5-6), 374-377,(2016).Wu, C.F., Chen, Y.F., Lu, H., Huang, X.M., Ren, F.F., Chen, D.J, Zhang, R., & Zheng, Y.D.Contact resistance asymmetry of amorphous indium-gallium-zinc-oxide thin-film transistors by scanning Kelvin probe microscopy.Chinese Physics B, 25(5), 057306,(2016).Tang, L.F., Lu, H., Ren, F.F., Zhou, D., Zhang, R., Zheng, Y.D., & Huang, X.M.Electrical Instability of Amorphous-Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin-Film Transistors under Ultraviolet Illumination.Chinese Physics Letters, 33(3), 038502,(2016).Zhang, G.G., Guo, X., Ren, F.F., Li, Y., Liu, B., Ye, J., Ge, H., Xie, Z., Zhang, R., Tan, H.H., & Jagadish, C.High-Brightness Polarized Green InGaN/GaN Light-Emitting Diode Structure with Al-Coated p-GaN Grating.ACS Photonics, 3(10), 1912-1918,(2016).Chang, J., Chen, D., Yang, L., Liu, Y., Dong, K., Lu, H., Zhang, R., & Zheng, Y.High-Quality Crystal Growth and Characteristics of AlGaN-Based Solar-Blind Distributed Bragg Reflectors with a Tri-layer Period Structure.Scientific Reports, 6:29571,(2016).Chang, J., Chen, D., Xue, J., Dong, K., Liu, B., Lu, H., Zhang, R., & Zheng, Y.AlGaN-Based Multiple Quantum Well Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes With Polarization Doping.IEEE Photonics Journal, 8(1), 1-7,(2016).Liu, Y., Chen, D., Yang, L., Lu, H., Zhang, R., & Zheng, Y.A method of applying compressive pre-stress to AlGaN barrier in AlGaN/GaN heterostructures by depositing an additional thermally mismatched dielectric.Physica Status Solidi(a), 213(9), 2474-2478,(2016).(Journal papers published in 2015)

Dawei Yan, Jian Ren, Guofeng Yang, Shaoqing Xiao, Xiaofeng Gu, Hai Lu, “Surface Acceptor-Like Trap Model for Gate Leakage Current Degradation in Lattice-Matched InAlN/GaN HEMTs,” IEEE Electron Device Letters, vol.36, no.12, pp.1281-1283, 2015.Yunfeng Chen, Hai Lu, Dunjun Chen, Fangfang Ren, Dong Zhou, Rong Zhang, Youdou Zheng, “Demonstration of an AlGaN-based solar-blind high-voltage photoconductive switch,” Journal of Vacuum Science & Technology B, vol.33, no.4, pp.040601, 2015.Yisong Xu, Dong Zhou, Hai Lu, Dunjun Chen, Fangfang Ren, Rong Zhang, Youdou Zheng, “High-temperature and reliability performance of 4H-SiC Schottky-barrier photodiodes for UV detection,” Journal of Vacuum Science & Technology B, vol.33, no.4, pp.040602, 2015.Chenfei Wu, Xiaoming Huang, Hai Lu, Guang Yu, Fangfang Ren, Dunjun Chen, Rong Zhang, Youdou Zheng, “Study on interface characteristics in amorphous indium-gallium-zinc oxide thin-film transistors by using low-frequency noise and temperature dependent mobility measurements,” Solid-State Electronics.vol.109, pp.37-41, 2015.Hui-Min Qian, Guang Yu, Hai Lu, Chen-Fei Wu, Lan-Feng Tang, Dong Zhou, Fang-Fang Ren, Rong Zhang, You-Dou Zheng, Xiao-Ming Huang, “Temperature-dependent bias-stress-induced electrical instability of amorphous indium-gallium-zinc-oxide thin-film transistors,” Chinese Physics B, vol.24, no.7, pp.077307, 2015.Lan-Feng Tang, Guang Yu, Hai Lu, Chen-Fei Wu, Hui-Min Qian, Dong Zhou, Rong Zhang, You-Dou Zheng, Xiao-Ming Huang, “Influence of white light illumination on the performance of a-IGZO thin film transistor under positive gate-bias stress,” Chinese Physics B, vol.24, no.8, pp.088504, 2015.Guang Yu, Chen-Fei Wu, Hai Lu, Fang-Fang Ren, Rong Zhang, You-Dou Zheng, Xiao-Ming Huang, “Frequency Performance of Ring Oscillators Based on a-IGZO Thin-Film Transistors,” Chinese Physics Letters, vol.32, no.4, pp.047302, 2015.Xiaoming Huang, Chenfei Wu, Hai Lu, Fangfang Ren, Hongbo Zhu, Yongjin Wang, “The Effect of Oxygen Partial Pressure during Active Layer Deposition on Bias Stability of a-InGaZnO TFTs,” Chinese Physics Letters, vol.32, no.7, pp.077303, 2015.Fei Liu, Sen Yang, Dong Zhou, Hai Lu, Rong Zhang, You-Dou Zheng, “Discrimination Voltage and Overdrive Bias Dependent Performance Evaluation of Passively Quenched SiC Single-Photon-Counting Avalanche Photodiodes,” Chinese Physics Letters, vol.32, no.8, pp.088503, 2015.Fei Liu, Dong Zhou, Hai Lu, Dunjun Chen, Fangfang Ren, Rong Zhang, Youdou Zheng, “Passive Quenching Electronics for Geiger Mode 4H-SiC Avalanche Photodiodes,” Chinese Physics Letters, vol.32, no.12, pp.128501, 2015.(Journal papers published in 2014)

Xiaoming Huang, Chenfei Wu, Hai Lu, Fangfang Ren, Dunjun Chen, Yanli Liu, Guang Yu, Rong Zhang, Youdou Zheng, Yongjin Wang, “Large-Swing a-IGZO Inverter With a Depletion Load Induced by Laser Annealing.” IEEE Electron Device Letters, vol.35, no.10, pp.1034-1036, 2014.Weizong Xu, Lihua Fu, Hai Lu, Dunjun Chen, Fangfang Ren, Rong Zhang, Youdou Zheng, Ke Wei, Xinyu Liu, “Off-state Breakdown and Leakage Current Transport Analysis of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors.” Microelectronics Reliability, vol.54, no.11, pp.2406-2409, 2014.Tian-Jiao Wang, Wei-Zong Xu, Hai Lu, Fang-Fang Ren, Dun-Jun Chen, Rong Zhang, You-Dou Zheng, “Solar-blind ultraviolet band-pass filter based on metal-dielectric multilayer structures.” Chinese Physics B, vol.23, no.7, pp.074201, 2014.Chao Jiang, Hai Lu, Dun-Jun Chen, Fang-Fang Ren, Rong Zhang, You-Dou Zheng, “Breakdown characteristics of AlGaN/GaN Schottky barrier diodes fabricated on a silicon substrate.” Chinese Physics B, vol.23, no.9, pp.097308, 2014.Fang-Fang Ren, Wei-Zong Xu, Jiandong Ye, Kah-Wee Ang, Hai Lu, Rong Zhang, Mingbin Yu, Guo-Qiang Lo, Hark Hoe Tan, Chennupati Jagadish, “Second-order surface-plasmon assisted responsivity enhancement in germanium nano-photodetectors with bull's eye antennas.” Optical Express, vol.22, no.13, pp.15949-15956, 2014.Dong Zhou, Fei Liu, Hai Lu, Dunjun Chen, Fangfang Ren, Rong Zhang, Youdou Zheng, “High-Temperature Single Photon Detection Performance of 4H-SiC Avalanche Photodiodes.” IEEE Photonics Technology Letters, vol.26, no.11, pp.1136-1138, 2014.Yunfeng Chen, Hai Lu, Guosheng Wang, Dunjun Chen, Fangfang Ren, Rong Zhang, Youdou Zheng, “Metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors directly fabricated on semi-insulating GaN:Fe template grown by hydride vapor phase epitaxy.” Sensors and Actuators A, vol.216, no.1, pp.308–311, 2014.Rong Jiang, Dawei Yan, Hai Lu, Rong Zhang, Dunjun Chen, Youdou Zheng, “Reverse leakage current in AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes.” CHINESE SCIENCE BULLETIN, vol.59, no.12, pp.1276-1279, 2014.Zhenguang Shao, Dunjun Chen, Hai Lu, Rong Zhang, Dapeng Cao, Wenjun Luo, Youdou Zheng, Liang Li, Zhonghui Li, “High-Gain AlGaN Solar-Blind Avalanche Photodiodes.” IEEE Electron Device Letters, vol.35, no.3, pp.372-374, 2014.Xiaofeng Wang, Zhenguang Shao, Dunjun Chen, Hai Lu, Rong Zhang, Youdou Zheng, “Forward Current Transport Mechanisms of Ni/Au-InAlN/AlN/GaN Schottky Diodes.” Chinese Physics Letters, vol.31, no.5, pp.057303, 2014.(Journal papers published in 2013)

G.S.Wang, H.Lu, D.J.Chen, R.Zhang, and Y.D.Zheng, “High quantum efficiency GaN-based p-i-n photodetectors prepared on patterned sapphire substrates,” IEEE Photon.Technol.Lett., vol.25, no.7, pp.652, 2013.Fang-Fang Ren, Jiandong Ye, Hai Lu, Rong Zhang, and Youdou Zheng;“Spectrum broadening of high-efficiency second harmonic generation in cascaded photonic crystal microcavities” Optics Express, vol.21, no.1, pp.756, 2013.Xiaoming Huang, Chenfei Wu, Hai Lu, Fangfang Ren, Dunjun Chen, Rong Zhang, and Youdou Zheng, “Enhanced bias stress stability of amorphous indium-gallium-zinc oxide thin film transistors by inserting ultra-thin InGaZnO:N layer at the channel /gate insulator interface.” Appl.Phys.Lett.vol.102, no.19, pp.193505, 2013.Xiaoming Huang, Chenfei Wu, Hai Lu, Fangfang Ren, Dunjun Chen, Qingyu Xu, Rong Zhang, Youdou Zheng, “Temperature and gate bias dependence of carrier transport mechanisms in amorphous indium-gallium-zinc oxide thin film transistors.” Solid-State Electronics.vol.86, pp.41, 2013.Yong Lei, Hai Lu, Dongsheng Cao, Dunjun Chen, Rong Zhang, Youdou Zheng;“Reverse leakage mechanism of Schottky barrier diode fabricated on homoepitaxial GaN” Solid-State Electronics vol.82, pp.63, 2013.ZHOU Dong, LU Hai, CHEN Dun-Jun, REN Fang-Fang, ZHANG Rong, ZHENG You-Dou, LI Liang;“Vacuum Violet Photo-Response of AlGaN-Based Metal-Semiconductor-Metal Photodetectors” Chin.Phys.Lett., vol.30, no.11, pp.117301, 2013.XU Wei-Zong, FU Li-Hua, LU Hai , REN Fang-Fang, CHEN Dun-Jun, ZHANG Rong, ZHENG You-Dou;“GaN Schottky Barrier Diodes with High-Resistivity Edge Termination Formed by Boron Implantation” Chinese Physics Letters, vol.30, no.5, pp.057301, 2013.Jiang Rong, Lu Hai, Chen Dun-Jun, Ren Fang-Fang, Yan Da-Wei, Zhang Rong, Zheng You-Dou;“Temperature-dependent efficiency droop behaviors of GaN-based green light-emitting diodes” Chin.Phys.B, vol.22, no.4, pp.047805, 2013.Wang Guosheng, Xie Feng, Lu Hai, Chen Dunjun, Zhang Rong, Zheng Youdou, Li Liang, Zhou Jianjun;“Performance comparison of front-and back-illuminated AlGaN-based metal-semiconductor-metal solar-blind ultraviolet photodetectors,” Journal of Vacuum Science & Technology B, vol.31, no.1, pp.011202, 2013.LIAN Hai-Feng,WANG Guo-Sheng, LU Hai, REN Fang-Fang, CHEN Dun-Jun, ZHANG Rong, ZHENG You-Dou;“High deep-ultraviolet quantum efficiency GaN p-i-n photodetectors with thin p-GaN contact layer ” Chinese Physics Letters, vol.30, no.1, pp.017302, 2013.Lili Zhang, Kexiu Dong, Dunjun Chen, Yanli Liu, Junjun Xue, Hai Lu, Rong Zhang and Youdou Zheng;“Solar-blind ultraviolet AlInN/AlGaN distributed Bragg reflectors” Appl.Phys.Lett.vol.102, no.24, pp.242112, 2013.Ke Xiu Dong, Dun Jun Chen, Hai Lu, Bin Liu, Ping Han, Rong Zhang, You Dou Zheng;“Exploitation of Polarization in Back-Illuminated AlGaN Avalanche Photodiodes” Photonics Technology Letters, vol.25, no.15, pp.1510, 2013.(Journal papers published in 2012)

Feng Xie, Hai Lu, Dunjun Chen, Member, IEEE, Xiaoli Ji, Feng Yan, Rong Zhang, Youdou Zheng, Liang Li, and Jianjun Zhou;“Ultra-Low Dark Current AlGaN-Based Solar-Blind Metal–Semiconductor–Metal Photodetectors for High-Temperature Applications.” IEEE Sensors Journal, vol.12, no.6, pp.2086, 2012.Dawei Yan, Hai Lu, Dunjun Chen, Rong Zhang, Youdou Zheng, Xu Qian, Aidong Li;“Distribution of deep-level traps at atomic-layer-deposited Al2O3/n-GaN interface.” Solid-State Electronics, vol.72, pp.56, 2012.Xiaoming Huang, Chenfei Wu, Hai Lu, Fangfang Ren, Qingyu Xu et al.“Electrical instability of amorphous indium-gallium-zinc oxide thin film transistors under monochromatic light illumination.” Appl.Phys.Lett., vol.100, no.24, pp.243505, 2012.WANG Guo-Sheng, LU Hai, XIE Feng, CHEN Dun-Jun, REN Fang-Fang, ZHANG Rong, ZHENG You-Dou;“High Quantum Efficiency Back-Illuminated AlGaN-Based Solar-Blind Ultraviolet P-I-N Photodetectors.” Chinese Physics Letters, vol.29, no.9, pp.097302, 2012.HUANG Xiao-Ming, WU Chen-Fei, LU Hai, XU Qing-Yu, ZHANG Rong, ZHENG You-Dou;“Impact of Interfacial Trap Density of States on the Stability of Amorphous InGaZnO-Based Thin-Film Transistors.” Chinese Physics Letters.vol.29, no.6, pp.067302, 2012.Huang, Y.;Chen, D.J.;Lu, H.;Dong, K.X.;Zhang, R.;Zheng, Y.D.;Li, L.;Li, Z.H.;“Back-illuminated separate absorption and multiplication AlGaN solar-blind avalanche photodiodes,” Appl.Phys.Lett., vol.101, no.25, pp.253516, 2012.Feng Xie, Hai Lu, Dunjun Chen, Member, IEEE, Fangfang Ren, Rong Zhang, and Youdou Zheng;“Bias-Selective Dual-Operation-Mode Ultraviolet Schottky-Barrier Photodetectors Fabricated on High-Resistivity Homoepitaxial GaN” IEEE Photonics Technology Letters, vol.24, no.24, pp.2203, 2012.FU Li-Hua, LU Hai, CHEN Dun-Jun, ZHANG Rong, ZHENG You-Dou, WEI Ke, and LIU Xin-Yu;“High-field-induced electron detrapping in an AlGaN/GaN high electron mobility transistor,” Chinese Physics B, vol.21, no.10, pp.108503, 2012.Jun Jun Xue, Dunjun Chen, Member, IEEE, Yanli Liu, Bin Liu, Hai Lu, Rong Zhang, and Youdou Zheng;“Improvements in Microstructure and Leakage Current of High-In-Content InGaN p-i-n Structure by Annealing,” IEEE Photonics Technology Letters, vol.24, no.17, pp.1478, 2012.Jun Jun Xue, Dunjun Chen, Member, IEEE, Bin Liu, Hai Lu, Rong Zhang, Youdou Zheng, Andrew M.Wowchak, Amir M.Dabiran, K.Xu, and J.P.Zhang;“Indium-rich InGaN epitaxial layers grown pseudomorphically on a nano-sculpted InGaN template” Optics Express, vol.20, no.7, pp.8093, 2012.Kexiu Dong, Dunjun Chen, Bin Liu, Hai Lu, Peng Chen et al.;“Characteristics of polarization-doped N-face III-nitride light-emitting diodes,” Appl.Phys.Lett., vol.100, no.7, pp.073507, 2012.(Journal papers published in 2011)

F.Xie, Hai Lu, D.J.Chen, X.Q.Xiu, XQ, H.Zhao, R.Zhang, Y.D.Zheng;“Metal-Semiconductor-Metal Ultraviolet Avalanche Photodiodes Fabricated on Bulk GaN Substrate.” IEEE Electron Device Lett., vol.32, no.9, pp.1260, 2011.F.Xie, Hai Lu, D.J.Chen, P.Han, R.Zhang, Y.D.Zheng, L.Li, W.H.Jiang, C.Chen;“Large-area solar-blind AlGaN-based MSM photodetectors with ultra-low dark current.” Electronics Letters, vol.47, no.16, pp.930, 2011.Y.Huang, D.J.Chen, Hai Lu, R.Zhang, Y.D.Zheng, L.Li, X.Dong, Z.H.Li, C.Chen, T.S.Chen;“Identifying Interface States in AlInN/GaN Heterostructure by Photocurrent Method.” IEEE Electron Device Lett., vol.32, no.8, pp.1071, 2011.F.Xie, Hai Lu, D.J.Chen, P.Han, R.Zhang, Y.D.Zheng, L.Li, W.H.Jiang, C.Chen;“GaN MSM photodetectors fabricated on bulk GaN with low dark-current and high UV/visible rejection ratio.” Phys.Status Solidi C.8, 2473(2011)

CAO Dong-Sheng, LU Hai , CHEN Dun-Jun, HAN Ping, ZHANG Rong and ZHENG You-Dou;“1100+ V AlGaN/GaN-based planar Schottky barrier diode without edge termination.” Chinese Physics Letters., vo.28, no.1, pp.017303, 2011.R.F.Qiu, Hai Lu, D.J.Chen, R.Zhang, Y.D.Zheng;“Optimization of inductively coupled plasma deep etching of GaN and etching damage analysis.” Applied Surface Science, vol.257, no.7, pp.2700, 2011.F.X.Wang, Hai Lu, X.Q.Xiu, D.J.Chen, P.Han, R.Zhang, Y.D.Zheng;“Leakage current and sub-bandgap photo-response of oxygen-plasma treated GaN Schottky barrier diodes.” Applied Surface Science, vol.257, no.9, pp.3948, 2011.X.J.Shao, D.W.Yan, Hai Lu, D.J.Chen, R.Zhang, Y.D.Zheng;“Efficiency droop behavior of GaN-based light emitting diodes under reverse-current and high-temperature stress.” Solid-State Electronics, vol.57, no.1, pp.9, 2011.F.Xie, Hai Lu, X.Q.Xiu, D.J.Chen, P.Han, R.Zhang, Y.D.Zheng;“Low dark current and internal gain mechanism of GaN MSM photodetectors fabricated on bulk GaN substrate.” Solid-State Electronics, vol.57, no.1, pp.39 , 2011.L.H.Fu, Hai Lu, D.J.Chen, R.Zhang, Y.D.Zheng, T.S.Chen, K.Wei, X.Y.Liu;“Field-dependent carrier trapping induced kink effect in AlGaN/GaN high electron mobility transistors.” Appl.Phys.Lett., vol.98, no.17, pp.173508 , 2011.Z.G.Shao, D.J.Chen, B.Liu, Hai Lu, Z.L.Xie, R.Zhang, Y.D.Zheng;“Current transport mechanisms of InGaN metal-insulator-semiconductor photodetectors.” Journal of Vacuum Science & Technology B, vol.29, no.5, pp.051201 , 2011.Fang-Fang Ren, K.W.Ang, J.D.Ye, M.B.Yu, G.Q.Lo, and D.L.Kwong, “Split bull’s eye shaped aluminum antenna for plasmon-enhanced nanometer scale germanium photodetector.” Nano Letters, vol.11, no.3, pp.1289 , 2011.(Journal papers published in 2010)

F.X.Wang, Hai Lu, X.Q.Xiu, D.J.Chen, R.Zhang, Y.D.Zheng;“Dislocation Clustering and Luminescence Nonuniformity in Bulk GaN and Its Homoepitaxial Film.” Journal of Electronic Materials, vol.39, no.10, pp.2243, 2010.D.W.Yan, Hai Lu, D.S.Cao, D.J.Chen, R.Zhang, Y.D.Zheng;“On the reverse gate leakage current of AlGaN/GaN high electron mobility transistors.” Appl.Phys.Lett., vol.97, no.15, pp.153503, 2010.Y.Huang, D.J.Chen, Hai Lu, H.B.Shi, P.Han, R.Zhang, Y.D.Zheng YD;“Photocurrent characteristics of two-dimensional-electron-gas-based AlGaN/GaN metal-semiconductor-metal photodetectors.” Appl.Phys.Lett., vol.96, no.24, pp.243503, 2010.D.W.Yan, Hai Lu, D.J.Chen, R.Zhang, Y.D.Zheng;“Forward tunneling current in GaN-based blue light-emitting diodes.” Appl.Phys.Lett., vol.96, no.8, pp.083504, 2010.DU Xiao-Zhang, LU Hai, CHEN Dun-Jun, XIU Xiang-Qian, ZHANG Rong and ZHENG You-Dou;“UV light-emitting diodes at 340 nm fabricated on a bulk GaN substrate.” Chinese Physics Letters, vol.27, no.8, pp.088105, 2010.Fang-Fang Ren, K.W.Ang, J.F.Song, Q.Fang, M.B.Yu, G.Q.Lo, and D.L.Kwong;“Surface plasmon enhanced responsivity in a waveguided germanium metal-semiconductor-metal photodetector”, Appl.Phys.Lett., vol.97, no.9, pp.091102, 2010.

第三篇:物理所寬禁帶半導(dǎo)體材料研究與應(yīng)用團(tuán)隊(duì)主要先進(jìn)事跡

物理所寬禁帶半導(dǎo)體材料研究與應(yīng)用團(tuán)隊(duì)主要先進(jìn)事跡

多年來(lái),該團(tuán)隊(duì)在SiC、GaAs、GaN等晶體和外延材料領(lǐng)域取得了豐碩成果。系統(tǒng)開(kāi)展了SiC晶體生長(zhǎng)設(shè)備、晶體生長(zhǎng)和加工技術(shù)研究,成功生長(zhǎng)出2-4英寸高質(zhì)量晶體,在國(guó)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)SiC晶體的產(chǎn)業(yè)化,成功打破了國(guó)外壟斷。采用濕法腐蝕和寬窄阱耦合技術(shù)生長(zhǎng)出低位錯(cuò)密度外延材料,部分消除極化效應(yīng),大幅提升LED內(nèi)量子效率。

先后承擔(dān)國(guó)家“973”、“863”、科技支撐和02專(zhuān)項(xiàng)等項(xiàng)目數(shù)十項(xiàng);發(fā)表SCI論文300余篇,申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專(zhuān)利50余項(xiàng)(已授權(quán)20余項(xiàng));將多項(xiàng)科研成果產(chǎn)業(yè)化,實(shí)現(xiàn)了良好社會(huì)經(jīng)濟(jì)效益。

國(guó)家天文臺(tái)郭守敬望遠(yuǎn)鏡(LAMOST)團(tuán)隊(duì)主要先進(jìn)事跡

該團(tuán)隊(duì)在建設(shè)國(guó)家重大科學(xué)工程LAMOST的十多年中,全體人員勇于創(chuàng)新、鍥而不舍、團(tuán)結(jié)協(xié)作、精益求精,全面優(yōu)質(zhì)地完成了工程建設(shè)任務(wù)。建成了目前國(guó)際上光譜獲取率最高、口徑最大的大視場(chǎng)望遠(yuǎn)鏡,得到了國(guó)際天文界的高度評(píng)價(jià),使我國(guó)大視場(chǎng)多目標(biāo)光纖光譜的觀測(cè)設(shè)備處于國(guó)際領(lǐng)先地位,并使我國(guó)望遠(yuǎn)鏡研制技術(shù)實(shí)現(xiàn)了跨越式發(fā)展,顯著提升了我國(guó)在該領(lǐng)域的自主創(chuàng)新能力。2009年6月LAMOST項(xiàng)目圓滿地通過(guò)了國(guó)家竣工驗(yàn)收。

LAMOST項(xiàng)目的關(guān)鍵技術(shù)之一“大口徑主動(dòng)光學(xué)實(shí)驗(yàn)望遠(yuǎn)鏡裝臵”獲得2006國(guó)家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步二等獎(jiǎng)。

聲學(xué)所聲學(xué)智能制導(dǎo)實(shí)驗(yàn)室主要先進(jìn)事跡

從事水聲學(xué)、信息與信號(hào)處理研究已有40余年。實(shí)驗(yàn)室自2000年開(kāi)始承擔(dān)了國(guó)家某重大科研項(xiàng)目的研制,該項(xiàng)目是我院近年來(lái)第一個(gè)擔(dān)負(fù)總技術(shù)責(zé)任單位的國(guó)家重點(diǎn)國(guó)防工程項(xiàng)目。經(jīng) 過(guò)十年的努力,2010年6月項(xiàng)目圓滿完成了考核驗(yàn)收試驗(yàn)。更為可貴的是,在僅兩個(gè)半月的時(shí)間內(nèi)完成了10余次出海試驗(yàn),創(chuàng)造了行業(yè)內(nèi)考核項(xiàng)目最復(fù)雜、考核時(shí)間最短、試驗(yàn)零安全事故、產(chǎn)品準(zhǔn)備零責(zé)任事故、所有技術(shù)指標(biāo)滿足或超過(guò)研制要求的成績(jī)。項(xiàng)目組堅(jiān)持走自主創(chuàng)新的道路,突破了30余項(xiàng)全新技術(shù),產(chǎn)品主要性能指標(biāo)達(dá)到世界同類(lèi)產(chǎn)品的領(lǐng)先水平, 大幅提升了我國(guó)相關(guān)水下技術(shù)領(lǐng)域的自主創(chuàng)新水平,引領(lǐng)帶動(dòng)了相關(guān)行業(yè)的技術(shù)發(fā)展,后續(xù)直接產(chǎn)值將超過(guò)60億元。

化學(xué)所中國(guó)科學(xué)院光化學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主要先進(jìn)事跡

在有機(jī)及高分子光物理與光化學(xué)、光功能材料與光電化學(xué)、光催化及環(huán)境光化學(xué)和生物光化學(xué)的基礎(chǔ)研究和應(yīng)用基礎(chǔ)研究中取得一系列重要成果。

近五年承擔(dān)的重大項(xiàng)目包括、國(guó)家“973”項(xiàng)目1項(xiàng)、課題3項(xiàng);國(guó)家重大科學(xué)研究計(jì)劃項(xiàng)目1項(xiàng);國(guó)家自然科學(xué)基金委“創(chuàng)新研究群體”1項(xiàng)、杰出青年基金1項(xiàng)、重點(diǎn)項(xiàng)目8項(xiàng)、重大國(guó)際合作2項(xiàng);創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)國(guó)際合作伙伴計(jì)劃1項(xiàng)、中科院“百人計(jì)劃”3項(xiàng)。

獲得國(guó)家自然科學(xué)二等獎(jiǎng)2項(xiàng),北京市科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)1項(xiàng);中科院院長(zhǎng)獎(jiǎng)學(xué)金特別獎(jiǎng)3項(xiàng)。近五年發(fā)表論文403篇,其中在JACS, Angew.Chem.Int.Ed.等最重要雜志上發(fā)表論文38篇;授權(quán)專(zhuān)利26項(xiàng)。

心理所青海玉樹(shù)地震科技救災(zāi)心理援助工作隊(duì)

主要先進(jìn)事跡

履行創(chuàng)新為民的使命,在當(dāng)?shù)卣闹С窒?迅速成立了震后心理援助玉樹(shù)和西寧工作站,為心理援助工作提供了組織保障。

深入災(zāi)區(qū),積極開(kāi)展心理援助服務(wù)。開(kāi)展20余場(chǎng)團(tuán)體培訓(xùn),培植本土心理援助力量5200余人次;為215戶受災(zāi)群眾和112 2 戶傷殘人員提供面對(duì)面心理輔導(dǎo),重點(diǎn)救助住院傷病員700余名和異地復(fù)學(xué)兒童500余名,極大緩解了震后創(chuàng)傷及異地復(fù)學(xué)不適的心理問(wèn)題;協(xié)助當(dāng)?shù)卣贫ㄐ睦碓暌?guī)劃,為持續(xù)規(guī)范開(kāi)展援助奠定基礎(chǔ)。發(fā)揮科學(xué)思想庫(kù)作用,向黨和國(guó)家上報(bào)6份災(zāi)后心理援助和社會(huì)穩(wěn)定有關(guān)的政策建議,2份被中辦采用。發(fā)揮了心理學(xué)國(guó)家隊(duì)的引領(lǐng)作用,受到青海省政府和社會(huì)的好評(píng)和高度認(rèn)可。

電子所航天微波遙感系統(tǒng)部主要先進(jìn)事跡

出色完成了多項(xiàng)國(guó)家重點(diǎn)型號(hào)工程任務(wù),在我國(guó)航天星載微波遙感對(duì)地觀測(cè)載荷研制領(lǐng)域確立了主導(dǎo)和引領(lǐng)地位,切實(shí)發(fā)揮了“火車(chē)頭”的作用。成功研制出我國(guó)多型首套航空機(jī)載合成孔徑雷達(dá)系統(tǒng)裝備,在汶川抗震救災(zāi)飛行中發(fā)揮了重要作用,2008年被授予“創(chuàng)新為民、科技救災(zāi)”光榮稱(chēng)號(hào)。

科研成果獲得多項(xiàng)國(guó)家和院(部)級(jí)獎(jiǎng)勵(lì):包括國(guó)家科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)兩項(xiàng),中國(guó)科學(xué)院杰出成就獎(jiǎng)一項(xiàng),國(guó)防科技進(jìn)步特等獎(jiǎng)一項(xiàng)、一等獎(jiǎng)兩項(xiàng)、二等獎(jiǎng)、三等獎(jiǎng)各一項(xiàng),發(fā)表論文數(shù)百篇。

大連化物所甲醇制烯烴國(guó)家工程實(shí)驗(yàn)室主要先進(jìn)事跡

完成新一代甲醇制烯烴(DMTO-II)技術(shù)工業(yè)性試驗(yàn)并通過(guò)鑒定。實(shí)現(xiàn)世界首套甲醇制烯烴(DMTO)工業(yè)裝臵開(kāi)車(chē)成功并取得突破性進(jìn)展。

完成“渣油制烯烴催化劑研制”、中國(guó)科學(xué)院“天然氣、油田氣綜合利用”等重大項(xiàng)目;完成“催化組合化學(xué)”知識(shí)創(chuàng)新重要方向項(xiàng)目和“天然氣制烯烴”國(guó)家“973”計(jì)劃基礎(chǔ)研究課題。目前承擔(dān)中科院知識(shí)創(chuàng)新重要方向項(xiàng)目2項(xiàng)。獲省部級(jí)以上獎(jiǎng)勵(lì)4項(xiàng),市級(jí)獎(jiǎng)勵(lì)2項(xiàng)。經(jīng)過(guò)鑒定的科技成果4項(xiàng),發(fā)表科技論文192篇,申請(qǐng)發(fā)明專(zhuān)利。為國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展、產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整升級(jí)、促進(jìn)我國(guó)煤化工事業(yè)的發(fā)展做出更大的貢獻(xiàn)。上海硅酸鹽所鈉硫電池研究團(tuán)隊(duì)主要先進(jìn)事跡

近年來(lái)鈉硫電池研究團(tuán)隊(duì)研制成功從核心材料、單體電池到電池模塊和儲(chǔ)能系統(tǒng)以及核心裝備的鈉硫儲(chǔ)能電池的成套技術(shù)。研制成功大容量單體電池,建成2兆瓦單體電池的中試線,實(shí)現(xiàn)了電池的小批量制備。100千瓦/800千瓦時(shí)儲(chǔ)能系統(tǒng)在上海世博會(huì)期間成功實(shí)現(xiàn)并網(wǎng)運(yùn)行并對(duì)外展示,現(xiàn)已進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)階段,項(xiàng)目取得核心專(zhuān)利20余項(xiàng)。承擔(dān)了科技部支撐計(jì)劃、上海市科委重大、中科院方向性項(xiàng)目以及上海電力公司的多個(gè)項(xiàng)目。大容量鈉硫儲(chǔ)能電池研制成功被兩院院士評(píng)選為2009年中國(guó)十大科技進(jìn)展新聞。

鈉硫電池的突破使我國(guó)成為繼日本之后第二個(gè)掌握鈉硫電池核心技術(shù)的國(guó)家。

武漢植物園植物資源可持續(xù)利用中心主要先進(jìn)事跡

該中心遵循?Resources-Research-Resolution?的3R 模式,開(kāi)展果樹(shù)、藥用、能源、微藻、草坪、觀賞、水生等特色資源植物種質(zhì)評(píng)價(jià)、基因發(fā)掘、新品種選育等研究,取得了具有特色的基礎(chǔ)與應(yīng)用研究成果,為國(guó)家生物產(chǎn)業(yè)和社會(huì)經(jīng)濟(jì)可持續(xù)發(fā)展做出了重要貢獻(xiàn)。

主持美國(guó)NSF-Gates項(xiàng)目、國(guó)家自然基金重點(diǎn)項(xiàng)目、國(guó)家?973?與?863?項(xiàng)目等40余項(xiàng)。在Mol Biol Evol和Plant Physiol等著名SCI刊物發(fā)表學(xué)術(shù)論文近百篇,取得10余項(xiàng)發(fā)明專(zhuān)利,獲得多項(xiàng)院教學(xué)獎(jiǎng),產(chǎn)生社會(huì)經(jīng)濟(jì)效益近5億元。

成都山地所中國(guó)科學(xué)院山地災(zāi)害與地表過(guò)程重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)

室主要先進(jìn)事跡

5年來(lái)先后承擔(dān)了西部重要干線的道路泥石流減災(zāi)項(xiàng)目50余項(xiàng),保護(hù)干線公路鐵路15條,保障了山區(qū)干線公路的安全和 4 暢通。高效完成西部大開(kāi)發(fā)的重大工程項(xiàng)目“西氣東輸”選線設(shè)計(jì)和建設(shè)過(guò)程中的地質(zhì)災(zāi)害防治工作并獲好評(píng)。在汶川地震和舟曲特大泥石流發(fā)生后,先后有200余人次赴災(zāi)區(qū),為國(guó)家部委和地方提供專(zhuān)家咨詢和編寫(xiě)減災(zāi)技術(shù)資料。2008年和2010年,美國(guó)《Science》雜志對(duì)實(shí)驗(yàn)室科技工作給予5次專(zhuān)訪和專(zhuān)題報(bào)道。

研究成果先后榮獲四川省科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)、國(guó)家科技進(jìn)步二等獎(jiǎng),減災(zāi)效益超過(guò)40億元。發(fā)表論文200余篇,撰寫(xiě)咨詢報(bào)告9份,其中5份得到了國(guó)家領(lǐng)導(dǎo)人批示。

西安光機(jī)所高功率半導(dǎo)體激光器封裝與表征研究室

主要先進(jìn)事跡

研究室成立于2007年10月,自主研發(fā)高功率半導(dǎo)體激光器技術(shù),在熱管理、無(wú)銦化技術(shù)、低smile技術(shù)、光譜控制和功率擴(kuò)展等方面取得重要成果,承擔(dān)并高質(zhì)量完成了多項(xiàng)重要科研項(xiàng)目。2008年實(shí)現(xiàn)了高占空比(8%)下百千瓦準(zhǔn)連續(xù)超大功率半導(dǎo)體激光器系統(tǒng);2009年制備兩款世界首創(chuàng)的新器件及產(chǎn)品;2010年研制成功500瓦雙量子阱大功率器件。發(fā)表論文10多篇,申請(qǐng)各項(xiàng)專(zhuān)利37項(xiàng),其中授權(quán)11項(xiàng),2項(xiàng)PCT專(zhuān)利。2009年獲陜西省科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)。

目前,該實(shí)驗(yàn)室建立了產(chǎn)學(xué)研基地,積極推進(jìn)科技成果轉(zhuǎn)化,以該基地為平臺(tái)建成5條生產(chǎn)線,實(shí)現(xiàn)產(chǎn)值逾4000萬(wàn)元,催生出戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)并得到蓬勃發(fā)展,為地方經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展做出了貢獻(xiàn)。

近代物理所ECR離子源室主要先進(jìn)事跡

從1991年開(kāi)始,自主研制成功多臺(tái)不同頻率,不同結(jié)構(gòu)的ECR離子源,使我國(guó)在這一領(lǐng)域處于目前國(guó)際領(lǐng)先水平。在世界上首次研制成功具有原創(chuàng)結(jié)構(gòu)的超導(dǎo)高電荷態(tài)ECR離子源SECRAL,產(chǎn)生了高電荷態(tài)離子束流強(qiáng)度的許多世界記錄,是目前世界上性能最好的高電荷態(tài)ECR離子源之一;研制成功國(guó)際 上磁場(chǎng)最高、性能最好的全永磁高電荷態(tài)ECR離子源LAPECR2。

曾獲得“中科院科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)”、“國(guó)家科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)”和國(guó)際離子源領(lǐng)域最高獎(jiǎng)項(xiàng)“明亮獎(jiǎng)”等多種獎(jiǎng)勵(lì);自2005年以來(lái),該室發(fā)表SCI/EI論文33篇。各類(lèi)ECR離子源的成功研制和投入運(yùn)行,使蘭州重離子加速器及各類(lèi)綜合平臺(tái)的束流強(qiáng)度和整體性能大幅提高,為我國(guó)開(kāi)展核物理和原子物理等研究提供了前所未有的實(shí)驗(yàn)條件。

新疆生地所塔里木沙漠公路生態(tài)工程研究團(tuán)隊(duì)

主要先進(jìn)事跡

為了防治塔里木沙漠公路的風(fēng)沙危害,該團(tuán)隊(duì)在茫茫沙漠中二十余年如一日,用他們的知識(shí)和汗水譜寫(xiě)他們的沙漠人生。先后承擔(dān)了國(guó)家“973”、攻關(guān)、自治區(qū)攻關(guān)等重要科研項(xiàng)目,解決了一系列理論和技術(shù)難題,在塔克拉瑪干沙漠腹地建成了一條436公里的綠色走廊。不僅為塔里木油氣資源的勘探開(kāi)發(fā)和新疆的經(jīng)濟(jì)發(fā)展做出了重大貢獻(xiàn),而且進(jìn)一步鞏固了中國(guó)在該領(lǐng)域研究的領(lǐng)先地位。“綠色走廊穿越塔克拉瑪干沙漠”被兩院院士評(píng)選為2006年中國(guó)十大科技進(jìn)展新聞,“塔里木沙漠公路防護(hù)林生態(tài)工程”被評(píng)為2008國(guó)家十大環(huán)境友好工程、獲國(guó)家科技進(jìn)步二等獎(jiǎng),目前其研究成果已經(jīng)在新疆、非洲及中亞得到推廣應(yīng)用。

科學(xué)出版社科學(xué)出版中心主要先進(jìn)事跡

該中心是科學(xué)出版社的核心出版單位,在科研成果歸納整理、傳播轉(zhuǎn)移、交流轉(zhuǎn)化等方面做出了突出貢獻(xiàn)。

中心出版了《中國(guó)科學(xué)院研究生教學(xué)叢書(shū)》、《當(dāng)代杰出青年科學(xué)文庫(kù)》、《純粹數(shù)學(xué)與應(yīng)用數(shù)學(xué)專(zhuān)著叢書(shū)》、《中國(guó)植物志》等大批代表中國(guó)科技發(fā)展最高水平的精品力作,獲得中國(guó)圖書(shū)政府獎(jiǎng)2種,國(guó)家圖書(shū)獎(jiǎng)6種,中國(guó)圖書(shū)獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)7種,全國(guó)優(yōu)秀科 技圖書(shū)獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)30多種,國(guó)家自然科學(xué)獎(jiǎng)8種,國(guó)家科技進(jìn)步獎(jiǎng)6種,入選國(guó)家十一五重點(diǎn)圖書(shū)出版規(guī)劃項(xiàng)目27種。

中心年出版圖書(shū)品種近700多種,產(chǎn)值近1.2億元。生命科學(xué)、資源環(huán)境等類(lèi)圖書(shū)均居全國(guó)市場(chǎng)份額第一位,是專(zhuān)著、基礎(chǔ)理論、基本資料出版的第一品牌。

成都信息技術(shù)有限公司辦公自動(dòng)化事業(yè)部主要先進(jìn)事跡

該團(tuán)隊(duì)早在1977年就開(kāi)始大型會(huì)議自動(dòng)化設(shè)備的研發(fā),該會(huì)議選舉系統(tǒng)已成為黨中央和全國(guó)人大指定的為黨和國(guó)家重大會(huì)議提供服務(wù)的設(shè)備之一。三十多年來(lái),該團(tuán)隊(duì)已先后為黨和國(guó)家從十二大至十七大、六屆至十一屆全國(guó)人大、政協(xié)等歷次重大會(huì)議提供選舉服務(wù),都取得了圓滿成功,得到黨和國(guó)家領(lǐng)導(dǎo)人的一致肯定和參會(huì)代表的高度評(píng)價(jià)。2007年10月22日,胡錦濤總書(shū)記在十七屆一中全會(huì)結(jié)束后專(zhuān)門(mén)打電話給中辦領(lǐng)導(dǎo),表示對(duì)會(huì)議選舉工作十分滿意,并說(shuō):“沒(méi)想到電子選舉系統(tǒng)這么快,這么準(zhǔn)確,這么先進(jìn),請(qǐng)向工作人員表示祝賀!”

該系列產(chǎn)品獲得國(guó)家科技進(jìn)步三等獎(jiǎng)、中科院科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)、四川省科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)等重要獎(jiǎng)項(xiàng)。

第四篇:院士領(lǐng)銜,一步步做強(qiáng)中國(guó)“芯”,這里是西安電子科技大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

院士領(lǐng)銜,一步步做強(qiáng)中國(guó)“芯”,這里是西安電子科技大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

在現(xiàn)代世界里,沒(méi)有人能和“半導(dǎo)體”脫離了關(guān)系。我們每天滑的手機(jī)、看的電視、用的電腦、開(kāi)的燈,都有半導(dǎo)體器件在里面工作。從一定程度上來(lái)說(shuō),正如互聯(lián)網(wǎng)改變了世界,半導(dǎo)體也影響著世界的發(fā)展。從19世紀(jì)上半葉發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體,到第一代、第二代、第三代半導(dǎo)體相繼問(wèn)世,近2個(gè)世紀(jì)以來(lái),尋找更高性能、更穩(wěn)定、更優(yōu)質(zhì)的半導(dǎo)體,一直是該領(lǐng)域科學(xué)家們不懈的追求。在中國(guó),提到半導(dǎo)體特別是寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件研究,有一個(gè)地方必然會(huì)凝聚大家的目光。這就是西安電子科技大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室。不久前,教育部信息領(lǐng)域重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室評(píng)估結(jié)果公布,繼上一個(gè)評(píng)估期獲評(píng)優(yōu)秀之后,她又一次把“優(yōu)秀”收入囊中。以中國(guó)科學(xué)院院士郝躍教授為學(xué)術(shù)帶頭人,這里匯聚了一批“千人計(jì)劃”“長(zhǎng)江學(xué)者”“杰青”等國(guó)內(nèi)外杰出人才,連續(xù)兩年斬獲國(guó)家科技進(jìn)步獎(jiǎng),一步一步做強(qiáng)中國(guó)“芯”。高瞻遠(yuǎn)矚造就先發(fā)優(yōu)勢(shì) 優(yōu)秀成為一種習(xí)慣國(guó)內(nèi)對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體的研究,差不多始于上個(gè)世紀(jì)90年代中后期。那時(shí)候,半導(dǎo)體材料已經(jīng)經(jīng)歷了由硅(Si)和鍺(Ge)向砷化鎵(GaAs)的過(guò)渡,這顯然已經(jīng)是一個(gè)進(jìn)步了。但是,不止于此,尋找更低能耗、更優(yōu)性能的半導(dǎo)體材料的腳步,在西電,在當(dāng)時(shí)的微電子研究所,在郝躍教授堅(jiān)定的科研方向中踏了出去。在這個(gè)“冷門(mén)”里,郝躍和團(tuán)隊(duì)孤獨(dú)奮戰(zhàn)了近十年。直到2005年前后,國(guó)內(nèi)寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開(kāi)始發(fā)展之時(shí),大批研究機(jī)構(gòu)和高校紛紛覺(jué)醒,才開(kāi)始布局相關(guān)研究。然而,在這十年時(shí)間里,西電的寬禁帶半導(dǎo)體研究,已經(jīng)有了深厚的積累。討論寬禁帶半導(dǎo)體材料理論問(wèn)題及計(jì)算分析的相關(guān)論文,常見(jiàn)諸于國(guó)內(nèi)核心學(xué)術(shù)期刊上。國(guó)內(nèi)最早探討寬禁帶半導(dǎo)體的專(zhuān)著《碳化硅寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)》,也在2000年問(wèn)世。正是在2000年前后,經(jīng)過(guò)4、5年的科研積累,寬禁帶半導(dǎo)體材料的特性、相關(guān)研究的脈絡(luò)和框架已經(jīng)有了比較清晰的梳理。但要想把研究做大做強(qiáng),成立一個(gè)專(zhuān)門(mén)的機(jī)構(gòu)為科研提供支持就顯得十分必要。加之,搭建科研大平臺(tái)也一直是學(xué)校建設(shè)和發(fā)展的要事,于是,申報(bào)寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室便自然而然地提上了日程。2003年,國(guó)家集成電路人才培養(yǎng)基地落成。同年,微電子學(xué)院成立。2004年,寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室也正式掛牌。又一個(gè)十年過(guò)去,在科研成果、人才隊(duì)伍、成果轉(zhuǎn)化等方面,“優(yōu)秀”似乎已經(jīng)成為了實(shí)驗(yàn)室的習(xí)慣。在最近一個(gè)的評(píng)估期內(nèi),實(shí)驗(yàn)室交出了一份滿意的答卷:2項(xiàng)國(guó)家科技進(jìn)步獎(jiǎng)二等獎(jiǎng),4項(xiàng)陜西省科學(xué)技術(shù)一等獎(jiǎng),1項(xiàng)國(guó)家級(jí)教學(xué)成果獎(jiǎng)二等獎(jiǎng),1項(xiàng)陜西省教學(xué)成果獎(jiǎng)特等獎(jiǎng),430余篇SCI和EI論文和近300項(xiàng)授權(quán)發(fā)明專(zhuān)利……一條擁有若干項(xiàng)自主關(guān)鍵技術(shù)、最高潔凈度達(dá)百級(jí)的寬禁帶半導(dǎo)體超凈工藝研發(fā)線建成,成為學(xué)校的一張“科研名片”。對(duì)于寬禁帶半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室,獲評(píng)優(yōu)秀,與其說(shuō)是一種“意外之喜”,更像是一份來(lái)自自身和他人的信任。“優(yōu)秀是相對(duì)而言的,是在某一套評(píng)價(jià)體系中的優(yōu)秀。”實(shí)驗(yàn)室對(duì)此達(dá)成共識(shí),“我們相信自身的實(shí)力。我們的目標(biāo),還在于更高更遠(yuǎn)處。”微觀世界探尋寬廣天地 科技讓生活更美好簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),禁帶寬度對(duì)于半導(dǎo)體材料來(lái)說(shuō)是一個(gè)非常關(guān)鍵的物理數(shù)據(jù)。由于半導(dǎo)體既能導(dǎo)電,又能不導(dǎo)電,那么,利用好這一特性,讓它既能穩(wěn)定導(dǎo)電,又能絕緣,就顯得至關(guān)重要。而要想保證導(dǎo)電性能的穩(wěn)定,就要管好一群“自由自在”的電子,讓它們不要過(guò)于“歡蹦亂跳”。寬禁帶就是這樣一種存在。它就像一道“鴻溝”,讓被注入了來(lái)自熱量或輻射的能量而突然“興奮”起來(lái)的電子跨不過(guò)去,只能遠(yuǎn)遠(yuǎn)地看著對(duì)岸的電子穩(wěn)定地工作著。現(xiàn)有的研究資料表明,以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體材料的禁帶寬度,就要比以硅(Si)和鍺(Ge)為代表的第一代半導(dǎo)體材料的禁帶寬度,多出2倍以上。因此,第三代半導(dǎo)體在耐高溫、抗輻射、降能耗等方面比第一、二代半導(dǎo)體表現(xiàn)得出色許多。利用這種禁帶寬的物質(zhì),把它變成材料,用于制作半導(dǎo)體器件,進(jìn)而制成集成電路,而后把它推廣出去應(yīng)用到我們的生產(chǎn)和生活中,就是寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件實(shí)驗(yàn)室的使命所在。從微觀世界回到現(xiàn)實(shí)生活,第三代半導(dǎo)體已然走入尋常百姓家。在照明領(lǐng)域,盡管紅、綠色發(fā)光二極管在上世紀(jì)中葉已經(jīng)問(wèn)世,但照亮世界的白色光源,因?yàn)槿鄙偃坏乃{(lán)色而無(wú)法合成,直到上世紀(jì)80年代末才問(wèn)世。這得托第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵(GaN)的福。沒(méi)有它,就沒(méi)有藍(lán)光LED,白光LED也無(wú)從談起。除此之外,在微波通訊、供電等領(lǐng)域,第三代半導(dǎo)體更是有著極大的作為空間。比如5G通訊。第一代半導(dǎo)體材料硅(Si),是現(xiàn)在市場(chǎng)上大部分手機(jī)集成電路的材料。隨著手機(jī)越來(lái)越“萬(wàn)能”,特別是5G時(shí)代的到來(lái),硅(Si)已然沒(méi)有辦法承擔(dān)這么大功率運(yùn)轉(zhuǎn)、高帶寬速度的重壓了。不過(guò)這一點(diǎn),氮化鎵(GaN)很擅長(zhǎng)。再比如軌道交通動(dòng)力系統(tǒng)。高鐵動(dòng)車(chē)跑得快,全靠存在于每節(jié)車(chē)廂的電動(dòng)機(jī)組合力帶。一列高鐵上百臺(tái)電機(jī)工作同時(shí)工作,什么樣的電子器件適合在高電壓、大功率下還能高效率地控制電流、驅(qū)動(dòng)電機(jī)呢?最理想的,非碳化硅(SiC)寬禁帶半導(dǎo)體莫屬。總之,第三代半導(dǎo)體器件就如同建筑行業(yè)的鋼筋水泥一樣,遍布電力電子產(chǎn)品充斥的社會(huì)的每一個(gè)角落。它小小的身軀,為環(huán)境友好型、資源節(jié)約型社會(huì)建設(shè)提供了巨大支持。科學(xué)研究瞄準(zhǔn)重大需求 成果轉(zhuǎn)化造福社會(huì)在2012年-2016年這一個(gè)評(píng)估期內(nèi),寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件實(shí)驗(yàn)室有2項(xiàng)研究成果為國(guó)家科技進(jìn)步作出貢獻(xiàn)。2015年,郝躍院士團(tuán)隊(duì)的“氮化鎵基紫外與深紫外LED關(guān)鍵技術(shù)”獲得國(guó)家科技進(jìn)步獎(jiǎng)。這項(xiàng)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了我國(guó)在紫外與深紫外LED領(lǐng)域的重大突破,被評(píng)價(jià)為“達(dá)到了國(guó)際先進(jìn)水平”。紫外線,我們都不陌生。紫外殺菌、紫外驗(yàn)鈔等都是我們熟知的應(yīng)用領(lǐng)域。不過(guò),傳統(tǒng)紫外光的產(chǎn)生,要靠真空燈管中電子束激發(fā)鹵素來(lái)得到,體積大、效率低、能耗高,甚至對(duì)環(huán)境造成污染。完美解決上述問(wèn)題的,是紫外與深紫外LED。制造這種器件的基礎(chǔ),是以氮化鋁(AlN)和氮化鎵(GaN)為代表的Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料。然而,要想達(dá)到紫外與深紫外LED最理想的性能,這種半導(dǎo)體材料的生長(zhǎng)絕非易事。紫外光具有更高的光子能量和更短的波長(zhǎng)。想讓波長(zhǎng)變短,就得增加AlGaN中的Al組分。但是,隨著Al組分的增加,三個(gè)重大技術(shù)難題又隨之而來(lái):材料缺陷急劇增加、p型摻雜十分困難、折射率升高導(dǎo)致全反射進(jìn)而降低光提取效率。這正是郝躍院士和團(tuán)隊(duì)花費(fèi)十余年心血攻克的三個(gè)重要難題。隨著這三大核心問(wèn)題的解決,在材料生長(zhǎng)方法、摻雜方法、高效率器件結(jié)構(gòu)等方面也有了創(chuàng)新性突破,獲得中國(guó)和美國(guó)發(fā)明專(zhuān)利授權(quán)22項(xiàng)。現(xiàn)在,1千瓦的紫外LED光源和傳統(tǒng)的3.6千瓦紫外熒光燈照明效果一樣,能耗卻降低72%,壽命自然也延長(zhǎng)不少,更重要的是,很大程度上避免了重金屬污染。通過(guò)產(chǎn)學(xué)研合作轉(zhuǎn)化,在實(shí)現(xiàn)7.1億元產(chǎn)值的同時(shí),50余家芯片、封裝及應(yīng)用企業(yè)應(yīng)用了該項(xiàng)目的技術(shù)和產(chǎn)品,紫外LED器件、紫外燈管、紫外光源模組等產(chǎn)品已經(jīng)在電子產(chǎn)品制造、印刷、水凈化、醫(yī)療、農(nóng)業(yè)等領(lǐng)域有所應(yīng)用,為主要用戶創(chuàng)造9.7億元經(jīng)濟(jì)效益。2016年,楊銀堂教授團(tuán)隊(duì)的“多層次系統(tǒng)芯片低功耗設(shè)計(jì)技術(shù)”獲得國(guó)家科技進(jìn)步獎(jiǎng)。這一成果同樣被評(píng)價(jià)為“達(dá)到了國(guó)際先進(jìn)水平”。死機(jī),是追求速度和高效的現(xiàn)代生活中令人不愉快的一種體驗(yàn)。造成死機(jī)的原因諸多,負(fù)載過(guò)重是“罪魁禍?zhǔn)住薄R恍┬阅芷胀ǖ氖謾C(jī),常常用著用著就燙“死”了。那么,有沒(méi)有可能我們的手機(jī)能分屏同時(shí)操作多個(gè)大容量應(yīng)用程序而不死機(jī),并且還非常省電呢?答案存在于我們對(duì)美好生活的向往中。這樣的手機(jī)不僅需要多顆“心臟”,還要能夠高效工作,最大可能降低功耗。多層次系統(tǒng)芯片低功耗設(shè)計(jì)技術(shù),即是針對(duì)國(guó)內(nèi)無(wú)線通信、雷達(dá)信號(hào)處理、衛(wèi)星通信的迫切需求,旨在降低一個(gè)芯片系統(tǒng)整體功耗的技術(shù)。在一個(gè)芯片系統(tǒng)中,哪里會(huì)產(chǎn)生能耗,怎樣控制各部分產(chǎn)生的能耗,是這項(xiàng)技術(shù)要解決的根本問(wèn)題。楊銀堂教授和團(tuán)隊(duì)經(jīng)過(guò)十余年的努力,提出系統(tǒng)芯片多層次協(xié)同的設(shè)計(jì)思想,在系統(tǒng)層、通信層、功率層、電路層等多個(gè)層次上實(shí)現(xiàn)了低功耗設(shè)計(jì),讓系統(tǒng)芯片既能“各司其職”,又能相互配合,完美演繹“協(xié)奏曲”。現(xiàn)在,這項(xiàng)技術(shù)廣泛適用于系統(tǒng)集成芯片、數(shù)模混合集成以及功率管理和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng),數(shù)字信號(hào)處理器、多模多頻移動(dòng)基帶等芯片的功耗水平顯著降低。研究成果近3年來(lái)實(shí)現(xiàn)直接經(jīng)濟(jì)效益10億元以上。進(jìn)入下一個(gè)十年,實(shí)驗(yàn)室依舊在為更低能耗、更優(yōu)性能的半導(dǎo)體材料奮斗。建立更大的科研平臺(tái)、吸引更多的優(yōu)秀人才、制造更優(yōu)質(zhì)的半導(dǎo)體器件,實(shí)驗(yàn)室一直在努力。或許有一天,西電寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件實(shí)驗(yàn)室,會(huì)叩響未來(lái)更新半導(dǎo)體材料時(shí)代的大門(mén)。(記者陳圓)(來(lái)源 西電新聞網(wǎng))

下載半導(dǎo)體絕緣體的禁帶寬度和金屬功函數(shù)word格式文檔
下載半導(dǎo)體絕緣體的禁帶寬度和金屬功函數(shù).doc
將本文檔下載到自己電腦,方便修改和收藏,請(qǐng)勿使用迅雷等下載。
點(diǎn)此處下載文檔

文檔為doc格式


聲明:本文內(nèi)容由互聯(lián)網(wǎng)用戶自發(fā)貢獻(xiàn)自行上傳,本網(wǎng)站不擁有所有權(quán),未作人工編輯處理,也不承擔(dān)相關(guān)法律責(zé)任。如果您發(fā)現(xiàn)有涉嫌版權(quán)的內(nèi)容,歡迎發(fā)送郵件至:645879355@qq.com 進(jìn)行舉報(bào),并提供相關(guān)證據(jù),工作人員會(huì)在5個(gè)工作日內(nèi)聯(lián)系你,一經(jīng)查實(shí),本站將立刻刪除涉嫌侵權(quán)內(nèi)容。

相關(guān)范文推薦

    主站蜘蛛池模板: av亚洲产国偷v产偷v自拍| 一本一久本久a久久精品综合| 永久免费无码日韩视频| 夜鲁鲁鲁夜夜综合视频欧美| 精品无人区一区二区三区在线| 亚洲综合无码一区二区三区不卡| 久久精品成人一区二区三区| 一区二区三区在线 | 欧洲| 国产成人无码a区精油按摩| 三级4级全黄60分钟| 亚洲男同志网站| 久久久久久国产精品免费免费男同| 无码人妻丰满熟妇区视频| 国产+成+人+亚洲欧洲自线| 国产精品亚洲综合色区| 伊伊人成亚洲综合人网香| 亚洲国产三级在线观看| 在线亚洲精品国产一区麻豆| 久久久一本精品99久久精品66| 国产精品普通话国语对白露脸| av中文无码乱人伦在线观看| 成人免费精品网站在线观看影片| 国产麻豆md传媒视频| 国内精品久久久久影院老司机| 精品欧美成人一区二区不卡在线| 美女久久| 国产精品白丝av网站在线观看| 不满足出轨的人妻中文字幕| 中文字幕无码av激情不卡| 97人人超碰国产精品最新o| 熟妇人妻一区二区三区四区| 欧美成人家庭影院| 国产在线精品二区| 免费做爰猛烈吃奶摸视频在线观看| 在线aⅴ亚洲中文字幕| 精品九九人人做人人爱| 亚洲av无码一区东京热| 最新版天堂资源中文官网| 国产色秀视频在线播放| 无码av免费一区二区三区试看| 精品一区二区三区免费播放|